RU2365027C1 - Opto-electric converter - Google Patents
Opto-electric converter Download PDFInfo
- Publication number
- RU2365027C1 RU2365027C1 RU2007142878/09A RU2007142878A RU2365027C1 RU 2365027 C1 RU2365027 C1 RU 2365027C1 RU 2007142878/09 A RU2007142878/09 A RU 2007142878/09A RU 2007142878 A RU2007142878 A RU 2007142878A RU 2365027 C1 RU2365027 C1 RU 2365027C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- film
- electrodes
- optical radiation
- opto
- converter
- Prior art date
Links
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 20
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- -1 polycor Substances 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к устройствам для преобразования импульсного оптического излучения в импульсный электрический сигнал. Оно может быть использовано для регистрации оптического излучения, а также для построения углоизмерительных устройств.The invention relates to optoelectronics, in particular to devices for converting pulsed optical radiation into a pulsed electrical signal. It can be used to register optical radiation, as well as to build angle measuring devices.
Известен оптоэлектрический преобразователь, представляющий собой полупроводниковый фотоприемник, работающий на внутреннем фотоэффекте [И.Д.Анисимова, И.М.Викулин, Ф.А.Заитов, Ш.Д.Курмашев. Полупроводниковые фотоприемники: Ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра. - М.: Радио и связь, 1984. - 216 с., ил.].Known optoelectric converter, which is a semiconductor photodetector operating on an internal photoelectric effect [I.D. Anisimova, I.M.Vikulin, F.A. Zaitov, Sh.D. Kurmashev. Semiconductor photodetectors: Ultraviolet, visible and near infrared spectral ranges. - M .: Radio and communications, 1984. - 216 p., Ill.].
Однако полупроводниковый фотоприемник не обладает характерной зависимостью амплитуды сигнала от угла падения, позволяющей построить датчик углового положения.However, the semiconductor photodetector does not have a characteristic dependence of the signal amplitude on the angle of incidence, which makes it possible to construct an angular position sensor.
Наиболее близким к изобретению по технической сущности является оптоэлектронное устройство для генерации ультракоротких электрических импульсов, регистрации формы и измерения мощности импульсов оптического излучения, состоящее из источника света, преобразователя света в электрический сигнал, выполненного в виде проводящей углеродной пленки, обладающей свойством оптического выпрямления и представляющей собой кристаллиты графита, базовые плоскости которых ориентированы перпендикулярно подложке, и двух параллельных электродов, расположенных на поверхности преобразователя света по разные стороны от области, освещаемой источником оптического излучения, и имеющих с ним электрический контакт [Патент №2273946 от 10.04.2006, Бюл. №10]. При этом основными структурными элементами такой пленки являются кристаллиты графита, состоящие из нескольких (примерно от 5 до 50) параллельных хорошо упорядоченных атомных слоев. Толщина кристаллитов находится в пределах от 2 до 20 нм, при размерах в других измерениях около 1-3 микрометров. Все кристаллиты имеют преимущественную ориентацию атомных слоев в направлении нормали к поверхности подложки.Closest to the invention in technical essence is an optoelectronic device for generating ultrashort electrical pulses, recording the shape and measuring the power of pulses of optical radiation, consisting of a light source, a light converter into an electrical signal, made in the form of a conductive carbon film having the property of optical rectification and representing graphite crystallites, whose base planes are oriented perpendicular to the substrate, and two parallel electrodes, ra laid on the surface of the light transmitter on opposite sides of the area illuminated by the source of optical radiation, and having an electrical contact with it [Patent №2273946 of 10.04.2006, Bul. No. 10]. In this case, the main structural elements of such a film are graphite crystallites, consisting of several (from about 5 to 50) parallel well-ordered atomic layers. The crystallite thickness is in the range from 2 to 20 nm, with sizes in other dimensions about 1-3 micrometers. All crystallites have a preferred orientation of atomic layers in the direction normal to the surface of the substrate.
Пучок импульсного оптического излучения попадает на преобразователь света. При этом угол падения пучка света на поверхность пленки отличен от нуля. Импульсное оптическое излучение наводит статическую нелинейную поляризацию. В результате этого между электродами возникает разность потенциалов, изменение которой со временем по форме и длительности повторяет импульс оптического излучения.A beam of pulsed optical radiation hits a light converter. In this case, the angle of incidence of the light beam on the film surface is nonzero. Pulsed optical radiation induces a static nonlinear polarization. As a result of this, a potential difference arises between the electrodes, the change of which with time in shape and duration repeats the pulse of optical radiation.
Однако такое устройство обладает низкой стойкостью к механическим воздействиям. Кроме того, монотонное возрастание амплитуды оптоэлектрического сигнала наблюдается в ограниченном диапазоне углов падения α (от -45° до +45°).However, such a device has a low resistance to mechanical stress. In addition, a monotonic increase in the amplitude of the optoelectric signal is observed in a limited range of angles of incidence α (from -45 ° to + 45 °).
Задача изобретения - получение простого и недорогого оптоэлектрического преобразователя, амплитуда сигнала которого зависит от пространственной ориентации последнего, стойкого к механическим и оптическим воздействиям, а также увеличение диапазона углов α, при котором наблюдается монотонное возрастание амплитуды оптоэлектрического сигнала.The objective of the invention is to obtain a simple and inexpensive optoelectric converter, the signal amplitude of which depends on the spatial orientation of the latter, resistant to mechanical and optical influences, as well as increasing the range of angles α, at which a monotonic increase in the amplitude of the optoelectric signal is observed.
Поставленная задача решается тем, что проводящая пленка оптоэлектрического преобразователя выполнена в виде толстопленочного резистора на основе серебра и палладия.The problem is solved in that the conductive film of the optoelectric converter is made in the form of a thick film resistor based on silver and palladium.
Техническим результатом является получение оптоэлектрического преобразователя, стойкого к механическим и оптическим воздействиям.The technical result is to obtain an optoelectric transducer resistant to mechanical and optical influences.
Краткое описание чертежейBrief Description of the Drawings
Фиг.1 показывает общий вид оптоэлектрического преобразователя. 1 - диэлектрическая подложка, 2 - проводящая резистивная пленка, 3 - электроды.Figure 1 shows a General view of the optoelectric transducer. 1 - dielectric substrate, 2 - conductive resistive film, 3 - electrodes.
Фиг.2 показывает зависимость амплитуды оптоэлектрического сигнала U, возникающего между электродами, от угла падения α луча лазера на резистивную пленку, при расположении электродов перпендикулярно плоскости падения.Figure 2 shows the dependence of the amplitude of the optoelectric signal U arising between the electrodes on the angle of incidence α of the laser beam on the resistive film, when the electrodes are perpendicular to the plane of incidence.
Фиг.3 показывает зависимость амплитуды оптоэлектрического сигнала U, возникающего между электродами, от угла вращения β резистивной пленки с электродами вокруг своей нормали, при угле падения α=45°, при этом угол β=0 (180°), когда электроды расположены перпендикулярно плоскости падения, а при β=90 (270°) электроды расположены параллельно плоскости падения.Figure 3 shows the dependence of the amplitude of the optoelectric signal U arising between the electrodes on the rotation angle β of the resistive film with electrodes around its normal, at an angle of incidence α = 45 °, while the angle β = 0 (180 °) when the electrodes are perpendicular to the plane fall, and at β = 90 (270 °) the electrodes are parallel to the plane of incidence.
Раскрытие изобретенияDisclosure of invention
Оптоэлектрический преобразователь состоит из подложки 1, проводящей резистивной пленки 2 и двух проводящих параллельных электродов 3, имеющих электрический контакт с поверхностью пленки (фиг.1). Подложка 1 изготавливается из материала, имеющего хорошую адгезию и существенно более низкую электропроводность по сравнению с материалом пленки (диэлектрик). В качестве подложки может использоваться ситалл, высокоглиноземистая и бериллиевая керамика, стекло, поликор, полиимид, металлы, покрытые диэлектрической пленкой и др. Электроды 3 могут быть выполнены из любого хорошо проводящего материала, например из меди, серебра, алюминия и т.д. Электроды желательно располагать под резистивной пленкой для исключения попадания на них оптического излучения. Резистивная пленка изготавливается путем термообработки на воздухе (при температуре 500-700°С) резистивной пасты на основе серебра и палладия. Состав пасты может быть, например, следующим: окись серебра (AgO2) - 36 весовых частей (в.ч.), палладий (Pd) - 15,3 в.ч., стекло СЦ-273 - 48,7 в.ч., органическая связка - 25 в.ч.The optoelectric converter consists of a substrate 1, a conductive
Оптоэлектрический преобразователь работает следующим образом. Пучок импульсного оптического излучения (см. фиг.1) попадает на проводящую резистивную пленку 2 по данному изобретению, и импульсное оптическое излучение наводит импульсную разность потенциалов между электродами 3, расположенными на подложке 2 под резистивной пленкой.Optoelectric Converter operates as follows. A beam of pulsed optical radiation (see FIG. 1) is incident on the conductive
На фиг.2 представлена зависимость электрического сигнала (U), возникающего между электродами, от угла падения α. Полярность электрического сигнала меняется с изменением знака угла α, а при нормальном падении (α=0) сигнал полностью отсутствует. При этом достигается монотонное возрастание амплитуды сигнала в диапазоне углов α от 60° до -60°.Figure 2 shows the dependence of the electrical signal (U) arising between the electrodes on the angle of incidence α. The polarity of the electrical signal changes with a change in the sign of the angle α, and with normal incidence (α = 0), the signal is completely absent. In this case, a monotonic increase in the signal amplitude is achieved in the range of angles α from 60 ° to -60 °.
На фиг.3 представлена зависимость электрического сигнала от угла поворота плоскости фотоприемника β с электродами относительно нормали к этой поверхности при фиксированном значении угла α=45°. Углы β=0 и 180° соответствуют положению сторон фотоприемника с нанесенными на него электродами перпендикулярно к плоскости падения (плоскости чертежа). Из фиг.3 видно, что вращение пластины с электродами вокруг нормальной оси приводит к косинусоидальному изменению амплитудного значения оптоэлектрического сигнала. Когда электроды расположены в плоскостях, параллельных плоскости падения (β=90°, 270°), амплитуда оптоэлектрического сигнала принимает нулевое значение.Figure 3 shows the dependence of the electric signal on the angle of rotation of the plane of the photodetector β with electrodes relative to the normal to this surface at a fixed angle α = 45 °. The angles β = 0 and 180 ° correspond to the position of the sides of the photodetector with electrodes deposited on it perpendicular to the plane of incidence (drawing plane). Figure 3 shows that the rotation of the plate with the electrodes around the normal axis leads to a cosine change in the amplitude value of the optoelectric signal. When the electrodes are located in planes parallel to the plane of incidence (β = 90 °, 270 °), the amplitude of the optoelectric signal takes a zero value.
Выполнение оптоэлектрического преобразователя со светоприемной частью из резистивной пленки на основе серебра и палладия позволяет добиться большей механической и оптической прочности светоприемной части преобразователя, при этом стоимость преобразователя снижается. Технология получения толстопленочных резисторов разработана и хорошо известна, поэтому стоимость таких элементов небольшая. Резисторы получают с использованием термообработки на открытом воздухе, следовательно, они выдерживают воздействие высоких температур. После термообработки резистивная пленка становится достаточно прочной и может сохранять свои параметры при механическом воздействии и облучении мощным оптическим излучением. Такой оптоэлектрический преобразователь может быть использован для регистрации оптических импульсов и построения углоизмерительных и навигационных систем.The implementation of the optoelectric converter with the light receiving part of the resistive film based on silver and palladium allows to achieve greater mechanical and optical strength of the light receiving part of the converter, while the cost of the converter is reduced. The technology for producing thick-film resistors has been developed and is well known, so the cost of such elements is small. Resistors are obtained using heat treatment in the open air, therefore, they withstand the effects of high temperatures. After heat treatment, the resistive film becomes sufficiently strong and can retain its parameters under mechanical action and irradiation with powerful optical radiation. Such an optoelectric converter can be used to register optical pulses and build angle-measuring and navigation systems.
Таким образом, выполнение проводящей пленки оптоэлектрического преобразователя в виде толстопленочного резистора на основе серебра и палладия позволяет получить простой и недорогой оптоэлектрический преобразователь, стойкий к механическим и оптическим воздействиям, а также увеличить диапазон углов падения α, при котором наблюдается монотонное возрастание амплитуды оптоэлектрического сигнала.Thus, the implementation of the conductive film of the optoelectric converter in the form of a thick film resistor based on silver and palladium makes it possible to obtain a simple and inexpensive optoelectric converter resistant to mechanical and optical influences, as well as to increase the range of incidence angles α, at which a monotonic increase in the amplitude of the optoelectric signal is observed.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007142878/09A RU2365027C1 (en) | 2007-11-19 | 2007-11-19 | Opto-electric converter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007142878/09A RU2365027C1 (en) | 2007-11-19 | 2007-11-19 | Opto-electric converter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2007142878A RU2007142878A (en) | 2009-05-27 |
| RU2365027C1 true RU2365027C1 (en) | 2009-08-20 |
Family
ID=41022822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007142878/09A RU2365027C1 (en) | 2007-11-19 | 2007-11-19 | Opto-electric converter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2365027C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2452924C1 (en) * | 2010-12-27 | 2012-06-10 | Геннадий Михайлович Михеев | Method of determining circular polarisation sign of laser radiation |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6239453B1 (en) * | 1996-06-19 | 2001-05-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optoelectronic material, device using the same, and method for manufacturing optoelectronic material |
| EP1253614A1 (en) * | 2000-01-17 | 2002-10-30 | Hamamatsu Photonics K. K. | Cathode for emitting photoelectron or secondary electron, photomultiplier tube, and electron-multiplier tube |
| WO2004013915A1 (en) * | 2002-08-01 | 2004-02-12 | Sanyo Electric Co.,Ltd. | Optical sensor, method for manufacturing and driving optical sensor, and method for measuring light intensity |
| RU2273946C2 (en) * | 2004-05-25 | 2006-04-10 | Геннадий Михайлович Михеев | Optic-electronic device |
-
2007
- 2007-11-19 RU RU2007142878/09A patent/RU2365027C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6239453B1 (en) * | 1996-06-19 | 2001-05-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optoelectronic material, device using the same, and method for manufacturing optoelectronic material |
| EP1253614A1 (en) * | 2000-01-17 | 2002-10-30 | Hamamatsu Photonics K. K. | Cathode for emitting photoelectron or secondary electron, photomultiplier tube, and electron-multiplier tube |
| WO2004013915A1 (en) * | 2002-08-01 | 2004-02-12 | Sanyo Electric Co.,Ltd. | Optical sensor, method for manufacturing and driving optical sensor, and method for measuring light intensity |
| RU2273946C2 (en) * | 2004-05-25 | 2006-04-10 | Геннадий Михайлович Михеев | Optic-electronic device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2452924C1 (en) * | 2010-12-27 | 2012-06-10 | Геннадий Михайлович Михеев | Method of determining circular polarisation sign of laser radiation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2007142878A (en) | 2009-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109087989B (en) | Preparation method of multifunctional thermoelectric thin film power generation and light intensity sensing device | |
| JP4184701B2 (en) | Radiation detector | |
| CN1372635A (en) | Improvements in, or relating to, infra-red detection | |
| Wu et al. | ZnO microwire-based fiber-tip Fabry-Pérot interferometer for deep ultraviolet sensing | |
| RU2365027C1 (en) | Opto-electric converter | |
| Ordinario et al. | Stretchable structural color filters based on a metal–insulator–metal structure | |
| Hu et al. | Electrically controlled terahertz binary coder based on hysteresis of vanadium dioxide embedded modulator | |
| CH666122A5 (en) | CAPACITIVE POSITION SENSOR. | |
| CA3061524A1 (en) | Microbolometer detectors and arrays for printed photonics applications | |
| CN111994866A (en) | Bending strain enhanced ultraviolet photoelectric position sensor and preparation method thereof | |
| JP2007526472A (en) | Method of manufacturing a radiation thermal detection device comprising an active microbolometer and a passive microbolometer | |
| CN104236721A (en) | Terahertz wave detecting device, camera, imaging apparatus and measuring apparatus | |
| RU2273946C2 (en) | Optic-electronic device | |
| RU2452924C1 (en) | Method of determining circular polarisation sign of laser radiation | |
| JP2011080772A (en) | Infrared sensor and method for manufacturing the same | |
| RU2351904C1 (en) | Photodetector | |
| Jiang et al. | Solution-processed high-performance colloidal quantum dot tandem photodetectors on flexible substrates | |
| US20050179031A1 (en) | Organic semiconductor photodetector | |
| Li et al. | Very fast metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors on GaN with submicron finger width | |
| CN110346326B (en) | an optical sensor | |
| Ikeda et al. | Miniaturized polarization sensors integrated with wire-grid polarizers | |
| Sung et al. | Direct and continuous liquid-level sensing using gallium nitride ultraviolet photodetectors | |
| Fortunato et al. | Production and characterization of large area flexible thin film position sensitive detectors | |
| Fortunato et al. | New ultra-light flexible large area thin film position sensitive detector based on amorphous silicon | |
| Mikheev et al. | Light-induced EMF in silver-palladium film resistors |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20091120 |