RU2352684C1 - Вольфрам-титановая мишень для магнетронного распыления и способ ее получения - Google Patents
Вольфрам-титановая мишень для магнетронного распыления и способ ее получения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2352684C1 RU2352684C1 RU2007129700/02A RU2007129700A RU2352684C1 RU 2352684 C1 RU2352684 C1 RU 2352684C1 RU 2007129700/02 A RU2007129700/02 A RU 2007129700/02A RU 2007129700 A RU2007129700 A RU 2007129700A RU 2352684 C1 RU2352684 C1 RU 2352684C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- tungsten
- titanium
- target
- disk
- cast
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title description 15
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 238000007670 refining Methods 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 9
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010038 TiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к вольфрам-титановым мишеням для магнетронного распыления и способам их получения и может быть использовано в микроэлектронике. Согласно способу осуществляют глубокое вакуумное рафинирование многократным переплавом вольфрама и титана с получением поликристаллических слитков титана и монокристаллов вольфрама. Далее из поликристаллического слитка титана изготавливают диск, в котором в распыляемой зоне по двум концентрическим окружностям в шахматном порядке сверлят отверстия и прессовой посадкой крепят в них литые цилиндрические вставки из монокристаллов вольфрама, предварительно подвергнутых шлифовке и резке на мерные длины. Мишень, полученная указанным способом, состоит из литого диска из высокочистого титана и литых цилиндрических вставок из высокочистого монокристаллического вольфрама, расположенных в распыляемой зоне диска по двум концентрическим окружностям в шахматном порядке. При этом соотношение площадей на поверхности мишени, занимаемых вольфрамом и титаном, обеспечивает получение пленок при магнетронном распылении состава 35-40 ат.% титана, остальное вольфрам. Технический результат - повышение качества и надежности наносимых пленок барьерного слоя вольфрам-титанового сплава. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Изобретение относится к области производства распыляемых металлических мишеней для микроэлектроники. В технологии производства кремниевых сверхбольших интегральных схем (СБИС) сплавы вольфрама с титаном используют в качестве диффузионных барьерных слоев между кремниевой подложкой и металлизацией из алюминиевых сплавов. Вольфрам-титановые тонкопленочные барьеры изготавливают путем распыления вольфрам-титановых мишеней. Такие мишени производят путем смешивания исходных порошков вольфрама и титана с последующим нагревом и прессованием.
Наиболее близким к заявленному объекту является патент США №5896553 от 20.04.1999 (прототип), в котором описаны однофазные вольфрам-титановые распыляемые мишени и способ их производства, заключающийся в смешивании порошков вольфрама и титана и прессовании при температуре, давлении и выдержке, достаточных для достижения взаимного твердого раствора вольфрама и титана с образованием бета-фазы. К недостаткам прототипа следует отнести следующее:
- Изделие получают в результате комплекса операций, включающих прессование и отжиг смеси порошковых материалов, что чревато сохранением или внесением неконтролируемых примесей, в том числе углерода, кислорода и азота, т.е. примесный состав мишени предопределен самим способом изготовления.
- Затруднено достижение минимальной пористости материала мишени. Произведенная по описанию мишень имеет удельную плотность, составляющую 90-95% от теоретической, в результате при эксплуатации наблюдается нестабильность распыления, вспучивание мишени из-за газовыделения из объема и образование столбчатой микроструктуры в напыленных вольфрам-титановых пленках.
- Получение однофазных мишеней с бета-фазой трудно достижимо. При производстве распыляемых вольфрам-титановых мишеней, в силу проходящих взаимных диффузионных процессов, равновесие в реальном времени не достигается никогда, поэтому вольфрам и титан распределены неравномерно, микроструктура получается многофазной и все это отрицательно сказывается на качестве напыленных барьерных слоев.
- Использование высокого давления (до 40 kpsi) в сочетании с высокими температурами (до 1650°С) в атмосфере инертного газа или в вакууме в течение 3-6 часов приводит к чрезвычайному аппаратному и технологическому усложнению и удорожанию всего процесса изготовления мишеней.
Техническая задача - повышение качества и надежности барьерных слоев вольфрам-титанового сплава путем использования мишеней для магнетронного распыления, полученных методами вакуумной металлургии. В этом случае распылению подвергают литые мишени с удельной плотностью 100%, не имеющие недостатков, присущих металлокерамическим мишеням. Вариантами процесса может быть применение мишеней, составленных из литых блоков высокочистых вольфрама и титана, либо одновременное распыление (со-распыление) двух литых мишеней из вольфрама и титана высокой чистоты. Последний случай интересен возможностью получения вольфрам-титановых пленок любого состава за счет выбора скорости и времени осаждения для каждого металла. Этот метод использован авторами для отработки режимов получения пленок с оптимальными электрофизическими параметрами. Стремление обеспечить максимальную чистоту исходных материалов мишеней привело к разработке конструкции составной мишени. При этом использованы результаты, полученные авторами при со-распылении двух литых мишеней. Составная вольфрам-титановая мишень представляет собой плоское основание из высокочистого титана с цилиндрическими вставками из монокристаллического вольфрама высокой чистоты. При этом для изготовления слитков титана использовали двойной электронно-лучевой переплав в высоком вакууме, монокристаллы вольфрама получали методом электронно-лучевой зонной плавки в высоком вакууме с рафинированием за несколько жидкофазных проходов расплавленной зоной. На титановом диске, изготовленном из поликристаллического слитка, в распыляемой зоне (зоне эрозии) по двум концентрическим окружностям в шахматном порядке сверлили отверстия, в которые запрессовывали вольфрамовые цилиндрические вставки из шлифованного по диаметру и разрезанных на мерные длины монокристалла.
На фиг.1 представлен общий вид составной мишени для реализации заявленного способа: 1 - титановый диск, 2 - вставки из монокристалла вольфрама в количестве 56 штук. Вольфрамовые вставки определенного диаметра и количества размещали так, чтобы на распыляемой поверхности мишени в зоне эрозии соотношение площадей участков вольфрама и титана соответствовало требуемому соотношению в вольфрам-титановых пленках.
ПРИМЕР РЕАЛИЗАЦИИ СПОСОБА
Реализация варианта получения вольфрам-титановых пленок с заданным соотношением компонентов со-распылением двух мишеней проводили с целью определения оптимальных режимов распыления и оптимального соотношения элементов в диффузионных барьерных слоях, когда наблюдается наименьшая взаимная растворимость на границе с алюминиевой металлизацией, достигается высокая термостойкость слоя в сочетании с низким удельным электросопротивлением, высокой адгезией и оптимальными механическими свойствами барьерного слоя. Мишени, представляющие собой плоские диски диаметром 78 мм, изготавливали из поликристаллических слитков высокочистых титана и вольфрама. Осаждение пленок проводили на установке магнетронного распыления с раздельными магнетронами. Проведенные эксперименты показали, что скорости осаждения обоих металлов линейно зависят от мощности разряда. В экспериментах определяли мощность распыления каждой из двух мишеней, необходимой для получения вольфрам-титановых пленок с заданным соотношением вольфрам/титан. Для оценки качества нанесенных пленок по величине поверхностного сопротивления и толщине пленок проводили измерения удельного электросопротивления. На фиг.2 представлена зависимость удельного электросопротивления пленок от соотношения титана и вольфрама (фиг.2, точки А, 1, 2, 3, 4, 5, 6, В). При нанесении на той же установке и в аналогичных условиях вольфрам-титановых слоев распылением металлокерамической мишени, полученной методом порошковой металлургии с использованием высокочистых исходных порошков и исключением внесения загрязняющих примесей на этапах изготовления мишени, удельное электросопротивление составляло 130 мкОм. см (фиг.2, точка С). В пленках того же состава, полученной со-распылением двух литых мишеней из высокочистых вольфрама и титана, удельное электросопротивление было 62 мкОм. см (фиг.2, точка Е), т.е. в два раза ниже.
Следует отметить структурные особенности пленок, полученных распылением порошковых и литых мишеней. Порошковые мишени могут быть распылены только при небольшой мощности (<1 кВт) вследствие газовыделения и вспучивания при разогреве мишени до 300°С в процессе магнетронного распыления. На фиг.3 представлена схема поперечного сечения системы с барьерным вольфрам-титановым слоем. При малых скоростях образуется столбчатая структура. Поры декорируют границы столбцов (кристаллитов), состоящих из плотной сердцевины (матрицы W(110) с микровключениями титана), окруженной менее плотным, пористым материалом. Такая структура резко снижает барьерные свойства пленки: при отжиге вольфрам диффундирует в алюминий с образованием WAl12, а алюминий - в вольфрам-титановую пленку с образованием TiAl3. Литые мишени распыляли при высоких скоростях (мощность >3 кВт), при этом газовыделения и вспучивания не происходит, а микроструктура пленок характеризуется высокой дисперсностью с размером зерен 10-20 нм.
Основываясь на результатах, полученных со-распылением двух мишеней, предложена составная мишень (фиг.4), подвергнутая испытаниям с целью изучения воспроизводимости состава и свойств вольфрам-титановых пленок. На фиг.4 представлена составная мишень: а - новая мишень, б - мишень, выработанная на 20%. Распыление проводили на промышленной установке «Оратория-5» в среде аргона. Скорость нанесения пленок 1,8±0,1 нм. с-1. Пленки осаждали на кремниевые пластины, предварительно нагретые до 250°С. Толщина пленок 0,18±0,02 мкм, удельное электросопротивление - менее 5 Ом/□. Контролировали состав, структурные особенности, воспроизводимость состава по глубине слоя, электрофизические параметры. Спектральный анализ показал, что состав пленок, наносимых распылением составной мишени на различных этапах ее эксплуатации (в частности, в начальный период и после 145 рабочих циклов распыления, когда возникает эрозия зоны распыления) соответствует содержанию титана 35-40 ат.%, остальное вольфрам. Отклонение от данного соотношения в ходе эксплуатации мишени не превышало 2-3%. Удельное электросопротивление пленок при этом было на уровне 60-70 мкОм. см (фиг.2, точка Е). Итак, предлагаемая мишень сконструирована таким образом, что ее распыляемая поверхность имеет соотношение площадей, занимаемых титаном и вольфрамом, обеспечивающее получение вольфрам-титановых пленок требуемого соотношения, а именно 35-40 ат.% титана, остальное вольфрам.
Claims (3)
1. Способ производства вольфрам-титановой мишени для магнетронного распыления, включающий глубокое вакуумное рафинирование многократным переплавом вольфрама и титана с получением поликристаллических слитков титана и монокристаллов вольфрама, изготовление из поликристаллического слитка титана диска, в котором в распыляемой зоне по двум концентрическим окружностям в шахматном порядке сверлят отверстия и прессовой посадкой крепят в них литые цилиндрические вставки из монокристаллов вольфрама, предварительно подвергнутых шлифовке и резке на мерные длины.
2. Вольфрам-титановая мишень для магнетронного распыления, характеризующаяся тем, что она получена способом по п.1 и состоит из литого диска из высокочистого титана и литых цилиндрических вставок из высокочистого монокристаллического вольфрама, расположенных в распыляемой зоне диска по двум концентрическим окружностям в шахматном порядке.
3. Мишень по п.2, отличающаяся тем, что соотношение площадей на поверхности мишени, занимаемых вольфрамом и титаном, обеспечивает получение пленок при магнетронном распылении состава 35-40 ат.% титана, остальное вольфрам.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007129700/02A RU2352684C1 (ru) | 2007-08-03 | 2007-08-03 | Вольфрам-титановая мишень для магнетронного распыления и способ ее получения |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007129700/02A RU2352684C1 (ru) | 2007-08-03 | 2007-08-03 | Вольфрам-титановая мишень для магнетронного распыления и способ ее получения |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2352684C1 true RU2352684C1 (ru) | 2009-04-20 |
Family
ID=41017765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007129700/02A RU2352684C1 (ru) | 2007-08-03 | 2007-08-03 | Вольфрам-титановая мишень для магнетронного распыления и способ ее получения |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2352684C1 (ru) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2392686C1 (ru) * | 2009-07-17 | 2010-06-20 | Вадим Георгиевич Глебовский | Составная мишень для распыления и способ ее получения |
| RU2454482C2 (ru) * | 2010-06-03 | 2012-06-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Способ получения составной мишени для распыления из сплава вольфрам-титан-рений |
| RU2454481C2 (ru) * | 2010-06-03 | 2012-06-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Способ получения составной мишени для распыления из сплава вольфрам-титан-кремний |
| RU183138U1 (ru) * | 2018-03-20 | 2018-09-12 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Составная мишень для получения нанокомпозитов при магнетронном распылении |
| RU2699702C1 (ru) * | 2019-02-07 | 2019-09-09 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TixW1-xO3 |
| RU2775446C1 (ru) * | 2021-12-21 | 2022-06-30 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" | Способ получения тонких металлических пленок на основе вольфрама |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4915810A (en) * | 1988-04-25 | 1990-04-10 | Unisys Corporation | Target source for ion beam sputter deposition |
| RU2068886C1 (ru) * | 1991-06-10 | 1996-11-10 | Акционерное общество открытого типа "Всероссийский алюминиево-магниевый институт" | Способ изготовления и реставрации мишени для магнетронного распыления в вакууме |
| US5896533A (en) * | 1995-07-06 | 1999-04-20 | Intel Corporation | Accessing internets world-wide web through object linking and embedding technology |
| RU2210620C1 (ru) * | 2001-12-21 | 2003-08-20 | Ширяев Сергей Аркадьевич | Способ ионно-плазменного нанесения многокомпонентных пленочных покрытий, мозаичная мишень для его осуществления и способ изготовления мишени |
-
2007
- 2007-08-03 RU RU2007129700/02A patent/RU2352684C1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4915810A (en) * | 1988-04-25 | 1990-04-10 | Unisys Corporation | Target source for ion beam sputter deposition |
| RU2068886C1 (ru) * | 1991-06-10 | 1996-11-10 | Акционерное общество открытого типа "Всероссийский алюминиево-магниевый институт" | Способ изготовления и реставрации мишени для магнетронного распыления в вакууме |
| US5896533A (en) * | 1995-07-06 | 1999-04-20 | Intel Corporation | Accessing internets world-wide web through object linking and embedding technology |
| RU2210620C1 (ru) * | 2001-12-21 | 2003-08-20 | Ширяев Сергей Аркадьевич | Способ ионно-плазменного нанесения многокомпонентных пленочных покрытий, мозаичная мишень для его осуществления и способ изготовления мишени |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2392686C1 (ru) * | 2009-07-17 | 2010-06-20 | Вадим Георгиевич Глебовский | Составная мишень для распыления и способ ее получения |
| RU2454482C2 (ru) * | 2010-06-03 | 2012-06-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Способ получения составной мишени для распыления из сплава вольфрам-титан-рений |
| RU2454481C2 (ru) * | 2010-06-03 | 2012-06-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Способ получения составной мишени для распыления из сплава вольфрам-титан-кремний |
| RU183138U1 (ru) * | 2018-03-20 | 2018-09-12 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Составная мишень для получения нанокомпозитов при магнетронном распылении |
| RU2699702C1 (ru) * | 2019-02-07 | 2019-09-09 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TixW1-xO3 |
| RU2775446C1 (ru) * | 2021-12-21 | 2022-06-30 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" | Способ получения тонких металлических пленок на основе вольфрама |
| RU236736U1 (ru) * | 2024-12-27 | 2025-08-19 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский политехнический университет" (Московский Политех) | Составная мишень для магнетронного распыления |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100760156B1 (ko) | 탄탈륨 스퍼터링 타겟트 | |
| RU2352684C1 (ru) | Вольфрам-титановая мишень для магнетронного распыления и способ ее получения | |
| JP4885305B2 (ja) | 焼結体ターゲット及び焼結体の製造方法 | |
| WO2004090193A1 (ja) | タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| WO2004027109A1 (ja) | タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| KR101452607B1 (ko) | 스퍼터링 타깃 | |
| WO2004044259A1 (ja) | Ｔａスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP5882248B2 (ja) | Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット、同スパッタリングターゲット用鋳造品及びこれらの製造方法 | |
| US5896553A (en) | Single phase tungsten-titanium sputter targets and method of producing same | |
| CN104968828B (zh) | Cu-Ga-In-Na靶 | |
| CN100443626C (zh) | 单靶磁控溅射Cu1－xCrx合金薄膜的方法 | |
| KR100446563B1 (ko) | 복합재료의 제조방법 및 그것에 의해 얻어지는 복합재료 | |
| JP5750393B2 (ja) | Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP4061557B2 (ja) | 相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法。 | |
| CN112111714A (zh) | 一种钽铝合金溅射靶材的制备方法 | |
| JPWO2001068936A1 (ja) | 複合材料の製造方法及びそれにより得られる複合材料 | |
| WO2025006859A1 (en) | Metals and metal alloys for sputtering targets | |
| KR101133029B1 (ko) | 고순도 탄탈륨 판재 및 그 제조방법 | |
| JP3281173B2 (ja) | 高硬度薄膜及びその製造方法 | |
| RU2356964C1 (ru) | Способ производства распыляемых мишеней из литых дисилицидов тугоплавких металлов и устройство для его реализации | |
| CN116496760B (zh) | 一种具有多主元中/高熵合金镀覆层的超硬材料磨粒及其制备方法 | |
| JPH06128737A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JP2003171760A (ja) | タングステンスパッタリングターゲット | |
| CN114457314A (zh) | 一种高纯钽靶材的制备方法 | |
| Wang et al. | Relationship of interface microstructure and adhesion strength between Ti coating and diamond |