RU2346362C1

RU2346362C1 - Device for standing wave ratio adjustment according to microwave device voltage

Info

Publication number: RU2346362C1
Application number: RU2007123953/09A
Authority: RU
Inventors: Сергей Николаевич Григорьев (RU); Сергей Николаевич Григорьев
Original assignee: Сергей Николаевич Григорьев
Priority date: 2007-06-25
Filing date: 2007-06-25
Publication date: 2009-02-10

Abstract

FIELD: physics; measurement.

SUBSTANCE: invention relates to microwave radio-measuring devices and provides for adjustment of standing wave ratio (SWR) according to voltage in microwave attenuators, voltage dividers, which are part of terminating power meters, as well as in various wave-propagating systems and coaxial transmission and delay lines. Device for SWR adjustment according to microwave device voltage comprises a threaded stem with top end splined and bottom end connected to reflecting disk. Lower face of reflecting disk is rigidly coupled with absorbing disk. In the centre of reflecting disk lower face there is a guide ridge. In the absorbing disk there is a straight hole coaxial to the stem, reflecting disk and absorbing disk, in which the guide is positioned.

EFFECT: provides for SWR adjustment according to microwave device voltage in actual load mode and facilitates adjustment.

3 cl, 5 dwg

Description

Изобретение относится к области радиоизмерительной СВЧ-техники и предназначена для плавной ручной регулировки коэффициента стоячей волны (КСВ) по напряжению в СВЧ-аттенюаторах, делителях напряжения в составе ваттметров поглощаемой мощности, а также в различных волноводных системах и коаксиальных линиях передачи и задержки.The invention relates to the field of microwave microwave technology and is intended for smooth manual adjustment of the standing wave coefficient (SWR) by voltage in microwave attenuators, voltage dividers as a part of wattmeters of absorbed power, as well as in various waveguide systems and coaxial transmission and delay lines.

На момент подачи заявки заявителю был известен только стационарный способ регулировки КСВ. На фиг.1 показана реализация указанного способа на примере четырехсекционного пленочного резистивного СВЧ-аттенюатора, применяемого в составе ваттметра поглощаемой мощности марки «М3-105» (ТУ ИЛГШ.411151.001) с использованием в качестве поглощающих и отражающих электромагнитные волны устройств, при помощи которых происходит регулировка ферритовых колец 1 (ГОСТ 6663-74 и ОСТ 11 707.004-76 «Ферриты СВЧ. Марки, основные параметры и методы измерений»), и/или керамических 2 и/или поликоровых 3 пластин.At the time of application, the applicant was aware of only the stationary method for adjusting the SWR. Figure 1 shows the implementation of this method by the example of a four-section film resistive microwave attenuator used as part of an absorbent power meter “M3-105” (TU ILGSh.411151.001) using devices that absorb and reflect electromagnetic waves by which adjustment of ferrite rings 1 (GOST 6663-74 and OST 11 707.004-76 "Microwave ferrites. Stamps, basic parameters and measurement methods"), and / or ceramic 2 and / or polycrust 3 plates.

СВЧ-аттенюатор представляет собой волновод, образованный боковыми стенками 4 корпуса 5 и верхним 6 и нижним 7 профилями-радиаторами, внутри которого установлены пакеты 8, 9, 10, 11 резистивных плат 12, 13, 14, 15, представляющих собой подложки с напыленными на нее резистивными пленками.The microwave attenuator is a waveguide formed by the side walls 4 of the housing 5 and the upper 6 and lower 7 profiles-radiators, inside of which are installed packages 8, 9, 10, 11 of the resistive boards 12, 13, 14, 15, which are substrates coated with her resistive films.

Подающийся на вход каждой из резистивных плат 12, 13, 14, 15 сигнал в большей степени поглощается ею в виде джоулевых потерь и частично излучается в виде инфракрасного излучения. При этом часть сигнала отражается от выхода каждой из резистивных плат 12, 13, 14, 15 в виде отраженной волны в плоскости резистивной платы и отраженных пространственных волн, распространяющихся вне плоскости резистивных плат 12, 13, 14, 15. Падающая и отраженная в плоскости резистивных плат 12, 13, 14, 15 волны интерферируют между собой и при сложении образуют стоячую волну. При этом возникает процесс образования многомодовости выходного сигнала, когда электромагнитные волны с разными фазами начинают когерировать между собой, что недопустимо во избежание резкого искажения выходного сигнала на выходе СВЧ-тракта.The signal supplied to the input of each of the resistive boards 12, 13, 14, 15 is absorbed to a greater extent by it in the form of Joule losses and partially emitted in the form of infrared radiation. In this case, part of the signal is reflected from the output of each of the resistive boards 12, 13, 14, 15 in the form of a reflected wave in the plane of the resistive board and reflected spatial waves propagating outside the plane of the resistive boards 12, 13, 14, 15. Incident and reflected in the plane of the resistive boards 12, 13, 14, 15 waves interfere with each other and when added form a standing wave. In this case, the process of formation of multimode mode of the output signal occurs when electromagnetic waves with different phases begin to cohere with each other, which is unacceptable in order to avoid sharp distortion of the output signal at the output of the microwave path.

Регулировку КСВ по напряжению производят на микромощностях следующим образом. Путем подбора вручную оптимального места расположения, например, ферритовых колец 1 на поверхности резистивных плат 12, 13, 14, 15, добиваются максимального ослабления по амплитуде отраженной в плоскости резистивных плат 12, 13, 14, 15 волны, которая является «паразитной» и вносящей существенные искажения в форму выходного сигнала - синусоиды, и того, чтобы падающая и отраженная волны когерировали бы между собой в противофазе. В таком случае реализуется одномодовый режим выходного сигнала. Отраженная волна отражается от ферритовых колец 1 и частично поглощается ими. Для падающей же волны из-за большой мощности входного сигнала ферритовые кольца 1 практически не являются препятствием.The adjustment of the SWR for voltage is carried out at micropower as follows. By manually selecting the optimal location, for example, ferrite rings 1 on the surface of the resistive boards 12, 13, 14, 15, maximum attenuation is achieved by the amplitude of the wave reflected in the plane of the resistive boards 12, 13, 14, 15, which is “spurious” and introduces Significant distortions in the shape of the output signal - a sinusoid, and that the incident and reflected waves cohere with each other in antiphase. In this case, a single-mode output mode is implemented. The reflected wave is reflected from the ferrite rings 1 and partially absorbed by them. For the incident wave, due to the high power of the input signal, the ferrite rings 1 are practically not an obstacle.

Ферритовые кольца 1 закрепляются жестко термостойким клеем на поверхности резистивных плат 12 и 13 только после окончательной регулировки КСВ по напряжению.Ferrite rings 1 are fixed rigidly with heat-resistant adhesive on the surface of resistive boards 12 and 13 only after the final adjustment of the SWR for voltage.

Аналогично производят регулировку КСВ по напряжению в СВЧ-аттенюаторе с использованием керамических 2 или поликоровых 3 пластин, при этом возможно одновременное использование всех указанных выше поглощающих и отражающих электромагнитные волны устройств.Similarly, the SWR is adjusted according to the voltage in the microwave attenuator using ceramic 2 or multicore 3 plates, and it is possible to simultaneously use all of the above devices absorbing and reflecting electromagnetic waves.

Данный способ регулировки осуществляется на микромощностях сигнала, но не учитывает тот факт, что экспериментальные данные радиоизмерений для амплитудно-частотных характеристик (АЧХ) и фазочастотных характеристик (ФЧХ) на микромощностях по сравнению с реальным, максимально-номинальным значением мощности подающегося сигнала согласно ТУ ИЛГШ.411151.001, резко ухудшаются, а также на 3-5% возрастает значение КСВ, что означает увеличение мощности отраженного сигнала. При этом необходимо учитывать также и тот факт, что при заводских и военно-полевых испытаниях ваттметров поглощаемой мощности «М3-104», «М3-105», «М3-106», в частности СВЧ-аттенюаторов, при длительных вибрациях, тряске, ударах, напряженных температурных режимах эксплуатации - до +150°С как самих резистивных плат, так и высоких значений температуры окружающей среды - до +70°С и влажности 100%, поглощающие и отражающие электромагнитные волны устройства имеют свойства менять свое положение на резистивных платах относительно первоначально установленного места ввиду текучести крепящего клея под воздействием высокой СВЧ-мощности. Все вышеперечисленные причины приводят к тому, что, например, в аттенюаторе ваттметра «М3-105» в диапазоне частот 800-1600 МГц КСВ, измеренный при мощности сигнала 1-3 мкВт и изначально равный 1,15, при мощности сигнала, равной 500 Вт, т.е. в режиме «реальной нагрузки», изменяется до значений 1,18-1,20.This adjustment method is carried out at the micropower of the signal, but does not take into account the fact that the experimental data of radio measurements for amplitude-frequency characteristics (AFC) and phase-frequency characteristics (PFC) at micropower compared to the real, maximum-nominal value of the power of the supplied signal according to TU ILGSh. 411151.001, deteriorate sharply, and also the value of the SWR increases by 3-5%, which means an increase in the power of the reflected signal. It is also necessary to take into account the fact that during factory and field tests of absorbed power meters “M3-104”, “M3-105”, “M3-106”, in particular microwave attenuators, with prolonged vibration, shaking, shock, intense temperature operating conditions - up to + 150 ° С both of the resistive circuit boards themselves, and high ambient temperatures - up to + 70 ° С and 100% humidity, absorbing and reflecting electromagnetic waves of the device have the ability to change their position on the resistive circuit boards originally installed about the place due to the fluidity of the fixing adhesive under the influence of high microwave power. All of the above reasons lead to the fact that, for example, in the attenuator of the M3-105 wattmeter in the frequency range 800-1600 MHz, the SWR measured at a signal power of 1-3 μW and initially equal to 1.15, with a signal power of 500 W , i.e. in the "real load" mode, it changes to values of 1.18-1.20.

Недостатком устройств, реализующих известный способ, является сложность регулировки КСВ, а также невозможность регулировки КСВ в режиме «реальной» нагрузки. Так, в случае ремонтно-восстановительных или регулировочных работ, жестко смонтированные клеем на резистивные платы поглощающие и отражающие электромагнитные волны устройства весьма трудно поддаются переустановкам. При этом, в виду резкого увеличения рабочего времени и трудоемкости на проделываемые регулировочные операции увеличивается себестоимость выпускаемого аттенюатора и самого прибора в целом. В устройствах, реализующих известный способ, радиоинженеры и регулировщики СВЧ-техники постоянно должны решать задачу оптимизации монтажа поглощающих и отражающих электромагнитные волны устройств на резистивных платах для снижения показаний КСВ, согласно ТУ ИЛГШ.411151.001. Но производить опытно-экспериментальные замеры КСВ и контрольные испытания самих СВЧ-приборов в режиме «реальной нагрузки» категорически запрещается. Также существенным недостатком известного способа регулировки КСВ является низкая стабильность полученных результатов регулировки.The disadvantage of devices that implement the known method is the difficulty of adjusting the SWR, as well as the inability to adjust the SWR in the "real" load. So, in the case of repair and restoration or adjustment work, absorbing and reflecting electromagnetic waves that are rigidly mounted with glue on resistive boards are very difficult to reinstall. At the same time, in view of the sharp increase in working time and labor intensity for ongoing adjustment operations, the cost of the produced attenuator and the device itself as a whole increases. In devices that implement the known method, radio engineers and regulators of microwave technology must constantly solve the problem of optimizing the installation of absorbing and reflecting electromagnetic waves devices on resistive boards to reduce the readings of the SWR, according to TU ILGSh.411151.001. But to carry out experimental measurements of the SWR and control tests of the microwave devices themselves in the "real load" mode is strictly prohibited. Also a significant disadvantage of the known method for adjusting the SWR is the low stability of the obtained adjustment results.

Задача, решаемая предлагаемым изобретением, направлена на усовершенствование устройства для регулировки КСВ по напряжению в СВЧ-приборах.The problem solved by the invention is aimed at improving the device for adjusting the SWR for voltage in microwave devices.

Технический результат от использования заявляемого устройства заключается в возможности регулировки КСВ по напряжению в СВЧ-приборах в режиме реальной нагрузки и упрощении процесса регулировки.The technical result from the use of the inventive device is the ability to adjust the SWR for voltage in microwave devices in real load mode and simplify the adjustment process.

Указанный технический результат достигается тем, что устройство для регулировки КСВ по напряжению в СВЧ-приборах включает шток с резьбой, на верхнем торце которого выполнен шлиц, а нижний торец штока соединен с отражающим диском, который, в свою очередь, жестко соединен с поглощающим диском, при этом нижняя грань отражающего диска в центре снабжена направляющим выступом, установленным в цилиндрическом отверстии, выполненном в отражающем диске соосно со штоком, отражающим диском и поглощающим диском.The specified technical result is achieved by the fact that the device for adjusting the SWR for voltage in microwave devices includes a threaded rod, on the upper end of which a slot is made, and the lower end of the rod is connected to a reflective disk, which, in turn, is rigidly connected to the absorbing disk, the lower face of the reflecting disk in the center is provided with a guide protrusion mounted in a cylindrical hole made in the reflecting disk coaxially with the rod, the reflecting disk and the absorbing disk.

Предпочтительно в устройстве для регулировки КСВ по напряжению в СВЧ-приборах выполнение диаметра отражающего диска соответствующим диаметру поглощающего диска, а направляющего выступа - цилиндрической формы.Preferably, in the device for adjusting the SWR for voltage in microwave devices, the diameter of the reflecting disk is corresponding to the diameter of the absorbing disk, and the guide protrusion is cylindrical.

Заявляемое устройство поясняется чертежами, где на фиг.1 изображен общий вид устройства стационарной регулировки КСВ по напряжению (аналог); на фиг.2 - общий вид заявляемого устройства регулировки КСВ по напряжению; на фиг.3 - вид сбоку устройства регулировки КСВ по напряжению в разрезе; на фиг.4 - вид устройства регулировки КСВ по напряжению при сборке; на фиг.5 - общий вид заявляемого устройства регулировки КСВ по напряжению, реализованного в составе СВЧ-аттенюатора, применяемого на базе ваттметра поглощаемой мощности «М3-105».The inventive device is illustrated by drawings, where figure 1 shows a General view of the device for stationary adjustment of the SWR for voltage (analogue); figure 2 is a General view of the inventive device for adjusting the SWR for voltage; figure 3 is a side view of a device for adjusting the SWR for voltage in the context; figure 4 is a view of a device for adjusting the SWR for voltage during assembly; figure 5 is a General view of the inventive device for adjusting the SWR for voltage, implemented as part of the microwave attenuator used on the basis of a wattmeter of absorbed power "M3-105".

Устройство для регулировки КСВ по напряжению в СВЧ-приборах содержит шток 16 с резьбой 17, на верхнем торце 18 которого выполнен шлиц 19, а нижний торец 20 штока 16 соединен с отражающим диском 21. Отражающий диск 21 своей нижней гранью 22 жестко соединен с поглощающим диском 23. Нижняя грань 22 отражающего диска 21 в центре снабжена направляющим выступом 24 предпочтительно цилиндрической формы. В поглощающем диске 23 соосно со штоком 16, отражающим диском 21 и поглощающим диском 23 выполнено цилиндрическое отверстие 25, в котором установлен направляющий выступ 24.A device for adjusting the SWR for voltage in microwave devices contains a rod 16 with a thread 17, on the upper end 18 of which a slot 19 is made, and the lower end 20 of the rod 16 is connected to the reflective disk 21. The reflective disk 21 is rigidly connected to the absorbing disk with its lower face 22 23. The lower face 22 of the reflective disk 21 in the center is provided with a guide protrusion 24 of preferably a cylindrical shape. In the absorbing disk 23 coaxially with the rod 16, the reflecting disk 21 and the absorbing disk 23 there is a cylindrical hole 25 in which the guide protrusion 24 is mounted.

Устройство для регулировки КСВ по напряжению в СВЧ-приборах реализуется, например, в составе четырехсекционного пленочного резистивного СВЧ-аттенюатора, применяемого на базе ваттметра поглощаемой мощности «М3-105» следующим образом.A device for adjusting the SWR for voltage in microwave devices is implemented, for example, as part of a four-section film resistive microwave attenuator used on the basis of an absorbed power meter “M3-105” as follows.

В выполненное в верхнем профиле-радиаторе 26 СВЧ-аттенюатора отверстие 27 с резьбой ввернут шток 16 таким образом, что его верхний торец 18 со шлицом 19 направлен наружу верхнего профиля-радиатора 26, а соединенные с нижним торцом 20 штока 16 и между собой отражающий 21 и поглощающий 23 диски установлены внутри волновода СВЧ-аттенюатора, образованного боковыми 28 стенками корпуса 29 и верхним 26 и нижним 30 профилями-радиаторами. При этом нижняя грань 31 поглощающего диска 23 установлена параллельно резистивной подложке 32, размещенной внутри волновода. В СВЧ-аттенюаторе, применяемом на базе ваттметра поглощаемой мощности «М3-105», используется четыре последовательно соединенных пакета 33, 34, 35, 36 резистивных подложек 32, 37, 38, 39, напротив каждого из которых устанавливается заявляемое устройство, при этом пакет 33 состоит из двухсторонних резистивных подложек 32, поэтому заявляемое устройство устанавливается напротив него в верхнем 26 и нижнем 30 профиле-радиаторе.The rod 16 is screwed into the hole 27 threaded in the upper profile-radiator 26 of the microwave attenuator so that its upper end 18 with slot 19 is directed outside the upper profile-radiator 26, and reflecting 21 connected to the lower end 20 of the rod 16 and the absorbing 23 disks are installed inside the waveguide of the microwave attenuator formed by the lateral 28 walls of the housing 29 and the upper 26 and lower 30 profiles-radiators. In this case, the lower face 31 of the absorbing disk 23 is installed parallel to the resistive substrate 32 located inside the waveguide. In the microwave attenuator, used on the basis of the absorbent power meter “M3-105”, four series-connected packages 33, 34, 35, 36 resistive substrates 32, 37, 38, 39 are used, opposite each of which the inventive device is installed, while the package 33 consists of two-sided resistive substrates 32, therefore, the inventive device is installed opposite it in the upper 26 and lower 30 profile-radiator.

Устройство для регулировки коэффициента стоячей волны по напряжению в СВЧ-приборах, например, в составе четырехсекционного пленочного резистивного СВЧ-аттенюатора, применяемого на базе ваттметра поглощаемой мощности «М3-105», работает следующим образомA device for adjusting the standing wave coefficient by voltage in microwave devices, for example, as part of a four-section film resistive microwave attenuator used on the basis of an absorbed power meter “M3-105”, operates as follows

В заявляемом устройстве используется принцип плавного изменения эквивалентной электроемкости С_экв, например, между резистивной подложкой 32 и верхним 26 профилями-радиаторами СВЧ-аттенюатора, что, в свою очередь, приводит к изменению волнового сопротивления всего СВЧ-тракта и коэффициента отражения СВЧ-волны в СВЧ-аттенюаторе. Следовательно, в итоге изменяется и сам КСВ по напряжению в СВЧ-аттенюаторе, т.к.:The inventive device uses the principle of smooth changes in the equivalent electric capacitance C _equiv , for example, between the resistive substrate 32 and the top 26 profiles-radiators of the microwave attenuator, which, in turn, leads to a change in the wave resistance of the entire microwave path and the reflection coefficient of the microwave wave in Microwave attenuator. Therefore, as a result, the SWR itself also changes in voltage in the microwave attenuator, because:

,

где

- коэффициент отражения СВЧ-волны аттенюатора, Z₀ - волновое сопротивление СВЧ-тракта, зависящее от эквивалентной емкости C_экв Where

- reflection coefficient of the microwave wave attenuator, Z ₀ - wave impedance of the microwave path, depending on the equivalent capacitance C _equiv

,

R_вх - входное сопротивление поглощающих резистивных пленок, напыленных на подложку;R _I - input resistance of absorbing resistive films deposited on a substrate;

L - полная самоиндукция поглощающих резистивных пленок, напыленных на подложку.L is the complete self-induction of absorbing resistive films deposited on a substrate.

При этом отраженные пространственные волны, распространяющиеся вне плоскости резистивной подложки 32, начинают взаимодействовать с соединенными отражающим 21 и поглощающим 23 дисками устройства регулировки KCB по напряжению и, частично поглотившись, отражаются ими обратно в сторону резистивной подложки 32. Отраженная от устройства волна многократно отражается от боковых стенок 28 корпуса 29 и под малым углом падает на плоскость резистивной подложки 32, начиная взаимодействовать с распростаняющимися в плоскости резистивной подложки 32 падающей и отраженной волнами.In this case, the reflected spatial waves propagating outside the plane of the resistive substrate 32 begin to interact with the voltage reflecting device KCB connected to the reflecting 21 and absorbing 23 disks and, having partially absorbed, they are reflected back to the resistive substrate 32. The wave reflected from the device is repeatedly reflected from the side the walls 28 of the housing 29 and at a small angle falls on the plane of the resistive substrate 32, starting to interact with falling in the plane of the resistive substrate 32 th and the reflected waves.

При реализации заявляемого устройства в составе ваттметра поглощаемой мощности «М3-105», оно устанавливается в верхнем профиле-радиаторе 26 таким образом, что проекция центра отражающего 31 и поглощающего 23 дисков на резистивную подложку не попадает в резонансные точки

падающей и отраженной волны, распространяющейся в плоскости резистивной подложки. В обратном случае идет генерация волн с различными модами, существенное искажение сигнала, что приводит к резкому ухудшению АЧХ и ФЧХ, увеличению KCB.When implementing the inventive device as part of a wattmeter of absorbed power "M3-105", it is installed in the upper profile-radiator 26 in such a way that the projection of the center of the reflecting 31 and absorbing 23 disks onto the resistive substrate does not fall into the resonant points

incident and reflected waves propagating in the plane of the resistive substrate. In the opposite case, there is the generation of waves with different modes, a significant distortion of the signal, which leads to a sharp deterioration in the frequency response and phase response, an increase in KCB.

Вращательное движение штока 16 с резьбой 17 по резьбе в отверстии 27 верхнего профиля-радиатора 26 СВЧ-аттенюатора приводит к движению отражающего диска 21 и соединенного с его нижней гранью 22 поглощающего диска 23 в вертикальной плоскости параллельно резистивной подложке 32. При этом изменяется расстояние между поверхностью резистивной подложки 32 и соединенными отражающим 21 и поглощающим 23 дисками, а значит изменяется эквивалентная емкость C_экв, значение которой обратно пропорциональна этому расстоянию, и, соответственно, KCB по напряжению. Одновременно изменением высоты положения соединенных отражающего 21 и поглощающего 23 дисков над резистивной подложкой 32 добиваются максимального поглощения поглощающим 23 диском пространственных отраженных волн.Rotational movement of the rod 16 with the thread 17 through the thread in the hole 27 of the upper profile-radiator 26 of the microwave attenuator leads to the movement of the reflective disk 21 and the absorption disk 23 connected to its lower face 22 in a vertical plane parallel to the resistive substrate 32. The distance between the surface changes resistive substrate 32 and the connected reflective 21 and absorbing 23 disks, which means that the equivalent capacitance C _equiv changes, the value of which is inversely proportional to this distance, and, accordingly, KCB voltage. At the same time, by changing the height of the position of the connected reflecting 21 and absorbing 23 disks above the resistive substrate 32, the maximum absorption of the spatial reflected waves by the absorbing 23 disk is achieved.

В случае, когда шток 16 с отражающим 21 и поглощающим 23 дисками вворачивается до упора, например, в резистивную подложку 32, то чтобы не произошло короткое замыкание между микрополосковой СВЧ-линией и корпусом - «землей», длина направляющего выступа 24 изготовлена меньше толщины поглощающего электромагнитные волны диска 23. Диаметры отражающего 21 и поглощающего 23 диска выбираются из расчета максимального перекрытия площади резистивной подложки 32. Направляющий выступ 24 выполняется для того, чтобы поглощающий диск 23 при сборке заявляемого устройства гарантированно устанавливался соосно штоку 16, отражающему диску 21, а также для сохранения этой соосности при работе заявляемого устройства.In the case when the rod 16 with the reflecting 21 and absorbing 23 disks is screwed all the way, for example, into the resistive substrate 32, so that there is no short circuit between the microstrip microwave line and the body - “ground”, the length of the guide protrusion 24 is made less than the thickness of the absorbing electromagnetic waves of the disk 23. The diameters of the reflecting 21 and the absorbing disk 23 are selected based on the maximum overlap of the area of the resistive substrate 32. The guide protrusion 24 is made so that the absorbing disk 23 when assembling the inventive device The property was guaranteed to be installed aligned with the rod 16, the reflective disk 21, and also to maintain this alignment during operation of the inventive device.

Итак, изменением расстояния от соединенных отражающего и поглощающего дисков до резистивной подложки добиваются максимального поглощения отраженных пространственных волн, распространяющихся внутри СВЧ-аттенюатора, и одновременно, изменения КСВ по напряжению.So, by changing the distance from the connected reflecting and absorbing disks to the resistive substrate, the maximum absorption of the reflected spatial waves propagating inside the microwave attenuator is achieved, and at the same time, the SWR changes in voltage.

Отражающий диск, шток и направляющий штырь устройства для регулировки коэффициента стоячей волны по напряжению в СВЧ-приборах изготавливают из однородного материала, например из алюминиевого высокопрочного сплава "В95" (ГОСТ 4784-74), как монолитная деталь. Поглощающий диск изготавливают, например, из рутила - двуокиси титана (TiO₂), либо керамических пластин 22ХС (ГОСТ 20419-83) или поликора ТУ 11-81 (ТУ Ще0.781.000). Заявляемое устройство изготавливают методом механической обработки на токарном станке с последующим склеиванием отражающего и поглощающего дисков термостойким клеем, например, марки ВТ-25-200.The reflecting disk, the rod and the guide pin of the device for adjusting the standing wave coefficient by voltage in microwave devices are made of a homogeneous material, for example, aluminum alloy B95 (GOST 4784-74), as a monolithic part. The absorbing disk is made, for example, of rutile - titanium dioxide (TiO ₂ ), or ceramic plates 22XC (GOST 20419-83) or polycor TU 11-81 (TU Shche0.781.000). The inventive device is made by machining on a lathe, followed by gluing the reflective and absorbing discs with heat-resistant adhesive, for example, grade VT-25-200.

Предпочтительно выполнение верхнего и нижнего профилей-радиаторов, штока заявляемого устройства, отражающего диска и направляющего выступа из одного материала.It is preferable to perform the upper and lower profiles-radiators, the rod of the inventive device, a reflective disk and a guide protrusion of one material.

Таким образом, заявляемое устройство для регулировки коэффициента стоячей волны по напряжению в СВЧ-приборах позволяет регулировать КСВ по напряжению в СВЧ-приборах в режиме реальной нагрузки при упрощении процесса регулировки.Thus, the inventive device for adjusting the coefficient of the standing wave voltage in microwave devices allows you to adjust the SWR for voltage in microwave devices in real load when simplifying the adjustment process.

Claims

1. A device for adjusting the coefficient of the standing wave voltage in microwave devices, including a threaded rod, on the upper end of which a slot is made, and the lower end of the rod is connected to a reflective disk, which, in turn, is rigidly connected to the absorbing disk, the lower face of the reflecting disk in the center is provided with a guide protrusion mounted in a cylindrical hole made in the absorbing disk coaxially with the rod, the reflecting disk and the absorbing disk.

2. A device for adjusting the coefficient of a standing wave by voltage in microwave devices according to claim 1, characterized in that the diameter of the reflecting disk corresponds to the diameter of the absorbing disk.

3. A device for adjusting the coefficient of a standing wave voltage in microwave devices according to claim 1, characterized in that the guide protrusion has a cylindrical shape.