RU2341048C1 - Method of microstrip shf integrated chips manufacture - Google Patents
Method of microstrip shf integrated chips manufacture Download PDFInfo
- Publication number
- RU2341048C1 RU2341048C1 RU2007127414/09A RU2007127414A RU2341048C1 RU 2341048 C1 RU2341048 C1 RU 2341048C1 RU 2007127414/09 A RU2007127414/09 A RU 2007127414/09A RU 2007127414 A RU2007127414 A RU 2007127414A RU 2341048 C1 RU2341048 C1 RU 2341048C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- integrated circuits
- microstrip
- integrated chips
- shf
- phosphate
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 6
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- -1 monosubstituted ammonia phosphate Chemical class 0.000 abstract description 3
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract description 2
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910000388 diammonium phosphate Inorganic materials 0.000 abstract 2
- LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N ammonium dihydrogen phosphate Chemical class [NH4+].OP(O)([O-])=O LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- XTFKWYDMKGAZKK-UHFFFAOYSA-N potassium;gold(1+);dicyanide Chemical compound [K+].[Au+].N#[C-].N#[C-] XTFKWYDMKGAZKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZRIUUUJAJJNDSS-UHFFFAOYSA-N ammonium phosphates Chemical class [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]P([O-])([O-])=O ZRIUUUJAJJNDSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- FYWSTUCDSVYLPV-UHFFFAOYSA-N nitrooxythallium Chemical compound [Tl+].[O-][N+]([O-])=O FYWSTUCDSVYLPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 235000013861 fat-free Nutrition 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области электротехники, в частности к технологии изготовления микрополосковых СВЧ интегральных схем, и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности, приборостроении и вычислительной технике.The invention relates to the field of electrical engineering, in particular to the technology for the manufacture of microstrip microwave integrated circuits, and can be used in the electronics industry, instrumentation and computer engineering.
Известен способ изготовления микрополосковых СВЧ интегральных схем, включающий электролитическое осаждение золота на барьерный подслой из никеля в качестве защитного слоя на полоски интегральных микросхем с анодами из платины. Для нанесения золота на поверхности полосок применяют нитратные электролиты золочения, содержащие, например, K[Au(CN)2] - 8...10 г/л (в пересчете на Au), C6H8O7 - 30 г/л, К3С6Н5O7 - 80 г/л с рН 4,5...5 при Dк=0,4 А/дм2. Осадки обладают блеском, повышенной твердостью и износоустойчивостью (Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств. / С.И.Бахарев, В.И.Вольман, Ю.Н.Либ и др.; Под ред. В.И.Вольмана. - М.: Радио и связь, 1982. - 328 с., ил. - с.284-286). Данный способ принят за прототип.A known method of manufacturing microstrip microwave integrated circuits, including the electrolytic deposition of gold on a barrier sublayer of nickel as a protective layer on strips of integrated circuits with anodes of platinum. For applying gold on the surface of the strips, nitrate gilding electrolytes are used, containing, for example, K [Au (CN) 2 ] - 8 ... 10 g / l (in terms of Au), C 6 H 8 O 7 - 30 g / l , K 3 C 6 H 5 O 7 - 80 g / l with a pH of 4.5 ... 5 at D k = 0.4 A / dm 2 . Precipitation has gloss, increased hardness and wear resistance (Reference for the calculation and design of microwave strip devices. / S.I.Bakharev, V.I. Volman, Yu.N. Lib and others; Edited by V.I. Volman. - M .: Radio and communications, 1982.- 328 p., Ill. - p. 284-286). This method is adopted as a prototype.
Недостатком известного способа, принятого за прототип, являются большие потери энергии порядка 3,9...4,4 дБ/м при золочении барьерного подслоя полосок из никеля в нитратном электролите.The disadvantage of this method, adopted as a prototype, are large energy losses of the order of 3.9 ... 4.4 dB / m when gilding the barrier sublayer of strips of nickel in a nitrate electrolyte.
Основной задачей, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является снижение потерь энергии в микрополосковых СВЧ интегральных схемах.The main task to be solved by the claimed invention is directed is the reduction of energy losses in microstrip microwave integrated circuits.
Техническим результатом, достигаемым при осуществлении заявляемого способа, является снижение потерь энергии в микрополосковых СВЧ интегральных схемах до 1,1...1,2 дБ/м и повышение надежности их работы.The technical result achieved by the implementation of the proposed method is to reduce energy losses in microstrip microwave integrated circuits to 1.1 ... 1.2 dB / m and increase the reliability of their work.
Указанный технический результат достигается тем, что в известном способе изготовления микрополосковых СВЧ интегральных схем, включающем электролитическое нанесение защитного слоя из золота (Au) на барьерный подслой из никеля (Ni) многослойных полосок интегральных схем в электролите золочения, содержащем калия дициано-I-аурат, К[Au(CN)2], с анодами из платины (Pt), согласно предложенному техническому решению электролитическое нанесение защитного слоя на барьерный подслой многослойных полосок интегральных микросхем осуществляют в фосфатном электролите золочения, содержащем на 1 л дистиллированной воды:The specified technical result is achieved by the fact that in the known method of manufacturing microstrip microwave integrated circuits, including the electrolytic deposition of a protective layer of gold (Au) on the barrier sublayer of nickel (Ni) multilayer strips of integrated circuits in a gilding electrolyte containing potassium dicyano-I-aurate, To [Au (CN) 2 ], with anodes made of platinum (Pt), according to the proposed technical solution, the electrolytic deposition of a protective layer on the barrier sublayer of multilayer strips of integrated circuits is carried out in phosphate e gilt electrolyte containing per liter of distilled water:
калия дициано-I-аурат, K[Au(CN)2], - 8...12 г/л (в пересчете на Au),potassium dicyano-I-aurate, K [Au (CN) 2 ], - 8 ... 12 g / l (in terms of Au),
аммоний фосфорнокислый однозамещенный, (NH4)3PO4·3H2O, - 8...12 г/л,monosubstituted ammonium phosphate, (NH 4 ) 3 PO 4 · 3H 2 O, - 8 ... 12 g / l,
аммоний фосфорнокислый двузамещенный, (NH4)2HPO4, - 40...80 г/л,disubstituted ammonium phosphate, (NH 4 ) 2 HPO 4 , - 40 ... 80 g / l,
талий азотнокислый, Tl NO3, - 0,005...0,015 г/л,thallium nitrate, Tl NO 3 , - 0.005 ... 0.015 g / l,
с кислотностью рН 5,2...5,6 при плотности тока Dк=0,3...0,4 А/дм2 и температуре t°=68±2°С.with an acidity of pH 5.2 ... 5.6 at a current density of D k = 0.3 ... 0.4 A / dm 2 and a temperature of t ° = 68 ± 2 ° C.
Приведенный заявителем анализ уровня техники позволил установить, что аналоги, характеризующиеся совокупностями признаков, тождественными всем признакам заявленного способа изготовления микрополосковых СВЧ интегральных схем, отсутствуют. Следовательно, заявленное техническое решение соответствует условию патентоспособности «новизна».The analysis of the prior art cited by the applicant made it possible to establish that there are no analogs characterized by sets of features identical to all the features of the claimed method for manufacturing microstrip microwave integrated circuits. Therefore, the claimed technical solution meets the condition of patentability "novelty."
Результаты поиска известных решений в данной области техники с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от прототипа признаками заявляемого технического решения, показали, что они не следуют явным образом из уровня техники. Из определенного заявителем уровня техники не выявлена известность влияния предусматриваемых существенными признаками из заявляемого технического решения преобразований на достижение указанного технического результата. Следовательно, заявляемое техническое решение соответствует условию патентоспособности «изобретательский уровень».The search results for known solutions in the art in order to identify features that match the distinctive features of the prototype of the features of the claimed technical solution have shown that they do not follow explicitly from the prior art. From the prior art determined by the applicant, the influence of the transformations provided for by the essential features of the claimed technical solution on the achievement of the specified technical result has not been revealed. Therefore, the claimed technical solution meets the condition of patentability "inventive step".
Сущность предложенного способа изготовления микрополосковых СВЧ интегральных схем заключается в следующем.The essence of the proposed method for the manufacture of microstrip microwave integrated circuits is as follows.
В процессе изготовления микрополосковых СВЧ интегральных схем многослойные полоски со структурой V-Cuв-Cuг-Niг, где V - подслой ванадия Cuв - подслой меди, нанесенный в вакууме, Cuг - слой меди, нанесенный гальваническим методом, и Niг - барьерный подслой никеля, на барьерный подслой Niг электролитически наносят слой золота (Au), для чего используют фосфатный электролит золочения с анодами из платины (Pt). Фосфатный электролит золочения содержит на 1 л дистиллированной воды:In the process of manufacturing microstrip microwave integrated circuits, multilayer strips with the structure V-Cu in -Cu g -Ni g , where V is the vanadium sublayer Cu in is the copper sublayer deposited in vacuum, Cu g is the copper layer deposited by the galvanic method, and Ni g - nickel barrier sublayer on the Ni barrier sublayer g electrolytically applied layer of gold (Au), which is used for gilding phosphate electrolyte with anode made of platinum (Pt). Gilding phosphate electrolyte contains per 1 liter of distilled water:
калия дициано-I-аурат, K[Au(CN)2], - 8...12 г/л (в пересчете на Au);potassium dicyano-I-aurate, K [Au (CN) 2 ], - 8 ... 12 g / l (in terms of Au);
аммоний фосфорнокислый однозамещенный, (NH4)3PO4·3Н2O, - 8...12 г/л;monosubstituted ammonium phosphate, (NH 4 ) 3 PO 4 · 3H 2 O, - 8 ... 12 g / l;
аммоний фосфорнокислый двузамещенный, (NH4)2HPO4, - 40...80 г/л;disubstituted ammonium phosphate, (NH 4 ) 2 HPO 4 , - 40 ... 80 g / l;
талий азотнокислый, Tl NO3, - 0,005...0,015 г/л,thallium nitrate, Tl NO 3 , - 0.005 ... 0.015 g / l,
с кислотностью рН 5,2...5,6. Золочение выполняют при плотности тока Dк=0,3...0,4 А/дм2и температуре t°=68±2°С. Затем СВЧ интегральные схемы удаляют из ванны с электролитом, промывают в дистиллированной воде и, при необходимости, продолжают процесс изготовления микрополосковых СВЧ интегральных схем.with an acidity of pH 5.2 ... 5.6. Gilding is performed at a current density of D k = 0.3 ... 0.4 A / dm 2 and a temperature of t ° = 68 ± 2 ° C. Then, the microwave integrated circuits are removed from the electrolyte bath, washed in distilled water, and, if necessary, the manufacturing process of the microstrip microwave integrated circuits is continued.
Пример осуществления способа изготовления микрополосковых СВЧ интегральных схем.An example implementation of the method of manufacturing microstrip microwave integrated circuits.
Обезжиренные СВЧ интегральные схемы со структурой многослойных полосок V-Cuв-Cuг-Niг, в которых толщина подслоев V составляет 0,03...0,05 мкм, Cuв - 1,0...2,0 мкм, слоя Cuг - 8,0...10,0 мкм и подслоя Niг - 0,8...1,2 мкм, в количестве до 20 шт. опускают в ванну с фосфатным электролитом золочения и анодами из платины (Pt) и выполняют операцию электролитического нанесения на многослойные полоски защитного слоя из золота до толщины 2,5...3,5 мкм при плотности тока Dк=0,3...0,4 А/дм2 и температуре t°=68±2°С за время Т=20...25 мин. Затем СВЧ интегральные схемы удаляли из ванны с электролитом и промывали в дистиллированной воде.Fat-free microwave integrated circuits with the structure of multilayer strips V-Cu in -Cu g -Ni g , in which the thickness of the sublayers V is 0.03 ... 0.05 μm, Cu in - 1.0 ... 2.0 μm, a layer of Cu g - 8.0 ... 10.0 μm and a sublayer Ni g - 0.8 ... 1.2 μm, in an amount of up to 20 pcs. gilded in a bath with phosphate electrolyte gilding and anodes of platinum (Pt) and perform the operation of electrolytic deposition on multilayer strips of a protective layer of gold to a thickness of 2.5 ... 3.5 microns with a current density of D k = 0.3 ... 0.4 A / dm 2 and a temperature t ° = 68 ± 2 ° C for a time T = 20 ... 25 min. Then, the microwave integrated circuits were removed from the electrolyte bath and washed in distilled water.
Изготовление микрополосковых СВЧ интегральных схем предложенным способом позволяет снизить потери энергии до трех раз.The manufacture of microstrip microwave integrated circuits by the proposed method can reduce energy loss by up to three times.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007127414/09A RU2341048C1 (en) | 2007-06-28 | 2007-06-28 | Method of microstrip shf integrated chips manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007127414/09A RU2341048C1 (en) | 2007-06-28 | 2007-06-28 | Method of microstrip shf integrated chips manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2341048C1 true RU2341048C1 (en) | 2008-12-10 |
Family
ID=40194508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007127414/09A RU2341048C1 (en) | 2007-06-28 | 2007-06-28 | Method of microstrip shf integrated chips manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2341048C1 (en) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1247706A (en) * | 1967-11-13 | 1971-09-29 | Ibm | Process for forming a conductive layer upon an insulating substrate |
| SU1455399A1 (en) * | 1985-03-11 | 1989-01-30 | Предприятие П/Я А-1067 | Method of making microcircuits |
| DE4011114A1 (en) * | 1990-04-06 | 1991-10-10 | Duerrwaechter E Dr Doduco | Process for seeding substrate with metal - comprises impregnating substrate with soln. of e.g. palladium salt, then irradiating with e.g. electrons |
| RU2114213C1 (en) * | 1996-04-11 | 1998-06-27 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт радиокомпонентов" | Chemical gold plating solution |
| RU2206187C1 (en) * | 2001-12-10 | 2003-06-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" | Method for producing microstrip boards for hybrid integrated circuits |
-
2007
- 2007-06-28 RU RU2007127414/09A patent/RU2341048C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1247706A (en) * | 1967-11-13 | 1971-09-29 | Ibm | Process for forming a conductive layer upon an insulating substrate |
| SU1455399A1 (en) * | 1985-03-11 | 1989-01-30 | Предприятие П/Я А-1067 | Method of making microcircuits |
| DE4011114A1 (en) * | 1990-04-06 | 1991-10-10 | Duerrwaechter E Dr Doduco | Process for seeding substrate with metal - comprises impregnating substrate with soln. of e.g. palladium salt, then irradiating with e.g. electrons |
| RU2114213C1 (en) * | 1996-04-11 | 1998-06-27 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт радиокомпонентов" | Chemical gold plating solution |
| RU2206187C1 (en) * | 2001-12-10 | 2003-06-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" | Method for producing microstrip boards for hybrid integrated circuits |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| БАХАРЕВ С.И. и др. Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств. - М.: Радио и связь, 1982, с.284-286. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1892321B1 (en) | A Hard Gold Alloy Plating Bath | |
| MX2013010443A (en) | SET OF SHEETS WITH ALUMINUM-BASED ELECTRODES. | |
| KR102547165B1 (en) | Sn plating material and its manufacturing method | |
| JPH0224037B2 (en) | ||
| US9212429B2 (en) | Gold plating solution | |
| EP3293291B1 (en) | Sn plating material and method for producing same | |
| EP2402485A1 (en) | Metal-coated polyimide resin substrate with excellent thermal aging resistance properties | |
| KR20070026832A (en) | Tin-based plating film and forming method thereof | |
| EP3489385A1 (en) | Electroless palladium/gold plating process | |
| RU2341048C1 (en) | Method of microstrip shf integrated chips manufacture | |
| US8158269B2 (en) | Composite material for electrical/electronic part and electrical/electronic part using the same | |
| KR101619109B1 (en) | Biosensor Electrode Strip and Manufacturing Method Thereof | |
| US20160108254A1 (en) | Zinc immersion coating solutions, double-zincate method, method of forming a metal plating film, and semiconductor device | |
| CN108866548A (en) | A kind of coat of metal and its preparation method and application | |
| TWI787896B (en) | Plated structure and lead frame containing nickel plating film | |
| KR20060053149A (en) | Method of manufacturing electrical parts | |
| EP2402152A1 (en) | Metal-clad polyimide resin substrate with excellent thermal aging resistance characteristics | |
| EP0269208A1 (en) | A process for the treatment of copper foil | |
| RU2509832C2 (en) | Method of electrolytic application of metal coatings | |
| EP4063533A1 (en) | A process for electrochemical deposition of copper with different current densities | |
| US8603864B2 (en) | Method of fabricating a semiconductor device | |
| US4090934A (en) | Gold plating with electrochemical passivation | |
| EP4363640A1 (en) | Bronze layers as noble metal substitutes | |
| JP6446287B2 (en) | Sn plating material and method for producing the same | |
| CN1985411A (en) | Laser ablation resistant copper foil |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20100629 |