RU2231779C1 - Полупроводниковый датчик для регистрации взрывоопасных газовых компонент в воздухе - Google Patents
Полупроводниковый датчик для регистрации взрывоопасных газовых компонент в воздухе Download PDFInfo
- Publication number
- RU2231779C1 RU2231779C1 RU2002128074/28A RU2002128074A RU2231779C1 RU 2231779 C1 RU2231779 C1 RU 2231779C1 RU 2002128074/28 A RU2002128074/28 A RU 2002128074/28A RU 2002128074 A RU2002128074 A RU 2002128074A RU 2231779 C1 RU2231779 C1 RU 2231779C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- silicon dioxide
- bridge
- gas
- sensor
- Prior art date
Links
- 239000002360 explosive Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 23
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 30
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 abstract description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 abstract description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 abstract description 4
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003245 working effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract 2
- 239000010865 sewage Substances 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000003570 air Substances 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical group O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- PZZOEXPDTYIBPI-UHFFFAOYSA-N 2-[[2-(4-hydroxyphenyl)ethylamino]methyl]-3,4-dihydro-2H-naphthalen-1-one Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CCNCC1C(=O)C2=CC=CC=C2CC1 PZZOEXPDTYIBPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000007084 catalytic combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003351 stiffener Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
Использование: в микроэлектронной технике, может найти применение в контрольно-измерительной аппаратуре при контроле природных углеводородов в подземных выработках: шахтах, метро, канализационных городских системах, при контроле утечек промышленного и бытового газа, при контроле водителей городского автотранспорта и т.п. Сущность изобретения: полупроводниковый датчик для регистрации взрывоопасных газовых компонент в воздухе представляет собой монокристаллическую кремниевую подложку со слоем диоксида кремния и размещенным на ней термодатчиком в виде резистивного моста. На слой диоксида кремния последовательно нанесены слой монокристаллического кремния с пористой поверхностью, второй слой диоксида кремния, термокаталитический слой и в двух несимметричных плечах резистивного моста нанесен изоляционный слой, защищающий каталитический слой от атмосферы. В двух других, несимметричных плечах резистивного моста, термокаталитический слой оставлен открытым, что обеспечивает протекание окислительной реакции беспламенного горения газовой компоненты регистрируемого взрывоопасного соединения с кислородом воздуха с выделением тепла, приводящего к разбалансу моста и появлению электрического сигнала. Технический результат: повышение быстродействия и чувствительности за счет уменьшения тепловой инерционности, исключение процесса регенерации поверхности газочувствительного слоя, упрощение электронной схемы обработки сигнала за счет возможности работы датчика в широком диапазоне температур, кроме того, у датчика отсутствует нагревательный элемент и источник питания для него. 1 табл., 4 ил.
Description
Изобретение относится к области микроэлектронной техники и представляет собой полупроводниковый датчик с термокаталитическим слоем, регистрирующий содержание в окружающем воздухе взрывоопасных газовых компонент, таких как водород, предельные углеводороды, например, метана, пропана, бутана; спиртов, например, этилового; кетонов и других газов, которые могут быть каталитически окислены кислородом воздуха со скоростью, определяемой чувствительностью датчика. Предлагаемый датчик может найти применение в контрольно-измерительной аппаратуре при контроле природных углеводородов в подземных выработках: шахтах, метро, канализационных городских системах, при контроле утечек промышленного и бытового газа, включая утечку из индивидуальных бытовых приборов, в производстве и промышленном хранении указанных веществ. В дальнейшем для определенности в качестве регистрируемого газа мы будем рассматривать углеводород-метан.
Известен датчик, описанный в патенте РФ №2013768 "Устройство для измерения концентрации газовых компонентов", авторы: Белавин Б.К., Бубнов Ю.З., Гурылев А.С., Фролова М.С., МПК G 01 N 27/12, 1994. Предложенный датчик для повышения точности и быстродействия измерений размещен на полупроводниковой мембране с ребрами жесткости, на которой через изолирующий слой сформирован нагревательный тонкопленочный резистор. На резисторе через диэлектрический слой сформирован резистивный мост, одно из плеч которого является газочувствительным резистором.
Газочувствительность этого плеча обеспечена тем, что его поверхность открыта для газовой атмосферы. Другие плечи моста, выполненные для его симметрии аналогичным образом, изолированы от атмосферы диэлектрическими слоями. За счет использования полупроводниковой мембраны улучшен баланс моста, увеличена его чувствительность и быстродействие. Тем не менее, не устранены следующие недостатки.
1. Смешанный характер изменения проводимости датчика, которая меняется за счет эффектов нагрева от нагревательного элемента, адсорбции кислорода воздуха и тепловых эффектов, вызванных различными механизмами взаимодействия детектируемого газа с поверхностью газочувствительного слоя, что снижает чувствительность датчика и усложняет электронную схему обработки сигнала.
2. Необходимость создания нагревательного элемента и присутствие источника питания для него, который, нагревая газочувствительный слой, приводит его температуру (и сопротивление) в рабочую область.
3. Малое быстродействие, обусловленное, в частности, тепловой инерционностью нагревательного элемента, процесса адсорбции и процесса регенерации поверхности.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является описанный в патенте РФ №2114422 "Полупроводниковый датчик газов", авторы Рембеза С.А., Ащеулов Ю.Б., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Горлова Г.В., МПК G 01 N 27/12, 1998, выбранный как прототип.
Этот полупроводниковый датчик газов представляет собой подложку из монокристаллического кремния, покрытую слоем диоксида кремния, на который нанесены нагреватель и термодатчик, выполненные из платины с подслоем титана в виде резисторов типа “меандр” и электроды встречно-штыревой конструкции для газочувствительного слоя, изготовленные из того же материала.
Две группы одинаковых электродов встречно-штыревой конструкции, включенные по мостовой схеме, размещены на одной подложке. Газочувствительный слой представляет собой пленку двуокиси олова, нанесенную на встречно-штыревые электроды.
Недостатками полупроводникового датчика газа-прототипа являются те же пункты, которые указаны выше для аналога, а именно:
1) сложная природа изменения проводимости датчика, которая связана с рядом эффектов, что снижает чувствительность датчика и усложняет электронную схему обработки сигнала;
2) принципиальная необходимость создания нагревательного элемента, который, нагревая газочувствительный слой, приводит его температуру (и сопротивление) в рабочую область;
3) малое быстродействие, обусловленное, в частности, тепловой инерционностью процесса регенерации поверхности, необходимого после каждого цикла регистрации.
Технический результат изобретения
1. Повышение быстродействия и чувствительности полупроводникового датчика за счет уменьшения тепловой инерционности и исключение процесса регенерации поверхности газочувствительного слоя.
2. Упрощение электронной схемы обработки сигнала за счет возможности работы датчика в широком диапазоне температур.
3. Отсутствие нагревательного элемента и источника питания для него.
Технический результат достигается тем, что в полупроводниковом датчике для регистрации взрывоопасных газовых компонент в воздухе, представляющем собой монокристаллическую подложку со слоем диоксида кремния и размещенным на ней термодатчиком в виде резистивного моста, на слой диоксида кремния последовательно нанесены слой монокристаллического кремния с пористой поверхностью, второй слой диоксида кремния, термокаталитический слой и в двух несимметричных плечах резистивного моста нанесен изоляционный слой, защищающий каталитический слой от атмосферы. В двух других, несимметричных плечах резистивного моста, термокаталитический слой оставлен открытым, что обеспечивает протекание окислительной реакции беспламенного горения газовой компоненты регистрируемого взрывоопасного соединения с кислородом воздуха с выделением тепла, приводящего к разбалансу моста и появлению электрического сигнала.
На фиг.1 представлена электрическая схема полупроводникового датчика для регистрации взрывоопасных газовых компонент в воздухе;
на фиг.2 - тепловая схема полупроводникового датчика;
на фиг.3 - планарная схема полупроводникового датчика;
на фиг.4 - сечение пассивного плеча резистивного моста на монокристаллической кремниевой подложке.
На фиг 1-4 изображены 1 - активные, газочувствительные плечи резистивного моста, 2 - пассивные (не чувствительные к газу) плечи резистивного моста, 3 - монокристаллическая кремниевая подложка толщиной L3, 4 - слой диоксида кремния толщиной L2, 5 - слой монокристаллического кремния с пористой поверхностью толщиной L1, 6 - второй слой диоксида кремния, 7 - термокаталитический слой, 8 - контактные площадки, служащие для подачи напряжения смещения, 9 - контактные площадки, служащие для снятия сигнала, 10 - изоляционный слой, нанесенный на два несимметричных пассивных плеча резистивного моста;
U0 - напряжение смещения, Uс - напряжение сигнала. Величина Q0 равна количеству тепла, выделяемого реакцией на единицу поверхности термодатчика в единицу времени, величина Q1 равна стационарному потоку тепла через единицу поверхности слоя диоксида кремния (4).
Резистивный мост термодатчика (фиг.1) изготавливается методами планарной технологии на стандартной кремниевой линейке, его планарная схема представлена на фиг.3.
Плечи резистивного моста изготовлены в виде омических сопротивлений. На кремниевой монокристаллической подложке (3) последовательно выполнены следующие слои: слой диоксида кремния (4), слой монокристаллического кремния с пористой поверхностью (5), второй слой диоксида кремния (6) и термокаталитический слой (7), а пассивные (не чувствительные к газу) плечи (2) резистивного моста изготовлены аналогично активным плечам за исключением того, что они закрыты от газовой атмосферы нанесенным сверху изоляционным слоем (10), например, диоксида кремния, (фиг.4).
Предлагаемый полупроводниковый датчик работает следующим образом.
В отсутствии взрывоопасного газового компонента в воздухе все плечи резистивного моста имеют одинаковую величину сопротивления с точностью до технологического разброса их изготовления (величина порядка 0,1%) и величина сигнала разбаланса, возникающего между контактными площадками (9), - Uс=0,1%·Uо, где Uо - напряжение смещения между контактными площадками (8). При появлении в атмосфере взрывоопасного газового компонента на активных плечах моста начинает протекать термокаталитическая реакция беспламенного окисления кислородом воздуха взрывоопасного компонента, что сопровождается выделением тепла Qо на единицу поверхности термокатализатора в единицу времени. Ввиду высокой теплопроводности кремния (слой - 5) тепло Qо практически все уходит через слой диоксида кремния (слой - 4) в кремниевую подложку (3). При этом слой (5) нагревается относительно подложки (3) на величину ΔТ. За счет нагрева меняется величина сопротивления активных плеч (1) моста. Величины сопротивлений пассивных плеч моста (2) не меняются, так как на их поверхностях реакция не протекает и их температуры остаются практически равными температуре подложки. Это приводит к разбалансу моста и появлению напряжения сигнала.
При изготовлении датчика используются три нестандартных процесса: технология КНИ-(кремний на изоляторе), технология получения пористого кремния и технология осаждения каталитического слоя на пористую подложку.
Технология КНИ (Патент РФ №2164719 на изобретение “Способ изготовления структуры кремний на изоляторе”, авторы Попов В.П., Антонова И.В., Стась В.Ф. Миронова Л.В., МПК Н 01 L 21/324, 2001) позволяет получить достаточно высококачественный монокристаллический слой кремния толщиной 0.01-1 мкм с заданным уровнем легирования, отделенный от подложки- носителя, слоем двуокиси кремния SiO2 толщиной 0,1-0,3 мкм. Заданный уровень легирования монокристаллического слоя и выбранный термокаталитический слой позволяют вести реакцию и детектировать изменение сопротивления в широком диапазоне температур и избавляют конструкцию датчика от нагревательного элемента и источника мощности, питающего его.
Технология получения пористого кремния (-Роrе size distribution in роrоus silicon, рр.89-96, in the bооk "Рrореrties of Роrоus Silicon" аn INSPEC publ. UK, 1997, еd. Вy Leigh САNНАМ) позволяет создать на монокристаллическом слое кремния пористую поверхность. Эта поверхность отличается чрезвычайно развитой площадью, достигающей 200-800 см2 на 1 см2 поверхности исходного монокристалла. Именно такая удельная поверхность необходима для эффективного каталитического сжигания углеводородов на поверхности платинового термокатализатора и получения высокой чувствительности датчика.
Технология осаждения термокаталитического слоя, примененная ранее для его осаждения на пористый Аl2О3 - "Конвектор каталитический газовый - Институт Катализа СО РАН защищен патентом РФ", используется в данном случае для нанесения термокаталитического слоя на поверхность пористого кремния, слегка окисленного (слой диоксида кремния) для его электрической изоляции от термокаталитического слоя (металла катализатора).
Поскольку теплопроводность воздуха при нормальных условиях на четыре порядка меньше теплопроводности кремния и на два порядка меньше теплопроводности диоксида кремния, отдачей тепла от слоя катализатора в воздух можно пренебречь и тепловая схема предлагаемого датчика может быть представлена фиг.2.
Тепловая инерционность датчика будет определяться инерционностью теплопередачи от места выделения тепла (слой термокатализатора на пористой поверхности монокристаллического кремниевого слоя) в монокристаллическую кремниевую подложку через слой диоксида кремния - время τ1 и инерционностью установления температуры в монокристаллической подложке кремния-время τ2. Эти времена в соответствии с нестационарным уравнением установления температуры оцениваются формулами
Здесь L1,2 - соответственно толщины слоев кремния и двуокиси кремния фиг.2, а χ1,2 - величины температуропроводности соответствующих слоев, определяемые формулой
χ1,2=λ1,2/θ1,2·ρ1,2
λ1,2 - величины теплопроводности, θ1,2 - величины теплоемкости, ρ1,2 - величины плотности соответствующих слоев.
Соответствующие их значения приведены в таблице.
Расчет приводит к следующим величинам: τ1=5·10-7с, τ2=7·10-3с.
Эта оценка показывает, что переходные процессы в детекторе заканчиваются значительно раньше, чем изменения регистрирует сознание человека (-0,1 с), т.е. по быстродействию детектор может обеспечить решение практически всех охранных задач. Для оценки чувствительности существенно, что процессы в детекторе можно рассматривать как стационарные.
Величину чувствительности будем характеризовать величиной D, равной отношению D=ΔТ/Р.
Здесь ΔТ - изменение температуры термокаталитических ветвей моста под действием стационарной реакции окисления углеводорода, когда его относительное содержание в окружающем воздухе составляет Р литров метана на один литр воздуха.
В стационарных условиях поток тепла через 1 см2 детектора в монокристаллическую кремниевую подложку (через слой диоксида кремния) Q1 равен количеству тепла, выделяемого в 1 с на 1 см2 каталитического слоя Q0
Q1=ΔT·λ1/L1;
Q0=E0·P·VT/6·V0
Здесь Е0=150·4,2 кДж-энергия, выделяемая при сгорании одного моля углеводорода (в данном случае метана);
VT=3,3·104 см/с - тепловая скорость молекул в воздухе при нормальных условиях;
V0=22,4·103 см3 - объем моля в нормальных условиях.
Предполагается кинетическое ограничение на поток газа к поверхности и коэффициент прилипания молекулы метана к поверхности ν=1.
Из условия Q1=Q0 получаем
D=ΔT/P=E0·VT·L1/6·V0·λ1=103 (град)
Эта цифра показывает, что при регистрации мостом одной десятой градуса, что является типичной величиной для малогабаритных переносных электронных мостов, углеводород будет фиксироваться на уровне Р=10-4. Это является весьма высокой чувствительностью для малогабаритных недорогих датчиков.
Claims (1)
- Полупроводниковый датчик для регистрации взрывоопасных газовых компонент в воздухе, представляющий собой монокристаллическую кремниевую подложку со слоем диоксида кремния и размещенным на ней термодатчиком в виде резистивного моста, отличающийся тем, что на слой диоксида кремния последовательно нанесены слой монокристаллического кремния с пористой поверхностью, второй слой диоксида кремния, термокаталитический слой и в двух несимметричных плечах резистивного моста нанесен изоляционный слой, защищающий каталитический слой от атмосферы.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2002128074/28A RU2231779C1 (ru) | 2002-10-18 | 2002-10-18 | Полупроводниковый датчик для регистрации взрывоопасных газовых компонент в воздухе |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2002128074/28A RU2231779C1 (ru) | 2002-10-18 | 2002-10-18 | Полупроводниковый датчик для регистрации взрывоопасных газовых компонент в воздухе |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2002128074A RU2002128074A (ru) | 2004-04-20 |
| RU2231779C1 true RU2231779C1 (ru) | 2004-06-27 |
Family
ID=32846255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2002128074/28A RU2231779C1 (ru) | 2002-10-18 | 2002-10-18 | Полупроводниковый датчик для регистрации взрывоопасных газовых компонент в воздухе |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2231779C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2347078C1 (ru) * | 2007-07-02 | 2009-02-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный университет путей сообщения" (УрГУПС) | Устройство контроля концентрации метана в атмосфере подземных выработок |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4343768A (en) * | 1979-07-25 | 1982-08-10 | Ricoh Co., Ltd. | Gas detector |
| EP0265834B1 (en) * | 1986-10-28 | 1992-07-22 | Figaro Engineering Inc. | Sensor and method of producing same |
| RU2013768C1 (ru) * | 1991-04-16 | 1994-05-30 | Санкт-Петербургская государственная академия аэрокосмического приборостроения | Устройство для измерения концентрации газовых компонентов |
| RU2114422C1 (ru) * | 1997-04-15 | 1998-06-27 | Научно-информационный центр проблем интеллектуальной собственности | Полупроводниковый датчик газов |
| RU2189034C2 (ru) * | 2000-04-19 | 2002-09-10 | Открытое акционерное общество "Авангард" | Устройство для измерения концентрации окислительно-восстановительных компонентов в газовой смеси |
-
2002
- 2002-10-18 RU RU2002128074/28A patent/RU2231779C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4343768A (en) * | 1979-07-25 | 1982-08-10 | Ricoh Co., Ltd. | Gas detector |
| EP0265834B1 (en) * | 1986-10-28 | 1992-07-22 | Figaro Engineering Inc. | Sensor and method of producing same |
| RU2013768C1 (ru) * | 1991-04-16 | 1994-05-30 | Санкт-Петербургская государственная академия аэрокосмического приборостроения | Устройство для измерения концентрации газовых компонентов |
| RU2114422C1 (ru) * | 1997-04-15 | 1998-06-27 | Научно-информационный центр проблем интеллектуальной собственности | Полупроводниковый датчик газов |
| RU2189034C2 (ru) * | 2000-04-19 | 2002-09-10 | Открытое акционерное общество "Авангард" | Устройство для измерения концентрации окислительно-восстановительных компонентов в газовой смеси |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2347078C1 (ru) * | 2007-07-02 | 2009-02-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный университет путей сообщения" (УрГУПС) | Устройство контроля концентрации метана в атмосфере подземных выработок |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Simon et al. | Micromachined metal oxide gas sensors: opportunities to improve sensor performance | |
| Lee et al. | Micromachined catalytic combustible hydrogen gas sensor | |
| Shin et al. | Hydrogen-selective thermoelectric gas sensor | |
| Sears et al. | Algorithms to improve the selectivity of thermally-cycled tin oxide gas sensors | |
| US6539774B1 (en) | Thin film metal hydride hydrogen sensor | |
| Götz et al. | A micromachined solid state integrated gas sensor for the detection of aromatic hydrocarbons | |
| JPS6131422B2 (ru) | ||
| JP2002534676A (ja) | 差分型温度分析センサ | |
| Velmathi et al. | Analysis and review of tin oxide-based chemoresistive gas sensor | |
| JPH08313470A (ja) | ガス混合物中のメタンの検出法 | |
| IL102939A (en) | Chemical detector for carbon dioxide detection | |
| Ellern et al. | HKUST‐1 coated piezoresistive microcantilever array for volatile organic compound sensing | |
| US4870025A (en) | Method of sensing methane gas-I | |
| RU2231779C1 (ru) | Полупроводниковый датчик для регистрации взрывоопасных газовых компонент в воздухе | |
| RU2132551C1 (ru) | Способ эксплуатации газового датчика | |
| Bakha et al. | Development of new co-planar platform configuration of MOX gas sensor | |
| Manginell | Polycrystalline-silicon microbridge combustible gas sensor | |
| Mandayo et al. | Built-in active filter for an improved response to carbon monoxide combining thin-and thick-film technologies | |
| Lee et al. | Fabrication of a micro catalytic gas sensor using thin film process and Si anisotropic etching techniques | |
| Manginell et al. | Overview of micromachined platforms for thermal sensing and gas detection | |
| Barsony et al. | Thermometric gas sensing | |
| Song et al. | A micro hot-wire sensors for gas sensing applications | |
| Sanchez et al. | Tin dioxide-based gas sensors for detection of hydrogen fluoride in air | |
| Yude et al. | The n+ n combined structure gas sensor based on burnable gases | |
| Wang et al. | Integrated microoxygen sensor based on nanostructured TiO2 thin films |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20071019 |