[go: up one dir, main page]

RU2223573C2 - Термоэлектрический материал и способ его изготовления - Google Patents

Термоэлектрический материал и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2223573C2
RU2223573C2 RU2001135849/28A RU2001135849A RU2223573C2 RU 2223573 C2 RU2223573 C2 RU 2223573C2 RU 2001135849/28 A RU2001135849/28 A RU 2001135849/28A RU 2001135849 A RU2001135849 A RU 2001135849A RU 2223573 C2 RU2223573 C2 RU 2223573C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
laminar
bodies
thermoelectric material
multilayer
material according
Prior art date
Application number
RU2001135849/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2001135849A (ru
Inventor
Хидео СИНГУ (JP)
Хидео СИНГУ
Кеиити ИСИХАРА (JP)
Кеиити ИСИХАРА
Нобуйоси ИМАОКА (JP)
Нобуйоси ИМАОКА
Исао МОРИМОТО (JP)
Исао МОРИМОТО
Созо ЯМАНАКА (JP)
Созо ЯМАНАКА
Original Assignee
Асахи Касеи Кабусики Кайся
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Асахи Касеи Кабусики Кайся filed Critical Асахи Касеи Кабусики Кайся
Publication of RU2001135849A publication Critical patent/RU2001135849A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2223573C2 publication Critical patent/RU2223573C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/853—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising arsenic, antimony or bismuth
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/856—Thermoelectric active materials comprising organic compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области термоэлектричества. Сущность: термоэлектрический материал и термоэлектрический элемент составляют из многослойного тела, изготовленного из ламинарного тела из металла или синтетической смолы, а также из ламинарного тела из полуметалла. Средняя толщина ламинарных тел находится в пределах от 0,3 до 1000 нм. Примеры комбинации ламинарных тел: Bi-Al, Bi - смола из ряда полиамидов и Ag-Fe. Такое многослойное тело изготавливают посредством формирования исходного многослойного тела, составленного из всех типов ламинарных тел, образующих многослойное тело, и посредством вальцевания или одноосного прессования стопки таких исходных многослойных тел. Технический результат: термоэлектрический материал имеет высокий коэффициент Зеебека и высокий коэффициент преобразования мощности, а также превосходные свойства в отношении ударопрочности, сопротивления температурной деформации и способности к формоизменению. 4 с. и 14 з.п. ф-лы, 14 ил., 2 табл.

Description

Текст описания в факсимильном виде (см. графический материал)з

Claims (18)

1. Термоэлектрический материал, содержащий многослойное тело, образованное из по меньшей мере одного ламинарного тела, выполненного из металла или синтетической смолы, ламинарного тела, выполненного из полуметалла, при этом указанные ламинарные тела имеют среднюю толщину от 0,3 до 1000 нм.
2. Термоэлектрический материал по п.1, в котором многослойное тело образовано из ламинарного тела, выполненного из полуметалла, и ламинарного тела, выполненного из металла.
3. Термоэлектрический материал по п.1 или 2, в котором ламинарное тело, выполненное из металла, представляет собой ламинарное тело, выполненное из металла, выбранного из группы, состоящей из Ag, Fe, Cu, Ni, A1, Au, Pt, Cr, Zn, Pb и Sn.
4. Термоэлектрический материал по любому из пп.1-3, в котором ламинарное тело, выполненное из полуметалла, представляет собой ламинарное тело, выполненное из висмута (Bi), а ламинарное тело, выполненное из металла, представляет собой ламинарное тело, выполненное из любого металла, выбранного из группы, состоящей из Ag, Fe, Cu, Al, Zn и Sn.
5. Термоэлектрический материал по п.1, в котором многослойное тело образовано из ламинарного тела, изготовленного из полуметалла, и ламинарного тела, изготовленного из синтетической смолы.
6. Термоэлектрический материал по п.5, в котором синтетическая смола представляет собой смолу ряда полиамидов.
7. Термоэлектрический материал по любому из пп.1-6, в котором ламинарное тело, образующее многослойное тело, является прерывистым на поверхности пленки.
8. Термоэлектрический материал по любому из пп.1-7, в котором ламинарные тела имеют среднюю толщину от 0,3 до 100 нм.
9. Термоэлектрический элемент, содержащий термоэлектрический материал по любому из пп.1-8.
10. Термоэлектрический элемент по п.9, который используют посредством приложения тока в направлении толщины многослойного тела или при наличии разности температур между обоими концами в направлении толщины многослойного тела.
11. Термоэлектрический элемент, содержащий многослойное тело, состоящее из двух или более ламинарных тел, выполненных из металла, причем ламинарные тела имеют среднюю толщину от 0,3 до 100 нм, а термоэлектрический элемент используется посредством приложения тока в направлении толщины многослойного тела или при наличии разности температур между обоими концами в направлении толщины многослойного тела.
12. Термоэлектрический элемент по п.11, в котором ламинарное тело, образующее многослойное тело, является прерывистым на поверхности пленки.
13. Термоэлектрический элемент по п.11 или 12, в котором ламинарное тело выполнено из любого из металлов, выбранных из группы, состоящей из Ag, Fe, Cu, Ni, A1, Au, Pt, Cr, Zn, Pb и Sn.
14. Термоэлектрический элемент по любому из пп.11-13, в котором упомянутое многослойное тело образовано из ламинарного тела, выполненного из любого из металлов, выбранных из группы, состоящей из Fe, Ni, A1, Au, Pt, Cr и Sn, а также из ламинарного тела, выполненного из любого из металлов, выбранных из группы, состоящей из Ag, Cu, Au, Zn и Pb.
15. Способ изготовления термоэлектрического материала, заключающийся в том, что используют материал, содержащий многослойное тело, образованное из двух или более ламинарных тел, причем ламинарные тела имеют среднюю толщину от 0,3 до 1000 нм, при этом после создания исходного многослойного тела, образованного из всех видов ламинарных тел, составляющих многослойное тело, множество исходных многослойных тел укладывают в стопку и выполняют вальцевание или одноосное прессование для формирования многослойного тела.
16. Способ изготовления термоэлектрического материала по п.15, в котором множество вторых многослойных тел, которые получают посредством укладки в стопку множества исходных многослойных тел и посредством выполнения их вальцевания или одноосного прессования, укладывают в стопку и вальцуют или осуществляют одноосное прессование один раз или повторно более одного раза.
17. Способ изготовления термоэлектрического материала по п.15 или 16, в котором в качестве материала ламинарного тела используют порошок, имеющий средний диаметр частиц в диапазоне от 0,1 до 500 мкм, а исходное многослойное тело формируют после того, как порошок предварительно спекают.
18. Термоэлектрический материал по любому из пп.1-8, который изготавливают способом, заявленным по любому из пп.15-17.
RU2001135849/28A 1999-06-02 2000-06-02 Термоэлектрический материал и способ его изготовления RU2223573C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15572499 1999-06-02
JP11/155724 1999-06-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2001135849A RU2001135849A (ru) 2003-09-27
RU2223573C2 true RU2223573C2 (ru) 2004-02-10

Family

ID=15612093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2001135849/28A RU2223573C2 (ru) 1999-06-02 2000-06-02 Термоэлектрический материал и способ его изготовления

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6710238B1 (ru)
EP (1) EP1193774B1 (ru)
JP (1) JP4814464B2 (ru)
KR (1) KR100465661B1 (ru)
AU (1) AU5104700A (ru)
RU (1) RU2223573C2 (ru)
WO (1) WO2000076006A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2376681C1 (ru) * 2008-10-06 2009-12-20 Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Термоэлектрический элемент
RU2660223C2 (ru) * 2016-07-18 2018-07-05 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт вакуумной техники им. С.А. Векшинского" Высокоэффективный термоэлектрический материал и способ его изготовления

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10030354A1 (de) * 2000-06-21 2002-01-10 Bosch Gmbh Robert Thermoelektrisches Bauelement
WO2002017406A1 (fr) * 2000-08-24 2002-02-28 Sumitomo Special Metals Co., Ltd. Matiere de conversion thermoelectrique du groupe bi et element de conversion thermoelectrique
DE10219762A1 (de) * 2002-05-02 2003-11-13 Vacuumschmelze Gmbh & Co Kg Vergussgehäuse für elektrische und elektronische Bauelemente, Vorrichtung daraus und Verfahren zum Herstellen
US7397169B2 (en) * 2004-03-19 2008-07-08 Lawrence Livermore National Security, Llc Energy harvesting using a thermoelectric material
JP4482667B2 (ja) * 2004-09-13 2010-06-16 独立行政法人産業技術総合研究所 冷却効果を持つ配線構造
US9865790B2 (en) * 2004-12-07 2018-01-09 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Nanostructured bulk thermoelectric material
US7560053B2 (en) * 2005-02-17 2009-07-14 Nobuyoshi Imaoka Thermoelectric material having a rhombohedral crystal structure
US20070084499A1 (en) * 2005-10-14 2007-04-19 Biprodas Dutta Thermoelectric device produced by quantum confinement in nanostructures
US20070084495A1 (en) * 2005-10-14 2007-04-19 Biprodas Dutta Method for producing practical thermoelectric devices using quantum confinement in nanostructures
US7767564B2 (en) * 2005-12-09 2010-08-03 Zt3 Technologies, Inc. Nanowire electronic devices and method for producing the same
US20070131269A1 (en) * 2005-12-09 2007-06-14 Biprodas Dutta High density nanowire arrays in glassy matrix
US7559215B2 (en) * 2005-12-09 2009-07-14 Zt3 Technologies, Inc. Methods of drawing high density nanowire arrays in a glassy matrix
US8658880B2 (en) * 2005-12-09 2014-02-25 Zt3 Technologies, Inc. Methods of drawing wire arrays
JP4078392B1 (ja) * 2006-11-10 2008-04-23 松下電器産業株式会社 熱発電素子を用いた発電方法、熱発電素子とその製造方法、ならびに熱発電デバイス
WO2008065799A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 Panasonic Corporation Power generation method using thermal power generation element, thermal power generation element and its fabrication method, and thermal power generation device
CN101375423B (zh) 2007-03-06 2010-06-02 松下电器产业株式会社 使用热发电元件的发电方法、热发电元件及其制造方法、热发电器件
US20090205694A1 (en) * 2008-02-19 2009-08-20 Huettner Cary M Thermoelectric Generation Device for Energy Recovery
ITTO20080462A1 (it) * 2008-06-13 2009-12-14 Torino Politecnico Metodo per la produzione di magneti permanenti macroscopici nanostrutturati con elevata densita d energia magnetica e relativi magneti
KR101048876B1 (ko) * 2008-10-16 2011-07-13 한국전기연구원 슬라이스 적층 프레스법에 의한 기능성재료의 제조방법 및 이에 의해 제조된 기능성재료
KR101063938B1 (ko) * 2008-11-13 2011-09-14 한국전기연구원 중저온용 열전재료
JP2010245299A (ja) * 2009-04-06 2010-10-28 Three M Innovative Properties Co 複合材熱電材料及びその製造方法
DE102009039228A1 (de) * 2009-08-28 2011-03-03 Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh Thermoelektrische Vorrichtung
DE102009045208A1 (de) * 2009-09-30 2011-04-14 Micropelt Gmbh Thermoelektrisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Bauelementes
US20120067391A1 (en) 2010-09-20 2012-03-22 Ming Liang Shiao Solar thermoelectric power generation system, and process for making same
TWI443882B (zh) 2010-11-15 2014-07-01 Ind Tech Res Inst 熱電轉換組件及其製造方法
KR101980194B1 (ko) * 2011-01-24 2019-05-21 삼성전자주식회사 나노 개재물 함유 열전재료, 이를 포함하는 열전모듈과 열전 장치
KR101876947B1 (ko) 2011-01-25 2018-07-10 엘지이노텍 주식회사 나노 구조의 벌크소재를 이용한 열전소자와 이를 포함하는 열전모듈 및 그의 제조 방법
KR101902925B1 (ko) 2011-08-03 2018-10-01 삼성전자주식회사 열전재료, 열전소자 및 열전모듈
WO2013047256A1 (ja) * 2011-09-26 2013-04-04 日本電気株式会社 熱電変換素子とその製造方法、及び、放熱フィン
FR2982708B1 (fr) 2011-11-10 2014-08-01 Acome Soc Cooperative Et Participative Sa Cooperative De Production A Capital Variable Materiau composite hybride thermoelectrique
TWI605620B (zh) 2011-12-30 2017-11-11 財團法人工業技術研究院 熱電模組及其製造方法
KR20140065721A (ko) * 2012-11-20 2014-05-30 삼성전자주식회사 열전재료, 이를 포함하는 열전소자 및 열전장치, 및 이의 제조방법
US9595654B2 (en) * 2013-05-21 2017-03-14 Baker Hughes Incorporated Thermoelectric polymer composite, method of making and use of same
KR101470393B1 (ko) * 2013-06-11 2014-12-08 서울대학교산학협력단 확산방지층이 포함된 다층 접합 구조의 열전소자와 그 제조 방법
WO2015149028A1 (en) * 2014-03-28 2015-10-01 Romny Scientific, Inc. Formation of a densified object from powdered precursor materials
KR102198207B1 (ko) * 2015-06-12 2021-01-04 한국전기연구원 침입형 도핑재 첨가에 의한 복합결정구조가 형성된 Te계 열전소재
KR102378760B1 (ko) * 2015-06-30 2022-03-25 엘지이노텍 주식회사 열전 소자 및 이의 제조 방법
KR101751259B1 (ko) 2016-07-19 2017-06-30 주식회사 제펠 초음파 커터를 이용한 열전모듈 제조장치
US10468574B2 (en) 2017-05-04 2019-11-05 Baker Hughes, A Ge Company, Llc Thermoelectric materials and related compositions and methods

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU72488A1 (ru) * 1946-06-06 1947-11-30 А.А. Васильковский Способ изготовлени малоинерционных термобатарей
WO1994024706A1 (fr) * 1993-04-12 1994-10-27 Lidorenko Nikolai S Element bipolaire thermoelectrique, batterie d'elements bipolaires thermoelectriques, leurs procedes de production et leur utilisation dans la conversion d'energie

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4054478A (en) * 1976-05-25 1977-10-18 Nu-Pak Corporation Method of manufacturing a thermoelectric device
JP2840737B2 (ja) 1986-04-19 1998-12-24 戸田工業株式会社 金属及び無機絶縁物質からなる多層薄膜
JPS6343381A (ja) 1986-08-08 1988-02-24 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力素子
JPH01165183A (ja) * 1987-12-21 1989-06-29 Seiko Instr & Electron Ltd 熱電素子の製造方法
JPH0418773A (ja) * 1990-05-11 1992-01-22 Kobe Steel Ltd 性能指数の高い熱電素子及び熱電ユニットモジュール
JP3141547B2 (ja) * 1992-07-22 2001-03-05 富士ゼロックス株式会社 光偏向器
US5415699A (en) 1993-01-12 1995-05-16 Massachusetts Institute Of Technology Superlattice structures particularly suitable for use as thermoelectric cooling materials
JP2730662B2 (ja) * 1993-03-16 1998-03-25 株式会社ジャパンエナジー 温度測定素子及び温度測定方法
JPH1012935A (ja) * 1996-06-25 1998-01-16 Matsushita Electric Works Ltd 熱電変換素子の電極接合構造、熱電変換素子の電極接合方法、熱電変換モジュール、及び熱電変換モジュールの製造方法
JP3477019B2 (ja) 1997-03-14 2003-12-10 株式会社東芝 熱電変換材料およびその製造方法
US6452206B1 (en) * 1997-03-17 2002-09-17 Massachusetts Institute Of Technology Superlattice structures for use in thermoelectric devices
JP2000183412A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Sharp Corp 積層材料の製造方法および製造装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU72488A1 (ru) * 1946-06-06 1947-11-30 А.А. Васильковский Способ изготовлени малоинерционных термобатарей
WO1994024706A1 (fr) * 1993-04-12 1994-10-27 Lidorenko Nikolai S Element bipolaire thermoelectrique, batterie d'elements bipolaires thermoelectriques, leurs procedes de production et leur utilisation dans la conversion d'energie

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2376681C1 (ru) * 2008-10-06 2009-12-20 Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Термоэлектрический элемент
RU2660223C2 (ru) * 2016-07-18 2018-07-05 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт вакуумной техники им. С.А. Векшинского" Высокоэффективный термоэлектрический материал и способ его изготовления

Also Published As

Publication number Publication date
US6710238B1 (en) 2004-03-23
WO2000076006A1 (fr) 2000-12-14
AU5104700A (en) 2000-12-28
KR100465661B1 (ko) 2005-01-13
KR20020008210A (ko) 2002-01-29
EP1193774B1 (en) 2014-03-19
EP1193774A4 (en) 2006-12-06
EP1193774A1 (en) 2002-04-03
JP4814464B2 (ja) 2011-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2223573C2 (ru) Термоэлектрический материал и способ его изготовления
RU2001135849A (ru) Термоэлектрический материал и способ его изготовления
US10217557B2 (en) Laminated inductor
CN107004500B (zh) R－t－b系烧结磁体的制造方法
JP6270509B2 (ja) 積層型コイル部品
CA2402205A1 (en) Brazing sheet product and method of manufacturing an assembly using the brazing sheet product
EP0736386A3 (en) Method for producing a layered piezoelectric element
GB1250145A (ru)
DE19720707A1 (de) Verbundmaterial für elektronische Teile, Verfahren zum Herstellen desselben sowie Halbleiterbauteil unter Verwendung desselben
US10074789B2 (en) Thermoelectric material and method for preparing the same
US8894792B2 (en) Manufacturing method of functional material using slice stack pressing process and functional material thereby
CN101133467B (zh) 层叠线圈
US4435738A (en) Multilayer ceramic capacitors
KR20200045403A (ko) 적층 세라믹 전자부품
JPH07234292A (ja) バイメタル
JP4537103B2 (ja) 抵抗用積層合金及びその製造方法
JPS60254608A (ja) 積層セラミツクコンデンサ
JP2020124867A5 (ru)
JP4659463B2 (ja) 積層型インダクタ及びその製造方法
JPH0361313B2 (ru)
JP2016012681A (ja) 熱電材料の製造方法及び熱電材料
JP5716228B2 (ja) 抵抗体、抵抗器、およびその製造方法
KR100220119B1 (ko) 적층형 칩 부온도 계수 서미스터 소자
JPH088192B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JPS582271B2 (ja) スパツタリングタ−ゲツト

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160603