RU2136444C1 - Тонкодисперсный металлосодержащий порошок и способ его получения - Google Patents
Тонкодисперсный металлосодержащий порошок и способ его получения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2136444C1 RU2136444C1 RU94040156A RU94040156A RU2136444C1 RU 2136444 C1 RU2136444 C1 RU 2136444C1 RU 94040156 A RU94040156 A RU 94040156A RU 94040156 A RU94040156 A RU 94040156A RU 2136444 C1 RU2136444 C1 RU 2136444C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- particle size
- metal
- less
- particles
- containing powder
- Prior art date
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 71
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 13
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 7
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 6
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims abstract description 6
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 8
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000012429 reaction media Substances 0.000 claims description 5
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 abstract 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 abstract 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 14
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 14
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003570 air Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 ammonium halide Chemical class 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical class B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- AQSJGOWTSHOLKH-UHFFFAOYSA-N phosphite(3-) Chemical class [O-]P([O-])[O-] AQSJGOWTSHOLKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 150000004772 tellurides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
- B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
- B22F9/28—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from gaseous metal compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/0632—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with gallium, indium or thallium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G1/00—Methods of preparing compounds of metals not covered by subclasses C01B, C01C, C01D, or C01F, in general
- C01G1/02—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G1/00—Methods of preparing compounds of metals not covered by subclasses C01B, C01C, C01D, or C01F, in general
- C01G1/12—Sulfides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/51—Particles with a specific particle size distribution
- C01P2004/52—Particles with a specific particle size distribution highly monodisperse size distribution
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/12—Surface area
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Medicinal Preparation (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
Объектом изобретения является тонкодисперсный металлосодержащий порошок формулы МеХ, в котором Me означает по меньшей мере один металл из группы, включающей алюминий, галлий, индий, таллий, германий, олово, свинец, мышьяк, сурьма, висмут, селен, теллур, медь, серебро, золото, цинк, кадмий, ртуть, платину, палладий, иридий, родий, рутений, осмий, рений, иттрий, лантан, церий, торий, празеодим, неодим, самарий, европий и гадолиний, а Х - по меньшей мере один элемент из группы, включающей углерод, азот, бор, кремний, селен, теллур, фосфор, кислород и серу, который имеет частицы величиной от 1,0 до 1000 нм и который имеет менее 1% частиц величиной, отклоняющейся более чем на 40% от средней величины частиц, и не содержит частиц величиной, отклоняющейся от средней величины частиц более чем на 60%, причем из приведенной формулы исключены нитрид алюминия и окись алюминия. Другим объектом изобретения является способ получения указанного тонкодисперсного металлосодержащего порошка, который заключается в том, что соответствующие соединения металлов подвергают газофазному взаимодействию с реагентами, продукт реакции непосредственно гомогенно конденсируют из газовой фазы с исключением контакта со стенкой реактора, а затем продукт реакции отделяют от реакционной среды, при этом соединения металлов и реагенты подают на реакцию отдельно по меньшей мере при температуре реакции. Полученный порошок содержит кислород менее чем 100 частей на миллион, предпочтительно менее чем 50 частей на миллион. 2 с. и 18 з.п.ф-лы, 1 ил.
Description
Изобретение относится к металлосодержащим порошкам, в частности к тонкодисперсному металлосодержащему порошку и способу его получения.
Известен тонкодисперсный порошковый нитрид кремния, имеющийся в аморфной и кристаллической форме, причем в аморфной форме его средняя величина зерен составляет 0,1 - 2 мкм, а в кристаллической форме - 0,15 - 2,0 мкм (см. заявку DE N 3536933, МКИ C 01 B 21/068, 1987 г.).
Известный порошковый нитрид кремния получают путем взаимодействия газовых галогенидов кремния с аммиаком в газофазной реакции при температуре от 1000 до 1800oC в обогреваемом снаружи графитовом или углеродном трубчатом реакторе, непосредственной конденсации продукта реакции из газовой фазы с исключением контакта со стенкой реактора, с последующим отделением продукта реакции от реакционной среды, причем в случае необходимости содержащийся в продукте реакции, связанный галогенид и/или галогенид аммония удаляют путем термообработки при температуре 900 - 1400oC в атмосфере инертного газа, предпочтительно в атмосфере азота или смеси азота и аммиака.
Кристаллизацию аморфного нитрида кремния предпочтительно осуществляют путем термообработки при температуре от 1300 до 1700oC при времени пребывании, составляющем от 0,5 до 20 часов, в атмосфере инертного газа, например, в атмосфере благородного газа, азота или смеси азота и водорода, аммиака или смеси азота и аммиака. Кристаллизация проходит при сохранении формы отдельных частиц аморфного нитрида кремния. Получаемый при этом порошок содержит большую долю кристаллической фазы (выше 80%).
Недостаток известного металлосодержащего порошка заключается в том, что его гранулометрический состав не является достаточно узким.
В рамках поиска материалов из металлов и соединений металлов с улучшенными механическими, электрическими, оптическими и магнитными свойствами требуются все более тонкие порошки.
Поэтому задача изобретения заключается в создании тонкодисперсного металлосодержащего порошка, обладающего чрезвычайно узким гранулометрическим составом.
Указанная задача решается предлагаемым тонкодисперсным металлосодержащим порошком формулы
MeX,
в которой Me - означает по меньшей мере один металл из группы, включающей алюминий, галлий, индий, таллий, германий, олово, свинец, мышьяк, сурьма, висмут, селен, теллур, медь, серебро, золото, цинк, кадмий, ртуть, платину, палладий, иридий, родий, рутений, осмий, рений, иттрий, лантан, церий, торий, празеодим, неодим, самарий, европий и гадолиний, а
X - по меньшей мере один элемент из группы, включающей углерод, азот, бор, кремний, селен, теллур, фосфор, кислород и серу,
который имеет частицы величиной от 1,0 до 1000 нм, и который содержит менее 1% частиц величиной, отклоняющейся более чем на 40% от средней величины частиц, и не содержит частиц величиной, отклоняющейся от средней величины частиц более чем на 60%, причем из приведенной формулы исключены нитрид алюминия и окись алюминия.
MeX,
в которой Me - означает по меньшей мере один металл из группы, включающей алюминий, галлий, индий, таллий, германий, олово, свинец, мышьяк, сурьма, висмут, селен, теллур, медь, серебро, золото, цинк, кадмий, ртуть, платину, палладий, иридий, родий, рутений, осмий, рений, иттрий, лантан, церий, торий, празеодим, неодим, самарий, европий и гадолиний, а
X - по меньшей мере один элемент из группы, включающей углерод, азот, бор, кремний, селен, теллур, фосфор, кислород и серу,
который имеет частицы величиной от 1,0 до 1000 нм, и который содержит менее 1% частиц величиной, отклоняющейся более чем на 40% от средней величины частиц, и не содержит частиц величиной, отклоняющейся от средней величины частиц более чем на 60%, причем из приведенной формулы исключены нитрид алюминия и окись алюминия.
Предпочтительно меньше, чем 1% частиц порошка имеет величину, отклоняющуюся более чем на 20% от средней величины частиц, и нет частиц величиной, отклоняющейся от средней величины частиц более чем на 50%. В частности меньше, чем 1 % частиц порошка имеет величину, отклоняющуюся более чем на 10% от средней величины частиц, и нет частиц величиной, отклоняющейся от средней величины частиц более чем на 40 %.
Предпочтительные металлосодержащие порошки представляют собой серебро, Aux Agy, GaxInyNz, PbSe, AlxGayP. Предлагаемый порошок обладает высокой чистотой и чрезвычайно узким гранулометрическим составом.
Содержание кислорода в неокисных соединениях предпочтительно составляет менее чем 5000 частей на миллион, особенно предпочтительно менее чем 1000 частей на миллион. Особенно чистый порошок согласно изобретению отличается содержанием кислорода, составляющим менее чем 100 частей на миллион, предпочтительно менее чем 50 частей на миллион.
И нетоксичная примесь имеется лишь в незначительном количестве. Предпочтительно общее количество примеси, за исключением оксидной примеси, составляет менее чем 5000 частей на миллион, особенно предпочтительно менее чем 1000 частей на миллион.
Согласно наиболее предпочтительному варианту изобретения общее количество примеси, за исключением оксидной примеси, составляет менее чем 200 частей на миллион.
Предлагаемый порошок можно получать в техническом масштабе, то есть предпочтительно он имеется в количествах более 1 кг.
Другим объектом изобретения является способ получения тонкодисперсного металлосодержащего порошка формулы
MeX,
в которой Me - означает по меньшей мере один металл из группы, включающей алюминий, галлий, индий, таллий, германий, олово, свинец, мышьяк, сурьма, висмут, селен, теллур, медь, серебро, золото, цинк, кадмий, ртуть, платину, палладий, иридий, родий, рутений, осмий, рений, иттрий, лантан, церий, торий, празеодим, неодим, самарий, европий и гадолиний, а
X - по меньшей мере один элемент из группы, включающей углерод, азот, бор, кремний, селен, теллур, фосфор, кислород и серу,
величина частиц которого составляет от 0,1 нм до 100 нм, и который содержит менее 1% частиц величиной, отклоняющейся более чем на 40% от средней величины частиц, и не содержит частиц величиной, отклоняющейся от средней величины частиц более чем на 60%, причем из приведенной формулы исключены нитрид алюминия и окись алюминия, который заключается в том, что соответствующие соединения металлов подвергают газофазному взаимодействию с реагентами, продукт реакции непосредственно гомогенно конденсируют из газовой фазы с исключением контакта со стенкой реактора, а затем продукт реакции отделяют от реакционной среды, при этом соединения металлов и реагенты подают на реакцию отдельно по меньшей мере при температуре реакции.
MeX,
в которой Me - означает по меньшей мере один металл из группы, включающей алюминий, галлий, индий, таллий, германий, олово, свинец, мышьяк, сурьма, висмут, селен, теллур, медь, серебро, золото, цинк, кадмий, ртуть, платину, палладий, иридий, родий, рутений, осмий, рений, иттрий, лантан, церий, торий, празеодим, неодим, самарий, европий и гадолиний, а
X - по меньшей мере один элемент из группы, включающей углерод, азот, бор, кремний, селен, теллур, фосфор, кислород и серу,
величина частиц которого составляет от 0,1 нм до 100 нм, и который содержит менее 1% частиц величиной, отклоняющейся более чем на 40% от средней величины частиц, и не содержит частиц величиной, отклоняющейся от средней величины частиц более чем на 60%, причем из приведенной формулы исключены нитрид алюминия и окись алюминия, который заключается в том, что соответствующие соединения металлов подвергают газофазному взаимодействию с реагентами, продукт реакции непосредственно гомогенно конденсируют из газовой фазы с исключением контакта со стенкой реактора, а затем продукт реакции отделяют от реакционной среды, при этом соединения металлов и реагенты подают на реакцию отдельно по меньшей мере при температуре реакции.
В том случае, если подаче подлежат несколько соединений металлов и/или реагентов, то смесь газов выбирают с обеспечением надежного предотвращения реакции при предварительном нагревании, ведущей к твердым продуктам реакции. Особенно выгодно предлагаемый способ осуществляют в трубчатом реакторе. Предпочтительно соединения металлов, реагенты и частицы продукта пропускают через реактор ламинарным потоком.
Благодаря отдельному предварительному нагреванию газов, подаваемых на процесс, по меньшей мере до температуры реакции (причем в случае реакций с разложением металлического компонента температуру потока выбирают с обеспечением того, что не образуется твердых веществ перед входом в реактор) можно ограничить место образования зародышей. Ламинарным потоком в реакторе обеспечивается узкое распределение времени пребывания зародышей или частиц. Таким образом достигается чрезвычайно узкий гранулометрический состав порошка.
Предпочтительно соединения металлов и реагенты подают в реактор в виде соосных ламинарных частичных потоков.
Однако для обеспечения смешивания обоих соосных частичных потоков, путем размещения отклоняющего элемента в основном строго ламинарном потоке создают вихревую дорожку по Карману с определенными интенсивностью завихрения и расширением.
То есть, предпочтительный вариант осуществления предлагаемого способа заключается в смешивании определенным образом соосных ламинарных частичных потоков соединения или соединений металлов и реагентов посредством вихревой дорожки по Карману.
Для предотвращения выгодного с точки зрения потоков энергии отделения реагентов на стенке реактора предпочтительно реакционную среду поддерживают на расстоянии от стенки реактора посредством слоя инертного газа. Конкретно для этого через кольцевые щели определенной конфигурации, выполненные в этих целях в стенке реактора, в последний можно вводить поток инертного газа, в силу эффекта Коанда прилегающий к стенке реактора. Частицы, образовавшиеся в результате гомогенного отделения из газовой фазы при времени пребывания, обычно составляющем 10 - 300 мс, покидают реактор вместе с газовыми продуктами реакции (например, хлористым водородом), непрореагировавшимися реагентами и инертными газами, подаваемыми в реактор в качестве несущих и промывочных газов и для снижения адсорбции хлористого водорода. Согласно изобретению можно достичь выхода до 100% в пересчете на металлический компонент.
Предпочтительно металлические или керамические порошки или порошковые сплавы отделяют при температуре, лежащей над температурой кипения или сублимации используемых соединений металлов, реагентов и/или образовавшихся во время реакции продуктов. При этом отделение целесообразно осуществляют на фильтре с обратной продувкой. Путем работы фильтра при высокой температуре, составляющей, например, 600oC, можно сильно ограничить адсорбцию газов, в частности, неинертных газов как, например, хлористого водорода, аммиака, трихлорида галлия и т.п., к чрезвычайно большой поверхности керамического или металлического порошка или порошкового сплава. В частности, при получении нитридов предотвращается образование хлорида аммиака (при температуре выше 350oC).
Оставшиеся мешающие вещества, адсорбированные на поверхности порошка, можно далее удалять в последующем вакуумном резервуаре, причем предпочтительно и здесь имеется температура 600oC. Затем готовые порошки выводят из установки, желательно при исключении воздуха.
Предпочтительные соединения металлов в рамках настоящего изобретения относятся к группе, включающей галогениды металлов, частично гидрированные галогениды металлов, гидриды металлов, алкоголяты металлов, алкилы металлов, амиды металлов, азиды металлов, боранаты металлов и карбонилы металлов.
Предпочтительными другими реагентами являются один или несколько членов из группы, включающей водород, аммиак, гидразин, амины, метан, другие алканы, алкены, алкины, арилы, кислород, воздух, трихлорид бора, сложный эфир борной кис лоты, бораны, тетрахлорид кремния, другие хлорсиланы и силаны.
Предлагаемый порошок может быть нано- или микродисперсным (кристаллическим или аморфным), причем предпочтительными порошками являются карбиды, нитриды, бориды, силициды, фосфиты, сульфиды, оксиды, селениды, теллуриды и/или их смеси элементов из группы, включающей алюминий, галлий, индий, таллий, германий, олово, свинец, мышьяк, сурьма, висмут, селен, теллур, медь, серебро, золото, цинк, кадмий, ртуть, платину, палладий, иридий, родий, рутений, осмий, рений, иттрий, лантан, церий, торий, празеодим, неодим, самарий, европий и гадолиний, или же одни указанные элементы, или их смеси.
Предлагаемый порошок имеет чрезвычайно узкий гранулометрический состав. Характерным для полученных таким образом частиц является полное отсутствие частиц, величина которых в значительной степени превышает среднюю величину частиц.
Как уже указывалось, дальнейшие характерные признаки предлагаемого порошка представляют собой высокая чистота, высокая чистота на поверхности и хорошая воспроизводимость.
В зависимости от величины частиц и материала предлагаемые порошки могут быть чрезвычайно чувствительными к воздействию воздуха, до пирофорными. Для устранения этого свойства поверхность таких порошков можно модифицировать путем обработки смесью газа и пара.
На приложенном чертеже схематически показано устройство, которое можно использовать для осуществления предлагаемого способа. В дальнейшем осуществление предлагаемого способа поясняется со ссылкой на данный чертеж. При этом указанные параметры способа и устройства и/или используемых веществ лишь указывают на возможные варианты способа, не ограничивая изобретение.
Определенное количество твердых, жидких или газовых соединений металлов подают или в испаритель 1, установленный вне печи, или же в испаритель 2, установленный внутри высокотемпературной печи, где они упариваются при температуре от 200 до 2000oC, и с помощью инертного газа в качестве носителя (азота, аргона или гелия) их подают на участок 3 предварительного нагревания. Дальнейшие реагенты, например, водород, аммиак и метан, через линию 4 подают на дополнительный участок 5 предварительного нагревания, где они также нагреваются. Перед входом в трубчатый реактор 6 выходящие с участков 3, 5 предварительного нагревания отдельные потоки объединяют с помощью сопла 7 с получением двух соосных, ламинарных и вращательно-симметричных частичных потоков.
В трубчатом реакторе 6 средний частичный поток согласно стрелке 8, содержащий металлический компонент, и обволакивающий частичный поток согласно стрелке 9, содержащий остальные реагенты, смешиваются в предопределенных условиях. При этом реакция происходит при температуре от 500oC до 2000oC, например, согласно следующим примерам:
AgCl + 1/2 H2 - Ag + HCl
GaCl3 + NH3 - GaN + 3 HCl
InCl3 + NH3 - InN + 3 HCl
PbI2 + SeCl4 + 3 H2 - PbSe + 4 HCl + 2 HI
Для обеспечения смешивания обоих соосных частичных потоков в основном строго ламинарном потоке можно создать вихревую дорожку по Карману путем установки отклоняющего элемента 10. Соосные частичные потоки отделяются друг от друга у выхода сопла путем подачи слабого потока инертного газа (стрелка 11) с тем, чтобы предотвращать отложения продукта на сопле 7. Для определения температуры предварительного нагревания и температуры реакции служат термоэлементы 12, 13.
AgCl + 1/2 H2 - Ag + HCl
GaCl3 + NH3 - GaN + 3 HCl
InCl3 + NH3 - InN + 3 HCl
PbI2 + SeCl4 + 3 H2 - PbSe + 4 HCl + 2 HI
Для обеспечения смешивания обоих соосных частичных потоков в основном строго ламинарном потоке можно создать вихревую дорожку по Карману путем установки отклоняющего элемента 10. Соосные частичные потоки отделяются друг от друга у выхода сопла путем подачи слабого потока инертного газа (стрелка 11) с тем, чтобы предотвращать отложения продукта на сопле 7. Для определения температуры предварительного нагревания и температуры реакции служат термоэлементы 12, 13.
Для предотвращения сильно выгодного в энергетическом отношении гетерогенного отделения данных веществ на горячей стенке реактора через кольцевой зазор 14 подают поток инертного газа согласно стрелке 15 (например, азот, аргон или гелий), которые в силу эффекта Коанда прилегает к стенке реактора. Образовавшиеся в реакторе в результате гомогенного отделения из газовой фазы частицы порошка покидают реактор вместе с газовыми продуктами реакции, например хлористым водородом, инертными газами и непрореагировавшими реагентами, и они попадают непосредственно на фильтр 16 с обратной продувкой, в котором они отделяются. Фильтр 16 работает при температуре от 300oC до 1000oC, благодаря чему обеспечивается низкая степень адсорбции газов, в частности неинертных газов, например хлористого водорода и аммиака, к большой поверхности порошка. Кроме того, предотвращается образование хлорида аммония из избыточного аммиака (при получении нитридов металлов) и хлористого водорода. В емкости 17, установленной за фильтром 16, остатки адсорбированных газов на порошках далее сокращаются, предпочтительно путем попеременного создания вакуума и подачи разных газов при температуре от 300oC до 1000oC. Хороший эффект достигают при использовании азота, аргона или криптона. Особенно предпочтительно используют фторид серы (VI).
Согласно предлагаемому способу возможно также получение метастабильных систем веществ и частиц со структурой ядро/оболочка. При этом метастабильные системы веществ получают путем чрезвычайно высокой скорости охлаждения в на нижнем участке реактора.
Частицы со структурой ядро/оболочка получают путем подачи дополнительных газовых реагентов на нижнем участке реактора.
Из емкости 17 порошки поступают в емкость 18 охлаждения, а оттуда через шлюз 19 - в сборный резервуар 20, в котором порошок можно также продавать. В емкости охлаждения 18 поверхность частиц можно модифицировать путем подачи разных смесей газа и пара.
Детали и элементы, подверженные температуре до 2000oC, то есть, теплообменники 3, 5, сопло 7, реактор 6 и наружная оболочка 21 реактора, предпочтительно состоят из снабженного покрытием графита, в частности, тонкозернистого графита. Покрытие может требоваться, например, при недостаточной химической устойчивости графита против используемых газов как, например, хлоридов металлов, хлористого водорода, водорода, аммиака и азота, при указанных температурах, при значительной эрозии при более высокой скорости подачи потоков (0,5 - 50 м/сек), для герметизации графита или снижения шероховатости поверхности элементов реактора.
В качестве покрытий можно использовать, например, карбид кремния, карбид бора, нитрид титана, карбид титана и никель (лишь до температуры 1200oC). Возможно также использование комбинации разных покрытий, например, со специфическим верхним покрытием. Эти покрытия можно нанести, например, путем химического осаждения в паровой фазе, плазменного распыления или, в случае никеля, путем электролиза.
В том случае, если требуется лишь низкая температура, то возможно также использование металлических материалов.
Для установки величины частиц порошков можно применять три метода, а именно,
- установку определенного соотношения газовых реагентов и инертных газов,
- установку определенного давления,
- установку определенного профиля температуры и времени пребывания вдоль оси реактора.
- установку определенного соотношения газовых реагентов и инертных газов,
- установку определенного давления,
- установку определенного профиля температуры и времени пребывания вдоль оси реактора.
Профиль температуры и времени пребывания устанавливают следующим образом:
- с помощью одной или больше зон обогревания с начала участков 5 предварительного нагревания до конца трубчатого реактора 6,
- путем вариации поперечного сечения реактора вдоль его продольной оси,
- путем вариации расхода газов, то есть, одновременно вариации скорости потока, при определенном поперечном сечении реактора.
- с помощью одной или больше зон обогревания с начала участков 5 предварительного нагревания до конца трубчатого реактора 6,
- путем вариации поперечного сечения реактора вдоль его продольной оси,
- путем вариации расхода газов, то есть, одновременно вариации скорости потока, при определенном поперечном сечении реактора.
Одно важное преимущество возможности вариации профиля температуры и времени пребывания заключается в возможности отделения зоны образования зародышей от зоны нарастания зародышей. Таким образом возможно для получения грубых порошков величиной частиц, например, примерно от 0,1 мкм до 0,5 мкм при очень низкой температуре и коротком времени пребывания (то есть, небольшое поперечное сечение на определенную длину) создать лишь небольшое количество зародышей, которые затем при высокой температуре и длинном времени пребывания (большое поперечное сечение реактора) могут нарастать с получением грубых частиц. Возможно также получение тонких порошков величиной зерен, например, примерно от 3 нм до 50 нм, тем, что в зоне высокой температуры и сравнительно длинного времени пребывания поощряют образование большого количества зародышей, которые затем в реакторе при низкой температуре и коротком времени пребывания (небольшое поперечное сечение реактора) мало нарастают. Возможна установка всех вариантов, лежащих между указанными крайними случаями.
В емкости охлаждения 18 путем подачи соответствующей смеси газа и пара можно устранить чувствительность иногда чрезвычайно чувствительных к воздействию воздуха или даже пирофорных порошков. Поверхности частиц данных порошков в атмосфере инертного газа в качестве носителя можно снабжать оксидным слоем определенной толщиной, или же органическими соединениями, например, высшими спиртами, аминами, или вспомогательными веществами для спекания, например, парафинами. Покрытие можно также выбрать в соответствии с дальнейшей обработкой порошка.
Оксидные покрытия можно нанести, например, посредством потока инертного газа и воздуха, содержащего определенное количество влаги, или же потока инертного газа и двуокиси углерода (в частности, если речь идет о карбидах).
Благодаря их механическим, электрическим, оптическим и магнитным свойствам предлагаемые порошки величиной зерен порядка в нанометрах пригодны для изготовления сенсоров нового рода, акторов, цветных систем, паст и зеркал.
В нижеследующем изобретение поясняется с помощью примера.
Пример
Согласно уравнению реакции
GaCl3 + NH3 - GaN + 3HCl
при избытке NH3 и H2 в устройстве согласно приложенному чертежу получают нитрид галлия.
Согласно уравнению реакции
GaCl3 + NH3 - GaN + 3HCl
при избытке NH3 и H2 в устройстве согласно приложенному чертежу получают нитрид галлия.
Для этого в испаритель 2 подают 100 г/мин трихлорида галлия, имеющегося в твердом состоянии (точка кипения 2001oC), упаривают, и вместе с 50 нл/мин азота нагревают до температуры 800oC. Реагенты водород (200 нл/мин) и аммиак (95 нл/мин. ) отдельно предварительно нагревают до температуры примерно 1000oC. Температуру при этом измеряют с помощью термоэлемента 12 W5Re-W26Re в месте, указанном на чертеже (1175oC). Перед подачей в трубчатый реактор 6 выходящие с участков 5 предварительного нагревания турбулентные отдельные частичные потоки в наружной части сопла 7 превращаются в гомогенный, вращательно-симметричный ламинарный кольцевой поток. Газовый поток, выходящий с участка 3 предварительного нагревания, соплом 7 также превращается в ламинарный поток, который вводится в кольцевой поток. При этом сопло 7 состоит из трех соосно установленных частичных сопел. Из среднего частичного сопла согласно стрелке 11 выходит поток инертного газа, служащий для передвижения места начала реакции, то есть, первого контакта обоих частичных потоков 8, 9, дальше от сопла в трубчатый реактор. Во внутреннем частичном потоке с помощью отклоняющего элемента 10, установленного на продольной оси сопла и имеющего основной размер 3 мм, создают вихревую дорожку по Карману. Трубчатый реактор имеет общую длину 1100 мм, при этом внутренний диаметр у выхода сопла составляет 40 мм, 200 мм ниже сопла - 30 мм, а на выходе - 50 мм. При этом внутренний диаметр постоянно изменяется в соответствии с законами о потоках. Трубчатый реактор 6 выполнен сборным из 18 сегментов, причем отдельные сегменты соединены друг с другом через дистанционное и центровочное кольцо. В данных местах имеются кольцевые щели 14. Температуру в трубчатом реакторе 6 устанавливают на 1080oC; ее измеряют на наружной стенке реактора 400 мм под соплом, посредством термоэлемента W5Re-W26Re, обозначенного позицией 13. Давление в трубчатом реакторе 6 практически соответствует давлению в фильтре 16 с обратной продувкой; оно на 200 мбар выше атмосферного. На стенку реактора через 18 кольцевых зазоров 14 подают 250 нл/мин аргона. Если на стенку реактора не подают инертного газа, то на ней могут образоваться отложения, которые отчасти очень быстро могут приводить к забиванию реактора, то есть к прекращению процесса. Во всяком случае же благодаря изменяющейся геометрии реактора также получается изменяющийся продукт. Для снижения частичного давления хлористого водорода через 6-ую кольцевую щель снизу посредством дополнительного приспособления в реакционную трубу 6 вводят 200 нл/мин аргона. Целевой продукт (нитрид галлия с однородной величиной частиц, составляющей примерно 10 нм) в фильтре 16 при температуре 600oC отделяют от газов (водорода, аммиака, хлористого водорода, аргона, азота).
Данную температуру выбирают, с одной стороны, для предотвращения образования хлорида аммония (выше 350oC и с другой стороны для обеспечения низкого уровня покрывания очень большой поверхности частиц (примерно 100 м2/г) хлористым водородом (примерно 1,5% хлора).
Получаемый таким образом нитрид галлия в течение 60 минут собирают в фильтре, причем получают 2850 г, а затем его переводят в вакуумную емкость 17, где в течение 50 минут осуществляются 8 циклов создания вакуума с последующей подачей газа с конечными вакуумами, составляющими 0,1 мбар абс. Каждый раз в емкость подают аргон до давления 3000 мбар абс. По истечении 50 минут обработанный таким образом порошковый нитрид галлия переводят в емкость охлаждения 18, в которой путем подачи разных смесей газа и пара можно целенаправленно влиять на конфигурацию поверхности. После охлаждения порошка до температуры ниже 50oC его без контакта с воздухом окружающей среды через шлюз 19 переводят в сборный резервуар.
Согласно методу БЭТ пирофорный порошковый нитрид галлия имеет удельную поверхность 98 м/г, определяемую по методу точки N21 (промышленный стандарт DE 66 131), соответствует 10 нм, и чрезвычайно узкий гранулометрический состав.
Согласно определению РЭМ данный порошковый нитрид галлия, имеющий удельную поверхность 98 м2/г, имеет предельно узкий гранулометрический состав. Имеется менее 1% частиц величиной, отклоняющейся более чем на 10% от средней величины частиц, а не имеется частиц, более чем на 40 % отклоняющих от средней величины. При современном уровне измерительной техники надежное представление о гранулометрическом составе в столь тонких порошках можно получать лишь с помощью методов, где создается изображение (например, РЭМ, ТЭМ).
Согласно анализу порошкового нитрида галлия его содержание кислорода составляет 95 частей на миллион, а общее количество неоксидных загрязнений - 400 частей на миллион.
Claims (20)
1. Тонкодисперсный металлосодержащий порошок формулы MeX, отличающийся тем, что Me означает по меньшей мере один металл из группы, включающей алюминий, галлий, индий, таллий, германий, олово, свинец, мышьяк, сурьма, висмут, селен, теллур, медь, серебро, золото, цинк, кадмий, ртуть, платину, палладий, иридий, родий, рутений, осмий, рений, иттрий, лантан, церий, торий, празеодим, неодим, самарий, европий и гадолиний, а X - по меньшей мере один элемент из группы, включающей углерод, азот, бор, кремний, селен, теллур, фосфор, кислород и серу, величина частиц составляет от 1,0 нм до 1000 нм, при этом он содержит менее 1% частиц величиной, отклоняющейся более чем на 40% от средней величины частиц, и не содержит частиц величиной, отклоняющейся от средней величины частиц более чем на 60%, причем из приведенной формулы исключены нитрид алюминия и окись алюминия.
2. Тонкодисперсный металлосодержащий порошок по п.1, отличающийся тем, что он содержит менее 1% частиц величиной, отклоняющейся более чем на 20% от средней величины частиц, и не содержит частиц величиной, отклоняющейся от средней величины частиц более чем на 50%.
3. Тонкодисперсный металлосодержащий порошок по п.1 или 2, отличающийся тем, что он содержит менее 1% частиц величиной, отклоняющейся более чем на 10% от средней величины частиц, и не содержит частиц величиной, отклоняющейся от средней величины частиц более чем на 40%.
4. Тонкодисперсный металлосодержащий порошок по любому из пп.1 - 3, отличающийся тем, что величина частиц составляет от 1 до менее 100 нм.
5. Тонкодисперсный металлосодержащий порошок по любому из пп.1 - 3, отличающийся тем, что величина частиц составляет от 1 до менее 50 нм.
6. Тонкодисперсный металлосодержащий порошок по любому из пп.1 - 5, отличающийся тем, что он имеет содержание кислорода менее 5000 частей на миллион.
7. Тонкодисперсный металлосодержащий порошок по любому из пп.1 - 6, отличающийся тем, что он имеет содержание кислорода менее 1000 частей на миллион.
8. Тонкодисперсный металлосодержащий порошок по любому из пп.1 - 7, отличающийся тем, что он имеет содержание кислорода менее 100 частей на миллион, предпочтительно менее 50 частей на миллион.
9. Тонкодисперсный металлосодержащий порошок по любому из пп.1 - 8, отличающийся тем, что общее количество примеси, кроме оксидной примеси, составляет менее 5000 частей на миллион.
10. Тонкодисперсный металлосодержащий порошок по любому из пп.1 - 9, отличающийся тем, что общее количество примеси, кроме оксидной примеси, составляет менее 1000 частей на миллион.
11. Тонкодисперсный металлосодержащий порошок по любому из пп.1 - 9, отличающийся тем, что общее количество примеси, кроме оксидной примеси, составляет менее 200 частей на миллион.
12. Способ получения тонкодисперсного металлосодержащего порошка формулы MeX, включающий газофазное взаимодействие соединений металлов с реагентами, конденсацию продукта реакции из газовой фазы с исключением контакта со стенкой реактора и последующее отделение продукта реакции от реакционной среды, отличающийся тем, что получают порошок формулы
MeX,
в которой Me означает по меньшей мере один металл из группы, включающей алюминий, галлий, индий, таллий, германий, олово, свинец, мышьяк, сурьма, висмут, селен, теллур, медь, серебро, золото, цинк, кадмий, ртуть, платину, палладий, иридий, родий, рутений, осмий, рений, иттрий, лантан, церий, торий, празеодим, неодим, самарий, европий и гадолиний;
X - по меньшей мере один элемент из группы, включающей углерод, азот, бор, кремний, селен, теллур, фосфор, кислород и серу,
величина частиц порошка составляет от 1,0 до 1000 нм, при этом он содержит менее 1% частиц величиной, отклоняющейся более чем на 40% от средней величины частиц, и не содержит частиц величиной, отклоняющейся от средней величины частиц более чем на 60%, причем из приведенной формулы исключены нитрид алюминия и окись алюминия, при этом соединения металлов и реагенты подают на реакцию отдельно по меньшей мере при температуре реакции.
MeX,
в которой Me означает по меньшей мере один металл из группы, включающей алюминий, галлий, индий, таллий, германий, олово, свинец, мышьяк, сурьма, висмут, селен, теллур, медь, серебро, золото, цинк, кадмий, ртуть, платину, палладий, иридий, родий, рутений, осмий, рений, иттрий, лантан, церий, торий, празеодим, неодим, самарий, европий и гадолиний;
X - по меньшей мере один элемент из группы, включающей углерод, азот, бор, кремний, селен, теллур, фосфор, кислород и серу,
величина частиц порошка составляет от 1,0 до 1000 нм, при этом он содержит менее 1% частиц величиной, отклоняющейся более чем на 40% от средней величины частиц, и не содержит частиц величиной, отклоняющейся от средней величины частиц более чем на 60%, причем из приведенной формулы исключены нитрид алюминия и окись алюминия, при этом соединения металлов и реагенты подают на реакцию отдельно по меньшей мере при температуре реакции.
13. Способ по п.12, отличающийся тем, что реакцию осуществляют в трубчатом реакторе.
14. Способ по п.12 или 13, отличающийся тем, что соединения металлов, реагенты и частицы продукта пропускают через реактор ламинарным потоком.
15. Способ по п.12 или 13, отличающийся тем, что соединения металлов и реагенты вводят в реактор в качестве соосных ламинарных потоков.
16. Способ по п.15, отличающийся тем, что соосные ламинарные потоки соединения или соединений металлов и реагентов смешивают с помощью вихревой дорожки по Карману.
17. Способ по любому из пп.12 - 16, отличающийся тем, что реакционную среду поддерживают на расстоянии от стенки реактора посредством слоя инертного газа.
18. Способ по любому из пп.12 - 17, отличающийся тем, что отделение получаемого порошка осуществляют при температуре, превышающей температуру кипения или сублимации используемых соединений металлов, реагентов и/или образовавшихся при реакции побочных продуктов.
19. Способ по п. 18, отличающийся тем, что отделенный порошок очищают путем попеременного создания вакуума и подачи разных газов.
20. Способ по п. 18 или 19, отличающийся тем, что отделенный порошок подвергают модификации поверхности путем обработки смесью газа и пара.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4337336A DE4337336C1 (de) | 1993-11-02 | 1993-11-02 | Feinteilige Metall-, Legierungs- und Metallverbindungspulver |
| DEP4337336.4 | 1993-11-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU94040156A RU94040156A (ru) | 1997-02-27 |
| RU2136444C1 true RU2136444C1 (ru) | 1999-09-10 |
Family
ID=6501593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU94040156A RU2136444C1 (ru) | 1993-11-02 | 1994-11-01 | Тонкодисперсный металлосодержащий порошок и способ его получения |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0650791B1 (ru) |
| JP (1) | JPH07247106A (ru) |
| CN (1) | CN1107085A (ru) |
| CA (1) | CA2134631A1 (ru) |
| DE (2) | DE4337336C1 (ru) |
| IL (1) | IL111462A (ru) |
| RU (1) | RU2136444C1 (ru) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2195264C1 (ru) * | 2001-07-05 | 2002-12-27 | Химический факультет МГУ им. М.В.Ломоносова | Способ получения порошков лекарственных препаратов |
| RU2301058C1 (ru) * | 2006-07-19 | 2007-06-20 | Валерий Сергеевич Комаров | Способ микронизации органической лекарственной субстанции |
| RU2321392C1 (ru) * | 2006-09-05 | 2008-04-10 | Валерий Сергеевич Комаров | Способ получения микрокапсулированных лекарственных субстанций в виде микронизированных вододиспергируемых порошков и/или паст |
| RU2331409C1 (ru) * | 2007-08-22 | 2008-08-20 | Валерий Сергеевич Комаров | Способ получения микронизированного порошка инкапсулированной органической лекарственной субстанции с замедленной скоростью водорастворения |
| RU2500502C1 (ru) * | 2012-06-06 | 2013-12-10 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный университет" | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКОВ ФТОРСУЛЬФИДОВ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ LnSF |
| RU2503748C2 (ru) * | 2011-10-10 | 2014-01-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" (ФГБОУ ВПО ТГТУ) | Способ получения ультрамикродисперсного порошка оксида никеля на переменном токе |
| RU2550070C1 (ru) * | 2014-02-04 | 2015-05-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" | Способ получения ультрамикродисперсного порошка оксида никеля |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005097022A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Japan Science & Technology Agency | Iiib族窒化物の合成方法 |
| DE10348643B3 (de) * | 2003-10-15 | 2005-05-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Einrichtung zum Transport von Werkstücken |
| RU2264888C2 (ru) * | 2003-12-24 | 2005-11-27 | Государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт высоких напряжений при Томском политехническом университете" | Способ получения нанодисперсных порошков оксидов |
| JP5082213B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2012-11-28 | 三菱化学株式会社 | 金属窒化物および金属窒化物の製造方法 |
| KR101266776B1 (ko) * | 2004-08-20 | 2013-05-28 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 금속 질화물 및 금속 질화물의 제조 방법 |
| JP4756239B2 (ja) * | 2005-08-03 | 2011-08-24 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 窒化ガリウムからなる中空の球状粒子及びその製造方法 |
| RU2307785C1 (ru) * | 2006-03-24 | 2007-10-10 | Институт физики твердого тела РАН | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОПОРОШКА ТУЛЛУРИДА ЦИНКА-КАДМИЯ С СОСТАВОМ Cd0,9Zn0,1Te |
| JP5509731B2 (ja) * | 2008-08-04 | 2014-06-04 | 株式会社三徳 | 希土類窒化物およびその製造方法、ならびに磁気冷凍材料および蓄冷材料 |
| CA2649322C (en) | 2008-09-30 | 2011-02-01 | 5N Plus Inc. | Cadmium telluride production process |
| CN102994856B (zh) * | 2012-11-28 | 2015-08-12 | 太仓市天合新材料科技有限公司 | 一种热膨胀金属 |
| CN103754838B (zh) * | 2014-02-08 | 2015-10-28 | 张家港绿能新材料科技有限公司 | 一种快速制备碲化镉粉末的方法和设备 |
| EP3418344A4 (en) * | 2016-04-01 | 2019-03-27 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | INFRARED ABSORBING MATERIAL, LIQUID DISPERSION OF INFRARED ABSORBENT MATERIAL, DISPERSED INFRARED ABSORBING MATERIAL ITEM, TRANSPARENT BASE LAMINATED WITH OBJECT WITH DISPERSED INFRARED ABSORBING MATERIAL AND INFRARED ABSORBING TRANSPARENT BASE |
| CN111468738A (zh) * | 2020-03-02 | 2020-07-31 | 深圳市捷安纳米复合材料有限公司 | 一种纳米银铜合金材料及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0038632A2 (en) * | 1980-04-18 | 1981-10-28 | Ube Industries, Ltd. | Process for producing carbonitrides of metal |
| EP0070440A1 (en) * | 1981-07-21 | 1983-01-26 | Asahi Glass Company Ltd. | Method for synthesizing amorphous silicon nitride |
| EP0151490A2 (en) * | 1984-02-09 | 1985-08-14 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Process for producing ultra-fine ceramic particles |
| DE3536933A1 (de) * | 1985-10-17 | 1987-04-23 | Bayer Ag | Verbessertes siliciumnitrid und verfahren zu dessen herstellung |
| DE3720572A1 (de) * | 1987-06-22 | 1989-01-05 | Basf Ag | Amorphes pulverfoermiges siliciumnitrid |
| US4994107A (en) * | 1986-07-09 | 1991-02-19 | California Institute Of Technology | Aerosol reactor production of uniform submicron powders |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB919954A (en) * | 1960-11-10 | 1963-02-27 | Union Carbide Corp | Improvements in and relating to the production of ultra fine metal powders |
| GB950148A (en) * | 1961-05-03 | 1964-02-19 | Union Carbide Corp | Improvements in or relating to the production of ultrafine metal particles |
| JPS597765B2 (ja) * | 1980-09-13 | 1984-02-21 | 昭宣 吉澤 | 微粉末金属の製造方法 |
| JPS59227765A (ja) * | 1983-06-04 | 1984-12-21 | 科学技術庁金属材料技術研究所長 | セラミツクスの超微粒子の製造法 |
| JPS60175537A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-09 | Toyota Motor Corp | セラミツク超微粒子の製造方法 |
| JPS6193828A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-12 | Natl Res Inst For Metals | 混合超微粉の製造法 |
| DE3833382A1 (de) * | 1988-10-01 | 1990-04-05 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung feinteiliger carbide und nitride aus keramischen vorlaeuferverbindungen |
| DE4214723C2 (de) * | 1992-05-04 | 1994-08-25 | Starck H C Gmbh Co Kg | Feinteilige Metallpulver |
| DE4214722C2 (de) * | 1992-05-04 | 1994-08-25 | Starck H C Gmbh Co Kg | Feinteilige Metallpulver |
-
1993
- 1993-11-02 DE DE4337336A patent/DE4337336C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-10-21 EP EP94116634A patent/EP0650791B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-21 DE DE59402362T patent/DE59402362D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-28 CA CA002134631A patent/CA2134631A1/en not_active Abandoned
- 1994-10-28 JP JP6287131A patent/JPH07247106A/ja active Pending
- 1994-10-31 IL IL111462A patent/IL111462A/xx not_active IP Right Cessation
- 1994-11-01 RU RU94040156A patent/RU2136444C1/ru active
- 1994-11-02 CN CN94113789A patent/CN1107085A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0038632A2 (en) * | 1980-04-18 | 1981-10-28 | Ube Industries, Ltd. | Process for producing carbonitrides of metal |
| EP0070440A1 (en) * | 1981-07-21 | 1983-01-26 | Asahi Glass Company Ltd. | Method for synthesizing amorphous silicon nitride |
| EP0151490A2 (en) * | 1984-02-09 | 1985-08-14 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Process for producing ultra-fine ceramic particles |
| DE3536933A1 (de) * | 1985-10-17 | 1987-04-23 | Bayer Ag | Verbessertes siliciumnitrid und verfahren zu dessen herstellung |
| US4994107A (en) * | 1986-07-09 | 1991-02-19 | California Institute Of Technology | Aerosol reactor production of uniform submicron powders |
| DE3720572A1 (de) * | 1987-06-22 | 1989-01-05 | Basf Ag | Amorphes pulverfoermiges siliciumnitrid |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2195264C1 (ru) * | 2001-07-05 | 2002-12-27 | Химический факультет МГУ им. М.В.Ломоносова | Способ получения порошков лекарственных препаратов |
| RU2301058C1 (ru) * | 2006-07-19 | 2007-06-20 | Валерий Сергеевич Комаров | Способ микронизации органической лекарственной субстанции |
| WO2008010741A1 (fr) * | 2006-07-19 | 2008-01-24 | Valeriy Sergeevich Komarov | Procédé de micronisation de substances médicinales organiques |
| RU2321392C1 (ru) * | 2006-09-05 | 2008-04-10 | Валерий Сергеевич Комаров | Способ получения микрокапсулированных лекарственных субстанций в виде микронизированных вододиспергируемых порошков и/или паст |
| RU2331409C1 (ru) * | 2007-08-22 | 2008-08-20 | Валерий Сергеевич Комаров | Способ получения микронизированного порошка инкапсулированной органической лекарственной субстанции с замедленной скоростью водорастворения |
| RU2503748C2 (ru) * | 2011-10-10 | 2014-01-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" (ФГБОУ ВПО ТГТУ) | Способ получения ультрамикродисперсного порошка оксида никеля на переменном токе |
| RU2500502C1 (ru) * | 2012-06-06 | 2013-12-10 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный университет" | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКОВ ФТОРСУЛЬФИДОВ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ LnSF |
| RU2550070C1 (ru) * | 2014-02-04 | 2015-05-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" | Способ получения ультрамикродисперсного порошка оксида никеля |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU94040156A (ru) | 1997-02-27 |
| EP0650791B1 (de) | 1997-04-09 |
| CA2134631A1 (en) | 1995-05-03 |
| CN1107085A (zh) | 1995-08-23 |
| DE4337336C1 (de) | 1994-12-15 |
| IL111462A0 (en) | 1994-12-29 |
| DE59402362D1 (de) | 1997-05-15 |
| JPH07247106A (ja) | 1995-09-26 |
| IL111462A (en) | 1997-07-13 |
| EP0650791A1 (de) | 1995-05-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2136444C1 (ru) | Тонкодисперсный металлосодержащий порошок и способ его получения | |
| JP3356323B2 (ja) | 微粒子金属粉 | |
| JP3356325B2 (ja) | 微粒子金属粉末 | |
| KR100251665B1 (ko) | 미립자 금속 및 세라믹 분말의 제조 방법 | |
| JP3274740B2 (ja) | 金属およびセラミツク微粉末を製造するための装置及び方法 | |
| Weidenkaff et al. | Direct solar thermal dissociation of zinc oxide: condensation and crystallisation of zinc in the presence of oxygen | |
| JP2022070917A (ja) | モリブデンオキシクロライド及びその製造方法 | |
| Melchior et al. | H2 production by steam-quenching of Zn vapor in a hot-wall aerosol flow reactor | |
| KR100254065B1 (ko) | 미립자 산화물 세라믹 분말 | |
| KR100249113B1 (ko) | 미세한 비산화물 세라믹분말 | |
| WO1998044164A1 (en) | Method of forming metallic and ceramic thin film structures using metal halides and alkali metals | |
| WO1998044164A9 (en) | Method of forming metallic and ceramic thin film structures using metal halides and alkali metals | |
| Ehrman et al. | Effect of temperature and vapor-phase encapsulation on particle growth and morphology | |
| RU2206431C2 (ru) | Мелкозернистое железо, содержащее фосфор, и способ его получения | |
| Park et al. | Gas-phase synthesis of AlN powders from AlCl3-NH3-N2 | |
| Nasibulin et al. | Nanoparticle synthesis by copper (II) acetylacetonate vapor decomposition in the presence of oxygen | |
| Janiga et al. | Synthesis of silicon nitride powder by gas-phase reaction | |
| JPH06127923A (ja) | 多結晶シリコン製造用流動層反応器 | |
| Lin et al. | Kinetics of silicon monoxide ammonolysis for nanophase silicon nitride synthesis | |
| RU2106298C1 (ru) | Способ получения нитевидного нитрида алюминия | |
| JPH06127925A (ja) | 耐熱性筒体、多結晶シリコン製造用反応管及びそれらの製造方法 | |
| Schreuders et al. | Nanosized tungsten carbide powder produced by thermal plasma | |
| RU2513402C2 (ru) | Способ получения додекаборида алюминия | |
| BAUER et al. | Laser Vapor Phase Synthesis of Submicron Silicon and Silicon Nitride Powders from Halogenated | |
| Blackman | Aerosol assisted chemical vapour deposition of gas sensitive sno2 and Au-functionalised sno2 nanorods via a non-catalysed vapour solid (Vs) mechanism |