[go: up one dir, main page]

RU2131951C1 - Method of preparing threadlike zinc oxide crystals - Google Patents

Method of preparing threadlike zinc oxide crystals Download PDF

Info

Publication number
RU2131951C1
RU2131951C1 RU97110470A RU97110470A RU2131951C1 RU 2131951 C1 RU2131951 C1 RU 2131951C1 RU 97110470 A RU97110470 A RU 97110470A RU 97110470 A RU97110470 A RU 97110470A RU 2131951 C1 RU2131951 C1 RU 2131951C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
zinc oxide
threadlike
preparing
oxide crystals
crystals
Prior art date
Application number
RU97110470A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU97110470A (en
Inventor
Б.М. Атаев
И.К. Камилов
В.В. Мамедов
Original Assignee
Институт физики Дагестанского научного центра РАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт физики Дагестанского научного центра РАН filed Critical Институт физики Дагестанского научного центра РАН
Priority to RU97110470A priority Critical patent/RU2131951C1/en
Publication of RU97110470A publication Critical patent/RU97110470A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2131951C1 publication Critical patent/RU2131951C1/en

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

FIELD: crystal growing. SUBSTANCE: threadlike zinc oxide crystals useful in semiconductor engineering are grown in air using continuous carbon dioxide laser emission. EFFECT: enabled formation of crystals with no seeds and crystallization chambers. 1 dwg

Description

Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения. Размеры, форма и связанные с ними специфические свойства нитевидных кристаллов делают их привлекательными объектами для различных применений в науке и технике: в физике - объекты для изучения размерных эффектов, а также кинетики роста кристалла вообще в приближении одномерного случая, в технике - активные элементы автоэмиссионных приборов, тензодатчики и т.д. The invention relates to the field of semiconductor materials science. The size, shape and specific properties of whiskers associated with them make them attractive objects for various applications in science and technology: in physics, objects for studying size effects, as well as crystal growth kinetics in general in the one-dimensional case approximation, in technology, active elements of field emission devices load cells, etc.

Известна тенденция оксида цинка к формированию игольчатого габитуса нитевидных монокристаллов, вытянутых вдоль оси C, при традиционных методах роста (см., например, [1, 2]). Известно также об использовании лазерного нагрева для выращивания монокристаллов по крайней мере оксидных материалов: Al2O3, La2Ti2O7, Y3Al5O12, Eu2Ti2O7 и др. (см., например, [3,4]).There is a known tendency for zinc oxide to form a needle-like habit of whisker single crystals elongated along the C axis with traditional growth methods (see, for example, [1, 2]). It is also known about the use of laser heating for growing single crystals of at least oxide materials: Al 2 O 3 , La 2 Ti 2 O 7 , Y 3 Al 5 O 12 , Eu 2 Ti 2 O 7 and others (see, for example, [ 3.4]).

Техническим результатом данного изобретения является получение нитевидных кристаллов оксида цинка без затравок и кристаллизационных камер - на воздухе с использованием излучения CO2-лазера непрерывного действия.The technical result of this invention is to obtain whiskers of zinc oxide without seeds and crystallization chambers in air using radiation from a continuous CO 2 laser.

В экспериментах использовался серийный лазер непрерывного излучения ЛГ-25 на CO2 мощностью 25 Вт. При фокусировке Ge-линзой с f=20 см плотность мощности на поверхности таблетки превышала 105 Вт/см2. Предварительно спрессованные из порошка оксида цинка марки ОСЧ таблетки, размерами L ~1 cм и D ~ 1 cм, отжигались в муфельной печи при T ~ 800oC в течение 1 часа для обеспечения механической прочности. Процедура облучения занимала 1-3 мин. За короткое время (~10 сек) в локальной области облучения температура достигает величины (непосредственные измерения затруднены как размерами области, так и существенным градиентом температур), необходимой для разложения (T > 1750oC) и, возможно, плавления (T > 1950oC) оксида цинка. Размер кратера в области облучения в зависимости от времени и исходной плотности мощности достигал 3 - 4 мм. На краях кратера образуются бугорки - утолщения, видимые невооруженным глазом. При наблюдении под микроскопом с небольшим увеличением (10-100) отчетливо видно, что край кратера состоит из дискретных яйцевидных образований размерами порядка 1 мм, отстоящих друг от друга на таком же расстоянии. На чертеже приведена микрофотография фрагмента края кратера, полученная при увеличении х 25. Можно видеть, что нитевидные кристаллы растут в радиальных направлениях на каждом из таких образований, исключая их внутреннюю коническую поверхность, близкую к зоне облучения. Размеры этих кристаллов вдоль оси C достигали нескольких мм, а в перпендикулярных к оси C направлениях - нескольких мкм.In the experiments, an LG-25 serial CO 2 laser with a power of 25 W was used. When focusing with a Ge lens with f = 20 cm, the power density on the tablet surface exceeded 10 5 W / cm 2 . Tablets pre-compressed from a powder of zinc oxide of the OSCH grade, with sizes L ~ 1 cm and D ~ 1 cm, were annealed in a muffle furnace at T ~ 800 o C for 1 hour to ensure mechanical strength. The irradiation procedure took 1-3 minutes. In a short time (~ 10 sec) in the local irradiation region, the temperature reaches a value (direct measurements are complicated by both the size of the region and a significant temperature gradient) necessary for decomposition (T> 1750 o C) and, possibly, melting (T> 1950 o C) zinc oxide. The crater size in the irradiation region, depending on time and the initial power density, reached 3-4 mm. On the edges of the crater tubercles form - thickenings visible to the naked eye. When observed under a microscope with a small increase (10-100), it is clearly seen that the edge of the crater consists of discrete ovoid formations about 1 mm in size, spaced at the same distance from each other. The drawing shows a micrograph of a fragment of the edge of the crater, obtained at a magnification of x 25. It can be seen that whiskers grow in radial directions on each of these formations, excluding their inner conical surface close to the irradiation zone. The dimensions of these crystals along the C axis reached several mm, and in the directions perpendicular to the C axis several microns.

Список литературы
1. Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. - М.: Наука, 1977, 300 с.
List of references
1. Givargizov E.I. The growth of whiskers and lamellar crystals of steam. - M .: Nauka, 1977, 300 p.

2. Park Y.S., Reynolds D.C.J. of Appl. Phys. 1967, v. 38, N 2, p. 756-760. 2. Park Y.S., Reynolds D.C.J. of Appl. Phys. 1967, v. 38, N 2, p. 756-760.

3. Реди Дж. Действие мощного лазерного излучения. - М.: Мир, 1974, 450 с. 3. Redi J. The action of high-power laser radiation. - M.: Mir, 1974, 450 p.

4. Рябченков В.В. Синтез тугоплавких монокристаллов в условиях лазерного нагрева. Автореферат кандидатской диссертации. - М., ИКАН, 1987, 18 с. 4. Ryabchenkov VV Synthesis of refractory single crystals under conditions of laser heating. Abstract of the candidate dissertation. - M., IKAN, 1987, 18 p.

Claims (1)

Способ выращивания нитевидных кристаллов оксида цинка, отличающийся тем, что рост осуществляют на воздухе с использованием излучения CO2-лазера непрерывного действия.A method of growing whiskers of zinc oxide, characterized in that the growth is carried out in air using radiation from a continuous CO 2 laser.
RU97110470A 1997-06-18 1997-06-18 Method of preparing threadlike zinc oxide crystals RU2131951C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97110470A RU2131951C1 (en) 1997-06-18 1997-06-18 Method of preparing threadlike zinc oxide crystals

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97110470A RU2131951C1 (en) 1997-06-18 1997-06-18 Method of preparing threadlike zinc oxide crystals

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU97110470A RU97110470A (en) 1999-05-20
RU2131951C1 true RU2131951C1 (en) 1999-06-20

Family

ID=20194419

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU97110470A RU2131951C1 (en) 1997-06-18 1997-06-18 Method of preparing threadlike zinc oxide crystals

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2131951C1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2180932C2 (en) * 2000-04-03 2002-03-27 Ляпин Генадий Сергеевич Method of growing filamentary crystals
RU2478740C1 (en) * 2011-08-11 2013-04-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ) Method of producing zinc oxide crystal nano-structured blocks
RU2484188C2 (en) * 2010-12-22 2013-06-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет" Method for production of micro- and nanostructured arrays of zinc oxide crystals
RU2671325C1 (en) * 2017-07-05 2018-10-30 Сергей Николаевич Максимовский Method of obtaining threadlike nanocrystals (nanowiskers) in the body of a sheet material

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0325797A1 (en) * 1987-12-29 1989-08-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Zinc oxide whiskers having a tetrapod crystalline form and method for making the same
EP0378995A1 (en) * 1989-01-18 1990-07-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of producing zinc oxide whiskers
EP0542291A1 (en) * 1991-11-14 1993-05-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Zinc oxide crystal and method of producing same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0325797A1 (en) * 1987-12-29 1989-08-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Zinc oxide whiskers having a tetrapod crystalline form and method for making the same
EP0378995A1 (en) * 1989-01-18 1990-07-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of producing zinc oxide whiskers
EP0542291A1 (en) * 1991-11-14 1993-05-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Zinc oxide crystal and method of producing same

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. -М.: Наука, 1977, с.260, 262. *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2180932C2 (en) * 2000-04-03 2002-03-27 Ляпин Генадий Сергеевич Method of growing filamentary crystals
RU2484188C2 (en) * 2010-12-22 2013-06-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет" Method for production of micro- and nanostructured arrays of zinc oxide crystals
RU2478740C1 (en) * 2011-08-11 2013-04-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ) Method of producing zinc oxide crystal nano-structured blocks
RU2671325C1 (en) * 2017-07-05 2018-10-30 Сергей Николаевич Максимовский Method of obtaining threadlike nanocrystals (nanowiskers) in the body of a sheet material

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Li et al. Size‐Dependent Periodically Twinned ZnSe Nanowires
White et al. Encapsulated semiconductor nanocrystals formed in insulators by ion beam synthesis
Oka et al. Crystal growth of ZnO
Das et al. Diamond—the ultimate material for exploring physics of spin-defects for quantum technologies and diamondtronics
RU2131951C1 (en) Method of preparing threadlike zinc oxide crystals
Boyd et al. Various phase transitions and changes in surface morphology of crystalline silicon induced by 4–260‐ps pulses of 1‐μm radiation
Chen et al. Research progress on silicon vacancy color centers in diamond
Holtz et al. Micro-Raman imaging of GaN hexagonal island structures
US5202891A (en) Nonlinear optical material
Blank et al. A new carbon structure formed at MeV neutron irradiation of diamond: Structural and spectroscopic investigations
Prokofiev et al. Growth of single-crystal photorefractive fibers of Bi12SiO20 and Bi12TiO20 by the laser-heated pedestal growth method
Jheeta et al. Effect of titanium ion irradiation on the surface and defect centre formation in sapphire
RU2154698C2 (en) Monocrystalline sic and method of preparation thereof
Bluet et al. Weak phonon modes observation using infrared reflectivity for 4H, 6H and 15R polytypes
Ataev et al. Zinc oxide whiskers
Jiang et al. Morphologies and growth mechanisms of aluminum nitride whiskers by SHS method—Part I
Ohno et al. Effects of laser irradiation on photoluminescence of C60 single crystal with/without air exposure
Choi et al. Color spectroscopy for energy-level analysis of single-crystal silicon carbide
Marfaing et al. Formation of a hexagonal silicon phase after pulsed laser excitation
JP3317338B2 (en) Wavelength conversion crystal, method of manufacturing the same, and laser device using the same
Somma et al. Structural and optical properties of low nnergy electrons irradiated KCl: LiF multilayer films
JP2009256165A (en) Production method of organic optical single crystal
Collins et al. Textured structure of diamond-like carbon prepared without hydrogen
Srinivasan et al. Effect of different solvents on the habit of meta‐nitroaniline single crystals
Trillat The study of crystalline orientation by electron diffraction