[go: up one dir, main page]

RU2193231C2 - Модуль микросхемы для имплантации в корпус карточки с встроенным микропроцессором (варианты) - Google Patents

Модуль микросхемы для имплантации в корпус карточки с встроенным микропроцессором (варианты) Download PDF

Info

Publication number
RU2193231C2
RU2193231C2 RU99109106/28A RU99109106A RU2193231C2 RU 2193231 C2 RU2193231 C2 RU 2193231C2 RU 99109106/28 A RU99109106/28 A RU 99109106/28A RU 99109106 A RU99109106 A RU 99109106A RU 2193231 C2 RU2193231 C2 RU 2193231C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
printed conductors
base
frame
microcircuit
elevation
Prior art date
Application number
RU99109106/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU99109106A (ru
Inventor
Детлеф Удо
Петер Штампка
Михель Хубер
Йозеф Хайтцер
Original Assignee
Сименс Акциенгезелльшафт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сименс Акциенгезелльшафт filed Critical Сименс Акциенгезелльшафт
Publication of RU99109106A publication Critical patent/RU99109106A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2193231C2 publication Critical patent/RU2193231C2/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07745—Mounting details of integrated circuit chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49855—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к модулю микросхемы для имплантации в корпус карточки с встроенным микропроцессором. Согласно первому варианту модуль содержит основу с микросхемой, окруженной рамкой жесткости, установленной на сформированном на основе подобном цоколю возвышении, являющемся опорой рамки и окружающем микросхему и проводящие структуры, выполненные в виде печатных проводников. Опора рамки состоит из того же материала, что и печатные проводники, и там, где печатные проводники проходят под рамкой жесткости, указанные печатные проводники образуют части опоры рамки. В опоре рамки выполнены разрывы, расположенные между частями подобного цоколю возвышения, образованными печатными проводниками, и частями подобного цоколю возвышения, не образованными печатными проводниками, причем указанные разрывы заполнены клеем, посредством которого рамка жесткости приклеена к подобному цоколю возвышению. Согласно второму варианту модуля на тех участках, где печатные проводники достигают подобного цоколю возвышения, они сами выполняют функцию подобного цоколю возвышения. Результатом является простая и надежная конструкция модуля, который можно устанавливать в точно определенном положении независимо от остальных структур бесконтактной карточки, при этом исключается короткое замыкание проводящих структур. 2 с. и 2 з.п.ф-лы, 3 ил.

Description

Изобретение относится к модулю микросхемы согласно ограничительной части пункта 1 формулы изобретения, т.е. к модулю микросхемы, в частности, для имплантации в корпус карточки с встроенным микропроцессором, содержащим основу и нанесенную на основу микросхему.
Такие модули микросхемы известны в большом количестве вариантов выполнения.
Основную часть каждого модуля составляет микросхема. Эту микросхему с помощью клея наклеивают на выполненную, как правило, из эпоксидной смолы или т. п. основу и соединяют электрически с предусмотренными на основе проводящими структурами с помощью соединительных проводников или т.п.
Если модуль микросхемы предназначен для использования в карточке с встроенным микропроцессором, имеющей внешние контактные места (в контактной карточке), то проводящие структуры основы содержат, по меньшей мере, контактные поверхности (поверхностные контакты) подлежащей изготовлению карточки. Если модуль микросхемы предусмотрен для использования в карточке без контактов, т. е. в бесконтактной карточке, то проводящие структуры основы содержат, по меньшей мере, такие структуры, которые предусмотрены для подключения расположенной вне модуля микросхемы, точнее интегрированной в корпусе карточки с встроенным микропроцессором антенны.
Как правило, для зашиты микросхемы на основу наклеивают обычно металлическую рамку жесткости, окружающую микросхему, и наполняют массой, защищающей микросхему и соединительные проводники (от механических повреждений и оптического анализа).
Затем готовый модуль микросхемы вставляют (имплантируют) в соответствующее углубление корпуса карточки, в результате чего возникает готовая к использованию карточка с встроенным микропроцессором.
Если подлежащая изготовлению карточка с встроенным микропроцессором является контактной карточкой, то имплантацию модуля микросхемы можно производить только посредством механического соединения (склеивания) модуля микросхемы и корпуса карточки. Выполненные для такого применения модули микросхемы содержат, как указывалось выше, не только саму микросхему, но и расположенные снаружи готовой карточки с встроенным микропроцессором контактные поверхности (поверхностные контакты), так что нет необходимости в электрическом соединении модуля микросхемы и корпуса карточки.
Если подлежащая изготовлению карточка с встроенным микропроцессором является бесконтактной карточкой, то имплантация модуля микросхемы в корпус карточки требует наряду с механическим соединением модуля микросхемы и корпуса карточки также их электрического соединения (для соединения интегрированной в корпусе карточки антенны и находящейся в модуле микросхемы).
Опыт показывает, что, в частности, бесконтактные карточки с встроенным микропроцессором иногда вовсе не пригодны к употреблению или пригодны лишь ограниченно.
Поэтому в основе изобретения лежит задача так усовершенствовать модуль микросхемы согласно ограничительной части пункта 1 формулы изобретения, чтобы работающие бесконтактно карточки с встроенным микропроцессором можно было без брака изготавливать с применением такого модуля чрезвычайно просто и надежно.
Эта задача решается с помощью заявленных признаков отличительной части пункта 1 формулы изобретения.
Согласно изобретению на основе предусмотрено возвышение, проходящее полностью или частично вокруг микросхемы подобно цоколю.
За счет наличия указанного возвышения можно создать для рамки жесткости опорную поверхность, на которую ее можно устанавливать по большой поверхности и в точно определенном положении независимо от остальных структур на соответствующей поверхности основы модуля микросхемы.
Тем самым надежно исключается то, что проводящие структуры, как, например, печатные проводники и т.п., которые проходят по той поверхности основы модуля микросхемы, на которой следует расположить рамку жесткости, не будут ею электрически короткозамкнуты или не претерпят другого отрицательного воздействия.
Это справедливо и в том случае, если, по меньшей мере, части возвышения образованы самими указанными проводящими структурами, подлежащими защите от короткого замыкания, и если рамку жесткости "только просто" наклеивают на возвышение. В частности, возможность большой по поверхности и равномерно распределенной опоры, которую может предоставлять возвышение для рамки жесткости, приводит к тому, что рамка жесткости по всему периметру может приходить в соприкосновение с возвышением только опосредованно через (предпочтительно изолирующий) клей.
Кроме того, выполненная по периметру в основном без перерывов и плоской опорная поверхность, которую может предоставить возвышение для рамки жесткости, обеспечивает то, что между рамкой жесткости и опорной поверхностью, на которую она устанавливается, не могут возникать зазоры или во всяком случае такие зазоры, которые не могут быть более или менее полностью заполнены клеем, с помощью которого рамку жесткости приклеивают на возвышение. За счет этого может быть достигнуто то, что предусмотренная для изготовления так называемого сферического верха защитная масса, которой более или менее полностью заполняют внутреннее пространство рамки жесткости, не может выходить наружу. Это в свою очередь приводит к положительному эффекту, заключающемуся в том, что в отличие от существующей практики нет опасности того, что проходящие вне рамки жесткости проводящие структуры, которые подлежат соединению с находящимися вне модуля микросхемы компонентами карточки с встроенным микропроцессором, покрываются выходящей из рамки жесткости защитной массой и поэтому становятся непригодными для электрического соединения.
Таким образом, на проводящие структуры, которые предусмотрены на той стороне основы, на которой следует устанавливать также рамку жесткости, рамка жесткости не оказывает отрицательного влияния как в отношении их электрических свойств, так и в отношении их механических свойств.
Тем самым не оказывается влияние, в частности, на те проводящие структуры, которые служат для соединения содержащейся в модуле микросхемы с интегрированной в корпус карточки с встроенным микропроцессором антенной.
То же относится к тому случаю, когда микросхему без рамки жесткости покрывают соответственно твердой защитной массой, как, например, формовочной массой, затвердевающей под воздействием температуры защитной массой или т.п. В этом случае возвышение можно использовать как поверхность прилегания и/или опоры для литейной формы или других вспомогательных средств. Тем самым и в этом случае может быть обеспечено то, что между литейной формой и основой остаются такие зазоры или разрывы, через которые не может проникать защитная масса.
Таким образом, создан модуль микросхемы, с помощью которого чрезвычайно просто, надежно и без брака можно изготавливать, в частности, карточки с встроенным микропроцессором, модуль микросхемы которых должен быть электрически соединен с корпусом карточки, т.е. также бесконтактные карточки с встроенным микропроцессором.
Предпочтительные модификации изобретения являются предметом зависимых пунктов формулы изобретения.
Изобретение поясняется ниже подробней на примере выполнения с помощью чертежей, на которых изображено:
Фиг. 1 - вид сверху на ленту основы с множеством частично изготовленных модулей микросхемы согласно изобретению,
Фиг. 2 - ступенчатый, проходящий через различные плоскости разрез полностью изготовленного модуля микросхемы согласно изобретению и
Фиг.3 - схематичный вид в разрезе корпуса карточки с встроенным микропроцессором с установленным в нем модулем микросхемы согласно изобретению.
Модуль микросхемы согласно изобретению выполнен, как и обычные модули микросхемы, с возможностью установки в корпус карточки с встроенным микропроцессором, в результате чего возникает карточка с встроенным микропроцессором. Однако модули микросхемы этого типа можно использовать не только в используемых в настоящее время "нормальных" карточках с встроенным микропроцессором, как, например, в телефонных карточках, идентификационных карточках и т. п., но и в целом для карточек или модулей любого типа, содержащих микросхемы, т. е., например, для так называемых модулей интерфейса обслуживания (SIM) для мобильных телефонов и т.д.
Описываемый ниже модуль микросхемы пригоден для изготовления карточки с встроенным микропроцессором, которую можно использовать как контактную, так и бесконтактную карточку с встроенным микропроцессором. Такие карточки с встроенным микропроцессором для простоты в последующем называются комбинированными карточками.
Комбинированные карточки отличаются тем, что они, с одной стороны, в заданных местах имеют возможность внешнего подключения и, с другой стороны, имеют антенну для беспроводной передачи информации.
Поверхностные контакты интегрированы в модуль микросхемы, в то время как антенна содержится в корпусе карточки и должна быть электрически соединена с соответствующими контактами модуля микросхемы (его микросхемы).
Хотя описываемый ниже модуль микросхемы пригоден в особенности для использования в комбинированных карточках, выполненные согласно изобретению модули микросхемы можно в принципе также предпочтительно использовать в любых других карточках или модулях с встроенным микропроцессором.
Описываемый ниже подробно модуль 1 микросхемы является одним из множества модулей, которые друг за другом и рядом друг с другом выполнены на основе 10.
В качестве основы 10 используют предпочтительно ленту основы. Отрезок такой ленты основы с четырьмя находящимися еще в процессе изготовления модулями 1 микросхемы показаны на фиг.1.
Состоящая из электрически изолирующей эпоксидной смолы лента основы имеет боковые перфорационные отверстия, которые обеспечивают простую и надежную транспортировку ленты основы во время изготовления модулей 1 микросхемы. На показанном отрезке ленты основы выполнены четыре модуля 1 микросхемы, которые после окончательного изготовления разделяют путем разрезания, соответственно, распиливания ленты основы вдоль изображенных на фиг. 1 точками линий 11.
Конструкция каждого модуля 1 микросхемы показана на фиг.1 (вид сверху) и на фиг. 2 (вид сбоку в разрезе); на фиг.2, хотя она представляет вид в разрезе, для лучшей наглядности не выполнено штрихование.
Основной частью каждого модуля 1 микросхемы является приклеенная на основу 10 клеем 12 микросхема 13. Эта микросхема 13 соединена предпочтительно с помощью проводников с предусмотренными на основе 10 или внутри основы 10 проводящими структурами.
Проводящие структуры находятся в представленном примере как на стороне основы 10, на которой расположена микросхема 13, так и на противоположной стороне основы 10. Та сторона основы 10, на которой расположена микросхема 13, называется в последующем стороной 14 микросхемы основы 10 и противоположная стороне 14 микросхемы основы 10 сторона основы 10 - стороной 15 контактных поверхностей.
Выполненные на стороне 14 микросхемы основы 10 проводящие структуры состоят из проходящего перед микросхемой 13 печатного проводника 16 и проходящего сзади микросхемы 13 второго печатного проводника 17, с помощью которых можно соединить предусмотренную в корпусе карточки с встроенным микропроцессором антенну с микросхемой 13; печатные проводники 16 и 17 соединены проволочными проводниками 18 с соответствующими контактами микросхемы 13.
Выполненные на стороне 15 контактных поверхностей основы 10 проводящие структуры выполнены как контактные поверхности (поверхностные контакты) 19, через которые содержащую описанный модуль 1 микросхемы карточку с встроенным микропроцессором можно затем контактировать; контактные поверхности 19 через проволочные проводники 20 соединены с соответствующими контактами микросхемы 13, причем проволочные проводники 20 проходят через предусмотренные в основе 10 отверстия 21.
Контакты микросхемы 13, через которые она подлежит соединению через печатные проводники 16 и 17 с антенной, не являются одновременно теми контактами, которые подлежат соединению с местами 19 соединения. Тем самым можно предотвратить короткие замыкания антенных контактов микросхемы местами 19 соединения.
Микросхема 13 окружена рамкой 22 жесткости, которая установлена на выполненном на основе 10 подобно цоколю возвышении в виде опоры 23 рамки.
Опора 23 рамки проходит в основном полностью вокруг микросхемы 13; она состоит из того же материала, что и предусмотренные на той же стороне основы 10, т.е. на стороне 14 микросхемы, печатные проводники 16 и 17, и выполнена тем же способом совместно с ними.
Там, где печатные проводники 16 и 17 проходят под рамкой 22 жесткости, они одновременно образуют часть опоры 23 рамки.
Образованные печатными проводниками 16 и 17 части опоры рамки и не образованные печатными проводниками 16 и 17 части опоры рамки имеют одинаковую высоту и образуют тем самым плоскую опорную поверхность, на которую может быть установлена по большой поверхности и точно, в частности, без наклона рамка 22 жесткости. В качестве альтернативного решения может быть предусмотрено, что печатные проводники 16 и 17 выполнены несколько ниже, чем те части опоры 23 рамки, которые не образованы печатными проводниками 16 и 17.
Для того чтобы печатные проводники 16 и 17 не замыкались накоротко не образованными ими, но также металлическими частями опоры рамки или не претерпевали другого электрического воздействия от них, в опоре 23 рамки предусмотрены соответствующие разрывы (зазоры).
Эти не изображенные на фигурах разрывы выполнены предпочтительно (но не обязательно) непосредственно рядом с печатными проводниками 16 и 17, т.е. между частями опоры рамки, которые образованы печатными проводниками 16 и 17, и частями опоры рамки, которые не образованы печатными проводниками 16 и 17. За счет этого предотвращается возможность чрезмерного изменения физических свойств печатных проводников 16 и 17, в частности их емкостных и индуктивных сопротивлений. Однако в принципе могут быть предусмотрены выполненные в любом количестве и в любых местах опоры 23 рамки разрывы.
Ширину и/или форму разрывов необходимо выбирать так, чтобы, с одной стороны, обеспечивать хороший эффект электрической изоляции и, с другой стороны, образовывать лишь такой зазор, через который не может проходить описываемая подробней ниже защитная масса. В показанном примере ширина разрывов находится предпочтительно в пределах между 10 и 100 мкм.
Для крепления рамки 22 жесткости на указанной опоре 23 рамки используют электрически изолирующий клей. Толщина наносимого между опорой 23 рамки и рамкой 22 жесткости слоя клея изменяется между 10 и 35 мкм, но является - во всяком случае при наличии указанной опоры 23 рамки - достаточно большой для предотвращения короткого замыкания печатных проводников 16 и 17, которые образуют части опоры 23 рамки, как правило, металлической рамкой 22 жесткости. Относительно небольшая толщина наносимого между опорой 23 рамки и рамкой 22 жесткости слоя клея достаточна для достижения хорошей изоляции, в частности, потому, что рамка 22 жесткости прилегает по большой поверхности к в основном плоской опоре 23 рамки и - в отличие от случая, когда не предусмотрена опора 23 рамки, - не может наклоняться на сторону на выступающих из поверхности основы 10 печатных проводниках 16 и 17 с местным уменьшением толщины слоя клея.
Если указанные выше разрывы в опоре 23 рамки не являются слишком широкими, то при наклеивании рамки 22 жесткости на опоре 23 рамки они закрываются изолирующим клеем.
Расположенную внутри рамки 22 жесткости область заполняют защищающей микросхему 13 и проволочные проводники 18 и 20 от механических повреждений и оптического анализа защитной массой 24; за счет этого образуется так называемый сферический верх.
Защитная масса 24 не может выходить из внутреннего пространства, ограниченного рамкой 22 жесткости и опорой 23 рамки, потому что между рамкой 22 жесткости и опорой 23 рамки нет отверстий или есть такие отверстия, которые не приводят к выходу защитной массы 24. Соединение между рамкой 22 жесткости и опорой 23 рамки является в основном полностью плотным; при необходимости оставленные отверстия имеют такую форму и/или размеры, что через них не может проникать или в крайнем случае может проникать лишь в пренебрегаемо малом количестве защитная масса 24. Поэтому (электрически изолирующая) защитная масса 24 не может попадать на проходящие вне рамки 23 жесткости проводящие структуры, как, например, печатные проводники 16 и 17, благодаря чему в отличие от предыдущей практики на их отрезки, используемые как места контактов, не может оказываться отрицательного воздействия.
Модуль микросхемы после его изготовления устанавливают, как схематично показано на фиг. 3, в соответствующее углубление в корпусе карточки с встроенным микропроцессором.
Фиг.3 является сильно упрощенным изображением, в котором схематично показан, в частности, только модуль 1 микросхемы. Кроме того, хотя показан вид в разрезе, по причинам наглядности не выполнена штриховка.
На фиг. 3 корпус карточки с встроенным микропроцессором обозначен позицией 25 и предусмотренное в нем углубление для установки модуля 1 микросхемы обозначено позицией 26.
Через углубление 26 проходят электрически проводящие структуры в виде двух, по меньшей мере, частично выступающих наружу, соответственно, освобожденных проводников 27 (для подключения антенны), которые относятся к интегрированной в корпусе 25 карточки с встроенным микропроцессором антенне или ведут к ней.
При установке модуля 1 микросхемы в углубление 26 корпуса 25 карточки с встроенным микропроцессором электрически проводящие структуры модуля 1 микросхемы, т. е. печатные проводники 16 и 17, располагаются, по меньшей мере, частично фронтально противоположно электрически проводящим структурам корпуса 25 карточки с встроенным микропроцессором, т.е. проводникам 27 для подключения антенны; при этом печатные проводники 16 и 17, как показано на фиг. 3, даже прилегают к проводникам 27 для подключения антенны.
Если модуль 1 микросхемы указанным образом вставляют в углубление 26 корпуса 25 карточки с встроенным микропроцессором, то выполненные на стороне 15 контактных поверхностей основы 10 контактные поверхности 19 модуля 1 микросхемы окажутся автоматически на внешней стороне карточки с встроенным микропроцессором.
Модуль 1 микросхемы в показанном на фиг.3 положении склеивают с корпусом карточки.
Печатные проводники 16 и 17 и проводники 27 для подключения антенны с помощью подходящей техники соединения электрически соединяют между собой. Это может осуществляться, например, за счет того, что расположенную на желательном месте соединения паяльную пасту нагревают до температуры плавления извне через основу 10 с помощью лазерного луча. Если печатные проводники 16 и 17 и проводники 27 для подключения антенны, как показано на фиг.3, лежат друг на друге, то уже за счет этого они находятся в электрическом контакте друг с другом, так что можно отказаться от дополнительного соединения посредством пайки или т.п.; несмотря на это они, естественно, могут быть спаяны друг с другом.
Печатные проводники 16 и 17 и/или контактные поверхности 19, если предусмотрено отдельное соединение между печатными проводниками 16 и 17 и проводниками 27 для подключения антенны, расположены и выполнены предпочтительно так, что контактные поверхности 19 не мешают нагреву паяльной пасты. Печатные проводники 16 и 17 и/или контактные поверхности 19 расположены, в частности, так, что отрезки печатных проводников 16 и 17, которые подлежат соединению (пайке) с проводниками 27 для подключения антенны, находятся под промежуточными пространствами между местами 19 соединения; обычно очень узкие промежуточные пространства между местами соединения (стандартная ширина составляет 0,2 мм) предпочтительно выполняют на соответствующих местах шире.
Описанный модуль 1 микросхемы согласно изобретению изготовляют следующим образом.
Исходной точкой является лента основы, которая не имеет ни отверстий 21 для соединений, ни каких-либо проводящих структур на ее поверхности и которая снабжается ими предпочтительно еще изготовителем ленты основы.
Отверстия 21 для соединений выполняют сверлением или штамповкой.
Проводящие структуры, точнее печатные проводники 16 и 17, а также контактные поверхности 19 создают с использованием электрически проводящей фольги, которую можно затем наносить на ленту основы. Вместе с изготовлением указанной проводящей структуры изготавливают также опору 23 рамки; тем самым в рассматриваемом случае опора 23 рамки является также проводящей структурой, которую, однако, используют в другом качестве.
Электрически проводящую фольгу (в рассматриваемом примере медную фольгу), с помощью которой образуют, соответственно, из которой изготавливают печатные проводники 16 и 17, контактные поверхности 19 и опору 23 для рамки, ламинируют без дополнительного клея на соответствующие стороны ленты основы. Проводящая фольга может по выбору уже иметь необходимую структуру, а также может быть соответственно структурирована позже, т.е. после ламинирования на ленту основы.
При последующем структурировании ненужные части проводящей фольги удаляют химическим способом, например выборочным травлением. Тем самым проводящей фольге придают необходимую геометрическую форму. В результате от проводящей фольги остаются на стороне 15 контактных поверхностей контактные поверхности 19 и на стороне 14 микросхемы печатные проводники 16 и 17, а также опора 23 рамки.
Печатные проводники 16 и 17 смежно расположенных на ленте основы модулей микросхемы, как показано на фиг.1, объединены в сквозной участок печатного проводника. Это не создает проблем, поскольку сквозной участок печатного проводника при разделении модулей (выделении модулей микросхемы из ленты основы вдоль линий 11 разреза) все равно разделяется.
После нанесения и при необходимости структурирования проводящей фольги ее подвергают гальваническому облагораживанию. В рассматриваемом примере на образованный проводящей фольгой слой меди наносят сперва слой никеля, а на него - слой золота. На контактных поверхностях 19 в тех местах, где находятся отверстия 21 для соединений, это происходит на обеих сторонах образующего контактные поверхности слоя меди. Вместо структуры слоев Cu-Ni-Au можно использовать также структуру слоев Au-Ni-Cu-Ag или другую пригодную для соединения структуру.
Все проводящие структуры на ленте основы изготовляют точно одинаковым способом. Для печатных проводников 16 и 17, а также опоры 23 рамки это означает, что они имеют точно одинаковую высоту и точно одинаковые физические и химические свойства.
Затем на подготовленную указанным образом ленту основы наклеивают микросхему 13 и с помощью проволочных проводников электрически соединяют с контактными поверхностями 19 и с проходящими внутри опоры рамки отрезками печатных проводников.
Затем с помощью электрически изолирующего клея наклеивают рамку 22 жесткости на опору 23 рамки.
За счет наличия опоры рамки в целом и ее особого выполнения, в частности, между рамкой 22 жесткости и опорой 23 рамки можно создать кругом непрерывное и плотное соединение, с помощью которого рамка жесткости и опора рамки надежно электрически изолированы друг от друга; печатные проводники 16 и 17 не могут быть накоротко замкнуты ни рамкой 22 жесткости, ни опорой 23 рамки.
Затем заключенную в рамку 22 жесткости область более или менее полностью заполняют защитной массой 24.
Наконец, изготовленные указанным способом модули микросхемы вырезают из ленты основы и, как показано на фиг. 3, устанавливают в соответствующий корпус 25 карточки с встроенным микропроцессором и соединяют с ним механически и при необходимости также электрически.
Описанный выше модуль микросхемы является модулем без островка для микросхемы, т.е. модулем, в котором микросхема установлена на основе. Однако изобретение можно в принципе использовать и для модулей с островком для микросхемы, т. е. в модулях, в которых микросхему устанавливают в предусмотренном в основе углублении.
Опору 23 рамки можно использовать не только для установки рамки 22 жесткости; она может выполнять положительную роль также тогда, когда не предусмотрена рамка жесткости. От указанной рамки 22 жесткости можно, например, отказаться, если микросхему покрыть защитной массой, которую можно использовать без рамки жесткости, как, например, формовочной массой, затвердевающей под воздействием температуры защитной массой или т.п., и которая сама становится достаточно твердой (жесткой). В этом случае выполненное подобно цоколю возвышение в виде подробно описанной выше опоры 23 рамки может служить для крепления и/или установки литейных форм или других вспомогательных средств. При этом изготовление защитного покрытия микросхемы с использованием опоры 23 рамки является предпочтительным по двум причинам: с одной стороны, предотвращается возможность изготовления защитного покрытия криво и/или с другими отклонениями от заданного номинального положения и/или номинального выравнивания и, с другой стороны, в этом случае можно предотвратить (в основном по тем же причинам, что и в случае применения рамки жесткости) покрытие проходящих вне самого защитного покрытия микросхемы отрезков печатных проводников 16 и 17 защитной массой и тем самым превращение их в не пригодные для соединения с предусмотренными вне модуля микросхемы компонентами.
В этом случае также не является необходимым то, что печатные проводники 16 и 17 являются проводниками для соединения модуля микросхемы с предусмотренной вне его антенной (катушкой); выполненное подобно цоколю возвышение в виде опоры 23 рамки и/или описанное электрическое соединение между модулем микросхемы и корпусом карточки с встроенным микропроцессором можно с успехом использовать и тогда, когда печатные проводники 16 и 17 выполняют любую другую функцию, чем ту, которая указана выше.
Хотя особенно просто изготовлять выполненное подобно цоколю возвышение вместе с печатными проводниками 16 и 17 и контактными поверхностями 19, это не является ограничивающим фактором. В принципе выполненное подобно цоколю возвышение можно изготавливать независимо от печатных проводников 16 и 17 из любого материала и любым способом.
В заключение можно утверждать, что с помощью описанного модуля микросхемы можно значительно надежней, чем прежде изготовлять, в частности, бесконтактные карточки с встроенным микропроцессором, а также другие карточки с встроенным микропроцессором.

Claims (4)

1. Модуль микросхемы для имплантации в корпус 25 карточки с встроенным микропроцессором, содержащий основу 10, расположенную на основе микросхему 13, окруженную рамкой жесткости 22, установленной на сформированном на основе 10 подобном цоколю возвышении, являющемся опорой 23 рамки и окружающем микросхему 13 и проводящие структуры, выполненные в виде печатных проводников 16, 17, при этом опора 23 рамки состоит из того же материала, что и печатные проводники 16, 17, и там, где печатные проводники 16, 17 проходят под рамкой жесткости 22, указанные печатные проводники 16, 17 образуют части опоры рамки; в опоре рамки выполнены разрывы, расположенные между частями подобного цоколю возвышения, образованными печатными проводниками 16, 17 и частями подобного цоколю возвышения, не образованными печатными проводниками 16, 17, и предусмотренные для того, чтобы печатные проводники 16, 17 не замыкались накоротко не образованными ими частями подобного цоколю возвышения, причем указанные разрывы заполнены клеем, посредством которого рамка жесткости 22 приклеена к подобному цоколю возвышению.
2. Модуль микросхемы для имплантации в корпус 25 карточки с встроенным микропроцессором, содержащий основу 10, расположенные на основе микросхему, окружающее микросхему подобное цоколю возвышение и проводящие структуры, выполненные в виде печатных проводников 16, 17, при этом опора 23 рамки состоит из того же материала, что и печатные проводники 16, 17, а на тех участках, где печатные проводники 16, 17 достигают подобного цоколю возвышения, они сами выполняют функцию подобного цоколю возвышения; в подобном цоколю возвышении предусмотрены расположенные между частями подобного цоколю возвышения, образованными печатными проводниками 16, 17, и частями подобного цоколю возвышения, не образованными печатными проводниками 16, 17, разрывы, формы и/или размеры которых выбраны так, чтобы печатные проводники 16, 17 не замыкались накоротко не образованными ими частями подобного цоколю возвышения и чтобы через них не могла проникать заливочная масса, используемая для защиты микросхем.
3. Модуль микросхемы по одному из пп. 1 и 2, отличающийся тем, что опора 23 рамки выполнена тем же способом, что и печатные проводники 16, 17, и совместно с ними.
4. Модуль микросхемы по одному из пп. 1-3, отличающийся тем, что разрывы имеют ширину от 10 до 100 мкм.
RU99109106/28A 1996-09-30 1997-09-02 Модуль микросхемы для имплантации в корпус карточки с встроенным микропроцессором (варианты) RU2193231C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19640304.9 1996-09-30
DE19640304A DE19640304C2 (de) 1996-09-30 1996-09-30 Chipmodul insbesondere zur Implantation in einen Chipkartenkörper

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU99109106A RU99109106A (ru) 2001-02-10
RU2193231C2 true RU2193231C2 (ru) 2002-11-20

Family

ID=7807447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99109106/28A RU2193231C2 (ru) 1996-09-30 1997-09-02 Модуль микросхемы для имплантации в корпус карточки с встроенным микропроцессором (варианты)

Country Status (12)

Country Link
US (1) US6288904B1 (ru)
EP (1) EP0931343B1 (ru)
JP (1) JP3230683B2 (ru)
KR (1) KR100395843B1 (ru)
CN (1) CN1143383C (ru)
AT (1) ATE222026T1 (ru)
BR (1) BR9712155A (ru)
DE (2) DE19640304C2 (ru)
ES (1) ES2182119T3 (ru)
RU (1) RU2193231C2 (ru)
UA (1) UA57036C2 (ru)
WO (1) WO1998015004A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2471233C2 (ru) * 2006-06-20 2012-12-27 Инновейтир, Инк. Встраиваемое электронное устройство и способ изготовления встраиваемых электронных устройств

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6914196B2 (en) * 1998-01-09 2005-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Reel-deployed printed circuit board
JP3180086B2 (ja) * 1998-08-31 2001-06-25 株式会社シーメディア 携帯通信装置、情報伝達システム及び方法、携帯通信装置で利用可能な非接触ｉｃメディア
FR2793069B1 (fr) * 1999-04-28 2003-02-14 Gemplus Card Int Procede de fabrication de dispositif electronique portable a circuit integre protege par resine photosensible
JP3461308B2 (ja) * 1999-07-30 2003-10-27 Ｎｅｃマイクロシステム株式会社 データ処理装置、その動作制御方法
US7638195B2 (en) * 1999-08-04 2009-12-29 Hybrid Plastics, Inc. Surface modification with polyhedral oligomeric silsesquioxanes silanols
US20060194919A1 (en) * 1999-08-04 2006-08-31 Lichtenhan Joseph D Porosity control with polyhedral oligomeric silsesquioxanes
US6972312B1 (en) * 1999-08-04 2005-12-06 Hybrid Plastics Llc Process for the formation of polyhedral oligomeric silsesquioxanes
US7888435B2 (en) * 1999-08-04 2011-02-15 Hybrid Plastics, Inc. Process for continuous production of olefin polyhedral oligomeric silsesquioxane cages
US7485692B2 (en) 1999-08-04 2009-02-03 Hybrid Plastics, Inc. Process for assembly of POSS monomers
US7553904B2 (en) * 1999-08-04 2009-06-30 Hybrid Plastics, Inc. High use temperature nanocomposite resins
TW445608B (en) * 2000-05-19 2001-07-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package and manufacturing method thereof of lead frame without flashing
JP3399453B2 (ja) * 2000-10-26 2003-04-21 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
DE10134989B4 (de) * 2001-07-18 2006-03-23 Infineon Technologies Ag Chipkarte mit einem Kartenkörper
DE10145752B4 (de) * 2001-09-17 2004-09-02 Infineon Technologies Ag Nicht-leitendes, ein Band oder einen Nutzen bildendes Substrat, auf dem eine Vielzahl von Trägerelementen ausgebildet ist
US20030085288A1 (en) * 2001-11-06 2003-05-08 Luu Deniel V.H. Contactless SIM card carrier with detachable antenna and carrier therefore
DE10208168C1 (de) * 2002-02-26 2003-08-14 Infineon Technologies Ag Datenträgerkarte
US6915636B2 (en) * 2002-07-15 2005-07-12 Power Systems Mfg., Llc Dual fuel fin mixer secondary fuel nozzle
DE10237084A1 (de) * 2002-08-05 2004-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leiterrahmens und Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements
FR2853434B1 (fr) * 2003-04-03 2005-07-01 Oberthur Card Syst Sa Carte a microcircuit fixee sur un support adaptateur, support de carte et procede de fabrication
US7259678B2 (en) * 2003-12-08 2007-08-21 3M Innovative Properties Company Durable radio frequency identification label and methods of manufacturing the same
US20090085011A1 (en) * 2003-12-18 2009-04-02 Lichtenhan Joseph D Neutron shielding composition
US20050261839A1 (en) * 2004-05-18 2005-11-24 Shinde Ninad A Smart substance processing device and a system and method of monitoring thereof
EP1784765A2 (en) * 2004-06-30 2007-05-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Chip card for insertion into a holder
US20060170079A1 (en) * 2005-02-02 2006-08-03 Brennan John M Integrated circuit device having encapsulant dam with chamfered edge
WO2006090199A1 (en) * 2005-02-28 2006-08-31 Infineon Technologies Ag Semiconductor package, a panel and methods of assembling the same
DE102005044216A1 (de) * 2005-09-15 2007-03-29 Smartrac Technology Ltd. Chipmodul sowie Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls
JP2007098409A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Toshiba Corp 板材分断方法、金型、プリント基板、および電子機器
DE502005007956D1 (de) * 2005-11-14 2009-10-01 Tyco Electronics Amp Gmbh Smartcard-Körper, Smartcard und Herstellungsverfahren
US7682869B2 (en) * 2006-03-23 2010-03-23 Micron Technology, Inc. Method of packaging integrated circuit devices using preformed carrier
SG147330A1 (en) * 2007-04-19 2008-11-28 Micron Technology Inc Semiconductor workpiece carriers and methods for processing semiconductor workpieces
DE102007019795B4 (de) * 2007-04-26 2012-10-04 Infineon Technologies Ag Chipmodul und Verfahren zum Herstellen dieses Chipmoduls
US8030746B2 (en) * 2008-02-08 2011-10-04 Infineon Technologies Ag Integrated circuit package
DE102008016274A1 (de) * 2008-03-28 2009-10-01 Smartrac Ip B.V. Chipträger für ein Transpondermodul sowie Transpondermodul
US8110912B2 (en) * 2008-07-31 2012-02-07 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
US9847268B2 (en) * 2008-11-21 2017-12-19 Advanpack Solutions Pte. Ltd. Semiconductor package and manufacturing method thereof
DE102009023405A1 (de) 2009-05-29 2010-12-02 Giesecke & Devrient Gmbh Verfahren zur Herstellung tragbarer Datenträger
JP2011176112A (ja) * 2010-02-24 2011-09-08 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路及びその製造方法
WO2011141764A1 (en) * 2010-05-12 2011-11-17 Fci Method of manufacture of flexible printed circuits
US8649820B2 (en) 2011-11-07 2014-02-11 Blackberry Limited Universal integrated circuit card apparatus and related methods
USD703208S1 (en) 2012-04-13 2014-04-22 Blackberry Limited UICC apparatus
US8936199B2 (en) 2012-04-13 2015-01-20 Blackberry Limited UICC apparatus and related methods
USD701864S1 (en) 2012-04-23 2014-04-01 Blackberry Limited UICC apparatus
FR3006551B1 (fr) * 2013-05-30 2016-12-09 Linxens Holding Procede de fabrication d'un circuit imprime, circuit imprime obtenu par ce procede et module electronique comportant un tel circuit imprime
JP6115505B2 (ja) * 2013-06-21 2017-04-19 株式会社デンソー 電子装置
US9196554B2 (en) 2013-10-01 2015-11-24 Infineon Technologies Austria Ag Electronic component, arrangement and method
CN106709557A (zh) * 2016-12-29 2017-05-24 郑州单点科技软件有限公司 一种芯片卡原型板
JP2020515074A (ja) 2017-03-24 2020-05-21 カードラブ・アンパルトセルスカブＣａｒｄＬａｂ ＡｐＳ キャリアのアセンブリとそれに固定された複数の電気回路、およびその製造方法
CN110615136B (zh) * 2019-10-23 2024-08-16 苏州领裕电子科技有限公司 一种无线充电配件贴膜设备
CN110729274A (zh) * 2019-11-11 2020-01-24 澄天伟业(宁波)芯片技术有限公司 智能卡模块及其封装工艺

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US258650A (en) * 1882-05-30 Wind-engine
WO1990000813A1 (fr) * 1988-07-08 1990-01-25 Oki Electric Industry Co., Ltd. Dispositif semi-conducteur
FR2670930A1 (fr) * 1990-12-21 1992-06-26 Bull Cp8 Procede de realisation du module electronique d'un objet portatif tel qu'une carte a microcircuits, module et cartes obtenus par la mise en óoeuvre du procede.
RU2024110C1 (ru) * 1991-04-10 1994-11-30 Научно-исследовательский институт точной технологии Интегральная микросхема

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58132954A (ja) * 1982-02-02 1983-08-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 混成集積回路の封止方法
JPS5916351A (ja) * 1982-07-19 1984-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子回路装置とその製造方法
US4560826A (en) * 1983-12-29 1985-12-24 Amp Incorporated Hermetically sealed chip carrier
JPS62154971A (ja) 1985-12-27 1987-07-09 Canon Inc カラ−画像処理方式
JP2519332B2 (ja) 1988-07-08 1996-07-31 沖電気工業株式会社 半導体装置
JPH0262297A (ja) 1988-08-29 1990-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積回路装置およびそれを用いたｉｃカード
US5184207A (en) * 1988-12-07 1993-02-02 Tribotech Semiconductor die packages having lead support frame
DE3924439A1 (de) * 1989-07-24 1991-04-18 Edgar Schneider Traegerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis, insbesondere zum einbau in chip-karten, sowie verfahren zur herstellung dieser traegerelemente
EP0472766A1 (de) * 1990-08-30 1992-03-04 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Abdecken eines kontaktierten Halbleiterchips
US5258650A (en) * 1991-08-26 1993-11-02 Motorola, Inc. Semiconductor device having encapsulation comprising of a thixotropic fluorosiloxane material
CA2089435C (en) * 1992-02-14 1997-12-09 Kenzi Kobayashi Semiconductor device
CH686462A5 (de) * 1992-11-27 1996-03-29 Esec Sempac Sa Elektronikmodul und Chip-Karte.
JP3378338B2 (ja) * 1994-03-01 2003-02-17 新光電気工業株式会社 半導体集積回路装置
KR100437437B1 (ko) * 1994-03-18 2004-06-25 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 반도체 패키지의 제조법 및 반도체 패키지
DE4416697A1 (de) * 1994-05-11 1995-11-16 Giesecke & Devrient Gmbh Datenträger mit integriertem Schaltkreis
US5723899A (en) * 1994-08-30 1998-03-03 Amkor Electronics, Inc. Semiconductor lead frame having connection bar and guide rings
JP3388921B2 (ja) 1994-11-29 2003-03-24 株式会社東芝 集積回路カードの製造方法
DE19500925C2 (de) * 1995-01-16 1999-04-08 Orga Kartensysteme Gmbh Verfahren zur Herstellung einer kontaktlosen Chipkarte
JP3176542B2 (ja) * 1995-10-25 2001-06-18 シャープ株式会社 半導体装置及びその製造方法
US5767447A (en) * 1995-12-05 1998-06-16 Lucent Technologies Inc. Electronic device package enclosed by pliant medium laterally confined by a plastic rim member
US5672911A (en) * 1996-05-30 1997-09-30 Lsi Logic Corporation Apparatus to decouple core circuits power supply from input-output circuits power supply in a semiconductor device package
DE19632813C2 (de) 1996-08-14 2000-11-02 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Chipkarten-Moduls, unter Verwendung dieses Verfahrens hergestellter Chipkarten-Modul und diesen Chipkarten-Modul enthaltende Kombi-Chipkarte
US6088901A (en) 1997-06-10 2000-07-18 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing a carrier element for semiconductor chips

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US258650A (en) * 1882-05-30 Wind-engine
WO1990000813A1 (fr) * 1988-07-08 1990-01-25 Oki Electric Industry Co., Ltd. Dispositif semi-conducteur
FR2670930A1 (fr) * 1990-12-21 1992-06-26 Bull Cp8 Procede de realisation du module electronique d'un objet portatif tel qu'une carte a microcircuits, module et cartes obtenus par la mise en óoeuvre du procede.
RU2024110C1 (ru) * 1991-04-10 1994-11-30 Научно-исследовательский институт точной технологии Интегральная микросхема

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2471233C2 (ru) * 2006-06-20 2012-12-27 Инновейтир, Инк. Встраиваемое электронное устройство и способ изготовления встраиваемых электронных устройств

Also Published As

Publication number Publication date
DE19640304C2 (de) 2000-10-12
ES2182119T3 (es) 2003-03-01
EP0931343B1 (de) 2002-08-07
DE59707929D1 (de) 2002-09-12
ATE222026T1 (de) 2002-08-15
JP2000503155A (ja) 2000-03-14
CN1231765A (zh) 1999-10-13
KR100395843B1 (ko) 2003-08-27
KR20000048732A (ko) 2000-07-25
US6288904B1 (en) 2001-09-11
BR9712155A (pt) 1999-08-31
UA57036C2 (ru) 2003-06-16
EP0931343A1 (de) 1999-07-28
DE19640304A1 (de) 1998-04-02
JP3230683B2 (ja) 2001-11-19
CN1143383C (zh) 2004-03-24
WO1998015004A1 (de) 1998-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2193231C2 (ru) Модуль микросхемы для имплантации в корпус карточки с встроенным микропроцессором (варианты)
US4483067A (en) Method of manufacturing an identification card and an identification manufactured, for example, by this method
JP3863213B2 (ja) 半導体装置
US6568600B1 (en) Chip card equipped with a loop antenna, and associated micromodule
JP3499202B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR940003375B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP5422720B2 (ja) エッジ接続ウエハレベル積層体
KR100272737B1 (ko) 릴인쇄회로기판및그를이용한칩온보드패키지
US4514785A (en) Method of manufacturing an identification card and an identification manufactured, by this method
JP3020201B2 (ja) ボールグリッドアレイ半導体パッケージのモールディング方法
EP0798780A2 (en) Semiconductor device, manufacturing method thereof and aggregate type semiconductor device
CA1214537A (en) Integrated circuit module and method of making same
US5206188A (en) Method of manufacturing a high lead count circuit board
JPS62259461A (ja) チツプを支持するパツケ−ジ及びその製造方法
JPH10294418A (ja) 半導体装置
JPH10289932A (ja) キャリアフィルム及びそれを使用した集積回路装置
AU4043699A (en) Method for producing an integrated circuit card and card produced according to said method
JP3209721B2 (ja) 半導体レーザユニット
JP4952266B2 (ja) デュアルインターフェースｉｃカードとその製造方法、接触・非接触兼用ｉｃモジュール
KR100724179B1 (ko) 데이터 캐리어 및 이를 구비한 장치
US20050218529A1 (en) Circuit support for a semiconductor chip and component
TWI900732B (zh) 製造智慧卡模組及支持該模組的可撓性材料條帶的方法
JP2572421Y2 (ja) チップｌｅｄ
USRE35385E (en) Method for fixing an electronic component and its contacts to a support
JP3327522B2 (ja) 半導体レーザユニット