[go: up one dir, main page]

RU2173738C1 - Способ получения мульти- и монокристаллического кремния - Google Patents

Способ получения мульти- и монокристаллического кремния

Info

Publication number
RU2173738C1
RU2173738C1 RU99127636/12A RU99127636A RU2173738C1 RU 2173738 C1 RU2173738 C1 RU 2173738C1 RU 99127636/12 A RU99127636/12 A RU 99127636/12A RU 99127636 A RU99127636 A RU 99127636A RU 2173738 C1 RU2173738 C1 RU 2173738C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
monoxide
stage
carbon
reactor
Prior art date
Application number
RU99127636/12A
Other languages
English (en)
Other versions
RU99127636A (ru
Inventor
А.М. Прохоров
Г.Н. Петров
Н.А. Калужский
А.Ю. Баймаков
М.С. Жирков
Л.Л. Фадеев
Original Assignee
Закрытое акционерное общество "ЭЛЛИНА-НТ"
Filing date
Publication date
Application filed by Закрытое акционерное общество "ЭЛЛИНА-НТ" filed Critical Закрытое акционерное общество "ЭЛЛИНА-НТ"
Publication of RU99127636A publication Critical patent/RU99127636A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2173738C1 publication Critical patent/RU2173738C1/ru

Links

Abstract

Изобретение относится к химической технологии. Сущность изобретения: процесс ведут в три стадии. На первой стадии в закрытом реакторе кварц, содержащий порядка 1•10-4% примесей, восстанавливается до газообразного монооксида химически очищенным техническим кремнием и собственными отходами - обрезки слитков кремния с содержанием примесей не более 1•10-4%. Из реактора первой стадии выходит чистый газообразный монооксид, все примеси остаются в конденсированном состоянии в тигле. Газообразный монооксид направляется во второй закрытый реактор, где происходит его восстановление до элементарного кремния мелкодисперсным углеродом (сажей), подаваемым в потоке монооксида углерода. Газы, покидающие реактор второй стадии, проходят пылеулавливание и очистку от диоксида углерода. Часть газа, состоящего из монооксида углерода, направляется в аппарат каталитического разложения, где получают сажу. Образующийся углекислый газ направляется на плазмохимическую переработку, где также получают сажу и кислород, уходящий в атмосферу. Вторая часть монооксида углерода направляется в качестве газа, транспортирующего сажу, в реактор восстановления. Таким образом реализуется замкнутый цикл по углероду. Полученный жидкий кремний перекачивается непосредственно в печные агрегаты для производства моно- и мультикристаллических слитков. Чистота кремния в обработанных слитках >99,9995%. Отходы от обрезки слитков направляются в реактор первой стадии, где используются в качестве восстановителя. Пыль из системы газоочистки также направляется в реактор первой стадии, где используется как исходное сырье. Таким образом реализуется замкнутый цикл по материалам, содержащим кремний. Технический результат - получение высокочистого кремния непрерывным экологически безопасным способом с низкими потерями металла. 10 з.п. ф-лы, 1 ил.

Description

Изобретение относится к области химической технологии. Разработан способ получения мульти- и монокристаллического кремния высокой чистоты для использования в производстве солнечных батарей.
Для производства поликристаллического кремния (ПКК) электронного качества в мировой практике применяется хлоридный метод, при этом порошок технического кремния подвергается гидрохлорированию с образованием газообразных хлорсодержащих соединений кремния (хлорсиланы). После очистки и разделения газов, покидающих реактор, где происходит гидрохлорирование кремния, выделяют особо чистый трихлорсилан, который подвергается водородному восстановлению, в результате получают ПКК с содержанием суммы примесей меньше, чем 10-4 вес. %. Полученный поликристаллический кремний (ПКК) идет на изготовление моно- и мультикристаллических слитков для использования их в полупроводниковом производстве. Способ описан в книге "Технология полупроводникового кремния" под редакцией Э.С. Фалькевича. М.: Металлургия, 1992 г. Реализация хлоридного способа связана со сложной и дорогостоящей аппаратурой, технология сложна и многозвенна. Использование хлора требует соблюдения особых условий для обеспечения безопасности окружающей среды.
Наиболее близким по своей сущности к данному изобретению является техническое решение, изложенное в статье А.А. Бахтина, Л.В. Черняховского, Л.П. Кищенко, П. С. Меньшикова "Влияние качества сырьевых материалов на производство кремния высокой чистоты", ж. Цветные металлы, N 1, 1992 г., стр. 29-32.
Для получения кремния, пригодного в технологии изготовления солнечных батарей, использовался метод карботермического восстановления высокочистого кварца с содержанием В и Ti менее 1•10-4 мас.% и общим содержанием примесей на уровне 1•10-3%. В качестве восстановителя применялся графит марок ШГ-СОЧ, ГМЗ-ОСЧ с общим содержанием примесей, а также В и Ti на вышеуказанных уровнях.
Шихта брикетировалась, размер брикетов 2-6 мм, исходные компоненты имели размеры частиц до 10 мкм и влажность 10-15%. Брикеты загружались в электродуговую печь мощностью 100 кВА температура в зоне реакции превышала 1900oC; соотношение углерода и кварца в брикетах составляло 0,6 кг C/кг SiO2. Длительность процесса составляла 2 часа. Максимальное извлечение кремния достигало 67-71%, а чистота получаемого кремния была не ниже 99,98%. Такой кремний, по мнению авторов, пригоден для изготовления солнечных батарей.
Однако этому способу присущи следующие недостатки:
- большие потери кремния в технологическом процессе (до 30%) в виде пыли и монооксида кремния;
- жесткие требования к качеству электродов самой печи;
- качество получаемого кремния (по содержанию примесей) для изготовления солнечных батарей недостаточно высокое;
- жидкий кремний из электродуговой печи разливается на чушки, которые затем повторно расплавляются для производства мульти- и монокристаллических слитков кремния;
- сохраняются экологические проблемы, обусловленные необходимостью очистки высокотемпературных газов на выходе из электродуговой печи от пыли и газов.
Технической задачей настоящего изобретения является получение высокочистого кремния непрерывным экологически безопасным способом с низкими потерями металла.
Поставленная задача решается тем, что мульти- и монокристаллический кремний высокой чистоты получают восстановлением кварца до элементарного кремния с последующей его кристаллизацией. Процесс ведут в три стадии, при этом на первой стадии кварц восстанавливают химически очищенным техническим кремнием до монооксида; на второй стадии газообразный монооксид восстанавливают мелкодисперсным углеродом до элементарного кремния высокой чистоты, а на третьей стадии полученный в реакторе второй стадии жидкий кремний подвергают направленной кристаллизации с получением мульти- или монокристаллических слитков.
В качестве восстановителя монооксида кремния на второй стадии используют мелкодисперсный углерод (сажа), вводимой в процесс в потоке монооксида углерода, отходящие газы после 2-ой стадии разделяют на два потока, один из которых используют для получения сажи, подаваемой на восстановление SiOг второй поток газов после очистки используют в качестве плазмообразующего и транспортирующего газа в реакторе 2-ой стадии.
Отходы кремния после третьей стадии возвращаются на первую стадию в качестве восстановителя. Пыль, уловленная из отходящих газов 2-ой стадии, возвращается на первую стадию в качестве исходного сырья.
Технологическая схема производства мульти- и монокристаллического кремния из высокочистого кварца представлена на чертеже.
Каждая из технологических стадий осуществляется в отдельном агрегате.
На первой стадии в закрытом реакторе высокочистый кварц с общим содержанием примесей порядка 1•10-4% восстанавливается кремнием повышенной чистоты до монооксида по реакции (1)
Siж + SiO ---> 2SiOг. (1)
В качестве восстановителя применяют химически очищенный технический кремний и отходы производства мульти- и монокристаллического кремния, в том числе собственные отходы, полученные при обрезке мульти- и монокристаллических слитков. Содержание примесей в восстановителе не более 1•10-3%.
Кремний, являющийся восстановителем, загружают в особо чистый тигель из силицированного графита, который устанавливают в закрытом реакторе, обогревом электрическим током. При температуре 1850-1900oC в расплат на поверхность подается измельченный кварц. На первой стадии для получения монооксида кремния по реакции (1) возможно применение брикетированной шихты, состоящей из кремниевого порошка и порошка высокочистого кварца. Образующийся по реакции (1) газообразный монооксид за счет разности давлений или транспортирующим газом непрерывно удаляется из реактора в восстановительный агрегат (вторая стадия), где образуется жидкий элементарный кремний.
Очистка кремния происходит за счет того, что улетает кремний в виде газообразного SiO2, все примеси в конденсированном состоянии остаются в тигле реактора первой стадии. Часть примесей при этом находится в виде оксидов и их соединений, в основном это малолетучие силикаты Ba, Ca, Mg, Al, Zr.
Бор присутствует в кварце в виде Na2B4O7 или реже AlBO3. Эти соединения взаимодействуют с кремнием, образуя малолетучие силициды SiB2 и SiB6. Соединения фосфора образуют устойчивый комплекс с кремнеземом SiO2P2O5. Железо связывается в силициды. При периодической замене тигля, содержащиеся в нем примеси, выводятся из процесса и утилизируются в производстве ферросплавов.
Вторая стадия - восстановление монооксида кремния и получение элементарного кремния.
Газообразный монооксид из реактора первой стадии по нагреваемому каналу поступает во второй закрытый реактор, где происходит его восстановление до элементарного кремния. В поток монооксида кремния вводится мелкодисперсный углерод (сажа), транспортируемый потоком монооксида углерода, и процесс восстановления протекает во взвешенном состоянии. При температуре 1900-2000oC осуществляется практически полное восстановление кремния. Суммарная балансовая реакция представляется равенством:
SiOг + Cгв = Siж + COг. (2)
Источником тепловой энергии, необходимой для протекания реакции, служит плазма или электрический нагрев. Кремний выводится из зоны реакции в виде капель и за счет конденсаций его на поверхности расплава в кварцевом тигле. При этом температура жидкого кремния в тигле поддерживается на уровне 1500oC.
Газы, покидающие реактор, состоят в основном из монооксида углерода. В них присутствует некоторое количество углекислого газа и мелкодисперсная пыль, состоящая из продуктов распада и закалки недовосстановленного монооксида кремния, в основном это диоксид кремния.
Отходящие газы очищают от твердых частиц в системе пылеулавливания, после чего поток разделяется на две составляющие. Одна проходит через слой графита, нагретого до температуры 1250-1300oC, где происходит превращение углекислого газа в окись углерода. Далее газ поступает в холодильник, затем компремируется и подается в реактор второй стадии.
Другая часть газового потока направляется на установку каталитического разложения CO, где образуется углекислый газ и сажистый углерод, используемый в качестве восстановителя. Углекислый газ, в свою очередь, перерабатывают по плазмохимической технологии с получением сажистого углерода и кислорода. Полученный сажистый углерод транспортируется потоком монооксида углерода в реактор, где происходит восстановление SiOг. Таким образом осуществляется замкнутый цикл по углероду.
Третья стадия технологической цепочки заключается в направленной кристаллизации полученного кремния высокой чистоты. С этой целью устанавливают несколько параллельных печных агрегатов для производства моно- или мультикристаллических слитков кремния. Из ванны реактора второй стадии жидкий кремний перекачивают в эти агрегаты электромагнитным насосом. Наличие нескольких печных установок позволяет организовать непрерывный процесс получения слитков кремния, чередуя кристаллизацию и разгрузку. Чистота полученного кремния в обработанных слитках будет не ниже 99,9995%.
Отходы кремния, полученные при обрезке мульти- и монокристаллических слитков, дробятся и возвращаются в реактор первой стадии в качестве восстановителя кварца.
Пример выполнения способа
Технология получения кремния высокой чистоты проверялась на опытной установке, состоявшей из трех основных аппаратов и установки синтеза и очистки CO. Как уже отмечалось выше, первый реактор предназначен для синтеза монооксида кремния (реакция 1) при температуре 1850-1900oC; во втором реакторе осуществлялось восстановление газообразного SiO до элементарного кремния сажистым углеродом в потоке CO при температуре порядка 2000oC.
Третий агрегат предназначался для кристаллизации жидкого кремния, перекачиваемого из реактора 2 при температуре 1500oC. Установка имела в своем составе вспомогательные системы: подача и откачка инертного газа (аргон), вакуумные насосы, холодильники, фильтры, системы КИПиА и т.д.
Дробленые отходы ПКК чистотой 99,999% были загружены в тигель 1-го реактора в количестве 10 кг. Все аппараты установки были промыты аргоном и вакуумированы до остаточного давления 10-3 - 10-4 мм рт.ст. В питатель 1-го реактора загружен кварц чистотой 99,995%, состав примесей был определен методом ЛЕСА. Масса загрузки составила 10,71 1 кг, крупность зерен материала 70-80 мкм. Все аппараты были разогреты до рабочих температур, расплав перемешивался электромагнитным способом.
В результате проведенного эксперимента был получен кремний чистотой 99,998 вес.% с извлечением кремния 94,7%.
Сопоставление технологии, являющейся предметом данного изобретения, с прототипом показывает следующие преимущества:
- разработанный способ позволяет получить чистоту кремния в обработанных слитках на уровне 99,9995%, более высокую по сравнению с прототипом и увеличить выход кремния с 67 - 71% до 95%;
- получение кремния высокой чистоты достигается в основном за счет образования промежуточного газообразного соединения - особо чистого монооксида кремния, а не только за счет повышения чистоты исходных материалов;
- исходный кварц восстанавливается кремнием до газообразного монооксида при температурах более низких, чем в электродуговой печи, поэтому примеси не переходят в газовую фазу;
- резко снижены потери кремния за счет ликвидации уноса монооксида и возврата пыли и отходов кремния со второй и третьей стадий;
- в технологии для восстановления монооксида кремния используется высокочистый мелкодисперсный углерод (сажа), что обеспечивает получение элементарного кремния высокой чистоты;
- в едином технологическом цикле из исходного сырья (кварца) получают готовые к использованию в производстве солнечных батарей слитки мульти- и монокристаллического кремния;
- отсутствуют выбросы токсичных и пожаровзрывоопасных газов; процесс ведется в герметичной аппаратуре с замкнутым оборотом газообразных и твердых продуктов, что гарантирует экологическую безопасность способа.

Claims (11)

1. Способ получения мульти- и монокристаллического кремния из исходного сырья - кварца, отличающийся тем, что процесс ведут в три стадии, при этом в реакторе первой стадии кварц восстанавливают кремнием до газообразного монооксида кремния, в реакторе второй стадии газообразный монооксид кремния восстанавливают мелкодисперсным углеродом до элементарного кремния и на третьей стадии полученный жидкий кремний в печных установках подвергают направленной кристаллизации с получением мульти- и монокристаллических слитков.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что газообразный монооксид получают в результате взаимодействия расплавленного кремния с подаваемым на его поверхность кварцем.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что газообразный монооксид кремния получают нагревом брикетов, состоящих из смеси шихтовых материалов - мелкодисперсных кремния и кварца.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что примеси, содержащиеся в кварце и кремнии, в процессе получения газообразного монооксида остаются в тигле реактора первой стадии и по мере их накопления выводятся из процесса с последующей их утилизацией.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что для образования монооксида кремния в реакторе первой стадии используют химически очищенный технический кремний и собственные отходы обработки мульти- и монокристаллических слитков кремния или покупные отходы поликристаллического кремния.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что для обеспечения полного восстановления монооксида кремния в реакторе второй стадии мелкодисперсный углерод вводится в потоке монооксида углерода и процесс восстановления протекает во взвешенном состоянии.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что в процессе восстановления осуществляется замкнутый цикл по углероду.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что отходящие газы реактора второй стадии после очистки от пыли и углекислого газа разделяются на два потока, один из которых используется для получения мелкодисперсного углерода, а второй - служит для его транспорта.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что полученный элементарный кремний со второй стадии в расплавленном состоянии подается непосредственно в печные установки третьей стадии, где осуществляется получение мульти- и монокристаллических слитков, пригодных для использования в производстве солнечных батарей.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что пыль, уловленная из отходящих газов реактора второй стадии, возвращается на первую стадию в качестве исходного сырья.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что отходы кремния после третьей стадии возвращаются на первую стадию в качестве восстановителя.
RU99127636/12A 1999-12-23 Способ получения мульти- и монокристаллического кремния RU2173738C1 (ru)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU99127636A RU99127636A (ru) 2001-08-20
RU2173738C1 true RU2173738C1 (ru) 2001-09-20

Family

ID=

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2327639C2 (ru) * 2006-08-22 2008-06-27 Борис Георгиевич Грибов Способ получения кремния высокой чистоты
RU2337876C1 (ru) * 2007-04-17 2008-11-10 Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) Способ и устройство получения чистого кремния
RU2367600C1 (ru) * 2008-04-16 2009-09-20 Борис Георгиевич Грибов Способ получения кремния высокой чистоты
RU2367599C2 (ru) * 2006-11-10 2009-09-20 Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РООССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ) Способ получения поликристаллического кремния высокой чистоты и устройство для его осуществления (варианты)
RU2497753C1 (ru) * 2012-06-28 2013-11-10 Борис Георгиевич Грибов Способ получения кремния высокой чистоты

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3032720A1 (de) * 1980-08-30 1982-04-15 Coc-Luxembourg S.A., Luxembourg Verfahren zur erzeugung von silicium aus quarz und kohlenstoff im elektroofen
DE3439550A1 (de) * 1984-10-29 1986-04-30 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von silizium fuer solarzellen
WO1989007578A1 (en) * 1986-09-24 1989-08-24 Kawasaki Steel Corporation Method for producing high-purity metallic silicon and apparatus therefor
RU2055812C1 (ru) * 1988-12-08 1996-03-10 Элкем А/С Кремниевый порошок и способ его непрерывного получения
RU2122971C1 (ru) * 1997-11-17 1998-12-10 Закрытое акционерное общество "ЭЛЛИНА-НТ" Способ получения поликристаллического кремния по замкнутому технологическому циклу
RU2131841C1 (ru) * 1997-09-18 1999-06-20 Акционерное общество открытого типа "Всероссийский алюминиево-магниевый институт" Смесь гидрореагирующая

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3032720A1 (de) * 1980-08-30 1982-04-15 Coc-Luxembourg S.A., Luxembourg Verfahren zur erzeugung von silicium aus quarz und kohlenstoff im elektroofen
DE3439550A1 (de) * 1984-10-29 1986-04-30 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von silizium fuer solarzellen
WO1989007578A1 (en) * 1986-09-24 1989-08-24 Kawasaki Steel Corporation Method for producing high-purity metallic silicon and apparatus therefor
RU2055812C1 (ru) * 1988-12-08 1996-03-10 Элкем А/С Кремниевый порошок и способ его непрерывного получения
RU2131841C1 (ru) * 1997-09-18 1999-06-20 Акционерное общество открытого типа "Всероссийский алюминиево-магниевый институт" Смесь гидрореагирующая
RU2122971C1 (ru) * 1997-11-17 1998-12-10 Закрытое акционерное общество "ЭЛЛИНА-НТ" Способ получения поликристаллического кремния по замкнутому технологическому циклу

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
БАХТИН А.А. и др. Влияние качества сырьевых материалов на производство кремния высокой чистоты. - Цветные металлы, № 1, 1992, с.29-32. *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2327639C2 (ru) * 2006-08-22 2008-06-27 Борис Георгиевич Грибов Способ получения кремния высокой чистоты
RU2367599C2 (ru) * 2006-11-10 2009-09-20 Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РООССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ) Способ получения поликристаллического кремния высокой чистоты и устройство для его осуществления (варианты)
RU2337876C1 (ru) * 2007-04-17 2008-11-10 Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) Способ и устройство получения чистого кремния
RU2367600C1 (ru) * 2008-04-16 2009-09-20 Борис Георгиевич Грибов Способ получения кремния высокой чистоты
RU2497753C1 (ru) * 2012-06-28 2013-11-10 Борис Георгиевич Грибов Способ получения кремния высокой чистоты

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108821292B (zh) 一种生产氧化亚硅的方法及装置
US8337795B2 (en) Production of high purity silicon from amorphous silica
Ceccaroli et al. Solar grade silicon feedstock
JP4856738B2 (ja) 高純度シリコン材料の製造方法
US20220274837A1 (en) Refining Process for Producing Solar Silicon, Silicon Carbide, High-Purity Graphite, and Hollow Silica Microspheres
EP2074060A1 (en) Process and apparatus for purifying low-grade silicon material
US12162761B2 (en) Silicon granules for the preparation of trichlorosilane and associated production method
CN102066250A (zh) 用于制备高纯度冶金级硅的方法
WO2010029894A1 (ja) 高純度結晶シリコン、高純度四塩化珪素およびそれらの製造方法
NO171778B (no) Fremgangsmaate for raffinering av silisium
JPWO2011001919A1 (ja) シリコンの製造方法、シリコンおよび太陽電池用パネル
Chen et al. Al2O3 and CaO as sintering aids: A strategy to remove impurity boron and SiO2 surface-layer of diamond wire saw silicon waste
JP2011219286A (ja) シリコン及び炭化珪素の製造方法及び製造装置
Okutani Utilization of silica in rice hulls as raw materials for silicon semiconductors
EP3554998B1 (en) Process for the production of commercial grade silicon
JP2004284935A (ja) シリコンの製造装置及び製造方法
EP3565782A1 (en) Refining process for producing solar silicon, silicon carbide, high-purity graphite and hollow silica microspheres
RU2173738C1 (ru) Способ получения мульти- и монокристаллического кремния
AU2019444019B2 (en) Method for refining crude silicon melts using a particulate mediator
RU2327639C2 (ru) Способ получения кремния высокой чистоты
RU128874U1 (ru) Технологический комплекс для получения монокристаллического кремния
RU2385291C1 (ru) Способ получения кристаллического кремния высокой чистоты (варианты)
RU2237616C2 (ru) Способ получения кремния солнечного качества
WO2009065444A1 (en) A method of producing polycrystalline and single crystal silicon
Liu et al. Migration behavior of Pb and Bi impurities during industrial silicon smelting