[go: up one dir, main page]

RU2173353C2 - Устройство для обработки отверстий деталей в разряде в условиях низкого давления - Google Patents

Устройство для обработки отверстий деталей в разряде в условиях низкого давления

Info

Publication number
RU2173353C2
RU2173353C2 RU99119629/02A RU99119629A RU2173353C2 RU 2173353 C2 RU2173353 C2 RU 2173353C2 RU 99119629/02 A RU99119629/02 A RU 99119629/02A RU 99119629 A RU99119629 A RU 99119629A RU 2173353 C2 RU2173353 C2 RU 2173353C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
hole
electrode
additional
parts
negative pole
Prior art date
Application number
RU99119629/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU99119629A (ru
Inventor
А.А. Федоров
Т.Л. Шапошникова
А.И. Гаврилов
Original Assignee
Кубанский государственный технологический университет
Filing date
Publication date
Application filed by Кубанский государственный технологический университет filed Critical Кубанский государственный технологический университет
Publication of RU99119629A publication Critical patent/RU99119629A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2173353C2 publication Critical patent/RU2173353C2/ru

Links

Abstract

Устройство относится к электротермическому машиностроению, в частности к вакуумным установкам для нанесения покрытий в разряде. Техническим результатом является повышение глубины и равномерности обработки в разряде отверстий малого диаметра. Устройство содержит вакуумную камеру и подложку для размещения деталей, источник питания, соединенный отрицательным полюсом с подложкой, положительным - с корпусом камеры, термоэмиссионный электрод, второй источник питания, соединенный отрицательным полюсом с термоэмиссионным электродом, положительным - с корпусом камеры, дополнительный полый цилиндрический электрод, коаксиально расположенный между термоэмиссионным электродом и отверстием в обрабатываемой детали, а также дополнительный регулируемый источник постоянного напряжения, отрицательный полюс которого соединяется с подложкой, а положительный с дополнительным электродом. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Description

Устройство относится к электротермическому машиностроению, в частности к вакуумным установкам для нанесения покрытий в разряде. Это изобретение может найти широкое применение в машиностроении, автостроении, химической промышленности.
Известно устройство для химико-термической обработки в разряде отверстий посредством введения дополнительных электродов (355233 Швейцария, НКИ 21h 16/60 Verfahren zur Durcnfiinrung ion Prozessen mittels elektrischer Glimmentladungen/Berhaus B.,Buser N- Опубл. 14.08.61).
Недостатком устройства является большая вероятность дугообразования электрического замыкания дополнительного электрода с обрабатываемым изделием при малых диаметрах отверстий, а также ограниченность геометрических размеров отверстий, которые могут быть обработаны, размерами области катодного падения потенциала в самостоятельном тлеющем разряде.
Наиболее близким к данному устройству является устройство для катодно-плазменного азотирования изделий (Катодно-плазменное азотирование изделий на базе модернизированного агрегата "Булат"/Информ.листок N 300-88.- Краснодар: ЦНТИ. -1988), содержащее вакуумную камеру и подложку для размещения деталей, источник питания, соединенный отрицательным полюсом с подложкой, положительным - с корпусом камеры, термоэмиссионный электрод, второй источник питания, соединенный отрицательным полюсом с термоэмиссионным электродом, положительным - с корпусом камеры. Недостатком устройства является малая глубина и неравномерность обработки в разряде отверстий малого диаметра.
Задачей настоящего изобретения является повышение глубины и равномерности обработки в разряде отверстий малого диаметра.
В устройстве, содержащем вакуумную камеру и подложку для размещения деталей, источник питания, соединенный отрицательным полюсом с подложкой, положительным - с корпусом камеры, термоэмиссионный электрод, второй источник питания, соединенный отрицательным плюсом с термоэмиссионным электродом, положительным - с корпусом камеры, решение задачи достигается тем, что вводится дополнительный полый цилиндрический электрод, коаксиально расположенный между термоэмиссионным электродом и отверстием в обрабатываемой детали, также дополнительный регулируемый источник постоянного напряжения, отрицательный полюс которого соединяется с подложкой, а положительный - с дополнительным электродом.
В частном случае дополнительный электрод имеет отверстие, диаметр которого равен диаметру отверстия детали, а расстояние между дополнительным электродом и отверстием детали равно радиусу отверстия.
Говоря об обработке в разряде отверстий, следует рассмотреть вопрос о проникновении движущихся в электрическом поле заряженных частиц (ионов) в отверстие. Траектория частицы, движущейся в электростатическом поле, полностью определяется относительными значениями потенциалов в различных точках пространства. При этом на форму траектории не оказывает никакого влияния величина заряда и масса частицы. Параксиальный пучок заряженных частиц, т.е. пучок частиц, движущихся на небольшом расстоянии от оси и под малыми углами к ней, будет себя вести в аксиально-симметричном электрическом поле подобно пучку световых лучей в оптической линзе. Таким образом, аксиально-симметричное электрическое поле в отверстии детали подобно рассеивающей оптической линзе. При этом чем больше величина (Φ21)/Φ1 (где -Φ1 - потенциал дополнительного электрода, Φ2 - потенциал детали), тем сильнее расфокусирующее действие линзы, что позволяет посредством изменения разности потенциалов между дополнительным электродом и обрабатываемой деталью изменять траекторию движения ионов внутри отверстия детали, т.е. влиять на глубину обработки отверстий (Л.А.Арцимович, С.Ю.Лукьянов. Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях М., 1972, с. 12-14).
Потенциал электрического поля Φ непосредственно связан с его напряженность E соотношением
E = -gradΦ
Для одномерного случая
E = -dΦ/dz
или
-dΦ = Edz
Отсюда следует, что изменения расстояния между дополнительным электродом и деталью на dz также приведет к изменению траектории движения ионов внутри отверстия детали, т.е. позволяет управлять глубиной их проникновения в отверстие.
Поскольку при обработке деталей в разряде требуется, как правило, поддерживать температуру постоянной, то необходимо локализовать воздействие дополнительного электрода на деталь в целом, т.е. его размеры должны соответствовать геометрической форме и размерам отверстия. Проводя аналогию между электростатической линзой и тонкой оптической линзой, следует также потребовать, чтобы диаметр электростатической линзы (диаметр отверстия детали) был больше расстояния между дополнительным электродом и отверстием детали. С другой стороны, уменьшение расстояния между дополнительным электродом и деталью приводит к возрастанию вероятности дугообразования. Таким образом, компромисс может быть достигнут при расстоянии между дополнительным электродом и деталью, равном радиусу отверстия.
На чертеже изображена схема устройства для обработки отверстий деталей в разряде в условиях низкого давления, где: 1 - корпус вакуумной камеры, 2 - термоэмиссионный электрод, 3 - деталь, 4 - отверстие в детали, 5 - подложка для размещения деталей, 6 - дополнительный электрод, 7 - дополнительный регулируемый источник постоянного напряжения, 8 - источник питания, 9 - источник переменного тока, 10 - второй источник питания.
Работает устройство следующим образом. На первой стадии обработки в разряде обрабатываемую деталь разогревают до требуемой температуры, для чего подают на подложку максимальное напряжение (2000 B), а на дополнительный электрод - нулевое. Однако, как известно из физики, всякое изолированное тело в плазме приобретает отрицательный потенциал вследствие большей подвижности электронов по сравнению с положительными ионами, величина которого несколько меньше потенциала подложки, что обеспечит максимальную глубину проникновения ионов в отверстие. После разогрева детали до требуемой температуры постепенно увеличивают разность потенциалов (ΔΦ = Φ21) между дополнительным электродом и подложкой, обеспечивая тем самым требуемую равномерность обработки поверхности отверстия. Расстояние между дополнительным электродом и отверстием, а также длительность различных этапов обработки подбирается экспериментально.
При обработке сквозных отверстий деталь разворачивают на 180o, используя поворотное устройство подложки, и проводят аналогичную обработку с другой стороны.
При расстоянии между дополнительным электродом и отверстием детали, равном радиусу отверстия, уменьшение отношения Φ12 от 16 до 3 приводит к увеличению фокусного расстояния данной электростатической линзы, образованной дополнительным электродом и отверстием детали, примерно в 7 раз (Л.А.Арцимович, С.Ю.Лукьянов. Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях. М., 1972 с. 16). Таким образом, при азотировании отверстия диаметром 2 мм при давлении 0,5-0,7 Па глубина проникновения азотированного слоя в отверстие составит порядка 20 мм.
Использование предлагаемого устройства по сравнению с существующими позволяет:
1. Увеличить глубину обработки в разряде отверстий деталей в условиях низкого давления.
2. Повысить равномерность обработки в разряде отверстий деталей в условиях низкого давления.

Claims (2)

1. Устройство для обработки отверстий деталей в разряде в условиях низкого давления, содержащее вакуумную камеру и подложку для размещения деталей, источник питания, соединенный отрицательным полюсом с подложкой, положительным - с корпусом камеры, термоэмиссионный электрод, второй источник питания, соединенный отрицательным полюсом с термоэмиссионным электродом, положительным - с корпусом камеры, отличающееся тем, что оно снабжено дополнительным полым цилиндрическим электродом, расположенным коаксиально между термоэмиссионным электродом и отверстием в обрабатываемой детали, а также дополнительным регулируемым источником постоянного напряжения, отрицательный полюс которого соединен с подложкой, а положительный - с дополнительным электродом.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительный электрод имеет отверстие, диаметр которого равен диаметру отверстия детали, а расстояние между дополнительным электродом и отверстием детали равно радиусу отверстия.
RU99119629/02A 1999-09-06 Устройство для обработки отверстий деталей в разряде в условиях низкого давления RU2173353C2 (ru)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU99119629A RU99119629A (ru) 2001-07-10
RU2173353C2 true RU2173353C2 (ru) 2001-09-10

Family

ID=

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2329334C2 (ru) * 2004-09-27 2008-07-20 Леонид Павлович Саблев Установка для комплексной обработки поверхности изделий в вакууме
RU2355817C2 (ru) * 2007-07-04 2009-05-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ГОУВПО "КубГТУ") Устройство для химико-термической обработки деталей в несамостоятельном тлеющем разряде
RU2518047C1 (ru) * 2012-11-26 2014-06-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВПО "КубГТУ") Устройство для химико-термической обработки деталей в несамостоятельном тлеющем разряде
RU2544729C1 (ru) * 2013-12-04 2015-03-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВПО "КубГТУ") Устройство для химико-термической обработки деталей в несамостоятельном тлеющем разряде

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4963239A (en) * 1988-01-29 1990-10-16 Hitachi, Ltd. Sputtering process and an apparatus for carrying out the same
WO1991000374A1 (de) * 1989-06-27 1991-01-10 Hauzer Holding Bv Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von substraten
RU2075538C1 (ru) * 1993-11-22 1997-03-20 Уфимский государственный авиационный технический университет Устройство для нанесения вакуумно-плазменных покрытий
RU2098510C1 (ru) * 1996-05-22 1997-12-10 Кубанский государственный технологический университет Устройство для обработки в разряде в условиях низкого давления
RU2098511C1 (ru) * 1994-06-30 1997-12-10 Олег Иванович Вербицкий Устройство для получения покрытий в вакууме
RU2114211C1 (ru) * 1996-10-22 1998-06-27 Сибирский химический комбинат Способ обработки поверхности длинномерных отверстий металлических изделий в тлеющем разряде

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4963239A (en) * 1988-01-29 1990-10-16 Hitachi, Ltd. Sputtering process and an apparatus for carrying out the same
WO1991000374A1 (de) * 1989-06-27 1991-01-10 Hauzer Holding Bv Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von substraten
RU2075538C1 (ru) * 1993-11-22 1997-03-20 Уфимский государственный авиационный технический университет Устройство для нанесения вакуумно-плазменных покрытий
RU2098511C1 (ru) * 1994-06-30 1997-12-10 Олег Иванович Вербицкий Устройство для получения покрытий в вакууме
RU2098510C1 (ru) * 1996-05-22 1997-12-10 Кубанский государственный технологический университет Устройство для обработки в разряде в условиях низкого давления
RU2114211C1 (ru) * 1996-10-22 1998-06-27 Сибирский химический комбинат Способ обработки поверхности длинномерных отверстий металлических изделий в тлеющем разряде

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Катодно-плазменное азотирование изделий на базе модернизированного агрегата и Булат. Информ. листок № 300-88, Краснодар: ЦНТИ, 1988. *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2329334C2 (ru) * 2004-09-27 2008-07-20 Леонид Павлович Саблев Установка для комплексной обработки поверхности изделий в вакууме
RU2355817C2 (ru) * 2007-07-04 2009-05-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ГОУВПО "КубГТУ") Устройство для химико-термической обработки деталей в несамостоятельном тлеющем разряде
RU2518047C1 (ru) * 2012-11-26 2014-06-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВПО "КубГТУ") Устройство для химико-термической обработки деталей в несамостоятельном тлеющем разряде
RU2544729C1 (ru) * 2013-12-04 2015-03-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВПО "КубГТУ") Устройство для химико-термической обработки деталей в несамостоятельном тлеющем разряде

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20140273485A1 (en) Electric pressure systems for control of plasma properties and uniformity
JP6801851B2 (ja) 基板処理システム、イオン注入システム、およびビームラインイオン注入システム
US6861643B2 (en) Neutral particle beam processing apparatus
KR100757528B1 (ko) 플라즈마처리방법 및 플라즈마처리장치
CN1397151A (zh) 等离子体加工系统和方法
US20110068691A1 (en) Method for producing a plasma beam and plasma source
DK0975818T3 (da) Fremgangsmåde og anordning til PVD belægning
JP2001190948A (ja) 表面をプラズマ処理する方法及び装置
US6652763B1 (en) Method and apparatus for large-scale diamond polishing
RU2173353C2 (ru) Устройство для обработки отверстий деталей в разряде в условиях низкого давления
US6083356A (en) Method and device for pre-treatment of substrates
KR100250547B1 (ko) 기판 코팅 또는 에칭 장치
AU734117B2 (en) Rotary apparatus for plasma immersion-assisted treament of substrates
US4731540A (en) Ion beam materials processing system with neutralization means and method
RU2026414C1 (ru) Способ обработки изделий
RU2063472C1 (ru) Способ плазменной обработки деталей и устройство для его осуществления
KR20090082384A (ko) 기판 전처리 장치
RU2116707C1 (ru) Устройство для создания низкотемпературной газоразрядной плазмы
JP2007242368A (ja) ニュートラライザおよびこれを備えた成膜装置
JP5649153B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
CN108368599B (zh) 一种对用于涂覆的表面进行预处理的方法
KR102288388B1 (ko) High Flux 플라즈마 소스
US6270857B2 (en) Method of modifying a surface of an insulator
RU2098510C1 (ru) Устройство для обработки в разряде в условиях низкого давления
TWI869066B (zh) 電漿電解拋光裝置