RU2173353C2 - Устройство для обработки отверстий деталей в разряде в условиях низкого давления - Google Patents
Устройство для обработки отверстий деталей в разряде в условиях низкого давленияInfo
- Publication number
- RU2173353C2 RU2173353C2 RU99119629/02A RU99119629A RU2173353C2 RU 2173353 C2 RU2173353 C2 RU 2173353C2 RU 99119629/02 A RU99119629/02 A RU 99119629/02A RU 99119629 A RU99119629 A RU 99119629A RU 2173353 C2 RU2173353 C2 RU 2173353C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- hole
- electrode
- additional
- parts
- negative pole
- Prior art date
Links
Abstract
Устройство относится к электротермическому машиностроению, в частности к вакуумным установкам для нанесения покрытий в разряде. Техническим результатом является повышение глубины и равномерности обработки в разряде отверстий малого диаметра. Устройство содержит вакуумную камеру и подложку для размещения деталей, источник питания, соединенный отрицательным полюсом с подложкой, положительным - с корпусом камеры, термоэмиссионный электрод, второй источник питания, соединенный отрицательным полюсом с термоэмиссионным электродом, положительным - с корпусом камеры, дополнительный полый цилиндрический электрод, коаксиально расположенный между термоэмиссионным электродом и отверстием в обрабатываемой детали, а также дополнительный регулируемый источник постоянного напряжения, отрицательный полюс которого соединяется с подложкой, а положительный с дополнительным электродом. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Description
Устройство относится к электротермическому машиностроению, в частности к вакуумным установкам для нанесения покрытий в разряде. Это изобретение может найти широкое применение в машиностроении, автостроении, химической промышленности.
Известно устройство для химико-термической обработки в разряде отверстий посредством введения дополнительных электродов (355233 Швейцария, НКИ 21h 16/60 Verfahren zur Durcnfiinrung ion Prozessen mittels elektrischer Glimmentladungen/Berhaus B.,Buser N- Опубл. 14.08.61).
Недостатком устройства является большая вероятность дугообразования электрического замыкания дополнительного электрода с обрабатываемым изделием при малых диаметрах отверстий, а также ограниченность геометрических размеров отверстий, которые могут быть обработаны, размерами области катодного падения потенциала в самостоятельном тлеющем разряде.
Наиболее близким к данному устройству является устройство для катодно-плазменного азотирования изделий (Катодно-плазменное азотирование изделий на базе модернизированного агрегата "Булат"/Информ.листок N 300-88.- Краснодар: ЦНТИ. -1988), содержащее вакуумную камеру и подложку для размещения деталей, источник питания, соединенный отрицательным полюсом с подложкой, положительным - с корпусом камеры, термоэмиссионный электрод, второй источник питания, соединенный отрицательным полюсом с термоэмиссионным электродом, положительным - с корпусом камеры. Недостатком устройства является малая глубина и неравномерность обработки в разряде отверстий малого диаметра.
Задачей настоящего изобретения является повышение глубины и равномерности обработки в разряде отверстий малого диаметра.
В устройстве, содержащем вакуумную камеру и подложку для размещения деталей, источник питания, соединенный отрицательным полюсом с подложкой, положительным - с корпусом камеры, термоэмиссионный электрод, второй источник питания, соединенный отрицательным плюсом с термоэмиссионным электродом, положительным - с корпусом камеры, решение задачи достигается тем, что вводится дополнительный полый цилиндрический электрод, коаксиально расположенный между термоэмиссионным электродом и отверстием в обрабатываемой детали, также дополнительный регулируемый источник постоянного напряжения, отрицательный полюс которого соединяется с подложкой, а положительный - с дополнительным электродом.
В частном случае дополнительный электрод имеет отверстие, диаметр которого равен диаметру отверстия детали, а расстояние между дополнительным электродом и отверстием детали равно радиусу отверстия.
Говоря об обработке в разряде отверстий, следует рассмотреть вопрос о проникновении движущихся в электрическом поле заряженных частиц (ионов) в отверстие. Траектория частицы, движущейся в электростатическом поле, полностью определяется относительными значениями потенциалов в различных точках пространства. При этом на форму траектории не оказывает никакого влияния величина заряда и масса частицы. Параксиальный пучок заряженных частиц, т.е. пучок частиц, движущихся на небольшом расстоянии от оси и под малыми углами к ней, будет себя вести в аксиально-симметричном электрическом поле подобно пучку световых лучей в оптической линзе. Таким образом, аксиально-симметричное электрическое поле в отверстии детали подобно рассеивающей оптической линзе. При этом чем больше величина (Φ2-Φ1)/Φ1 (где -Φ1 - потенциал дополнительного электрода, Φ2 - потенциал детали), тем сильнее расфокусирующее действие линзы, что позволяет посредством изменения разности потенциалов между дополнительным электродом и обрабатываемой деталью изменять траекторию движения ионов внутри отверстия детали, т.е. влиять на глубину обработки отверстий (Л.А.Арцимович, С.Ю.Лукьянов. Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях М., 1972, с. 12-14).
Потенциал электрического поля Φ непосредственно связан с его напряженность E соотношением
E = -gradΦ
Для одномерного случая
E = -dΦ/dz
или
-dΦ = Edz
Отсюда следует, что изменения расстояния между дополнительным электродом и деталью на dz также приведет к изменению траектории движения ионов внутри отверстия детали, т.е. позволяет управлять глубиной их проникновения в отверстие.
E = -gradΦ
Для одномерного случая
E = -dΦ/dz
или
-dΦ = Edz
Отсюда следует, что изменения расстояния между дополнительным электродом и деталью на dz также приведет к изменению траектории движения ионов внутри отверстия детали, т.е. позволяет управлять глубиной их проникновения в отверстие.
Поскольку при обработке деталей в разряде требуется, как правило, поддерживать температуру постоянной, то необходимо локализовать воздействие дополнительного электрода на деталь в целом, т.е. его размеры должны соответствовать геометрической форме и размерам отверстия. Проводя аналогию между электростатической линзой и тонкой оптической линзой, следует также потребовать, чтобы диаметр электростатической линзы (диаметр отверстия детали) был больше расстояния между дополнительным электродом и отверстием детали. С другой стороны, уменьшение расстояния между дополнительным электродом и деталью приводит к возрастанию вероятности дугообразования. Таким образом, компромисс может быть достигнут при расстоянии между дополнительным электродом и деталью, равном радиусу отверстия.
На чертеже изображена схема устройства для обработки отверстий деталей в разряде в условиях низкого давления, где: 1 - корпус вакуумной камеры, 2 - термоэмиссионный электрод, 3 - деталь, 4 - отверстие в детали, 5 - подложка для размещения деталей, 6 - дополнительный электрод, 7 - дополнительный регулируемый источник постоянного напряжения, 8 - источник питания, 9 - источник переменного тока, 10 - второй источник питания.
Работает устройство следующим образом. На первой стадии обработки в разряде обрабатываемую деталь разогревают до требуемой температуры, для чего подают на подложку максимальное напряжение (2000 B), а на дополнительный электрод - нулевое. Однако, как известно из физики, всякое изолированное тело в плазме приобретает отрицательный потенциал вследствие большей подвижности электронов по сравнению с положительными ионами, величина которого несколько меньше потенциала подложки, что обеспечит максимальную глубину проникновения ионов в отверстие. После разогрева детали до требуемой температуры постепенно увеличивают разность потенциалов (ΔΦ = Φ2-Φ1) между дополнительным электродом и подложкой, обеспечивая тем самым требуемую равномерность обработки поверхности отверстия. Расстояние между дополнительным электродом и отверстием, а также длительность различных этапов обработки подбирается экспериментально.
При обработке сквозных отверстий деталь разворачивают на 180o, используя поворотное устройство подложки, и проводят аналогичную обработку с другой стороны.
При расстоянии между дополнительным электродом и отверстием детали, равном радиусу отверстия, уменьшение отношения Φ1/Φ2 от 16 до 3 приводит к увеличению фокусного расстояния данной электростатической линзы, образованной дополнительным электродом и отверстием детали, примерно в 7 раз (Л.А.Арцимович, С.Ю.Лукьянов. Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях. М., 1972 с. 16). Таким образом, при азотировании отверстия диаметром 2 мм при давлении 0,5-0,7 Па глубина проникновения азотированного слоя в отверстие составит порядка 20 мм.
Использование предлагаемого устройства по сравнению с существующими позволяет:
1. Увеличить глубину обработки в разряде отверстий деталей в условиях низкого давления.
1. Увеличить глубину обработки в разряде отверстий деталей в условиях низкого давления.
2. Повысить равномерность обработки в разряде отверстий деталей в условиях низкого давления.
Claims (2)
1. Устройство для обработки отверстий деталей в разряде в условиях низкого давления, содержащее вакуумную камеру и подложку для размещения деталей, источник питания, соединенный отрицательным полюсом с подложкой, положительным - с корпусом камеры, термоэмиссионный электрод, второй источник питания, соединенный отрицательным полюсом с термоэмиссионным электродом, положительным - с корпусом камеры, отличающееся тем, что оно снабжено дополнительным полым цилиндрическим электродом, расположенным коаксиально между термоэмиссионным электродом и отверстием в обрабатываемой детали, а также дополнительным регулируемым источником постоянного напряжения, отрицательный полюс которого соединен с подложкой, а положительный - с дополнительным электродом.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительный электрод имеет отверстие, диаметр которого равен диаметру отверстия детали, а расстояние между дополнительным электродом и отверстием детали равно радиусу отверстия.
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU99119629A RU99119629A (ru) | 2001-07-10 |
| RU2173353C2 true RU2173353C2 (ru) | 2001-09-10 |
Family
ID=
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2329334C2 (ru) * | 2004-09-27 | 2008-07-20 | Леонид Павлович Саблев | Установка для комплексной обработки поверхности изделий в вакууме |
| RU2355817C2 (ru) * | 2007-07-04 | 2009-05-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ГОУВПО "КубГТУ") | Устройство для химико-термической обработки деталей в несамостоятельном тлеющем разряде |
| RU2518047C1 (ru) * | 2012-11-26 | 2014-06-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВПО "КубГТУ") | Устройство для химико-термической обработки деталей в несамостоятельном тлеющем разряде |
| RU2544729C1 (ru) * | 2013-12-04 | 2015-03-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВПО "КубГТУ") | Устройство для химико-термической обработки деталей в несамостоятельном тлеющем разряде |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4963239A (en) * | 1988-01-29 | 1990-10-16 | Hitachi, Ltd. | Sputtering process and an apparatus for carrying out the same |
| WO1991000374A1 (de) * | 1989-06-27 | 1991-01-10 | Hauzer Holding Bv | Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von substraten |
| RU2075538C1 (ru) * | 1993-11-22 | 1997-03-20 | Уфимский государственный авиационный технический университет | Устройство для нанесения вакуумно-плазменных покрытий |
| RU2098510C1 (ru) * | 1996-05-22 | 1997-12-10 | Кубанский государственный технологический университет | Устройство для обработки в разряде в условиях низкого давления |
| RU2098511C1 (ru) * | 1994-06-30 | 1997-12-10 | Олег Иванович Вербицкий | Устройство для получения покрытий в вакууме |
| RU2114211C1 (ru) * | 1996-10-22 | 1998-06-27 | Сибирский химический комбинат | Способ обработки поверхности длинномерных отверстий металлических изделий в тлеющем разряде |
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4963239A (en) * | 1988-01-29 | 1990-10-16 | Hitachi, Ltd. | Sputtering process and an apparatus for carrying out the same |
| WO1991000374A1 (de) * | 1989-06-27 | 1991-01-10 | Hauzer Holding Bv | Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von substraten |
| RU2075538C1 (ru) * | 1993-11-22 | 1997-03-20 | Уфимский государственный авиационный технический университет | Устройство для нанесения вакуумно-плазменных покрытий |
| RU2098511C1 (ru) * | 1994-06-30 | 1997-12-10 | Олег Иванович Вербицкий | Устройство для получения покрытий в вакууме |
| RU2098510C1 (ru) * | 1996-05-22 | 1997-12-10 | Кубанский государственный технологический университет | Устройство для обработки в разряде в условиях низкого давления |
| RU2114211C1 (ru) * | 1996-10-22 | 1998-06-27 | Сибирский химический комбинат | Способ обработки поверхности длинномерных отверстий металлических изделий в тлеющем разряде |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Катодно-плазменное азотирование изделий на базе модернизированного агрегата и Булат. Информ. листок № 300-88, Краснодар: ЦНТИ, 1988. * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2329334C2 (ru) * | 2004-09-27 | 2008-07-20 | Леонид Павлович Саблев | Установка для комплексной обработки поверхности изделий в вакууме |
| RU2355817C2 (ru) * | 2007-07-04 | 2009-05-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ГОУВПО "КубГТУ") | Устройство для химико-термической обработки деталей в несамостоятельном тлеющем разряде |
| RU2518047C1 (ru) * | 2012-11-26 | 2014-06-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВПО "КубГТУ") | Устройство для химико-термической обработки деталей в несамостоятельном тлеющем разряде |
| RU2544729C1 (ru) * | 2013-12-04 | 2015-03-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВПО "КубГТУ") | Устройство для химико-термической обработки деталей в несамостоятельном тлеющем разряде |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20140273485A1 (en) | Electric pressure systems for control of plasma properties and uniformity | |
| JP6801851B2 (ja) | 基板処理システム、イオン注入システム、およびビームラインイオン注入システム | |
| US6861643B2 (en) | Neutral particle beam processing apparatus | |
| KR100757528B1 (ko) | 플라즈마처리방법 및 플라즈마처리장치 | |
| CN1397151A (zh) | 等离子体加工系统和方法 | |
| US20110068691A1 (en) | Method for producing a plasma beam and plasma source | |
| DK0975818T3 (da) | Fremgangsmåde og anordning til PVD belægning | |
| JP2001190948A (ja) | 表面をプラズマ処理する方法及び装置 | |
| US6652763B1 (en) | Method and apparatus for large-scale diamond polishing | |
| RU2173353C2 (ru) | Устройство для обработки отверстий деталей в разряде в условиях низкого давления | |
| US6083356A (en) | Method and device for pre-treatment of substrates | |
| KR100250547B1 (ko) | 기판 코팅 또는 에칭 장치 | |
| AU734117B2 (en) | Rotary apparatus for plasma immersion-assisted treament of substrates | |
| US4731540A (en) | Ion beam materials processing system with neutralization means and method | |
| RU2026414C1 (ru) | Способ обработки изделий | |
| RU2063472C1 (ru) | Способ плазменной обработки деталей и устройство для его осуществления | |
| KR20090082384A (ko) | 기판 전처리 장치 | |
| RU2116707C1 (ru) | Устройство для создания низкотемпературной газоразрядной плазмы | |
| JP2007242368A (ja) | ニュートラライザおよびこれを備えた成膜装置 | |
| JP5649153B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| CN108368599B (zh) | 一种对用于涂覆的表面进行预处理的方法 | |
| KR102288388B1 (ko) | High Flux 플라즈마 소스 | |
| US6270857B2 (en) | Method of modifying a surface of an insulator | |
| RU2098510C1 (ru) | Устройство для обработки в разряде в условиях низкого давления | |
| TWI869066B (zh) | 電漿電解拋光裝置 |