RU2032966C1 - Process of formation of microconductors of high conductance - Google Patents
Process of formation of microconductors of high conductance Download PDFInfo
- Publication number
- RU2032966C1 RU2032966C1 SU914905010A SU4905010A RU2032966C1 RU 2032966 C1 RU2032966 C1 RU 2032966C1 SU 914905010 A SU914905010 A SU 914905010A SU 4905010 A SU4905010 A SU 4905010A RU 2032966 C1 RU2032966 C1 RU 2032966C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- electrode
- microconductors
- microconductor
- needle electrode
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002924 oxiranes Chemical class 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технологии изготовления элементов интегральных схем и может использоваться для создания проводников высокой проводимости. The invention relates to the technology of manufacturing elements of integrated circuits and can be used to create conductors of high conductivity.
Известен способ создания микропроводников высокой проводимости, включающий подачу постоянного напряжения между поверхностью подложки с эпоксидной смолой и погруженным в нее игольчатым электродом, где в качестве игольчатого электрода используется платиновая игла с висмутом на острие. За счет нагрева, под действием электрического поля во время перемещения игольчатого электрода в эпоксидной смоле формируется (вытягивается) проводящий микроканал, содержащий висмут, затем проводят полимеризацию эпоксидной смолы [1]
Недостатком способа является необходимость нагревания висмута на острие иглы до температуры плавления. При реализации способа высокая температура формирования микропроводников вызывает термоупругие напряжения, например, между элементами микросхем, что приводит к снижению технологичности способа.A known method of creating high conductivity microconductors, including applying a constant voltage between the surface of the substrate with an epoxy resin and a needle electrode immersed in it, where a platinum needle with a bismuth tip is used as a needle electrode. Due to heating, under the influence of an electric field during the movement of the needle electrode in the epoxy resin, a conductive microchannel containing bismuth is formed (stretched), then the epoxy is polymerized [1]
The disadvantage of this method is the need for heating bismuth on the tip of the needle to the melting point. When implementing the method, the high temperature of the formation of microconductors causes thermoelastic stresses, for example, between chip elements, which leads to a decrease in the processability of the method.
Эти недостатки устранены в способе формирования микропроводников высокой проводимости, который является прототипом предлагаемого изобретения и включает подачу постоянного напряжения между поверхностью подложки с эпоксидной смолой и погруженным в нее игольчатым электродом, перемещение игольчатого электрода к подложке до возникновения туннельного тока, повышение напряжения при неподвижном игольчатом электроде до возникновения тока короткого замыкания, перемещение электрода от подложки со скоростью, удовлетворяющей условию V ≅Vпред, где Vпред предельная скорость формирования, определяемая экспериментально исходя из предела прочности микропроводника, полимеризацию смолы при комнатной температуре и при постоянном токе между игольчатым электродом и поверхностью подложки, выбираемом из соотношения I≥Io, где Io минимальный ток формирования до полной стабилизации микропроводника [2]
Недостаток прототипа в том, что способ позволяет формировать лишь полимерные (молекулярные) микропроводники в диэлектрической матрице, ограничен выбор материалов подложки, не учтены пластические свойства материала подложки и диэлектрические свойства эпоксидной смолы.These disadvantages are eliminated in the method of forming high conductivity microconductors, which is the prototype of the present invention and includes applying a constant voltage between the surface of the substrate with the epoxy resin and the needle electrode immersed in it, moving the needle electrode to the substrate until a tunnel current occurs, increasing the voltage when the needle electrode is stationary to a short-circuit current, the electrode movement of the substrate at a rate satisfying V ≅V etc. d, where V formation rate before the limit determined experimentally on the basis of the limit microconductor strength resins polymerized at room temperature and at a constant current between the needle electrode and the substrate surface is selected from ratios I≥I o, where I o minimum current to form a complete stabilization microconductor [2]
The disadvantage of the prototype is that the method allows only polymeric (molecular) microconductors to be formed in a dielectric matrix, the choice of substrate materials is limited, the plastic properties of the substrate material and the dielectric properties of epoxy are not taken into account.
Целью изобретения является расширение технологических возможностей способа путем формирования металлических микропроводников в диэлектрической матрице. The aim of the invention is to expand the technological capabilities of the method by forming metal microconductors in a dielectric matrix.
Это достигается тем, что в способе формирования микропроводников высокой проводимости, включающем последовательность операций прототипа, материал подложки выбирают исходя из того, что его напряжение пластической деформации меньше величины, зависящей от диэлектрических свойств применяемого полимера и температуры. This is achieved by the fact that in the method of forming high-conductivity microconductors, which includes the sequence of operations of the prototype, the substrate material is selected based on the fact that its plastic strain stress is less than a value depending on the dielectric properties of the polymer used and temperature.
Под действием электрического поля и проходящего тока, повышаемого до тока короткого замыкания, формируется металлический проводник в диэлектрической матрице из материала подложки и эпоксидной смолы, размещенной на ее поверхности за счет локальной пластической деформации подложки, которая возникает при условии, когда величина напряженности электрического поля Е превышает критическое значение En
E>En, En= (16πτn)1/2, (1) где τn напряжение пластической деформации подложки.Under the influence of an electric field and a passing current raised to a short circuit current, a metal conductor is formed in a dielectric matrix of the substrate material and epoxy resin placed on its surface due to local plastic deformation of the substrate, which occurs when the electric field strength E exceeds critical value E n
E> E n, E n = (16πτ n) 1/2, ( 1) where τ n voltage plastic substrate deformation.
В результате локальной пластической деформации подложки возникает металлическая перемычка между игольчатым электродом и подложкой, вызывающая короткое замыкание туннельного промежутка. После этого игольчатый электрод отводят на заданное расстояние и за счет локального пластического течения подложки между нею и электродом образуется микропроводник. Однако в электрическом поле, созданном между игольчатым электродом и подложкой, в полимере возможен конкурирующий процесс создания молекулярных каналов проводимости за счет диполь-дипольного взаимодействия молекул среды. Этот процесс характеризуется критическим полем
Ес=[(μ2+2αkT)1/2-μ]/α, (2) где μ постоянный дипольный момент молекул полимера;
k постоянная Больцмана;
Т абсолютная температура;
α поляризуемость молекул полимера, участвующих в процессе ориентации в электрическом поле.As a result of local plastic deformation of the substrate, a metal jumper occurs between the needle electrode and the substrate, causing a short circuit in the tunnel gap. After that, the needle electrode is diverted to a predetermined distance, and due to the local plastic flow of the substrate, a microconductor is formed between it and the electrode. However, in the electric field created between the needle electrode and the substrate, a competing process of creating molecular conduction channels due to the dipole – dipole interaction of medium molecules in the polymer is possible. This process is characterized by a critical field.
E c = [(μ 2 + 2αkT) 1/2 -μ] / α, (2) where μ is the constant dipole moment of the polymer molecules;
k Boltzmann constant;
T is the absolute temperature;
α polarizability of polymer molecules involved in the orientation process in an electric field.
Очевидно, энергетически выгодно образование металлических проводников, если поле En из формулы (1) будет меньше поля Ес. Для того, чтобы между игольчатым электродом и подложкой возникали металлические микропроводники, а не молекулярные, необходимо выбирать материал подложки таким, чтобы напряжение пластической деформации удовлетворяло условию τn<[(μ2+2αkT)1/2-μ]2/16πα2.(3) Например, если применяется эпоксидная смола, то в качестве подложек можно использовать олово.Obviously, the formation of metal conductors is energetically beneficial if the field E n from formula (1) is less than the field E c . In order for metal microconductors, rather than molecular metallic ones, to arise between the needle electrode and the substrate, it is necessary to select the substrate material so that the plastic strain stress satisfies the condition τ n <[(μ 2 + 2αkT) 1/2 -μ] 2 / 16πα 2 . (3) For example, if epoxy is used, tin can be used as substrates.
На чертеже представлена схема устройства для реализации предлагаемого способа. The drawing shows a diagram of a device for implementing the proposed method.
Подложка 1 диаметром 6 мм и толщиной 1 мм изготовлена из олова ( τn= 1,3 МПа) и отполирована с одной стороны. Высота выступов составляла Rz 0,05.0,01 мкм. Игольчатый электрод 2 изготовлен из вольфрамовой проволоки ВРН ( τn 4,0 ГПа) диаметром 1 мм и длиной 9 мм. На подложку 1 нанесено 9.12 мм3 эпоксидной смолы 3 марки ЭД-20 с отвердителем полиэтиленполамин 8 об. смолы.The substrate 1 with a diameter of 6 mm and a thickness of 1 mm is made of tin (τ n = 1.3 MPa) and polished on one side. The height of the protrusions was R z 0.05.0.01 μm. The needle electrode 2 is made of tungsten wire BPH (τ n 4.0 GPa) with a diameter of 1 mm and a length of 9 mm On the substrate 1, 9.12 mm 3 of epoxy resin 3 of the ED-20 grade with a hardener of polyethylene polyamine 8 vol. pitches.
На игольчатый электрод 2 и подложку 1 через балластный резистор 4 величиной 1 мОм подано напряжение 0,4 В от источника 5 питания с помощью потенциометра 6, которое измеряется вольтметром 7. Далее игольчатый электрод 2, погруженный в жидкую каплю эпоксидной смолы 3, подводится к подложке 1 до возникновения туннельного тока, появление которого и его величина регистрируется вольтметром 8. Расстояние между подложкой и игольчатым электродом устанавливается таким, что через туннельный промежуток протекает ток 0,1 мкА. Затем при неподвижном игольчатом электроде 2 напряжение источника повышают до появления тока короткого замыкания. При этом показания вольтметра 8 практически совпадают с показаниями вольтметра 7, так как полное сопротивление участка цепи подложка-микропроводник-игольчатый электрод составляет около 0,1 Ом, что много меньше величины балластного резистора 4. Напряжение, регистрируемое вольтметром 7 при возникновении короткого замыкания, обычно не превышает 15 В. A voltage of 0.4 V was applied to the needle electrode 2 and the substrate 1 through a 1 mΩ ballast resistor 4 from a power source 5 using a
Благодаря применению подложки, например, из олова с нанесенной эпоксидной смолой выполняется условие:
τn=1,3МПа<[(μ2+2αkT)1/2-
-μ] 2/16πα2= 2МПа. Это означает, что энергетически выгодное образование металлического микропроводника из подложки, чем ориентация молекул эпоксида в направлении приложенного внешнего электрического поля. Следовательно, тепловое движение молекул будет разрушать их возможную ориентацию, а металлический микропроводник из подложки будет "тянуться" за игольчатым электродом.Due to the use of a substrate, for example, of tin coated with epoxy resin, the condition is fulfilled:
τ n = 1.3 MPa <[(μ 2 + 2αkT) 1/2 -
-μ] 2 / 16πα 2 = 2MPa. This means that the energetically favorable formation of a metal microconductor from the substrate than the orientation of the epoxide molecules in the direction of the applied external electric field. Consequently, the thermal motion of the molecules will destroy their possible orientation, and the metal microconductor from the substrate will “stretch” behind the needle electrode.
Затем начинают формировать микропроводник. Для этого игольчатый электрод 2 медленно отводят от подложки 1 с помощью пьезопривода 9. Скорость должна удовлетворять следующему условию: V ≅Vпред., где Vпред. предельная скорость формирования и равна для описываемых условий Vпред 1 нм/с. При этом ток и напряжение в цепи подложка-игольчатый электрод остаются неизменными.Then begin to form a microconductor. To do this, the needle electrode 2 is slowly withdrawn from the substrate 1 using a
После формирования микропроводника проводят процесс полимеризации эпоксидной смолы при напряжении источника 15 В, токе 15 мкА и расстоянии между игольчатым электродом и подложкой, равным длине сформированного микропроводника, при комнатной температуре в течение 72 ч. After the formation of the microconductor, the epoxy is polymerized at a source voltage of 15 V, a current of 15 μA and a distance between the needle electrode and the substrate equal to the length of the formed microconductor at room temperature for 72 hours.
Ток полимеризации I должен удовлетворять следующему условию: I≥Io, где Io ток, который обеспечивает стабилизацию микропроводника максимальной длины при прочих неизменных условиях.The polymerization current I must satisfy the following condition: I≥I o , where I o is the current that provides stabilization of the microconductor of maximum length under other conditions unchanged.
В наших условиях Io 15 мкА, длина микропроводника 3 мкм. После полной стабилизации проверяют резистивные свойства микропроводника. Обычно сопротивление составляет не более 0,1 Ом. Оно обусловлено не только микропроводником, но и контактным сопротивлением между ним и электродами, а также сопротивлением подводящих проводников.In our conditions, I o 15 μA, the length of the microconductor is 3 μm. After complete stabilization, the resistive properties of the microconductor are checked. Typically, the resistance is not more than 0.1 ohms. It is due not only to the microconductor, but also to the contact resistance between it and the electrodes, as well as the resistance of the lead-in conductors.
Для доказательства высокой проводимости полученного микропроводника использован эффект плавкого предохранителя. Если экспериментально определить ток Iпр, при котором происходит обрыв микропроводника путем его расплавления у основания со стороны подложки, то можно найти его радиус из формулы
ro= (Iпр 2˙ρ/24π2Tпл˙λ)1/2, где ρ,Tплиλ соответственно удельное сопротивление, температура плавления и коэффициент теплопроводности подложки.To prove the high conductivity of the obtained microconductor, the fuse effect was used. If we experimentally determine the current I pr at which the breakdown of the microconductor occurs by its melting at the base from the side of the substrate, then we can find its radius from the formula
r o = (I pr 2 ˙ρ / 24π 2 T pl ˙λ) 1/2 , where ρ, T pl and λ, respectively, resistivity, melting point and thermal conductivity of the substrate.
Реальный радиус микропроводника по всей его длине должен быть меньше, поскольку он получается методом вытягивания. Многократные испытания микропроводников из олова давали значения тока Iпр 120.150 мА. Принимая среднее значение 135 мА и Тпл 232оС, получаем ro ≅23,6 нм. Учитывая, что измеренное сопротивление микропроводника Rизм Ro + Rн,
где Ro сопротивление микропроводника;
Rк сопротивление подводящих проводников с электродами, находим верхнюю оценку для объемного сопротивления материала микропроводника с длиной l 3 мкм.The real radius of the microconductor along its entire length should be less, since it is obtained by the extrusion method. Multiple tests of tin microconductors gave a current value of I pr 120.150 mA. Taking the average value of 135 mA and T PL 232 about With, we get r o ≅ 23.6 nm. Given that the measured resistance of the microconductor R ISM R o + R n
where R o the resistance of the microconductor;
R to the resistance of the lead-in conductors with electrodes, we find the upper estimate for the volume resistance of the material of the microconductor with a
ρo=(Rизм-Rк)πro 2/l
ρo≅Rизмπro 2/l
ρo≅5,8˙10-9Ом˙см Следовательно, объемное сопротивление материала микропроводника более чем на три порядка ниже этой характеристики объемного материала. Определение точного значения ρo является трудной экспериментальной задачей. По величине удельного сопротивления микропроводник приближается к сверхпроводникам. Помещение его в магнитное поле с индукцией 1,4 Тл не приводило к изменению его проводимости.ρ o = (R ISM -R k ) πr o 2 / l
ρ o ≅R edited πr o 2 / l
ρ o ≅5.8˙10 -9 Ohm˙cm Therefore, the volume resistance of the microconductor material is more than three orders of magnitude lower than this characteristic of the bulk material. Determining the exact value of ρ o is a difficult experimental task. In terms of resistivity, the microconductor approaches superconductors. Placing it in a magnetic field with an induction of 1.4 T did not lead to a change in its conductivity.
Применение описанного способа дает следующие преимущества, обеспечивающие расширение его технологических возможностей: обеспечивается возможность образования металлических микропроводников в диэлектрической матрице; имеется возможность большего выбора материалов подложки для формирования микропроводников по найденным критериям. The application of the described method provides the following advantages, ensuring the expansion of its technological capabilities: it is possible to form metallic microconductors in a dielectric matrix; there is the possibility of a larger selection of substrate materials for the formation of microconductors according to the found criteria.
Наиболее вероятно применение предлагаемого способа для создания межсоединений между макроконтактами и элементами интегральных квантовых схем. Most likely, the application of the proposed method for creating interconnections between macrocontacts and elements of integrated quantum circuits.
Claims (1)
τп< [(μ2+2αKT)1/2-μ]2/16πα2,
где τп напряжение пластической деформации подложки;
μ постоянный дипольный момент молекул полимера;
a поляризуемость молекул полимера;
K постоянная Больцмана;
T абсолютная температура формирования микропроводников.METHOD FOR FORMING HIGH CONDUCTIVITY MICROCONDUCTORS, which includes applying a constant voltage between the surface of the substrate with the epoxy resin and the needle electrode immersed in it, moving the electrode to the substrate until a tunneling current occurs, increasing the voltage when the electrode is stationary until a short circuit current appears, removing the electrode from the substrate at a speed v satisfying v ≅ n f p d, where p e v p d limiting the rate of formation, determined experimentally on the basis of the limit strength e conductor, polymerization of the resin at room temperature and at constant current between the needle electrode and the surface of the substrate, selected from the relation I ≥ I 0 , where J 0 is the minimum formation current until the microconductor is completely stabilized, characterized in that, in order to expand the technological capabilities of the method by forming metal microconductors in a dielectric matrix, the substrate material is selected from the condition
τ p <[(μ 2 + 2αKT) 1/2 -μ] 2 / 16πα 2 ,
where τ p the stress of plastic deformation of the substrate;
μ constant dipole moment of polymer molecules;
a polarizability of polymer molecules;
K Boltzmann constant;
T is the absolute temperature of microconductor formation.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU914905010A RU2032966C1 (en) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | Process of formation of microconductors of high conductance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU914905010A RU2032966C1 (en) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | Process of formation of microconductors of high conductance |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2032966C1 true RU2032966C1 (en) | 1995-04-10 |
Family
ID=21557010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU914905010A RU2032966C1 (en) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | Process of formation of microconductors of high conductance |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2032966C1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2307786C1 (en) * | 2006-05-02 | 2007-10-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Method of formation of planar molecular conductors in the polymeric matrix |
| RU2368565C2 (en) * | 2006-12-26 | 2009-09-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Conducting molecular structure and method of making said structure |
-
1991
- 1991-01-24 RU SU914905010A patent/RU2032966C1/en active
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 1. Richard Mak Cormack. Room Temperature Supercondactor. Jncorporated New Technology Week, v.2, n 50, Monday December 19, 1988, p.1-2. * |
| 2. Авторское свидетельство СССР N 1632311, кл. H 01L 39/00, 1989. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2307786C1 (en) * | 2006-05-02 | 2007-10-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Method of formation of planar molecular conductors in the polymeric matrix |
| RU2368565C2 (en) * | 2006-12-26 | 2009-09-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Conducting molecular structure and method of making said structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Zhou et al. | Coaxial thermoplastic elastomer‐wrapped carbon nanotube fibers for deformable and wearable strain sensors | |
| US3351882A (en) | Plastic resistance elements and methods for making same | |
| US5227946A (en) | Electrical device comprising a PTC conductive polymer | |
| EP0202896B1 (en) | Electrical sheet heaters | |
| US4743321A (en) | Devices comprising PTC conductive polymers | |
| US4246468A (en) | Electrical devices containing PTC elements | |
| US5195013A (en) | PTC conductive polymer compositions | |
| US5313185A (en) | Temperature sensing cable device and method of making same | |
| US4560524A (en) | Method of manufacturing a positive temperature coefficient resistive heating element | |
| US4955267A (en) | Method of making a PTC conductive polymer electrical device | |
| Yi et al. | Properties and applications of filled conductive polymer composites | |
| DE3880203T2 (en) | FLAT HEATING CABLE WITH CONSTANT PERFORMANCE. | |
| Wang et al. | Apparent negative electrical resistance in carbon fiber composites | |
| EP0891312B1 (en) | Materials having high electrical conductivity at room temperatures and methods for making same | |
| RU2032966C1 (en) | Process of formation of microconductors of high conductance | |
| US4951384A (en) | Method of making a PTC conductive polymer electrical device | |
| US4582983A (en) | Elongate electrical assemblies | |
| JPH0256886A (en) | Self-controlling strip heater | |
| US4638150A (en) | Modular electrical heater | |
| RU1632311C (en) | Method of formation of microconductors of high conductance | |
| FI122644B (en) | Process for forming electrically conductive or semiconducting paths on a substrate and using the method for producing transistors and producing sensors | |
| JPH0526316B2 (en) | ||
| Duckworth et al. | Voltage distribution and mechanical strength in splice joints made from as‐manufactured YBCO coated conductors | |
| CA1304438C (en) | Conductive polymeric conduit heater | |
| Akhmetov et al. | Current voltage characteristics of composite superconductors with high contact resistance |