[go: up one dir, main page]

RU2032247C1 - Laser cathode-ray tube - Google Patents

Laser cathode-ray tube Download PDF

Info

Publication number
RU2032247C1
RU2032247C1 SU5060178A RU2032247C1 RU 2032247 C1 RU2032247 C1 RU 2032247C1 SU 5060178 A SU5060178 A SU 5060178A RU 2032247 C1 RU2032247 C1 RU 2032247C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor wafer
plane
laser
mirror
laser target
Prior art date
Application number
Other languages
Russian (ru)
Inventor
А.В. Садчихин
В.Н. Кацап
В.В. Цыганков
Original Assignee
Кацап Виктор Наумович
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Кацап Виктор Наумович filed Critical Кацап Виктор Наумович
Priority to SU5060178 priority Critical patent/RU2032247C1/en
Priority to PCT/RU1993/000199 priority patent/WO1994006147A1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2032247C1 publication Critical patent/RU2032247C1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/0955—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using pumping by high energy particles
    • H01S3/0959—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using pumping by high energy particles by an electron beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Radiation-Therapy Devices (AREA)

Abstract

FIELD: laser technique. SUBSTANCE: two-dimensional scanning CRT has evacuated envelope, electron gun with beam control system, and laser target in the form of plain- parallel semiconductor plate whose opposing surfaces have mirror coatings one of which is blind and other semitranslucent. Laser target is provided with conducting substrate on blind coating side and component providing electric contact between semiconductor plate surface facing electron gun and substrate; electron gun and its control system are located on semitranslucent mirror coating side and placed at certain angle to semiconductor plate surface. EFFECT: 30 and 46 per cent gain in efficiency and radiating power as compared to prototype; 1.5 orders of magnitude lower level of X-rays on laser target side. 4 cl, 1 dwg

Description

Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано при создании электронно-лучевых трубок (ЭЛТ). The invention relates to laser technology and can be used to create cathode ray tubes (CRT).

Известна лазерная ЭЛТ, содержащая корпус, в котором размещены прямонакальный катод, электронно-оптическая система и лазерная мишень, а также средство откачки [1]. Known laser CRT, containing the housing, which houses a direct-burning cathode, an electron-optical system and a laser target, as well as a pumping device [1].

Недостатком этой лазерной ЭЛТ является низкое значение КПД и недолговечность, обусловленные низким вакуумом в объеме ЭЛТ и малой надежностью прямонакального катода. The disadvantage of this laser CRT is the low value of efficiency and the fragility due to the low vacuum in the volume of the CRT and the low reliability of the direct-heating cathode.

Наиболее близкой к предлагаемой является лазерная электронно-лучевая трубка с двумерным сканированием электронного пучка, содержащая вакуумированный корпус, электронный прожектор с системой управления положением пучка и лазерную мишень, выполненную в виде плоскопараллельной полупроводниковой пластины с нанесенными на ее противоположные поверхности зеркальными покрытиями, одно из которых - "глухое", а другое - полупрозрачное [2]. "Глухое" покрытие расположено со стороны падения возбуждающего электронного пучка, а полупрозрачное - с противоположной стороны пластины. Closest to the proposed one is a laser cathode ray tube with two-dimensional scanning of an electron beam, containing a vacuum housing, an electronic searchlight with a beam position control system and a laser target made in the form of a plane-parallel semiconductor wafer with mirror coatings deposited on its opposite surfaces, one of which is “deaf”, and the other is translucent [2]. The “deaf” coating is located on the side of the incident exciting electron beam, and the translucent coating is on the opposite side of the plate.

Недостатками такой трубки являются невысокие значения КПД лазерной мишени и мощности излучения в режиме двумерного сканирования лазерной мишени электронным пучком, обусловленные нели- нейным распределением плотности мощности накачки в объеме полупроводника, приводящим к нелинейному распределению коэффициента оптического усиления вдоль оси резонатора (Богданкевич О.В. и др. Полупроводниковые лазеры. М.: Наука, 1976, с. 200). The disadvantages of such a tube are the low values of the efficiency of the laser target and the radiation power in the mode of two-dimensional scanning of the laser target by the electron beam, due to the nonlinear distribution of the pump power density in the semiconductor volume, leading to a nonlinear distribution of the optical gain along the axis of the resonator (Bogdankevich O.V. Semiconductor lasers, Moscow: Nauka, 1976, p. 200).

Кроме того, наличие мощного рентгеновского излучения, вызванного взаимодействием быстрых электронов пучка с мишенью, обусловлено применением в конструкции лазерных ЭЛТ материалов с незначительным коэффициентом ослабления рентгеновского излучения. Помимо опасности для окружающей среды рентгеновское излучение может вывести из строя аппаратуру, например систему охлаждения, за счет радиационно-стимулированного распада высоко- молекулярных углеводородных соединений, использующихся в качестве хладагентов лазерной мишени. In addition, the presence of high-power x-ray radiation caused by the interaction of fast beam electrons with the target is due to the use of materials with a small x-ray attenuation coefficient in the design of laser CRTs. In addition to environmental hazards, X-ray radiation can damage equipment, such as a cooling system, due to radiation-induced decay of high molecular weight hydrocarbon compounds used as refrigerants for a laser target.

Целью изобретения является увеличение КПД и мощности излучения, уменьшение мощности дозы рентгеновского излучения. The aim of the invention is to increase the efficiency and radiation power, reducing the dose rate of x-ray radiation.

Для этого лазерная электроннолучевая трубка с двумерным сканированием электронного пучка, содержащая вакуумированный корпус, электронный прожектор с системой управления положением пучка и лазерную мишень, выполненную в виде плоскопараллельной полупроводниковой пластины с нанесенными на ее противо- положные поверхности зеркальными покрытиями, одно из которых "глухое", а другое полупрозрачное, дополнительно снабжена электропроводящей подложкой, на которой размещена полупроводниковая пластина, и элементом, электрически связывающим обращенную к электронному прожектору поверхность плоскопараллельной полупроводниковой пластины лазерной мишени с подложкой, а электронный прожектор с системой управления расположен со стороны полупрозрачного зеркального покрытия под углом γ≅ 56 - α , где γ - угол между осью электронного прожектора и нормалью к плоскости пластины; α - угол между осью электронного прожектора и линией, соединяющей центр отклонения пучка с точкой пластины, максимально удаленной от центра отклонения. To do this, a laser cathode ray tube with two-dimensional scanning of the electron beam, containing a vacuum housing, an electronic searchlight with a beam position control system and a laser target made in the form of a plane-parallel semiconductor wafer with mirror coatings deposited on its opposite surfaces, one of which is “deaf”, and another translucent, is additionally equipped with an electrically conductive substrate on which the semiconductor wafer is placed, and an element electrically connecting about the surface of the plane-parallel semiconductor wafer of the laser target with a substrate facing the electronic searchlight, and the electronic searchlight with the control system is located on the side of the translucent mirror coating at an angle γ≅ 56 - α, where γ is the angle between the axis of the electronic searchlight and the normal to the plane of the plate; α is the angle between the axis of the electronic searchlight and the line connecting the center of deflection of the beam with the point of the plate as far as possible from the center of deflection.

В периферийной части полупрозрачного зеркального покрытия выполнено, по меньшей мере, одно отверстие-окно, через которое поверхность полупроводниковой пластины соединена электропроводящим элементом с подложкой. In the peripheral part of the translucent mirror coating, at least one hole-window is made through which the surface of the semiconductor wafer is connected to the substrate by an electrically conductive element.

Кроме того, глухое зеркало содержит слой металла с атомным номером Z ≥ 64, находящийся в механическом и тепловом контакте с подложкой, выполненной из металла, согласованного с пластиной полупроводника по коэффициенту линейного теплового расширения в диапазоне 80-430оК, размещенный на пластине-теплоотводе, изготовленной из материала с высокой теплопроводностью в диапазоне 80-300оК и обладающей высоким значением коэффициента ослабления рентгеновского излучения в спектральном диапазоне 30-60 КэВ.In addition, blind mirror comprises a layer of metal with an atomic number Z ≥ 64 being in mechanical and thermal contact with the substrate made of metal, matched to the semiconductor plate the coefficient of linear thermal expansion in the range of 80-430 K disposed on the plate-heatsink made of a material with high thermal conductivity in the range of 80-300 about K and having a high value of the attenuation coefficient of x-ray radiation in the spectral range of 30-60 KeV.

Полупроводниковая пластина может быть выполнена из объемного кристалла или эпитаксиальной пленки. The semiconductor wafer may be made of a bulk crystal or an epitaxial film.

Центр отклонения пучка - это точка пересечения касательной к траектории отклоненного пучка с осью прожектора (Миллер В.А., Куракин Л.А. Приемные электронно-лучевые трубки. М.: Энергия, 1971, с. 199). The center of beam deflection is the point of intersection of the tangent to the path of the deflected beam with the axis of the spotlight (Miller V.A., Kurakin L.A. Reception cathode ray tubes. M: Energy, 1971, p. 199).

Как показано в работе A.Laugier J. Microsc.. Spectrosc. Electron. 1984, 9, р. 259), с увеличением угла падения пучка плотности мощности накачки в объеме полупроводника становится более равномерным, но одновременно с этим растет коэффициент отражения энергии пучка от поверхности. As shown by A. Laugier J. Microsc .. Spectrosc. Electron 1984, 9, p. 259), with an increase in the angle of incidence of the beam, the pump power density in the semiconductor volume becomes more uniform, but at the same time, the reflection coefficient of the beam energy from the surface increases.

При углах падения, град: 0; 30; 45; 60 коэффициенты отражения соответственно равны 0,24; 0,28; 0,34; 0,43. At incidence angles, deg: 0; thirty; 45; 60 reflection coefficients are respectively 0.24; 0.28; 0.34; 0.43.

Как показали эксперименты, этот угол не должен превышать 56 град. As experiments have shown, this angle should not exceed 56 degrees.

Необходимость введения электрического контакта между поверхностью полупроводниковой пластины и электродом- подложкой обуславливается явлениями зарядки границы "полупрозрачное зеркало - полупроводник" электронами пучка и влиянием потенциала этого заряда на форму растра и фокусировку пучка. The need for electrical contact between the surface of the semiconductor wafer and the substrate electrode is caused by the phenomena of charging the semitransparent mirror - semiconductor interface by the beam electrons and the influence of the potential of this charge on the raster shape and beam focusing.

Благодаря предложенному взаимному расположению электронного прожектора с отклоняющей системой и лазерной мишени достигается повышение мощности излучения и КПД лазерной ЭЛТ в режиме двумерного сканирования, причем КПД увеличивается за счет равномерного распределения плотности мощности накачки вдоль оси резонатора, а мощность излучения увеличивается как за счет роста КПД, так и за счет значительного улучшения условий отвода тепла от лазерной мишени. Due to the proposed mutual arrangement of the electronic searchlight with the deflecting system and the laser target, an increase in the radiation power and the efficiency of the laser CRT in the two-dimensional scanning mode is achieved, moreover, the efficiency increases due to the uniform distribution of the pump power density along the cavity axis, and the radiation power increases both due to the increase in the efficiency and due to a significant improvement in the conditions of heat removal from the laser target.

Отверстия в полупрозрачном отражающем покрытии мишени, электрически соединенные с электродом-подложкой, предотвращают зарядку мишени электронным пучком и обеспечивают стабильность мощности излучения, формы и размеров растра. The holes in the translucent reflective coating of the target, electrically connected to the substrate electrode, prevent the target from being charged by the electron beam and ensure stability of the radiation power, shape and size of the raster.

Предложенная конструкция подложки лазерной мишени обуславливает повышение КПД лазерной ЭЛТ за счет отражения в полупроводниковую пластину прошедших сквозь нее быстрых электронов, повышение долговечности мишени за счет минимизации термоупругих напряжений, а также уменьшение до допустимых значений мощности экспозиционной дозы рентгеновского излучения ЭЛТ. The proposed design of the substrate of the laser target causes an increase in the efficiency of the laser CRT due to the reflection of fast electrons transmitted through it into the semiconductor wafer, an increase in the durability of the target due to minimization of thermoelastic stresses, and also a reduction in the exposure power of the exposure dose of the X-ray radiation from the CRT.

Введенный в состав "глухого" зеркала слой металла с атомным номером Z ≥ 64, как показывают эксперименты, эффективно отражает обратно в полупроводник прошедшие сквозь него электроны. Experiments have shown that a metal layer with atomic number Z ≥ 64, introduced into the "deaf" mirror, effectively reflects the electrons passed through it back into the semiconductor.

Изобретение поясняется чертежом, на котором схематически изображена в разрезе ЭЛТ. The invention is illustrated in the drawing, which is a schematic sectional view of a CRT.

Трубка содержит вакуумированный корпус 1, выполненный из электровакуумного стекла, например С-52, в котором размещены электронный прожектор 2 с отклоняющей системой 3 электронного пучка 4 и лазерная мишень, состоящая из полупрозрачного зеркала 5, полупроводниковой пластины 6, "глухого" зеркала 7 со слоем металла 8 (например, вольфрама). Мишень установлена под углом не более чем 31 град. к оси электронного прожектора и размещена на металлической пластине 9, выполненной, например, из стабилизированного морозостойкого ковара 29 НКУ-НТ-0, имеющего согласованный с полупроводниковой пластиной 6 из А2В6 и А3В5 коэффициент линейного теплового расширения в диапазоне 80-450оК. Пластина 9 размещена на пластине-теплоотводе 10, выполненной, например, из молибдена, имеющего согласованный с коваром в диапазоне 80-300оК коэффициент линейного теплового расширения, равный 50х10-7 1/град, высокую теплопроводность - 200 Вт/моК, высокую плотность (около 10 г/см3), и высокий коэффициент ослабления рентгеновского излучения в диапазоне энергий до 70-100 КэВ. В зеркале 5 выполнено, по меньшей мере, одно отверстие 11, через которое поверхность пластины 6 проводником 12, выполненным, например, из алюминия или углерода, электрически соединена с металлической пластиной 9. В корпусе выполнено оптическое окно 13 для вывода излучения во внешнюю среду. Полупроводниковая пластина 6 может быть выполнена из эпитаксиальной пленки.The tube contains an evacuated housing 1 made of electrovacuum glass, for example, C-52, in which an electronic spotlight 2 with a deflecting system 3 of an electron beam 4 and a laser target consisting of a translucent mirror 5, a semiconductor wafer 6, a “blind” mirror 7 with a layer are placed metal 8 (e.g. tungsten). The target is set at an angle of no more than 31 degrees. to the axis of the electronic searchlight and placed on a metal plate 9 made, for example, of stabilized frost-resistant kovar 29 NKU-NT-0, having a coefficient of linear thermal expansion in the range of 80- matched with a semiconductor plate 6 of A 2 B 6 and A 3 B 5 about 450 K. The plate 9 is placed on the heat sink support plate 10, made for example of molybdenum having agreed with Kovar in a range of 80-300 K the coefficient of linear thermal expansion equal to 50h10 -7 1 / ° c, a high thermal conductivity - 200 W / m about K, high density (approx about 10 g / cm 3 ), and a high attenuation coefficient of x-ray radiation in the energy range up to 70-100 keV. At least one hole 11 is made in the mirror 5, through which the surface of the plate 6 is connected electrically to a metal plate 9 by a conductor 12 made of, for example, aluminum or carbon. In the housing, an optical window 13 is made for outputting radiation to the external medium. The semiconductor wafer 6 may be made of an epitaxial film.

Лазерная электронно-лучевая трубка работает следующим образом. Laser cathode ray tube operates as follows.

Электронный прожектор 2 формирует пучок 4 быстрых электронов, сканирующий с помощью отклоняющей системы 3 поверхность полупрозрачного зеркала 5. На противоположной стороне пластины 6 размещено "глухое" зеркало 7, образующее с зеркалом 5 резонатор Фабри-Перо. Часть быстрых электронов, проникающая сквозь пластину 6, отражается от слоя металла 8 и уходит в пластину 6, дополнительно возбуждая ее. Пластины 9 и 10 образуют формоустойчивый, согласованный по коэф- фициенту линейного теплового расширения с полупроводниковой пластиной 8, носитель лазерной мишени и обеспечивают эффективный отвод тепла от нее. Проводник 12 обеспечивает стекание заряда с поверхности полупроводниковой пластины 6 на металлическую пластину 9. Излучение вы- водится из ЭЛТ через окно 13 в корпусе 1. An electronic spotlight 2 forms a beam of fast electrons 4, which scans the surface of the translucent mirror 5 using a deflecting system 3. On the opposite side of the plate 6 there is a “deaf” mirror 7, which forms a Fabry-Perot resonator with mirror 5. Part of the fast electrons penetrating through the plate 6 is reflected from the metal layer 8 and goes into the plate 6, further exciting it. The plates 9 and 10 form a shape-stable, linear thermal expansion coefficient consistent with the semiconductor plate 8, the carrier of the laser target and provide effective heat removal from it. The conductor 12 ensures that the charge flows from the surface of the semiconductor wafer 6 onto the metal wafer 9. Radiation is removed from the CRT through a window 13 in the housing 1.

Были изготовлены образцы лазерных ЭЛТ с конструкцией прототипа и предлагаемой конструкцией. Лазерные мишени этих ЭЛТ были изготовлены из идентичных пластин и имели одинаковые коэффициенты отражения полупрозрачных и "глухих" зеркал соответственно. Измерения параметров этих ЭЛТ показали, что КПД и мощности излучения предлагаемых ЭЛТ превышают аналогичные параметры ЭЛТ-прототипа на 30% и 46% соответственно. Уровень рентгеновского излучения со стороны лазерной мишени снизился на 1,5 порядка. Were made samples of laser CRT with the design of the prototype and the proposed design. The laser targets of these CRTs were made of identical plates and had the same reflection coefficients of translucent and “deaf” mirrors, respectively. Measurements of the parameters of these CRTs showed that the efficiency and radiation power of the proposed CRTs exceed the similar parameters of the CRT prototype by 30% and 46%, respectively. The level of x-ray radiation from the laser target decreased by 1.5 orders of magnitude.

Claims (4)

1. ЛАЗЕРНАЯ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ТРУБКА с двумерным сканированием электронного пучка, содержащая вакуумированный корпус, электронный прожектор с системой управления положением пучка и лазерную мишень, выполненную в виде плоскопараллельной полупроводниковой пластины с нанесением на ее противоположные поверхности зеркальными покрытиями, одно из которых глухое, а другое полупрозрачное, отличающаяся тем, что трубка дополнительно снабжена электропроводящей подложкой, на которой размещена полупроводниковая пластина, и элементом, электрически связывающим обращенную к электронному прожектору поверхность плоскопараллельной полупроводниковой пластины лазерной мишени с проводящей подложкой, а электронный прожектор с системой управления расположен со стороны полупрозрачного зеркального покрытия под углом
γ ≅ 56°-α ,
где γ - угол между осью электронного прожектора и нормалью к плоскости пластины;
a - угол между осью электронного прожектора и линией, соединяющей центр отклонения пучка с точкой пластины, максимально удаленной от центра отклонения.1. LASER ELECTRON BEAM TUBE with two-dimensional scanning of an electron beam, containing a vacuum housing, an electronic searchlight with a beam position control system and a laser target made in the form of a plane-parallel semiconductor wafer with mirror coatings on its opposite surfaces, one of which is deaf and the other translucent, characterized in that the tube is further provided with an electrically conductive substrate on which the semiconductor wafer is placed, and an element, an electric Ski binding electron gun facing the surface of a plane-parallel laser target semiconductor wafer with the conductive substrate, and an electron gun located to the control system by the semitransparent mirror coating at an angle
γ ≅ 56 ° -α,
where γ is the angle between the axis of the electronic searchlight and the normal to the plane of the plate;
a is the angle between the axis of the electronic searchlight and the line connecting the center of deflection of the beam with the point of the plate as far as possible from the center of deflection. 2. Трубка по п.1, отличающаяся тем, что на периферийном участке полупрозрачного зеркального покрытия выполнено по меньшей мере одно отверстие-окно, через которое поверхность плоскопараллельной полупроводниковой пластины соединена электропроводящим элементом с проводящей подложкой. 2. The tube according to claim 1, characterized in that at least one hole-window is made in the peripheral portion of the translucent mirror coating through which the surface of the plane-parallel semiconductor wafer is connected by an electrically conductive element to a conductive substrate. 3. Трубка по п. 1, отличающаяся тем, что глухое зеркало содержит слой металла с атомным номером Z ≥ 64, находящийся в механическом и тепловом контакте с проводящей подложкой, выполненной из металла, согласованного с материалом плоскопараллельной полупроводниковой пластины по коэффициенту линейного теплового расширения в диапазоне значений температуры 80-430 К, размещенный на пластине-теплоотводе, изготовленной из материала с высокой теплопроводностью в диапазоне значений температуры 80-300 К, обладающего высоким значением коэффициента ослабления рентгеновского излучения в спектральном диапазоне 30-60 КэВ. 3. The tube according to claim 1, characterized in that the blind mirror contains a metal layer with atomic number Z ≥ 64, which is in mechanical and thermal contact with a conductive substrate made of metal, matched to the material of a plane-parallel semiconductor wafer according to the coefficient of linear thermal expansion in a temperature range of 80–430 K placed on a heat sink plate made of a material with high thermal conductivity in a temperature range of 80–300 K with a high attenuation coefficient X-ray emission in the spectral range of 30-60 KeV. 4. Трубка по п.1, отличающаяся тем, что плоскопараллельная полупроводниковая пластина выполнена из объемного кристалла или эпитаксиальной пленки. 4. The tube according to claim 1, characterized in that the plane-parallel semiconductor wafer is made of a bulk crystal or epitaxial film.
SU5060178 1992-08-27 1992-08-27 Laser cathode-ray tube RU2032247C1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5060178 RU2032247C1 (en) 1992-08-27 1992-08-27 Laser cathode-ray tube
PCT/RU1993/000199 WO1994006147A1 (en) 1992-08-27 1993-08-12 Laser electron beam tube

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5060178 RU2032247C1 (en) 1992-08-27 1992-08-27 Laser cathode-ray tube

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2032247C1 true RU2032247C1 (en) 1995-03-27

Family

ID=21612319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU5060178 RU2032247C1 (en) 1992-08-27 1992-08-27 Laser cathode-ray tube

Country Status (2)

Country Link
RU (1) RU2032247C1 (en)
WO (1) WO1994006147A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5677923A (en) * 1996-01-11 1997-10-14 Mcdonnell Douglas Corporation Vertical cavity electron beam pumped semiconductor lasers and methods
RU2192686C2 (en) * 1998-02-04 2002-11-10 Самсунг Дисплей Дивайсиз Ко., Лтд. Laser electron-beam device

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5749638A (en) * 1995-11-14 1998-05-12 U.S. Philips Corporation Rapidly scanning cathode-ray tube laser
RU2126575C1 (en) * 1998-02-24 1999-02-20 Богданкевич Олег Владимирович Method for exciting screen of electron-beam laser device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3602838A (en) * 1968-07-18 1971-08-31 Ibm Externally excited luminescent devices
US3864645A (en) * 1970-06-01 1975-02-04 Minnesota Mining & Mfg Electron beam laser optical scanning device

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Насибов А.С. и др. Многоэлементный полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком. Квантовая электроника, 1974, т.1, N 3, с.534. *
2. Уласюк В.Н. Квантоскопы. М.: Радио и связь, 1988, с.105. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5677923A (en) * 1996-01-11 1997-10-14 Mcdonnell Douglas Corporation Vertical cavity electron beam pumped semiconductor lasers and methods
US5807764A (en) * 1996-01-11 1998-09-15 Mcdonnell Douglas Corporation Vertical cavity electron beam pumped semiconductor lasers and methods
RU2192686C2 (en) * 1998-02-04 2002-11-10 Самсунг Дисплей Дивайсиз Ко., Лтд. Laser electron-beam device

Also Published As

Publication number Publication date
WO1994006147A1 (en) 1994-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4298820A (en) Luminescent screen
US4596018A (en) External electrode transverse high frequency gas discharge laser
Gelius et al. A high resolution multipurpose ESCA instrument with X-ray monochromator
JP3468789B2 (en) Image intensifier
US5159231A (en) Conductively cooled microchannel plates
US5374870A (en) Laser screen cathode-ray tube with increased life span
RU2032247C1 (en) Laser cathode-ray tube
Tallman et al. Determination of the minimum x‐ray flux for effective preionization of an XeCl laser
US5759446A (en) Process for preparing a praseodymium-manganese oxide material for use in field emission displays
US4724357A (en) Image intensifier tube with reduced veiling glare and method of making same
US4034181A (en) Adhesive-free process for bonding a semiconductor crystal to an electrically insulating, thermally conductive stratum
US6686876B1 (en) Photon primed non-radioactive gas plasma receiver protector
US4999502A (en) Device for generating an infrared image
US3890503A (en) Stimulated emission light source pumped by electron beam of field emission initiated vacuum arc
WO2023137334A1 (en) Microfocus x-ray source for generating high flux low energy x-rays
US4853098A (en) Method of making image intensifier tube
US6373179B1 (en) Laser cathode-ray tube
US5619091A (en) Diamond films treated with alkali-halides
RU2017261C1 (en) X-ray tube for structural analysis
US3391297A (en) Photoconductive target having arsenicselenium layers of different densities on cryolite layer
EP0234702A2 (en) Dual-discharge gas ion laser
RU2100882C1 (en) Electron-beam-pumped laser tube
RU2525665C2 (en) Laser electron-beam tube
TWI864554B (en) Heater assembly and ion implantation system
KR100318373B1 (en) Laser CRT with electrostatic focusing of electron beam