RU2015128392A - Способ гидрофобизации внутренней поверхности субстрата - Google Patents
Способ гидрофобизации внутренней поверхности субстрата Download PDFInfo
- Publication number
- RU2015128392A RU2015128392A RU2015128392A RU2015128392A RU2015128392A RU 2015128392 A RU2015128392 A RU 2015128392A RU 2015128392 A RU2015128392 A RU 2015128392A RU 2015128392 A RU2015128392 A RU 2015128392A RU 2015128392 A RU2015128392 A RU 2015128392A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- silicon precursor
- decomposition
- vol
- carried out
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract 11
- 239000012686 silicon precursor Substances 0.000 claims abstract 12
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims abstract 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims abstract 2
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
1. Способ гидрофобизации внутренней поверхности субстрата путем разложения прекурсора кремния в паровой фазе из группы инертных газов - аргона, гелия, их смесей, азота или водорода, отличающийся тем, что в качестве прекурсора кремния используют гидрид кремния, либо другой прекурсор аморфного кремния, испаряющийся при температурах ниже тех, при которых ведут осаждение, при этом объем прекурсора кремния в количествах от 5 об. % до 30 об. %, смешивая с инертным газом, подают в субстрат.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что внутреннюю поверхность субстрата подготавливают до нанесения покрытия, очищают органическим растворителем и активируют поверхность раствором минеральной кислоты либо щелочи.3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что разложение прекурсора кремния проводят термически, при температурах от 600°C до 1000°C, в течение от 3 до 240 минут.4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что циклы подачи прекурсора кремния в субстрат повторяют до достижения требуемой толщины покрытия с промежуточной продувкой субстрата инертным газом.5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что смесь газов, получаемую после проведения реакции разложения, используют повторно в качестве газа-носителя.
Claims (5)
1. Способ гидрофобизации внутренней поверхности субстрата путем разложения прекурсора кремния в паровой фазе из группы инертных газов - аргона, гелия, их смесей, азота или водорода, отличающийся тем, что в качестве прекурсора кремния используют гидрид кремния, либо другой прекурсор аморфного кремния, испаряющийся при температурах ниже тех, при которых ведут осаждение, при этом объем прекурсора кремния в количествах от 5 об. % до 30 об. %, смешивая с инертным газом, подают в субстрат.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что внутреннюю поверхность субстрата подготавливают до нанесения покрытия, очищают органическим растворителем и активируют поверхность раствором минеральной кислоты либо щелочи.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что разложение прекурсора кремния проводят термически, при температурах от 600°C до 1000°C, в течение от 3 до 240 минут.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что циклы подачи прекурсора кремния в субстрат повторяют до достижения требуемой толщины покрытия с промежуточной продувкой субстрата инертным газом.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что смесь газов, получаемую после проведения реакции разложения, используют повторно в качестве газа-носителя.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015128392A RU2606690C2 (ru) | 2015-07-13 | 2015-07-13 | Способ получения покрытия из аморфного кремния на внутренней поверхности металлического субстрата |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015128392A RU2606690C2 (ru) | 2015-07-13 | 2015-07-13 | Способ получения покрытия из аморфного кремния на внутренней поверхности металлического субстрата |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2015128392A true RU2015128392A (ru) | 2016-01-10 |
| RU2606690C2 RU2606690C2 (ru) | 2017-01-10 |
Family
ID=55071878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015128392A RU2606690C2 (ru) | 2015-07-13 | 2015-07-13 | Способ получения покрытия из аморфного кремния на внутренней поверхности металлического субстрата |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2606690C2 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE202017002044U1 (de) | 2017-04-18 | 2017-05-09 | Closed Joint Stock Company Research-Engineering Center "INCOMSYSTEM" | Vorrichtung zur Passivierung der Oberfläche von Langrohren bei der induktiven Erwärmung |
| RU2650381C1 (ru) * | 2016-12-12 | 2018-04-11 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" | Способ формирования тонких пленок аморфного кремния |
| WO2018199810A1 (ru) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | Закрытое акционерное общество Научно-инженерный центр "ИНКОМСИСТЕМ" | Способ гидрофобизации субстата |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4664938A (en) * | 1985-05-06 | 1987-05-12 | Phillips Petroleum Company | Method for deposition of silicon |
| US5208069A (en) * | 1991-10-28 | 1993-05-04 | Istituto Guido Donegani S.P.A. | Method for passivating the inner surface by deposition of a ceramic coating of an apparatus subject to coking, apparatus prepared thereby, and method of utilizing apparatus prepared thereby |
| CN1237273A (zh) * | 1997-06-30 | 1999-12-01 | 松下电器产业株式会社 | 制造半导体薄膜的方法及其所用设备 |
| JP3027968B2 (ja) * | 1998-01-29 | 2000-04-04 | 日新電機株式会社 | 成膜装置 |
| US7867627B2 (en) * | 2004-12-13 | 2011-01-11 | Silcotek Corporation | Process for the modification of substrate surfaces through the deposition of amorphous silicon layers followed by surface functionalization with organic molecules and functionalized structures |
-
2015
- 2015-07-13 RU RU2015128392A patent/RU2606690C2/ru active
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2650381C1 (ru) * | 2016-12-12 | 2018-04-11 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" | Способ формирования тонких пленок аморфного кремния |
| DE202017002044U1 (de) | 2017-04-18 | 2017-05-09 | Closed Joint Stock Company Research-Engineering Center "INCOMSYSTEM" | Vorrichtung zur Passivierung der Oberfläche von Langrohren bei der induktiven Erwärmung |
| WO2018199810A1 (ru) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | Закрытое акционерное общество Научно-инженерный центр "ИНКОМСИСТЕМ" | Способ гидрофобизации субстата |
| CN110088355A (zh) * | 2017-04-26 | 2019-08-02 | 封闭型股份公司研究-工程中心“因科姆系统” | 基底疏水化的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2606690C2 (ru) | 2017-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI565822B (zh) | 沉積氮化矽膜的方法 | |
| RU2015111257A (ru) | Способ получения порошка проводящего соединения типа майенита | |
| JP2013229608A5 (ru) | ||
| Braunschweig et al. | Unexpected cluster formation upon hydroboration of a neutral diborene with 9-BBN | |
| KR102670873B1 (ko) | 트리스(다이실라닐)아민 | |
| RU2013126113A (ru) | Катализатор синтеза аммиака и способ синтеза аммиака | |
| TW201614727A (en) | Method of depositing insulation layer on deep trench having high aspect ratio | |
| SA517381223B1 (ar) | تخليق كربون منتظم صغير المسام عن طريق الترسيب الكيميائي بالبخار | |
| JP2018201037A5 (ru) | ||
| JP2016164304A5 (ru) | ||
| WO2013015895A3 (en) | Aromatic hydrocarbons from depolymerization and deoxygenation of lignin | |
| KR20160055736A (ko) | 트리실릴아민 제조 방법 | |
| RU2015128392A (ru) | Способ гидрофобизации внутренней поверхности субстрата | |
| EP3061845A3 (en) | Metal organic chemical vapor deposition apparatus for solar cell | |
| SG10201906117XA (en) | Chamber cleaning and semiconductor etching gases | |
| GB201205801D0 (en) | Process | |
| Vinogradoff et al. | The mechanism of hexamethylenetetramine (HMT) formation in the solid state at low temperature | |
| FI3114248T3 (fi) | Germaniumin tai germaniumoksidin atomikerroskasvatus | |
| WO2015038267A3 (en) | Graphene synthesis by suppressing evaporative substrate loss during low pressure chemical vapor deposition | |
| TW201612185A (en) | Chemically stable alkyl aluminum solution and hydrolysate composition solution, composition for aluminum oxide film coating formation, method for producing same, method for producing passivation film, passivation film, and solar cell element using same | |
| EA201291069A1 (ru) | Способ и устройство для покрытия | |
| RU2018122239A (ru) | Способ осаждения из газовой фазы путем разложения металлоорганических соединений с применением в качестве них алкилиндиевых соединений в виде их растворов в углеводородах | |
| WO2018089487A8 (en) | Removal of moisture from hydrazine | |
| JP2017010967A5 (ru) | ||
| WO2011005653A8 (en) | Solution based precursors |