[go: up one dir, main page]

RU2015118120A - Интегральная схема с нанопроводниковыми датчиками, измерительное устройство, способ измерения и способ изготовления - Google Patents

Интегральная схема с нанопроводниковыми датчиками, измерительное устройство, способ измерения и способ изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2015118120A
RU2015118120A RU2015118120A RU2015118120A RU2015118120A RU 2015118120 A RU2015118120 A RU 2015118120A RU 2015118120 A RU2015118120 A RU 2015118120A RU 2015118120 A RU2015118120 A RU 2015118120A RU 2015118120 A RU2015118120 A RU 2015118120A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
nanoconductor
integrated circuit
transistor
nanowire
signal
Prior art date
Application number
RU2015118120A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2638125C2 (ru
Inventor
Йохан Хендрик КЛОТВИЙК
Марлен МЕСХЕР
Мануэль Эдуардо АЛАРКОН-РИВЕРО
ВИЛД Нико Марис Адриан ДЕ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Н.В.
Publication of RU2015118120A publication Critical patent/RU2015118120A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2638125C2 publication Critical patent/RU2638125C2/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • G01N27/4146—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS involving nanosized elements, e.g. nanotubes, nanowires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01—Manufacture or treatment
    • H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
    • H10D30/031—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6704—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6741—Group IV materials, e.g. germanium or silicon carbide
    • H10D30/6743—Silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
    • H10D62/118—Nanostructure semiconductor bodies
    • H10D62/119—Nanowire, nanosheet or nanotube semiconductor bodies
    • H10D62/121—Nanowire, nanosheet or nanotube semiconductor bodies oriented parallel to substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/01—Manufacture or treatment
    • H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y15/00—Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
    • G01N27/127—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer comprising nanoparticles
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
    • G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
    • G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
    • G01N33/0031—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector comprising two or more sensors, e.g. a sensor array

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Abstract

1. Интегральная схема, содержащая:- подложку;- изолирующий слой на упомянутой подложке и- первый нанопроводниковый элемент и второй нанопроводниковый элемент на упомянутом изолирующем слое, отличающаяся тем, чтопервый нанопроводниковый элемент является узлом истока первого транзистора и второй полупроводниковый элемент является узлом истока второго транзистора, причем упомянутый первый транзистор и упомянутый второй транзистор имеют общий узел стока,причем первый нанопроводниковый элемент расположен таким образом, чтобы подвергаться воздействию среды, содержащей аналит, и при этом второй нанопроводниковый элемент расположен таким образом, чтобы быть защищенным от упомянутой среды защитным слоем на упомянутом втором нанопроводниковом элементе.2. Интегральная схема по п. 1, в которой каждый из первого нанопроводникового элемента и второго нанопроводникового элемента покрыт оксидной пленкой, и защитный слой (150) расположен на упомянутой оксидной пленке.3. Интегральная схема по п. 1, дополнительно содержащая схему обработки сигналов для обработки соответствующих сигналов первого нанопроводникового элемента и второго нанопроводникового элемента.4. Интегральная схема по п. 3, в которой схема обработки сигналов содержит дифференциатор, выполненный с возможностью вычитания сигнала второго нанопроводникового элемента из сигнала первого нанопроводникового элемента.5. Интегральная схема по п. 1, дополнительно содержащая массив из упомянутого первого транзистора и упомянутого второго транзистора.6. Интегральная схема по п. 1, в которой подложка является полупроводниковой подложкой, выполненной с возможностью обеспечения

Claims (14)

1. Интегральная схема, содержащая:
- подложку;
- изолирующий слой на упомянутой подложке и
- первый нанопроводниковый элемент и второй нанопроводниковый элемент на упомянутом изолирующем слое, отличающаяся тем, что
первый нанопроводниковый элемент является узлом истока первого транзистора и второй полупроводниковый элемент является узлом истока второго транзистора, причем упомянутый первый транзистор и упомянутый второй транзистор имеют общий узел стока,
причем первый нанопроводниковый элемент расположен таким образом, чтобы подвергаться воздействию среды, содержащей аналит, и при этом второй нанопроводниковый элемент расположен таким образом, чтобы быть защищенным от упомянутой среды защитным слоем на упомянутом втором нанопроводниковом элементе.
2. Интегральная схема по п. 1, в которой каждый из первого нанопроводникового элемента и второго нанопроводникового элемента покрыт оксидной пленкой, и защитный слой (150) расположен на упомянутой оксидной пленке.
3. Интегральная схема по п. 1, дополнительно содержащая схему обработки сигналов для обработки соответствующих сигналов первого нанопроводникового элемента и второго нанопроводникового элемента.
4. Интегральная схема по п. 3, в которой схема обработки сигналов содержит дифференциатор, выполненный с возможностью вычитания сигнала второго нанопроводникового элемента из сигнала первого нанопроводникового элемента.
5. Интегральная схема по п. 1, дополнительно содержащая массив из упомянутого первого транзистора и упомянутого второго транзистора.
6. Интегральная схема по п. 1, в которой подложка является полупроводниковой подложкой, выполненной с возможностью обеспечения напряжения смещения для первого нанопроводникового элемента и второго нанопроводникового элемента.
7. Интегральная схема по п. 1, в которой каждый из первого нанопроводникового элемента и второго нанопроводникового элемента содержит кремниевый нанопроводник.
8. Интегральная схема по п. 1, в которой защитный слой имеет такую толщину, которая гарантирует, что второй нанопроводниковый элемент будет нечувствительным к среде.
9. Интегральная схема по п. 1, в которой защитный слой содержит диэлектрический слой, такой как оксидный слой или нитридный слой, или слой полимера, причем упомянутый слой полимера является одним из: слоя полиимида или слоя парилена.
10. Измерительное устройство, содержащее канал потока и интегральную схему по п. 1, причем первый нанопроводниковый элемент и второй нанопроводниковый элемент расположены в упомянутом канале потока таким образом, что первый нанопроводниковый элемент и второй нанопроводниковый элемент являются смежными друг с другом относительно направления потока среды через упомянутый канал потока.
11. Способ измерения интересующего аналита в среде, причем способ содержит этапы, на которых:
- обеспечивают интегральную схему по п. 1;
- пропускают упомянутую среду над первым нанопроводниковым элементом и вторым нанопроводниковым элементом в таком направлении, что первый нанопроводниковый элемент и второй нанопроводниковый элемент являются смежными друг с другом относительно направления упомянутого потока;
- одновременно получают сигнал первого нанопроводникового элемента с упомянутого первого нанопроводникового элемента и сигнал второго нанопроводникового элемента с упомянутого второго нанопроводникового элемента; и
- получают измерение аналита из разности между сигналом второго нанопроводникового элемента и сигналом первого нанопроводникового элемента.
12. Способ по п. 11, в котором:
- этап одновременного получения сигнала первого нанопроводникового элемента с упомянутого первого нанопроводникового элемента и сигнала второго нанопроводникового элемента с упомянутого второго нанопроводникового элемента содержит этап, на котором возбуждают первый нанопроводниковый элемент и второй нанопроводниковый элемент переменным током; и
- этап получения измерения аналита из разности между сигналом второго нанопроводникового элемента и сигналом первого нанопроводникового элемента содержит этап, на котором измеряют комплексный импедансный отклик первого нанопроводникового элемента и комплексный импедансный отклик второго нанопроводникового элемента на упомянутый переменный ток.
13. Способ изготовления интегральной схемы, содержащий этапы, на которых:
- обеспечивают подложку, изолирующий слой на упомянутой подложке и слой полупроводника на упомянутом изолирующем слое;
- структурируют слой полупроводника для формирования первого нанопроводникового элемента в качестве узла истока первого транзистора, и второго нанопроводникового элемента, смежного с упомянутым первым нанопроводниковым элементом на упомянутом изолирующем слое, причем упомянутый второй нанопроводниковый элемент является узлом истока второго транзистора, причем упомянутый первый транзистор и упомянутый второй транзистор совместно используют общий узел стока; и
- наносят защитный слой только на второй нанопроводниковый элемент.
14. Способ по п. 13, дополнительно содержащий этап, на котором:
формируют оксидную пленку на каждом из первого нанопроводникового элемента и второго нанопроводникового элемента перед нанесением упомянутого защитного слоя.
RU2015118120A 2012-10-16 2013-10-16 Интегральная схема с нанопроводниковыми датчиками, измерительное устройство, способ измерения и способ изготовления RU2638125C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261714379P 2012-10-16 2012-10-16
US61/714,379 2012-10-16
PCT/IB2013/059379 WO2014060954A1 (en) 2012-10-16 2013-10-16 Integrated circuit with nanowire sensors comprising a shielding layer, sensing apparatus, measuring method and manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015118120A true RU2015118120A (ru) 2016-12-10
RU2638125C2 RU2638125C2 (ru) 2017-12-11

Family

ID=49885322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015118120A RU2638125C2 (ru) 2012-10-16 2013-10-16 Интегральная схема с нанопроводниковыми датчиками, измерительное устройство, способ измерения и способ изготовления

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9423375B2 (ru)
EP (1) EP2909615A1 (ru)
JP (1) JP6383358B2 (ru)
CN (1) CN104854448B (ru)
BR (1) BR112015008207B1 (ru)
RU (1) RU2638125C2 (ru)
WO (1) WO2014060954A1 (ru)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108139345B (zh) * 2015-08-06 2021-04-20 加利福尼亚太平洋生物科学股份有限公司 用于选择性寻址稀疏布置的电子测量装置的系统和方法
US10197526B2 (en) 2015-09-03 2019-02-05 Honeywell International Inc. FET and fiber based sensor
CN110095490A (zh) * 2019-04-17 2019-08-06 北京工业大学 一种检测四针状氧化锌晶须电导特性的器件及方法
CN116660321B (zh) * 2023-07-28 2023-10-13 首凯高科技(江苏)有限公司 一种氢气传感器

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02167454A (ja) * 1988-09-30 1990-06-27 Toshiba Corp 溶液成分センサ
US8152991B2 (en) * 2005-10-27 2012-04-10 Nanomix, Inc. Ammonia nanosensors, and environmental control system
WO2003078652A2 (en) * 2002-03-15 2003-09-25 Nanomix, Inc. Modification of selectivity for sensing for nanostructure device arrays
WO2004003535A1 (en) * 2002-06-27 2004-01-08 Nanosys Inc. Planar nanowire based sensor elements, devices, systems and methods for using and making same
US20060263255A1 (en) * 2002-09-04 2006-11-23 Tzong-Ru Han Nanoelectronic sensor system and hydrogen-sensitive functionalization
US7163659B2 (en) * 2002-12-03 2007-01-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Free-standing nanowire sensor and method for detecting an analyte in a fluid
RU2257567C1 (ru) * 2004-05-19 2005-07-27 Воронежский государственный технический университет Твердотельный интегральный датчик газов
US20060188934A1 (en) * 2005-02-22 2006-08-24 Ying-Lan Chang System and method for implementing a high-sensitivity sensor with improved stability
US20060270053A1 (en) * 2005-05-26 2006-11-30 General Electric Company Apparatus, methods, and systems having gas sensor with catalytic gate and variable bias
FR2886459B1 (fr) * 2005-05-31 2007-08-24 Thales Sa Reseau de transistors fet a nanotube ou nanofil semi-conducteur et dispositif electronique correspondant, pour la detection d'analytes
TWI299399B (en) * 2005-12-13 2008-08-01 Jung Tang Huang Method to integrate carbon nanotube with cmos chip into array-type microsensor
KR100799577B1 (ko) * 2006-08-31 2008-01-30 한국전자통신연구원 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법과 그 센서를포함하는 집적회로 및 그 제조 방법
EP3285067B1 (en) * 2006-12-14 2022-06-22 Life Technologies Corporation Apparatus for measuring analytes using fet arrays
EP2019313B1 (en) * 2007-07-25 2015-09-16 Stichting IMEC Nederland Sensor device comprising elongated nanostructures, its use and manufacturing method
JP2009198467A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Sharp Corp ナノ構造体を用いたセンサ素子、分析チップ、分析装置、およびセンサ素子の製造方法
JP5129011B2 (ja) * 2008-04-24 2013-01-23 シャープ株式会社 ナノ構造体を用いたセンサ素子、分析チップ、分析装置
WO2010120297A1 (en) * 2009-04-15 2010-10-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P Nanowire sensor having a nanowire and electrically conductive film
US8368123B2 (en) * 2009-12-23 2013-02-05 Nokia Corporation Apparatus for sensing an event
US8810236B2 (en) 2010-03-09 2014-08-19 Nokia Corporation Apparatus and associated methods
FR2957514B1 (fr) 2010-03-17 2013-03-22 Gen Electric Dispositif d'imagerie medicale comprenant des moyens d'acquisition radiographique et des moyens de guidage d'une sonde ultrasonore
US9612240B2 (en) * 2010-06-29 2017-04-04 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Biomimetic chemical sensors using nanoelectronic readout of olfactory receptors
GB2489504A (en) * 2011-03-31 2012-10-03 Sapient Sensors A device for identifying the presence of a specific target molecule or biomarker by sensing an electrical property

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014060954A1 (en) 2014-04-24
CN104854448A (zh) 2015-08-19
JP2016503490A (ja) 2016-02-04
EP2909615A1 (en) 2015-08-26
JP6383358B2 (ja) 2018-08-29
RU2638125C2 (ru) 2017-12-11
BR112015008207A2 (pt) 2017-07-04
US9423375B2 (en) 2016-08-23
US20150293054A1 (en) 2015-10-15
BR112015008207B1 (pt) 2022-04-26
CN104854448B (zh) 2017-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11008611B2 (en) Double gate ion sensitive field effect transistor
TWI422818B (zh) 氫離子感測場效電晶體及其製造方法
JP4065855B2 (ja) 生体および化学試料検査装置
CN102132153B (zh) 减小电子设备中的电容性充电
CN111261629B (zh) 传感器及其形成方法
US9909930B2 (en) Multi-sensor assembly with tempature sensors having different thermal profiles
US20130056353A1 (en) Ion sensitive detector
JP2012506557A5 (ru)
CN104627947B (zh) Cmos湿度传感器及其形成方法
RU2015118120A (ru) Интегральная схема с нанопроводниковыми датчиками, измерительное устройство, способ измерения и способ изготовления
TWI619941B (zh) 生物感測器裝置
US10107779B2 (en) Sensing field effect transistor devices, systems in which they are incorporated, and methods of their fabrication
US20180003663A1 (en) Chemical sensor, and chemical substance detection method and device
CN103887194A (zh) 并行测试器件
TWI435078B (zh) 離子感測裝置及其製造方法
WO2019131564A1 (ja) 化学・物理現象の測定装置及びその製造方法
US11754610B2 (en) Charge detection sensor and potential measurement system
US20200105996A1 (en) Piezoelectric biosensor and related method of formation
US9304103B2 (en) Self-calibrating ion meter
EA201200798A1 (ru) Чувствительный элемент датчика
JP6608219B2 (ja) 導電性媒体におけるセンサ内の迷走電流防止
CN105372302B (zh) 半导体生化感测器及其控制方法
Lue et al. Sensitivity of trapping effect on Si3N4 sensing membrane for ion sensitive field effect transistor/reference field effect transistor pair application
JP2019002729A (ja) センサ用トランジスタ
Wang et al. Single Si 3 N 4 layer on dual substrate for pH sensing micro sensor