RU2014106450A - Схемное устройство для переключения тока и способ работы полупроводникового силового переключателя - Google Patents
Схемное устройство для переключения тока и способ работы полупроводникового силового переключателя Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014106450A RU2014106450A RU2014106450/08A RU2014106450A RU2014106450A RU 2014106450 A RU2014106450 A RU 2014106450A RU 2014106450/08 A RU2014106450/08 A RU 2014106450/08A RU 2014106450 A RU2014106450 A RU 2014106450A RU 2014106450 A RU2014106450 A RU 2014106450A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- power switch
- semiconductor power
- switching
- parameter
- duoff
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 42
- WZRJTRPJURQBRM-UHFFFAOYSA-N 4-amino-n-(5-methyl-1,2-oxazol-3-yl)benzenesulfonamide;5-[(3,4,5-trimethoxyphenyl)methyl]pyrimidine-2,4-diamine Chemical compound O1C(C)=CC(NS(=O)(=O)C=2C=CC(N)=CC=2)=N1.COC1=C(OC)C(OC)=CC(CC=2C(=NC(N)=NC=2)N)=C1 WZRJTRPJURQBRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 17
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 8
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/14—Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0828—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches
Landscapes
- Inverter Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Driving Mechanisms And Operating Circuits Of Arc-Extinguishing High-Tension Switches (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
1. Схемное устройство для переключения тока (Ic) в зависимости от задаваемого сигнала переключения, содержащее- полупроводниковый силовой переключатель (44) для переключения тока (Ic) и- устройство (42, 78, 96, 106) управления, которое выполнено с возможностью приема сигнала переключения и генерации в зависимости от принятого сигнала на управляющем входе (50) полупроводникового силового переключателя (44) управляющего напряжения с временной характеристикой, посредством которой осуществляется то, что во время процесса переключения переключение между проводящим и запертым состоянием полупроводникового силового переключателя (44) выполняется не резко и продолжительно, а вместо этого по меньшей мере один предопределенный рабочий параметр (Uce,мах, dIoff/dt, dUoff/dt, dIon/dT, dUon/dt) полупроводникового силового переключателя (44) выполняет предопределенный критерий, причем критерий задан через параметр переключения (Uce,мах, dIoff/dt, dUoff/dt, dIon/dT, dUon/dt) устройства (42, 78, 96, 106) управления, и значение параметра для параметра переключения (Uce,мах, dIoff/dt, dUoff/dt, dIon/dT, dUon/dt) может изменяться в течение работы схемного устройства,отличающееся измерительным устройством (64, 66, 80, 82, 98, 100) для определения по меньшей мере одного из следующих рабочих параметров (Ic, T, Ud), с помощью которых описывается рабочее состояние полупроводникового силового переключателя (44):- температура (Т) транзистора (46) полупроводникового силового переключателя (44) или температура включенного антипараллельно транзистору (46) диода (48) полупроводникового силового переключателя (44), причем в полупроводниковом силовом переключателе запирающая способность и режим переключения зависят от температ�
Claims (19)
1. Схемное устройство для переключения тока (Ic) в зависимости от задаваемого сигнала переключения, содержащее
- полупроводниковый силовой переключатель (44) для переключения тока (Ic) и
- устройство (42, 78, 96, 106) управления, которое выполнено с возможностью приема сигнала переключения и генерации в зависимости от принятого сигнала на управляющем входе (50) полупроводникового силового переключателя (44) управляющего напряжения с временной характеристикой, посредством которой осуществляется то, что во время процесса переключения переключение между проводящим и запертым состоянием полупроводникового силового переключателя (44) выполняется не резко и продолжительно, а вместо этого по меньшей мере один предопределенный рабочий параметр (Uce,мах, dIoff/dt, dUoff/dt, dIon/dT, dUon/dt) полупроводникового силового переключателя (44) выполняет предопределенный критерий, причем критерий задан через параметр переключения (Uce,мах, dIoff/dt, dUoff/dt, dIon/dT, dUon/dt) устройства (42, 78, 96, 106) управления, и значение параметра для параметра переключения (Uce,мах, dIoff/dt, dUoff/dt, dIon/dT, dUon/dt) может изменяться в течение работы схемного устройства,
отличающееся измерительным устройством (64, 66, 80, 82, 98, 100) для определения по меньшей мере одного из следующих рабочих параметров (Ic, T, Ud), с помощью которых описывается рабочее состояние полупроводникового силового переключателя (44):
- температура (Т) транзистора (46) полупроводникового силового переключателя (44) или температура включенного антипараллельно транзистору (46) диода (48) полупроводникового силового переключателя (44), причем в полупроводниковом силовом переключателе запирающая способность и режим переключения зависят от температуры, и схемное устройство выполнено таким образом, чтобы при известной температуре задавать предельное значение для падения напряжения на полупроводниковом силовом переключателе;
- сила тока для протекающего через полупроводниковый силовой переключатель (44) тока (Ic), причем схемное устройство выполнено с возможностью определения из измеренного значения, существует ли риск того, что при быстром запирании или отпирании полупроводникового силового переключателя возникает недопустимо высокое напряжение;
- напряжения (Ud), падающее на полупроводниковом силовом переключателе (44), причем схемное устройство выполнено с возможностью установления, насколько близко к максимально допустимому значению запирающего напряжения уже находится полупроводниковый силовой переключатель и насколько большим вследствие этого может быть индуцированное напряжение.
2. Схемное устройство по п. 1, отличающееся тем, что для по меньшей мере одного из следующих рабочих параметров посредством установки значения параметра может задаваться критерий:
- напряжения (Uce,max), падающее на транзисторе и/или диоде полупроводникового силового переключателя (44),
- крутизна (dUoff/dt, dUon/dt) временной характеристики
этого напряжения,
- крутизна (dIoff/dt, dIon/dT) временной характеристики переключаемого тока (Ic) и/или
- временное среднее значение для одного из предшествующих параметров.
3. Схемное устройство по п. 1, отличающееся тем, что посредством значения параметра в качестве критерия может задаваться предельное значение или номинальное значение для рабочего параметра (Uce,мах, dIoff/dt, dUoff/dt, dIon/dT, dUon/dt).
4. Схемное устройство по п. 2, отличающееся тем, что посредством значения параметра в качестве критерия может задаваться предельное значение или номинальное значение для рабочего параметра (Uce,мах, dIoff/dt, dUoff/dt, dIon/dT, dUon/dt).
5. Схемное устройство по любому из пп. 1-4, причем измерительное устройство (64, 66, 80, 82, 98, 100) выполнено с возможностью определения временного среднего значения для одного из упомянутых параметров.
6. Схемное устройство по любому из пп. 1-4, отличающееся тем, что устройство (78, 96, 106) управления выполнено с возможностью самостоятельно устанавливать значение параметра в зависимости от рабочего состояния полупроводникового силового переключателя (44), в частности, на основе характеристики (76).
7.Схемное устройство по п. 5, отличающееся тем, что устройство (78, 96, 106) управления выполнено с возможностью самостоятельно устанавливать значение параметра в зависимости от
рабочего состояния полупроводникового силового переключателя (44), в частности, на основе характеристики (76).
8. Схемное устройство по любому из пп. 1-4, 7, отличающееся тем, устройство (42) управления выполнено с возможностью принимать значение параметра для предопределенного параметра переключения (Uce,мах, dIoff/dt, dUoff/dt, dIon/dT, dUon/dt) вместе с сигналом переключения по управляющей линии (54).
9. Схемное устройство по п. 5, отличающееся тем, устройство (42) управления выполнено с возможностью принимать значение параметра для предопределенного параметра переключения (Uce,мах, dIoff/dt, dUoff/dt, dIon/dT, dUon/dt) вместе с сигналом переключения по управляющей линии (54).
10. Схемное устройство по п. 6, отличающееся тем, устройство (42) управления выполнено с возможностью принимать значение параметра для предопределенного параметра переключения (Uce,мах, dIoff/dt, dUoff/dt, dIon/dT, dUon/dt) вместе с сигналом переключения по управляющей линии (54).
11. Схемное устройство по любому из пп. 1-4, 7, 9, 10, отличающееся тем, что устройство (42, 78, 96, 106) управления выполнено с возможностью принимать через вход (52) переключения цифровой сигнал на основе отказоустойчивого протокола передачи и/или передавать через выход (68) измерения цифровой сигнал на основе отказоустойчивого протокола передачи.
12. Схемное устройство по п. 5, отличающееся тем, что устройство (42, 78, 96, 106) управления выполнено с возможностью принимать через вход (52) переключения цифровой сигнал на основе отказоустойчивого протокола передачи и/или передавать через выход (68) измерения цифровой сигнал на основе отказоустойчивого протокола передачи.
13. Схемное устройство по п. 6, отличающееся тем, что устройство (42, 78, 96, 106) управления выполнено с возможностью принимать через вход (52) переключения цифровой сигнал на основе отказоустойчивого протокола передачи и/или передавать через выход (68) измерения цифровой сигнал на основе отказоустойчивого протокола передачи.
14. Схемное устройство по п. 8, отличающееся тем, что устройство (42, 78, 96, 106) управления выполнено с возможностью принимать через вход (52) переключения цифровой сигнал на основе отказоустойчивого протокола передачи и/или передавать через выход (68) измерения цифровой сигнал на основе отказоустойчивого протокола передачи.
15. Способ управления полупроводниковым силовым переключателем (44) посредством устройства (84, 104) датчика сигнала для генерации сигнала переключения и посредством устройства (42, 78, 96, 106) управления для генерации управляющего напряжения для полупроводникового силового переключателя (44), содержащий этапы:
- определения рабочего состояния (Ic, T, Ud) полупроводникового силового переключателя (44) и установки по меньшей мере одного значения параметра для параметра переключения (Uce,мах, dIoff/dt, dUoff/dt, dIon/dT, dUon/dt) устройства (42, 78, 96, 106) управления, посредством которого во время процесса переключения полупроводникового силового переключателя (44) устанавливается критерий для по меньшей мере
одного рабочего параметра (Uce,мах, dIoff/dt, dUoff/dt, dIon/dT, dUon/dt) полупроводникового силового переключателя (44);
- генерации сигнала переключения посредством устройства (84, 104) датчика сигнала и передачи сигнала переключения на устройство (42, 78, 96, 106) управления;
- приема сигнала переключения посредством устройства (42, 78, 96, 106) управления и генерации управляющего напряжения на управляющем входе (50) полупроводникового силового переключателя (44) в зависимости от сигнала переключения, причем временная характеристика значения напряжения управляющего напряжения устанавливается таким образом, что во время процесса переключения рабочий параметр (Uce,мах, dIoff/dt, dUoff/dt, dIon/dT, dUon/dt) удовлетворяет критерию, заданному посредством значения параметра,
отличающийся тем, что
по меньшей мере один из следующих рабочих параметров полупроводникового силового переключателя (44) измеряется для определения рабочего состояния или определяется на основе численной модели (86) в зависимости от по меньшей мере одного другого рабочего параметра (Ta, i(t), u(t)):
- температура (Т) транзистора (46) полупроводникового силового переключателя (44) или температура включенного антипараллельно транзистору (46) диода (48) полупроводникового силового переключателя (44), причем при известной температуре задается предельное значение для падения напряжения на полупроводниковом силовом переключателе;
- сила тока для протекающего через полупроводниковый силовой переключатель (44) тока (Ic), причем из силы тока определяется, существует ли риск того, что при быстром запирании или отпирании полупроводникового силового переключателя возникает недопустимо высокое напряжение;
- падение напряжения (Ud) на полупроводниковом силовом переключателе (44), причем устанавливается, насколько близко к максимально допустимому значению запирающего напряжения уже находится полупроводниковый силовой переключатель и насколько большим вследствие этого может быть индуцированное напряжение.
16. Способ по п. 15, в котором определяется временное среднее значение для одного из упомянутых параметров.
17. Способ по п. 15 или 16, в котором посредством установки значения параметра для параметра переключения (Uce,мах, dIoff/dt, dUoff/dt, dIon/dT, dUon/dt) задается номинальное значение или предельное значение для одного из следующих рабочих параметров для процесса переключения:
- напряжения (Ud), падающее на транзисторе (46) и/или диоде (48) полупроводникового силового переключателя (44),
- крутизна (dUoff/dt, dUon/dt) временной характеристики этого напряжения (Ud),
- крутизна (dIoff/dt, dIon/dT) временной характеристики переключаемого тока (Ic) или
- временное среднее значение для одного из предшествующих параметров.
18. Способ по любому из пп. 15 и 16, в котором температура (Т) полупроводникового силового переключателя (44) определяется на основе численной модели (86) в зависимости от по меньшей мере
одного другого рабочего параметра (Ta, i(t), u(t)).
19. Способ по п. 17, в котором температура (Т) полупроводникового силового переключателя (44) определяется на основе численной модели (86) в зависимости от по меньшей мере одного другого рабочего параметра (Ta, i(t), u(t)).
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102011079552.9 | 2011-07-21 | ||
| DE102011079552.9A DE102011079552B4 (de) | 2011-07-21 | 2011-07-21 | Schaltungsanordnung zum Schalten eines Stromes und Verfahren zum Betreiben eines Halbleiter-Leistungsschalters |
| PCT/EP2012/063648 WO2013010898A1 (de) | 2011-07-21 | 2012-07-12 | Schaltungsanordnung zum schalten eines stromes und verfahren zum betreiben eines halbleiter-leistungsschalters |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014106450A true RU2014106450A (ru) | 2015-08-27 |
| RU2576578C2 RU2576578C2 (ru) | 2016-03-10 |
Family
ID=46516735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014106450/12A RU2576578C2 (ru) | 2011-07-21 | 2012-07-12 | Схемное устройство для переключения тока и способ работы полупроводникового силового переключателя |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8994438B2 (ru) |
| EP (1) | EP2735098B1 (ru) |
| CN (1) | CN103718462B (ru) |
| DE (1) | DE102011079552B4 (ru) |
| DK (1) | DK2735098T3 (ru) |
| RU (1) | RU2576578C2 (ru) |
| WO (1) | WO2013010898A1 (ru) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013216672A1 (de) * | 2013-08-22 | 2015-02-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronischer Schalter mit einem IGBT |
| US9637486B2 (en) | 2013-12-20 | 2017-05-02 | Merck Sharp & Dohme Corp. | Btk inhibitors |
| WO2015095102A1 (en) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | Merck Sharp & Dohme Corp. | Btk inhibitors |
| DE102014202610B4 (de) * | 2014-02-13 | 2025-06-05 | Robert Bosch Gmbh | Stromdetektionseinrichtung und Verfahren zum Erfassen eines elektrischen Stroms |
| DE102014202611A1 (de) * | 2014-02-13 | 2015-08-13 | Robert Bosch Gmbh | Schaltungsanordnung und Verfahren zur Strommessung |
| AT515848B1 (de) * | 2014-05-15 | 2020-09-15 | Fronius Int Gmbh | Schaltungsanordnung und Verfahren zum Ansteuern eines Halbleiterschaltelements |
| DE102015206531A1 (de) * | 2014-07-09 | 2016-01-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungselektronikschaltung und Umrichter mit einer Leistungselektronikschaltung |
| FR3029369B1 (fr) * | 2014-12-01 | 2016-12-30 | Legrand France | Appareil electronique comprenant un transistor et procede mis en oeuvre dans un tel appareil electronique |
| EP3131377A1 (de) | 2015-08-14 | 2017-02-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Phasenmodul für einen stromrichter |
| KR102636083B1 (ko) * | 2015-10-21 | 2024-02-13 | 마이크로칩 테크날러지 인코포레이티드 | 불포화 또는 단락 결함을 제어하는 SiC 및 IGBT 전력 디바이스용 게이트 드라이브 제어 시스템 |
| DE102016216508A1 (de) * | 2016-09-01 | 2018-03-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Steuern eines Halbleiterschalters in einem Schaltbetrieb |
| DE102016217494A1 (de) | 2016-09-14 | 2018-03-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Betreiben eines Stromrichters sowie danach arbeitender Stromrichter |
| EP3361638A1 (de) | 2017-02-14 | 2018-08-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Steuereinrichtung zur ansteuerung einer leistungshalbleiterkomponente sowie verfahren zur ansteuerung einer leistungshalbleiterkomponente |
| DE102017122220A1 (de) * | 2017-09-26 | 2019-03-28 | Eaton Industries (Austria) Gmbh | Schutzschalter und Verfahren zum Betreiben eines Schutzschalters |
| JP7004585B2 (ja) * | 2018-01-29 | 2022-01-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、負荷駆動システムおよびインダクタ電流の電流検出方法 |
| US10707857B2 (en) * | 2018-07-26 | 2020-07-07 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus to improve switching conditions in a closed loop system |
| FR3108212B1 (fr) * | 2020-03-13 | 2023-04-14 | Schneider Electric Ind Sas | procédé de test de coupure de courant capacitif d’un disjoncteur |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3123022A1 (de) | 1981-06-10 | 1983-01-05 | Siegfried 5657 Haan Pretzsch | Sensorschalteranordnung |
| DE69315308T2 (de) | 1992-12-04 | 1998-03-19 | Texas Instruments Inc | Halbleiterleistungsregler |
| CN1073744C (zh) * | 1996-09-19 | 2001-10-24 | 富士电机株式会社 | 断路器 |
| DE19745040C2 (de) * | 1997-02-10 | 2003-03-27 | Daimler Chrysler Ag | Anordnung und Verfahren zum Messen einer Temperatur |
| EP0859467B1 (de) | 1997-02-17 | 2002-04-17 | E.G.O. ELEKTRO-GERÄTEBAU GmbH | Berührungsschalter mit Sensortaste |
| EP1078341A4 (en) | 1999-03-05 | 2010-01-06 | Tk Holdings Inc | PROXIMITY SENSOR |
| US6476683B1 (en) * | 2000-07-25 | 2002-11-05 | Yazaki North America, Inc. | Adaptive switching speed control for pulse width modulation |
| DE10211075A1 (de) | 2002-03-13 | 2003-10-16 | Siemens Ag | Geregelte Ansteuerschaltung für einen analog angesteuerten Leistungshalbleiter |
| DE10231198A1 (de) * | 2002-07-10 | 2004-01-29 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH | Verfahren und Schaltungsanordnung zum Begrenzen einer Überspannung |
| JP2005151631A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および過電流の基準レベルのデータ設定方法 |
| US7019507B1 (en) * | 2003-11-26 | 2006-03-28 | Linear Technology Corporation | Methods and circuits for programmable current limit protection |
| DE102004020273B4 (de) | 2004-04-26 | 2008-11-27 | Continental Automotive Gmbh | Steuerung eines Betriebes eines Halbleiterschalters |
| CN101199092B (zh) * | 2005-06-13 | 2011-05-25 | 西门子公司 | 开关电路和控制断路器的方法 |
| GB2433358A (en) * | 2005-12-13 | 2007-06-20 | Bombardier Transp Gmbh | Operating electronic valves having an insulated gate |
| GB0617990D0 (en) | 2006-09-13 | 2006-10-18 | Palmer Patrick R | Control of power semiconductor devices |
| US7782038B2 (en) * | 2007-03-23 | 2010-08-24 | Fairchild Semiconductor Corporation | Soft start circuit with slew rate controller for voltage regulators |
| NO329609B1 (no) * | 2008-02-19 | 2010-11-22 | Wartsila Norway As | Elektronisk DC-kretsbryter |
| US8094426B2 (en) * | 2009-06-02 | 2012-01-10 | Eaton Corporation | Electrical switching apparatus providing coordinated opening with a circuit interrupter and method of operating the same |
-
2011
- 2011-07-21 DE DE102011079552.9A patent/DE102011079552B4/de active Active
-
2012
- 2012-07-12 EP EP12735858.8A patent/EP2735098B1/de active Active
- 2012-07-12 US US14/233,575 patent/US8994438B2/en active Active
- 2012-07-12 RU RU2014106450/12A patent/RU2576578C2/ru active
- 2012-07-12 WO PCT/EP2012/063648 patent/WO2013010898A1/de not_active Ceased
- 2012-07-12 CN CN201280035970.4A patent/CN103718462B/zh active Active
- 2012-07-12 DK DK12735858.8T patent/DK2735098T3/da active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103718462B (zh) | 2016-06-29 |
| US8994438B2 (en) | 2015-03-31 |
| CN103718462A (zh) | 2014-04-09 |
| DE102011079552B4 (de) | 2014-05-08 |
| DK2735098T3 (da) | 2021-05-31 |
| WO2013010898A1 (de) | 2013-01-24 |
| DE102011079552A1 (de) | 2013-01-24 |
| RU2576578C2 (ru) | 2016-03-10 |
| EP2735098B1 (de) | 2021-03-17 |
| EP2735098A1 (de) | 2014-05-28 |
| US20140145779A1 (en) | 2014-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2014106450A (ru) | Схемное устройство для переключения тока и способ работы полупроводникового силового переключателя | |
| TWI539712B (zh) | 無線感應式電源供應器之控制裝置及控制方法 | |
| JP6666258B2 (ja) | 動的タイミングでの多ステージゲートオフ切り替え | |
| TWI508404B (zh) | 用於防止貫通電流之切換裝置 | |
| US9490798B1 (en) | Gate drive control system for SiC and IGBT power devices | |
| JP6312177B2 (ja) | 過負荷監視装置及び過負荷監視方法 | |
| US9136199B2 (en) | Monitoring and controlling temperatures in a semiconductor structure | |
| US9413159B2 (en) | Switching circuit protector | |
| US9876461B2 (en) | Control and protection apparatus for electric motor | |
| CN104426409A (zh) | 确定时间间隔的方法、开关器件及功率变换器 | |
| JP2012178021A (ja) | 故障情報伝達装置 | |
| JP5862366B2 (ja) | 電力変換装置 | |
| CN118202567A (zh) | 高精度功率控制器 | |
| JP6349603B2 (ja) | 直流源を保護するための装置及び方法 | |
| CN105430828B (zh) | Led驱动装置 | |
| CN105322810A (zh) | 电源转换装置及其电流反馈信号异常时的保护方法 | |
| CN109120075B (zh) | 检测无线充电发送器的充电区域内物体的方法与装置 | |
| JP2012029551A (ja) | 閉ループ鉛酸バッテリー用充電器 | |
| US20090146629A1 (en) | Methods and apparatus for power supply | |
| AU2015377818B2 (en) | Electrical conversion | |
| CN103891143B (zh) | 具有半导体开关和所属控制电路的电路装置 | |
| TWI415375B (zh) | 諧振轉換器之縮減責任週期調變之方法及裝置 | |
| RU2564137C1 (ru) | Устройство для ограничения зарядного тока конденсатора нагрузки | |
| US7646619B2 (en) | Apparatus and method for controlling power converter | |
| JP2010278866A (ja) | 半導体素子の保護装置 |