[go: up one dir, main page]

RU2013139230A - Фотодетектор и устройство преобразования с повышением частоты и усилением (эп) - Google Patents

Фотодетектор и устройство преобразования с повышением частоты и усилением (эп) Download PDF

Info

Publication number
RU2013139230A
RU2013139230A RU2013139230/28A RU2013139230A RU2013139230A RU 2013139230 A RU2013139230 A RU 2013139230A RU 2013139230/28 A RU2013139230/28 A RU 2013139230/28A RU 2013139230 A RU2013139230 A RU 2013139230A RU 2013139230 A RU2013139230 A RU 2013139230A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
doped
oio
layer
aluminum
amplification according
Prior art date
Application number
RU2013139230/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Фрэнки СОУ
До Юн КИМ
Прадхан БХАБЕНДРА
Original Assignee
Юниверсити Оф Флорида Рисеч Фаундэйшн, Инк.
Нанохолдингс, Ллк
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Юниверсити Оф Флорида Рисеч Фаундэйшн, Инк., Нанохолдингс, Ллк filed Critical Юниверсити Оф Флорида Рисеч Фаундэйшн, Инк.
Publication of RU2013139230A publication Critical patent/RU2013139230A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40—Optical elements or arrangements
    • H10F77/496—Luminescent members, e.g. fluorescent sheets
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B23/00—Telescopes, e.g. binoculars; Periscopes; Instruments for viewing the inside of hollow bodies; Viewfinders; Optical aiming or sighting devices
    • G02B23/12—Telescopes, e.g. binoculars; Periscopes; Instruments for viewing the inside of hollow bodies; Viewfinders; Optical aiming or sighting devices with means for image conversion or intensification
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/12—Active materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/12—Active materials
    • H10F77/122—Active materials comprising only Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/12—Active materials
    • H10F77/124—Active materials comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/12—Active materials
    • H10F77/127—Active materials comprising only Group IV-VI or only Group II-IV-VI chalcogenide materials, e.g. PbSnTe
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H10F77/143—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies comprising quantum structures
    • H10F77/1433—Quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
    • H10K30/211—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions comprising multiple junctions, e.g. double heterojunctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K65/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element and at least one organic radiation-sensitive element, e.g. organic opto-couplers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/40—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising a p-i-n structure, e.g. having a perovskite absorber between p-type and n-type charge transport layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • H10K39/32—Organic image sensors
    • H10K39/34—Organic image sensors integrated with organic light-emitting diodes [OLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Astronomy & Astrophysics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

1. Инфракрасный фотодетектор с усилением, содержащий катод, слой активируемого ИК-излучением материала, слой умножения заряда (СУЗ) и анод, отличающийся тем, что СУЗ отделяет слой активируемого ИК-излучением материала от катода и характеризуется уровнем НСМО на ≥0,5 эВ выше, чем уровень Ферми катода в отсутствие ИК-излучения, или СУЗ отделяет слой активируемого ИК-излучением материала от анода и характеризуется уровнем ВЗМО на ≥0,5 эВ ниже, чем уровень Ферми анода в отсутствие ИК-излучения.2. Инфракрасный фотодетектор с усилением по п.1, отличающийся тем, что катод содержит Ag, Ca, Mg, легированный оловом оксид индия (ОИО), легированный цинком оксид индия (ОИЦ), легированный алюминием оксид олова (ОАО), легированный алюминием оксид цинка (ОАЦ), LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО, CsCO/ОИО, углеродные нанотрубки или серебряные нанопроволоки.3. Инфракрасный фотодетектор с усилением по п.1, отличающийся тем, что слой активируемого ИК-излучением материала содержит PCTDA, SnPc, SnPc:C, AlPcCl, AlPcCl:C, TiOPc, TiOPc:C, КП PbSe, КП PbS, PbSe, PbS, InAs, InGaAs, Si, Ge или GaAs.4. Инфракрасный фотодетектор с усилением по п.1, отличающийся тем, что СУЗ содержит нафталинтетракарбоновый ангидрид (NTCDA), 2,9-диметил-4,7-дифенил-1,10-фенантролин (ВСР), n-бис(трифенилсилил)бензол (UGH2), 4,7-дифенил-1,10-фенантролин (BPhen), трис-(8-нидроксихинолин)алюминий (Alq), 3,5′-N,N′-дикарбазолбензол (mCP), C, трис[3-(3-пиридил)мезитил]боран (3TPYMB), ZnO или TiO.5. Инфракрасный фотодетектор с усилением по п.1, отличающийся тем, что анод содержит Ag, Ca, Mg, легированный оловом оксид индия (ОИО), легированный цинком оксид индия (ОИЦ), легированный алюминием оксид олова (ОАО), легированный алюминием оксид цинка (ОАЦ), LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО, CsCO/ОИО, углеродные нанотрубки или

Claims (19)

1. Инфракрасный фотодетектор с усилением, содержащий катод, слой активируемого ИК-излучением материала, слой умножения заряда (СУЗ) и анод, отличающийся тем, что СУЗ отделяет слой активируемого ИК-излучением материала от катода и характеризуется уровнем НСМО на ≥0,5 эВ выше, чем уровень Ферми катода в отсутствие ИК-излучения, или СУЗ отделяет слой активируемого ИК-излучением материала от анода и характеризуется уровнем ВЗМО на ≥0,5 эВ ниже, чем уровень Ферми анода в отсутствие ИК-излучения.
2. Инфракрасный фотодетектор с усилением по п.1, отличающийся тем, что катод содержит Ag, Ca, Mg, легированный оловом оксид индия (ОИО), легированный цинком оксид индия (ОИЦ), легированный алюминием оксид олова (ОАО), легированный алюминием оксид цинка (ОАЦ), LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО, CsCO3/ОИО, углеродные нанотрубки или серебряные нанопроволоки.
3. Инфракрасный фотодетектор с усилением по п.1, отличающийся тем, что слой активируемого ИК-излучением материала содержит PCTDA, SnPc, SnPc:C60, AlPcCl, AlPcCl:C60, TiOPc, TiOPc:C60, КП PbSe, КП PbS, PbSe, PbS, InAs, InGaAs, Si, Ge или GaAs.
4. Инфракрасный фотодетектор с усилением по п.1, отличающийся тем, что СУЗ содержит нафталинтетракарбоновый ангидрид (NTCDA), 2,9-диметил-4,7-дифенил-1,10-фенантролин (ВСР), n-бис(трифенилсилил)бензол (UGH2), 4,7-дифенил-1,10-фенантролин (BPhen), трис-(8-нидроксихинолин)алюминий (Alq3), 3,5′-N,N′-дикарбазолбензол (mCP), C60, трис[3-(3-пиридил)мезитил]боран (3TPYMB), ZnO или TiO2.
5. Инфракрасный фотодетектор с усилением по п.1, отличающийся тем, что анод содержит Ag, Ca, Mg, легированный оловом оксид индия (ОИО), легированный цинком оксид индия (ОИЦ), легированный алюминием оксид олова (ОАО), легированный алюминием оксид цинка (ОАЦ), LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО, CsCO3/ОИО, углеродные нанотрубки или серебряные нанопроволоки.
6. Инфракрасный фотодетектор с усилением по п.1, отличающийся тем, что слой активируемого ИК-излучением материала содержит КП PbSe или КП PbS, и СУЗ содержит масляную кислоту, октиламин, этантиол, этандитиол (EDT) или бензолдитиол (BTD).
7. Инфракрасный фотодетектор с усилением по п.1, дополнительно содержащий блокирующий дырки слой, который отделяет слой активируемого ИК-излучением материала от анода.
8. Инфракрасный фотодетектор с усилением по п.7, отличающийся тем, что блокирующий дырки слой содержит 2,9-диметил-4,7-дифенил-1,10-фенантролин (ВСР), n-бис(трифенилсилил)бензол (UGH2), 4,7-дифенил-1,10-фенантролин (BPhen), трис-(8-нидроксихинолин)алюминий (Alq3), 3,5′-N,N′-дикарбазолбензол (mCP), C60, трис[3-(3-пиридил)мезитил]боран (3TPYMB), ZnO или TiO2.
9. Устройство преобразования с повышением частоты и усилением, содержащее инфракрасный фотодетектор с усилением по п.1 и органический светоизлучающий диод (ОСИД).
10. Устройство преобразования с повышением частоты и усилением по п.9, отличающееся тем, что ОСИД содержит катод, слой переноса электронов (СПЭ), светоизлучающий слой (СИС), обеспечивающий транспорт дырок слой (СТД) и анод.
11. Устройство преобразования с повышением частоты и усилением по п.10, отличающееся тем, что катод содержит Ag, Ca, Mg, легированный оловом оксид индия (ОИО), легированный цинком оксид индия (ОИЦ), легированный алюминием оксид олова (ОАО), легированный алюминием оксид цинка (ОАЦ), LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО, CsCO3/ОИО, углеродные нанотрубки или серебряные нанопроволоки.
12. Устройство преобразования с повышением частоты и усилением по п.10, отличающееся тем, что СПЭ содержит трис[3-(3-пиридил)мезитил]боран (3TPYMB), 2,9-диметил-4,7-дифенил-1,10-фенантролин (ВСР), 4,7-дифенил-1,10-фенантролин (BPhen) или трис-(8-нидроксихинолин)алюминий (Alq3).
13. Устройство преобразования с повышением частоты и усилением по п.10, отличающееся тем, что светоизлучающий слой (СИС) содержит трис-(2-фенилпиридин)иридий, Ir(ppy)3, поли-[2-метокси-5-(2′-этил-гексилокси)фениленвинилен] (MEH-PPV), трис-(8-нидроксихинолин)алюминий (Alg3) или бис-[(4,6-дифторфенил)пиридинат-N,C2`]пиколинат иридия (III) (FIrpic).
14. Устройство преобразования с повышением частоты и усилением по п.10, отличающееся тем, что СТД содержит 1,1-бис[(ди-4-толиламино)фенил]циклогексан (ТАРС), N,N′-дифенил-N,N′(2-нафтил)-(1,1′-фенил)-4,4′-диамин (NPB) или N,N′-дифенил-N,N′-ди(м-толил)бензидин (TPD).
15. Устройство преобразования с повышением частоты и усилением по п.10, отличающееся тем, что анод содержит легированный оловом оксид индия (ОИО), легированный цинком оксид индия (ОИЦ), легированный алюминием оксид олова (ОАО), легированный алюминием оксид цинка (ОАЦ), углеродные нанотрубки или серебряные нанопроволоки.
16. Устройство преобразования с повышением частоты и усилением по п.9, дополнительно содержащее коммутационный слой, отделяющий инфракрасный фото детектор с усилением по п.1 от ОСИД.
17. Устройство преобразования с повышением частоты и усилением по п.16, отличающееся тем, что коммутационный слой содержит тонкий металл или многослойный соединительный слой.
18. Устройство преобразования с повышением частоты и усилением по п.17, отличающееся тем, что тонкий металл содержит Al, Ag и Au и имеет толщину от 0,1 до 3 нм.
19. Устройство преобразования с повышением частоты и усилением по п.17, отличающееся тем, что многослойный соединительный слой содержит легированный органический слой n-типа, тонкий металлический слой и легированный органический слой p-типа, где: легированный органический слой n-типа содержит Bphen, легированный Cs2CO3, BCP, легированный Cs2CO3, ZnO, легированный Cs2CO3, Bphen, легированный Li, BCP, легированный Li, Bphen, легированный LiF, или ВСР, легированный LiF; тонкий металл содержит слой толщиной от 0,1 до 3 нм из Al, Ag или Au; и легированный органический слой p-типа содержит ТАРС, легированный MoO3, NPB, легированный MoO3, ТАРС, легированный HAT CN, или NPB, легированный HAT CN.
RU2013139230/28A 2011-02-28 2012-02-28 Фотодетектор и устройство преобразования с повышением частоты и усилением (эп) RU2013139230A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161447406P 2011-02-28 2011-02-28
US61/447,406 2011-02-28
PCT/US2012/026920 WO2013028232A1 (en) 2011-02-28 2012-02-28 Photodetector and upconversion device with gain (ec)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2013139230A true RU2013139230A (ru) 2015-04-10

Family

ID=47746746

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013139230/28A RU2013139230A (ru) 2011-02-28 2012-02-28 Фотодетектор и устройство преобразования с повышением частоты и усилением (эп)

Country Status (11)

Country Link
US (3) US8829498B2 (ru)
EP (1) EP2666191A4 (ru)
JP (1) JP6219172B2 (ru)
KR (1) KR20140025359A (ru)
CN (1) CN105742395B (ru)
AU (1) AU2012299422A1 (ru)
BR (1) BR112013021833A2 (ru)
CA (1) CA2828364A1 (ru)
RU (1) RU2013139230A (ru)
SG (1) SG192277A1 (ru)
WO (1) WO2013028232A1 (ru)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101513406B1 (ko) 2006-09-29 2015-04-17 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크. 적외선 감지 및 표시를 위한 방법 및 장치
EP2577747B1 (en) 2010-05-24 2018-10-17 University of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device
JP6219172B2 (ja) 2011-02-28 2017-10-25 ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション, インク.University Of Florida Reseatch Foundation, Inc. ゲインを有する光検出器及びアップコンバージョン装置（ｅｃ）
BR112013033122A2 (pt) 2011-06-30 2017-01-24 Nanoholdings Llc método e aparelho para detectar radiação infravermelha com ganho
CN105493295B (zh) * 2013-08-29 2019-03-29 佛罗里达大学研究基金会有限公司 来自溶液处理的无机半导体的空气稳定红外光探测器
EP3155668B1 (en) * 2014-06-16 2021-02-17 B.G. Negev Technologies & Applications Ltd., at Ben-Gurion University Swir to visible image up-conversion integrated device
WO2017039774A2 (en) 2015-06-11 2017-03-09 University Of Florida Research Foundation, Incorporated Monodisperse, ir-absorbing nanoparticles and related methods and devices
US10483325B2 (en) 2015-09-11 2019-11-19 University Of Florida Research Foundation, Incorporated Light emitting phototransistor
CA2996892A1 (en) 2015-09-11 2017-03-16 University Of Florida Research Foundation, Incorporated Vertical field-effect transistor
WO2017132568A1 (en) * 2016-01-29 2017-08-03 University Of Florida Research Foundation, Incorporated Organic light-emitting diodes comprising grating structures and light extraction layers
JP2017175714A (ja) * 2016-03-22 2017-09-28 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー 電流電圧測定システム及び電流電圧測定方法
CN108428801A (zh) * 2018-03-13 2018-08-21 华南理工大学 一种有机上转换器件
JP7163803B2 (ja) * 2019-02-01 2022-11-01 住友電気工業株式会社 半導体受光デバイス
CN110265561A (zh) * 2019-06-17 2019-09-20 深圳扑浪创新科技有限公司 一种纯量子点上转换发光器件及其制备方法
CN113690375B (zh) * 2021-08-30 2025-07-29 苏州英凡瑞得光电技术有限公司 一种硅基红外上转换器件及其制备方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11329736A (ja) * 1998-05-20 1999-11-30 Futaba Corp 光変調鏡
JP2000349365A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Futaba Corp 光電流増倍素子
JP2001006876A (ja) * 1999-06-25 2001-01-12 Futaba Corp 光−光変換素子
US20030052365A1 (en) 2001-09-18 2003-03-20 Samir Chaudhry Structure and fabrication method for capacitors integratible with vertical replacement gate transistors
US20040031965A1 (en) * 2002-08-16 2004-02-19 Forrest Stephen R. Organic photonic integrated circuit using an organic photodetector and a transparent organic light emitting device
US6869699B2 (en) * 2003-03-18 2005-03-22 Eastman Kodak Company P-type materials and mixtures for electronic devices
US7053412B2 (en) * 2003-06-27 2006-05-30 The Trustees Of Princeton University And Universal Display Corporation Grey scale bistable display
US6881502B2 (en) 2003-09-24 2005-04-19 Eastman Kodak Company Blue organic electroluminescent devices having a non-hole-blocking layer
US6972431B2 (en) * 2003-11-26 2005-12-06 Trustees Of Princeton University Multilayer organic photodetectors with improved performance
US7300731B2 (en) 2004-08-10 2007-11-27 E.I. Du Pont De Nemours And Company Spatially-doped charge transport layers
WO2007017475A1 (de) * 2005-08-08 2007-02-15 Siemens Aktiengesellschaft Organischer photodetektor mit erhöhter empfindlichkeit, sowie verwendung eines triarylmin-fluoren-polymers als zwischenschicht in einem photodetektor
EP1929531B1 (en) * 2005-08-25 2012-03-28 Edward Sargent Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity
JP2008016831A (ja) * 2006-06-09 2008-01-24 Sumitomo Chemical Co Ltd 光−光変換デバイス
KR101513406B1 (ko) * 2006-09-29 2015-04-17 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크. 적외선 감지 및 표시를 위한 방법 및 장치
US20100044676A1 (en) * 2008-04-18 2010-02-25 Invisage Technologies, Inc. Photodetectors and Photovoltaics Based on Semiconductor Nanocrystals
US7821807B2 (en) * 2008-04-17 2010-10-26 Epir Technologies, Inc. Nonequilibrium photodetectors with single carrier species barriers
JP5258037B2 (ja) * 2008-09-08 2013-08-07 国立大学法人京都大学 光電変換素子、その製造方法、及び太陽電池
WO2010120393A2 (en) * 2009-01-12 2010-10-21 The Regents Of The University Of Michigan Enhancement of organic photovoltaic cell open circuit voltage using electron/hole blocking exciton blocking layers
TWI380490B (en) 2009-05-05 2012-12-21 Univ Nat Chiao Tung Organic photosensitive photoelectric device
CA2781432A1 (en) * 2009-11-24 2011-06-03 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for sensing infrared radiation
EP2577747B1 (en) 2010-05-24 2018-10-17 University of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device
EP2643857B1 (en) * 2010-11-23 2019-03-06 University of Florida Research Foundation, Inc. Ir photodetectors with high detectivity at low drive voltage
JP6219172B2 (ja) 2011-02-28 2017-10-25 ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション, インク.University Of Florida Reseatch Foundation, Inc. ゲインを有する光検出器及びアップコンバージョン装置（ｅｃ）

Also Published As

Publication number Publication date
CN103443935A (zh) 2013-12-11
AU2012299422A1 (en) 2013-09-12
CN105742395A (zh) 2016-07-06
US20150171149A1 (en) 2015-06-18
KR20140025359A (ko) 2014-03-04
WO2013028232A1 (en) 2013-02-28
JP2014514730A (ja) 2014-06-19
JP6219172B2 (ja) 2017-10-25
US9196661B2 (en) 2015-11-24
SG192277A1 (en) 2013-09-30
WO2013028232A8 (en) 2013-09-19
US9214502B2 (en) 2015-12-15
US20140217365A1 (en) 2014-08-07
CN105742395B (zh) 2019-02-15
BR112013021833A2 (pt) 2017-03-28
CA2828364A1 (en) 2013-02-28
US20140353502A1 (en) 2014-12-04
CN103443935B (zh) 2016-03-16
EP2666191A4 (en) 2018-01-03
US8829498B2 (en) 2014-09-09
EP2666191A1 (en) 2013-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013139230A (ru) Фотодетектор и устройство преобразования с повышением частоты и усилением (эп)
US9997571B2 (en) Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device
CN100446634C (zh) 有机光电组件、用于其的电极结构及提高其操作效率方法
KR101003267B1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조 방법
CN104733631B (zh) 发光元件、发光装置、电子设备和照明装置
US20170117335A1 (en) Method and apparatus for detecting infrared radiation with gain
US20140191206A1 (en) Organic Light-Emitting Device Having Improved Efficiency Characteristics and Organic Light-Emitting Display Apparatus Including the Same
RU2013158842A (ru) Инфракрасное устройство отображения, объединяющее устройство преобразования инфракрасного излучения с повышением частоты с датчиком изображения на кмоп-структуре
Peng et al. Efficient quantum-dot light-emitting diodes with 4, 4, 4-tris (N-carbazolyl)-triphenylamine (TcTa) electron-blocking layer
RU2013139232A (ru) Устройства преобразования с повышением частоты, содержащие широкополосный поглотитель
CN103715360A (zh) 有机电致发光器件、显示装置
CN104282839A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
CN113178527B (zh) 有机电致发光器件及显示装置
KR101682714B1 (ko) 전력 재활용 유기소자 및 이의 제조 방법
CN107026238A (zh) 一种以平面异质结为光敏层的有机近红外上转换器件
CN118368961B (zh) 一种有机发光二极管
CN104183733A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
Cao et al. Inverted Hybrid Inorganic–Organic Light-Emitting Diodes With Balanced Charge Injection
Yoo et al. Enhancement of efficiencies for tandem green phosphorescent organic light-emitting devices with a p-type charge generation layer
Acharya et al. Balancing Charge Injection and Transport in Organic Light-emitting Diodes with a Transparent Conductive Tungsten Oxide Layer
Yang et al. White organic light-emitting diode fabricated with fluorescent-phosphorescent emission layers

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20150302