[go: up one dir, main page]

RU2013148840A - Способ и устройство для интегрирования инфракрасного (ик) фотоэлектрического элемента на тонкопленочный фотоэлектрический элемент - Google Patents

Способ и устройство для интегрирования инфракрасного (ик) фотоэлектрического элемента на тонкопленочный фотоэлектрический элемент Download PDF

Info

Publication number
RU2013148840A
RU2013148840A RU2013148840/28A RU2013148840A RU2013148840A RU 2013148840 A RU2013148840 A RU 2013148840A RU 2013148840/28 A RU2013148840/28 A RU 2013148840/28A RU 2013148840 A RU2013148840 A RU 2013148840A RU 2013148840 A RU2013148840 A RU 2013148840A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silver
magnesium
photovoltaic cell
alg
photovoltaic
Prior art date
Application number
RU2013148840/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Фрэнки СО
До Юнг КИМ
Бабендра К. ПРАДХАН
Original Assignee
Юниверсити Оф Флорида Рисеч Фаундэйшн, Инк.
Нанохолдингс, Ллк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Юниверсити Оф Флорида Рисеч Фаундэйшн, Инк., Нанохолдингс, Ллк. filed Critical Юниверсити Оф Флорида Рисеч Фаундэйшн, Инк.
Publication of RU2013148840A publication Critical patent/RU2013148840A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
    • H10F10/142—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers comprising multiple PN homojunctions, e.g. tandem cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
    • H10F10/161—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising multiple PN heterojunctions, e.g. tandem cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/19—Photovoltaic cells having multiple potential barriers of different types, e.g. tandem cells having both PN and PIN junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H10F77/143—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies comprising quantum structures
    • H10F77/1433—Quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H10F77/143—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies comprising quantum structures
    • H10F77/1437—Quantum wires or nanorods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
    • H10K30/57—Photovoltaic [PV] devices comprising multiple junctions, e.g. tandem PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H10K30/35—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)

Abstract

1. Панель солнечных элементов, содержащая:первый фотоэлектрический элемент, причем первый фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими первыми длинами волн, и одна или несколько первых длин волн находятся в первом диапазоне длины волн; ивторой фотоэлектрический элемент, причем второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими вторыми длинами волн, и одна или несколько вторых длин волн находятся во втором диапазоне длин волн;причем по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн находится вне первого диапазона длин волн;причем по меньшей мере одна из одной или нескольких первых длин волн находится вне второго диапазона длин волн; ипо меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн составляет по меньшей мере 0,7 мкм.2. Панель солнечных элементов по п.1, выполненная таким образом, чтобы свет, падающий на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, который проходит через первый фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода первого фотоэлектрического элемента, падал на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, а затем входил во второй фотоэлектрический элемент.3. Панель солнечных элементов по п.1, в которой второй фотоэлектрический элемент содержит слой на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащий квантовые примеси.4. Панель солнечных элементов по п.3, в которой квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.5. Панель солнечных элементов по п.2, в которой второй фо

Claims (101)

1. Панель солнечных элементов, содержащая:
первый фотоэлектрический элемент, причем первый фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими первыми длинами волн, и одна или несколько первых длин волн находятся в первом диапазоне длины волн; и
второй фотоэлектрический элемент, причем второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими вторыми длинами волн, и одна или несколько вторых длин волн находятся во втором диапазоне длин волн;
причем по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн находится вне первого диапазона длин волн;
причем по меньшей мере одна из одной или нескольких первых длин волн находится вне второго диапазона длин волн; и
по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн составляет по меньшей мере 0,7 мкм.
2. Панель солнечных элементов по п.1, выполненная таким образом, чтобы свет, падающий на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, который проходит через первый фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода первого фотоэлектрического элемента, падал на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, а затем входил во второй фотоэлектрический элемент.
3. Панель солнечных элементов по п.1, в которой второй фотоэлектрический элемент содержит слой на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащий квантовые примеси.
4. Панель солнечных элементов по п.3, в которой квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
5. Панель солнечных элементов по п.2, в которой второй фотоэлектрический элемент содержит слой на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащий квантовые примеси.
6. Панель солнечных элементов по п.5, в которой квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
7. Панель солнечных элементов по п.1, дополнительно содержащая газообразный аргон, причем первый фотоэлектрический элемент и второй фотоэлектрический элемент расположены так, чтобы, по меньшей мере, часть света, проходящего через первый фотоэлектрический элемент, проходила через газообразный аргон перед попаданием во второй фотоэлектрический элемент.
8. Панель солнечных элементов по п.1, в которой второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны от 850 до приблизительно 2000 нм.
9. Панель солнечных элементов по п.8, в которой второй фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны менее 850 нм.
10. Панель солнечных элементов по п.1, в которой первый фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны от приблизительно 400 до 850 нм.
11. Панель солнечных элементов по п.10, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 850 нм.
12. Панель солнечных элементов по п.1, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
13. Панель солнечных элементов по п.2, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
14. Панель солнечных элементов по п.3, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
15. Панель солнечных элементов по п.4, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
16. Панель солнечных элементов по п.5, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
17. Панель солнечных элементов по п.6, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
18. Панель солнечных элементов по п.1, в которой второй фотоэлектрический элемент содержит прозрачный анод и прозрачный катод.
19. Панель солнечных элементов по п.18, в которой прозрачный анод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3, причем прозрачный катод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3.
20. Панель солнечных элементов по п.19, в которой по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой магний : серебро, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной менее 30 нм и слой магний : серебро характеризуется сосоотношением состава 10:1 (магний : серебро).
21. Панель солнечных элементов по п.19, в которой по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой Alg3, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной от 0 до приблизительно 200 нм.
22. Панель солнечных элементов по п.18, в которой прозрачный анод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света, причем прозрачный катод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света.
23. Панель солнечных элементов по п.1, в которой первый фотоэлектрический элемент содержит прозрачный анод и прозрачный катод.
24. Панель солнечных элементов по п.23, в которой прозрачный анод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3, причем прозрачный катод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3.
25. Панель солнечных элементов по п.24, в которой по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой магний : серебро, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной менее 30 нм и слой магний : серебро характеризуется сосоотношением состава 10:1 (магний : серебро).
26. Панель солнечных элементов по п.24, в которой по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой Alg3, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной от 0 до приблизительно 200 нм.
27. Панель солнечных элементов по п.23, в которой прозрачный анод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света, причем прозрачный катод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света.
28. Панель солнечных элементов по п.1, в которой панель солнечных элементов сконфигурирована так, чтобы свет, падающий на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, который проходит через второй фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода второго фотоэлектрического элемента, падал на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, а затем входил в первый фотоэлектрический элемент.
29. Панель солнечных элементов по п.1, в которой первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
30. Панель солнечных элементов по п.29, в которой первый фотоэлектрический элемент содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: CIGS, CdTe, a-Si и поли-Si.
31. Панель солнечных элементов по п.1, в которой первый фотоэлектрический элемент содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: CIGS, CdTe, a-Si и поли-Si.
32. Панель солнечных элементов по п.2, в которой первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
33. Панель солнечных элементов по п.3, в которой первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
34. Панель солнечных элементов по п.4, в которой первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
35. Панель солнечных элементов по п.5, в которой первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
36. Панель солнечных элементов по п.6, в которой первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
37. Способ изготовления панели солнечных элементов, предусматривающий:
формирование первого фотоэлектрического элемента, причем первый фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими первыми длинами волн, и одна или несколько первых длин волн находятся в первом диапазоне длины волн;
формирование второго фотоэлектрического элемента, причем второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими вторыми длинами волн, и одна или несколько вторых длин волн находятся во втором диапазоне длины волн; и
соединение первого фотоэлектрического элемента и второго фотоэлектрического элемента,
причем по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн находится вне первого диапазона длин волн;
причем по меньшей мере одна из одной или нескольких первых длин волн находится вне второго диапазона длин волн; и
по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн составляет по меньшей мере 0,7 мкм.
38. Способ по п.37, в котором свет, падающий на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, который проходит через первый фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода первого фотоэлектрического элемента, падает на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, а затем входит во второй фотоэлектрический элемент.
39. Способ по п.37, дополнительно предусматривающий:
нанесение в виде покрытия второго фотоэлектрического элемента на оптически чистую пластмассовую пленку; и
наслоение оптически чистой пластмассовой пленки на первый фотоэлектрический элемент.
40. Способ по п.37, дополнительно предусматривающий:
формирование второго фотоэлектрического элемента на стеклянной подложке; и
соединение стеклянной подложки с первым фотоэлектрическим элементом.
41. Способ по п.37, в котором первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом, причем формирование второго фотоэлектрического элемента предусматривает формирование второго фотоэлектрического элемента непосредственно на первом фотоэлектрическом элементе.
42. Способ по п.37, в котором формирование второго фотоэлектрического элемента предусматривает формирование слоя на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащего квантовые примеси.
43. Способ по п.42, в котором квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
44. Способ по п.38, в котором формирование второго фотоэлектрического элемента предусматривает формирование слоя на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащего квантовые примеси.
45. Способ по п.44, в котором квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
46. Способ по п.41, в котором формирование второго фотоэлектрического элемента предусматривает формирование слоя на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащего квантовые примеси.
47. Способ по п.46, в котором квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
48. Способ по п.37, в котором второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны от приблизительно 850 до приблизительно 2000 нм.
49. Способ по п.37, в котором первый фотоэлектрический элемент является не чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
50. Способ по п.37, в котором первый фотоэлектрический элемент является не чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
51. Способ по п.38, в котором первый фотоэлектрический элемент является не чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
52. Способ по п.41, в котором первый фотоэлектрический элемент является не чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
53. Способ по п.37, в котором свет, падающий на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, который проходит через второй фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода второго фотоэлектрического элемента, падает на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, а затем входит в первый фотоэлектрический элемент.
54. Способ по п.41, в котором первый фотоэлектрический элемент содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: CIGS, CdTe, a-Si и поли-Si.
55. Способ по п.37, в котором первый фотоэлектрический элемент содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: CIGS, CdTe, a-Si и поли-Si.
56. Способ по п.37, в котором формирование второго фотоэлектрического элемента предусматривает формирование прозрачного анода и прозрачного катода.
57. Способ по п.56, в котором прозрачный анод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3, причем прозрачный катод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3.
58. Способ по п.57, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой магний : серебро, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной менее 30 нм, и слой магний : серебро характеризуется соотношением состава 10:1 (магний : серебро).
59. Способ по п.57, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой Alg3, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной от 0 до приблизительно 200 нм.
60. Способ по п.56, в котором прозрачный анод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света, причем прозрачный катод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света.
61. Способ по п.37, в котором формирование первого фотоэлектрического элемента предусматривает формирование прозрачного анода и прозрачного катода.
62. Способ по п.61, в котором прозрачный анод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3, причем прозрачный катод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3.
63. Способ по п.62, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой магний : серебро, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной менее 30 нм, и слой магний : серебро характеризуется соотношением состава 10:1 (магний : серебро).
64. Способ по п.62, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой Alg3, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной от 0 до приблизительно 200 нм.
65. Способ по п.61, в котором прозрачный анод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света, причем прозрачный катод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света.
66. Способ захвата и сохранения солнечной энергии, предусматривающий:
расположение панели солнечных элементов таким образом, чтобы солнечный свет падал на панель солнечных элементов, причем панель солнечных элементов содержит:
первый фотоэлектрический элемент, причем первый фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими первыми длинами волн, и одна или несколько первых длин волн находятся в первом диапазоне длин волн; и
второй фотоэлектрический элемент, причем второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими вторыми длинами волн, и одна или несколько вторых длин волн находятся во втором диапазоне длин волн;
причем по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн находится вне первого диапазона длин волн;
причем по меньшей мере одна из одной или нескольких первых длин волн находится вне второго диапазона длин волн; и
по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн составляет по меньшей мере 0,7 мкм.
67. Способ по п.66, в котором свет, падающий на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, который проходит через первый фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода первого фотоэлектрического элемента, падает на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, а затем входит во второй фотоэлектрический элемент.
68. Способ по п.66, в котором второй фотоэлектрический элемент содержит слой на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащий квантовые примеси.
69. Способ по п.68, в котором квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
70. Способ по п.67, в котором второй фотоэлектрический элемент содержит слой на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащий квантовые примеси.
71. Способ по п.70, в котором квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
72. Способ по п.66, в котором второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны от приблизительно 850 до приблизительно 2000 нм.
73. Способ по п.66, в котором свет, падающий на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, который проходит через второй фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода второго фотоэлектрического элемента, падает на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, а затем входит в первый фотоэлектрический элемент.
74. Способ по п.66, в котором первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
75. Способ по п.66, в котором первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
76. Способ по п.67, в котором первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
77. Способ по п.74, в котором первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
78. Способ по п.74, в котором первый фотоэлектрический элемент содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: CIGS, CdTe, a-Si и поли-Si.
79. Способ по п.66, в котором первый фотоэлектрический элемент содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: CIGS, CdTe, a-Si и поли-Si.
80. Способ по п.66, в котором второй фотоэлектрический элемент содержит прозрачный анод и прозрачный катод.
81. Способ по п.80, в котором прозрачный анод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3, причем прозрачный катод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3.
82. Способ по п.81, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой магний : серебро, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной менее 30 нм, и слой магний : серебро характеризуется соотношением состава 10:1 (магний : серебро).
83. Способ по п.81, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой Alg3, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной от 0 нм до приблизительно 200 нм.
84. Способ по п.80, в котором прозрачный анод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света, причем прозрачный катод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света.
85. Способ по п.66, в котором первый фотоэлектрический элемент содержит прозрачный анод и прозрачный катод.
86. Способ по п.85, в котором прозрачный анод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3, причем прозрачный катод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3.
87. Способ по п.86, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой магний : серебро, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной менее 30 нм, и слой магний : серебро характеризуется соотношением состава 10:1 (магний : серебро).
88. Способ по п.86, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой Alg3, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной от 0 до приблизительно 200 нм.
89. Способ по п.85, в котором прозрачный анод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света, причем прозрачный катод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света.
90. Панель солнечных элементов по п.1, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких длин волн больше 1 мкм.
91. Панель солнечных элементов по п.90, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн от 0,7 до 1 мкм.
92. Способ по п.37, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн больше 1 мкм.
93. Способ по п.92, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн от 0,7 до 1 мкм.
94. Способ по п.66, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн больше 1 мкм.
95. Способ по п.94, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн от 0,7 до 1 мкм.
96. Панель солнечных элементов по п.1, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн больше 0,85 мкм.
97. Панель солнечных элементов по п.90, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн от 0,7 до 0,85 мкм.
98. Способ по п.37, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн ябольше 0,85 мкм.
99. Способ по п.92, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн от 0,7 до 0,85 мкм.
100. Способ по п.66, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн больше 0,85 мкм.
101. Способ по п.94, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн от 0,7 до 0,85 мкм.
RU2013148840/28A 2011-04-05 2012-04-03 Способ и устройство для интегрирования инфракрасного (ик) фотоэлектрического элемента на тонкопленочный фотоэлектрический элемент RU2013148840A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161472071P 2011-04-05 2011-04-05
US61/472,071 2011-04-05
PCT/US2012/031988 WO2012138651A2 (en) 2011-04-05 2012-04-03 Method and apparatus for integrating an infrared (ir) photovoltaic cell on a thin film photovoltaic cell

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2013148840A true RU2013148840A (ru) 2015-05-10

Family

ID=46969772

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013148840/28A RU2013148840A (ru) 2011-04-05 2012-04-03 Способ и устройство для интегрирования инфракрасного (ик) фотоэлектрического элемента на тонкопленочный фотоэлектрический элемент

Country Status (12)

Country Link
US (1) US20140060613A1 (ru)
EP (1) EP2695205A4 (ru)
JP (2) JP2014511041A (ru)
KR (1) KR102058255B1 (ru)
CN (1) CN103493199B (ru)
AU (1) AU2012240386A1 (ru)
BR (1) BR112013025596A2 (ru)
CA (1) CA2832129A1 (ru)
MX (1) MX2013011598A (ru)
RU (1) RU2013148840A (ru)
SG (1) SG193600A1 (ru)
WO (1) WO2012138651A2 (ru)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101513406B1 (ko) 2006-09-29 2015-04-17 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크. 적외선 감지 및 표시를 위한 방법 및 장치
CA2800549A1 (en) 2010-05-24 2011-12-01 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device
AU2012240386A1 (en) * 2011-04-05 2013-11-07 Nanoholdings, Llc Method and apparatus for integrating an infrared (IR) photovoltaic cell on a thin film photovoltaic cell
JP6108557B2 (ja) 2011-04-05 2017-04-05 ユニバーシティー オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション, インコーポレイテッドUniversity Of Florida Research Foundation, Inc. 少なくとも部分的に透明な片面発光ｏｌｅｄ照明とｉｒ感受性の良い光起電性パネルとを備えた窓を提供するための方法及び装置
AU2012275060A1 (en) 2011-06-30 2014-01-30 Nanoholdings, Llc A method and apparatus for detecting infrared radiation with gain
EP2900409B1 (en) 2012-09-27 2019-05-22 Rhodia Operations Process for making silver nanostructures and copolymer useful in such process
CA2953397C (en) * 2014-06-27 2022-04-26 The Administrators Of The Tulane Educational Fund Infrared transmissive concentrated photovoltaics for coupling solar electric energy conversion to solar thermal energy utilization
EP3308113A4 (en) 2015-06-11 2019-03-20 University of Florida Research Foundation, Incorporated MONODISPERSES, IR ABSORBENT NANOPARTICLES AND RELATED METHODS AND DEVICES
US11909352B2 (en) 2016-03-28 2024-02-20 The Administrators Of The Tulane Educational Fund Transmissive concentrated photovoltaic module with cooling system
US10319868B2 (en) 2017-01-06 2019-06-11 Nanoclear Technologies Inc. Methods and systems to boost efficiency of solar cells
US10017384B1 (en) 2017-01-06 2018-07-10 Nanoclear Technologies Inc. Property control of multifunctional surfaces
US10121919B2 (en) 2017-01-06 2018-11-06 Nanoclear Technologies Inc. Control of surface properties by deposition of particle monolayers
DE102017209498A1 (de) * 2017-06-06 2018-12-06 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Sensorbauelement und Verfahren zum Herstellen desselben
JP6782211B2 (ja) 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
JP7589454B2 (ja) * 2020-06-17 2024-11-26 ａｒｔｉｅｎｃｅ株式会社 光電変換素子及び光電変換層形成用組成物
WO2022192570A1 (en) * 2021-03-10 2022-09-15 Atomos Nuclear and Space Corporation System and method for converting and transmitting energy

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58215081A (ja) * 1982-06-08 1983-12-14 Mitsui Toatsu Chem Inc アモルフアスシリコン太陽電池
JPS6030163A (ja) * 1983-07-28 1985-02-15 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜太陽電池モジユ−ル
JP2717583B2 (ja) * 1988-11-04 1998-02-18 キヤノン株式会社 積層型光起電力素子
US5270092A (en) * 1991-08-08 1993-12-14 The Regents, University Of California Gas filled panel insulation
JPH07122762A (ja) * 1993-10-22 1995-05-12 Asahi Chem Ind Co Ltd 薄膜光起電力装置
US5811834A (en) * 1996-01-29 1998-09-22 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Light-emitting material for organo-electroluminescence device and organo-electroluminescence device for which the light-emitting material is adapted
US5853497A (en) * 1996-12-12 1998-12-29 Hughes Electronics Corporation High efficiency multi-junction solar cells
JPH10242493A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 太陽電池
CN1237626C (zh) * 1998-08-19 2006-01-18 普林斯顿大学理事会 有机光敏光电器件
US6828045B1 (en) * 2003-06-13 2004-12-07 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element and production method thereof
US7119359B2 (en) * 2002-12-05 2006-10-10 Research Foundation Of The City University Of New York Photodetectors and optically pumped emitters based on III-nitride multiple-quantum-well structures
US20040222306A1 (en) * 2003-05-08 2004-11-11 Anthony Fajarillo Methods, systems and apparatus for displaying bonsai trees
EP1513171A1 (en) * 2003-09-05 2005-03-09 Sony International (Europe) GmbH Tandem dye-sensitised solar cell and method of its production
CA2551123A1 (en) * 2004-01-20 2005-07-28 Cyrium Technologies Incorporated Solar cell with epitaxially grown quantum dot material
JP2005277113A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 積層型太陽電池モジュール
US8115093B2 (en) * 2005-02-15 2012-02-14 General Electric Company Layer-to-layer interconnects for photoelectric devices and methods of fabricating the same
KR20070110049A (ko) * 2005-03-04 2007-11-15 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 적층형 유기태양전지
JP2009527108A (ja) * 2006-02-13 2009-07-23 ソレクサント・コーポレイション ナノ構造層を備える光起電装置
WO2007131126A2 (en) * 2006-05-03 2007-11-15 Rochester Institute Of Technology Multi-junction, photovoltaic devices with nanostructured spectral enhancements and methods thereof
US20080142075A1 (en) * 2006-12-06 2008-06-19 Solexant Corporation Nanophotovoltaic Device with Improved Quantum Efficiency
KR101479803B1 (ko) * 2007-07-23 2015-01-06 바스프 에스이 광전 탠덤 전지
CN102308393A (zh) * 2007-12-13 2012-01-04 泰克尼昂研究开发基金有限公司 包含第ⅳ-ⅵ族半导体核-壳纳米晶的光伏电池
US20100059097A1 (en) * 2008-09-08 2010-03-11 Mcdonald Mark Bifacial multijunction solar cell
JP2010067802A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Seiko Epson Corp 光電変換装置、電子機器、光電変換装置の製造方法および電子機器の製造方法
JP2010087205A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Kaneka Corp 多接合型薄膜光電変換装置
US8563850B2 (en) * 2009-03-16 2013-10-22 Stion Corporation Tandem photovoltaic cell and method using three glass substrate configuration
GB0909818D0 (en) * 2009-06-08 2009-07-22 Isis Innovation Device
WO2010142575A2 (en) * 2009-06-11 2010-12-16 Oerlikon Solar Ag, Trübbach Tandem solar cell integrated in a double insulating glass window for building integrated photovoltaic applications
WO2011033974A1 (ja) * 2009-09-18 2011-03-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 タンデム型有機光電変換素子、および太陽電池
CN101872793B (zh) * 2010-07-02 2013-06-05 福建钧石能源有限公司 叠层太阳能电池及其制造方法
AU2012240386A1 (en) * 2011-04-05 2013-11-07 Nanoholdings, Llc Method and apparatus for integrating an infrared (IR) photovoltaic cell on a thin film photovoltaic cell

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012138651A2 (en) 2012-10-11
BR112013025596A2 (pt) 2016-12-27
EP2695205A4 (en) 2014-10-08
CN103493199A (zh) 2014-01-01
AU2012240386A1 (en) 2013-11-07
JP2014511041A (ja) 2014-05-01
WO2012138651A8 (en) 2013-10-17
SG193600A1 (en) 2013-10-30
CN103493199B (zh) 2016-11-23
JP2018082194A (ja) 2018-05-24
WO2012138651A3 (en) 2012-12-27
MX2013011598A (es) 2013-12-16
US20140060613A1 (en) 2014-03-06
KR102058255B1 (ko) 2019-12-20
KR20140049518A (ko) 2014-04-25
EP2695205A2 (en) 2014-02-12
CA2832129A1 (en) 2012-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013148840A (ru) Способ и устройство для интегрирования инфракрасного (ик) фотоэлектрического элемента на тонкопленочный фотоэлектрический элемент
Zhang et al. Self-powered dual-color UV–green photodetectors based on SnO2 millimeter wire and microwires/CsPbBr3 particle heterojunctions
Ma et al. Boosted photocurrent in ferroelectric BaTiO3 materials via two dimensional planar-structured contact configurations
Inamdar et al. ZnO based visible–blind UV photodetector by spray pyrolysis
CN101651157B (zh) 具有色彩调制的太阳能电池及其制造方法
Shan et al. Improved responsivity performance of ZnO film ultraviolet photodetectors by vertical arrays ZnO nanowires with light trapping effect
Patel et al. Reactive sputtering growth of Co3O4 thin films for all metal oxide device: a semitransparent and self-powered ultraviolet photodetector
US20120073641A1 (en) Solar cell apparatus having the transparent conducting layer with the structure as a plurality of nano-level well-arranged arrays
CN104617180A (zh) 一种石墨烯/氮化硼/氧化锌紫外探测器及其制备方法
Zhou et al. Self-powered heterojunction photodetector based on thermal evaporated p-CuI and hydrothermal synthesised n-TiO2 nanorods
CN101286535A (zh) pn结MgxZn1－xO薄膜日盲区紫外探测器件
Chen et al. Photoelectrical and low-frequency noise characteristics of ZnO nanorod photodetectors prepared on flexible substrate
Kim et al. Highly transparent bidirectional transparent photovoltaics for on-site power generators
Ghosh et al. All‐Oxide Transparent Photodetector Array for Ultrafast Response through Self‐Powered Excitonic Photovoltage Operation
Mohammadi et al. High performance n-ZnO/p-metal-oxides UV detector grown in low-temperature aqueous solution bath
Wang et al. Structural, optical and flexible properties of CH3NH3PbI3 perovskite films deposited on paper substrates
Fahad et al. High-performance ZnO/CdTe/Ge/Si heterojunction photodetector for short/mid-wavelength detection
Ma et al. Ultrahigh photoresponsivity enabled by carrier multiplication in a self-powered solar-blind photodetector based on the WS2/Graphene Heterostructure
TWI415274B (zh) 半透明太陽光電膜
FR2956775A1 (fr) Modules photovoltaiques pour serre agricole et procede de fabrication de tels modules
Kumar et al. Van der Waals semiconductor embedded transparent photovoltaic for broadband optoelectronics
CN108172646A (zh) 透明光电元件以及用于制造透明光电元件的方法
Kathalingam et al. Effect of indium on photovoltaic property of n-ZnO/p-Si heterojunction device prepared using solution-synthesized ZnO nanowire film
Khaouani et al. Boosted perovskite photodetector performance using graphene as transparent electrode
Pathinti et al. Novel self-powered UV photodetectors based on nematic liquid crystal integrated with ZnO nanorods

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20150406