[go: up one dir, main page]

RU2012103666A - Фильтр для дугового источника - Google Patents

Фильтр для дугового источника Download PDF

Info

Publication number
RU2012103666A
RU2012103666A RU2012103666/05A RU2012103666A RU2012103666A RU 2012103666 A RU2012103666 A RU 2012103666A RU 2012103666/05 A RU2012103666/05 A RU 2012103666/05A RU 2012103666 A RU2012103666 A RU 2012103666A RU 2012103666 A RU2012103666 A RU 2012103666A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
cathode
channel blocks
filter
magnetic field
deposition system
Prior art date
Application number
RU2012103666/05A
Other languages
English (en)
Inventor
Клаус БРОНДУМ
Original Assignee
Вейпор Текнолоджиз Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Вейпор Текнолоджиз Инк. filed Critical Вейпор Текнолоджиз Инк.
Publication of RU2012103666A publication Critical patent/RU2012103666A/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C23C14/325Electric arc evaporation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32055Arc discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3447Collimators, shutters, apertures

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

1. Фильтр для системы дугового осаждения, содержащей удлиненный катод, анод и по меньшей мере одну подложку, характеризующийся тем, что содержит четное число канальных блоков, симметрично расположенных вокруг удлиненного катода, при этом канальные блоки определяют магнитное поле для направления плазмы и имеют преграждающий компонент для блокировки макрочастиц.2. Фильтр по п.1, в котором канальные блоки электрически смещены для отталкивания положительно заряженных ионов.3. Фильтр по п.1, характеризующийся тем, что расположен между катодом и подложкой.4. Фильтр по п.1, в котором соседние канальные блоки имеют противоположную магнитную полярность.5. Фильтр по п.1, в котором число канальных блоков является четным, от 2 до 8.6. Фильтр по п.1, в котором число канальных блоков равно четырем.7. Фильтр по п.1, в котором преграждающий компонент расположен на стороне канального блока, обращенной к катоду, таким образом, что блокируется линия прямой видимости между катодом и зоной подложки.8. Фильтр по п.1, в котором преграждающий компонент имеет положительно заряженную поверхность.9. Фильтр по п.1, в котором канальные блоки окружены магнитным полем, полученным пропусканием тока через канальные блоки, причем магнитное поле ориентировано перпендикулярно к удлиненной цилиндрической поверхности катода и имеет напряженность, позволяющую осуществлять направление плазмы.10. Фильтр для системы дугового осаждения, содержащей удлиненный катод, анод и по меньшей мере одну подложку, характеризующийся тем, что содержит четное число канальных блоков, симметрично расположенных вокруг удлиненного катода, при этом канальные блоки определяют ма�

Claims (25)

1. Фильтр для системы дугового осаждения, содержащей удлиненный катод, анод и по меньшей мере одну подложку, характеризующийся тем, что содержит четное число канальных блоков, симметрично расположенных вокруг удлиненного катода, при этом канальные блоки определяют магнитное поле для направления плазмы и имеют преграждающий компонент для блокировки макрочастиц.
2. Фильтр по п.1, в котором канальные блоки электрически смещены для отталкивания положительно заряженных ионов.
3. Фильтр по п.1, характеризующийся тем, что расположен между катодом и подложкой.
4. Фильтр по п.1, в котором соседние канальные блоки имеют противоположную магнитную полярность.
5. Фильтр по п.1, в котором число канальных блоков является четным, от 2 до 8.
6. Фильтр по п.1, в котором число канальных блоков равно четырем.
7. Фильтр по п.1, в котором преграждающий компонент расположен на стороне канального блока, обращенной к катоду, таким образом, что блокируется линия прямой видимости между катодом и зоной подложки.
8. Фильтр по п.1, в котором преграждающий компонент имеет положительно заряженную поверхность.
9. Фильтр по п.1, в котором канальные блоки окружены магнитным полем, полученным пропусканием тока через канальные блоки, причем магнитное поле ориентировано перпендикулярно к удлиненной цилиндрической поверхности катода и имеет напряженность, позволяющую осуществлять направление плазмы.
10. Фильтр для системы дугового осаждения, содержащей удлиненный катод, анод и по меньшей мере одну подложку, характеризующийся тем, что содержит четное число канальных блоков, симметрично расположенных вокруг удлиненного катода, при этом канальные блоки определяют магнитное поле для направления плазмы и электрическое смещение для отталкивания положительно заряженных ионов и имеют преграждающий компонент для блокировки макрочастиц, причем поверхность преграждающего компонента электрически положительно заряжена.
11. Фильтр по п.10, характеризующийся тем, что расположен между катодом и подложкой.
12. Фильтр по п.1, в котором соседние канальные блоки имеют противоположную магнитную полярность.
13. Фильтр по п.1, в котором число канальных блоков является четным, от 2 до 8.
14. Фильтр по п.1, в котором преграждающий компонент расположен на стороне канального блока, обращенной к катоду, таким образом, что блокируется линия прямой видимости между катодом и зоной подложки.
15. Фильтр по п.1, в котором канальные блоки окружены магнитным полем, полученным пропусканием тока через канальные блоки, причем магнитное поле ориентировано перпендикулярно к удлиненной цилиндрической поверхности катода и имеет напряженность, позволяющую осуществлять направление плазмы.
16. Система дугового осаждения, содержащая:
удлиненный катод;
зону подложек, имеющую множество подложек, размещенных вокруг катода дуги;
анод, расположенный на расстоянии от удлиненного катода дуги;
отрицательно смещенную зону подложек; и
фильтр, размещенный между катодом и подложками,
при этом фильтр содержит:
четное число канальных блоков, симметрично расположенных вокруг удлиненного катода, причем канальные блоки формируют магнитное поле для направления плазмы и имеют преграждающий компонент для блокировки макрочастиц, при этом канальные блоки, необязательно, электрически смещены для отталкивания положительно заряженных ионов.
17. Система дугового осаждения по п.16, в которой соседние канальные блоки имеют противоположную магнитную полярность.
18. Система дугового осаждения по п.16, в которой число канальных блоков является четным, от 2 до 8.
19. Система дугового осаждения по п.16, в которой преграждающий компонент расположен на стороне канального блока, обращенной к катоду, таким образом, что блокируется линия прямой видимости между катодом и зоной подложки.
20. Система дугового осаждения по п.16, в которой поверхность преграждающего компонента электрически положительно заряжена.
21. Система дугового осаждения по п.16, в которой канальные блоки окружены магнитным полем, полученным пропусканием тока через канальные блоки, причем магнитное поле ориентировано перпендикулярно к удлиненной цилиндрической поверхности катода и имеет напряженность, позволяющую осуществлять направление плазмы.
22. Система дугового осаждения по п.16, дополнительно содержащая множество постоянных магнитов для изменения магнитного поля.
23. Система дугового осаждения по п.16, в которой магнитное поле имеет переменную величину, от 0 до 200 Гаусс на поверхности катода дуги, при этом магнитное поле изменяется в направлении наименьшей переменной величины ноль - 1000 Гаусс, на заданном расстоянии от поверхности катода дуги, и продолжает снижаться в направлении зоны подложек.
24. Система дугового осаждения по п.16, в которой фильтр выполнен с возможностью функционировать без смещения барьера при низкой напряженности магнитного поля, при давлении ниже 1 мТорр, так что электроны вылетают через выходы фильтра, преобразуя систему дугового осаждения в систему электронных пучков.
25. Система дугового осаждения по п.16, в которой фильтр выполнен с возможностью функционировать при низкой напряженности магнитного поля, при давлении 1 мТорр или выше, так что убегающие электроны дуги ионизируют молекулы газа, которые проходят через выходы фильтра, преобразуя систему дугового осаждения в систему пучков ионов.
RU2012103666/05A 2011-02-03 2012-02-02 Фильтр для дугового источника RU2012103666A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/020,290 2011-02-03
US13/020,290 US20120199070A1 (en) 2011-02-03 2011-02-03 Filter for arc source

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2012103666A true RU2012103666A (ru) 2013-08-10

Family

ID=45655376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012103666/05A RU2012103666A (ru) 2011-02-03 2012-02-02 Фильтр для дугового источника

Country Status (10)

Country Link
US (1) US20120199070A1 (ru)
EP (1) EP2485242A1 (ru)
JP (1) JP2012162803A (ru)
CN (1) CN102628159A (ru)
AR (1) AR085130A1 (ru)
BR (1) BR102012002561A2 (ru)
CA (1) CA2764009A1 (ru)
CL (1) CL2012000295A1 (ru)
IN (1) IN2012DE00106A (ru)
RU (1) RU2012103666A (ru)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9761424B1 (en) 2011-09-07 2017-09-12 Nano-Product Engineering, LLC Filtered cathodic arc method, apparatus and applications thereof
US10304665B2 (en) 2011-09-07 2019-05-28 Nano-Product Engineering, LLC Reactors for plasma-assisted processes and associated methods
US10056237B2 (en) 2012-09-14 2018-08-21 Vapor Technologies, Inc. Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment
US9793098B2 (en) 2012-09-14 2017-10-17 Vapor Technologies, Inc. Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment
US9412569B2 (en) * 2012-09-14 2016-08-09 Vapor Technologies, Inc. Remote arc discharge plasma assisted processes
BR102014006170A2 (pt) 2013-03-15 2017-11-28 Vapor Technologies Inc. Vapor deposition of low pressure arc plasma immersion coating and treatment of ions.
CA2867451C (en) 2013-10-28 2021-06-29 Vapor Technologies, Inc. Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment
JP6487943B2 (ja) * 2014-05-13 2019-03-20 アルゴール アルジャバ ソシエテ アノニムArgor Aljba S.A. 真空中の陰極アーク物理蒸着(pvd)においてマクロ粒子をフィルタリングする方法
KR101766204B1 (ko) * 2015-10-30 2017-08-10 한국생산기술연구원 스크린을 포함하는 아크 이온 플레이팅 장치
EP3263737B1 (en) * 2016-06-29 2019-06-12 Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon Vacuum coating chamber and method for filtering macroparticles during cathodic arc evaporation
US11834204B1 (en) 2018-04-05 2023-12-05 Nano-Product Engineering, LLC Sources for plasma assisted electric propulsion
JP7278174B2 (ja) * 2019-08-23 2023-05-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ溶射装置及びプラズマ溶射方法
CN111074215B (zh) * 2019-12-27 2021-07-02 季华实验室 一种新型阴极电弧的颗粒过滤器
CN111185325B (zh) * 2020-03-11 2024-12-20 基迈克材料科技(苏州)有限公司 工件喷涂装置
CN114481045A (zh) * 2021-12-22 2022-05-13 昆山浦元真空技术工程有限公司 电弧靶阳极辉光真空镀膜工艺及其所用的设备

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5269898A (en) 1991-03-20 1993-12-14 Vapor Technologies, Inc. Apparatus and method for coating a substrate using vacuum arc evaporation
DE4123274C2 (de) * 1991-07-13 1996-12-19 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Bauteilen bzw. Formteilen durch Kathodenzerstäubung
US5997705A (en) 1999-04-14 1999-12-07 Vapor Technologies, Inc. Rectangular filtered arc plasma source
EP1456432A1 (en) * 2001-11-15 2004-09-15 Ionic Fusion Corporation Ionic plasma deposition apparatus
US7883633B2 (en) * 2003-02-14 2011-02-08 Applied Materials, Inc. Method for shaping a magnetic field in a magnetic field-enhanced plasma reactor
US7498587B2 (en) 2006-05-01 2009-03-03 Vapor Technologies, Inc. Bi-directional filtered arc plasma source

Also Published As

Publication number Publication date
CN102628159A (zh) 2012-08-08
US20120199070A1 (en) 2012-08-09
AR085130A1 (es) 2013-09-11
BR102012002561A2 (pt) 2013-07-23
IN2012DE00106A (ru) 2015-05-08
JP2012162803A (ja) 2012-08-30
CL2012000295A1 (es) 2012-07-06
EP2485242A1 (en) 2012-08-08
CA2764009A1 (en) 2012-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012103666A (ru) Фильтр для дугового источника
US10134557B2 (en) Linear anode layer slit ion source
KR101385678B1 (ko) 라디칼 선택 장치 및 기판 처리 장치
US10068758B2 (en) Ion mass separation using RF extraction
WO2005038857A2 (en) Filtered cathodic arc plasma source
EP2485571B1 (en) High-current single-ended DC accelerator
US20170298500A1 (en) Target sputtering device and method for sputtering target
KR101495424B1 (ko) 이온 빔 소스
EP2562786B1 (en) Ion pump system
CN1741936A (zh) 离子加速器装置
JP5477868B2 (ja) マグネトロン型スパッタ装置
RU2601903C2 (ru) Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления
KR101403101B1 (ko) 선형 이온빔 발생장치
EP2485241B1 (en) Post cathode physical vapor deposition system and magnet array for use within a post cathode
US20100230274A1 (en) Minimizing magnetron substrate interaction in large area sputter coating equipment
KR101921139B1 (ko) 이온 빔 발생 장치
JP6511813B2 (ja) プラズマ処理電極およびcvd電極
US9198274B2 (en) Ion control for a plasma source
KR20140128140A (ko) 이온 소스 및 이를 갖는 이온빔 처리 장치
US20160064191A1 (en) Ion control for a plasma source
US20160225466A1 (en) Plasma processing reactor with a magnetic electron-blocking filter external of the chamber and uniform field within the chamber
RU153424U1 (ru) Катод-мишень с внешним магнитным блоком
EP2867916A1 (en) Apparatus for coating a layer of sputtered material on a substrate and deposition system
KR20150050070A (ko) 경사진 이온 소스, 이를 갖는 이온빔 처리 장치 및 이온빔 스퍼터링 장치
KR20110120892A (ko) 동심형 중공 음극 마그네트론 스퍼터 소스

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20150203