RU2012103666A - Фильтр для дугового источника - Google Patents
Фильтр для дугового источника Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012103666A RU2012103666A RU2012103666/05A RU2012103666A RU2012103666A RU 2012103666 A RU2012103666 A RU 2012103666A RU 2012103666/05 A RU2012103666/05 A RU 2012103666/05A RU 2012103666 A RU2012103666 A RU 2012103666A RU 2012103666 A RU2012103666 A RU 2012103666A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- cathode
- channel blocks
- filter
- magnetic field
- deposition system
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
1. Фильтр для системы дугового осаждения, содержащей удлиненный катод, анод и по меньшей мере одну подложку, характеризующийся тем, что содержит четное число канальных блоков, симметрично расположенных вокруг удлиненного катода, при этом канальные блоки определяют магнитное поле для направления плазмы и имеют преграждающий компонент для блокировки макрочастиц.2. Фильтр по п.1, в котором канальные блоки электрически смещены для отталкивания положительно заряженных ионов.3. Фильтр по п.1, характеризующийся тем, что расположен между катодом и подложкой.4. Фильтр по п.1, в котором соседние канальные блоки имеют противоположную магнитную полярность.5. Фильтр по п.1, в котором число канальных блоков является четным, от 2 до 8.6. Фильтр по п.1, в котором число канальных блоков равно четырем.7. Фильтр по п.1, в котором преграждающий компонент расположен на стороне канального блока, обращенной к катоду, таким образом, что блокируется линия прямой видимости между катодом и зоной подложки.8. Фильтр по п.1, в котором преграждающий компонент имеет положительно заряженную поверхность.9. Фильтр по п.1, в котором канальные блоки окружены магнитным полем, полученным пропусканием тока через канальные блоки, причем магнитное поле ориентировано перпендикулярно к удлиненной цилиндрической поверхности катода и имеет напряженность, позволяющую осуществлять направление плазмы.10. Фильтр для системы дугового осаждения, содержащей удлиненный катод, анод и по меньшей мере одну подложку, характеризующийся тем, что содержит четное число канальных блоков, симметрично расположенных вокруг удлиненного катода, при этом канальные блоки определяют ма�
Claims (25)
1. Фильтр для системы дугового осаждения, содержащей удлиненный катод, анод и по меньшей мере одну подложку, характеризующийся тем, что содержит четное число канальных блоков, симметрично расположенных вокруг удлиненного катода, при этом канальные блоки определяют магнитное поле для направления плазмы и имеют преграждающий компонент для блокировки макрочастиц.
2. Фильтр по п.1, в котором канальные блоки электрически смещены для отталкивания положительно заряженных ионов.
3. Фильтр по п.1, характеризующийся тем, что расположен между катодом и подложкой.
4. Фильтр по п.1, в котором соседние канальные блоки имеют противоположную магнитную полярность.
5. Фильтр по п.1, в котором число канальных блоков является четным, от 2 до 8.
6. Фильтр по п.1, в котором число канальных блоков равно четырем.
7. Фильтр по п.1, в котором преграждающий компонент расположен на стороне канального блока, обращенной к катоду, таким образом, что блокируется линия прямой видимости между катодом и зоной подложки.
8. Фильтр по п.1, в котором преграждающий компонент имеет положительно заряженную поверхность.
9. Фильтр по п.1, в котором канальные блоки окружены магнитным полем, полученным пропусканием тока через канальные блоки, причем магнитное поле ориентировано перпендикулярно к удлиненной цилиндрической поверхности катода и имеет напряженность, позволяющую осуществлять направление плазмы.
10. Фильтр для системы дугового осаждения, содержащей удлиненный катод, анод и по меньшей мере одну подложку, характеризующийся тем, что содержит четное число канальных блоков, симметрично расположенных вокруг удлиненного катода, при этом канальные блоки определяют магнитное поле для направления плазмы и электрическое смещение для отталкивания положительно заряженных ионов и имеют преграждающий компонент для блокировки макрочастиц, причем поверхность преграждающего компонента электрически положительно заряжена.
11. Фильтр по п.10, характеризующийся тем, что расположен между катодом и подложкой.
12. Фильтр по п.1, в котором соседние канальные блоки имеют противоположную магнитную полярность.
13. Фильтр по п.1, в котором число канальных блоков является четным, от 2 до 8.
14. Фильтр по п.1, в котором преграждающий компонент расположен на стороне канального блока, обращенной к катоду, таким образом, что блокируется линия прямой видимости между катодом и зоной подложки.
15. Фильтр по п.1, в котором канальные блоки окружены магнитным полем, полученным пропусканием тока через канальные блоки, причем магнитное поле ориентировано перпендикулярно к удлиненной цилиндрической поверхности катода и имеет напряженность, позволяющую осуществлять направление плазмы.
16. Система дугового осаждения, содержащая:
удлиненный катод;
зону подложек, имеющую множество подложек, размещенных вокруг катода дуги;
анод, расположенный на расстоянии от удлиненного катода дуги;
отрицательно смещенную зону подложек; и
фильтр, размещенный между катодом и подложками,
при этом фильтр содержит:
четное число канальных блоков, симметрично расположенных вокруг удлиненного катода, причем канальные блоки формируют магнитное поле для направления плазмы и имеют преграждающий компонент для блокировки макрочастиц, при этом канальные блоки, необязательно, электрически смещены для отталкивания положительно заряженных ионов.
17. Система дугового осаждения по п.16, в которой соседние канальные блоки имеют противоположную магнитную полярность.
18. Система дугового осаждения по п.16, в которой число канальных блоков является четным, от 2 до 8.
19. Система дугового осаждения по п.16, в которой преграждающий компонент расположен на стороне канального блока, обращенной к катоду, таким образом, что блокируется линия прямой видимости между катодом и зоной подложки.
20. Система дугового осаждения по п.16, в которой поверхность преграждающего компонента электрически положительно заряжена.
21. Система дугового осаждения по п.16, в которой канальные блоки окружены магнитным полем, полученным пропусканием тока через канальные блоки, причем магнитное поле ориентировано перпендикулярно к удлиненной цилиндрической поверхности катода и имеет напряженность, позволяющую осуществлять направление плазмы.
22. Система дугового осаждения по п.16, дополнительно содержащая множество постоянных магнитов для изменения магнитного поля.
23. Система дугового осаждения по п.16, в которой магнитное поле имеет переменную величину, от 0 до 200 Гаусс на поверхности катода дуги, при этом магнитное поле изменяется в направлении наименьшей переменной величины ноль - 1000 Гаусс, на заданном расстоянии от поверхности катода дуги, и продолжает снижаться в направлении зоны подложек.
24. Система дугового осаждения по п.16, в которой фильтр выполнен с возможностью функционировать без смещения барьера при низкой напряженности магнитного поля, при давлении ниже 1 мТорр, так что электроны вылетают через выходы фильтра, преобразуя систему дугового осаждения в систему электронных пучков.
25. Система дугового осаждения по п.16, в которой фильтр выполнен с возможностью функционировать при низкой напряженности магнитного поля, при давлении 1 мТорр или выше, так что убегающие электроны дуги ионизируют молекулы газа, которые проходят через выходы фильтра, преобразуя систему дугового осаждения в систему пучков ионов.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/020,290 | 2011-02-03 | ||
| US13/020,290 US20120199070A1 (en) | 2011-02-03 | 2011-02-03 | Filter for arc source |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012103666A true RU2012103666A (ru) | 2013-08-10 |
Family
ID=45655376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012103666/05A RU2012103666A (ru) | 2011-02-03 | 2012-02-02 | Фильтр для дугового источника |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120199070A1 (ru) |
| EP (1) | EP2485242A1 (ru) |
| JP (1) | JP2012162803A (ru) |
| CN (1) | CN102628159A (ru) |
| AR (1) | AR085130A1 (ru) |
| BR (1) | BR102012002561A2 (ru) |
| CA (1) | CA2764009A1 (ru) |
| CL (1) | CL2012000295A1 (ru) |
| IN (1) | IN2012DE00106A (ru) |
| RU (1) | RU2012103666A (ru) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9761424B1 (en) | 2011-09-07 | 2017-09-12 | Nano-Product Engineering, LLC | Filtered cathodic arc method, apparatus and applications thereof |
| US10304665B2 (en) | 2011-09-07 | 2019-05-28 | Nano-Product Engineering, LLC | Reactors for plasma-assisted processes and associated methods |
| US10056237B2 (en) | 2012-09-14 | 2018-08-21 | Vapor Technologies, Inc. | Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment |
| US9793098B2 (en) | 2012-09-14 | 2017-10-17 | Vapor Technologies, Inc. | Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment |
| US9412569B2 (en) * | 2012-09-14 | 2016-08-09 | Vapor Technologies, Inc. | Remote arc discharge plasma assisted processes |
| BR102014006170A2 (pt) | 2013-03-15 | 2017-11-28 | Vapor Technologies Inc. | Vapor deposition of low pressure arc plasma immersion coating and treatment of ions. |
| CA2867451C (en) | 2013-10-28 | 2021-06-29 | Vapor Technologies, Inc. | Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment |
| JP6487943B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2019-03-20 | アルゴール アルジャバ ソシエテ アノニムArgor Aljba S.A. | 真空中の陰極アーク物理蒸着(pvd)においてマクロ粒子をフィルタリングする方法 |
| KR101766204B1 (ko) * | 2015-10-30 | 2017-08-10 | 한국생산기술연구원 | 스크린을 포함하는 아크 이온 플레이팅 장치 |
| EP3263737B1 (en) * | 2016-06-29 | 2019-06-12 | Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon | Vacuum coating chamber and method for filtering macroparticles during cathodic arc evaporation |
| US11834204B1 (en) | 2018-04-05 | 2023-12-05 | Nano-Product Engineering, LLC | Sources for plasma assisted electric propulsion |
| JP7278174B2 (ja) * | 2019-08-23 | 2023-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ溶射装置及びプラズマ溶射方法 |
| CN111074215B (zh) * | 2019-12-27 | 2021-07-02 | 季华实验室 | 一种新型阴极电弧的颗粒过滤器 |
| CN111185325B (zh) * | 2020-03-11 | 2024-12-20 | 基迈克材料科技(苏州)有限公司 | 工件喷涂装置 |
| CN114481045A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-05-13 | 昆山浦元真空技术工程有限公司 | 电弧靶阳极辉光真空镀膜工艺及其所用的设备 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5269898A (en) | 1991-03-20 | 1993-12-14 | Vapor Technologies, Inc. | Apparatus and method for coating a substrate using vacuum arc evaporation |
| DE4123274C2 (de) * | 1991-07-13 | 1996-12-19 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten von Bauteilen bzw. Formteilen durch Kathodenzerstäubung |
| US5997705A (en) | 1999-04-14 | 1999-12-07 | Vapor Technologies, Inc. | Rectangular filtered arc plasma source |
| EP1456432A1 (en) * | 2001-11-15 | 2004-09-15 | Ionic Fusion Corporation | Ionic plasma deposition apparatus |
| US7883633B2 (en) * | 2003-02-14 | 2011-02-08 | Applied Materials, Inc. | Method for shaping a magnetic field in a magnetic field-enhanced plasma reactor |
| US7498587B2 (en) | 2006-05-01 | 2009-03-03 | Vapor Technologies, Inc. | Bi-directional filtered arc plasma source |
-
2011
- 2011-02-03 US US13/020,290 patent/US20120199070A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-01-11 IN IN106DE2012 patent/IN2012DE00106A/en unknown
- 2012-01-25 CA CA2764009A patent/CA2764009A1/en not_active Abandoned
- 2012-02-01 CN CN2012100224376A patent/CN102628159A/zh active Pending
- 2012-02-02 RU RU2012103666/05A patent/RU2012103666A/ru not_active Application Discontinuation
- 2012-02-02 JP JP2012020522A patent/JP2012162803A/ja active Pending
- 2012-02-03 EP EP12153870A patent/EP2485242A1/en not_active Withdrawn
- 2012-02-03 AR ARP120100355A patent/AR085130A1/es not_active Application Discontinuation
- 2012-02-03 BR BRBR102012002561-2A patent/BR102012002561A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2012-02-03 CL CL2012000295A patent/CL2012000295A1/es unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102628159A (zh) | 2012-08-08 |
| US20120199070A1 (en) | 2012-08-09 |
| AR085130A1 (es) | 2013-09-11 |
| BR102012002561A2 (pt) | 2013-07-23 |
| IN2012DE00106A (ru) | 2015-05-08 |
| JP2012162803A (ja) | 2012-08-30 |
| CL2012000295A1 (es) | 2012-07-06 |
| EP2485242A1 (en) | 2012-08-08 |
| CA2764009A1 (en) | 2012-08-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012103666A (ru) | Фильтр для дугового источника | |
| US10134557B2 (en) | Linear anode layer slit ion source | |
| KR101385678B1 (ko) | 라디칼 선택 장치 및 기판 처리 장치 | |
| US10068758B2 (en) | Ion mass separation using RF extraction | |
| WO2005038857A2 (en) | Filtered cathodic arc plasma source | |
| EP2485571B1 (en) | High-current single-ended DC accelerator | |
| US20170298500A1 (en) | Target sputtering device and method for sputtering target | |
| KR101495424B1 (ko) | 이온 빔 소스 | |
| EP2562786B1 (en) | Ion pump system | |
| CN1741936A (zh) | 离子加速器装置 | |
| JP5477868B2 (ja) | マグネトロン型スパッタ装置 | |
| RU2601903C2 (ru) | Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления | |
| KR101403101B1 (ko) | 선형 이온빔 발생장치 | |
| EP2485241B1 (en) | Post cathode physical vapor deposition system and magnet array for use within a post cathode | |
| US20100230274A1 (en) | Minimizing magnetron substrate interaction in large area sputter coating equipment | |
| KR101921139B1 (ko) | 이온 빔 발생 장치 | |
| JP6511813B2 (ja) | プラズマ処理電極およびcvd電極 | |
| US9198274B2 (en) | Ion control for a plasma source | |
| KR20140128140A (ko) | 이온 소스 및 이를 갖는 이온빔 처리 장치 | |
| US20160064191A1 (en) | Ion control for a plasma source | |
| US20160225466A1 (en) | Plasma processing reactor with a magnetic electron-blocking filter external of the chamber and uniform field within the chamber | |
| RU153424U1 (ru) | Катод-мишень с внешним магнитным блоком | |
| EP2867916A1 (en) | Apparatus for coating a layer of sputtered material on a substrate and deposition system | |
| KR20150050070A (ko) | 경사진 이온 소스, 이를 갖는 이온빔 처리 장치 및 이온빔 스퍼터링 장치 | |
| KR20110120892A (ko) | 동심형 중공 음극 마그네트론 스퍼터 소스 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20150203 |