RU2012101798A - Светоизлучающие диоды - Google Patents
Светоизлучающие диоды Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012101798A RU2012101798A RU2012101798/28A RU2012101798A RU2012101798A RU 2012101798 A RU2012101798 A RU 2012101798A RU 2012101798/28 A RU2012101798/28 A RU 2012101798/28A RU 2012101798 A RU2012101798 A RU 2012101798A RU 2012101798 A RU2012101798 A RU 2012101798A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gap
- layer
- metal
- mixture
- columns
- Prior art date
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 9
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/813—Bodies having a plurality of light-emitting regions, e.g. multi-junction LEDs or light-emitting devices having photoluminescent regions within the bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
- H10H20/8516—Wavelength conversion means having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer or wavelength conversion layer with a concentration gradient
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
1. Светоизлучающее устройство, включающее в себя:первый и второй полупроводниковые слои и излучающий слой между полупроводниковыми слоями, расположенные таким образом, чтобы формировать светоизлучающий диод;промежуток в одном из слоев; иметалл, расположенный в промежутке достаточно близко к излучающему слою для возникновения связи поверхностного плазмона между металлом и излучающим слоем.2. Устройство по п.1, включающее в себя смесь, сформированную из металла, которая представляет собой частицы металла и материал-основу, причем смесь расположена в промежутке.3. Устройство по п.2, в котором материал-основа включает в себя материал, преобразующий длину волны.4. Устройство по любому из предыдущих пунктов, в котором металл или смесь расположен непосредственно рядом с поверхностью промежутка.5. Устройство по любому из пп.1-3, в котором промежуток проходит частично, но не полностью через второй полупроводниковый слой в направлении излучающего слоя.6. Устройство по любому из пп.1-3, в котором промежуток проходит через второй полупроводниковый слой, и часть промежутка ограничена поверхностью излучающего слоя.7. Устройство по п.6, в котором металл или смесь расположен в промежутке непосредственно рядом с поверхностью излучающего слоя.8. Устройство по п.6, в котором слой, содержащий металл, контактирует с указанной поверхностью излучающего слоя.9. Устройство по п.7 или 8, в котором промежуток проходит через излучающий слой и часть промежутка ограничена поверхностью первого полупроводникового слоя.10. Устройство по любому из пп.1-3, в котором первый полупроводниковый слой сформирован на подложке.11. Устройство по любому из пп.1-3,
Claims (30)
1. Светоизлучающее устройство, включающее в себя:
первый и второй полупроводниковые слои и излучающий слой между полупроводниковыми слоями, расположенные таким образом, чтобы формировать светоизлучающий диод;
промежуток в одном из слоев; и
металл, расположенный в промежутке достаточно близко к излучающему слою для возникновения связи поверхностного плазмона между металлом и излучающим слоем.
2. Устройство по п.1, включающее в себя смесь, сформированную из металла, которая представляет собой частицы металла и материал-основу, причем смесь расположена в промежутке.
3. Устройство по п.2, в котором материал-основа включает в себя материал, преобразующий длину волны.
4. Устройство по любому из предыдущих пунктов, в котором металл или смесь расположен непосредственно рядом с поверхностью промежутка.
5. Устройство по любому из пп.1-3, в котором промежуток проходит частично, но не полностью через второй полупроводниковый слой в направлении излучающего слоя.
6. Устройство по любому из пп.1-3, в котором промежуток проходит через второй полупроводниковый слой, и часть промежутка ограничена поверхностью излучающего слоя.
7. Устройство по п.6, в котором металл или смесь расположен в промежутке непосредственно рядом с поверхностью излучающего слоя.
8. Устройство по п.6, в котором слой, содержащий металл, контактирует с указанной поверхностью излучающего слоя.
9. Устройство по п.7 или 8, в котором промежуток проходит через излучающий слой и часть промежутка ограничена поверхностью первого полупроводникового слоя.
10. Устройство по любому из пп.1-3, в котором первый полупроводниковый слой сформирован на подложке.
11. Устройство по любому из пп.1-3, также включающее в себя контактный слой, расположенный рядом и находящийся в электрическом контакте со вторым полупроводниковым слоем таким образом, чтобы он закрывал, по крайней мере, часть промежутка.
12. Устройство по любому из пп.1-3, в котором столбики формируются, по крайней мере, из одного из слоев посредством промежутка, формирующегося между столбиками.
13. Устройство по п.12, в котором среднее наименьшее расстояние между двумя соседними столбиками, измеренное между соответствующими сторонами двух соседних столбиков, меньше 500 нм и, предпочтительно, меньше 200 нм.
14. Устройство по любому из пп.1-3, включающее в себя множество указанных промежутков, которые отделены друг от друга таким образом, что металл или смесь представляют собой столбики.
15. Устройство по п.14, в котором средний диаметр столбиков меньше 500 нм и, предпочтительно, меньше 200 нм.
16. Способ производства светоизлучающего устройства, включающий в себя:
формирование первого и второго полупроводниковых слоев и излучающего слоя между полупроводниковыми слоями;
формирование промежутка в одном из слоев;
помещение металла в промежуток достаточно близко к излучающему слою для возникновения связи поверхностного плазмона между металлом и излучающим слоем.
17. Способ по п.16, включающий в себя:
формирование смеси из металла, которая представляет собой частицы металла и материал-основу; и
расположение смеси в промежутке и достаточно близко к излучающему слою для образования связи поверхностного плазмона между частицами металла и излучающим слоем.
18. Способ по п.17, в котором материал-основа включает в себя материал, преобразующий длину волны.
19. Способ по любому из пп.16-18, в котором металл или смесь расположен непосредственно рядом с поверхностью промежутка.
20. Способ по любому из пп.16-18, в котором промежуток проходит частично, но не полностью через второй полупроводниковый слой в направлении излучающего слоя.
21. Способ по любому из пп.16-18, в котором промежуток сформирован проходящим через второй полупроводниковый слой, и часть промежутка ограничена поверхностью излучающего слоя.
22. Способ по п.21, в котором металл или смесь расположен в промежутке непосредственно рядом с указанной поверхностью излучающего слоя.
23. Способ по п.22, в котором слой, содержащий металл, контактирует с указанной поверхностью излучающего слоя.
24. Способ по п.22 или п.23, в котором промежуток сформирован проходящим через излучающий слой, и часть промежутка ограничена поверхностью первого полупроводникового слоя.
25. Способ по любому из пп.16-18, в котором первый полупроводниковый слой сформирован на подложке.
26. Способ по любому из пп.16-18, дополнительно включающий в себя формирование контактного слоя, расположенного рядом и находящегося в электрическом контакте со вторым полупроводниковым слоем таким образом, чтобы он закрывал, по крайней мере, часть промежутка.
27. Способ по любому из пп.16-18, в котором столбики формируются, по крайней мере, из одного из слоев посредством промежутка, формирующегося между столбиками.
28. Способ по п.27, в котором столбики формируются таким образом, что среднее наименьшее расстояние между двумя соседними столбиками, измеренное между соответствующими сторонами двух соседних столбиков, меньше 500 нм и, предпочтительно, меньше 200 нм.
29. Способ по любому из пп.16-18, включающий в себя формирование множества указанных промежутков, которые отделены друг от друга таким образом, что металл или смесь представляют собой столбики.
30. Способ по п.29, в котором средний диаметр столбиков меньше 500 нм и, предпочтительно, меньше 200 нм.
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB0910619A GB0910619D0 (en) | 2009-06-19 | 2009-06-19 | Light emitting diodes |
| GB0910619.6 | 2009-06-19 | ||
| GB0917794A GB0917794D0 (en) | 2009-10-12 | 2009-10-12 | Light emitting diodes |
| GB0917794.0 | 2009-10-12 | ||
| GBGB1005582.0A GB201005582D0 (en) | 2010-04-01 | 2010-04-01 | Light emitting diodes |
| GB1005582.0 | 2010-04-01 | ||
| PCT/GB2010/050992 WO2010146390A2 (en) | 2009-06-19 | 2010-06-14 | Light emitting diodes |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012101798A true RU2012101798A (ru) | 2013-07-27 |
Family
ID=42988259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012101798/28A RU2012101798A (ru) | 2009-06-19 | 2010-06-14 | Светоизлучающие диоды |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120161185A1 (ru) |
| EP (1) | EP2443675A2 (ru) |
| JP (1) | JP2012530373A (ru) |
| CN (1) | CN102804424A (ru) |
| GB (1) | GB2483388B (ru) |
| RU (1) | RU2012101798A (ru) |
| WO (1) | WO2010146390A2 (ru) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102010051286A1 (de) * | 2010-11-12 | 2012-05-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
| GB2487917B (en) * | 2011-02-08 | 2015-03-18 | Seren Photonics Ltd | Semiconductor devices and fabrication methods |
| US9276380B2 (en) * | 2011-10-02 | 2016-03-01 | Keh-Yung Cheng | Spontaneous and stimulated emission control using quantum-structure lattice arrays |
| WO2013109908A1 (en) * | 2012-01-18 | 2013-07-25 | The Penn State Research Foundation | Application of semiconductor quantum dot phosphors in nanopillar light emitting diodes |
| KR101373398B1 (ko) | 2012-04-18 | 2014-04-29 | 서울바이오시스 주식회사 | 고효율 발광다이오드 제조방법 |
| TWI478382B (zh) | 2012-06-26 | 2015-03-21 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體及其製造方法 |
| DE102013100291B4 (de) * | 2013-01-11 | 2021-08-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| DE102013200509A1 (de) | 2013-01-15 | 2014-07-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| CN103227254B (zh) * | 2013-04-11 | 2015-05-27 | 西安交通大学 | 一种含左手材料的led光子晶体及制备方法 |
| GB2522406A (en) * | 2014-01-13 | 2015-07-29 | Seren Photonics Ltd | Semiconductor devices and fabrication methods |
| KR102406473B1 (ko) * | 2014-05-27 | 2022-06-10 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 플라즈몬 조명 장치에서의 광자 이미터의 공간 포지셔닝 |
| CN111052418A (zh) * | 2017-07-31 | 2020-04-21 | 耶鲁大学 | 纳米多孔微led器件及其制造方法 |
| DE102019103492A1 (de) * | 2019-02-12 | 2020-08-13 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches bauelement |
| US11699775B2 (en) | 2020-01-22 | 2023-07-11 | Samsung Electronics Co.. Ltd. | Semiconductor LED and method of manufacturing the same |
| KR102871497B1 (ko) | 2020-01-22 | 2025-10-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
| KR102797522B1 (ko) | 2020-02-12 | 2025-04-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| FR3115930B1 (fr) * | 2020-10-29 | 2024-03-22 | Commissariat Energie Atomique | Diode électroluminescente à structure de contact tridimensionnelle, écran d’affichage et procédé de fabrication associé |
| KR102653097B1 (ko) * | 2021-02-19 | 2024-04-02 | 고려대학교 산학협력단 | 금속 나노입자가 적용된 나노홀을 포함하는 발광소자 및 이의 제조 방법 |
| CN117080342B (zh) * | 2023-10-18 | 2024-01-19 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种发光二极管芯片及其制备方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0442002B1 (de) * | 1990-02-13 | 1994-01-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Strahlungserzeugendes Halbleiterbauelement |
| JP4193471B2 (ja) * | 2001-12-14 | 2008-12-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| US7524686B2 (en) * | 2005-01-11 | 2009-04-28 | Semileds Corporation | Method of making light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening |
| CN1967901A (zh) * | 2005-11-18 | 2007-05-23 | 精工电子有限公司 | 电致发光元件及使用该电致发光元件的显示装置 |
| JP2007214260A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US20100259184A1 (en) * | 2006-02-24 | 2010-10-14 | Ryou Kato | Light-emitting device |
| WO2008066712A2 (en) * | 2006-11-15 | 2008-06-05 | The Regents Of The University Of California | High light extraction efficiency light emitting diode (led) with emitters within structured materials |
| KR100896583B1 (ko) * | 2007-02-16 | 2009-05-07 | 삼성전기주식회사 | 표면 플라즈몬 공명을 이용한 반도체 발광 소자 제조방법 |
| US8080480B2 (en) * | 2007-09-28 | 2011-12-20 | Samsung Led Co., Ltd. | Method of forming fine patterns and manufacturing semiconductor light emitting device using the same |
-
2010
- 2010-06-14 US US13/379,260 patent/US20120161185A1/en not_active Abandoned
- 2010-06-14 RU RU2012101798/28A patent/RU2012101798A/ru not_active Application Discontinuation
- 2010-06-14 WO PCT/GB2010/050992 patent/WO2010146390A2/en not_active Ceased
- 2010-06-14 JP JP2012515562A patent/JP2012530373A/ja active Pending
- 2010-06-14 EP EP10731785A patent/EP2443675A2/en not_active Withdrawn
- 2010-06-14 CN CN2010800368634A patent/CN102804424A/zh active Pending
- 2010-06-14 GB GB1120013.6A patent/GB2483388B/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102804424A (zh) | 2012-11-28 |
| WO2010146390A3 (en) | 2011-02-10 |
| GB2483388A (en) | 2012-03-07 |
| GB201120013D0 (en) | 2012-01-04 |
| US20120161185A1 (en) | 2012-06-28 |
| JP2012530373A (ja) | 2012-11-29 |
| GB2483388B (en) | 2013-10-23 |
| EP2443675A2 (en) | 2012-04-25 |
| WO2010146390A2 (en) | 2010-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012101798A (ru) | Светоизлучающие диоды | |
| US20140284633A1 (en) | Stacked light emitting diode array structure | |
| KR100999771B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 | |
| KR101047792B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 | |
| RU2011116095A (ru) | Полупроводниковые светоизлучающие устройства, выращенные на композитных подложках | |
| EP2161752A3 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same | |
| US8633042B2 (en) | Light emitting diode | |
| RU2013119742A (ru) | Светоизлучающее устройство с преобразованной длиной волны | |
| US9627584B2 (en) | Light emitting device and light emitting device package | |
| JP2009164593A5 (ru) | ||
| TW201216520A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| WO2019076129A1 (zh) | 发光二极管及其制作方法以及显示装置 | |
| US9000445B2 (en) | Light emitting diode with wave-shaped Bragg reflective layer and method for manufacturing same | |
| TW200731567A (en) | Production method for nitride semiconductor light emitting device | |
| US8174039B2 (en) | Light-emitting diode device with high luminescent efficiency | |
| MY165794A (en) | Light emitting diode and fabrication method thereof | |
| WO2007032546A8 (en) | Production method for nitride semiconductor light emitting device | |
| TWI462331B (zh) | 發光二極體晶片及其製造方法 | |
| WO2011105858A3 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
| RU2011106966A (ru) | Светоизлучающее полупроводниковое устройство | |
| CN103972346A (zh) | 顶面出光率高侧面出光率低的面光源器件 | |
| TWI535071B (zh) | 發光二極體 | |
| KR101323657B1 (ko) | 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조 방법 | |
| KR100881175B1 (ko) | 요철이 형성된 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR101338149B1 (ko) | 반도체 발광 칩 및 그의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20140912 |