[go: up one dir, main page]

RU2011107600A - Способ изготовления структуры фотоэлектрического элемента - Google Patents

Способ изготовления структуры фотоэлектрического элемента Download PDF

Info

Publication number
RU2011107600A
RU2011107600A RU2011107600/28A RU2011107600A RU2011107600A RU 2011107600 A RU2011107600 A RU 2011107600A RU 2011107600/28 A RU2011107600/28 A RU 2011107600/28A RU 2011107600 A RU2011107600 A RU 2011107600A RU 2011107600 A RU2011107600 A RU 2011107600A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon compound
compound layer
atmosphere
oxygen
predetermined
Prior art date
Application number
RU2011107600/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2509392C2 (ru
Inventor
Маркус КУПИХ (CH)
Маркус КУПИХ
Йоханнес МАЙЕР (CH)
Йоханнес МАЙЕР
Стефано БЕНАГЛИ (CH)
Стефано БЕНАГЛИ
Тобиас РОШЕК (CH)
Тобиас РОШЕК
Original Assignee
Эрликон Солар Аг, Трюббах (Ch)
Эрликон Солар Аг, Трюббах
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эрликон Солар Аг, Трюббах (Ch), Эрликон Солар Аг, Трюббах filed Critical Эрликон Солар Аг, Трюббах (Ch)
Publication of RU2011107600A publication Critical patent/RU2011107600A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2509392C2 publication Critical patent/RU2509392C2/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/17Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
    • H10F10/172Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers comprising multiple PIN junctions, e.g. tandem cells
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/10Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
    • H10F71/103Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material including only Group IV materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/121The active layers comprising only Group IV materials
    • H10F71/1224The active layers comprising only Group IV materials comprising microcrystalline silicon
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/128Annealing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/545Microcrystalline silicon PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548Amorphous silicon PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

1. Способ изготовления структуры фотоэлектрического элемента, имеющей два электрода и содержащей по меньшей мере один слой соединения кремния, включающий в себя: ! осаждение упомянутого слоя соединения кремния на несущую структуру для упомянутого одного слоя соединения кремния, в результате чего одна поверхность упомянутого слоя соединения кремния покоится на упомянутой несущей структуре, а вторая поверхность упомянутого слоя соединения кремния является непокрытой, ! обработку второй поверхности упомянутого слоя соединения кремния в заданной кислородсодержащей атмосфере с обогащением тем самым упомянутой второй поверхности упомянутого слоя соединения кремния кислородом, ! воздействие на упомянутую обогащенную вторую поверхность окружающим воздухом. ! 2. Способ по п.1, при этом упомянутую обработку выполняют, подвергая упомянутую вторую поверхность воздействию заданной газовой атмосферы, содержащей кислород, в течение заданного времени. ! 3. Способ по п.2, при этом упомянутая газовая атмосфера находится при давлении выше давления окружающей среды. ! 4. Способ по п.2, при этом упомянутая газовая атмосфера находится при температуре выше температуры окружающей среды. ! 5. Способ по п.3, при этом упомянутая газовая атмосфера находится при температуре выше температуры окружающей среды. ! 6. Способ по п.1, при этом упомянутую обработку выполняют, подвергая упомянутую вторую поверхность в течение заданного времени воздействию заданного потока газа, содержащего кислород. ! 7. Способ по п.1, при этом упомянутую обработку выполняют, подвергая упомянутую поверхность в течение заданного количества времени воздейств�

Claims (15)

1. Способ изготовления структуры фотоэлектрического элемента, имеющей два электрода и содержащей по меньшей мере один слой соединения кремния, включающий в себя:
осаждение упомянутого слоя соединения кремния на несущую структуру для упомянутого одного слоя соединения кремния, в результате чего одна поверхность упомянутого слоя соединения кремния покоится на упомянутой несущей структуре, а вторая поверхность упомянутого слоя соединения кремния является непокрытой,
обработку второй поверхности упомянутого слоя соединения кремния в заданной кислородсодержащей атмосфере с обогащением тем самым упомянутой второй поверхности упомянутого слоя соединения кремния кислородом,
воздействие на упомянутую обогащенную вторую поверхность окружающим воздухом.
2. Способ по п.1, при этом упомянутую обработку выполняют, подвергая упомянутую вторую поверхность воздействию заданной газовой атмосферы, содержащей кислород, в течение заданного времени.
3. Способ по п.2, при этом упомянутая газовая атмосфера находится при давлении выше давления окружающей среды.
4. Способ по п.2, при этом упомянутая газовая атмосфера находится при температуре выше температуры окружающей среды.
5. Способ по п.3, при этом упомянутая газовая атмосфера находится при температуре выше температуры окружающей среды.
6. Способ по п.1, при этом упомянутую обработку выполняют, подвергая упомянутую вторую поверхность в течение заданного времени воздействию заданного потока газа, содержащего кислород.
7. Способ по п.1, при этом упомянутую обработку выполняют, подвергая упомянутую поверхность в течение заданного количества времени воздействию термокаталитического процесса с кислородсодержащими радикалами.
8. Способ по п.2, при котором активируют газ упомянутой атмосферы плазменным разрядом.
9. Способ по п.8, где упомянутый газ упомянутой атмосферы содержит CO2.
10. Способ по одному из пп.2 и 4-8, где упомянутая атмосфера находится при давлении вакуума.
11. Способ по п.1, где упомянутая обработка представляет собой влажную обработку.
12. Способ по одному из пп.1-9 или 11, дополнительно содержащий осаждение дополнительного слоя на упомянутой второй поверхности после упомянутого воздействия окружающей среды.
13. Способ по п.10, дополнительно содержащий осаждение дополнительного слоя на упомянутой второй поверхности после упомянутого воздействия окружающей среды.
14. Способ по п.12, где упомянутый дополнительный слой представляет собой соединение кремния.
15. Способ по п.13, где упомянутый дополнительный слой представляет собой соединение кремния.
RU2011107600/28A 2008-08-01 2009-07-27 Способ изготовления структуры фотоэлектрического элемента RU2509392C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US8547008P 2008-08-01 2008-08-01
US61/085,470 2008-08-01
PCT/EP2009/059637 WO2010012674A2 (en) 2008-08-01 2009-07-27 Method for manufacturing a photovoltaic cell structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011107600A true RU2011107600A (ru) 2012-09-10
RU2509392C2 RU2509392C2 (ru) 2014-03-10

Family

ID=41610781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011107600/28A RU2509392C2 (ru) 2008-08-01 2009-07-27 Способ изготовления структуры фотоэлектрического элемента

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20110129954A1 (ru)
EP (1) EP2316137A2 (ru)
JP (1) JP2011530161A (ru)
CN (1) CN102113138A (ru)
RU (1) RU2509392C2 (ru)
TW (1) TW201013962A (ru)
WO (1) WO2010012674A2 (ru)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010139698A2 (en) * 2009-06-05 2010-12-09 Oerlikon Solar Ag, Truebbach Method for the manufacturing of thin film photovoltaic converter device
CN103000767A (zh) * 2011-09-14 2013-03-27 吉富新能源科技(上海)有限公司 联机生成硅薄膜双结太阳能电池介反射层技术
US9190549B2 (en) 2012-02-28 2015-11-17 International Business Machines Corporation Solar cell made using a barrier layer between p-type and intrinsic layers
CN109615612A (zh) * 2018-11-20 2019-04-12 华南理工大学 一种太阳能电池板的缺陷检测方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60240167A (ja) * 1984-05-15 1985-11-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置
JPS6191973A (ja) * 1984-10-11 1986-05-10 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 耐熱性薄膜光電変換素子およびその製法
JPH07283304A (ja) * 1994-04-12 1995-10-27 Sony Corp 分離酸化膜の形成方法
US6379994B1 (en) * 1995-09-25 2002-04-30 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing photovoltaic element
JP2001223363A (ja) * 2000-02-09 2001-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JP4219096B2 (ja) * 2000-03-24 2009-02-04 三洋電機株式会社 光起電力装置の製造方法
JP2002170973A (ja) * 2000-12-01 2002-06-14 Canon Inc 半導体素子の形成方法及び半導体素子
JP2004153186A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Nippon Sheet Glass Co Ltd 光電変換装置
US6858532B2 (en) * 2002-12-10 2005-02-22 International Business Machines Corporation Low defect pre-emitter and pre-base oxide etch for bipolar transistors and related tooling
JP4025744B2 (ja) * 2004-03-26 2007-12-26 株式会社カネカ 積層型光電変換装置の製造方法
KR101008274B1 (ko) * 2003-07-24 2011-01-14 가부시키가이샤 가네카 적층형 광전 변환 장치
AU2004222793B2 (en) * 2003-10-27 2007-07-26 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Solar cell and process for producing solar cell
JP2005159320A (ja) * 2003-10-27 2005-06-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 太陽電池及び太陽電池の製造方法
GB0401578D0 (en) * 2004-01-24 2004-02-25 Koninkl Philips Electronics Nv Phototransistor
JP2006135161A (ja) * 2004-11-08 2006-05-25 Canon Inc 絶縁膜の形成方法及び装置
JP4864661B2 (ja) * 2006-11-22 2012-02-01 東京エレクトロン株式会社 太陽電池の製造方法及び太陽電池の製造装置
US7932344B2 (en) * 2007-09-06 2011-04-26 Xerox Corporation Diketopyrrolopyrrole-based polymers
WO2009141459A2 (en) * 2009-09-07 2009-11-26 Oerlikon Solar Ag, Truebbach Method for manufacturing a photovoltaic cell structure

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010012674A3 (en) 2010-12-23
TW201013962A (en) 2010-04-01
JP2011530161A (ja) 2011-12-15
EP2316137A2 (en) 2011-05-04
RU2509392C2 (ru) 2014-03-10
CN102113138A (zh) 2011-06-29
WO2010012674A2 (en) 2010-02-04
US20110129954A1 (en) 2011-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200717653A (en) A method of forming a silicon oxynitride film with tensile stress
TW200731407A (en) Manufacturing method for a semiconductor device and substrate processing apparatus
DE602006017042D1 (de) Verfahren zur herstellung von siliziumoxidhaltigen schichten
RU2010124378A (ru) Способ обработки подложек и подложка, обработанная этим способом
PT1433207E (pt) Processo para a produção em grande escala de células solares em filme fino de cdte/cds
WO2011028349A3 (en) Remote hydrogen plasma source of silicon containing film deposition
JP2009081406A5 (ru)
RU2011107600A (ru) Способ изготовления структуры фотоэлектрического элемента
TW201246320A (en) Method for cleaning silicon substrate, and method for producing solar cell
TW200704729A (en) Process for producing a thin glasslike coating on substrates for reducing gas permeation
CN105000552A (zh) 一种氧化石墨烯的制备方法
WO2010080446A3 (en) Microcrystalline silicon alloys for thin film and wafer based solar applications
WO2002071153A3 (en) Method for uniformly coating a substrate
DE60210337D1 (de) Verfahren zur herstellung eines films aus kohlenstoffdotiertem oxid
WO2011090737A3 (en) Oxygen radical generation for radical-enhanced thin film deposition
US9815029B2 (en) Method for preparing antibacterial and dust-removal membrane
JP2009127981A5 (ru)
CN103882494A (zh) 一种Cu2O/ZnO异质结材料的制备方法
JP2009152576A5 (ja) 成膜装置及び成膜方法
MY159272A (en) Silicon thin film solar cell having improved haze and methods of making the same
WO2012011377A1 (ja) ガスバリアフィルムの製造方法
CN116666501A (zh) 一种提升氧化铝钝化膜沉积均匀性的方法及应用
WO2006085348A3 (en) A PROCESS FOR LARGE-SCALE PRODUCTION OF CdTe/CdS THIN FILM SOLAR CELLS, WITHOUT THE USE OF CdCl2
WO2011159691A3 (en) Chemical vapor deposition of ruthenium films containing oxygen or carbon
TW200717654A (en) Multi-source method and system for forming an oxide layer

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160728