RU2010122313A - Изготовление самостоятельных твердотельных слоев термической обработкой подложек с полимером - Google Patents
Изготовление самостоятельных твердотельных слоев термической обработкой подложек с полимером Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010122313A RU2010122313A RU2010122313/08A RU2010122313A RU2010122313A RU 2010122313 A RU2010122313 A RU 2010122313A RU 2010122313/08 A RU2010122313/08 A RU 2010122313/08A RU 2010122313 A RU2010122313 A RU 2010122313A RU 2010122313 A RU2010122313 A RU 2010122313A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- solid
- polymer layer
- temperature
- specified
- layer
- Prior art date
Links
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract 34
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 22
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims abstract 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims 1
- 239000013536 elastomeric material Substances 0.000 claims 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims 1
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/139—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass using temporary substrates
- H10F71/1395—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass using temporary substrates for thin-film devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления самостоятельного твердотельного слоя, согласно которому: ! берут твердотельный материал, имеющий по меньшей мере одну поверхность, пригодную для формирования на ней слоя, ! формируют слой полимера на указанной поверхности и ! изменяют локальную температуру указанного твердотельного материала и слоя полимера от первой температуры, которая не выше примерно 300°C, до второй температуры, которая ниже примерно комнатной температуры, чтобы вызвать разламывание указанного твердотельного материала вдоль плоскости в толщине материала для изготовления по меньшей мере одного самостоятельного твердотельного слоя из указанного твердотельного материала. ! 2. Способ по п.1, в котором первая температура равна примерно комнатной температуре. ! 3. Способ по п.1, в котором берут твердотельный материал, который включает материал, выбранный из группы, состоящей из монокристаллического кремния, поликристаллического кремния, монокристаллического германия, поликристаллического германия, кварца, алмаза, сапфира, графита, карбида кремния и стекла. ! 4. Способ по п.1, в котором: ! берут твердотельный материал, содержащий структуру, имеющую две поверхности, противоположные друг другу и, по существу, параллельные друг другу, каждая из которых пригодна для формирования на ней слоя полимера, ! формирование слоя полимера включает формирование слоя полимера на каждой из двух указанных поверхностей, а !изготовление по меньшей мере одного самостоятельного твердотельного слоя из указанного твердотельного материала включает изготовление по меньшей мере двух самостоятельных твердотельных слоев из указанного твердот�
Claims (20)
1. Способ изготовления самостоятельного твердотельного слоя, согласно которому:
берут твердотельный материал, имеющий по меньшей мере одну поверхность, пригодную для формирования на ней слоя,
формируют слой полимера на указанной поверхности и
изменяют локальную температуру указанного твердотельного материала и слоя полимера от первой температуры, которая не выше примерно 300°C, до второй температуры, которая ниже примерно комнатной температуры, чтобы вызвать разламывание указанного твердотельного материала вдоль плоскости в толщине материала для изготовления по меньшей мере одного самостоятельного твердотельного слоя из указанного твердотельного материала.
2. Способ по п.1, в котором первая температура равна примерно комнатной температуре.
3. Способ по п.1, в котором берут твердотельный материал, который включает материал, выбранный из группы, состоящей из монокристаллического кремния, поликристаллического кремния, монокристаллического германия, поликристаллического германия, кварца, алмаза, сапфира, графита, карбида кремния и стекла.
4. Способ по п.1, в котором:
берут твердотельный материал, содержащий структуру, имеющую две поверхности, противоположные друг другу и, по существу, параллельные друг другу, каждая из которых пригодна для формирования на ней слоя полимера,
формирование слоя полимера включает формирование слоя полимера на каждой из двух указанных поверхностей, а
изготовление по меньшей мере одного самостоятельного твердотельного слоя из указанного твердотельного материала включает изготовление по меньшей мере двух самостоятельных твердотельных слоев из указанного твердотельного материала.
5. Способ по п.1, в котором берут твердотельный материал, который включает структуру, имеющую поверхность, подходящую для формирования на ней слоя, которая содержит топологические поверхностные отличительные особенности.
6. Способ по п.1, в котором берут твердотельный материал, который включает структуру, содержащую микроэлектронные устройства.
7. Способ по п.1, в котором слой полимера, сформированного на указанной поверхности, имеет толщину по меньшей мере примерно 0,01 мм.
8. Способ по п.1, в котором слой полимера, сформированный на указанной поверхности, сохраняет адгезию с твердотельным материалом во время изменения локальной температуры.
9. Способ по п.1, в котором слой полимера, сформированный на указанной поверхности, является эластомерным материалом.
10. Способ по п.1, в котором слой полимера, сформированный на указанной поверхности, имеет предел текучести, который предотвращает образование трещин или разрушение полимерного слоя при вызывании разламывания твердотельного материала.
11. Способ по п.1, в котором слой полимера, сформированный на указанной поверхности, содержит полидиметилсилоксан.
12. Способ по п.1, в котором слой полимера, сформированный на указанной поверхности, отличается температурой перехода в стеклообразное состояние, которая ниже первой температуры и которая в достаточной мере низка для предотвращения разламывания полимера при вызывании разламывания твердотельного материала.
13. Способ по п.1, в котором слой полимера, сформированный на указанной поверхности, имеет коэффициент теплового расширения, который по меньшей мере примерно на 50×10-6К-1 больше коэффициента теплового расширения твердотельного материала.
14. Способ по п.1, в котором вторая температура, воздействующая на твердотельный материал и слой полимера, не выше примерно -20°C.
15. Способ по п.1, в котором вторая температура, воздействующая на твердотельный материал и слой полимера, не выше примерно температуры кипения жидкого азота.
16. Способ по п.1, в котором изменяют локальную температуру твердотельного материала и слоя полимера путем погружения в жидкий азот.
17. Способ по п.1, в котором изменяют локальную температуру твердотельного материала и слоя полимера путем охлаждения промежуточной структуры, расположенной между охлаждающей средой и твердотельным материалом и слоем полимера.
18. Способ по п.1, в котором дополнительно:
сохраняют слой полимера на поверхности изготовленного самостоятельного слоя,
формируют второй слой полимера на пригодной поверхности, противоположной поверхности, содержащей слой полимера, и
изменяют локальную температуру указанного самостоятельного слоя и слоя полимера от первой температуры до второй температуры, чтобы вызвать разламывание указанного самостоятельного слоя в его толщине для изготовления по меньшей мере одного дополнительного самостоятельного слоя.
19. Способ по п.1, в котором:
полимер имеет предел текучести, который предотвращает его разламывание или разрушение при температурах ниже примерно -20°C и который сохраняет адгезию с указанной пригодной поверхностью при температурах ниже примерно -20°C, и
вторая температура не выше примерно -20°C.
20. Способ по п.1, в котором формирование слоя полимера на указанной поверхности включает нанесение полимера в жидком состоянии на указанную поверхность и отверждение указанного жидкого полимера для формирования, по существу, твердого слоя полимера.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH17122007 | 2007-11-02 | ||
| CH0171207 | 2007-11-02 | ||
| CH18512007 | 2007-11-30 | ||
| CH0185107 | 2007-11-30 | ||
| PCT/US2008/012140 WO2009061353A2 (en) | 2007-11-02 | 2008-10-24 | Production of free-standing solid state layers by thermal processing of substrates with a polymer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010122313A true RU2010122313A (ru) | 2011-12-10 |
| RU2472247C2 RU2472247C2 (ru) | 2013-01-10 |
Family
ID=40397973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010122313/04A RU2472247C2 (ru) | 2007-11-02 | 2008-10-24 | Изготовление самостоятельных твердотельных слоев термической обработкой подложек с полимером |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8440129B2 (ru) |
| EP (1) | EP2218098B1 (ru) |
| JP (1) | JP5520226B2 (ru) |
| KR (1) | KR101546112B1 (ru) |
| AU (1) | AU2008325223A1 (ru) |
| MX (1) | MX2010004896A (ru) |
| RU (1) | RU2472247C2 (ru) |
| TW (1) | TWI426546B (ru) |
| WO (1) | WO2009061353A2 (ru) |
Families Citing this family (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8703521B2 (en) * | 2009-06-09 | 2014-04-22 | International Business Machines Corporation | Multijunction photovoltaic cell fabrication |
| US20100310775A1 (en) * | 2009-06-09 | 2010-12-09 | International Business Machines Corporation | Spalling for a Semiconductor Substrate |
| US8802477B2 (en) | 2009-06-09 | 2014-08-12 | International Business Machines Corporation | Heterojunction III-V photovoltaic cell fabrication |
| US8633097B2 (en) | 2009-06-09 | 2014-01-21 | International Business Machines Corporation | Single-junction photovoltaic cell |
| CA2703082A1 (en) | 2010-05-10 | 2011-11-10 | Gary J. Bakken | Method of bonding poly-crystalline diamonds to carbide surfaces |
| JP2012089828A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-05-10 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US8841203B2 (en) * | 2011-06-14 | 2014-09-23 | International Business Machines Corporation | Method for forming two device wafers from a single base substrate utilizing a controlled spalling process |
| US9040392B2 (en) * | 2011-06-15 | 2015-05-26 | International Business Machines Corporation | Method for controlled removal of a semiconductor device layer from a base substrate |
| US8679943B2 (en) * | 2011-08-23 | 2014-03-25 | International Business Machines Corporation | Fixed curvature force loading of mechanically spalled films |
| CN102420157A (zh) * | 2011-10-24 | 2012-04-18 | 华中科技大学 | 一种提高硅片减薄后机械强度的方法 |
| DE102012001620B4 (de) | 2012-01-30 | 2025-02-13 | Siltectra Gmbh | Verfahren zur Herstellung von dünnen Platten aus Werkstoffen geringer Duktilität |
| US20130269860A1 (en) * | 2012-04-17 | 2013-10-17 | International Business Machines Corporation | Temperature-controlled depth of release layer |
| DE102012013539A1 (de) * | 2012-07-06 | 2014-01-09 | Siltectra Gmbh | Wafer und Verfahren zur Herstellung von Wafern mit Oberflächenstrukturen |
| FR2995445B1 (fr) * | 2012-09-07 | 2016-01-08 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure en vue d'une separation ulterieure |
| DE102013007673A1 (de) | 2013-05-03 | 2014-11-06 | Siltectra Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Wafern mittels einer vordefinierten Spannungsverteilung |
| DE102013007672A1 (de) | 2013-05-03 | 2014-11-06 | Siltectra Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Waferherstellung mit vordefinierter Bruchauslösestelle |
| DE102013007671A1 (de) | 2013-05-03 | 2014-11-06 | Siltectra Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit Trägereinheit |
| CN105593971B (zh) * | 2013-09-25 | 2018-10-02 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置、贴合基板的剥离方法以及粘接剂的除去方法 |
| DE102014013107A1 (de) * | 2013-10-08 | 2015-04-09 | Siltectra Gmbh | Neuartiges Waferherstellungsverfahren |
| DE102013016669A1 (de) * | 2013-10-08 | 2015-04-09 | Siltectra Gmbh | Kombiniertes Herstellungsverfahren zum Abtrennen mehrerer dünner Festkörperschichten von einem dicken Festkörper |
| DE102014014486A1 (de) * | 2013-10-08 | 2015-04-09 | Siltectra Gmbh | Neuartiges Waferherstellungsverfahren |
| DE102013016682A1 (de) * | 2013-10-08 | 2015-04-09 | Siltectra Gmbh | Erzeugung einer Rissauslösestelle oder einer Rissführung zum verbesserten Abspalten einer Festkörperschicht von einem Festkörper |
| DE102013016693A1 (de) * | 2013-10-08 | 2015-04-09 | Siltectra Gmbh | Herstellungsverfahren für Festkörperelemente mittels Laserbehandlung und temperaturinduzierten Spannungen |
| US9761474B2 (en) * | 2013-12-19 | 2017-09-12 | Micron Technology, Inc. | Methods for processing semiconductor devices |
| DE102015000449A1 (de) | 2015-01-15 | 2016-07-21 | Siltectra Gmbh | Festkörperteilung mittels Stoffumwandlung |
| DE102014014420A1 (de) | 2014-09-29 | 2016-04-14 | Siltectra Gmbh | Kombiniertes Waferherstellungsverfahren mit einer Mehrkomponentenaufnahmeschicht |
| DE102015103118A1 (de) | 2014-10-06 | 2016-04-07 | Siltectra Gmbh | Splitting-Verfahren und Verwendung eines Materials in einem Splitting-Verfahren |
| EP3399542B1 (de) | 2014-11-27 | 2023-04-12 | Siltectra GmbH | Festkörperteilung mittels stoffumwandlung |
| US10930560B2 (en) | 2014-11-27 | 2021-02-23 | Siltectra Gmbh | Laser-based separation method |
| US20170362697A1 (en) * | 2015-01-28 | 2017-12-21 | Siltectra Gmbh | Transparent and highly stable screen protector |
| DE102015006971A1 (de) * | 2015-04-09 | 2016-10-13 | Siltectra Gmbh | Verfahren zum verlustarmen Herstellen von Mehrkomponentenwafern |
| DE102015004603A1 (de) * | 2015-04-09 | 2016-10-13 | Siltectra Gmbh | Kombiniertes Waferherstellungsverfahren mit Laserbehandlung und temperaturinduzierten Spannungen |
| DE102015008037A1 (de) * | 2015-06-23 | 2016-12-29 | Siltectra Gmbh | Verfahren zum Führen eines Risses im Randbereich eines Spendersubstrats |
| DE102015008034A1 (de) | 2015-06-23 | 2016-12-29 | Siltectra Gmbh | Verfahren zum Führen eines Risses im Randbereich eines Spendersubstrats |
| CN115942752A (zh) | 2015-09-21 | 2023-04-07 | 莫诺利特斯3D有限公司 | 3d半导体器件和结构 |
| DE102016000051A1 (de) | 2016-01-05 | 2017-07-06 | Siltectra Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum planaren Erzeugen von Modifikationen in Festkörpern |
| KR102388994B1 (ko) | 2016-03-22 | 2022-04-22 | 실텍트라 게엠베하 | 분리될 고형체의 결합된 레이저 처리 방법 |
| US10858495B2 (en) | 2016-03-24 | 2020-12-08 | Siltectra Gmbh | Polymer hybrid material for use in a splitting method |
| DE102016105616A1 (de) | 2016-03-24 | 2017-09-28 | Siltectra Gmbh | Polymer-Hybrid-Material, dessen Verwendung in einem Splitting-Verfahren und Verfahren zur Herstellung des Polymer-Hybrid-Materials |
| EP3551373A1 (de) | 2016-12-12 | 2019-10-16 | Siltectra GmbH | Verfahren zum dünnen von mit bauteilen versehenen festkörperschichten |
| DE102017003698B8 (de) * | 2017-04-18 | 2019-11-07 | Azur Space Solar Power Gmbh | Herstellung einer dünnen Substratschicht |
| US11869810B2 (en) | 2017-04-20 | 2024-01-09 | Siltectra Gmbh | Method for reducing the thickness of solid-state layers provided with components |
| EP3619748B1 (en) | 2017-05-05 | 2024-04-17 | The Regents of The University of California | Method of removing a substrate |
| WO2019232230A1 (en) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | The Regents Of The University Of California | Method of removing semiconducting layers from a semiconducting substrate |
| US10940611B2 (en) * | 2018-07-26 | 2021-03-09 | Halo Industries, Inc. | Incident radiation induced subsurface damage for controlled crack propagation in material cleavage |
| US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
| US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
| CN110432583A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-11-12 | 大连民族大学 | 一种基于摩擦纳米发电的计步鞋垫 |
| CA3161043A1 (en) | 2022-02-18 | 2023-08-18 | Gary J. Bakken | Method of installing cutters on a drill bit |
Family Cites Families (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3901423A (en) | 1973-11-26 | 1975-08-26 | Purdue Research Foundation | Method for fracturing crystalline materials |
| US4370288A (en) | 1980-11-18 | 1983-01-25 | Motorola, Inc. | Process for forming self-supporting semiconductor film |
| US4582559A (en) | 1984-04-27 | 1986-04-15 | Gould Inc. | Method of making thin free standing single crystal films |
| GB8815162D0 (en) * | 1988-06-25 | 1988-08-03 | Avery International Corp | Improvements relating to release liners |
| US5336558A (en) * | 1991-06-24 | 1994-08-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Composite article comprising oriented microstructures |
| JP2820024B2 (ja) | 1994-03-04 | 1998-11-05 | 信越半導体株式会社 | シリコン半導体素子製造用基板の製造方法 |
| GB9412028D0 (en) * | 1994-06-16 | 1994-08-03 | Bp Chem Int Ltd | Waste processing |
| US5448817A (en) | 1994-06-27 | 1995-09-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Cryogenic removal of silicon substrates from metallic heat sinks using thermal mass to cool surface mounted printed wire boards |
| EP0726486B1 (en) * | 1995-02-08 | 2005-04-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical compensatory sheet |
| JPH08298251A (ja) | 1995-02-28 | 1996-11-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 薄板の製造方法 |
| US6372608B1 (en) * | 1996-08-27 | 2002-04-16 | Seiko Epson Corporation | Separating method, method for transferring thin film device, thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device manufactured by using the transferring method |
| CA2225131C (en) | 1996-12-18 | 2002-01-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing semiconductor article |
| CA2233127C (en) | 1997-03-27 | 2004-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for separating composite member using fluid |
| JPH10338750A (ja) * | 1997-06-06 | 1998-12-22 | Daicel Chem Ind Ltd | 熱転写記録用樹脂組成物および受像体 |
| US7140102B2 (en) | 2001-09-02 | 2006-11-28 | Borealis Technical Limited | Electrode sandwich separation |
| JPH11254185A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-09-21 | Mitsui High Tec Inc | フレックス接合材 |
| US6452091B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing thin-film single-crystal device, solar cell module and method of producing the same |
| JP2001085715A (ja) | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Canon Inc | 半導体層の分離方法および太陽電池の製造方法 |
| JP2001189288A (ja) | 1999-12-20 | 2001-07-10 | Ind Technol Res Inst | イオン注入利用の基板ダイシング法 |
| US6519955B2 (en) * | 2000-04-04 | 2003-02-18 | Thermal Form & Function | Pumped liquid cooling system using a phase change refrigerant |
| JP4502547B2 (ja) | 2000-08-07 | 2010-07-14 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハの保護テープ除去方法およびその装置 |
| JP2002220456A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-08-09 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ポリカーボネートの製造方法 |
| US6774010B2 (en) | 2001-01-25 | 2004-08-10 | International Business Machines Corporation | Transferable device-containing layer for silicon-on-insulator applications |
| TW558743B (en) | 2001-08-22 | 2003-10-21 | Semiconductor Energy Lab | Peeling method and method of manufacturing semiconductor device |
| US6596569B1 (en) * | 2002-03-15 | 2003-07-22 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistors |
| JP3962282B2 (ja) * | 2002-05-23 | 2007-08-22 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| AU2003264513A1 (en) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Mitsui Chemicals, Inc. | Sealing composition for liquid crystal displays and process for production of liquid crystal display panels |
| RU2217842C1 (ru) * | 2003-01-14 | 2003-11-27 | Институт физики полупроводников - Объединенного института физики полупроводников СО РАН | Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе |
| FR2864970B1 (fr) | 2004-01-09 | 2006-03-03 | Soitec Silicon On Insulator | Substrat a support a coefficient de dilatation thermique determine |
| US7195733B2 (en) | 2004-04-27 | 2007-03-27 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Composite patterning devices for soft lithography |
| JP4624131B2 (ja) * | 2005-02-22 | 2011-02-02 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体素子の製造方法 |
| FR2895563B1 (fr) | 2005-12-22 | 2008-04-04 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de simplification d'une sequence de finition et structure obtenue par le procede |
| US7863157B2 (en) | 2006-03-17 | 2011-01-04 | Silicon Genesis Corporation | Method and structure for fabricating solar cells using a layer transfer process |
| EP1863100A1 (en) | 2006-05-30 | 2007-12-05 | INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM vzw (IMEC) | Method for the production of thin substrates |
| US7910458B2 (en) | 2007-01-29 | 2011-03-22 | Silicon Genesis Corporation | Method and structure using selected implant angles using a linear accelerator process for manufacture of free standing films of materials |
| US7817278B2 (en) | 2007-08-08 | 2010-10-19 | Agilent Technologies, Inc. | Surface plasmon resonance sensor apparatus having multiple dielectric layers |
| US8481845B2 (en) | 2008-02-05 | 2013-07-09 | Gtat Corporation | Method to form a photovoltaic cell comprising a thin lamina |
| US7749884B2 (en) | 2008-05-06 | 2010-07-06 | Astrowatt, Inc. | Method of forming an electronic device using a separation-enhancing species |
| US20090280588A1 (en) | 2008-05-06 | 2009-11-12 | Leo Mathew | Method of forming an electronic device including removing a differential etch layer |
| JP2011521456A (ja) | 2008-05-17 | 2011-07-21 | アストロワット，インコーポレイティド | 分離技術を用いる電子デバイスの製造方法 |
| EP2620408B1 (en) | 2008-12-23 | 2016-03-09 | Siltectra GmbH | Method for producing thin, free-standing layers of solid state materials with structured surfaces |
-
2008
- 2008-10-24 KR KR1020107012250A patent/KR101546112B1/ko active Active
- 2008-10-24 US US12/740,373 patent/US8440129B2/en active Active
- 2008-10-24 WO PCT/US2008/012140 patent/WO2009061353A2/en not_active Ceased
- 2008-10-24 RU RU2010122313/04A patent/RU2472247C2/ru active
- 2008-10-24 EP EP08847768.2A patent/EP2218098B1/en active Active
- 2008-10-24 AU AU2008325223A patent/AU2008325223A1/en not_active Abandoned
- 2008-10-24 MX MX2010004896A patent/MX2010004896A/es active IP Right Grant
- 2008-10-24 JP JP2010533064A patent/JP5520226B2/ja active Active
- 2008-10-31 TW TW097142199A patent/TWI426546B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI426546B (zh) | 2014-02-11 |
| JP2011505684A (ja) | 2011-02-24 |
| RU2472247C2 (ru) | 2013-01-10 |
| TW200933703A (en) | 2009-08-01 |
| KR20100096129A (ko) | 2010-09-01 |
| WO2009061353A2 (en) | 2009-05-14 |
| WO2009061353A3 (en) | 2009-06-25 |
| US8440129B2 (en) | 2013-05-14 |
| EP2218098A2 (en) | 2010-08-18 |
| US20100289189A1 (en) | 2010-11-18 |
| MX2010004896A (es) | 2010-07-29 |
| AU2008325223A1 (en) | 2009-05-14 |
| JP5520226B2 (ja) | 2014-06-11 |
| KR101546112B1 (ko) | 2015-08-20 |
| EP2218098B1 (en) | 2018-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2010122313A (ru) | Изготовление самостоятельных твердотельных слоев термической обработкой подложек с полимером | |
| RU2011130872A (ru) | Способ получения тонких отдельных слоев твердотельных материалов со структурированными поверхностями | |
| KR101272675B1 (ko) | 저온 본딩 공정 | |
| CN102395714B (zh) | 外延反应器的反应室和使用所述室的反应器 | |
| TWI642086B (zh) | Substrate substrate and method for manufacturing composite substrate for semiconductor | |
| US10453739B2 (en) | Method for transferring monocrystalline pads | |
| JP2012513312A5 (ru) | ||
| JP4745249B2 (ja) | 決定可能な熱膨張係数を有する基板 | |
| KR102047864B1 (ko) | 단결정 재료 사용의 개선된 효율을 갖는 유사 기판 | |
| WO2002048434A3 (en) | Gallium nitride materials and methods for forming layers thereof | |
| ATE438927T1 (de) | Prozess zur herstellung von dünnfilmtransistoren | |
| JP2009111373A5 (ru) | ||
| JP2011510507A5 (ru) | ||
| TW200635014A (en) | Composite structure with high heat dissipation | |
| TW202023984A (zh) | 支撐玻璃基板及積層體 | |
| CN109143465A (zh) | 一种光学波导器件的形成方法 | |
| AU2009200196A1 (en) | Methods and apparatus for manufacturing semiconductor wafers | |
| TW201514128A (zh) | 分析藍寶石物品的方法 | |
| TWI762489B (zh) | 圓盤狀玻璃及其製造方法 | |
| JP5929520B2 (ja) | ダイヤモンド系膜の製造方法およびそれに用いられる複合基板 | |
| RU2004112867A (ru) | Способ получения микрослоистых термостабильных материалов | |
| JP2006306718A (ja) | ダイヤモンド基板とその製造方法 | |
| TWI254034B (en) | Mold for molding glass lens | |
| He et al. | Tensile behavior and mechanical properties of single-crystal AlN under uniaxial tension loading | |
| CN120319665A (zh) | 一种用于芯片热管理的薄膜及其制备方法 |