[go: up one dir, main page]

RU2010103510A - Тонкопленочный детектор для детектирования присутствия - Google Patents

Тонкопленочный детектор для детектирования присутствия Download PDF

Info

Publication number
RU2010103510A
RU2010103510A RU2010103510/28A RU2010103510A RU2010103510A RU 2010103510 A RU2010103510 A RU 2010103510A RU 2010103510/28 A RU2010103510/28 A RU 2010103510/28A RU 2010103510 A RU2010103510 A RU 2010103510A RU 2010103510 A RU2010103510 A RU 2010103510A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
holders
forming
sensor
piezoelectric layer
Prior art date
Application number
RU2010103510/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2475892C2 (ru
Inventor
Марейке КЛЕЕ (NL)
Марейке КЛЕЕ
Клаус РАЙМАНН (NL)
Клаус РАЙМАНН
НАИР Биджу К. СРИДХАРАН (NL)
НАИР Биджу К. СРИДХАРАН
Роджер П. А. ДЕЛНОЙЖ (NL)
Роджер П. А. ДЕЛНОЙЖ
Хенри М. Я. БУТЦ (NL)
Хенри М. Я. БУТЦ
Кристина А. РЕНДЕРС (NL)
Кристина А. РЕНДЕРС
Олаф ВУННИКЕ (NL)
Олаф ВУННИКЕ
Дерк РЕФМАН (NL)
Дерк Рефман
Петер ДИРКСЕН (NL)
Петер ДИРКСЕН
Роналд ДЕККЕР (NL)
Роналд ДЕККЕР
ЕШ Харри ВАН (NL)
ЕШ Харри ВАН
ВИЛД Марко ДЕ (NL)
ВИЛД Марко ДЕ
Рюдигер МАУКЗОК (NL)
Рюдигер МАУКЗОК
ХЕЕШ Крис ВАН (NL)
ХЕЕШ Крис ВАН
Виллем Ф. ПАСВЕЕР (NL)
Виллем Ф. ПАСВЕЕР
Энгель Я. КНИББЕ (NL)
Энгель Я. КНИББЕ
Ремко А. Х. БРЕЕН (NL)
Ремко А. Х. БРЕЕН
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl), Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Publication of RU2010103510A publication Critical patent/RU2010103510A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2475892C2 publication Critical patent/RU2475892C2/ru

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
    • B06B1/0603—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using a piezoelectric bender, e.g. bimorph
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/0292—Electrostatic transducers, e.g. electret-type
    • G—PHYSICS
    • G08—SIGNALLING
    • G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
    • G08B13/00—Burglar, theft or intruder alarms
    • G08B13/16—Actuation by interference with mechanical vibrations in air or other fluid
    • G08B13/1609—Actuation by interference with mechanical vibrations in air or other fluid using active vibration detection systems
    • G08B13/1645—Actuation by interference with mechanical vibrations in air or other fluid using active vibration detection systems using ultrasonic detection means and other detection means, e.g. microwave or infrared radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/02—Forming enclosures or casings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
    • H10N30/2047—Membrane type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one piezoelectric, electrostrictive or magnetostrictive element covered by groups H10N30/00 – H10N35/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/42—Piezoelectric device making

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
  • Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Measurement Of Velocity Or Position Using Acoustic Or Ultrasonic Waves (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

1. Способ формирования датчика (800), содержащий следующие действия: ! формируют мембрану (830) поверх передней подложки (615); ! формируют пьезоэлектрический слой (820) поверх мембраны (830); ! формируют структурированный электропроводный слой, включающий в себя первый и второй электроды (840, 845), поверх активного участка (821) пьезоэлектрического слоя (820); и ! формируют структуру задней подложки, имеющую держатели (822, 824), расположенные на соседних сторонах активного участка (821). ! 2. Способ по п.1, в котором высота держателя (826) из держателей (822, 824) больше, чем комбинированная высота (828) пьезоэлектрического слоя и структурированного электропроводного слоя. ! 3. Способ по п.1, в котором действие формирования задней подложки включает в себя следующие действия: ! формируют держатели (822, 824) на задней подложке (640); и ! закрепляют держатели (822, 824) к местам, прилегающим к активному участку (821). ! 4. Способ по п.3, в котором действие формирования держателей (822, 824) включает в себя, по меньшей мере, одно из действий: ! формируют, по меньшей мере, один электропроводный слой (650) на задней подложке (640) для формирования держателей (822, 824); и ! локально вытравливают заднюю подложку (640) между держателями (822, 824). ! 5. Способ по п.1, в котором действие формирования задней подложки включает в себя следующие действия: ! формируют дополнительный слой (870) на держателях (822, 824) для увеличения толщины держателей (822, 824) за пределы общей толщины пьезоэлектрического слоя и структурированного электропроводного слоя, причем держатели включают в себя участки пьезоэлектрического слоя и структурированного электропроводного слоя; и ! устанавливают заднюю подложку (640) на до�

Claims (37)

1. Способ формирования датчика (800), содержащий следующие действия:
формируют мембрану (830) поверх передней подложки (615);
формируют пьезоэлектрический слой (820) поверх мембраны (830);
формируют структурированный электропроводный слой, включающий в себя первый и второй электроды (840, 845), поверх активного участка (821) пьезоэлектрического слоя (820); и
формируют структуру задней подложки, имеющую держатели (822, 824), расположенные на соседних сторонах активного участка (821).
2. Способ по п.1, в котором высота держателя (826) из держателей (822, 824) больше, чем комбинированная высота (828) пьезоэлектрического слоя и структурированного электропроводного слоя.
3. Способ по п.1, в котором действие формирования задней подложки включает в себя следующие действия:
формируют держатели (822, 824) на задней подложке (640); и
закрепляют держатели (822, 824) к местам, прилегающим к активному участку (821).
4. Способ по п.3, в котором действие формирования держателей (822, 824) включает в себя, по меньшей мере, одно из действий:
формируют, по меньшей мере, один электропроводный слой (650) на задней подложке (640) для формирования держателей (822, 824); и
локально вытравливают заднюю подложку (640) между держателями (822, 824).
5. Способ по п.1, в котором действие формирования задней подложки включает в себя следующие действия:
формируют дополнительный слой (870) на держателях (822, 824) для увеличения толщины держателей (822, 824) за пределы общей толщины пьезоэлектрического слоя и структурированного электропроводного слоя, причем держатели включают в себя участки пьезоэлектрического слоя и структурированного электропроводного слоя; и
устанавливают заднюю подложку (640) на дополнительном слое (870) держателей (822, 824).
6. Способ по п.1, дополнительно содержащий действие полного или частичного удаления передней подложки (615).
7. Способ по п.1, в котором действие формирования мембраны (830) включает в себя следующие действия:
формируют слой (847) из нитрида кремния поверх передней подложки (615); и
формируют слой (850) оксида кремния поверх слоя (847) из нитрида кремния.
8. Способ по п.1, дополнительно содержащий действие: делят активный участок (821) на сегменты, которые соединяют последовательно с использованием емкостной связи между наложенными друг на друга нижним и верхним электродами (890, 895).
9. Способ по п.8, дополнительно содержащий действие: соединяют резисторы (891, 893) с перекрывающимися нижним и верхним электродам (890, 895) для подачи напряжения смещения.
10. Способ формирования датчика (800), содержащий следующие действия:
формируют мембрану (830) поверх передней подложки (615);
формируют пьезоэлектрический слой (820) поверх мембраны (830) на активном участке (821) и периферийных участках, расположенных прилегающими к активному участку (821);
формируют структурированный электропроводный слой поверх пьезоэлектрического слоя (820); и
формируют структуру задней подложки, имеющую держатели (822, 824), расположенные на прилегающих сторонах активного участка (821).
11. Способ по п.10, в котором высота (826) держателя из держателей (822, 824) больше, чем комбинированная высота (828) пьезоэлектрического слоя и структурированного электропроводного слоя.
12. Способ по п.10, в котором действие формирования задней подложки включает в себя следующие действия:
формируют электропроводный слой (870) на задней подложке (615); и
прикрепляют электропроводный слой (870) к держателям (822, 824).
13. Способ по п.10, в котором действие формирования задней подложки включает в себя следующие действия:
формируют дополнительный слой (870) на держателях (822, 824) для увеличения толщины держателей (822, 824) за пределы общей толщины пьезоэлектрического слоя и структурированного электропроводного слоя, причем держатели включают в себя участки пьезоэлектрического слоя и структурированного электропроводного слоя;
устанавливают заднюю подложку (640) на дополнительном слое (870) держателей (822, 824); и
вытравливают канавки в задней подложке (640) в областях, где держатели (822, 824) не применяются.
14. Способ по п.10, в котором действие формирования структурированного электропроводного слоя включает в себя: формируют первый и второй электроды (840, 845) поверх активного участка (821) структурированного пьезоэлектрического слоя (820).
15. Способ по п.10, дополнительно содержащий действие формирования дополнительного структурированного электропроводного слоя (840'), в котором пьезоэлектрический слой (820) зажат между структурированным электропроводным слоем и дополнительным структурированным электропроводным слоем.
16. Способ по п.10, в котором действие формирования мембраны (830) включает в себя следующие действия:
формируют слой (847) из нитрида кремния поверх передней подложки (615); и
формируют слой (850) из оксида кремния поверх слоя (847) из нитрида кремния.
17. Способ по п.10, дополнительно содержащий действие:
делят активный участок (821) на сегменты, которые соединены последовательно с помощью емкостной связи между перекрывающимися нижним и верхним электродами (890, 895).
18. Датчик (800), содержащий:
мембрану (830), выполненную с возможностью изменения формы в ответ на силу;
пьезоэлектрический слой (820), сформированный поверх мембраны (830);
первый и второй электроды (840, 845), находящиеся в контакте с пьезоэлектрическим слоем (820), в котором электрическое поле между первым и вторым электродами (840, 845) пропорционально механическому движению пьезоэлектрического слоя (820);
первый и второй держатели (822, 824) расположены на периферийных сторонах пьезоэлектрического слоя (820); и
подложку (640), поддерживаемую упомянутыми первым и вторым держателями (822, 824).
19. Датчик по п.18, в котором высота (826) держателя из первого и второго держателей (822, 824) больше, чем первая комбинированная высота (828) пьезоэлектрического слоя и первого электрода, когда первый и второй электроды сформированы на одной стороне пьезоэлектрического слоя, и в котором высота держателя больше, чем вторая комбинированная высота пьезоэлектрического слоя и первого и второго электродов, когда первый и второй электроды сформированы на противоположных сторонах пьезоэлектрического слоя.
20. Датчик по п.18, в котором первый и второй держатели (822, 824) включают в себя пьезоэлектрический материал из пьезоэлектрического слоя и электропроводный материал из первого и второго электродов.
21. Датчик по п.18, в котором мембрана (830) содержит слой (850) из оксида кремния, расположенный поверх слоя (847) из нитрида кремния, пьезоэлектрический слой (820), расположенный поверх слоя (850) из оксида кремния.
22. Датчик по п.18, дополнительно содержащий барьерный слой (617), в котором мембрана (830) содержит слой (850) оксида кремния, сформированный поверх слоя (847) нитрида кремния (847); причем барьерный слой (617) расположен поверх слоя (850) оксида кремния, и пьезоэлектрический слой расположен поверх барьерного слоя (617).
23. Массив, содержащий датчик по п.18.
24. Сенсор для детектирования присутствия, содержащий датчик по п.18.
25. Сенсор движения для детектирования присутствия, содержащий датчик по п.18.
26. Сенсор формирования изображения для формирования изображения в режиме реального времени, содержащий датчик по п.18.
27. Массив (1100, 1200) датчиков, содержащий:
по меньшей мере, два тонкопленочных элемента (1210, 1220) датчиков, имеющих пьезоэлектрический слой (1222), по меньшей мере, два электрода (1242) и мембрану (1230), мембрана (1230) выполнена с возможностью изменения формы в ответ на силу; и
гибкую фольгу (1150, 1250);
в котором, по меньшей мере, два тонкопленочных элемента (1210, 1220) датчика соединены с гибкой фольгой (1150, 1250) на первой стороне массива датчиков.
28. Массив (1100, 1200) датчиков по п.27, дополнительно содержащий дополнительную гибкую фольгу (1155) на второй стороне элементов (1110, 1120) датчика таким образом, что гибкая фольга (1150) и дополнительная гибкая фольга (1155), по существу, закрывают первую сторону и вторую сторону массива датчиков.
29. Массив (1100, 1200) датчиков по п.27, в котором гибкая фольга (1250) закреплена на полупроводниковой подложке (1240) элементов (1210, 1220) датчика, причем полупроводниковая подложка (1240) имеет уменьшенную толщину и включает в себя, по меньшей мере, одно изолированное переходное отверстие (1270), предназначенное для соединения элементов (1210, 1220) датчика с дополнительными элементами.
30. Массив (1100, 1200) датчиков по п.27, в котором, по меньшей мере, два тонкопленочных элемента датчика включают в себя тонкопленочный ультразвуковой элемент датчика и тонкопленочный пироэлектрический элемент датчика.
31. Массив (1100, 1200) датчиков по п.27, дополнительно содержащий подложку (1240), расположенную между держателями и периферией, по меньшей мере, одного из, по меньшей мере, двух тонкопленочных элементов датчика.
32. Массив (1100, 1200) датчиков по п.27, дополнительно содержащий держатель (210"), расположенный, по меньшей мере, между двумя тонкопленочными элементами датчика на стороне мембраны (1230), противоположной пьезоэлектрическому слою (1222).
33. Массив (1100, 1200) датчиков по п.27, в котором, по меньшей мере, два тонкопленочных элемента датчика включают в себя тонкопленочный ультразвуковой элемент датчика и тонкопленочный пироэлектрический элемент датчика, массив датчиков дополнительно содержит держатель (210"), расположенный между, по меньшей мере, одним тонкопленочным ультразвуковым элементом датчика и пироэлектрическим элементом датчика на стороне мембраны (1230), противоположной пьезоэлектрическому слою (1222).
34. Массив (1100) датчика, содержащий:
по меньшей мере, два тонкопленочных элемента (1010) датчика, имеющих пьезоэлектрический слой (1020), зажатый, по меньшей мере, между двумя электродами (1030, 1040); и гибкий носитель (1050);
в котором, по меньшей мере, два тонкопленочных элемента (1010) датчика закреплены на гибкой фольге (1050) на первой стороне массива датчиков и разделены зазором (1070), для увеличения движения гибкой фольги (1050) и обеспечения возможности формирования массива (1000).
35. Устройство, содержащее:
массив датчиков, имеющий, по меньшей мере, два тонкопленочных элемента датчика с пьезоэлектрическим слоем;
пироэлектрический массив, имеющий, по меньшей мере, два тонкопленочных пироэлектрических детектора с пироэлектрическим слоем; и
по меньшей мере, два электрода;
пьезоэлектрический слой и пироэлектрический слой зажаты между, по меньшей мере, двумя электродами.
36. Устройство по п.35, дополнительно содержащее гибкую фольгу, в котором массив датчиков и пироэлектрический массив установлены на гибкой фольге.
37. Устройство по п.36, в котором массив датчиков и пироэлектрический массив разделены так, что открыт участок гибкой фольги так, что гибкость повышается.
RU2010103510/28A 2007-07-03 2008-06-30 Тонкопленочный детектор для детектирования присутствия RU2475892C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07111625.5 2007-07-03
EP07111625 2007-07-03
PCT/IB2008/052610 WO2009004558A2 (en) 2007-07-03 2008-06-30 Thin film detector for presence detection

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010103510A true RU2010103510A (ru) 2011-08-10
RU2475892C2 RU2475892C2 (ru) 2013-02-20

Family

ID=40226605

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010103510/28A RU2475892C2 (ru) 2007-07-03 2008-06-30 Тонкопленочный детектор для детектирования присутствия

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8193685B2 (ru)
EP (1) EP2174359A2 (ru)
JP (1) JP5676255B2 (ru)
KR (1) KR20100057596A (ru)
CN (1) CN101919079B (ru)
RU (1) RU2475892C2 (ru)
TW (1) TW200917499A (ru)
WO (1) WO2009004558A2 (ru)

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8855554B2 (en) * 2008-03-05 2014-10-07 Qualcomm Incorporated Packaging and details of a wireless power device
GB0901022D0 (en) * 2009-01-21 2009-03-04 Sec Dep For Innovation Univers System for measuring a property and ultrasound receiver therefor
US8497658B2 (en) 2009-01-22 2013-07-30 Qualcomm Incorporated Adaptive power control for wireless charging of devices
KR101573518B1 (ko) 2009-09-16 2015-12-01 삼성전자주식회사 초음파 트랜스듀서 및 그 제조 방법
EP2598255A2 (en) * 2010-07-30 2013-06-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Thin film ultrasound transducer
CN102736756A (zh) * 2011-03-31 2012-10-17 汉王科技股份有限公司 一种压电式传感器及其安装方法
US20120268604A1 (en) * 2011-04-25 2012-10-25 Evan Tree Dummy security device that mimics an active security device
JP5711096B2 (ja) * 2011-10-24 2015-04-30 モレックス インコーポレイテドＭｏｌｅｘ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ コネクタ
WO2013084152A1 (en) 2011-12-07 2013-06-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Adaptable thin film ultrasound array for presence detection
US20130277305A1 (en) * 2012-04-19 2013-10-24 Lockheed Martin Corporation Selectively perforated graphene membranes for compound harvest, capture and retention
US9454954B2 (en) 2012-05-01 2016-09-27 Fujifilm Dimatix, Inc. Ultra wide bandwidth transducer with dual electrode
US9061320B2 (en) 2012-05-01 2015-06-23 Fujifilm Dimatix, Inc. Ultra wide bandwidth piezoelectric transducer arrays
US8767512B2 (en) 2012-05-01 2014-07-01 Fujifilm Dimatix, Inc. Multi-frequency ultra wide bandwidth transducer
US20130305520A1 (en) * 2012-05-20 2013-11-21 Trevor Graham Niblock Batch Manufacturing Meso Devices on flexible substrates
US9511393B2 (en) * 2012-08-17 2016-12-06 The Boeing Company Flexible ultrasound inspection system
KR101909131B1 (ko) * 2012-09-11 2018-12-18 삼성전자주식회사 초음파 변환기 및 그 제조방법
TW201415794A (zh) * 2012-10-09 2014-04-16 Issc Technologies Corp 可切換式濾波電路及其操作之方法
US9660170B2 (en) 2012-10-26 2017-05-23 Fujifilm Dimatix, Inc. Micromachined ultrasonic transducer arrays with multiple harmonic modes
CN105142808B (zh) * 2013-02-02 2018-10-09 北方华创艾可隆公司 使用声能处理基板的系统、设备和方法
WO2014159273A1 (en) * 2013-03-14 2014-10-02 Recor Medical, Inc. Methods of plating or coating ultrasound transducers
US10018510B2 (en) * 2013-04-22 2018-07-10 Excelitas Technologies Singapore Pte. Ltd. Motion and presence detector
CN103245634B (zh) * 2013-05-16 2015-03-18 江苏物联网研究发展中心 单片集成式微型红外气体传感器
DE102013105557B4 (de) 2013-05-29 2015-06-11 Michael Förg Piezoelektrischer Aktor
US10036734B2 (en) 2013-06-03 2018-07-31 Snaptrack, Inc. Ultrasonic sensor with bonded piezoelectric layer
US9465429B2 (en) * 2013-06-03 2016-10-11 Qualcomm Incorporated In-cell multifunctional pixel and display
US20140355387A1 (en) * 2013-06-03 2014-12-04 Qualcomm Incorporated Ultrasonic receiver with coated piezoelectric layer
CN103479382B (zh) * 2013-08-29 2015-09-30 无锡慧思顿科技有限公司 一种声音传感器、基于声音传感器的肠电图检测系统及检测方法
JP6442821B2 (ja) * 2013-09-30 2018-12-26 セイコーエプソン株式会社 超音波デバイス及び電子機器
WO2015061532A2 (en) * 2013-10-24 2015-04-30 Redwood Systems, Inc. Overhead-mounted infrared sensor array based hoteling systems and related methods
JP2015097733A (ja) 2013-11-20 2015-05-28 セイコーエプソン株式会社 超音波デバイスおよびその製造方法並びに電子機器および超音波画像装置
DE202014103874U1 (de) * 2014-08-21 2015-11-25 Grass Gmbh Möbel mit Sensoreinrichtung
JP6402983B2 (ja) 2014-08-29 2018-10-10 セイコーエプソン株式会社 超音波デバイス、超音波デバイスの製造方法、超音波プローブ、超音波測定装置、電子機器
JP2016181841A (ja) * 2015-03-24 2016-10-13 セイコーエプソン株式会社 超音波センサー及びその駆動方法
WO2016152222A1 (ja) * 2015-03-25 2016-09-29 Ｓｅｍｉｔｅｃ株式会社 赤外線温度センサ及び赤外線温度センサを用いた装置
US10732053B2 (en) * 2015-05-13 2020-08-04 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Apparatus for measuring temperature of power device using piezoelectric device, apparatus for reducing thermal stress, and method for manufacturing the same
DE102015113561A1 (de) * 2015-08-17 2017-02-23 Endress + Hauser Flowtec Ag Ultraschallwandler zum Einsatz in Ultraschall- Durchflussmessgeräten zur Messung der Durchflussgeschwindigkeit oder dem Volumendurchfluss von Medien in einer Rohrleitung sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Ultraschallwandlers
DE102015122417A1 (de) * 2015-12-21 2017-06-22 Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh Ultraschallsensorvorrichtung mit einer zumindest bereichsweise flexiblen Leiterplatte, Ultraschallsensoranordnung und Kraftfahrzeug
FR3047797B1 (fr) * 2016-02-15 2018-02-09 Thermor Pacific Procede de regulation d'un appareil de chauffage comprenant au moins un capteur de co2 et au moins un detecteur d'absence/presence et appareil de chauffage associe
RU2626080C1 (ru) * 2016-03-23 2017-07-21 Открытое акционерное общество "Фомос - Материалс" Способ промышленного производства прецизионных пьезоэлектрических чувствительных элементов
US10955599B2 (en) 2016-04-01 2021-03-23 Infineon Technologies Ag Light emitter devices, photoacoustic gas sensors and methods for forming light emitter devices
US10681777B2 (en) 2016-04-01 2020-06-09 Infineon Technologies Ag Light emitter devices, optical filter structures and methods for forming light emitter devices and optical filter structures
US10347814B2 (en) 2016-04-01 2019-07-09 Infineon Technologies Ag MEMS heater or emitter structure for fast heating and cooling cycles
JP6724502B2 (ja) 2016-04-06 2020-07-15 セイコーエプソン株式会社 超音波装置
WO2017182416A1 (en) * 2016-04-19 2017-10-26 Koninklijke Philips N.V. Ultrasound transducer positioning
US11003884B2 (en) 2016-06-16 2021-05-11 Qualcomm Incorporated Fingerprint sensor device and methods thereof
KR102636735B1 (ko) * 2016-09-20 2024-02-15 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN106646371B (zh) * 2016-09-29 2019-05-03 武汉工程大学 一种水下超声源定位系统
US10918356B2 (en) 2016-11-22 2021-02-16 General Electric Company Ultrasound transducers having electrical traces on acoustic backing structures and methods of making the same
US10957807B2 (en) * 2017-04-19 2021-03-23 The Board Of Trustees Of The University Of Alabama PLZT thin film capacitors apparatus with enhanced photocurrent and power conversion efficiency and method thereof
US10873020B2 (en) * 2017-08-08 2020-12-22 Texas Instruments Incorporated Piezoelectric sensing apparatus and method
CN107462192B (zh) * 2017-09-11 2023-06-23 重庆大学 一种基于soi和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法
GB201802402D0 (en) * 2018-02-14 2018-03-28 Littlejohn Alexander Apparatus and method for prosthodontics
TW201947717A (zh) * 2018-05-03 2019-12-16 美商蝴蝶網路公司 用於超音波晶片的垂直封裝及相關方法
US11465177B2 (en) * 2018-05-21 2022-10-11 Fujifilm Sonosite, Inc. PMUT ultrasound transducer with damping layer
AU2019297412A1 (en) 2018-07-06 2021-01-28 Butterfly Network, Inc. Methods and apparatuses for packaging an ultrasound-on-a-chip
EP3864388B1 (en) * 2018-10-10 2024-10-09 JOANNEUM RESEARCH Forschungsgesellschaft mbH Piezoelectric sensor
US11545612B2 (en) * 2019-05-03 2023-01-03 May Sun Technology Co., Ltd. Pseudo-piezoelectric D33 device and electronic device using the same
US12268555B2 (en) * 2020-09-28 2025-04-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Flexible sensor
KR20230104684A (ko) 2020-11-19 2023-07-10 카톨리에케 유니버시테이트 루벤 초음파 트랜스듀서 어레이 디바이스
CN116600907A (zh) * 2020-11-19 2023-08-15 鲁汶天主教大学 超声换能器阵列器件
US11899143B2 (en) * 2021-07-12 2024-02-13 Robert Bosch Gmbh Ultrasound sensor array for parking assist systems
US12150384B2 (en) 2021-07-12 2024-11-19 Robert Bosch Gmbh Ultrasound transducer with distributed cantilevers
US20230008879A1 (en) * 2021-07-12 2023-01-12 Robert Bosch Gmbh Ultrasound transducer including a combination of a bending and piston mode
US12256642B2 (en) * 2021-07-12 2025-03-18 Robert Bosch Gmbh Ultrasound transducer with distributed cantilevers
EP4375630A1 (en) * 2022-11-24 2024-05-29 Photona GmbH Pyroelectric infrared detector device
CN119467851B (zh) * 2025-01-16 2025-06-03 地球山(苏州)微电子科技有限公司 Mems数字流量控制阀门、数字流量计及流量控制方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1122245A (en) * 1966-04-22 1968-07-31 Marconi Co Ltd Improvements in or relating to electro-mechanical resonators
DE3485521D1 (de) 1983-12-08 1992-04-02 Toshiba Kawasaki Kk Gebogene lineare ultraschallwandleranordnung.
JPS6361125A (ja) * 1986-09-01 1988-03-17 Omron Tateisi Electronics Co 焦電センサ
US4751419A (en) * 1986-12-10 1988-06-14 Nitto Incorporated Piezoelectric oscillation assembly including several individual piezoelectric oscillation devices having a common oscillation plate member
JP2545861B2 (ja) 1987-06-12 1996-10-23 富士通株式会社 超音波探触子の製造方法
SU1613855A1 (ru) * 1988-09-20 1990-12-15 Пензенский Политехнический Институт Ультразвуковой измерительный преобразователь параметров движени
GB8913450D0 (en) * 1989-06-12 1989-08-02 Philips Electronic Associated Electrical device manufacture,particularly infrared detector arrays
GB2236900A (en) * 1989-09-13 1991-04-17 Philips Electronic Associated Thermal-radiation detectors with polymer film element(s)
FR2656689A1 (fr) * 1989-12-29 1991-07-05 Philips Electronique Lab Element detecteur pyroelectrique et dispositifs pour la detection de phenomenes thermiques.
US5160870A (en) * 1990-06-25 1992-11-03 Carson Paul L Ultrasonic image sensing array and method
DE4218789A1 (de) 1992-06-06 1993-12-09 Philips Patentverwaltung Mikroelektronikkompatibler pyroelektrischer Detektor und Verfahren zu seiner Herstellung
US5576589A (en) * 1994-10-13 1996-11-19 Kobe Steel Usa, Inc. Diamond surface acoustic wave devices
AU2595399A (en) * 1998-02-09 1999-08-23 Stephen Barone Motion detectors and occupancy sensors based on displacement detection
US6329739B1 (en) 1998-06-16 2001-12-11 Oki Electric Industry Co., Ltd. Surface-acoustic-wave device package and method for fabricating the same
JP3868143B2 (ja) * 1999-04-06 2007-01-17 松下電器産業株式会社 圧電体薄膜素子及びこれを用いたインクジェット式記録ヘッド並びにこれらの製造方法
US6323580B1 (en) 1999-04-28 2001-11-27 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Ferroic transducer
US6327221B1 (en) 1999-09-20 2001-12-04 Honeywell International Inc. Steered beam ultrasonic sensor for object location and classification
JP3700559B2 (ja) * 1999-12-16 2005-09-28 株式会社村田製作所 圧電音響部品およびその製造方法
US6515402B2 (en) * 2001-01-24 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Array of ultrasound transducers
US6548937B1 (en) * 2002-05-01 2003-04-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Array of membrane ultrasound transducers
US6671230B1 (en) 2002-06-10 2003-12-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Piezoelectric volumetric array
JP4229122B2 (ja) * 2003-05-26 2009-02-25 株式会社村田製作所 圧電電子部品、およびその製造方法、通信機
JP2005033775A (ja) * 2003-06-18 2005-02-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品及びその製造方法
EP1489740A3 (en) * 2003-06-18 2006-06-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component and method for manufacturing the same
RU35222U1 (ru) * 2003-09-04 2004-01-10 Санкт-Петербургский государственный университет Устройство для индикации движения
US20060100522A1 (en) 2004-11-08 2006-05-11 Scimed Life Systems, Inc. Piezocomposite transducers
JP5297576B2 (ja) * 2005-03-28 2013-09-25 セイコーエプソン株式会社 圧電素子及びアクチュエータ装置並びに液体噴射ヘッド及び液体噴射装置
JP5019020B2 (ja) 2005-03-31 2012-09-05 セイコーエプソン株式会社 誘電体膜の製造方法及び圧電体素子の製造方法並びに液体噴射ヘッドの製造方法
CN101558552B (zh) * 2005-06-17 2017-05-31 科隆科技公司 具有绝缘延伸部的微机电换能器
JP4799059B2 (ja) * 2005-06-27 2011-10-19 株式会社東芝 半導体装置
JP2007019310A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Seiko Epson Corp 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法及び電子機器
US7514851B2 (en) * 2005-07-13 2009-04-07 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Curved capacitive membrane ultrasound transducer array
JP2007074647A (ja) * 2005-09-09 2007-03-22 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器及びその製造方法
JP4860351B2 (ja) * 2006-05-22 2012-01-25 富士フイルム株式会社 曲面貼着方法および超音波プローブ
JP4650383B2 (ja) * 2006-09-12 2011-03-16 株式会社デンソー 紫外線検出装置
RU64408U1 (ru) * 2007-02-01 2007-06-27 Общество с ограниченной ответственностью "АЛКОН" Устройство для обнаружения движущихся объектов

Also Published As

Publication number Publication date
RU2475892C2 (ru) 2013-02-20
JP2010539442A (ja) 2010-12-16
TW200917499A (en) 2009-04-16
US8193685B2 (en) 2012-06-05
US20100277040A1 (en) 2010-11-04
WO2009004558A3 (en) 2010-09-30
WO2009004558A2 (en) 2009-01-08
CN101919079A (zh) 2010-12-15
CN101919079B (zh) 2014-01-01
KR20100057596A (ko) 2010-05-31
JP5676255B2 (ja) 2015-02-25
EP2174359A2 (en) 2010-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010103510A (ru) Тонкопленочный детектор для детектирования присутствия
JP3567089B2 (ja) 静電容量式圧力センサ
JP4426806B2 (ja) 有機半導体センサー装置
KR101696134B1 (ko) 위치 시그널링에 의한 압전 발생
US20020152048A1 (en) Capacitive two dimensional sensor
JPH0915198A (ja) 薄膜トランジスタ生／化学センサ
TW201636805A (zh) 指紋感測裝置
KR20130052528A (ko) 수평형 플로팅 게이트를 갖는 ｆｅｔ형 가스 감지소자
CN102449453B (zh) 具有高信号电压及高信号/噪声比的红外光传感器
CN109764983A (zh) 双栅薄膜晶体管、传感器及制作方法
WO2006132155A1 (ja) 電子デバイス及びその製造方法
JP6342505B2 (ja) エレクトレット素子及びセンサー
US20240397828A1 (en) Piezoelectric device having piezoelectric structure disposed between patterned conductive structures
CN115523961B (zh) 一种气体与电容式压力传感器及其加工方法
JP2012114166A5 (ru)
US20090194827A1 (en) Semiconductor Device Having Element Portion and Method of Producing the Same
JP7300185B2 (ja) 化学センサ
JP2022164363A (ja) フォトダイオードアレイ及びイメージセンサ
JP2011133234A (ja) センサ及びその測定方法
JPH0487376A (ja) 圧力センサ
JPWO2014061273A1 (ja) センサー、センサーモジュールおよび検出方法
JP2018048909A (ja) センサ装置
JP2013019857A (ja) 焦電型センサ素子
US20240092631A1 (en) Mems sensor and manufacturing method thereof
US12269735B2 (en) Dielectric protection layer configured to increase performance of mems device

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20170315

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180701