[go: up one dir, main page]

RU2010151565A - Отверждаемая органополисилоксановая композиция и полупроводниковое устройство - Google Patents

Отверждаемая органополисилоксановая композиция и полупроводниковое устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2010151565A
RU2010151565A RU2010151565/05A RU2010151565A RU2010151565A RU 2010151565 A RU2010151565 A RU 2010151565A RU 2010151565/05 A RU2010151565/05 A RU 2010151565/05A RU 2010151565 A RU2010151565 A RU 2010151565A RU 2010151565 A RU2010151565 A RU 2010151565A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
groups
sio
range
mol
positive number
Prior art date
Application number
RU2010151565/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2503696C2 (ru
Inventor
Такаши САГАВА (JP)
Такаши САГАВА
Масайоши ТЕРАДА (JP)
Масайоши ТЕРАДА
Макото ЙОШИТАКЕ (JP)
Макото ЙОШИТАКЕ
Original Assignee
Дау Корнинг Торей Ко., Лтд. (JP)
Дау Корнинг Торей Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Дау Корнинг Торей Ко., Лтд. (JP), Дау Корнинг Торей Ко., Лтд. filed Critical Дау Корнинг Торей Ко., Лтд. (JP)
Publication of RU2010151565A publication Critical patent/RU2010151565A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2503696C2 publication Critical patent/RU2503696C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296—Organo-silicon compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/56—Organo-metallic compounds, i.e. organic compounds containing a metal-to-carbon bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/80—Siloxanes having aromatic substituents, e.g. phenyl side groups
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

1. Отверждаемая органополисилоксановая композиция, включающая: ! (A) органополисилоксан следующей усредненной структурной формулы: ! R1 aSiO(4-a)/2, ! (в которой R1 обозначает незамещенные или замещенные галогеном одновалентные углеводородные группы; однако в одной молекуле по меньшей мере две группы, обозначенные R1, представляют собой алкенильные группы, и по меньшей мере 30 мол.% от всех групп, обозначенных R1, представляют собой арильные группы; и «а» представляет собой число в диапазоне от 0,6 до 2,1); ! (B) органополисилоксан, который содержит в одной молекуле по меньшей мере два связанных с кремнием атома водорода и по меньшей мере 15 мол.% от всех связанных с кремнием органических групп в форме арильных групп; ! (C) органополисилоксан с разветвленной цепью, имеющий следующую усредненную формулу блока: ! (R2SiO3/2)b(R2 2SiO2/2)c(R2 3SiO1/2)d(SiO4/2)e(XO1/2)f, ! (в которой каждый R2 независимо обозначает алкильную группу, алкенильную группу, арильную группу или эпоксисодержащую органическую группу; однако в одной молекуле по меньшей мере 5 мол.% от всех групп, обозначенных R2, представляют собой алкенильные группы, по меньшей мере 15 мол.% от всех групп, обозначенных R2, представляют собой арильные группы, и по меньшей мере 10 мол.% от всех групп, обозначенных R2, представляют собой эпоксисодержащие органические группы, X обозначает атом водорода или алкильную группу; и «b» представляет собой положительное число, «с» представляет собой 0 или положительное число, «d» представляет собой 0 или положительное число, «е» представляет собой 0 или положительное число, «f» представляет собой 0 или положительное число, «c/b» представляет собой число в диапазоне от 0 до 10

Claims (8)

1. Отверждаемая органополисилоксановая композиция, включающая:
(A) органополисилоксан следующей усредненной структурной формулы:
R1 aSiO(4-a)/2,
(в которой R1 обозначает незамещенные или замещенные галогеном одновалентные углеводородные группы; однако в одной молекуле по меньшей мере две группы, обозначенные R1, представляют собой алкенильные группы, и по меньшей мере 30 мол.% от всех групп, обозначенных R1, представляют собой арильные группы; и «а» представляет собой число в диапазоне от 0,6 до 2,1);
(B) органополисилоксан, который содержит в одной молекуле по меньшей мере два связанных с кремнием атома водорода и по меньшей мере 15 мол.% от всех связанных с кремнием органических групп в форме арильных групп;
(C) органополисилоксан с разветвленной цепью, имеющий следующую усредненную формулу блока:
(R2SiO3/2)b(R2 2SiO2/2)c(R2 3SiO1/2)d(SiO4/2)e(XO1/2)f,
(в которой каждый R2 независимо обозначает алкильную группу, алкенильную группу, арильную группу или эпоксисодержащую органическую группу; однако в одной молекуле по меньшей мере 5 мол.% от всех групп, обозначенных R2, представляют собой алкенильные группы, по меньшей мере 15 мол.% от всех групп, обозначенных R2, представляют собой арильные группы, и по меньшей мере 10 мол.% от всех групп, обозначенных R2, представляют собой эпоксисодержащие органические группы, X обозначает атом водорода или алкильную группу; и «b» представляет собой положительное число, «с» представляет собой 0 или положительное число, «d» представляет собой 0 или положительное число, «е» представляет собой 0 или положительное число, «f» представляет собой 0 или положительное число, «c/b» представляет собой число в диапазоне от 0 до 10, «d/b» представляет собой число в диапазоне от 0 до 5, «e/(b+c+d+e)» представляет собой число в диапазоне от 0 до 0,3, и «f/(b+c+d+e)» представляет собой число в диапазоне от 0 до 0,02; и
(D) катализатор гидросилилирования;
при этом компонент (B) применяют в таком количестве, что мольное соотношение связанных с кремнием атомов водорода, содержащихся в компоненте (B), и алкенильных групп, содержащихся в компонентах (A) и (C), находится в диапазоне от 0,1 до 5;
компонент (C) содержится в количестве от 0,1 до 20 мас.ч. на 100 мас.ч. суммарного содержания компонентов (A) и (B); и
компонент (D) содержится в количестве, достаточном для ускорения отверждения композиции.
2. Отверждаемая органополисилоксановая композиция по п.1, в которой компонент (А) представляет собой органополисилоксан с линейной цепью следующей общей формулы:
R1 3SiO(R1 2SiO)mSiR1 3,
(в которой R1 независимо обозначает незамещенную или замещенную галогеном одновалентную углеводородную группу; однако, в одной молекуле по меньшей мере две группы, обозначенные R1, представляют собой алкенильные группы, и по меньшей мере 30 мол.% от всех групп, обозначенных R1, представляют собой арильные группы; и «m» представляет собой целое число в диапазоне от 5 до 1000); и/или органополисилоксан с разветвленной цепью, имеющий следующую усредненную формулу блока:
(R1SiO3/2)g(R1 2SiO2/2)h(R1 3SiO1/2)i(SiO4/2)j(XO1/2)k,
(в которой R1 является таким же, как это описано выше; однако, в одной молекуле по меньшей мере две группы, обозначенные R1, представляют собой алкенильные группы, и по меньшей мере 30 мол.% от всех групп, обозначенных R1, представляют собой арильные группы; и «g» представляет собой положительное число, «h» представляет собой 0 или положительное число, «i» представляет собой 0 или положительное число, «j» представляет собой 0 или положительное число, «k» представляет собой 0 или положительное число; «h/g» представляет собой число в диапазоне от 0 до 10, «i/g» представляет собой число в диапазоне от 0 до 5, «j/(g+h+i+j)» представляет собой число в диапазоне от 0 до 0,3, и «k/(g+h+i+j)» представляет собой число в диапазоне от 0 до 0,4).
3. Отверждаемая органополисилоксановая композиция по п.1, в которой компонент (В) представляет собой органополисилоксан с линейной цепью, представленный следующей общей формулой:
R3 3SiO(R3 2SiO)nSiR3 3,
(в которой R3 независимо обозначает атомы водорода, или незамещенные или замещенные галогеном одновалентные углеводородные группы; однако, в одной молекуле по меньшей мере две группы, обозначенные R3, представляют собой атомы водорода, и по меньшей мере 15 мол.% всех групп, обозначенных R3, представляют собой арильные группы; и «n» представляет собой целое число в диапазоне от 5 до 1000); и/или органополисилоксан с разветвленной цепью, имеющий следующую усредненную формулу блока:
(R3SiO3/2)p(R3 2SiO2/2)q(R3 3SiO1/2)r(SiO4/2)s(XO1/2)t,
(в которой R3 является таким же, как это определено выше; однако, в одной молекуле по меньшей мере две группы, обозначенные R3, представляют собой атомы водорода, и по меньшей мере 15 мол.% от всех групп, обозначенных R3, представляют собой арильные группы, и «р» является положительным числом, «q» представляет собой 0 или положительное число, «r» представляет собой 0 или положительное число, «s» представляет собой 0 или положительное число, «t» представляет собой 0 или положительное число; «q/p» представляет собой число в диапазоне от 0 до 10, «r/p» представляет собой число в диапазоне от 0 до 5, «s/(p+q+r+s)» представляет собой число в диапазоне от 0 до 0,3, и «t/(p+q+r+s)» представляет собой число в диапазоне от 0 до 0,4).
4. Отверждаемая органополисилоксановая композиция по п.1, в которой среднемассовая молекулярная масса компонента (С) составляет по меньшей мере 2000.
5. Отверждаемая органополисилоксановая композиция по п.1, в которой показатель преломления (при 25°С) для видимого света (589 нм) составляет 1,5 или более.
6. Отверждаемая органополисилоксановая композиция по п.1, где отвержденный продукт, полученный путем отверждения композиции, имеет коэффициент пропускания (при 25°С), равный 80% или более.
7. Полупроводниковое устройство, которое содержит полупроводниковый компонент, включающий отвержденный продукт из отверждаемой органополисилоксановой композиции по любому из пп.1-6.
8. Полупроводниковое устройство по п.7, в котором полупроводниковый компонент представляет собой светоиспускающий элемент.
RU2010151565/05A 2008-06-18 2009-06-11 Отверждаемая органополисилоксановая композиция и полупроводниковое устройство RU2503696C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008159722A JP5972512B2 (ja) 2008-06-18 2008-06-18 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
JP2008-159722 2008-06-18
PCT/JP2009/061137 WO2009154260A1 (en) 2008-06-18 2009-06-11 Curable organopolysiloxane composition and semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010151565A true RU2010151565A (ru) 2012-07-27
RU2503696C2 RU2503696C2 (ru) 2014-01-10

Family

ID=40943617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010151565/05A RU2503696C2 (ru) 2008-06-18 2009-06-11 Отверждаемая органополисилоксановая композиция и полупроводниковое устройство

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8299186B2 (ru)
EP (1) EP2326686B1 (ru)
JP (1) JP5972512B2 (ru)
KR (2) KR101780458B1 (ru)
CN (1) CN102066493B (ru)
MY (1) MY156257A (ru)
RU (1) RU2503696C2 (ru)
TW (1) TWI537340B (ru)
WO (1) WO2009154260A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9909007B2 (en) 2013-08-29 2018-03-06 Dow Corning Corporation Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5667740B2 (ja) 2008-06-18 2015-02-12 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
US9410018B2 (en) 2010-01-25 2016-08-09 Lg Chem, Ltd. Curable composition
CN102712812B (zh) * 2010-01-25 2015-09-16 Lg化学株式会社 可固化组合物
DE202011110487U1 (de) * 2010-01-25 2014-04-17 Lg Chem, Ltd. Härtbare Zusammensetzung
JP5826767B2 (ja) * 2010-01-25 2015-12-02 エルジー・ケム・リミテッド シリコーン樹脂
US9299896B2 (en) 2010-01-25 2016-03-29 Lg Chem, Ltd. Curable composition
JP5640476B2 (ja) * 2010-06-08 2014-12-17 信越化学工業株式会社 光半導体素子封止用樹脂組成物及び発光装置
JP5170471B2 (ja) 2010-09-02 2013-03-27 信越化学工業株式会社 低ガス透過性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置
TWI401829B (zh) * 2010-10-07 2013-07-11 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝結構及其製造方法
JP5524017B2 (ja) * 2010-10-08 2014-06-18 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物の硬化物により半導体素子が被覆された半導体装置
JP2012111875A (ja) * 2010-11-25 2012-06-14 Daicel Corp 硬化性樹脂組成物及び硬化物
JP5690571B2 (ja) * 2010-12-07 2015-03-25 株式会社ダイセル 硬化性樹脂組成物
JP6300218B2 (ja) * 2010-12-31 2018-03-28 サムスン エスディアイ カンパニー, リミテッドSamsung Sdi Co., Ltd. 封止材用透光性樹脂組成物、該透光性樹脂を含む封止材および電子素子
CN103403096B (zh) * 2011-01-06 2015-09-23 Lg化学株式会社 可固化组合物
JP5522111B2 (ja) 2011-04-08 2014-06-18 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂組成物及び当該組成物を使用した光半導体装置
EP2706095B1 (en) * 2011-05-04 2021-03-03 LG Chem, Ltd. Curable composition
JP5992666B2 (ja) * 2011-06-16 2016-09-14 東レ・ダウコーニング株式会社 架橋性シリコーン組成物及びその架橋物
JP5893874B2 (ja) 2011-09-02 2016-03-23 信越化学工業株式会社 光半導体装置
JP5937798B2 (ja) * 2011-09-07 2016-06-22 株式会社ダイセル ラダー型シルセスキオキサン及びその製造方法、並びに、硬化性樹脂組成物及びその硬化物
CN103987787B (zh) * 2011-11-25 2016-08-24 Lg化学株式会社 可固化组合物
JP5805883B2 (ja) * 2011-11-25 2015-11-10 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
KR101560038B1 (ko) * 2011-11-25 2015-10-15 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
TWI498356B (zh) * 2011-11-25 2015-09-01 Ｌｇ化學股份有限公司 有機聚矽氧烷
EP2784126B1 (en) * 2011-11-25 2019-03-13 LG Chem, Ltd. Curable composition
TWI473841B (zh) * 2011-11-25 2015-02-21 Ｌｇ化學股份有限公司 可固化之組成物
EP2784127B1 (en) 2011-11-25 2019-03-27 LG Chem, Ltd. Curable composition
EP2784105B1 (en) * 2011-11-25 2017-05-10 LG Chem, Ltd. Method for producing organopolysiloxane
JP5831959B2 (ja) * 2011-11-25 2015-12-16 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
JP2013139547A (ja) * 2011-12-05 2013-07-18 Jsr Corp 硬化性組成物、硬化物および光半導体装置
JP5652387B2 (ja) 2011-12-22 2015-01-14 信越化学工業株式会社 高信頼性硬化性シリコーン樹脂組成物及びそれを使用した光半導体装置
JP2013159671A (ja) * 2012-02-02 2013-08-19 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP2015528046A (ja) * 2012-07-27 2015-09-24 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
EP2878637B1 (en) * 2012-07-27 2018-09-26 LG Chem, Ltd. Hardening composition
KR101560047B1 (ko) 2012-07-27 2015-10-15 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
JP5987221B2 (ja) * 2012-07-27 2016-09-07 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
EP2878633B1 (en) * 2012-07-27 2020-12-30 LG Chem, Ltd. Hardening composition
JP6157085B2 (ja) 2012-10-24 2017-07-05 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP6084808B2 (ja) 2012-10-24 2017-02-22 東レ・ダウコーニング株式会社 オルガノポリシロキサン、硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP5985981B2 (ja) * 2012-12-28 2016-09-06 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
TWI616489B (zh) * 2013-02-18 2018-03-01 永信新材料有限公司 可應用於發光二極體元件之聚矽氧烷組合物、基座配方及其發光二極體元件
JP2014169415A (ja) * 2013-03-05 2014-09-18 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP2014169414A (ja) * 2013-03-05 2014-09-18 Dow Corning Toray Co Ltd オルガノポリシロキサンおよびその製造方法
WO2014163439A1 (ko) * 2013-04-04 2014-10-09 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
KR101667839B1 (ko) * 2013-04-04 2016-10-19 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
EP2960296B1 (en) * 2013-04-04 2020-01-15 LG Chem, Ltd. Curable composition
EP3020750B1 (en) * 2013-07-08 2025-09-03 Momentive Performance Materials Japan LLC Adhesiveness-imparting agent, adhesive polyorganosiloxane composition, and optical semiconductor device
CN105745252B (zh) 2014-01-28 2018-12-25 株式会社Lg化学 固化产物
TWI653295B (zh) * 2014-02-04 2019-03-11 日商道康寧東麗股份有限公司 硬化性聚矽氧組合物、其硬化物及光半導體裝置
TWI624510B (zh) * 2014-02-04 2018-05-21 日商道康寧東麗股份有限公司 硬化性聚矽氧組合物、其硬化物及光半導體裝置
CN106715591A (zh) * 2014-06-03 2017-05-24 道康宁东丽株式会社 可固化有机硅组合物及光半导体装置
CN105199397B (zh) * 2014-06-17 2018-05-08 广州慧谷化学有限公司 一种可固化的有机聚硅氧烷组合物及半导体器件
TW201601358A (zh) * 2014-06-19 2016-01-01 道康寧公司 用於晶圓級ｚ軸熱中介層的可光圖案化聚矽氧
WO2015194159A1 (ja) * 2014-06-20 2015-12-23 東レ・ダウコーニング株式会社 オルガノポリシロキサンおよびその製造方法
JP6652917B2 (ja) 2014-06-20 2020-02-26 ダウ・東レ株式会社 ホットメルト性シリコーンおよび硬化性ホットメルト組成物
CN104140681B (zh) * 2014-07-25 2017-12-05 东莞市贝特利新材料有限公司 一种用于电子器件密封的有机硅组合物
KR101980935B1 (ko) * 2015-01-27 2019-05-21 주식회사 케이씨씨 접착 촉진제, 이를 포함하는 조성물 및 상기 조성물을 이용한 광학 소자
GB201603107D0 (en) * 2016-02-23 2016-04-06 Dow Corning Low temperature cure silicone elastomer
WO2018028792A1 (en) * 2016-08-12 2018-02-15 Wacker Chemie Ag Curable organopolysiloxane composition, encapsulant and semiconductor device
US10947384B2 (en) * 2016-09-07 2021-03-16 Daicel Corporation Curable resin composition, cured product thereof, and semiconductor device
CN109790385B (zh) * 2016-09-30 2021-09-21 日产化学株式会社 交联性有机聚硅氧烷组合物、其固化物及led装置
WO2018148290A1 (en) * 2017-02-08 2018-08-16 Elkem Silicones USA Corp. Silicone rubber syntactic foam
TW201917173A (zh) 2017-10-20 2019-05-01 日商道康寧東麗股份有限公司 固化性矽組合物以及光半導體裝置
JP2021021038A (ja) * 2019-07-30 2021-02-18 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 硬化性シリコーン組成物、光半導体装置、および光半導体装置の製造方法
JP7578279B2 (ja) 2020-12-28 2024-11-06 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 硬化性シリコーン組成物、封止材、及び光半導体装置
CN116940637A (zh) 2021-03-08 2023-10-24 杜邦东丽特殊材料株式会社 可固化硅酮组合物、封装剂以及光学半导体装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5224258A (en) * 1975-08-19 1977-02-23 Toray Silicone Co Ltd Curable organopolysiloxane composition
JPS5287454A (en) * 1976-01-16 1977-07-21 Toray Silicone Co Ltd Organopolysiloxane resin composition
JPS52147657A (en) * 1976-06-02 1977-12-08 Toray Silicone Co Ltd Curable organopolysiloxane compositions
RU2105778C1 (ru) * 1996-03-26 1998-02-27 Государственное предприятие Научно-исследовательский институт синтетического каучука им.акад.С.В.Лебедева Кремнийорганическая композиция холодного отверждения
JP3420473B2 (ja) * 1997-04-30 2003-06-23 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 シリコーン系接着性シート、その製造方法、および半導体装置
JP3344286B2 (ja) 1997-06-12 2002-11-11 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン樹脂組成物
US6551676B1 (en) * 1998-09-04 2003-04-22 Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. Silicone-based adhesive sheet method for manufacturing same and semiconductor device
US6124407A (en) * 1998-10-28 2000-09-26 Dow Corning Corporation Silicone composition, method for the preparation thereof, and silicone elastomer
JP3523098B2 (ja) 1998-12-28 2004-04-26 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物
JP4009067B2 (ja) 2001-03-06 2007-11-14 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン樹脂組成物
JP4409160B2 (ja) * 2002-10-28 2010-02-03 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP4180474B2 (ja) 2003-09-03 2008-11-12 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 付加硬化型シリコーン組成物
JP4908736B2 (ja) * 2003-10-01 2012-04-04 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
TWI345576B (en) * 2003-11-07 2011-07-21 Dow Corning Toray Silicone Curable silicone composition and cured product thereof
JP4503271B2 (ja) * 2003-11-28 2010-07-14 東レ・ダウコーニング株式会社 シリコーン積層体の製造方法
JP4676735B2 (ja) * 2004-09-22 2011-04-27 東レ・ダウコーニング株式会社 光半導体装置の製造方法および光半導体装置
JP4741230B2 (ja) * 2004-12-28 2011-08-03 東レ・ダウコーニング株式会社 フィルム状シリコーンゴム接着剤
JP5392805B2 (ja) * 2005-06-28 2014-01-22 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン樹脂組成物および光学部材
JP4648146B2 (ja) * 2005-09-26 2011-03-09 信越化学工業株式会社 耐クラック性に優れた付加硬化型シリコーン組成物
EP1987084B1 (en) * 2006-02-24 2014-11-05 Dow Corning Corporation Light emitting device encapsulated with silicones and curable silicone compositions for preparing the silicones
JP5060074B2 (ja) 2006-05-11 2012-10-31 東レ・ダウコーニング株式会社 接着促進剤、硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体装置
JP5202822B2 (ja) * 2006-06-23 2013-06-05 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP5667740B2 (ja) 2008-06-18 2015-02-12 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9909007B2 (en) 2013-08-29 2018-03-06 Dow Corning Corporation Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160075791A (ko) 2016-06-29
US20110160410A1 (en) 2011-06-30
WO2009154260A1 (en) 2009-12-23
EP2326686B1 (en) 2012-08-08
JP2010001335A (ja) 2010-01-07
RU2503696C2 (ru) 2014-01-10
TW201000561A (en) 2010-01-01
KR20110018916A (ko) 2011-02-24
KR101780458B1 (ko) 2017-09-21
KR101730840B1 (ko) 2017-04-27
CN102066493A (zh) 2011-05-18
MY156257A (en) 2016-01-29
US8299186B2 (en) 2012-10-30
TWI537340B (zh) 2016-06-11
JP5972512B2 (ja) 2016-08-17
CN102066493B (zh) 2013-01-02
EP2326686A1 (en) 2011-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010151565A (ru) Отверждаемая органополисилоксановая композиция и полупроводниковое устройство
RU2010151563A (ru) Отверждаемая органополисилоксановая композиция и полупроводниковое устройство
ATE358699T1 (de) Wärmeleitfähige siliconzusammensetzung
ATE442406T1 (de) Haftvermittler, härtbare organopolysiloxanzusammensetzung und halbleitervorrichtung
ATE463536T1 (de) Silikonelastomerklebefolie
BR112013021871A2 (pt) lentes de contato de silicone hidrogel com níveis aceitáveis de perda de energia
ATE541896T1 (de) Silikonharzzusammensetzung für optische halbleiterbauelemente und optisches halbleiterbauelement
ATE463537T1 (de) Härtbare organopolysiloxanzusammensetzung und halbleitervorrichtung
JP2008001828A5 (ru)
RU2008146390A (ru) Отверждающая композиция из смолы
BRPI0815149A2 (pt) Processo para execução de uma hidrólise controlada e condensação de um silano epóxi-funcional, mistura de condensados a base de silano e uso da mesma
BR112013022001A2 (pt) lentes de contato de silicone-hidrogel dimensionalmente estáveis
BRPI0518490A2 (pt) revestimento com base em polissilazano bem como seu uso para o revestimento de pelÍculas, particularmente pelÍculas polimÉricas
JP2019524959A5 (ru)
ATE521668T1 (de) Silikonharzzusammensetzung für optische halbleitervorrichtungen
RU2012125045A (ru) Полиорганосилоксан
TW200609282A (en) Heat-conductive silicone rubber composition and molded article
ES2527817T3 (es) Adhesivo de revestimiento de 2 componentes
KR890017316A (ko) 광 섬유 피복용 자외선 경화형 실리콘 수지 조성물
EP2662400A3 (en) Block type-modified organopolysiloxane, method for using the organopolysiloxane, cosmetic, and method for producing the organopolysiloxane
EP2565326A4 (en) DIRT-REPUTATIVE ACTIVE COMPOSITION
TW200704713A (en) Curable silicone composition and cured product therefrom
KR840008672A (ko) 액체 오가노실록산 수지조성물
KR870011203A (ko) 경화성 오르가노폴리실옥산 조성물
ATE440911T1 (de) Polytrimethylenterephthalat

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170612