[go: up one dir, main page]

RU2009143902A - Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией - Google Patents

Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией Download PDF

Info

Publication number
RU2009143902A
RU2009143902A RU2009143902/28A RU2009143902A RU2009143902A RU 2009143902 A RU2009143902 A RU 2009143902A RU 2009143902/28 A RU2009143902/28 A RU 2009143902/28A RU 2009143902 A RU2009143902 A RU 2009143902A RU 2009143902 A RU2009143902 A RU 2009143902A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
metal
light emitting
shunt
organic light
Prior art date
Application number
RU2009143902/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2457584C2 (ru
Inventor
Херберт ЛИФКА (NL)
Херберт ЛИФКА
Корнелис А. Х. А. МУТСАЭРС (NL)
Корнелис А. Х. А. МУТСАЭРС
Эдвард В. А. ЯНГ (NL)
Эдвард В. А. ЯНГ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl), Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Publication of RU2009143902A publication Critical patent/RU2009143902A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2457584C2 publication Critical patent/RU2457584C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

1. Органическое светоизлучающее устройство (100), содержащее подложку (101), первый электропроводный слой (102), светоизлучающий слой (103) и второй электропроводный слой (104), причем указанное светоизлучающее устройство (100) также содержит, по меньшей мере, один металлический шунт (105), который находится в электрическом контакте с указанным первым электропроводным слоем (102), отличающееся тем, что указанный, по меньшей мере, один металлический шунт (105) изолирован от указанного второго электропроводного слоя (104), по меньшей мере, посредством диэлектрического оксидного слоя (106); указанное устройство содержит первый металлический шунт (303) и второй металлический шунт (304), причем указанный первый металлический шунт (303) находится в электрическом контакте с указанным первым электропроводным слоем (302) и указанный второй металлический шунт (304) находится в электрическом контакте с указанным вторым электропроводным слоем (104). ! 2. Органическое светоизлучающее устройство (100) по п.1, в котором указанный, по меньшей мере, один металлический шунт (105) содержит первый металлический слой (107), покрытый указанным диэлектрическим оксидным слоем (106). ! 3. Органическое светоизлучающее устройство (100) по п.1 или 2, в котором указанный диэлектрический оксидный слой (106) представляет собой оксидный слой, сформированный из указанного первого металлического слоя (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105). ! 4. Органическое светоизлучающее устройство (100) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный диэлектрический оксидный слой (106) сформирован посредством анодирования указанного первого металлического слоя (107) указан�

Claims (11)

1. Органическое светоизлучающее устройство (100), содержащее подложку (101), первый электропроводный слой (102), светоизлучающий слой (103) и второй электропроводный слой (104), причем указанное светоизлучающее устройство (100) также содержит, по меньшей мере, один металлический шунт (105), который находится в электрическом контакте с указанным первым электропроводным слоем (102), отличающееся тем, что указанный, по меньшей мере, один металлический шунт (105) изолирован от указанного второго электропроводного слоя (104), по меньшей мере, посредством диэлектрического оксидного слоя (106); указанное устройство содержит первый металлический шунт (303) и второй металлический шунт (304), причем указанный первый металлический шунт (303) находится в электрическом контакте с указанным первым электропроводным слоем (302) и указанный второй металлический шунт (304) находится в электрическом контакте с указанным вторым электропроводным слоем (104).
2. Органическое светоизлучающее устройство (100) по п.1, в котором указанный, по меньшей мере, один металлический шунт (105) содержит первый металлический слой (107), покрытый указанным диэлектрическим оксидным слоем (106).
3. Органическое светоизлучающее устройство (100) по п.1 или 2, в котором указанный диэлектрический оксидный слой (106) представляет собой оксидный слой, сформированный из указанного первого металлического слоя (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105).
4. Органическое светоизлучающее устройство (100) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный диэлектрический оксидный слой (106) сформирован посредством анодирования указанного первого металлического слоя (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105).
5. Органическое светоизлучающее устройство (100) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный первый металлический слой (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105) отобран из группы, состоящей из алюминия, циркония, титана и галлия.
6. Органическое светоизлучающее устройство (100) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный, по меньшей мере, один металлический шунт (105) также содержит, по меньшей мере, один дополнительный металлический слой (108), нанесенный для улучшения электрического контакта между указанным первым электропроводным слоем (102) и указанным, по меньшей мере, одним металлическим шунтом (105), причем указанный дополнительный металлический слой (слои) (108) может быть отобран из группы, состоящей из молибдена, алюминия, хрома, нитрида титана, меди, серебра, золота, вольфрама, циркония, титана, гафния или их комбинаций или сплавов.
7. Органическое светоизлучающее устройство (300) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный второй металлический шунт (304) расположен поверх указанного первого металлического шунта (303).
8. Органическое светоизлучающее устройство (300) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный первый металлический шунт (303) отделен от указанного второго металлического шунта (304) вторым диэлектрическим слоем (305).
9. Органическое светоизлучающее устройство (300) по п.8, в котором указанный второй диэлектрический слой (305) отобран из группы, состоящей из Si02, Si3N4 и Al2O3.
10. Способ изготовления органического светоизлучающего устройства (100) по п.1, содержащий:
a) обеспечение подложки (101);
b) расположение первого электропроводного слоя (102) на указанной подложке (101);
c) расположение первого металлического слоя (107) на указанной подложке (101) или указанном первом электропроводном слое (102);
d) структурирование указанного первого металлического слоя (107) для формирования, по меньшей мере, одного металлического шунта (105);
e) формирование диэлектрического оксидного слоя (106) на указанном первом металлическом слое (107) указанного металлического шунта (105);
расположение светоизлучающего слоя (103) на указанном первом электропроводном слое (102) и
f) расположение второго электропроводного слоя (104) на указанном светоизлучающем слое (103);
указанный способ также содержит этап расположения, по меньшей мере, одного дополнительного металлического слоя (108) на указанной подложке (101) или указанном первом электропроводном слое (102) до этапа c) и также содержит этап структурирования указанного дополнительного металлического слоя (слоев) (107) с использованием диэлектрического оксидного слоя (108), сформированного на этапе e) в качестве маски для травления указанного дополнительного металлического слоя (слоев) (107).
11. Способ по п.10, в котором указанный диэлектрический оксидный слой (106), сформированный на указанном этапе e), формируют посредством анодирования указанного первого металлического слоя (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105).
RU2009143902/28A 2007-04-27 2008-04-21 Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией RU2457584C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07107086 2007-04-27
EP07107086.6 2007-04-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009143902A true RU2009143902A (ru) 2011-06-10
RU2457584C2 RU2457584C2 (ru) 2012-07-27

Family

ID=39580124

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009143902/28A RU2457584C2 (ru) 2007-04-27 2008-04-21 Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8004188B2 (ru)
EP (1) EP2145355B1 (ru)
JP (1) JP5063778B2 (ru)
CN (1) CN101669228B (ru)
RU (1) RU2457584C2 (ru)
WO (1) WO2008132655A2 (ru)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2202819A1 (en) * 2008-12-29 2010-06-30 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Electro-optic device and method for manufacturing the same
US8536783B2 (en) 2009-02-05 2013-09-17 Koninklijke Philips N.V. Electroluminescent device with protective means for contact areas
WO2010089680A1 (en) * 2009-02-05 2010-08-12 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Electroluminescent device
JP5553518B2 (ja) * 2009-03-19 2014-07-16 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 画像表示装置
JP5988380B2 (ja) * 2010-12-24 2016-09-07 Ｎｅｃライティング株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置
CN105453297B (zh) 2013-09-30 2018-04-06 乐金显示有限公司 层压体及其制造方法
KR102119453B1 (ko) * 2013-12-18 2020-06-05 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
RU2567118C1 (ru) * 2014-07-10 2015-11-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова Способ изготовления полупроводникового прибора
US9978674B2 (en) 2016-04-05 2018-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Chip-on-film semiconductor packages and display apparatus including the same
CN116261925A (zh) * 2020-08-21 2023-06-13 应用材料公司 用于高级图案化的金属悬垂部

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01134895A (ja) * 1987-11-20 1989-05-26 Nec Corp 薄膜ｅｌパネル
US5707745A (en) * 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
JPH08180974A (ja) * 1994-12-26 1996-07-12 Nippondenso Co Ltd Ｅｌ素子およびその製造方法
TW364275B (en) 1996-03-12 1999-07-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device
JP2000082588A (ja) * 1997-09-22 2000-03-21 Fuji Electric Co Ltd 有機発光素子およびその製造方法
US6858847B1 (en) * 1998-10-08 2005-02-22 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Circuit and method for energy discrimination of coincident events in coincidence detecting gamma camera system
KR20020093113A (ko) * 2001-03-06 2002-12-12 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 디스플레이 디바이스
KR100404203B1 (ko) * 2001-08-21 2003-11-03 엘지전자 주식회사 트리플 스캔 구조의 유기 ｅｌ 소자
SG126714A1 (en) 2002-01-24 2006-11-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003255857A (ja) 2002-02-28 2003-09-10 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機ｅｌディスプレイ
KR100504472B1 (ko) * 2002-09-05 2005-08-04 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법
JP2004134282A (ja) 2002-10-11 2004-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置及びそれを用いた画像読取装置
DE10324880B4 (de) * 2003-05-30 2007-04-05 Schott Ag Verfahren zur Herstellung von OLEDs
WO2005053053A1 (en) 2003-11-26 2005-06-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting device comprising an etch-protective layer
US7622338B2 (en) * 2004-08-31 2009-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN100542363C (zh) * 2005-09-27 2009-09-16 铼宝科技股份有限公司 有机发光装置及电极基板

Also Published As

Publication number Publication date
CN101669228A (zh) 2010-03-10
JP2010525539A (ja) 2010-07-22
EP2145355A2 (en) 2010-01-20
EP2145355B1 (en) 2013-06-19
JP5063778B2 (ja) 2012-10-31
WO2008132655A3 (en) 2009-02-05
US20100084963A1 (en) 2010-04-08
WO2008132655A2 (en) 2008-11-06
US8004188B2 (en) 2011-08-23
CN101669228B (zh) 2012-06-20
RU2457584C2 (ru) 2012-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009143902A (ru) Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией
JP5450397B2 (ja) 半導体ウェハアセンブリの処理方法
CN103500790B (zh) 一种倒装高压led芯片的结构及其制造方法
CN100487890C (zh) 用以由发光二极管移除热量的系统及方法
CN103022306B (zh) 发光二极管及其制作方法
JP5512249B2 (ja) 発光素子及びその製造方法
US10411065B2 (en) Light-emitting device and method for manufacturing the same
US9570653B2 (en) Light-emitting semiconductor structure and method for fabricating light-emitting diode device
US8754439B2 (en) Light-emitting element and the manufacturing method thereof
CN105514230B (zh) GaN基LED垂直芯片结构及其制备方法
CN104064642B (zh) 垂直型led的制作方法
CN106784173B (zh) 具有电容结构的led芯片及其制备方法
CN108847438A (zh) 一种led芯片及其制造方法
CN103000777B (zh) 发光元件
CN1998094B (zh) 半导体发光二极管上的反射层的制造
CN103474542A (zh) 发光二极管及其制造方法
US9461211B2 (en) Method for producing a connection region of an optoelectronic semiconductor chip
CN102460743A (zh) 发光半导体器件及其制造方法
TWI427822B (zh) 發光二極體及其製作方法
CN109285924A (zh) 一种半导体芯片的制造方法
KR20050099446A (ko) 질화물 발광 다이오드 및 그의 제조 방법
CN102751393A (zh) 发光二极管结构
CN111725363A (zh) 一种微型发光二极管背板及其制造方法
CN107735871A (zh) 具有金属载体的器件和用于制造器件的方法
CN106299073B (zh) 发光二极管晶圆及其形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20190313