[go: up one dir, main page]

RU2008126557A - METHOD FOR PRODUCING A PHOTOGALVANIC ELEMENT - Google Patents

METHOD FOR PRODUCING A PHOTOGALVANIC ELEMENT Download PDF

Info

Publication number
RU2008126557A
RU2008126557A RU2008126557/28A RU2008126557A RU2008126557A RU 2008126557 A RU2008126557 A RU 2008126557A RU 2008126557/28 A RU2008126557/28 A RU 2008126557/28A RU 2008126557 A RU2008126557 A RU 2008126557A RU 2008126557 A RU2008126557 A RU 2008126557A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
photodiode
working area
producing
photovoltaic cell
annealing
Prior art date
Application number
RU2008126557/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2392694C2 (en
Inventor
Андрей Алекснадрович Величко (RU)
Андрей Алекснадрович Величко
Александр Леонович Пергамент (RU)
Александр Леонович Пергамент
Сергей Алекснадрович Мануилов (RU)
Сергей Алекснадрович Мануилов
Вадим Вячеславович Путролайнен (RU)
Вадим Вячеславович Путролайнен
Original Assignee
Федеральное агенство по образованию Государственное образовательное высшего профессионального образовани "Петрозаводский государст
Федеральное агенство по образованию Государственное образовательное высшего профессионального образовани "Петрозаводский государственный университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное агенство по образованию Государственное образовательное высшего профессионального образовани "Петрозаводский государст, Федеральное агенство по образованию Государственное образовательное высшего профессионального образовани "Петрозаводский государственный университет" filed Critical Федеральное агенство по образованию Государственное образовательное высшего профессионального образовани "Петрозаводский государст
Priority to RU2008126557/28A priority Critical patent/RU2392694C2/en
Publication of RU2008126557A publication Critical patent/RU2008126557A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2392694C2 publication Critical patent/RU2392694C2/en

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

1. Способ получения фотогальванического элемента, включающий создание рабочей области фотодиода, омических контактов к ней, а также антирефрактивного покрытия, отличающийся тем, что рабочую область фотодиода и антирефрактивное покрытие создают путем формирования барьера Шоттки через напыление металлической пленки никеля на кремний n-типа с последующим отжигом при температуре от 350 до 450°С в течение 30-60 мин. ! 2. Способ получения фотогальванического элемента по п.1, отличающийся тем, что контакты к рабочей области фотодиода создают перед отжигом с помощью напыления сетки электродов из благородного металла (золото, платина) на поверхность никеля. ! 3. Способ получения фотогальванического элемента по п.1, отличающийся тем, что контакты к рабочей области фотодиода создают после отжига с помощью напыления сетки никелевых электродов с использованием литографического процесса, с локальным вытравливанием NiO.1. A method of producing a photovoltaic cell, including the creation of a photodiode working area, ohmic contacts to it, as well as an anti-refractive coating, characterized in that the working area of the photodiode and anti-refractive coating are created by forming a Schottky barrier by sputtering a nickel metal film on n-type silicon, followed by annealing at a temperature of 350 to 450 ° C for 30-60 minutes. ! 2. The method of producing a photovoltaic cell according to claim 1, characterized in that the contacts to the working area of the photodiode are created before annealing by spraying a grid of electrodes of a noble metal (gold, platinum) on the surface of nickel. ! 3. The method of producing a photovoltaic cell according to claim 1, characterized in that the contacts to the working area of the photodiode are created after annealing by spraying a grid of nickel electrodes using a lithographic process, with local etching of NiO.

Claims (3)

1. Способ получения фотогальванического элемента, включающий создание рабочей области фотодиода, омических контактов к ней, а также антирефрактивного покрытия, отличающийся тем, что рабочую область фотодиода и антирефрактивное покрытие создают путем формирования барьера Шоттки через напыление металлической пленки никеля на кремний n-типа с последующим отжигом при температуре от 350 до 450°С в течение 30-60 мин.1. A method of producing a photovoltaic cell, including the creation of a photodiode working area, ohmic contacts to it, as well as an anti-refractive coating, characterized in that the working area of the photodiode and anti-refractive coating are created by forming a Schottky barrier by sputtering a nickel metal film on n-type silicon, followed by annealing at a temperature of 350 to 450 ° C for 30-60 minutes. 2. Способ получения фотогальванического элемента по п.1, отличающийся тем, что контакты к рабочей области фотодиода создают перед отжигом с помощью напыления сетки электродов из благородного металла (золото, платина) на поверхность никеля.2. The method of producing a photovoltaic cell according to claim 1, characterized in that the contacts to the working area of the photodiode are created before annealing by spraying a grid of electrodes of a noble metal (gold, platinum) on the surface of nickel. 3. Способ получения фотогальванического элемента по п.1, отличающийся тем, что контакты к рабочей области фотодиода создают после отжига с помощью напыления сетки никелевых электродов с использованием литографического процесса, с локальным вытравливанием NiO. 3. The method of producing a photovoltaic cell according to claim 1, characterized in that the contacts to the working area of the photodiode are created after annealing by spraying a grid of nickel electrodes using a lithographic process, with local etching of NiO.
RU2008126557/28A 2008-06-30 2008-06-30 Method of making photovoltaic cell RU2392694C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008126557/28A RU2392694C2 (en) 2008-06-30 2008-06-30 Method of making photovoltaic cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008126557/28A RU2392694C2 (en) 2008-06-30 2008-06-30 Method of making photovoltaic cell

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008126557A true RU2008126557A (en) 2010-01-10
RU2392694C2 RU2392694C2 (en) 2010-06-20

Family

ID=41643679

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008126557/28A RU2392694C2 (en) 2008-06-30 2008-06-30 Method of making photovoltaic cell

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2392694C2 (en)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4609565A (en) * 1984-10-10 1986-09-02 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating solar cells
US5010040A (en) * 1988-12-30 1991-04-23 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating solar cells
US5907766A (en) * 1996-10-21 1999-05-25 Electric Power Research Institute, Inc. Method of making a solar cell having improved anti-reflection passivation layer
DE10020541A1 (en) * 2000-04-27 2001-11-08 Univ Konstanz Method of manufacturing a solar cell and solar cell

Also Published As

Publication number Publication date
RU2392694C2 (en) 2010-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008142611A (en) METHOD FOR PRODUCING SOLAR BATTERY ELECTRODES AND DEVICE FOR ELECTROCHEMICAL DEPOSITION
Raval et al. Review of Ni‐Cu based front side metallization for c‐Si solar cells
MX2022007784A (en) A SOLAR CELL AND ITS PASSIVATION CONTACT STRUCTURE, CELL MODULE AND PHOTOVOLTAIC SYSTEM.
ATE533165T1 (en) CONDUCTIVE PASTE AND GRID ELECTRODE FOR SILICON SOLAR CELLS
CN102361046B (en) Solar blind ultraviolet detector with AlGaN-based MSM (Metal-Semiconductor-Metal) structure and manufacturing method thereof
WO2010071341A3 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
CN110168750A (en) Heterojunction solar cells and methods of making the same
EP2293350A3 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
MY180307A (en) Solar cell and method for producing thereof
NO20076104L (en) Process for producing solar cell and solar cell, and method for producing semiconductor device
MY166305A (en) High-efficiency photovoltaic back-contact solar cell structures and manufacturing methods using thin planar semiconductor absorbers
MY162679A (en) Thin silicon solar cell and method of manufacture
FR2982422B1 (en) CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR PHOTOVOLTAIC CELL
WO2017100393A3 (en) Photovoltaic devices and method of manufacturing
US20140038339A1 (en) Process of manufacturing crystalline silicon solar cell
EP2538447A3 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
WO2011081336A3 (en) Method for manufacturing a back contact solar cell
CN104241415A (en) Graphene/gallium arsenide solar cell and manufacturing method thereof
TW201234626A (en) Non-contacting bus bars for solar cells and methods of making non-contacting bus bars
JP2013539241A5 (en)
TWI445189B (en) Structure and method for substrate peeling of photovoltaic element
CN101494244A (en) Back irradiation plane type PIN structure GaN-based ultraviolet detector and preparation method
CN107195724A (en) A kind of method that application Graphene electrodes prepare AlGaN Schottky solar blind ultraviolet detectors on GaN self-supported substrates
CN103594530A (en) Crystalline silicon solar cell combining obverse side thermal oxidation, selective emitter junctions and reverse passivation and manufacturing method thereof
CN103579418A (en) Back contact forming method of passivated emitter and rear contact solar cell

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20110701