RU2008152305A - Способ получения пленки диоксида кремния - Google Patents
Способ получения пленки диоксида кремния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008152305A RU2008152305A RU2008152305/02A RU2008152305A RU2008152305A RU 2008152305 A RU2008152305 A RU 2008152305A RU 2008152305/02 A RU2008152305/02 A RU 2008152305/02A RU 2008152305 A RU2008152305 A RU 2008152305A RU 2008152305 A RU2008152305 A RU 2008152305A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon dioxide
- tetramethoxysilane
- deposition
- carried out
- oxygen
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 12
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title claims abstract 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical group CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract 2
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
1. Способ получения пленок диоксида кремния разложением паров тетраметоксисилана в присутствии кислорода, отличающийся тем, что в реакционную зону вводят кислород и тетраметоксисилан в потоке инертного газа при объемном соотношении тетраметоксисилана к кислороду равном 1:5-10 и осаждение пленки диоксида кремния на пластинах проводится при температуре 380-500°C при атмосферном давлении. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение проводят в течение 10-30 мин. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение проводят на кварцевых пластинах ! 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение проводят на кремневых пластинах.
Claims (4)
1. Способ получения пленок диоксида кремния разложением паров тетраметоксисилана в присутствии кислорода, отличающийся тем, что в реакционную зону вводят кислород и тетраметоксисилан в потоке инертного газа при объемном соотношении тетраметоксисилана к кислороду равном 1:5-10 и осаждение пленки диоксида кремния на пластинах проводится при температуре 380-500°C при атмосферном давлении.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение проводят в течение 10-30 мин.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение проводят на кварцевых пластинах
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение проводят на кремневых пластинах.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008152305/02A RU2398913C1 (ru) | 2008-12-30 | 2008-12-30 | Способ получения пленки диоксида кремния |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008152305/02A RU2398913C1 (ru) | 2008-12-30 | 2008-12-30 | Способ получения пленки диоксида кремния |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008152305A true RU2008152305A (ru) | 2010-07-10 |
| RU2398913C1 RU2398913C1 (ru) | 2010-09-10 |
Family
ID=42684219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008152305/02A RU2398913C1 (ru) | 2008-12-30 | 2008-12-30 | Способ получения пленки диоксида кремния |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2398913C1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2539801C1 (ru) * | 2013-07-01 | 2015-01-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния |
| RU2631779C2 (ru) * | 2015-12-24 | 2017-09-26 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | Способ получения покрытия на основе диоксида кремния внутренней поверхности кварцевого изделия |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4572841A (en) * | 1984-12-28 | 1986-02-25 | Rca Corporation | Low temperature method of deposition silicon dioxide |
| SU1738872A1 (ru) * | 1986-09-03 | 1992-06-07 | Научно-Исследовательский Институт Приборостроения | Способ получени пленок двуокиси кремни |
| RU2061095C1 (ru) * | 1988-07-18 | 1996-05-27 | Бориславский научно-исследовательский институт "Синтез" с опытным заводом | Способ получения пленок двуокиси кремния |
| RU2116686C1 (ru) * | 1996-05-05 | 1998-07-27 | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина | Способ получения пленки диоксида кремния на подложке |
| RU2191848C2 (ru) * | 1999-12-16 | 2002-10-27 | Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | Способ формирования диоксида кремния |
-
2008
- 2008-12-30 RU RU2008152305/02A patent/RU2398913C1/ru active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2398913C1 (ru) | 2010-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200606276A (en) | Vacuum film-forming apparatus | |
| GB2516372A (en) | High quality large scale single and multilayer graphene production by chemical vapor deposition | |
| SG146567A1 (en) | Improved gap-fill depositions in the formation of silicon containing dielectric materials | |
| WO2010039363A3 (en) | Methods for forming silicon nitride based film or silicon carbon based film | |
| WO2010045153A3 (en) | Method for depositing conformal amorphous carbon film by plasma-enhanced chemical vapor deposition (pecvd) | |
| ATE482301T1 (de) | Verfahren zur herstellung von siliziumoxidhaltigen schichten | |
| JP2017028313A5 (ru) | ||
| WO2006078354A3 (en) | Micro-feature fill process and apparatus using hexachlorodisilane or other chlorine-containing silicon precursor | |
| WO2014116304A3 (en) | Method and hardware for cleaning uv chambers | |
| JP2009212531A5 (ru) | ||
| JP2010507259A5 (ru) | ||
| ATE551438T1 (de) | Cvd-reaktor mit absenkbarer prozesskammerdecke | |
| JP2009111382A5 (ru) | ||
| WO2005066386A3 (en) | A method and apparatus for forming a high quality low temperature silicon nitride layer | |
| JP2013517616A5 (ru) | ||
| WO2012047812A3 (en) | Atomic layer deposition of silicon nitride using dual-source precursor and interleaved plasma | |
| WO2012044622A3 (en) | Low-temperature dielectric film formation by chemical vapor deposition | |
| TW200802547A (en) | Selective deposition | |
| WO2010095901A3 (en) | Method for forming thin film using radicals generated by plasma | |
| WO2013039881A3 (en) | Carbosilane precursors for low temperature film deposition | |
| WO2008073926A3 (en) | Formation of epitaxial layers containing silicon | |
| EP2376681A4 (en) | GENERATION OF A CRYSTAL DIAMOND BY CVD WITH FAST GROWTH RATE | |
| TWI692032B (zh) | 鍺沈積技術 | |
| DE502006008382D1 (de) | Reaktor und verfahren zur herstellung von silizium | |
| IL275284B2 (en) | Process for the generation of metal-containing films |