[go: up one dir, main page]

RU2005121523A - SURFACE SYSTEM - Google Patents

SURFACE SYSTEM Download PDF

Info

Publication number
RU2005121523A
RU2005121523A RU2005121523/02A RU2005121523A RU2005121523A RU 2005121523 A RU2005121523 A RU 2005121523A RU 2005121523/02 A RU2005121523/02 A RU 2005121523/02A RU 2005121523 A RU2005121523 A RU 2005121523A RU 2005121523 A RU2005121523 A RU 2005121523A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
current
processing chamber
longitudinal direction
current collector
collecting
Prior art date
Application number
RU2005121523/02A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2305718C2 (en
Inventor
Джиакомо Николао МАККАЛЛИ (IT)
Джиакомо Николао МАККАЛЛИ
Олле КОРДИНА (US)
Олле КОРДИНА
Джианлука ВАЛЕНТЕ (IT)
Джианлука ВАЛЕНТЕ
Данило КРИППА (IT)
Данило КРИППА
Франко ПРЕТИ (IT)
Франко ПРЕТИ
Original Assignee
Етк Эпитаксиал Текнолоджи Сентер Срл (It)
Етк Эпитаксиал Текнолоджи Сентер Срл
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Етк Эпитаксиал Текнолоджи Сентер Срл (It), Етк Эпитаксиал Текнолоджи Сентер Срл filed Critical Етк Эпитаксиал Текнолоджи Сентер Срл (It)
Priority to RU2005121523/02A priority Critical patent/RU2305718C2/en
Publication of RU2005121523A publication Critical patent/RU2005121523A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2305718C2 publication Critical patent/RU2305718C2/en

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Claims (25)

1. Система токоприемника для устройства обработки подложек и/или пластин, снабженная камерой (1) обработки, ограниченной, по меньшей мере, двумя стенками, и, по меньшей мере, одним нагревательным соленоидом (9), содержащая, по меньшей мере, один токоприемный элемент (2, 3), ограниченный наружной поверхностью и выполненный из электрически проводящего материала, подходящего для нагревания посредством электромагнитной индукции, характеризующийся тем, что, по меньшей мере, один токоприемный элемент (2, 3) является полым, так что имеет, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, которое проходит в продольном направлении, и что первая часть наружной поверхности, по меньшей мере, одного токоприемного элемента (2, 3) пригодна для образования стенки камеры (1) обработки, и что вторая часть наружной поверхности, по меньшей мере, одного токоприемного элемента (2, 3) пригодна для расположение вблизи нагревательного соленоида (9).1. Current collector system for a device for processing substrates and / or plates, equipped with a processing chamber (1) bounded by at least two walls and at least one heating solenoid (9), containing at least one current collector an element (2, 3) bounded by the outer surface and made of an electrically conductive material suitable for heating by electromagnetic induction, characterized in that at least one current-receiving element (2, 3) is hollow, so that it has at least least , one through hole that extends in the longitudinal direction, and that the first part of the outer surface of the at least one current-collecting element (2, 3) is suitable for forming the wall of the processing chamber (1), and that the second part of the outer surface is at least , one current-collecting element (2, 3) is suitable for location near the heating solenoid (9). 2. Система по п.1, в которой, по меньшей мере, один токоприемный элемент (2, 3) снабжен тепловой и химической защитой, по меньшей мере, на первой части наружной поверхности.2. The system according to claim 1, in which at least one current-collecting element (2, 3) is provided with thermal and chemical protection, at least on the first part of the outer surface. 3. Система по п.2, в которой защита образована, по меньшей мере, поверхностным слоем инертного и отражательного материала внутри, по меньшей мере, одного токоприемного элемента (2, 3).3. The system according to claim 2, in which the protection is formed by at least a surface layer of an inert and reflective material inside at least one current-collecting element (2, 3). 4. Система по п.2, в которой защита образована, по меньшей мере, одной пластиной из инертного и отражательного материала, смежной с наружной поверхностью, по меньшей мере, одного токоприемного элемента (2, 3).4. The system according to claim 2, in which the protection is formed by at least one plate of inert and reflective material adjacent to the outer surface of at least one current-receiving element (2, 3). 5. Система по п.2, в которой защита образована комбинацией, по меньшей мере, одного поверхностного слоя инертного и отражательного материала внутри, по меньшей мере, одного токоприемного элемента (2, 3) и, по меньшей мере, одной пластины из инертного и отражательного материала, смежной с наружной поверхностью, по меньшей мере, одного токоприемного элемента (2, 3).5. The system according to claim 2, in which the protection is formed by a combination of at least one surface layer of an inert and reflective material inside of at least one current-collecting element (2, 3) and at least one plate of inert and reflective material adjacent to the outer surface of at least one current-collecting element (2, 3). 6. Система по любому из пп.3-5, в которой инертный и отражательный материал является также электрически изолирующим.6. The system according to any one of claims 3 to 5, in which the inert and reflective material is also electrically insulating. 7. Система по п.1, содержащая два полых токоприемных элемента (2, 3), в которой первая часть наружной поверхности одного (2) из двух токоприемных элементов и первая часть наружной поверхности другого (3) из двух токоприемных элементов пригодна для образования верхней стенки и нижней стенки камеры (1) обработки соответственно, и в которой вторая часть наружной поверхности одного (2) из двух токоприемных элементов и вторая часть наружной поверхности другого (3) из двух токоприемных элементов пригодна для расположения вблизи нагревательного соленоида (9).7. The system according to claim 1, containing two hollow current-receiving elements (2, 3), in which the first part of the outer surface of one (2) of the two current-receiving elements and the first part of the outer surface of the other (3) of the two current-receiving elements is suitable for forming the upper the walls and the lower wall of the processing chamber (1), respectively, and in which the second part of the outer surface of one (2) of the two current-receiving elements and the second part of the outer surface of the other (3) of two current-receiving elements is suitable for being located near the heating solenoid yes (9). 8. Система по п.7, дополнительно содержащая два токоприемных элемента (4, 5), выполненных из электрически изолирующего, а также инертного и отражательного материала и пригодных для образования правой боковой стенки и левой боковой стенки камеры (1) обработки соответственно.8. The system according to claim 7, additionally containing two current-collecting elements (4, 5) made of electrically insulating as well as inert and reflective material and suitable for forming the right side wall and the left side wall of the processing chamber (1), respectively. 9. Система по п.7, дополнительно содержащая два токоприемных элемента (4, 5), выполненных из электрически проводящего материала и пригодных для образования правой боковой стенки и левой боковой стенки камеры (1) обработки соответственно.9. The system according to claim 7, additionally containing two current-collecting elements (4, 5) made of electrically conductive material and suitable for forming the right side wall and the left side wall of the processing chamber (1), respectively. 10. Система по п.9, в которой боковые токоприемные элементы (4, 5) снабжены тепловой и химической защитой, по меньшей мере, на части их поверхности, которая смежна с камерой (1) обработки.10. The system according to claim 9, in which the side current-collecting elements (4, 5) are provided with thermal and chemical protection, at least on a part of their surface, which is adjacent to the processing chamber (1). 11. Система по любому из пп.8-10, в которой боковые токоприемные элементы (4, 5) не являются полыми.11. The system according to any one of claims 8 to 10, in which the side current-collecting elements (4, 5) are not hollow. 12. Система по п.1, в которой, по меньшей мере, один из полых токоприемных элементов (2, 3) проходит по существу равномерно в продольном направлении и имеет поперечное сечение, имеющее наружную форму по существу сегмента круга или эллипса.12. The system according to claim 1, in which at least one of the hollow current-receiving elements (2, 3) extends substantially uniformly in the longitudinal direction and has a cross section having an outer shape essentially of a segment of a circle or an ellipse. 13. Система по п.1, в которой, по меньшей мере, один из не полых токоприемных элементов (4, 5) проходит по существу равномерно в продольном направлении и имеет поперечное сечение, имеющее по существу прямоугольную или трапециевидную наружную форму.13. The system according to claim 1, in which at least one of the non-hollow current-collecting elements (4, 5) extends substantially uniformly in the longitudinal direction and has a cross section having a substantially rectangular or trapezoidal outer shape. 14. Устройство типа, пригодного для обработки подложек и/или пластин, снабженное камерой (1) обработки, ограниченной по меньшей мере двумя стенками, характеризующееся тем, что содержит систему (2, 3, 4, 5) токоприемника по любому из пп.1-13, смежную с камерой (1) обработки, и по меньшей мере один соленоид (9), который намотан вокруг системы (2, 3, 4, 5) токоприемника и камеры (1) обработки, для нагревания системы токоприемника посредством электромагнитной индукции.14. A device of the type suitable for processing substrates and / or plates, equipped with a processing chamber (1) bounded by at least two walls, characterized in that it comprises a current collector system (2, 3, 4, 5) according to any one of claims 1 -13 adjacent to the processing chamber (1), and at least one solenoid (9) that is wound around the current collector system (2, 3, 4, 5) and the processing chamber (1) to heat the current collector system by electromagnetic induction. 15. Устройство по п.14, в котором система (2, 3, 4, 5) токоприемника проходит в продольном направлении, и в котором наружная форма поперечного сечения системы (2, 3, 4, 5) токоприемника является по существу равномерной в продольном направлении и по существу круговой или эллиптической.15. The device according to 14, in which the system (2, 3, 4, 5) of the current collector extends in the longitudinal direction, and in which the outer cross-sectional shape of the system (2, 3, 4, 5) of the current collector is substantially uniform in the longitudinal direction and essentially circular or elliptical. 16. Устройство по любому из п.14 или 15, в котором камера (1) обработки проходит в продольном направлении, и в котором форма поперечного сечения камеры (1) обработки является по существу равномерной в продольном направлении.16. A device according to any one of claims 14 or 15, wherein the processing chamber (1) extends in the longitudinal direction, and in which the cross-sectional shape of the processing chamber (1) is substantially uniform in the longitudinal direction. 17. Устройство по п.16, в котором средняя ширина камеры (1) обработки, по меньшей мере, в три раза, предпочтительно, по меньшей мере, в пять раз, больше средней высоты камеры (1) обработки.17. The device according to clause 16, in which the average width of the processing chamber (1) is at least three times, preferably at least five times, greater than the average height of the processing chamber (1). 18. Устройство по п.14, содержащее первую структуру (7), которая окружает камеру (1) обработки и систему (2, 3, 4, 5) токоприемника и которая образована по существу трубой из отражательного и теплоизоляционного материала, которая проходит в продольном направлении, и в котором соленоид (9) намотан вокруг первой структуры (7).18. The device according to 14, containing the first structure (7), which surrounds the processing chamber (1) and the current collector system (2, 3, 4, 5) and which is formed essentially by a pipe of reflective and heat-insulating material, which extends in the longitudinal the direction and in which the solenoid (9) is wound around the first structure (7). 19. Устройство по п.18, содержащее вторую, герметичную структуру (8), пригодную для окружения первой структуры (7), и в котором соленоид (9) также намотан вокруг второй структуры (8).19. The device according to claim 18, comprising a second, sealed structure (8) suitable for surrounding the first structure (7), and in which a solenoid (9) is also wound around the second structure (8). 20. Устройство по п.14, содержащее средства для создания, по меньшей мере, одного потока газа, по меньшей мере, в одном сквозном отверстии (21, 31) системы (2, 3, 4, 5) токоприемника.20. The device according to 14, containing means for creating at least one gas stream in at least one through hole (21, 31) of the current collector system (2, 3, 4, 5). 21. Устройство по п.14, содержащее каретку (6), установленную внутри камеры (1) обработки и пригодную для опоры, по меньшей мере, одной подложки или, по меньшей мере, одной пластины, при этом каретка (6) установлена с возможностью скольжения управляемым образом в продольном направлении.21. The device according to 14, containing a carriage (6) mounted inside the processing chamber (1) and suitable for supporting at least one substrate or at least one plate, while the carriage (6) is installed with the possibility sliding in a controlled manner in the longitudinal direction. 22. Устройство по п.21, в которой система (2, 3, 4, 5) токоприемника имеет направляющую (32), которая пригодна для размещения каретки (6) и которая проходит в продольном направлении так, что каретка (6) может скользить по направляющей (32).22. The device according to item 21, in which the system (2, 3, 4, 5) of the current collector has a guide (32), which is suitable for accommodating the carriage (6) and which extends in the longitudinal direction so that the carriage (6) can slide along the guide (32). 23. Устройство по любому из п.21 или 22, в которой каретка (6) содержит, по меньшей мере, один диск (61), пригодный для опоры, по меньшей мере, одной подложки или, по меньшей мере, одной пластины, и снабжена углублением (62), пригодным для размещения диска (61) с возможностью вращения.23. The device according to any one of p. 21 or 22, in which the carriage (6) contains at least one disk (61), suitable for supporting at least one substrate or at least one plate, and equipped with a recess (62), suitable for placing the disk (61) rotatably. 24. Устройство по п.14, характеризующееся тем, что оно является реактором для эпитаксиального выращивания карбида кремния или аналогичного материала на подложках.24. The device according to 14, characterized in that it is a reactor for epitaxial growth of silicon carbide or similar material on substrates. 25. Устройство по п.14, характеризующееся тем, что оно является устройством для высокотемпературной тепловой обработки пластин.25. The device according to 14, characterized in that it is a device for high-temperature heat treatment of plates.
RU2005121523/02A 2002-12-10 2002-12-10 System of current collector RU2305718C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005121523/02A RU2305718C2 (en) 2002-12-10 2002-12-10 System of current collector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005121523/02A RU2305718C2 (en) 2002-12-10 2002-12-10 System of current collector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2005121523A true RU2005121523A (en) 2006-02-10
RU2305718C2 RU2305718C2 (en) 2007-09-10

Family

ID=36049806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005121523/02A RU2305718C2 (en) 2002-12-10 2002-12-10 System of current collector

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2305718C2 (en)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4794217A (en) * 1985-04-01 1988-12-27 Qing Hua University Induction system for rapid heat treatment of semiconductor wafers
SU1513949A1 (en) * 1988-08-03 1995-03-10 Дзержинский филиал Ленинградского научно-исследовательского и конструкторского института химического машиностроения Device for chemical deposition of coatings from vapor phase
US5480678A (en) * 1994-11-16 1996-01-02 The B. F. Goodrich Company Apparatus for use with CVI/CVD processes
SE9500326D0 (en) * 1995-01-31 1995-01-31 Abb Research Ltd Method for protecting the susceptor during epitaxial growth by CVD and a device for epitaxial growth by CVD
RU2107970C1 (en) * 1995-12-13 1998-03-27 Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом университете Magnetron spraying system

Also Published As

Publication number Publication date
RU2305718C2 (en) 2007-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4099041A (en) Susceptor for heating semiconductor substrates
RU2358831C2 (en) Heated flute for molten metal
US7615121B2 (en) Susceptor system
US20120156396A1 (en) Cvd reactor
CN100507073C (en) Receptor system
US20050051099A1 (en) Susceptor provided with indentations and an epitaxial reactor which uses the same
US5648006A (en) Heater for chemical vapor deposition equipment
CA1106168A (en) Method and apparatus for heating coils of strip
KR20130057424A (en) Bell jar for siemens reactor including thermal radiation shield
JP4374786B2 (en) CVD apparatus and thin film manufacturing method
EP2491168B1 (en) Device for obtaining a multicrystalline semiconductor material, in particular silicon, and method for controlling the temperature therein
ES2397014A2 (en) Cooking vessel bottom
JPH032840B2 (en)
RU2005121523A (en) SURFACE SYSTEM
CN107475691A (en) A kind of heater based on electromagnetic induction
KR910018581A (en) Vertical Temperature Gradient Cooling Compound Semiconductor Single Crystal Growth Device Using Direct Monitoring Furnace
RU2005121520A (en) SURFACE SYSTEM
JP2004055896A (en) Heating device
CN210765582U (en) Heating device for silicon carbide epitaxy
KR20120116133A (en) Apparatus for manufacturing silicon single crystal ingot
CN220619188U (en) Crystal growth device
CN219991780U (en) Thermal field for heat preservation device and single crystal furnace
US4445924A (en) Auxiliary side heater for a float glass forming chamber
RU2416064C2 (en) Heat insulating screen for insulation of electromagnetic inductor, and heat treatment plant containing such screen
US20120234314A1 (en) Roll-to-roll reactor for processing flexible continuous workpiece

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20091211