RU2003128C1 - Способ определени теплового сопротивлени переход - корпус полупроводниковых диодов - Google Patents
Способ определени теплового сопротивлени переход - корпус полупроводниковых диодовInfo
- Publication number
- RU2003128C1 RU2003128C1 SU5026787A RU2003128C1 RU 2003128 C1 RU2003128 C1 RU 2003128C1 SU 5026787 A SU5026787 A SU 5026787A RU 2003128 C1 RU2003128 C1 RU 2003128C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diode
- current
- thermal resistance
- amplitude
- voltage
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 241001254116 Gillenia stipulata Species 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Использование: контроль качества полупроводниковых диодов. Сущность изобретени : на диод подают греющие импульсы тока, амплитуда которых модулируетс по гармоническому закону с периодом, на пор док большим тепловой посто нной времени переход-корпус данного вида диодоа 8 промежутках времени между действием греющих импульсов тока поддерживают начальный ток диода Выдел ют и измер ют переменные составл ющие огибающей напр жени и мощности 2 ил.
Description
Изобретение относитс к технике измерени параметров полупроводниковых диодов и может быть использовано на входном и выходном контроле качества и дл оценки их температурных запасов,
Известен метод измерени теплового сопротивлени переход-корпус диодов с использованием зависимости пр мого напр жени диода от температуры при разогреве его импульсами пр мого тока, заключающийс в 7ом, что исследуемому диоду задают небольшой по величине пр мой начальный ток 1Нач, исключающий саморазогрев диода, подают на диод греющие им- пульсы пр мого тока, измер ют рассеиоаемую в диоде мощность и измер ют изменение пр мого напр жени диода, используемого в качестве температурочув- ствительного параметра Urn
Недостатком способа вл етс больша погрешность измерени амплитуды импульса напр жени Urn, измен ющегос по экс- поненциальному закону, а также погрешность, вызванна вли нием остаточного потенциала на диоде спадающего во времени после окончани действи греющего импульса тока (см. например.Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. - М.; Сов.радио, 1980, с. 51). В этом случае происходит уменьшение амплитуды напр жени . Утп (см. ГОСТ 19656.18-84) Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерени теплового сопротивлени переход-корпус и импульсного теплового сопротивлени , с. 15, 16), Дл ус- транени этой погрешности в известном способе необходимо увеличить начальный ток диода нач, однако такое увеличение приведет к потере чувствительности при измерении изменени напр жени Urn за счет резкого увеличени крутизны ВАХ диода, и измерение амплитуды импульса Urn аппа- ра. -1ыми средствами, примен емыми в известном способе, сделаетс невозможным.
Цел изобретени - повышение точности измерени теплового сопротивлени переход-корпус диодов.
Цель достигаетс тем, что на контролируемый диод подают греющие импульсы тока , а в промежутке времени между ними пропускают посто нный начальный ток нач в пр мом направлении от источника тока, создающим падение напр жени на диоде, используемого в качестве электрического температурочувствительного параметра, при этом амплитуда греющих импульсов тока измен ют(модулируют) по гармоническому закону с известным периодом Тм, превышающем на пор док тепловую посто нную времени гт.п-к переход-корпус данного типа диодов, а начальный ток диода 1нач поддерживаетс посто нным, выдел ют огибающую напр жени температурочувствительного параметра и измер ют ее амплитуду на частоте модул ции QM (2л:Тм)1.
Дл повышени точности измерени амплитуду напр жени измер ют с помощью селективного вольтметра.
Сущность предлагаемого способа состоит в следующем, Амплитуда пр моугольных греющих импульсов тока (см. фиг. 2а), протекающих через диод в пр мом направлении , модулируетс по гармоническому закону . Напр жение на диоде в момент действи греющих импульсов тока будет измен тьс по периодическому закону
20
U(t) уп1п(дм-Но)/to,
О)
где рт- температурный потенциал; to - обратный ток диода; IAM - ток разогрева диода. В результате можно показать, что греюща мощность будет измен тьс по гармоническому закону вида
P(t) Pcp + APcosQMt,(2)
где ДР - амплитуда модул ции греющей мощности, котора определ етс произведением действующего значени огибающей тока I на действующее значение огибающей напр жени U:
ДР -U.(3)
Начальный ток диода Нач, протекающий
в промежутках времени между действи ми греющих импульсов тока, поддерживаетс посто нным и под действием переменной греющей мощности за период модул ции Тм создает переменное падение напр жени Urn на диоде.
Выбира период модул ции Тм из услови гг.к-с Тм тт.п-к, где т т.к-с - теплова посто нна времени корпус-среда диода, а также период следовани греющих
импульсов тока Т«гт.п-к, напр жение Urn будет отслеживать изменение греющей мощности АР. Измерение греющей мощности ДР можно осуществить ограничива ток и напр жение на уровне lorp и Uorp (см. фиг.
2а и 26). Тогда измер выделанную амплитуду переменной составл ющей температурочувствительного параметра 11тп на частоте модул ции Ом и измер изменение греющей мощности диода, нетрудно определить величину теплового сопротивлени переход-корпус RTD-K:
RT .n-к итп/Кт -АР, , где АР - изменение греющей мощности;
Кт - известный температурный коэффициент напр жени температурочувстви- тельного параметра.
Дл увеличени полезного сигнала, а следовательно и точности измерени , необходимо длительность греющих импульсов тока выбирать из услови Т ГиЗ: Т/2 и(или) увеличивать глубину модул ции тока.
Предлагаемый способ может быть реализован с помощью устройства, структурна схема которого показана на фиг. 1, а эпюры, по сн ющие работу устройства, на фиг. 2.
Устройство содержит исследуемый диод ИД, источник начального тока 1, источник греющего тока 2, генератор управл ющих импульсов 3, усилитель-ограничитель 4. вольтметр действующего значени 5, осциллограф б, инвертирующий усилитель-ограничитель 7, детектор 8, селективный вольтметр 9, токосъемный низкоомный резистор R, электронный коммутатор тока Kt и коммутатор К2.
Способ осуществл ют на примере этого устройства следующим образом.
На один вход электронного коммутатора К1 поступает начальный ток нач диода с источника тока 1, на второй вход поступает греющий ток диода с источника 2, измен ющийс по гармоническому закону с частотой Ои и имеющий положительное посто нное смещение. Коммутатор К1 переключаетс с частотой следовани греющих импульсов тока генератором управл ющих импульсов 3. С выхода коммутатора К1 греющие импульсы тока, модулированные по амплитуде (см, фиг. 2а) поступают на последовательно
соединенные исследуемый диод ИД и токосъемный резистор R. Импульсы тока на то- косъемном резисторе R преобразуютс в импульсы напр жени , которые через контакты коммутатора К2.1 подаютс на усилитель-ограничитель 4 и вольтметр действующего значени 5. Резистор R закорачиваетс контактами коммутатора К2.2 при измерении падени напр жени -Уид в
момент протекани греющих импульсов тока, которое также через контакты коммутатора К2,1 поступает на усилитель-ограничитель 4 и вольтметр 5. Усилитель-ограничитель 4 ограничивает
снизу измер емый сигнал на величину наименьшей амплитуды огибающей греющего тока lorp (см. фиг. 2а)и напр жени на диоде Uorp (см. фиг. 26). Тогда, прин в коэффициент усилени усилител 4 равным единице,
значение изменени греющей мощности АР будет равно произведению показаний вольтметра 5 при измерении действующего значени тока и напр жени ДР IU. Осциллограф 6 предназначен дл контрол
смещени тока и напр жени греющей мощности. Инвертирующий усилитель-ограничитель 7 выдел ет напр жение темпера- турочувствительного параметра Утл при законченном резисторе R (см. фиг. 2в). Это
напр жение детектируетс детектором 8 и измер етс селективным вольтметром 9 нэ частоте модул ции.
(56) ГОСТ 19656.15-84. Диоды полупровод- пиковые СВЧ. Методы измерени теплового сопротивлени переход-корпус и импульсного теплового сопротивлени , с. 4,
Claims (1)
- Формула изобретениСПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД - КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ, включающий подачу на контролируемый диод j греющих импульсов тока, в промежутках , между которыми через диод пропускают посто нный начальный ток и измер ют падение напр жени на диоде, а также определение греющей мощности и тепловогосопротивлени по полученным значени м, отличающийс тем, что амплитуду греющих импульсов тока модулируют по гармоническому закону с периодом, на пор док большим тепловой посто нной временипереход - корпус дл данного типа диодов, а при измерении падени напр жени на диоде и определении греющей мощности измер ют и определ ют амплитуду переменной составл ющей с частотой модул ции соответствующих величин.ФигЛ,
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU5026787 RU2003128C1 (ru) | 1992-02-11 | 1992-02-11 | Способ определени теплового сопротивлени переход - корпус полупроводниковых диодов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU5026787 RU2003128C1 (ru) | 1992-02-11 | 1992-02-11 | Способ определени теплового сопротивлени переход - корпус полупроводниковых диодов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2003128C1 true RU2003128C1 (ru) | 1993-11-15 |
Family
ID=21596627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU5026787 RU2003128C1 (ru) | 1992-02-11 | 1992-02-11 | Способ определени теплового сопротивлени переход - корпус полупроводниковых диодов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2003128C1 (ru) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998048693A1 (ru) | 1997-04-29 | 1998-11-05 | Alexandr Alexandrovich Karasev | Method of measuring the electrical conduction of organic tissue |
| RU2167429C1 (ru) * | 2000-03-17 | 2001-05-20 | Ульяновский государственный технический университет | Способ измерения теплового сопротивления двухполюсников с известным температурным коэффициентом сопротивления |
| RU2172493C1 (ru) * | 2000-03-31 | 2001-08-20 | Ульяновский государственный технический университет | Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем |
| RU2178893C1 (ru) * | 2001-03-13 | 2002-01-27 | Ульяновский государственный технический университет | Способ определения теплового сопротивления переход-корпус полупроводниковых диодов |
| RU2300115C1 (ru) * | 2006-02-02 | 2007-05-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева" | Способ определения теплового сопротивления переход - корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении |
| RU2720185C1 (ru) * | 2019-08-02 | 2020-04-27 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" | Способ измерения тепловых сопротивлений переход-корпус и тепловых постоянных времени переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий в составе электронного модуля |
-
1992
- 1992-02-11 RU SU5026787 patent/RU2003128C1/ru active
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998048693A1 (ru) | 1997-04-29 | 1998-11-05 | Alexandr Alexandrovich Karasev | Method of measuring the electrical conduction of organic tissue |
| RU2167429C1 (ru) * | 2000-03-17 | 2001-05-20 | Ульяновский государственный технический университет | Способ измерения теплового сопротивления двухполюсников с известным температурным коэффициентом сопротивления |
| RU2172493C1 (ru) * | 2000-03-31 | 2001-08-20 | Ульяновский государственный технический университет | Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем |
| RU2178893C1 (ru) * | 2001-03-13 | 2002-01-27 | Ульяновский государственный технический университет | Способ определения теплового сопротивления переход-корпус полупроводниковых диодов |
| RU2300115C1 (ru) * | 2006-02-02 | 2007-05-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева" | Способ определения теплового сопротивления переход - корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении |
| RU2720185C1 (ru) * | 2019-08-02 | 2020-04-27 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" | Способ измерения тепловых сопротивлений переход-корпус и тепловых постоянных времени переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий в составе электронного модуля |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2402783C1 (ru) | Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов | |
| RU2178893C1 (ru) | Способ определения теплового сопротивления переход-корпус полупроводниковых диодов | |
| US4437060A (en) | Method for deep level transient spectroscopy scanning and apparatus for carrying out the method | |
| RU2003128C1 (ru) | Способ определени теплового сопротивлени переход - корпус полупроводниковых диодов | |
| US3244978A (en) | Apparatus for the determination of attenuation in waveguides including means for comparing the amplitudes of pulse reflections | |
| US3760273A (en) | Electronic watt hour meter | |
| US4954718A (en) | Circuit arrangement for driving a pulse-modulated infrared-radiation source | |
| GB1021240A (en) | Improvements in and relating to electrical pulse measurement | |
| US3417619A (en) | Single wire measuring device for bathythermograph system | |
| US3100996A (en) | Temperature measuring instrument | |
| SU407257A1 (ru) | УСТРОЙСТВО дл СКВАЖИННОЙ ГЕОЭЛЕКТРОРАЗВЕДКИ | |
| SU1580288A1 (ru) | Способ определени полного сопротивлени двухполюсника | |
| RU2068559C1 (ru) | Способ неразрушающего контроля изделий | |
| SU263248A1 (ru) | Импульсное индукционное устройство для измерения параметров изделий | |
| JP2532450B2 (ja) | 半導体レ−ザ−装置 | |
| SU1619009A1 (ru) | Устройство дл измерени рассто ни до металлической поверхности | |
| SU421959A1 (ru) | СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПРОБИВНОГО НАПРЯЖЕНИЯ ;?-п-ПЕРЕХОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ЛАВИННЫМ МЕХАНИЗМОМ ПРОБОЯ | |
| SU434289A1 (ru) | ТЕПЛОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ВАКУУММЕТР.•4J!::;v *v-;-'t-='-;i'rf»a •v^-'i^i C?b;:^s:.r !iJ3 | |
| US3466546A (en) | Method for measuring characteristics employing an a.c. signal responsive to impedance change for fixing the measured value | |
| SU1190207A1 (ru) | Устройство дл измерени температуры | |
| RU2025044C1 (ru) | Способ цифрового измерения температуры и устройство для его осуществления | |
| SU938220A1 (ru) | Устройство дл измерени дифференциального коэффициента передачи тока транзисторов | |
| SU461386A1 (ru) | Способ измерени малых изменений сдвига фаз | |
| SU951199A1 (ru) | Устройство дл измерени и регистрации напр жени лавинного пробо р-п переходов | |
| SU550255A1 (ru) | Устройство дл дозировки энергии при ультразвуковой сварке |