[go: up one dir, main page]

RU2003128C1 - Способ определени теплового сопротивлени переход - корпус полупроводниковых диодов - Google Patents

Способ определени теплового сопротивлени переход - корпус полупроводниковых диодов

Info

Publication number
RU2003128C1
RU2003128C1 SU5026787A RU2003128C1 RU 2003128 C1 RU2003128 C1 RU 2003128C1 SU 5026787 A SU5026787 A SU 5026787A RU 2003128 C1 RU2003128 C1 RU 2003128C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diode
current
thermal resistance
amplitude
voltage
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
В чеслав Андреевич Сергеев
Виктор Васильевич Юдин
Original Assignee
Уль новский политехнический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Уль новский политехнический институт filed Critical Уль новский политехнический институт
Priority to SU5026787 priority Critical patent/RU2003128C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2003128C1 publication Critical patent/RU2003128C1/ru

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Использование: контроль качества полупроводниковых диодов. Сущность изобретени : на диод подают греющие импульсы тока, амплитуда которых модулируетс  по гармоническому закону с периодом, на пор док большим тепловой посто нной времени переход-корпус данного вида диодоа 8 промежутках времени между действием греющих импульсов тока поддерживают начальный ток диода Выдел ют и измер ют переменные составл ющие огибающей напр жени  и мощности 2 ил.

Description

Изобретение относитс  к технике измерени  параметров полупроводниковых диодов и может быть использовано на входном и выходном контроле качества и дл  оценки их температурных запасов,
Известен метод измерени  теплового сопротивлени  переход-корпус диодов с использованием зависимости пр мого напр жени  диода от температуры при разогреве его импульсами пр мого тока, заключающийс  в 7ом, что исследуемому диоду задают небольшой по величине пр мой начальный ток 1Нач, исключающий саморазогрев диода, подают на диод греющие им- пульсы пр мого тока, измер ют рассеиоаемую в диоде мощность и измер ют изменение пр мого напр жени  диода, используемого в качестве температурочув- ствительного параметра Urn
Недостатком способа  вл етс  больша  погрешность измерени  амплитуды импульса напр жени  Urn, измен ющегос  по экс- поненциальному закону, а также погрешность, вызванна  вли нием остаточного потенциала на диоде спадающего во времени после окончани  действи  греющего импульса тока (см. например.Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. - М.; Сов.радио, 1980, с. 51). В этом случае происходит уменьшение амплитуды напр жени . Утп (см. ГОСТ 19656.18-84) Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерени  теплового сопротивлени  переход-корпус и импульсного теплового сопротивлени , с. 15, 16), Дл  ус- транени  этой погрешности в известном способе необходимо увеличить начальный ток диода нач, однако такое увеличение приведет к потере чувствительности при измерении изменени  напр жени  Urn за счет резкого увеличени  крутизны ВАХ диода, и измерение амплитуды импульса Urn аппа- ра. -1ыми средствами, примен емыми в известном способе, сделаетс  невозможным.
Цел изобретени  - повышение точности измерени  теплового сопротивлени  переход-корпус диодов.
Цель достигаетс  тем, что на контролируемый диод подают греющие импульсы тока , а в промежутке времени между ними пропускают посто нный начальный ток нач в пр мом направлении от источника тока, создающим падение напр жени  на диоде, используемого в качестве электрического температурочувствительного параметра, при этом амплитуда греющих импульсов тока измен ют(модулируют) по гармоническому закону с известным периодом Тм, превышающем на пор док тепловую посто нную времени гт.п-к переход-корпус данного типа диодов, а начальный ток диода 1нач поддерживаетс  посто нным, выдел ют огибающую напр жени  температурочувствительного параметра и измер ют ее амплитуду на частоте модул ции QM (2л:Тм)1.
Дл  повышени  точности измерени  амплитуду напр жени  измер ют с помощью селективного вольтметра.
Сущность предлагаемого способа состоит в следующем, Амплитуда пр моугольных греющих импульсов тока (см. фиг. 2а), протекающих через диод в пр мом направлении , модулируетс  по гармоническому закону . Напр жение на диоде в момент действи  греющих импульсов тока будет измен тьс  по периодическому закону
20
U(t) уп1п(дм-Но)/to,
О)
где рт- температурный потенциал; to - обратный ток диода; IAM - ток разогрева диода. В результате можно показать, что греюща  мощность будет измен тьс  по гармоническому закону вида
P(t) Pcp + APcosQMt,(2)
где ДР - амплитуда модул ции греющей мощности, котора  определ етс  произведением действующего значени  огибающей тока I на действующее значение огибающей напр жени  U:
ДР -U.(3)
Начальный ток диода Нач, протекающий
в промежутках времени между действи ми греющих импульсов тока, поддерживаетс  посто нным и под действием переменной греющей мощности за период модул ции Тм создает переменное падение напр жени  Urn на диоде.
Выбира  период модул ции Тм из услови  гг.к-с Тм тт.п-к, где т т.к-с - теплова  посто нна  времени корпус-среда диода, а также период следовани  греющих
импульсов тока Т«гт.п-к, напр жение Urn будет отслеживать изменение греющей мощности АР. Измерение греющей мощности ДР можно осуществить ограничива  ток и напр жение на уровне lorp и Uorp (см. фиг.
2а и 26). Тогда измер   выделанную амплитуду переменной составл ющей температурочувствительного параметра 11тп на частоте модул ции Ом и измер   изменение греющей мощности диода, нетрудно определить величину теплового сопротивлени  переход-корпус RTD-K:
RT .n-к итп/Кт -АР, , где АР - изменение греющей мощности;
Кт - известный температурный коэффициент напр жени  температурочувстви- тельного параметра.
Дл  увеличени  полезного сигнала, а следовательно и точности измерени , необходимо длительность греющих импульсов тока выбирать из услови  Т ГиЗ: Т/2 и(или) увеличивать глубину модул ции тока.
Предлагаемый способ может быть реализован с помощью устройства, структурна  схема которого показана на фиг. 1, а эпюры, по сн ющие работу устройства, на фиг. 2.
Устройство содержит исследуемый диод ИД, источник начального тока 1, источник греющего тока 2, генератор управл ющих импульсов 3, усилитель-ограничитель 4. вольтметр действующего значени  5, осциллограф б, инвертирующий усилитель-ограничитель 7, детектор 8, селективный вольтметр 9, токосъемный низкоомный резистор R, электронный коммутатор тока Kt и коммутатор К2.
Способ осуществл ют на примере этого устройства следующим образом.
На один вход электронного коммутатора К1 поступает начальный ток нач диода с источника тока 1, на второй вход поступает греющий ток диода с источника 2, измен ющийс  по гармоническому закону с частотой Ои и имеющий положительное посто нное смещение. Коммутатор К1 переключаетс  с частотой следовани  греющих импульсов тока генератором управл ющих импульсов 3. С выхода коммутатора К1 греющие импульсы тока, модулированные по амплитуде (см, фиг. 2а) поступают на последовательно
соединенные исследуемый диод ИД и токосъемный резистор R. Импульсы тока на то- косъемном резисторе R преобразуютс  в импульсы напр жени , которые через контакты коммутатора К2.1 подаютс  на усилитель-ограничитель 4 и вольтметр действующего значени  5. Резистор R закорачиваетс  контактами коммутатора К2.2 при измерении падени  напр жени -Уид в
момент протекани  греющих импульсов тока, которое также через контакты коммутатора К2,1 поступает на усилитель-ограничитель 4 и вольтметр 5. Усилитель-ограничитель 4 ограничивает
снизу измер емый сигнал на величину наименьшей амплитуды огибающей греющего тока lorp (см. фиг. 2а)и напр жени  на диоде Uorp (см. фиг. 26). Тогда, прин в коэффициент усилени  усилител  4 равным единице,
значение изменени  греющей мощности АР будет равно произведению показаний вольтметра 5 при измерении действующего значени  тока и напр жени  ДР IU. Осциллограф 6 предназначен дл  контрол 
смещени  тока и напр жени  греющей мощности. Инвертирующий усилитель-ограничитель 7 выдел ет напр жение темпера- турочувствительного параметра Утл при законченном резисторе R (см. фиг. 2в). Это
напр жение детектируетс  детектором 8 и измер етс  селективным вольтметром 9 нэ частоте модул ции.
(56) ГОСТ 19656.15-84. Диоды полупровод- пиковые СВЧ. Методы измерени  теплового сопротивлени  переход-корпус и импульсного теплового сопротивлени , с. 4,

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД - КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ, включающий подачу на контролируемый диод j греющих импульсов тока, в промежутках , между которыми через диод пропускают посто нный начальный ток и измер ют падение напр жени  на диоде, а также определение греющей мощности и теплового
    сопротивлени  по полученным значени м, отличающийс  тем, что амплитуду греющих импульсов тока модулируют по гармоническому закону с периодом, на пор док большим тепловой посто нной времени
    переход - корпус дл  данного типа диодов, а при измерении падени  напр жени  на диоде и определении греющей мощности измер ют и определ ют амплитуду переменной составл ющей с частотой модул ции соответствующих величин.
    ФигЛ,
SU5026787 1992-02-11 1992-02-11 Способ определени теплового сопротивлени переход - корпус полупроводниковых диодов RU2003128C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5026787 RU2003128C1 (ru) 1992-02-11 1992-02-11 Способ определени теплового сопротивлени переход - корпус полупроводниковых диодов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5026787 RU2003128C1 (ru) 1992-02-11 1992-02-11 Способ определени теплового сопротивлени переход - корпус полупроводниковых диодов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2003128C1 true RU2003128C1 (ru) 1993-11-15

Family

ID=21596627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU5026787 RU2003128C1 (ru) 1992-02-11 1992-02-11 Способ определени теплового сопротивлени переход - корпус полупроводниковых диодов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2003128C1 (ru)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998048693A1 (ru) 1997-04-29 1998-11-05 Alexandr Alexandrovich Karasev Method of measuring the electrical conduction of organic tissue
RU2167429C1 (ru) * 2000-03-17 2001-05-20 Ульяновский государственный технический университет Способ измерения теплового сопротивления двухполюсников с известным температурным коэффициентом сопротивления
RU2172493C1 (ru) * 2000-03-31 2001-08-20 Ульяновский государственный технический университет Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем
RU2178893C1 (ru) * 2001-03-13 2002-01-27 Ульяновский государственный технический университет Способ определения теплового сопротивления переход-корпус полупроводниковых диодов
RU2300115C1 (ru) * 2006-02-02 2007-05-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева" Способ определения теплового сопротивления переход - корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении
RU2720185C1 (ru) * 2019-08-02 2020-04-27 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" Способ измерения тепловых сопротивлений переход-корпус и тепловых постоянных времени переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий в составе электронного модуля

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998048693A1 (ru) 1997-04-29 1998-11-05 Alexandr Alexandrovich Karasev Method of measuring the electrical conduction of organic tissue
RU2167429C1 (ru) * 2000-03-17 2001-05-20 Ульяновский государственный технический университет Способ измерения теплового сопротивления двухполюсников с известным температурным коэффициентом сопротивления
RU2172493C1 (ru) * 2000-03-31 2001-08-20 Ульяновский государственный технический университет Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем
RU2178893C1 (ru) * 2001-03-13 2002-01-27 Ульяновский государственный технический университет Способ определения теплового сопротивления переход-корпус полупроводниковых диодов
RU2300115C1 (ru) * 2006-02-02 2007-05-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева" Способ определения теплового сопротивления переход - корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении
RU2720185C1 (ru) * 2019-08-02 2020-04-27 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" Способ измерения тепловых сопротивлений переход-корпус и тепловых постоянных времени переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий в составе электронного модуля

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2402783C1 (ru) Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов
RU2178893C1 (ru) Способ определения теплового сопротивления переход-корпус полупроводниковых диодов
US4437060A (en) Method for deep level transient spectroscopy scanning and apparatus for carrying out the method
RU2003128C1 (ru) Способ определени теплового сопротивлени переход - корпус полупроводниковых диодов
US3244978A (en) Apparatus for the determination of attenuation in waveguides including means for comparing the amplitudes of pulse reflections
US3760273A (en) Electronic watt hour meter
US4954718A (en) Circuit arrangement for driving a pulse-modulated infrared-radiation source
GB1021240A (en) Improvements in and relating to electrical pulse measurement
US3417619A (en) Single wire measuring device for bathythermograph system
US3100996A (en) Temperature measuring instrument
SU407257A1 (ru) УСТРОЙСТВО дл СКВАЖИННОЙ ГЕОЭЛЕКТРОРАЗВЕДКИ
SU1580288A1 (ru) Способ определени полного сопротивлени двухполюсника
RU2068559C1 (ru) Способ неразрушающего контроля изделий
SU263248A1 (ru) Импульсное индукционное устройство для измерения параметров изделий
JP2532450B2 (ja) 半導体レ−ザ−装置
SU1619009A1 (ru) Устройство дл измерени рассто ни до металлической поверхности
SU421959A1 (ru) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПРОБИВНОГО НАПРЯЖЕНИЯ ;?-п-ПЕРЕХОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ЛАВИННЫМ МЕХАНИЗМОМ ПРОБОЯ
SU434289A1 (ru) ТЕПЛОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ВАКУУММЕТР.•4J!::;v *v-;-'t-='-;i'rf»a •v^-'i^i C?b;:^s:.r !iJ3
US3466546A (en) Method for measuring characteristics employing an a.c. signal responsive to impedance change for fixing the measured value
SU1190207A1 (ru) Устройство дл измерени температуры
RU2025044C1 (ru) Способ цифрового измерения температуры и устройство для его осуществления
SU938220A1 (ru) Устройство дл измерени дифференциального коэффициента передачи тока транзисторов
SU461386A1 (ru) Способ измерени малых изменений сдвига фаз
SU951199A1 (ru) Устройство дл измерени и регистрации напр жени лавинного пробо р-п переходов
SU550255A1 (ru) Устройство дл дозировки энергии при ультразвуковой сварке