[go: up one dir, main page]

RU2003117511A - DEVICE FOR GROWING SILICON MONOCRYSTAL FROM MELT - Google Patents

DEVICE FOR GROWING SILICON MONOCRYSTAL FROM MELT

Info

Publication number
RU2003117511A
RU2003117511A RU2003117511/15A RU2003117511A RU2003117511A RU 2003117511 A RU2003117511 A RU 2003117511A RU 2003117511/15 A RU2003117511/15 A RU 2003117511/15A RU 2003117511 A RU2003117511 A RU 2003117511A RU 2003117511 A RU2003117511 A RU 2003117511A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
heater
melt
backfill
gas stream
gas
Prior art date
Application number
RU2003117511/15A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2241079C1 (en
Inventor
Сергей Владимирович Алексеев
Михаил Владимирович Баташов
Хасан Ильич Макеев
Марат Хасанович Макеев
Original Assignee
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ")
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ") filed Critical Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ")
Priority to RU2003117511/15A priority Critical patent/RU2241079C1/en
Priority claimed from RU2003117511/15A external-priority patent/RU2241079C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2241079C1 publication Critical patent/RU2241079C1/en
Publication of RU2003117511A publication Critical patent/RU2003117511A/en

Links

Claims (5)

1. Устройство для выращивания монокристалла кремния из расплава, содержащее камеру с отверстиями для эвакуации газового потока, в которой размещены тигель для расплава, расположенный в подставке на штоке, верхний газонаправляющий экран, формирующий газовый поток над расплавом, и нагреватель, отличающееся тем, что устройство снабжено нижним газонаправляющим кольцевым экраном с центральным отверстием для перемещения подставки, установленным над нагревателем, отверстия для эвакуации газового потока выполнены в камере между верхним и нижним газонаправляющими экранами, а пространство между корпусом, нижним газонаправляющим кольцевым экраном, нагревателем и штоком заполнено засыпкой.1. A device for growing a silicon single crystal from a melt, comprising a chamber with holes for evacuating the gas stream, in which a melt crucible is located in a stand on the rod, an upper gas guide screen forming a gas stream above the melt, and a heater, characterized in that the device equipped with a lower gas guide ring screen with a central hole for moving the stand mounted above the heater, holes for evacuating the gas stream are made in the chamber between the upper and lower gas-guiding screens, and the space between the housing, the lower gas-guiding annular screen, the heater and the rod is filled with backfill. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в качестве материала засыпки использован карбид кремния.2. The device according to claim 1, characterized in that silicon carbide is used as the backfill material. 3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что нагреватель выполнен секционным, при этом засыпка зафиксирована между секциями нагревателя при помощи уплотняющих вставок.3. The device according to claim 1, characterized in that the heater is made sectional, while the filling is fixed between sections of the heater using sealing inserts. 4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что засыпка зафиксирована вокруг штока при помощи уплотняющего кольца.4. The device according to claim 1, characterized in that the backfill is fixed around the stem using a sealing ring. 5. Устройство по п.3, отличающееся тем, что в качестве материала уплотняющих вставок использован графитовый войлок.5. The device according to claim 3, characterized in that graphite felt is used as the material of the sealing inserts.
RU2003117511/15A 2003-06-17 2003-06-17 Device for growing silicon mono-crystal from melt RU2241079C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2003117511/15A RU2241079C1 (en) 2003-06-17 2003-06-17 Device for growing silicon mono-crystal from melt

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2003117511/15A RU2241079C1 (en) 2003-06-17 2003-06-17 Device for growing silicon mono-crystal from melt

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2241079C1 RU2241079C1 (en) 2004-11-27
RU2003117511A true RU2003117511A (en) 2004-12-27

Family

ID=34310985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2003117511/15A RU2241079C1 (en) 2003-06-17 2003-06-17 Device for growing silicon mono-crystal from melt

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2241079C1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2472875C1 (en) * 2011-08-24 2013-01-20 Общество с ограниченной ответственностью "Макси-М" Method for growing silicon monocrystal from molten metal
RU2663130C1 (en) * 2018-02-12 2018-08-01 Акционерное общество "Управляющая компания "АКЦЕНТ" Method for growing silicon monocrystal from melt

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1231360A1 (en) * 1984-08-31 1986-05-15 Предприятие П/Я М-5409 Electric graphitizing furnace
DE4442829A1 (en) * 1994-12-01 1996-06-05 Wacker Siltronic Halbleitermat Device and method for producing a single crystal

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970059320A (en) Single crystal pulling device
JP2013504513A (en) Sublimation growth method of SiC single crystal
KR20030015239A (en) Method and device for feeding arsenic dopant into a silicon crystal growing process
CN103620094A (en) Apparatus and method for producing SiC single crystal
RU95121442A (en) DEVICE AND METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTAL
Muller et al. The status of SiC bulk growth from an industrial point of view
RU2003117511A (en) DEVICE FOR GROWING SILICON MONOCRYSTAL FROM MELT
MY133687A (en) Method and apparatus for producing a single crystal
JP2001072486A5 (en)
CN110129886A (en) A kind of seed crystal fixed device in silicon carbide monocrystal growth
KR20120116091A (en) Feed unit and ingot grower including the same
RU2355831C2 (en) Method for growing of hollow cylindrical single crystals of silicon based on chokhralsky method and device for its realisation
KR20190070404A (en) Reactor for growing silicon carbide single crystal
JP4692394B2 (en) Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal
US6875269B2 (en) System for increasing charge size for single crystal silicon production
KR100485663B1 (en) A Grower of silicon crysital ingot
KR102138455B1 (en) A heat shield member for single crystal growth and single crystal growth apparatus using the same
KR20130084496A (en) Single crystal growth apparatus and method
KR20150130077A (en) A crucible for CCZ
JP4304608B2 (en) Heat shielding member of silicon single crystal pulling device
JP2013216516A (en) Manufacturing apparatus and manufacturing method for silicon carbide single crystal
PL377817A1 (en) Gas flushing device for metallurgical melting pots
RU2003116077A (en) DEVICE FOR GROWING SAPPHIRE SINGLE CRYSTALS
JPS60137893A (en) Graphite crucible for pulling semiconductor single crystal
RU2003117509A (en) METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL FROM MELT