[go: up one dir, main page]

RU2002121258A - METHOD FOR DETECTING THE LEVEL OF LEAD IMPURITY CONTENT IN AN OPTICAL FLUORIDE CRYSTAL, METHOD FOR MEASURING THIS LEVEL, METHOD FOR PRODUCING AN OPTICAL ELEMENT, OPTICAL FLUORIDE CRYSTAL CRYSTAL - Google Patents

METHOD FOR DETECTING THE LEVEL OF LEAD IMPURITY CONTENT IN AN OPTICAL FLUORIDE CRYSTAL, METHOD FOR MEASURING THIS LEVEL, METHOD FOR PRODUCING AN OPTICAL ELEMENT, OPTICAL FLUORIDE CRYSTAL CRYSTAL Download PDF

Info

Publication number
RU2002121258A
RU2002121258A RU2002121258/28A RU2002121258A RU2002121258A RU 2002121258 A RU2002121258 A RU 2002121258A RU 2002121258/28 A RU2002121258/28 A RU 2002121258/28A RU 2002121258 A RU2002121258 A RU 2002121258A RU 2002121258 A RU2002121258 A RU 2002121258A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
optical
radiation
wavelength
less
crystal
Prior art date
Application number
RU2002121258/28A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Александр МАЙОЛЕ (FR)
Александр МАЙОЛЕ
Николай ТИМОФЕЕВ (RU)
Николай ТИМОФЕЕВ
Мишель Ален ПЕЛЛЬ (FR)
Мишель Ален ПЕЛЛЬ
Original Assignee
Корнинг Инкорпорейтед (US)
Корнинг Инкорпорейтед
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Корнинг Инкорпорейтед (US), Корнинг Инкорпорейтед filed Critical Корнинг Инкорпорейтед (US)
Priority to RU2002121258/28A priority Critical patent/RU2002121258A/en
Priority to DE20221705U priority patent/DE20221705U1/en
Priority to AU2002352798A priority patent/AU2002352798A1/en
Priority to DE10297547T priority patent/DE10297547T5/en
Priority to JP2003553232A priority patent/JP2005524055A/en
Priority to PCT/US2002/037147 priority patent/WO2003052392A1/en
Priority to US10/317,789 priority patent/US6894284B2/en
Publication of RU2002121258A publication Critical patent/RU2002121258A/en

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Claims (15)

1. Способ обнаружения низкого уровня содержания свинцовой примеси в оптическом фторидном кристалле, пропускающем оптическое излучение с длиной волны менее 200 нм, включающий обеспечение наличия оптического фторидного кристалла, пропускающего оптическое излучение с длиной волны менее 200 нм, причем длина оптического пути излучения в этом кристалле составляет не менее 2 мм, обеспечение наличия спектрофотометра для измерений на пропускание, содержащего оптический источник для формирования пропускаемого тестового излучения с длиной волны в диапазоне от 200 до 210 нм и детектор пропускаемого излучения для измерения коэффициента пропускания тестового излучения, пропускание указанного тестового излучения с длиной волны в диапазоне от 200 до 210 нм по указанному оптическому пути через оптический фторидный кристалл и измерение коэффициента пропускания этого тестового излучения при его прохождении по указанному пути для измерения уровня содержания свинцовой примеси, составляющего менее 900 млрд-1.1. A method for detecting a low level of lead impurity in an optical fluoride crystal that transmits optical radiation with a wavelength of less than 200 nm, comprising providing an optical fluoride crystal that transmits optical radiation with a wavelength of less than 200 nm, the optical path of radiation in this crystal being at least 2 mm, providing a spectrophotometer for transmittance measurements containing an optical source for generating transmitted test radiation with a wavelength of a range from 200 to 210 nm and a radiation detector for measuring the transmittance of the test radiation, transmitting the specified test radiation with a wavelength in the range from 200 to 210 nm along the specified optical path through the optical fluoride crystal and measuring the transmittance of this test radiation when it passes through the indicated path for measuring a level of lead impurity of less than 900 billion -1 . 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанное пропускание тестового излучения с длиной волны в диапазоне от 200 до 210 нм включает пропускание тестового излучения с длиной волны в диапазоне от 203 до 207 нм по указанному оптическому пути через оптический фторидный кристалл и измерение коэффициента пропускания тестового излучения с длиной волны от 203 до 207 нм при его прохождении по этому пути для измерения уровня содержания свинцовой примеси менее 500 млрд-1.2. The method according to claim 1, characterized in that said transmitting test radiation with a wavelength in the range from 200 to 210 nm includes transmitting test radiation with a wavelength in the range from 203 to 207 nm along the specified optical path through an optical fluoride crystal and measuring transmittance of test radiation with a wavelength of from 203 to 207 nm when it passes along this path to measure the level of lead impurity content of less than 500 billion -1 . 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанное пропускание тестового излучения с длиной волны в диапазоне от 200 до 210 нм включает пропускание тестового излучения с длиной волны около 205 нм по указанному оптическому пути через оптический фторидный кристалл и измерение коэффициента пропускания тестового излучения с длиной волны около 205 нм при его прохождении по этому пути для измерения уровня содержания свинцовой примеси менее 300 млрд-1.3. The method according to claim 1, characterized in that the specified transmission of test radiation with a wavelength in the range from 200 to 210 nm includes transmitting test radiation with a wavelength of about 205 nm along the specified optical path through an optical fluoride crystal and measuring the transmittance of the test radiation with a wavelength of about 205 nm as it passes along this path to measure the level of lead impurity content of less than 300 billion -1 . 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанное обеспечение наличия оптического фторидного кристалла, пропускающего оптическое излучение с длиной волны менее 200 нм и имеющего оптический путь излучения длиной не менее 2 мм, включает обеспечение наличия оптического пути длиной не менее 1 см и пропускание указанного тестового излучения по этому пути длиной не менее 1 см для измерения уровня содержания свинцовой примеси менее 100 млрд-1.4. The method according to claim 1, characterized in that the said provision of an optical fluoride crystal transmitting optical radiation with a wavelength of less than 200 nm and having an optical radiation path of at least 2 mm in length, includes ensuring the presence of an optical path of at least 1 cm long and passing the specified test radiation along this path with a length of at least 1 cm to measure the level of lead impurities less than 100 billion -1 . 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанное обеспечение наличия оптического фторидного кристалла, пропускающего оптическое излучение с длиной волны менее 200 нм и имеющего оптический путь излучения длиной не менее 2 мм, включает обеспечение наличия оптического пути длиной не менее 10 см и пропускание указанного тестового излучения по этому пути длиной не менее 10 см для измерения уровня содержания свинцовой примеси менее 50 млрд-1.5. The method according to claim 1, characterized in that the said provision of an optical fluoride crystal that transmits optical radiation with a wavelength of less than 200 nm and has an optical radiation path of at least 2 mm in length, includes the provision of an optical path of at least 10 cm long and passing the specified test radiation along this path with a length of at least 10 cm to measure a level of lead impurity content of less than 50 billion -1 . 6. Способ измерения уровней содержания свинцовой примеси, составляющих менее 1 млн-1, в оптическом фторидном кристалле, пропускающем оптическое излучение с длиной волны менее 200 нм, включающий обеспечение наличия оптического фторидного кристалла, пропускающего оптическое излучение с длиной волны менее 200 нм, причем длина оптического пути излучения в этом кристалле составляет не менее 1 см, обеспечение наличия спектрофотометра для измерений на пропускание, содержащего оптический источник для формирования пропускаемого тестового излучения с длиной волны в диапазоне от 200 до 210 нм и детектор для вычисления коэффициента поглощения на длине волны указанного тестового излучения, пропускание указанного тестового излучения с длиной волны от 200 до 210 нм по указанному оптическому пути длиной не менее 1 см через оптический фторидный кристалл и измерение коэффициента поглощения на длине волны тестового излучения при прохождении излучения по указанному оптическому пути длиной не менее 1 см для измерения коэффициента поглощения излучения свинцовой примесью, составляющего менее 0,0017 см-1.6. A method for measuring levels of lead impurities of less than 1 million -1 in an optical fluoride crystal that transmits optical radiation with a wavelength of less than 200 nm, including providing an optical fluoride crystal that transmits optical radiation with a wavelength of less than 200 nm, the length the optical path of radiation in this crystal is not less than 1 cm, ensuring the availability of a spectrophotometer for transmittance measurements containing an optical source for generating a transmitted test radiation ia with a wavelength in the range from 200 to 210 nm and a detector for calculating the absorption coefficient at the wavelength of the specified test radiation, transmitting the specified test radiation with a wavelength of 200 to 210 nm on the specified optical path length of at least 1 cm through an optical fluoride crystal and measuring the absorption coefficient at a wavelength of test radiation when radiation passes along a specified optical path with a length of at least 1 cm to measure the absorption coefficient of radiation with a lead impurity of less than 0.0017 cm -1 . 7. Способ изготовления оптического элемента для длин волн менее 200 нм, включающий обеспечение наличия оптического фторидного кристалла, пропускающего оптическое излучение с длиной волны менее 200 нм, причем длина оптического пути излучения в этом кристалле составляет не менее 2 мм, обеспечение наличия спектрофотометра для измерений на пропускание, содержащего оптический источник для формирования пропускаемого тестового излучения с длиной волны в диапазоне от 200 до 210 нм и детектор пропускаемого излучения для измерения коэффициента пропускания указанного тестового излучения, пропускание указанного тестового излучения с длиной волны в диапазоне от 200 до 210 нм по указанному оптическому пути через оптический фторидный кристалл и измерение коэффициента пропускания тестового излучения с длиной волны от 200 до 210 нм при его прохождении по указанному пути для измерения уровня содержания примеси менее 100 млрд-1 и изготовление из оптического фторидного кристалла оптического элемента для длин волн менее 200 нм, имеющего коэффициент поглощения менее 0,0017 см-1 в диапазоне длин волн от 200 до 210 нм.7. A method of manufacturing an optical element for wavelengths less than 200 nm, including ensuring the presence of an optical fluoride crystal that transmits optical radiation with a wavelength of less than 200 nm, the optical path of radiation in this crystal being at least 2 mm, providing a spectrophotometer for measurements on transmittance containing an optical source for generating transmitted test radiation with a wavelength in the range from 200 to 210 nm and a transmitted radiation detector for measuring the transmittance kaniya specified test radiation, transmitting the specified test radiation with a wavelength in the range from 200 to 210 nm along the specified optical path through the optical fluoride crystal and measuring the transmittance of the test radiation with a wavelength from 200 to 210 nm when passing through the specified path for level measurement the impurity content of less than 100 billion -1 and the manufacture of an optical fluoride crystal of an optical element for wavelengths less than 200 nm, having an absorption coefficient of less than 0.0017 cm -1 in the wavelength range of 20 0 to 210 nm. 8. Способ изготовления оптического фторидного кристалла, пропускающего оптическое излучение с длиной волны менее 200 нм, включающий обеспечение наличия твердотельной заготовки для плавления из кристаллического фтористого кальция, плавление указанной твердотельной заготовки с формированием расплава фтористого кальция и выращивание из указанного расплава кристалла фтористого кальция для формирования оптического кристалла фтористого кальция, пропускающего оптическое излучение с длиной волны менее 200 нм, обеспечение наличия спектрофотометра для измерений на пропускание, содержащего оптический источник для формирования пропускаемого тестового излучения с длиной волны в диапазоне от 200 до 210 нм и детектор пропускаемого излучения для измерения коэффициента пропускания указанного тестового излучения, и измерение уровня содержания свинцовой примеси вдоль оптического пути излучения во фтористом кальции с использованием указанного тестового излучения с длиной волны в диапазоне от 200 до 210 нм, причем указанный выращенный оптический кристалл фтористого кальция, пропускающий оптическое излучение с длиной волны менее 200 нм, имеет коэффициент поглощения менее 0,0017 см-1 в диапазоне длин волн от 200 до 210 нм.8. A method of manufacturing an optical fluoride crystal that transmits optical radiation with a wavelength of less than 200 nm, comprising providing a solid-state preform for melting from crystalline calcium fluoride, melting said solid-state preform with the formation of a melt of calcium fluoride, and growing a calcium fluoride crystal from said melt to form an optical a crystal of calcium fluoride, transmitting optical radiation with a wavelength of less than 200 nm, ensuring the presence of spectroph a transmittance meter containing an optical source for generating transmitted test radiation with a wavelength in the range of 200 to 210 nm and a transmitted radiation detector for measuring the transmittance of said test radiation, and measuring a level of lead impurity along the optical path of radiation in calcium fluoride with using the specified test radiation with a wavelength in the range from 200 to 210 nm, and the specified grown optical crystal of calcium fluoride, I skip optical radiation with a wavelength of less than 200 nm, has an absorption coefficient of less than 0.0017 cm -1 in the wavelength range from 200 to 210 nm. 9. Способ по п.8, отличающийся тем, что выращенный оптический кристалл фтористого кальция, пропускающий оптическое излучение с длиной волны менее 200 нм, имеет коэффициент поглощения менее 0,0017 см-1 на длине волны 205 нм.9. The method according to claim 8, characterized in that the grown optical crystal of calcium fluoride, transmitting optical radiation with a wavelength of less than 200 nm, has an absorption coefficient of less than 0.0017 cm -1 at a wavelength of 205 nm. 10. Оптический фторидный кристалл, пропускающий оптическое излучение с длиной волны менее 200 нм, который содержит фтористый кальций, имеющий коэффициент пропускания более 99 %/см на длине волны менее 200 нм, уровень содержания свинцовой примеси менее 50 млрд-1 и коэффициент поглощения излучения свинцовой примесью менее 0,0017 см-1 на длинах волн от 200 до 210 нм.10. An optical fluoride crystal that transmits optical radiation with a wavelength of less than 200 nm, which contains calcium fluoride, having a transmittance of more than 99% / cm at a wavelength of less than 200 nm, a level of lead impurity content of less than 50 billion -1 and the absorption coefficient of radiation of lead an admixture of less than 0.0017 cm -1 at wavelengths from 200 to 210 nm. 11. Оптический фторидный кристалл по п.10, отличающийся тем, что указанный кристалл фтористого кальция имеет коэффициент поглощения излучения свинцовой примесью менее 0,0016 см-1 на длине волны 205 нм.11. The optical fluoride crystal of claim 10, wherein said calcium fluoride crystal has a lead absorption coefficient of less than 0.0016 cm −1 at a wavelength of 205 nm. 12. Способ изготовления оптического фторидного кристалла, пропускающего оптическое излучение с длиной волны менее 200 нм, включающий обеспечение наличия твердотельной заготовки для плавления из кристаллического фтористого бария, плавление указанной твердотельной заготовки с формированием расплава фтористого бария и выращивание из указанного расплава кристалла фтористого бария для формирования оптического кристалла фтористого бария, пропускающего оптическое излучение с длиной волны менее 200 нм, обеспечение наличия спектрофотометра для измерений на пропускание, содержащего оптический источник для формирования пропускаемого тестового излучения с длиной волны в диапазоне от 200 до 210 нм и детектор пропускаемого излучения для измерения коэффициента пропускания указанного тестового излучения, и измерение уровня содержания свинцовой примеси вдоль оптического пути излучения во фтористом барии с использованием указанного тестового излучения с длиной волны в диапазоне от 200 до 210 нм, причем указанный выращенный оптический кристалл фтористого бария, пропускающий оптическое излучение с длиной волны менее 200 нм, имеет коэффициент поглощения менее 0,0017 см-1 в диапазоне длин волн от 200 до 210 нм.12. A method of manufacturing an optical fluoride crystal that transmits optical radiation with a wavelength of less than 200 nm, comprising providing a solid-state preform for melting from crystalline barium fluoride, melting said solid-state preform with the formation of a barium fluoride melt, and growing barium fluoride crystal from said melt to form an optical barium fluoride crystal transmitting optical radiation with a wavelength of less than 200 nm, providing a spectrophotometer For transmittance measurements, containing an optical source for generating transmitted test radiation with a wavelength in the range from 200 to 210 nm and a transmitted radiation detector for measuring the transmittance of said test radiation, and measuring the level of lead impurity along the optical path of radiation in barium fluoride using the specified test radiation with a wavelength in the range from 200 to 210 nm, and the specified grown optical crystal of barium fluoride, transmitting optical radiation with a wavelength of less than 200 nm, has an absorption coefficient of less than 0.0017 cm -1 in the wavelength range from 200 to 210 nm. 13. Способ по п.12, отличающийся тем, что выращенный оптический кристалл фтористого бария, пропускающий оптическое излучение с длиной волны менее 200 нм, имеет коэффициент поглощения менее 0,0017 см-1 на длине волны 205 нм.13. The method according to p. 12, characterized in that the grown optical crystal of barium fluoride, transmitting optical radiation with a wavelength of less than 200 nm, has an absorption coefficient of less than 0.0017 cm -1 at a wavelength of 205 nm. 14. Оптический фторидный кристалл, пропускающий оптическое излучение с длиной волны менее 200 нм, который содержит фтористый барий, имеющий коэффициент пропускания более 99 %/см на длине волны менее 200 нм, уровень содержания свинцовой примеси менее 50 млрд-1 и коэффициент поглощения излучения свинцовой примесью менее 0,0017 см-1 на длинах волн от 200 до 210 нм.14. An optical fluoride crystal that transmits optical radiation with a wavelength of less than 200 nm, which contains barium fluoride having a transmittance of more than 99% / cm at a wavelength of less than 200 nm, the content of lead impurities less than 50 billion -1 and the absorption coefficient of radiation of lead an admixture of less than 0.0017 cm -1 at wavelengths from 200 to 210 nm. 15. Оптический фторидный кристалл по п.14, отличающийся тем, что указанный кристалл фтористого бария имеет коэффициент поглощения излучения свинцовой примесью менее 0,0016 см-1 на длине волны 205 нм.15. The optical fluoride crystal of claim 14, wherein said barium fluoride crystal has a lead absorption coefficient of less than 0.0016 cm -1 at a wavelength of 205 nm.
RU2002121258/28A 2001-12-13 2002-08-12 METHOD FOR DETECTING THE LEVEL OF LEAD IMPURITY CONTENT IN AN OPTICAL FLUORIDE CRYSTAL, METHOD FOR MEASURING THIS LEVEL, METHOD FOR PRODUCING AN OPTICAL ELEMENT, OPTICAL FLUORIDE CRYSTAL CRYSTAL RU2002121258A (en)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002121258/28A RU2002121258A (en) 2002-08-12 2002-08-12 METHOD FOR DETECTING THE LEVEL OF LEAD IMPURITY CONTENT IN AN OPTICAL FLUORIDE CRYSTAL, METHOD FOR MEASURING THIS LEVEL, METHOD FOR PRODUCING AN OPTICAL ELEMENT, OPTICAL FLUORIDE CRYSTAL CRYSTAL
DE20221705U DE20221705U1 (en) 2001-12-13 2002-11-19 Detection of low lead impurity level in transmitting optical fluoride crystal for manufacturing integrated circuit chips, by measuring transmission test wavelength through optical fluoride crystal light transmission path length
AU2002352798A AU2002352798A1 (en) 2001-12-13 2002-11-19 UV OPTICAL FLUORIDE CRYSTAL ELEMENTS FOR LamdaLESS THAN200NM LASER LITHOGRAPHY AND METHODS THEREFORE
DE10297547T DE10297547T5 (en) 2001-12-13 2002-11-19 UV-optical fluoride crystal elements for laser lithography with λ <200nm and method thereof
JP2003553232A JP2005524055A (en) 2001-12-13 2002-11-19 λ <200 nm UV optical fluoride crystal element for laser lithography and method for producing and inspecting the same
PCT/US2002/037147 WO2003052392A1 (en) 2001-12-13 2002-11-19 UV OPTICAL FLUORIDE CRYSTAL ELEMENTS FOR μ<200NM LASER LITHOGRAPHY AND METHODS THEREFORE
US10/317,789 US6894284B2 (en) 2001-12-13 2002-12-11 UV optical fluoride crystal elements for λ < 200nm laser lithography and methods therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002121258/28A RU2002121258A (en) 2002-08-12 2002-08-12 METHOD FOR DETECTING THE LEVEL OF LEAD IMPURITY CONTENT IN AN OPTICAL FLUORIDE CRYSTAL, METHOD FOR MEASURING THIS LEVEL, METHOD FOR PRODUCING AN OPTICAL ELEMENT, OPTICAL FLUORIDE CRYSTAL CRYSTAL

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2002121258A true RU2002121258A (en) 2004-03-20

Family

ID=35868371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2002121258/28A RU2002121258A (en) 2001-12-13 2002-08-12 METHOD FOR DETECTING THE LEVEL OF LEAD IMPURITY CONTENT IN AN OPTICAL FLUORIDE CRYSTAL, METHOD FOR MEASURING THIS LEVEL, METHOD FOR PRODUCING AN OPTICAL ELEMENT, OPTICAL FLUORIDE CRYSTAL CRYSTAL

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2002121258A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9696261B2 (en) Multi-channel device and method for measuring optical properties of a liquid
JPWO2000058700A1 (en) Temperature Measurement System
TW200606416A (en) Method of and apparatus for determining the amount of impurity in gas
EP1730495A1 (en) Ozone concentration sensor
US8399836B2 (en) Infrared ray transmissive optical member and manufacturing method thereof, optical device, and optical apparatus
EP0210719A3 (en) Fiber optical temperature measuring apparatus
TW200925568A (en) Temperature sensor probe
Kanamori et al. Transmission loss characteristics of As40S60 and As38Ge5Se57 glass unclad fibers
US6603547B2 (en) Method for determination of the radiation stability of crystals
RU2002121258A (en) METHOD FOR DETECTING THE LEVEL OF LEAD IMPURITY CONTENT IN AN OPTICAL FLUORIDE CRYSTAL, METHOD FOR MEASURING THIS LEVEL, METHOD FOR PRODUCING AN OPTICAL ELEMENT, OPTICAL FLUORIDE CRYSTAL CRYSTAL
JPWO2020066769A5 (en)
EP1236990B1 (en) Density detection device for tasting article or component thereof
Shixun et al. The near-and mid-infrared emission properties of Tm3+-doped GeGaS–CsI chalcogenide glasses
JP2010262887A (en) Plasma measuring device
US6320661B1 (en) Method for measuring transmittance of optical members for ultraviolent use, synthetic silica glass, and photolithography apparatus using the same
US11199493B2 (en) Functional water concentration sensor, and calculation method
RU2002121259A (en) METHOD FOR DETECTING LEVEL OF LEAD IMPURITY CONTENT COMPOSITING LESS THAN A MILLION SHARE IN OPTICAL FLUORIDE CRYSTAL, METHOD FOR MEASURING THESE LEVELS, METHOD FOR PRODUCING OPTOMETALLIC OPTOMETRY
JP6260971B2 (en) Non-destructive sugar acidity meter for fruits and vegetables and method of using the same
JPS5571934A (en) Method of evaluating impurity doping amount in semiconductor
KR20110034330A (en) Non-Dispersive Infrared (NDR) Carbon Dioxide (CO2) Gas Sensors
JP4536501B2 (en) Method and apparatus for measuring ozone concentration in ozone water
JPH06308026A (en) Optical measuring device and ozone water concentration meter
Thomas et al. KrF laser-induced absorption in synthetic fused silica
JPH06308027A (en) Light measuring apparatus and ozone water concentration meter
JP2514353B2 (en) Evaluation method of solid-state laser rod

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20050813