RU2061096C1 - Process of metallizing of dielectrics - Google Patents
Process of metallizing of dielectrics Download PDFInfo
- Publication number
- RU2061096C1 RU2061096C1 SU4840948A RU2061096C1 RU 2061096 C1 RU2061096 C1 RU 2061096C1 SU 4840948 A SU4840948 A SU 4840948A RU 2061096 C1 RU2061096 C1 RU 2061096C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- solution
- copper
- nickel
- dielectrics
- coating
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 title claims abstract description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 20
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 14
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 8
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-REOHCLBHSA-N L-lactic acid Chemical compound C[C@H](O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical class [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- HELHAJAZNSDZJO-OLXYHTOASA-L sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O HELHAJAZNSDZJO-OLXYHTOASA-L 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- 239000001433 sodium tartrate Substances 0.000 description 1
- 229960002167 sodium tartrate Drugs 0.000 description 1
- 235000011004 sodium tartrates Nutrition 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000406 trisodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019801 trisodium phosphate Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технологии изготовления микроэлектронной аппаратуры и может быть использовано при создании токопроводящих элементов при изготовлении многослойных коммутационных плат на гибком основании, преимущественно полиимидной пленке. The invention relates to the manufacturing technology of microelectronic equipment and can be used to create conductive elements in the manufacture of multilayer patch boards on a flexible base, mainly a polyimide film.
Известны способы химической металлизации диэлектриков, предусматривающие предварительную модификацию полимера, сенсибилизацию, активацию, осаждение тонкого слоя металла путем восстановления ионов металлов в водных растворах с помощью растворенного восстановителя с последующим гальваническим наращиванием токопроводящего покрытия [1]
Для меднения полиимида используются растворы, содержащие соль двухвалентной меди, восстановитель, вещества для связывания Cu (II) в комплекс, вещества, регулирующие рН раствора, различные добавки. Поскольку практически единственным восстановителем, используемым в растворах химического меднения, является формальдегид, то химическое осаждение меди может производиться в основном из щелочных растворов.Known methods for the chemical metallization of dielectrics, involving preliminary polymer modification, sensitization, activation, deposition of a thin metal layer by reduction of metal ions in aqueous solutions using a dissolved reducing agent, followed by galvanic buildup of the conductive coating [1]
For polyimide copper plating, solutions are used containing a divalent copper salt, a reducing agent, substances for binding Cu (II) to the complex, substances that regulate the pH of the solution, various additives. Since formaldehyde is practically the only reducing agent used in chemical copper plating solutions, copper can be deposited chemically mainly from alkaline solutions.
Наиболее бликим к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является способ металлизации полиимида, включающий (модификацию, сенсибилизирование и активирование) подготовку поверхности и осаждение меди в водном щелочном растворе на основе сернокислой меди [2]
Однако при химическом осаждении меди в щелочном растворе (содержание щелочи 10-12 г/л, рН 12-14) происходит дополнительное травление модифицированной при предварительной обработке поверхности полиимидной пленки. В связи с тем, что большинство диэлектриков (и полиимиды в том числе) имеют неоднородную аморфно-кристаллическую структуру со степенью кристалличности 15-20 происходит неравномерное вытравливание поверхности. Поэтому наблюдается значительный разброс результатов адгезии ненанесенного металлопокрытия, а также участки локального отслоения. Это приводит к низкой адгезии покрытий.The closest to the invention in terms of technical nature and the achieved result is a method of metallization of polyimide, including (modification, sensitization and activation) surface preparation and deposition of copper in an aqueous alkaline solution based on copper sulfate [2]
However, during chemical deposition of copper in an alkaline solution (alkali content of 10-12 g / l, pH 12-14), additional etching of the surface of the polyimide film modified during preliminary processing occurs. Due to the fact that most dielectrics (including polyimides as well) have an inhomogeneous amorphous-crystalline structure with a crystallinity of 15–20, uneven surface etching occurs. Therefore, there is a significant scatter in the results of adhesion of the non-applied metal coating, as well as areas of local delamination. This results in poor coating adhesion.
Цель изобретения повышение адгезии покрытий. The purpose of the invention is the increase in adhesion of coatings.
Цель достигается тем, что пресс металлизации полиимидной пленки перед химическим осаждением меди из щелочного раствора на поверхность диэлектрика предварительно наносят из кислого раствора слой химически осажденного никеля толщиной 1-2 мкм, который затем обрабатывают в 5%-ном растворе азотнокислой меди. The goal is achieved in that a metallization press of a polyimide film before chemical deposition of copper from an alkaline solution, a layer of chemically precipitated nickel 1-2 microns thick is preliminarily applied from the acid solution to the surface of the dielectric, which is then treated in a 5% copper nitrate solution.
Нанесение слоя никеля толщиной 1-2 мкм исключает возможность проникновения щелочного раствора химического меднения к предварительно модифицированной поверхности полимида и устраняет неравномерное ее растравливание. The application of a nickel layer with a thickness of 1-2 μm eliminates the possibility of penetration of an alkaline solution of chemical copper plating to the previously modified surface of the polyimide and eliminates its uneven etching.
Обработка слоя никеля в 5%-ном растворе азотнокислой меди позволяет не только удалить с поверхности никеля его окислы, но и за счет создания тонкого плотного мелкодисперсного медного покрытия уплотнить слой осажденного никеля, имеющего пористую структуру. При традиционно используемом дикапировании в кислых растворах промежуточных слоев при нанесении многослойных химических покрытий происходит лишь удаление окисной пленки, неизбежно присутствующей на металлопокрытии. Данные электронной микроскопии показывают, что покрытие никелем имеет пористую структуру. Кислые растворы при декапировании проникают вглубь никелевого слоя и благодаря капиллярному эффекту надолго удерживаются в нем. При осаждении же тонкого слоя меди из 5%-ного раствора азотнокислой меди происходит не только удаление окислов никеля, но и надежное уплотнение пористого адгезионного подслоя никеля. Processing a nickel layer in a 5% solution of copper nitrate allows not only to remove its oxides from the surface of nickel, but also, due to the creation of a thin dense finely dispersed copper coating, to densify the deposited nickel layer with a porous structure. With the traditionally used dipping in acidic solutions of the intermediate layers when applying multilayer chemical coatings, only the oxide film is removed, which is inevitably present on the metal coating. Electron microscopy data show that the nickel coating has a porous structure. Acidic solutions during decapitation penetrate deep into the nickel layer and, due to the capillary effect, remain in it for a long time. When a thin layer of copper is deposited from a 5% solution of copper nitrate, not only nickel oxides are removed, but also a reliable compaction of the porous nickel adhesive sublayer occurs.
Это приводит к увеличению адгезии медного покрытия до 190 кг/см2 (по сравнению с прототипом ≈60-100 кг/см2) и полному устранению локальных отслоений.This leads to an increase in the adhesion of the copper coating to 190 kg / cm 2 (compared with the prototype ≈60-100 kg / cm 2 ) and the complete elimination of local delamination.
П р и м е р. Для удаления механических примесей и водорастворимых солей образцы полиимидной пленки ПМ-1А обезжиривают в щелочном растворе тринатрийфосфата при 343-353 К в течение 10 мин. После промывки в дистиллированной воде в течение 10 мин образцы подвергают травлению в хромовокислом растворе при 343-348 К в течение 5-10 мин, набуханию в щелочном растворе моноэтаноламина при 348 К в течение 10 мин. После промывки в дистиллированной воде и обработки в 2%-ном растворе натровой щелочи в течение 5-15 с пленки обрабатывают в сернокислом растворе перекиси водорода при 348-353 К в течение 1 мин. После окончательной промывки водой образцы высушивают при 373 К в течение часа. PRI me R. To remove mechanical impurities and water-soluble salts, samples of the PM-1A polyimide film are degreased in an alkaline solution of trisodium phosphate at 343-353 K for 10 min. After washing in distilled water for 10 min, the samples are etched in a chromic acid solution at 343-348 K for 5-10 min, and they are swelled in an alkaline solution of monoethanolamine at 348 K for 10 min. After washing in distilled water and processing in a 2% solution of sodium alkali for 5-15 s, the films are treated in a sulfuric acid solution of hydrogen peroxide at 348-353 K for 1 min. After the final washing with water, the samples are dried at 373 K for one hour.
После сенсибилизации в солянокислом растворе SnCl2 и активации в солянокислом растворе PdCl2 в течение 4 мин осаждают слой никеля в растворе состава, г/л: NiCl2 ·6H2O 30-54 г/л NaH2PO2 18-70 г/л Na3C6H5O7 50-100 г/л
молочная кислота 0-30 г/л
Полученное покрытие никеля толщиной 1-2 мкм термообрабатывают при 373 и 473 К в течение часа при каждой температуре. После обработки никелевого слоя в 5%-ном растворе Cu(NO3)2 сенсилизации и активации в течение 4 мин осаждают покрытие меди толщиной 1-2 мкм из тартратно-трилонатного раствора состава, г/л: CuSO4 ·5H2O 5-15
Трилон Б-5-15 Калия, натрия тартрат 20-40 Na2CO3 ·10H2O 10-30 NaOH 10-20 CH2O 20 мл/л 2,2-дипиридил 0,005
Химическое осаждение меди осуществляют при 302-307 К. Образцы высушивают при 373 К в течение часа, декапируют в кислом растворе 5%-ного персульфата аммония. Тонкопленочное медное покрытие наращивают до толщины 20-25 мкм в сернокислом электролите меднения состава, г/л: CuSO4 ·5H2O 90-100 H2SO4 100-150 NH4NO3 20-25
В таблице приведены составы растворов, использовавшихся для обработки никелевого покрытия перед осаждением меди из щелочного тартратно-трилонатного раствора и их влияния на адгезионную прочность покрытия никель-медь.After sensitization in a hydrochloric acid solution of SnCl 2 and activation in a hydrochloric acid solution of PdCl 2 for 4 min, a nickel layer is deposited in a solution of the composition, g / l: NiCl 2 · 6H 2 O 30-54 g / l NaH 2 PO 2 18-70 g / l Na 3 C 6 H 5 O 7 50-100 g / l
lactic acid 0-30 g / l
The resulting nickel coating with a thickness of 1-2 μm is heat treated at 373 and 473 K for an hour at each temperature. After treating the nickel layer in a 5% solution of Cu (NO 3 ) 2 sensitization and activation for 4 min, a copper coating of 1-2 μm thick is deposited from a tartrate-trilonate solution of the composition, g / l: CuSO 4 · 5H 2 O 5- fifteen
Trilon B-5-15 Potassium, sodium tartrate 20-40 Na 2 CO 3 · 10H 2 O 10-30 NaOH 10-20 CH 2 O 20 ml /
Chemical deposition of copper is carried out at 302-307 K. The samples are dried at 373 K for an hour, decapitated in an acidic solution of 5% ammonium persulfate. Thin-film copper coating is grown to a thickness of 20-25 μm in a sulfuric acid electrolyte of copper plating composition, g / l: CuSO 4 · 5H 2 O 90-100 H 2 SO 4 100-150 NH 4 NO 3 20-25
The table shows the compositions of the solutions used to process the nickel coating before the deposition of copper from an alkaline tartrate-trilonate solution and their effect on the adhesive strength of the nickel-copper coating.
Максимальная адгезия никель-медь покрытия составляет 190 кгс/см2.The maximum adhesion of the nickel-copper coating is 190 kgf / cm 2 .
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU4840948 RU2061096C1 (en) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | Process of metallizing of dielectrics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU4840948 RU2061096C1 (en) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | Process of metallizing of dielectrics |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2061096C1 true RU2061096C1 (en) | 1996-05-27 |
Family
ID=21521855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU4840948 RU2061096C1 (en) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | Process of metallizing of dielectrics |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2061096C1 (en) |
-
1990
- 1990-05-14 RU SU4840948 patent/RU2061096C1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. Свиридов В.В. Химическое осаждение металлов из водных растворов. Минск.: Из-во "Университетское", 1967, с.70-71. 2. Шалкаускас М. и др. Химическая металлизация пластмасс. Л.: Химия, с.72-74. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3969199A (en) | Coating aluminum with a strippable copper deposit | |
| US4976990A (en) | Process for metallizing non-conductive substrates | |
| US4358479A (en) | Treatment of copper and use thereof | |
| US6712948B1 (en) | Process for metallizing a plastic surface | |
| KR890004583B1 (en) | Process for treating metal surface | |
| CA1229266A (en) | Process for preparing a substrate for subsequent electroless deposition of a metal | |
| US5106473A (en) | Process for metallizing a through-hole board | |
| US4832799A (en) | Process for coating at least one surface of a polyimide sheet with copper | |
| JPS6321752B2 (en) | ||
| KR100541893B1 (en) | How to coat the substrate with metal | |
| US3982045A (en) | Method of manufacture of additive printed circuitboards using permanent resist mask | |
| SU893136A3 (en) | Catalytic varnish for making printed circuits | |
| US5322975A (en) | Universal carrier supported thin copper line | |
| EP1236760B1 (en) | Solvent swell for texturing resinous material and desmearing and removing resinous material | |
| KR20010086023A (en) | Process for metallizing a plastic surface | |
| US5328561A (en) | Microetchant for copper surfaces and processes for using same | |
| JPS636628B2 (en) | ||
| RU2061096C1 (en) | Process of metallizing of dielectrics | |
| US5770032A (en) | Metallizing process | |
| JP2009530502A (en) | Polyimide substrate and method for producing printed circuit board using the same | |
| US5213840A (en) | Method for improving adhesion to polymide surfaces | |
| US4457951A (en) | Etch solution and method | |
| US3983267A (en) | Treatment of the surfaces of polyphenylene oxide materials | |
| JPH03223468A (en) | Pretreatment for nonelectrolytic plating of polyimide | |
| US3864147A (en) | Method of improving the bonding capability of polymer surfaces for subsequently applied coatings, and products thereof |