RU197307U1 - Многослойное зеркало для монохроматизации жесткого рентгеновского излучения - Google Patents
Многослойное зеркало для монохроматизации жесткого рентгеновского излучения Download PDFInfo
- Publication number
- RU197307U1 RU197307U1 RU2019143304U RU2019143304U RU197307U1 RU 197307 U1 RU197307 U1 RU 197307U1 RU 2019143304 U RU2019143304 U RU 2019143304U RU 2019143304 U RU2019143304 U RU 2019143304U RU 197307 U1 RU197307 U1 RU 197307U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layers
- thickness
- less
- monochromatization
- ray radiation
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004846 x-ray emission Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к области синхротронной техники, а конкретно – к оптическим системам, используемым на станциях с поворотным магнитом установок синхротронного излучения, реализующих спектроскопию нерезонансной рентгеновской эмиссии. Техническим результатом, на получение которого направлена полезная модель, является расширение арсенала устройств для монохроматизации рентгеновского излучения. Технический результат достигается в устройстве, состоящем из окисленной кремниевой подложки с шероховатостью поверхности менее 1 нм и нанесенной на нее тонкопленочной периодической многослойной структуры из чередующихся слоев Mo толщиной dA и Si толщиной dB, с соотношением толщины слоев Гравным 0,383, толщиной dA+dB в диапазоне 2-5 нм и количеством пар слоев не менее 200, причем слои выполнены методом высокочастотного ионно-плазменного осаждения с использованием моноэнергетического ионного пучка, в связи с чем отличаются высоким качеством наносимых слоев с отклонением от заданного значения менее чем на 0,1 нм.
Description
Полезная модель относится к области синхротронной техники, а конкретно – к оптическим системам, используемым на станциях с поворотным магнитом установок синхротронного излучения, реализующих спектроскопию нерезонансной рентгеновской эмиссии.
Для реализации метода спектроскопии нерезонансной рентгеновской эмиссии с мили- и микросекундным разрешением требуется система монохроматизации синхротронного излучения, так называемого «белого» или «розового» пучка, сохраняющая не менее 20% от исходного потока фотонов во всем диапазоне энергий 5-17 кэВ. В частности это приводит к следующим ограничениям: узкий круг доступных для использования материалов:
–они не должны иметь линий поглощения и эмиссии в диапазоне 5-17 кэВ; латеральные размеры монохроматора и доступные углы поворота
–поскольку источник излучения не является физической точкой, то длина его проекции увеличивается экспоненциально с уменьшением угла падения излучения.
Наиболее оптимальным решением в данной ситуации являются многослойные покрытия на основе молибдена в сочетании с материалами низкой плотности, например Si.
Известна заявка на получение Европейского патента EP2722852 (опубликована 23.04.2014), в которой для монохроматизации применяются многослойные зеркала из чередующихся слоев А (Mo) и В (Si) толщиной dA и dB, соответственно, с соотношением толщины слоев ГdA/(dA+dB), равным 0,5 и 0,33, и толщиной периода в диапазоне 1 – 10 нм. В описании указано, что слои в зеркалах получали методом магнетронного напыления.
Техническим результатом, на получение которого направлена полезная модель, является расширение арсенала устройств для монохроматизации рентгеновского излучения.
Технический результат достигается в устройстве, состоящем из окисленной кремниевой подложки с шероховатостью поверхности менее 1 нм и нанесенной на нее тонкопленочной периодической многослойной структуры из чередующихся слоев Mo толщиной dA и Si толщиной dB, с соотношением толщины слоев ГdA/(dA+dB), равным 0,383, толщиной dA+dB в диапазоне 2-5 нм и количеством пар слоев не менее 200, причем слои выполнены методом высокочастотного ионно-плазменного осаждения с использованием моноэнергетического ионного пучка, в связи с чем отличаются высоким качеством наносимых слоев с отклонением от заданного значения менее чем на 0,1 нм.
Полезная модель реализуется в следующем устройстве. Подложка очищается по протоколу подготовки образцов к напылению в высоком вакууме: 1 этап – 15 мин в ультразвуковой ванне в смеси изопропилового спирта и ацетона; 2 этап – 1 мин в деионизованной или дистиллированой воде; 3 этап – продувка техническим азотом. Затем подложка закрепляется в камере высокого вакуума, которая откачивается до 2х10-5 Па. Методом высокочастотного ионно-плазменного осаждения с использованием моноэнергетического ионного пучка поочередно осаждаются равномерные тонкие слои Mo и Si на всей поверхности подложки. Использование данного метода позволяет получить равномерное многослойное покрытие с минимальными отклонениями по толщине на всей площади полированной поверхности подложки. Готовое устройство представляет собой монохроматор для применения в камерах низкого вакуума на экспериментальной стороне станций источников синхротронного излучения, состоящий из многослойной структуры [Mo,Si]200+с толщиной периода 2-5 нм и соотношением Гd(Mo)/d =0,383, нанесенной на кремниевую подложку. Это соотношение толщин дает ширину брэгговского пика 4±0.2% во всем обозначенном диапазоне энергий 5-17 кэВ, при этом отражение даже на самых малых энергиях диапазона остается больше 20% от полного пучка и растет с ростом энергии.
Таким образом, достигается технический результат полезной модели в виде расширение арсенала устройств для монохроматизации рентгеновского излучения.
Claims (1)
- Многослойное зеркало для монохроматизации жесткого рентгеновского излучения, состоящее из окисленной кремниевой подложки и нанесенной на нее тонкопленочной периодической структуры из чередующихся слоев Mo толщиной dA и Si толщиной dB, отличающееся тем, что кремниевая подложка выполнена с шероховатостью поверхности менее 1 нм, а соотношение толщин слоев ГdA/(dA+dB) в тонкопленочной периодической структуре выполнено равным 0,383, количество пар слоев составляет не менее 200, причем толщина dA+dB выполнена в диапазоне 2-5 нм, а слои выполнены методом высокочастотного ионно-плазменного осаждения с использованием моноэнергетического ионного пучка и с отклонением от заданного значения менее чем на 0,1 нм.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019143304U RU197307U1 (ru) | 2019-12-23 | 2019-12-23 | Многослойное зеркало для монохроматизации жесткого рентгеновского излучения |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019143304U RU197307U1 (ru) | 2019-12-23 | 2019-12-23 | Многослойное зеркало для монохроматизации жесткого рентгеновского излучения |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU197307U1 true RU197307U1 (ru) | 2020-04-21 |
Family
ID=70415728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019143304U RU197307U1 (ru) | 2019-12-23 | 2019-12-23 | Многослойное зеркало для монохроматизации жесткого рентгеновского излучения |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU197307U1 (ru) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2264995C2 (ru) * | 2001-08-16 | 2005-11-27 | Шотт Глас | Материал подложки для рентгенооптических компонентов |
| RU2282222C2 (ru) * | 2002-02-25 | 2006-08-20 | ФРАУНХОФЕР-ГЕЗЕЛЛЬШАФТ ЦУР ФЕРДЕРУНГ ДЕР АНГЕВАНДТЕН ФОРШУНГ э.ф. | Зеркало-монохроматор для жесткого ультрафиолетового излучения |
| RU2410732C2 (ru) * | 2004-12-23 | 2011-01-27 | Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф. | Термостабильное многослойное зеркало для крайнего ультрафиолетового спектрального диапазона |
| EP2722852A1 (en) * | 2012-10-19 | 2014-04-23 | Helmholtz-Zentrum Geesthacht Zentrum für Material- und Küstenforschung GmbH | Double-multilayer monochromator |
| US9335282B2 (en) * | 2012-04-02 | 2016-05-10 | Rigaku Corporation | X-ray topography apparatus |
-
2019
- 2019-12-23 RU RU2019143304U patent/RU197307U1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2264995C2 (ru) * | 2001-08-16 | 2005-11-27 | Шотт Глас | Материал подложки для рентгенооптических компонентов |
| RU2282222C2 (ru) * | 2002-02-25 | 2006-08-20 | ФРАУНХОФЕР-ГЕЗЕЛЛЬШАФТ ЦУР ФЕРДЕРУНГ ДЕР АНГЕВАНДТЕН ФОРШУНГ э.ф. | Зеркало-монохроматор для жесткого ультрафиолетового излучения |
| RU2410732C2 (ru) * | 2004-12-23 | 2011-01-27 | Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф. | Термостабильное многослойное зеркало для крайнего ультрафиолетового спектрального диапазона |
| US9335282B2 (en) * | 2012-04-02 | 2016-05-10 | Rigaku Corporation | X-ray topography apparatus |
| EP2722852A1 (en) * | 2012-10-19 | 2014-04-23 | Helmholtz-Zentrum Geesthacht Zentrum für Material- und Küstenforschung GmbH | Double-multilayer monochromator |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8817367B2 (en) | Plasma ion assisted deposition of Mo/Si multilayer EUV coatings | |
| US9733580B2 (en) | Method for producing a reflective optical element for EUV-lithography | |
| CN102046552B (zh) | 用于金属氟化物光学元件的粘性气密性氧化物膜 | |
| US8475635B2 (en) | Processes and device for the deposition of films on substrates | |
| Feigl et al. | EUV multilayer optics | |
| WO2010018876A1 (ja) | 光学薄膜蒸着装置及び光学薄膜の製造方法 | |
| WO2010031483A1 (en) | Reflective optical element and methods for producing it | |
| RU197307U1 (ru) | Многослойное зеркало для монохроматизации жесткого рентгеновского излучения | |
| Chkhalo et al. | Manufacturing of XEUV mirrors with a sub-nanometer surface shape accuracy | |
| Boris et al. | Plasma based production of AlF3-passivated aluminum mirrors for UVOIR astronomy | |
| JP4071714B2 (ja) | 多層系の製造方法 | |
| Jupé et al. | Manufacturing of quantized nanolaminates | |
| Sella et al. | Multilayer X-ray mirrors prepared by triode sputtering using a new method of film thickness monitoring | |
| Vainer et al. | Evolution of the roughness of amorphous quartz surfaces and Cr/Sc multilayer structures upon exposure to ion-beam etching | |
| Braun et al. | Reflectance and resolution of multilayer monochromators for photon energies from 400–6000 eV | |
| Jin et al. | Effect of rf bias (ion current density) on the hardness of amorphous silicon oxide films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition | |
| KR20220087517A (ko) | 극자외선 마스크 블랭크 결함 감소 방법들 | |
| Fujimoto et al. | Deposition of high-density carbon layer for beyond EUV lithography | |
| KR102617884B1 (ko) | 리소그래피 마스크용 반사층의 제조 방법 | |
| KR20140102345A (ko) | 폴리카보네이트 소재의 표면 경도 및 내마모성 향상을 위한 알루미늄-실리콘-질화막 증착방법 및 그 장치 | |
| JP2013185158A (ja) | 成膜方法 | |
| Randel et al. | Effects of Annealing on Residual Stress in Titania Germania Mixtures Deposited by Ion Beam Sputtering | |
| Susini et al. | Semitransparent multilayer mirrors in the soft X-ray range | |
| Jin et al. | Effect of bipolar pulsed dc bias on the mechanical properties of silicon oxide thin film by plasma enhanced chemical vapor deposition | |
| Rigato et al. | Novel methods of synthesis of a‐Si (H)/Mo multilayers for Extreme UV applications |