RU195827U1 - Перестраиваемый светодиод на основе перовскита с модификацией интерфейса - Google Patents
Перестраиваемый светодиод на основе перовскита с модификацией интерфейса Download PDFInfo
- Publication number
- RU195827U1 RU195827U1 RU2019135258U RU2019135258U RU195827U1 RU 195827 U1 RU195827 U1 RU 195827U1 RU 2019135258 U RU2019135258 U RU 2019135258U RU 2019135258 U RU2019135258 U RU 2019135258U RU 195827 U1 RU195827 U1 RU 195827U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- perovskite
- layer
- led
- transport layer
- light
- Prior art date
Links
- 238000012986 modification Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 title claims abstract description 8
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 150000001450 anions Chemical group 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFQQTCRLKXAANA-UHFFFAOYSA-N FI(F)(F)(F)(F)C1=CC=CC=C1 Chemical compound FI(F)(F)(F)(F)C1=CC=CC=C1 YFQQTCRLKXAANA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 description 1
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O Methylammonium ion Chemical compound [NH3+]C BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920001167 Poly(triaryl amine) Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 iodine (I) halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к физике и технологии полупроводниковых приборов, а именно к светоизлучающим устройствам и солнечным элементам на основе перовскита, и модель может быть использована для создания солнечных элементов, светоизлучающих диодов и светоизлучающих солнечных элементов, используемых в энергетике, промышленности и других областях. Перестраиваемый светодиод на основе перовскита с модификацией интерфейса состоит из анода, дырочного транспортного слоя, слоя перовскита с гетерогалогенидом и органическим катионом, электронного транспортного слоя, электронно инженкционного слоя и катода. Техническим результатом является упрощение структуры устройства перестраиваемого светодиода, а также возможность работы данного устройства в двух режимах - светодиода и солнечного элемента за счет использования более простого материала перовскита с гетерогалогенидом и органическим катионом. 2 ил.
Description
Полезная модель относится к физике и технологии полупроводниковых приборов, а именно к светоизлучающим устройствам и солнечным элементам на основе перовскита и модель может быть использована для создания солнечных элементов, светоизлучающих диодов и светоизлучающих солнечных элементов, используемых в энергетике, промышленности и других областях.
Известно устройство «Перовскитный светодиод и метод его изготовления» (Заявка WO №2019075856 А1, МПК H01L 51/0035; H01L 51/0077; H01L 51/5012; H01L 51/5016; H01L 51/56; дата приоритета 17.10.2017, дата публикации 25.04.2019), «Perovskite light-emitting diode and manufacturing method therefor». Конструкция данного устройства представляет из себя анод, дырочный транспортный слой, перовскитный фотоактивный слой с добавлением полимера, электронный транспортный слой и катод. Все эти слои последовательно наносят на стеклянную подложку. В данной работе дефекты пленки перовскита, вызывающие закоротки нейтрализуются заполнением их полимерными материалами, такими как полиэтиленоксид (РЕО) и полиимид (PIP). Однако данные полимеры являются диэлектриками, что приводит к уменьшению тока через устройство.
Известно устройство «Органический светодиод и метод его изготовления методом раствора, управляемых низким напряжением в p-i-n структуре» (Заявка CN №109585698 А, МПК H01L 51/0035; H01L 51/004; H01L 51/506; H01L 51/5076; H01L 51/56; дата приоритета 12.11.2018, дата публикации 05.04.2019), «Method for preparing low-voltage driving organic light-emitting diode in p-i-n structure by solution method». Конструкция данного устройства представляет из себя оксид индия-олова, дырочный транспортный слой, фотоактивный слой, электронный транспортный слой, электронный буферный слой и катод. Все эти слои последовательно наносятся на стеклянную подложку. В данной работе используется p-i-n структура. Ее получают в результате добавления в дырочный транспортный слой композитный материал PTAA:AgNWs, а в электронный транспортный слой добавляют квантовые точки PEI:SnS2. Подготовка и нанесение данных слоев усложняет процесс производства устройств.
Известно устройство «Органо-неорганический перовскитный светодиод и метод его изготовления» (Заявка CN №109411614 А, МПК B82Y 10/00; B82Y 30/00; H01L 51/0077; H01L 51/5024; H01L 51/56; дата приоритета 26.10.2018, дата публикации 01.03.2019), «Organic-inorganic composite perovskite light-emitting diode device and fabrication method thereof». Конструкция данного устройства представляет из себя анод, дырочный инжекционный слой, дырочный транспортный слой, перовскитный фотоактивный слой со смешанным катионом, электронный транспортный слой, слой фторида лития (LiF), и слой алюминия. Все эти слои последовательно наносятся на стеклянную подложку. В данной работе используется перовскиты с двойным катионом - метиаммониевым (МА) и фармамидиниевым (FA). Состав используемого перовскита FAxMA1-xPbBr3. Варьируя количество МА и FA можно управлять шириной запрещенной зоны. Однако в данном устройстве невозможно управлять инжекцией электронов в фотоактивный слой после изготовления устройства и разница между крайними значениями ширины запрещенной зоны около 0.04 эВ, что является достаточно малой величиной.
Известно устройство «Перовскитный светодиод с модификацией интерфейса и метод его изготовления» (Заявка CN №108336244 А, МПК H01L 51/5237; H01L 51/56; дата приоритета 05.02.2018, дата публикации 27.07.2018), принятое за прототип. Конструкция данного устройства представляет из себя анод, дырочный транспортный слой, перовскитный фотоактивный слой, слой пентафторфенила йода, который используется для модификации интерфейса, электронный транспортный слой, электронно-инжекционный слой и катод. Все эти слои последовательно наносят на стеклянную подложку. В данной работе используется особый слой - пентафторфенил йода (iPFB), который способен создавать диполи в слое перовскита. Однако увеличение эффективности таких устройств напрямую связаны с наличием данного слоя, что усложняет архитектуру устройства дополнительным слоем.
Техническим результатом заявляемой полезной модели является упрощение структуры устройства перестраиваемого светодиода, а также возможность работы данного устройства в двух режимах - светодиода и солнечного элемента за счет использования более простого материала перовскита с гетерогалогенидом и органическим катионом.
Сущность полезной модели заключается в том, что перестраиваемый светодиод на основе перовскита с модификацией интерфейса состоит из анода, дырочного транспортного слоя, слоя перовскита с гетерогалогенидом и органическим катионом, электронного транспортного слоя, электронно инженкционного слоя и катода.
В данной полезной модели используется архитектура устройства со слоем из перовскита, катион которого состоит из комбинации ионов и органических молекул, обладающих дипольным моментом. Перовскит обладает формулой АВХ3, где катион А - метиламмоний (МА), формамединиум (FA), цезий (Cs) катион В - свинец (Рb) или олово (Sn), X - анион, состоящий из комбинации галогенидов йода (I), брома (Вг), хлора (О). Перовскит может обладать гетероанионом, в этом случае перовскит будет содержать комбинацию различных катионов (МА, FA, Cs) и галогенидов (I, Br, О). Органические молекулы FA и МА обладают дипольным моментом 0,21 и 2,23 Дебая соответственно. Поскольку ионы перовскита могут двигаться по кристаллической решетке перовскита под действием внешнего облучения или под действием приложенного электрического поля, то возможно их накопление на интерфейсе слоя перовскита и смежными слоями. В результате в слое перовскита образуется слой, состоящий из молекул перовскита, обладающих дипольным моментом. Наличие слоя диполей на интерфейсе перовскита с смежными слоями приводит к модификации свойств самого интерфейса перовскита.
Слой перовскита с гетерогалогенидом и органическим катионом обладает ионной проводимостью катионов и анионов. Ионная проводимость более выражена в перовскитах с гетерогалогенидом, чем с моногалогенидом. В моногалогенидных перовскитах существенна только миграция анионов. Наличие ионной проводимости у молекул и ионов катионов (МА+, FA+) и анионов (I-, Br-, Cl-) перовскита позволяет им двигаться по кристаллической решетке под действием внешнего облучения или приложенного электрического поля. В перовскитном слое с гетерогалогенидом и органическим катионом ионы и молекулы перовскита двигаются к интерфейсам перовскита со смежными слоями. В результате их накопления на интерфейсах перовскита образуются обогащенные этими ионами и/или молекулами области. Поскольку в данном слое все электрические диполи молекул будут сонаправлены, это приведет к возникновению встроенного электрического поля на границе раздела перовскита и других слоев.
Благодаря этой модификации границы слоя улучшаются условия для инжекции зарядов внутрь слоя перовскита, а именно понижается потенциальный барьер.
Сущность заявляемой полезной модели поясняется чертежом, где на фиг. 1 представлена структура устройства, способного работать как солнечный элемент и как светодиод за счет перестроения зонной структуры, который содержит прозрачную подложку с прозрачным анодом, например оксид индия-олова (ITO) 1, над которым последовательно расположены дырочный транспортный слой 2 с проводимостью р-типа, например PEDOT:PSS, слой перовскита с гетерогалогенидом и органическим катионом 3, электронный транспортный слой 4 с проводимостью n-типа, например С60, дырочный блокирующий слой или электронно инжекционный слой, например LiF 5, катод, например серебро 6, а также два электрода 7 и 8.
На фиг. 2 показано перестроение зонной структуры и образование дипольного слоя 9 на интерфейсе слоя перовскита с гетерогалогенидом и органическим катионом 3 и электронного траспортного слоя 4 при миграции органических катионов к этому интерфейсу. Это перестроение происходит при выдерживании устройства под напряжением. На данном рисунке показана зонная структура до (слева) и после (справа) приложенного напряжения.
Данная полезная модель может быть реализована в перестраиваемых светодиодах. За основу берется архитектура солнечного элемента на основе перовскита со смешанным анионом и органическим катионом. Выдерживание устройства под напряжением приводит к образованию дипольного слоя на интерфейсе. Диполи создают дополнительное тянущее поле, которое улучшает инжекцию носителей заряда в перовскитный слой с гетерогалогенидом и органическим катионом, понижая потенциальный барьер на границе слоев. Это делает возможным работу устройства в качестве светодиода. То есть устройство с архитектурой солнечного элемента на основе перовскита за счет перестроения зонной структуры начинает работать как светодиод за счет собственных свойств перовскита и приложенного напряжения. Это дает возможность быть независимым от использования определенных транспортных слоев для модификации интерфейса.
Таким образом, слой перовскита с гетерогалогенидом и органическим катионом наиболее перспективным для устройств, способных работать в двух режимах - как солнечный элемент и как светодиод без дополнительных слоев, а также позволяет упростить архитектуру светодиода с модификацией интерфейса.
Claims (1)
- Перестраиваемый светодиод на основе перовскита с модификацией интерфейса, состоящий из анода, дырочного транспортного слоя, слоя перовскита, электронного транспортного слоя, электронно инженкционного слоя и катода, отличающийся тем, что используют слой перовскита с гетерогалогенидом и органическим катионом.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019135258U RU195827U1 (ru) | 2019-11-01 | 2019-11-01 | Перестраиваемый светодиод на основе перовскита с модификацией интерфейса |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019135258U RU195827U1 (ru) | 2019-11-01 | 2019-11-01 | Перестраиваемый светодиод на основе перовскита с модификацией интерфейса |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU195827U1 true RU195827U1 (ru) | 2020-02-06 |
Family
ID=69416372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019135258U RU195827U1 (ru) | 2019-11-01 | 2019-11-01 | Перестраиваемый светодиод на основе перовскита с модификацией интерфейса |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU195827U1 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU202307U1 (ru) * | 2020-10-21 | 2021-02-11 | Виктор Юрьевич Тимошенко | Фотоэлектрический преобразователь |
| RU203663U1 (ru) * | 2020-10-16 | 2021-04-15 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО) | Полупроводниковое устройство на основе запассивированного органо-неорганического перовскита |
| RU215868U1 (ru) * | 2022-10-19 | 2022-12-30 | Виктор Юрьевич Тимошенко | Светоизлучающее устройство |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2552597C1 (ru) * | 2014-03-24 | 2015-06-10 | Мсд Текнолоджис Частная Компания С Ограниченной Ответственностью | Гибкий солнечный элемент |
| RU2590284C1 (ru) * | 2015-04-10 | 2016-07-10 | Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе", ООО "НТЦ ТПТ" | Солнечный элемент |
| CN108336244A (zh) * | 2018-02-05 | 2018-07-27 | 南京邮电大学 | 一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管及其制备方法 |
| RU2668944C1 (ru) * | 2017-12-08 | 2018-10-05 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) (СКГМИ (ГТУ) | Способ изготовления преобразователя солнечной энергии в электрическую на основе перовскитов |
| RU188622U1 (ru) * | 2018-12-20 | 2019-04-18 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Светоизлучающий солнечный элемент |
-
2019
- 2019-11-01 RU RU2019135258U patent/RU195827U1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2552597C1 (ru) * | 2014-03-24 | 2015-06-10 | Мсд Текнолоджис Частная Компания С Ограниченной Ответственностью | Гибкий солнечный элемент |
| RU2590284C1 (ru) * | 2015-04-10 | 2016-07-10 | Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе", ООО "НТЦ ТПТ" | Солнечный элемент |
| RU2668944C1 (ru) * | 2017-12-08 | 2018-10-05 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) (СКГМИ (ГТУ) | Способ изготовления преобразователя солнечной энергии в электрическую на основе перовскитов |
| CN108336244A (zh) * | 2018-02-05 | 2018-07-27 | 南京邮电大学 | 一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管及其制备方法 |
| RU188622U1 (ru) * | 2018-12-20 | 2019-04-18 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Светоизлучающий солнечный элемент |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU203663U1 (ru) * | 2020-10-16 | 2021-04-15 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО) | Полупроводниковое устройство на основе запассивированного органо-неорганического перовскита |
| RU202307U1 (ru) * | 2020-10-21 | 2021-02-11 | Виктор Юрьевич Тимошенко | Фотоэлектрический преобразователь |
| RU2788942C2 (ru) * | 2021-02-26 | 2023-01-26 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ИПХФ РАН) | Фотовольтаическое устройство с перовскитным фотоактивным слоем и неорганическим пассивирующим покрытием на основе галогенидов металлов и способ изготовления этого устройства |
| RU2797895C1 (ru) * | 2022-10-03 | 2023-06-09 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Способ получения электродных покрытий для оптоэлектронных устройств на основе галогенидных перовскитов |
| RU2806886C1 (ru) * | 2022-10-03 | 2023-11-08 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Способ инкапсуляции фотоприемников на основе галогенидных перовскитов |
| RU215868U1 (ru) * | 2022-10-19 | 2022-12-30 | Виктор Юрьевич Тимошенко | Светоизлучающее устройство |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102349719B1 (ko) | 전계 발광 소자 | |
| US10957868B2 (en) | Electron injection based vertical light emitting transistors and methods of making | |
| CN106784392B (zh) | 一种复合量子点发光二极管器件及其制备方法 | |
| KR102342350B1 (ko) | 발광 소자 효율을 효과적으로 향상시키는 페로브스카이트 필름층, 소자 및 제조방법 | |
| CN105449112B (zh) | 量子点电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置 | |
| CN109148704B (zh) | 量子点电致发光器件及其制备方法 | |
| US12027640B2 (en) | Solar cell element and method for manufacturing solar cell element | |
| US20240206197A1 (en) | Perovskite solar cell and tandem solar cell comprising same | |
| DE102012204327A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements | |
| CN107958961A (zh) | 串联量子点发光器件、面板即显示器 | |
| RU195827U1 (ru) | Перестраиваемый светодиод на основе перовскита с модификацией интерфейса | |
| US11205735B2 (en) | Low temperature p-i-n hybrid mesoporous optoelectronic device | |
| WO2023098926A2 (zh) | 双极性分子稳定的钙钛矿材料及光电器件 | |
| US9972744B2 (en) | Light emitting diode and display device including the same | |
| US20210217982A1 (en) | Display panel and display panel manufacturing method | |
| WO2013171031A1 (de) | Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements | |
| CN109390477B (zh) | 一种多通道空穴传输层、电学器件与qled器件 | |
| JPWO2010126162A1 (ja) | 太陽電池および光電変換素子 | |
| RU188622U1 (ru) | Светоизлучающий солнечный элемент | |
| Forozi-Sowmeeh et al. | Studying the role of ion migration on perovskite light-emitting diodes by steady-state approach | |
| KR102212912B1 (ko) | 에피택시 성장층을 포함하는 광전 디바이스 및 이의 제조방법 | |
| JP7316385B2 (ja) | 発光素子、発光デバイス | |
| DE102015102371B4 (de) | Organisches Licht emittierendes Bauelement | |
| DE102014112130B4 (de) | Organisches Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht emittierenden Bauelements | |
| Alahbakhshi et al. | Bright perovskite light-emitting electrochemical cell utilizing CNT sheets as a tunable charge injector |