RU1256608C - Method of obtaining epitaxial layers of cadmium sulfide out of gas phase - Google Patents
Method of obtaining epitaxial layers of cadmium sulfide out of gas phase Download PDFInfo
- Publication number
- RU1256608C RU1256608C SU3827634A RU1256608C RU 1256608 C RU1256608 C RU 1256608C SU 3827634 A SU3827634 A SU 3827634A RU 1256608 C RU1256608 C RU 1256608C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- epitaxial layers
- cadmium sulfide
- cadmium
- gas phase
- substrates
- Prior art date
Links
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 title claims description 12
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для получения эпитаксиальных слоев сульфида кадмия из газовой фазы. The invention relates to the technology of semiconductor devices and can be used to obtain epitaxial layers of cadmium sulfide from the gas phase.
Цель изобретения повышение качества эпитаксиальных слоев сульфида кадмия за счет обеспечения постоянства их стехиометрии по толщине. The purpose of the invention is to improve the quality of the epitaxial layers of cadmium sulfide by ensuring the constancy of their stoichiometry in thickness.
П р и м е р. Монокристаллические кремневые подложки помещают в зону роста реакционной камеры, которую откачивают до давления 10-1-10-2 мм рт.ст. затем напускают в камеру водород и снова откачивают до такого же давления. На первом этапе получения слоев включают печи зон испарения и роста с тем, чтобы обеспечить температуру зон 600 и 200оС соответственно. Компоненты сульфида кадмия из-за большой разницы давления паров испаряются из зоны испарения при разных температурах в соответствии с температурным профилем на поверхности камеры. В высокотемпературной области охлаждается кадмий, а в низкотемпературной сера.PRI me R. Monocrystalline silicon substrates are placed in the growth zone of the reaction chamber, which is pumped to a pressure of 10 -1 -10 -2 mm RT.article then hydrogen is introduced into the chamber and again pumped to the same pressure. In the first stage receiving layers include evaporation with the furnace zone and growth, to ensure that the temperature zones 600 and 200 C, respectively. Due to the large difference in vapor pressure, the components of cadmium sulfide evaporate from the evaporation zone at different temperatures in accordance with the temperature profile on the surface of the chamber. Cadmium is cooled in the high-temperature region, and sulfur in the low-temperature region.
На втором этапе получения слоев повышает температуру зоны испарения до 800оС, а зону роста с подложками до 400оС, сохраняя первоначальный профиль и градиент температуры между зонами в направлении потока паров 40оС/см, и одновременно напускают в камеру водород до давления 80 мм рт.ст. При этом на подложках с помощью дополнительной печи устанавливают температуру 650оС, которая и обеспечивает осаждение эпитаксиального слоя.In the second stage receiving layers increases the evaporation zone temperature to 800 C and the growth zone to the substrates to 400 ° C, while maintaining the original profile, and temperature gradient between the zones in the vapor flow direction of 40 o C / cm, and at the same time let in the chamber with hydrogen to a pressure 80 mmHg Thus on substrates using additional furnace set temperature of 650 C, which provides for deposition of an epitaxial layer.
Указанный режим позволяет поддерживать стехиометрический состав газовой фазы у подложек, пока не сформируется слой определенной толщины. Далее рост происходит в равновесных условиях и лимитируется химическими реакциями на поверхности растущего слоя сульфида кадмия. This mode allows you to maintain the stoichiometric composition of the gas phase of the substrates until a layer of a certain thickness is formed. Further, growth occurs under equilibrium conditions and is limited by chemical reactions on the surface of the growing cadmium sulfide layer.
Температура кристаллизации слоев сульфида кадмия и давление водорода в зоне роста являются взаимосвязанными параметрами, которые подбирают экспериментально. Так, при температурах кристаллизации 660 и 675оС давление водорода должно составлять 90 и 100 мм рт.ст. соответственно.The crystallization temperature of cadmium sulfide layers and hydrogen pressure in the growth zone are interrelated parameters that are selected experimentally. Thus, at crystallization temperatures of 660 and 675 ° C the hydrogen pressure should be 90 and 100 mm Hg respectively.
Особенностью предлагаемого способа является то, что перенос в зону роста паров кадмия и серы происходит совместно, обеспечивая тем самым стехиометрический состав растущего эпитаксиального слоя. Это достигается тем, что сначала происходит диссоциативное осаждение на поверхность камеры в соответствии с температурным профилем, а на втором этапе при повышении температуры этой поверхности происходит испарение кадмия и серы и последующее ассоциативное осаждение сульфида кадмия на подложках в атмосфере водорода. A feature of the proposed method is that the transfer to the growth zone of cadmium and sulfur vapor occurs together, thereby ensuring the stoichiometric composition of the growing epitaxial layer. This is achieved by the fact that, first, dissociative deposition on the chamber surface occurs in accordance with the temperature profile, and in the second stage, when the surface temperature increases, cadmium and sulfur evaporate and then associatively precipitate cadmium sulfide on substrates in a hydrogen atmosphere.
Предлагаемый способ выращивания гетероэпитаксиальных слоев сульфида кадмия позволяет выращивать слои с повышенным совершенством кристаллической структуры и повышенной стехиометрией по толщине. The proposed method for growing heteroepitaxial layers of cadmium sulfide allows you to grow layers with increased perfection of the crystal structure and increased stoichiometry in thickness.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU3827634 RU1256608C (en) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | Method of obtaining epitaxial layers of cadmium sulfide out of gas phase |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU3827634 RU1256608C (en) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | Method of obtaining epitaxial layers of cadmium sulfide out of gas phase |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU1256608C true RU1256608C (en) | 1995-11-20 |
Family
ID=30440188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU3827634 RU1256608C (en) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | Method of obtaining epitaxial layers of cadmium sulfide out of gas phase |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU1256608C (en) |
-
1984
- 1984-12-18 RU SU3827634 patent/RU1256608C/en active
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Авторское свидетельство СССР N 766417, кл. H 01L 21/205, 1980. * |
| Гасанов Н.Г. Исследование роста, совершенства структуры и некоторых электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев селенида кадмия: Кандидатская диссертация, Махачкала, 1974. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3956032A (en) | Process for fabricating SiC semiconductor devices | |
| US3963538A (en) | Two stage heteroepitaxial deposition process for GaP/Si | |
| US4147584A (en) | Method for providing low cost wafers for use as substrates for integrated circuits | |
| US3963539A (en) | Two stage heteroepitaxial deposition process for GaAsP/Si LED's | |
| KR960002873A (en) | Thin film transistor and method of manufacturing the same | |
| JPH0198242A (en) | Method for forming single crystal magnesia spinel film | |
| RU98120936A (en) | SINGLE-CRYSTAL SIC AND METHOD FOR ITS PRODUCTION | |
| US3139361A (en) | Method of forming single crystal films on a material in fluid form | |
| Wajda et al. | Epitaxial growth of silicon | |
| JPS6255688B2 (en) | ||
| RU1256608C (en) | Method of obtaining epitaxial layers of cadmium sulfide out of gas phase | |
| US3397094A (en) | Method of changing the conductivity of vapor deposited gallium arsenide by the introduction of water into the vapor deposition atmosphere | |
| US4155784A (en) | Process for epitaxially growing a gallium arsenide layer having reduced silicon contaminants on a gallium arsenide substrate | |
| US4614672A (en) | Liquid phase epitaxy (LPE) of silicon carbide | |
| JP3657036B2 (en) | Silicon carbide thin film and method for manufacturing silicon carbide thin film laminated substrate | |
| JPH0624900A (en) | Preparation of single crystal silicon carbide layer | |
| JPS6115150B2 (en) | ||
| Stein | The Kinetics of Epitaxial Growth of Silicon from the Trichlorosilane‐Hydrogen Reaction | |
| JP2002308698A (en) | METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL | |
| JPS582036A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS56162841A (en) | Forming method for insulating film of compound semiconductor | |
| SU1633032A1 (en) | Method of producing semiconductor hetero-structures | |
| JP2000034198A (en) | Silicon carbide single crystal and its production | |
| JPS623408Y2 (en) | ||
| JPH0585517B2 (en) |