KR900000913A - 광전자 메모리 장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제2실시예에 따른 광학 메모리 소자의 다이아그램.
제3도는 제2도에서 도시된 실시예에서 사용될 수 있는 광-FET의 설명도.
제4도는 판독 및 기록 빔을 사용하여, 제1 및 제2도에서 도시된 굉학 메모리 소자에 대한 주사 시스템의 블럭 다이아그램.
Claims (17)
- 광학 랜덤 억세스 메모리에 있어서, 광전자 기판에서 형성된 다수의 광학 메모리 소자, 상기 광전자 기판의 흡수대역내의 파장을 가지는 기록 빔을 상기 다수의 광학 메모리 소자에 선택적으로 인가하는 수단, 상기 광전자 기판의 흡수대역 외부의 파장을 가지는 판독 빔을 상기다수의 광학 메모리 소자에 선택적으로 인가하는 수단 및 판독 빔이 다수의 광학 메모리 소자로부터 후방으로 반사될 때 판독 빔의 위상 또는 극성 변화를 검출하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 광학 랜덤 억세스 메모리.
- 제1항에 있어서, 상기 다수의 광학 메모리 소자는 광전자 기판 위에 형성된 절연층 상기 절연층 위에 형성된 전극 및 상기 전극에 바이어스 전압을 인가하는 수단을 포함하는 광전기 캐패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 광학 랜덤 억세스 메모리.
- 제2항에 있어서, 상기 다수의 광학 메모리 소자는 상기 캐패시터에 병렬로 접속된 광-FET를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 광학 랜덤 억세스 메모리.
- 제1항에 있어서, 상기 다수의 광학 메모리 소자는, 상기 광전자 기판에 형셩된 제1 및 제2광-FET를 구비하는 상기 제1 및 2 광-FET는 플립플롭 회로를 형성하도록 접속되는 것을 특징으로 하는 광학 랜덤 억세스 메모리.
- 제4항에 있어서, 상기 기록 빔은 상기 제1 및 2 광-FET를 선택적으로 턴-온 시키고 상기 판독 빔은 제1광-FET를 검사하는 것을 특징으로 하는 광학 랜덤 억세스 메모리.
- 광전자 기판으로부터 형성된 다수의 광학 메모리 소자를 가지는 광학 랜덤 억세스 메모리의 동작 방법에 있어서, 광전자 기판의 흡수대역내에서 파장을 가지는 기록 빔으로써, 다수의 광학 메모리 소자를 선택적으로 주사하는 단계, 광전자 기판의 흡수대역 외부에서 파장을 가지는 판독 빔으로써, 다수의 광학 메모리 소자를 선택적으로 주사하는 단계 및, 판독 빔이 다수의 광전자 메모리 소자로부터 후방으로 반사될 때 상기 판독 빔의 위상 또는 극성의 변화를 검출하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광학 랜덤 억세스 메모리의 동작방법.
- 광전자 메모리 장치에 있어서, 광전자 기판에 형성된 광학 메모리 소자, 상기 광전자 기판의 흡수대역내의 파장을 가지는 기록 빔을 광학 메모리 소자에 인가하는 수단, 상기 광전자 기판의 흡수대역 외부의 파장을 가지는 판독 빔을 광학 메모리 소자에 인가하는 수단 및 상기 판독 빔이 광학 메모리 소자로부터 후방으로 반사될 때 상기 판독 빔의 위상 또는 극성 변화를 검출하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 광전자 메모리 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 광학 메모리 소자는, 상기 광전자 기판상에 형성된 절연층, 상기 절연층상에 형성된 전극 및 상기 전극에 바이어스 전압을 인가하는 수단을 포함하는 광전기 캐패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 광전자 메모리 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 광학 메모리 소자는 상기 캐패시터에 병렬로 접속된 광-FET를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 광전자 메모리 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 광학 메모리 소자는 상기 광전자 기판에서 형성된 제1 및 제2 광-FET를 구비하는데 제1 및 2 광-FET는 플립플롭 회로를 형성하도록 접속되는 것을 특징으로 하는 광전자 메모리 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 기록 빔은 제1 및 2 광-FET를 선택적으로 턴-온 시키고 상기 판독 빔은 상기 제1 광-FET를 검사하는 것을 특징으로 하는 광전자 메모리 장치.
- 광전자 기판으로부터 형성된 광학 메모리 소자를 가지는 광전자 메모리 장치의 동작방법에 있어서, 상기 광전자 기판의 흡수대역내의 파장을 가지는 기록 빔으로써 상기 광학 메모리 소자를 투광함으로써 상기 광학 메모리 소자에 기록하는 단계, 상기 광전자 기판의 흡수대역 외부의 파장을 가지는 판독 빔으로써 상기 광학 메모리 소자를 투광함으로써 상기 광학 메모리 소자를 판독하는 단계 및 상기 판독 빔이 상기 광학 메모리 소자로부터 후방으로 반사될 때 판독 빔의 위상 또는 극성의 변화를 검출하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전자 메모리 장치의 동작방법.
- 광전자 메모리 장치에 있어서, 광전자 기판에 형성된 다수의 광학 메모리 소자를 가지는 광학 메모리 어레이, 상기 광전자 기판의 흡수대역내의 파장을 가지는 다수의 기록 빔을 상기 광학 메모리 소자에 선택적으로 인가하는 수단 상기 광전자 기판의 흡수대역 외부의 파장을 가지는 다수의 판독 빔 상기 광학 메모리 소자에 선택적으로 인가하는 수단 및 판독 빔이 상기 광학 메모리 소자로부터 후방으로 반사될 때 상기 판독 빔의 위상 또는 극성의 변화를 검출하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 광전자 메모리 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 광학 메모리 소자는, 상기 광전자 기판상에 형셩된 절연층, 상기 절연층 위에 형성된 전극 및 상기 전극에 바이어스 전압을 인가하는 수단을 포함하는 광전기 캐패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 광전자 메모리 장치.
- 제14항에 있어서, 상기 광학 메모리 소자는 상기 캐패시터에 병렬로 접속된 광-FET를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 광전자 메모리 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 광학 메모리 소자는 상기 광전자 기판에 형성된 제1 및 2 광-FET를 구비하고 제1 및 2 광-FET는 플립플롭을 형성하도록 접속되는 것을 특징으로 하는 광전자 메모리 장치.
- 제16항에 있어서, 상기 기록 빔은 제1 및 2 광-FET를 선택적으로 턴-온시키며 판독 빔은 제1광-FET를 검사하는 것을 특징으로 하는 광전자 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Legal Events
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| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19890605 |
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