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KR900008794B1 - 방전 램프장치 - Google Patents

방전 램프장치 Download PDF

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KR900008794B1
KR900008794B1 KR1019870002932A KR870002932A KR900008794B1 KR 900008794 B1 KR900008794 B1 KR 900008794B1 KR 1019870002932 A KR1019870002932 A KR 1019870002932A KR 870002932 A KR870002932 A KR 870002932A KR 900008794 B1 KR900008794 B1 KR 900008794B1
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KR
South Korea
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cathode
tube
discharge lamp
discharge
semiconductor ceramic
Prior art date
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KR1019870002932A
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English (en)
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KR880002237A (ko
Inventor
쇼오이찌 이와야
히토시 마쓰무라
무네미쓰 하마다
Original Assignee
티 디 케이 가부시끼가이샤
사또우 히로시
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Priority claimed from JP10859186U external-priority patent/JPS6315552U/ja
Priority claimed from JP1986108590U external-priority patent/JPS6315551U/ja
Priority claimed from JP10859286U external-priority patent/JPS6315553U/ja
Priority claimed from JP10859386U external-priority patent/JPS6315554U/ja
Application filed by 티 디 케이 가부시끼가이샤, 사또우 히로시 filed Critical 티 디 케이 가부시끼가이샤
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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  • Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
  • Discharge Lamp (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

방전 램프장치
제1도는 본 발명의 한 실시예에 따른 방전램프장치의 부분 절단된 단면도.
제2도는 본 발명의 방전 램프장치에서 캐소드 시험을 위한 장치를 나타낸 간략도.
제3도는 캐소드 실험데이터를 나타낸 그래프.
제4도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 방전 램프장치의 부분 절단된 단면도.
제5도는 제4도에 나타낸 방전 램프장치내의 캐소드의 저면도.
제6도는 제5도에 나타낸 캐소드의 수정 예를 나타낸 부분확대 단면도.
제7도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 방전 램프장치의 부분 절단된 단면도.
제8도는 제7도에 나타낸 방전 램프장치내의 캐소드의 저면도.
제9도는 제8도에 나타낸 캐소드의 수정예를 나타낸 부분 확대 단면도.
제10도는 본 발명의 또다른 실시예에 의한 방전램프장치의 부분절단된 단면도.
제11도는 제10도에 나타낸 방전 램프장치내의 캐소드의 측면도.
제12도는 제11도에 나타낸 캐소드의 수정 예를 나타낸 부분 확대 단면도.
제13도는 본 발명의 또다른 실시예에 의한 방전 램프장치의 부분절단된 단면도.
제14도는 제13도에 나타낸 방전 램프장치내의 캐소드의 평면도.
제15도 및 제16도는 제13도에 나타낸 캐소드의 수정예에 따른 캐소드 단부의 부분 단면도.
제17도는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 방전 램프장치의 부분 절단된 단면도.
제18도는 제17도의 방전 램프장치내에 있는 캐소드의 측면도.
제19도 및 제20도는 제17도에 나타낸 캐소드의 변형 실시예에 따른 캐소드 단부를 채택한 방전 램프장치의 부분절단된 단면도.
제21도는 본 발명의 특성을 조사하기 위하여 반도체 세라믹 재료로된 전극을 가진 형광램프관의 구성도.
제22도는 제21도의 형광램프관과 종래 형광램프관 사이의 방전 개신전압의 비교그래프.
제23도는 본 발명의 표본을 사용한는 형광램프관과 종래의 형광램프관의 수명시험을 위한 조건표.
제24도는 제23도의 시험 조건하에서 시험 결과를 나타내는 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 11, 21, 41, 51 : 튜브 2, 12, 22, 42, 52 : 캐소드
2a, 12a, 22a, 42a, 52a : 방전표면
2b, 12b, 22b, 42b, 52b : 기부
3, 43 : 밀봉지역 4, 44 : 밀봉층
본 발명은 반도체 세라믹 재료로 만들어진 캐소드를 구비한 방전 램프장치에 관한 것이다.
종래에는 나트륨등과 같은 냉음극을 채용한 방전 램프장치가 알려져 있다. 이러한 방전 램프의 캐소드 또는 방전극은 그 표면이 전자방출재료로 코팅된 가열을 코일텅스텐 필라멘트를 가지며, 전자방출재료는 주로 바륨, 스트톤튬 및 칼슘으로 구성된 산화물로 되어 있다.
그러나, 이러한 종래의 캐소드는 전자방출재료가 증발되어 램프 튜브안에 채워진 수은증기와 반응하게 됨으로써 방전 램프장치의 열저항 특성과 화학적 저항특성 및 방전특성에 대한 소망의 요구 사항을 만족시키지 못하는 단점이 있다. 또다른 문제점으로써 텅스텐이 고가이므로 방전 램프장치의 가격이 비싸진다는 것이다.
전술한 바와 같은 종래의 방전 램프장치의 결점에 비추어 본 발명의 목적으로 하는 바는 방전 램프장치의 열저항특성, 화학적 저항특성 및 방전특성에 대한 소망의 필요조건을 충족시킬수 있는 방전 램프장치를 제공하고자 한 것이다.
본 발명에 또다른 목적은 값싸게 제작될 수 있는 방전 램프장치를 제공하는데 있다.
본 발명에 따르면, 튜브와 이 튜브안에 배치되고 원자가 보상 반도체 세라믹 재료 또는 강제환원된 반도체 세라믹 재료 또는 원자가 보상 및 강제환원된 반도체 세라믹 재료로 만들어진 캐소드를 포함하는 방전 램프장치가 제공된다.
캐소드가 전자방출 재료를 포함하지 않고 단지 반도체 세라믹 재료를 사용하기 때문에 캐소드에 의해 증기가 발생되지 않고 캐소드가 튜브내의 수은증기와 반응하지 않게 된다. 따라서 본 발명의 방전램프장치는 열저항 및 화학적 저항과 방전에 대한 개선된 특성을 갖는다. 또한 캐소드로서 사용된 반도체 세라믹 재료가 비싸지 않기 때문에 본 발명의 방전 램프장치는 가격이 저렴하게 된다.
본 발명의 상기 목적과 다른 목적, 특징 및 이점들은 본 발명의 양호한 실시예들을 예시할 목적으로 나타낸 첨부도면에 따른 이하의 상세한 설명으로부터 더욱 명백하게 될 것이다.
제1도는 본 발명의 일실시예에 따른 방전램프장치를 도시한 것이다. 방전 램프장치는 그 일단부(1a)를 통해 캐소드(2)가 연장되는 유리로 만든 튜브(1)를 갖는다. 캐소드(2)는 튜브(1)안에 위치한 원추형 방전표면(2a)과, 튜브의 일단부(1a)에서 지지되는 원통형 기부(2b)와, 이 튜브의 일단부(1a)에서 밖으로 돌출한 외측단부(2c)를 포함한다. 캐소드(2)는 밀봉지역(3)에서 기부(2b)와 튜브단부(1a)사이에 배치되고 유리로 만들어진 밀봉층(4)에 의하여 밀봉되어진다. 튜브(1)는 수은증기로 채워진다. 캐소드(2)는 반도체 세라믹재료로써 만들어진다.
반도체 세라믹 재료는 예를들어 원자가 보상 세라믹 재료로써 될 수 있다. 하나의 전형적인 원자가 보상 세라믹 재료로서는 티탄산염 바륨이 있다.
잘 알려진 바와같이, 원자가 보상은 산화금속의 구성금속 이온으로부터 ±1의 원자가 차이를 가진 금속이온을 불순물로써 첨가하고 이 불순물의 첨가에 기인한 전하의 증가 또는 감소를 구성 금속이온의 원자가수로써 보상하여 이루어진다.
반도체 재료를 만들기 위한 보상 첨가제로써 예를들면 이트륨(Y), 디스프로슘(Dy), 하프늄(Hf), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 사마튬(Sm), 가돌리늄(Gd), 홀루뮴(Ho), 엘븀(Er), 테르븀(Td), 안티몬(Sb), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 이테리븀(Yb), 스칸듐(Sc), 탄탈륨(Ta)등과 같은 것이다.
이와 같은 첨가물은 독자적으로 또는 조합하여 사용될수 있다. 첨가제는 0.01 내지 0.8몰% 범위의 양으로 첨가되어야 하며, 양호하게는 0.1 내지 0.5몰%의 양으로 된다.
캐소드(2)의 재료는 양호하게 티탄산염바륨, 티탄산염스트론튬, 티탄산염 칼슘 및 티탄산염 란탄과 같은 티탄산염중의 어느 하나 또는 이들의 조성으로 된다. 상기 티탄산염내의 타탄산은 지르콘산, 규산 및 주석산의 어느 하나 또는 그 이상의 것으로 대치될 수 있다.
본 발명의 반도체 세라믹 재료는 강제로 환원된 반도체 세라믹 재료이다. 더 상세하게는 상술한 바와 같은 환원과정을 채용하기 보다는 충분한 환원 조건하에서 상술한 첨가제를 사용하지 않고 캐소드로서 사용하기 위한 반도체 세라믹 재료를 만들 수 있게 된다.
이 경우에 환원조작은 N2또는 H2의 환원 대기안에서 양호하게 700℃ 또는 그 이상의 온도, 또는 더 양호하게 1200 내지 1450℃의 온도에서 수행된다.
캐소드는 원자가 보상조작 및 강제환원 조작을 아래와 같은 방식으로 조합하여 형성시킬수 있다.
(a) 캐소드 재료를 반도체로 만들기 위한 첨가제를 부가시켜 원자가 보상 반도체 세라믹 재료의 성형체를 만들어내고, (b) 이성형체를 환원을 위해 직접 하소시키거나 공기중에서 하소되는 것에 의해 소결되어진 세라믹 재료를 더 하소시켜 환원되게 한다.
반도체 세라믹 재료에 가해진 실힘을 이하 기술한다.
원자가 보상 반도체 세라믹 재료의 선단을 갈아서 60°의 원추형이 되게 하였다. 이렇게 하여 얻어진 반도체 세라믹 재료의 저항률은 9.9Ω㎝로 되었다.
반도체 세라믹 재료는 정상 상태에서 2시간 동안 1250℃의 온도와 20%의 밀도로 H2와 함께 H2+N2의 환원대기중에서 다시 하소된다.
대체로 동일한 결과가 다른 티탄산염에서도 얻어진다. 아래의 표는 방전 램프의 캐소드로서 사용하는 여러 가지 반도체 세라믹 재료들의 저항률을 나타내고 있다.
Figure kpo00001
실질적으로 티탄산염의 티탄산이 규산과 주석산중의 어느 하나 또는 그 모두와 대체되어진 재료에서도 같은 결과가 얻어졌다.
전자방출 능력을 검사하기 위해 표에 주어진 번호(1) 내지 (3)의 캐소드 재료를 자계강도에 대해 측정하였다. 알루미늄과 같이 비교적 낮은 일 함수를 가지는 다른 재료들을 비교를 위해 측정하였다. 그 측정결과를 제3도의 그래프로 나타내었다.
제3도를 참조하면, 그래프의 수직축은 폴리에틸렌 용기내의 방전전압 [KV]을 나타내고 수평축은 비교를 위한 구리, 알루미늄 및 철로된 캐소드와 본 발명의 재료(1) 내지 (3)으로된 캐소드를 포함한 캐소드의 표본을 나타낸다.
이 실험은 제2도에 나타낸 장치를 수행하였다. 도면에서, 폴리에틸렌용기(5)는 가로 15㎜, 세로 5㎜, 높이 10㎜의 크기를 갖고, 그 바닥은 수은을 바른층(6)으로 덮여져 있다. 표본 캐소드(2')는 용기 바닥상부에 위치되고 교류전원(7)이 표본 캐소드(2')와 수은층(6) 사이에 연결되어 있다.
캐소드(2')의 원추형 단부는 20μm의 곡률(R)을 가지며, 수은층(6)과 4㎜의 간격(D)을 가지고 떨어져 있다. 교류전원(7)은 처음에 10KV로 인가되어지나 1분 간격으로 1KV식 증가된다.
제3도에 나타난 결과에서 명백한 것처럼 본 발명의 캐소드는 비교되는 캐소드에 비해 낮은 전압에서 전하를 방출하는 것을 알 수 있다. 따라서 본 발명의 반도체 세라믹 재료들은 그 금속 재료들보다 좋은 방전 특성을 갖는다. 즉 제1도의 캐소드(2)는 안정한 방전특성을 가지고 저렴한 가격으로 제작될 수 있다.
제4도는 본 발명의 다른 실시예 따른 방전 램프장치를 나타낸 것이다. 이 방전 램프장치는 튜브(11)와, 반도체 세라믹 재료로 제조되어 튜브(11)내에 배치된 캐소드(12)와, 튜브의 단부(11a) 부근에서 튜브(11) 내의 캐소드(12)를 지지한느 한쌍의 리이드선(13a, 13b)으로 구성되어 있다.
제5도에 나타낸 바와 같이, 캐소드(12)는 원형의 횡단면을 갖는다. 캐소드(12)는 반원형 방전표면(12a)을 갖는 기부(12b)를 포함한 반원형으로 되어 있다. 기부(12b)의 반대편 단부는 리이드선(13a, 13b)에 접합되는 콘넥터(12c, 12d)의 역할을 한다. 리이드선(13a. 13b)은 튜브단부(11a)를 관통하여 연장되고 서로 간격을 갖고 떨어져 있다. 튜브단부(11a)를 통해 연장되는 리이드선 부분은 그 튜브단부(11a)에 의해 밀봉되어진다. 또한 튜브(11)내로 돌출되는 리이드선의 단부(13c, 13d)는 캐소드(12)의 콘넥터(12c, 12d) 주위를 몇번 감아서 캐소드(12)가 실제 튜브단부(11a)에 수직으로 놓여지게 되도록 캐소드(12)를 지지한다. 리이드선 (13a, 13b)은 또한 튜브(11)밖으로 연장되어진 후미단부(13e, 13f)를 갖는다. 이 후미 단부(13e, 13f)사이에 전원을 연결하여 캐소드(12)에 전류가 흐르게 한다.
제6도에 확대하여 도시한 바와 같이 도전성 필름(14)이 증기증착법 또는 스퍼터링 공법에 의해 콘넥터(12c)의 주면에 부착되어 진다. 도시하지는 않았지만 캐소드의 다른 콘넥터(12d) 역시 동일한 도전성 필름으로 씌어져 있게 된다. 이 도전성 필름(14)은 리이드선(13a, 13b)과 캐소드(12)사이의 접촉 저항을 감소시킨다.
제7도 및 8도는 본 발명의 또 다른 실시예를 나타내고 있다. 도면에서, 제4도에 나타낸 것과 동일한 기능을 가지는 부분은 동일한 참고번호로서 나타내었다. 제7도의 캐소드(12)는 기부(12b)의 양쪽단부에 콘넥터(12c, 12d)를 가지되 기부(12b)의 직경보다 작은 직경을 갖고, 또 리이드선(13a, 13b)의 단부(13c, 13d)가 콘넥터(12c, 12d)주위로 몇번 감겨져 캐소드(12)를 지지하고 있다는 점에서 제4도에 나타낸 캐소드와 다른 구성을 가지고 있다. 제7도의 방전 램프장치는 제4도의 방전 램프장치와 동일한 방식으로 작용한다. 리이드선(13a, 13b)이 더 작은 직경의 콘넥터(12c, 12d) 주위로 감겨지기 때문에 리이드선(13a, 13b)의 권취공정을 쉽게 할 수 있다. 제9도에 나타낸 바와 같이, 도전형 필름(14)이 콘넥터(12c) 의 주변에 코팅되어지고, 다른 콘넥터(12d) 역시 도전성 필름으로 코팅되어진다.
제10도 및 제11도는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 방전 램프장치를 나타낸다. 이 방전 램프장치는 튜브(21)와, 반도체 세라믹 재료로 제조되어 튜브(21)안에 배치된 캐소드(22)와, 튜브단부(21a) 부근에서 튜브(21)내의 캐소드(22)를 지지하는 한쌍의 리이드선(23a, 23b)를 가지고 있다.
제11도에 나타낸 것처럼, 캐소드(22)는 원형의 횡단면을 가진다. 캐소드(22)는 반원형 방전표면 (22a)을 갖는 기부(22b)를 포함한 반원형으로 되어 있다. 기부(22b)의 양쪽단부는 리이드선(23a, 23b)과 접속되는 콘넥터(22c, 22d)로서 작용한다. 콘넥터(22c, 22d)에는 기부(22b)의 직경보다 더 작은 직경을 갖는 리세스 부분이 형성되어 있으며 이는 기부(22b)의 양쪽 단부에서 약간 안쪽에 위치되어 있다.
리이드선(23a, 23b)은 튜브단부(21a)를 통해 연장되고 서로 간격을 가지고 있다. 튜브단부(21a)을 통해 연장되는 리이드선 부분은 튜브단부(21a)에서 밀봉되어진다. 튜브(21)내로 돌출되는 리이드선의 단부(23c, 23d)는 캐소드(22)의 콘넥터(22c, 22d)주위로 몇번 감겨져서 캐소드(22)가 튜브단부(21a)에 수직으로 놓이도록 캐소드(22)를 지지한다. 또한 튜브(21)밖으로 연장된 리이드선(23e, 23f)양단에 전원을 연결하여 캐소드(22)로 전원을 공급한다.
제12도에 나타낸 것과 같이, 도전성 필름(24)을 콘넥터(22c)의 주변위에 진공증착법으로 부착하고, 도시되지 않은 다른 콘넥터(22d) 역시 도전성 필름으로 코팅한다. 이 도전성 필름은 리이드선(23a, 23b)과 캐소드(22)사이의 접촉저항을 감소시킨다.
제13도 및 제14도에 나타낸 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 방전 램프장치는 예를 들어 유리로 만들어진 튜브(41)와, 반도체 세라믹 재료로 제조되는 튜브(41)안에 배치된 캐소드(42)와, 캐소드(42)의 외부주변을 밀봉식으로 고정시키거나 튜브(41)의 단부(41a)에 통증간 부분을 밀봉시키는 밀봉부(43)를 포함한다.
캐소드(42)는 그 일단부에 원형방전표면(42a)이 있는 원통형기부(42b)를 포함하고, 이 기부(42b)는 튜브단부(41a)를 통해 연장된다. 밀봉층(44)은 유리로 만들어지고, 튜브단부(41a)를 통해 연장되는 기부(42a)의 외부주변지역 위에 코팅 또는 베이킹에 의해 형성되어 진다. 밀봉부(43)는 튜브단부(41a)를 통해 연장되는 캐소드 부분에 밀봉식으로 밀봉층(44)을 인가함으로써 형성된다. 튜브(41)와 밀봉층(44)은 유리로 만들어져 밀봉처리를 쉽게 만들고 밀봉부(43)의 공기 밀폐도를 증가시킨다. 방전표면(42a)은 튜브단부(41a)와 평행으로 놓여진다. 캐소드(42)는 외부돌출단부(42c)를 가지며 이 위에 외부적속을 위해 은등으로 만든 전극(45)이 배치된다. 이 전극(45)에 도시하지 않은 전원을 연결함으로써 캐소드(42)에 전류가 흐르게 된다.
제15도에 나타낸 것과 같이, 리이드선(46)과 접속된 나사(47)가 제13도의 전극(45)을 사용하는 대신에 캐소드(42)의 외부돌출단부(42c)의 나사홈에 결합될수 있고, 나사를 통하여 캐소드에 전류를 공급할수 있다. 또한 제16도에 나타낸 바와같이 리이드선(46)에 접속된 캡(48)을 전극의 외부 돌출단부에 장착시켜 전류가 공급되게 할수도 있다.
제17도 및 제18도는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 방전 램프장치를 나타낸다. 이 방전 램프장치는 튜브(51)와, 반도체 세라믹 재료로 제조되어 튜브(51)안에 배치된 캐소드(52)와, 튜브단부(51a)의 부근에서 튜브내에 있는 캐소드(52)를 밀봉상태로 지지하는 밀봉지지부(53)로 구성되어 있다.
제18도에 나타낸 바와 같이, 캐소드(52)는 그 상부 대향모서리가 주교관 모양으로 되어 선형 방출표면(52a)으로 사용되어질 직각의 평행 6면체형상의 기부(52b)와, 이 기부(52b)의 하부중심 표면에서 밑으로 돌출된 원통형 돌출부(52c)로 구성되어 있다.
밀봉 지지부(53)는 튜브단부(51a)를 통해 연장되고 튜브단부(51a)에서 밀봉관계로 지지되는 리이드선(54)을 가지고 있다. 리이드선(54)은 튜브내에 배치된 내부단부(54a)을 가지며, 이 내부단부는 돌출부(52c) 주위로 감겨져서 캐소드의 방전변부(52a)가 튜브단부(51a)와 평행으로 놓여지도록 튜브(51)내에서 캐소드(52)를 지지하게 된다. 리이드선(54)의 반대쪽 단부(54b)는 튜브단부(51a)의 바깥으로 연장된다.
제19도는 제17도에 나타낸 캐소드의 변형예이다. 도면에서 제17도에 나타낸 것과 동일한 기능을 갖는 부품들은 서로 동일한 참고번호로 나타내었다. 제19도에서 튜브단부(51a)를 통해 안으로 돌출된 돌출부(52c)는 이 튜브단부(51a)에서 연장 돌출되는 외부단부(52d)를 가진다. 그 상부에서 리이드선(54)이 접속된 나사(55)가 돌출외부단부(52d)내의 나삿니를 따라 진입되어 결합되어 있다. 이 리이드선(54)은 도시되지 않은 전원에 연결되어 캐소드에 전류를 공급한다.
제20도에 나타낸 바와 같이 리이드선(54)과 캐소드(52)는 돌출부(52c)의 돌출단부(52d)위에 고정되는 캡(56)에 리이드선(54)의 상측단(54a)을 접속함으로써 상호 결합될 수 있다.
본 발명의 특성을 실제 형광램프관으로서 조사하기 위하여 제21도에 도시한 바와 같이 반도체 세라믹 재료로된 전극을 가진 형광램프관을 제조하고, 이들 형광램프관과 공지 구성의 종래 형광램프관(FL 15W)의 방전개시전압을 비교한다. 이 비교의 결과는 제2도에 도시하였다. 상기 언급한 방전개시 전압은 예열 전류가 흐르지 않는 동안 냉음극에 인가된 교류전압이 점차 증가할 때에 방전이 일어나는 전압이다.
제22도에서 알수 있는 바와 같이 본 발명의 표본은 종래 표본의 것보다 더 낮은 방전개시 전압을 갖는다.
그러나 실용에 있어서 본 발명 및 종래의 형광램프 예열전류 때문에 더 낮은 방전개시 전압을 갖는다. 실험에서는 본 발명 및 종래 표본의 다른 방전개시 전압을 명확히 나타내기 위하여 예열 전류를 보내지 아니하였다.
본 발명의 표본을 사용하는 형광램프관과 종래의 형광램프관의 수명시험을 또한 제23도에 도시한 조건하에서 시행하였다. 수명시험의 결과는 제24도에 나타내었다. 시험에서 본 발명의 형광램프관은 10만회 사용에서 손상이 없었지만 종래의 형광램프관은 평균 6만 3천회의 사용에서 손상이 발생하였다. 이 시험은 본 발명의 형광램프관이 종래의 형광램프관에 비하여 두배이상의 성능을 가졌음을 의미한다. 시행한 수명시간이 JIS 수명시험(점등 2.5분, 소등 0.5분과 다르기 때문에 그 결과는 공지의 수명시험 결과와 비교하지 아니한다. 그러나 실질적으로 현재의 수명시험 결과와 동일한 결과가 JIS에 따른 수명시험에 의하여 얻어지는 것으로 예측할 수 있다.
시험의 결과로부터 본 발명에 따라 방전극으로 사용하는 반도체 세라믹 재료는 종래의 전자 방출재료로 코팅된 텅스텐 필라멘트의 방전극보다 더 좋은 내구성과 방전특성을 가짐을 알 수 있다.
비록 본 발명에 따른 여러 가지 실시예가 도시되고 설명되었지만 첨부된 청구범위의 범위를 벗어나지 않는 많은 수정과 변경이 그 안에서 이루어질 수 있음을 알아야 한다.

Claims (15)

  1. 튜브와, 이 튜브안에 배치되고 원자가 보상 반도체 세라믹 강제로 환원된 반도체 세라믹 재료나 또는 원자가 보상 및 강제 환원반도체 세라믹 재료로 만들어진 캐소드로 구성된 것을 특징으로 하는 방전 램프장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 세라믹 재료가 티타늄, 바륨, 스트론튬, 칼슘, 란탄, 지르코늄, 주석의 산화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 주성분을 포함한 것을 특징으로 하는 방전 램프 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 원자가 보상 반도체 세라믹 재료가 Y, Dy, Hf, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Ho, Er, Tb, Sb, Nb, W, Yb, Sc 및 Ta로 구성되는 그룹으로부터 선택된 원자가 보상첨가제를 포함한 것을 특징으로 하는 방전 램프장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 캐소드가 반원형의 방전표면을 가지며, 상기 캐소드를 지지하면서 상기 튜브의 단부를 통해 연장되는 리이드선을 포함한 것을 특징으로 하는 방전 램프장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 캐소드가 반원형의 방전 표면과 그 양단에 콘넥터를 갖는 기부를 포함하고, 상기 튜브단부를 통해 연장되며 상기 콘넥터를 지지하는 리이드 선을 포함한 것을 특징으로 하는 방전 램프 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 각 콘넥터의 표면에 도전성 필름이 부착된 것을 특징으로 하는 방전 램프장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 캐소드가 선형 방전표면을 가지며, 상기 튜브가 밀봉 지지부를 구비하여 상기 캐소드를 지지한 것을 특징으로 하는 방전 램프장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 밀봉 지지부가 상기 튜브의 단부를 관통하여 연장되고 밀봉식으로 고정되는 리이드선을 포함하고, 이 리이드선이 상기 방전 표면으로부터 떨어져서 캐소드에 배치된 돌출부 주위를 감게 되는 단부를 갖는 것을 특징으로 하는 방전 램프장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 밀봉 지지부가 상기 방전표면으로부터 떨어져서 상기 캐소드에 배치되고 상기 튜브 단부에 밀봉식으로 고정된 돌출부를 포함한 것을 특징으로 하는 방전 램프장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 밀봉 지지부가 상기 캐소드에 배치되고, 상기 튜브로부터 돌출되는 단부를 가진 돌출부와, 상기 돌출부의 돌출단부에 연결되는 리이드선으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방전 램프장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 캐소드가 반원형의 방전표면과 그 양단에 각각 형성된 리세스를 구비하며, 또한 이 리세스에 결합되고 상기 튜브에서 캐소드를 지지하는 리이드선을 구비한 것을 특징으로 하는 방전 램프장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 캐소드의 리세스에 도전성 필름이 부착된 것을 특징으로 하는 방전 램프장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 캐소드가 일단부에 방전표면을 갖는 원통형 부재로 이루어지고, 이 원통형 부재가 상기 튜브 단부를 통하여 연장되며 밀봉식으로 고정된 대향 단부를 포함한 것을 특징으로 하는 방전 램프장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 튜브가 유리로 만들어지고, 또한 상기 원통형 부재 주위에 배치되어 상기 튜브에 밀봉상태로 부착된 유리층을 포함한 것을 특징으로 하는 방전 램프장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 캐소드가 외부에 연결을 위하여 상기 튜브의 바깥쪽에 배치된 전극을 구비한 것을 특징으로 하는 방전 램프장치.
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