KR20240143604A - Method of transferring micro semiconductor chip and deivce for transferring micro semiconductor chip - Google Patents
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Abstract
일 실시예에 따른 마이크로 반도체 칩 전사 방법은 상부에 복수 개의 홈을 포함하는 전사 기판을 준비하는 단계, 상기 전사 기판 상부에 복수의 마이크로 반도체 칩과 액체를 포함하는 현탁액을 공급하는 단계, 및 소수성 와이퍼를 포함하는 정렬 바(align bar)를 사용하여 상기 현탁액을 포함하는 상기 전사 기판의 상부 표면을 스위핑하여, 상기 마이크로 반도체 칩을 상기 홈 내부로 정렬하는 단계를 포함할 수 있다.A micro semiconductor chip transfer method according to one embodiment may include a step of preparing a transfer substrate including a plurality of grooves on an upper portion, a step of supplying a suspension including a plurality of micro semiconductor chips and a liquid onto an upper portion of the transfer substrate, and a step of sweeping an upper surface of the transfer substrate including the suspension using an align bar including a hydrophobic wiper to align the micro semiconductor chips within the grooves.
Description
본 개시는 마이크로 반도체 칩 전사 방법 및 마이크로 반도체 칩 전사 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a micro semiconductor chip transfer method and a micro semiconductor chip transfer device.
발광 다이오드(Light emitting diode; LED)는 저전력 사용과 친환경적이라는 장점 때문에 산업적인 수요가 증대되고 있으며, 조명 장치나 LCD 백라이트용으로 뿐만 아니라 디스플레이 장치에도 적용되고 있다. 마이크로 단위의 LED 칩을 사용하는 디스플레이 장치를 제작하는데 있어서, 마이크로 LED를 전사하는 방법으로 픽 앤 플레이스(pick and place) 방법이 사용되고 있다. 하지만, 이러한 방법은 마이크로 LED의 크기가 작아지고 디스플레이의 사이즈가 커짐에 따라 생산성이 저하된다.Light emitting diodes (LEDs) are seeing increasing industrial demand due to their low power consumption and environmental friendliness, and are being used not only for lighting devices and LCD backlights, but also for display devices. In manufacturing display devices using micro-unit LED chips, the pick and place method is used as a method for transferring micro LEDs. However, as the size of micro LEDs decreases and the size of displays increases, the productivity of this method decreases.
본 개시에 따르면, 마이크로 반도체 칩을 습식 전사하는 방법과 마이크로 반도체 칩 전사 장치가 제공된다.According to the present disclosure, a method for wet transferring a micro semiconductor chip and a micro semiconductor chip transfer device are provided.
일 실시예에 따르면, 마이크로 반도체 칩 전사 방법은 상부에 복수 개의 홈을 포함하는 전사 기판을 준비하는 단계, 상기 전사 기판에 복수의 마이크로 반도체 칩과 액체를 포함하는 현탁액을 공급하는 단계, 및 소수성 와이퍼를 포함하는 정렬 바(align bar)를 사용하여 상기 현탁액을 포함하는 상기 전사 기판의 상부 표면을 스위핑하여, 상기 마이크로 반도체 칩을 상기 홈 내부로 정렬하는 단계를 포함할 수 있다.According to one embodiment, a micro semiconductor chip transfer method may include a step of preparing a transfer substrate including a plurality of grooves on an upper portion, a step of supplying a suspension including a plurality of micro semiconductor chips and a liquid to the transfer substrate, and a step of sweeping an upper surface of the transfer substrate including the suspension using an align bar including a hydrophobic wiper to align the micro semiconductor chips within the grooves.
상기 소수성 와이퍼는 극성 용매에 용해되지 않는 재료를 포함할 수 있다.The above hydrophobic wiper may include a material that is insoluble in a polar solvent.
상기 소수성 와이퍼는 테플론 또는 나일론을 포함할 수 있다.The above hydrophobic wiper may include Teflon or nylon.
상기 소수성 와이퍼의 형태는 멤브레인 필터, 일반 필터, 메쉬, 시트, 또는 얇은 박막(thin film)의 형태일 수 있다.The form of the above hydrophobic wiper may be a membrane filter, a general filter, a mesh, a sheet, or a thin film.
상기 소수성 와이퍼의 체눈의 크기는 100㎛ 이하일 수 있다.The mesh size of the above hydrophobic wiper may be 100㎛ or less.
상기 액체는 물, 에탄올, 알코올, 폴리올, 케톤, 할로카본, 아세톤, 플럭스(flux), 및 유기 솔벤트(solvent)를 포함하는 그룹 중 하나 또는 복수의 조합을 포함할 수 있다.The liquid may comprise one or a combination of a plurality of selected from the group consisting of water, ethanol, alcohol, polyol, ketone, halocarbon, acetone, flux, and organic solvent.
상기 현탁액은, 계면활성제를 더 포함할 수 있다.The above suspension may further contain a surfactant.
상기 현탁액을 공급하는 단계는, 스프레이 방법, 디스펜싱 방법, 잉크젯 도트 방법, 또는 상기 현탁액을 상기 전사 기판에 흘려 보내는 방법을 포함할 수 있다.The step of supplying the suspension may include a spraying method, a dispensing method, an inkjet dot method, or a method of flowing the suspension onto the transfer substrate.
상기 소수성 와이퍼를 포함하는 정렬 바를 사용하여 상기 전사 기판의 상부 표면을 스위핑하는 단계는, 상기 소수성 와이퍼의 왕복 운동, 병진 운동, 회전 운동, 롤링 운동, 러빙, 또는 스피닝을 포함할 수 있다.The step of sweeping the upper surface of the transfer substrate using the alignment bar including the hydrophobic wiper may include reciprocating motion, translational motion, rotational motion, rolling motion, rubbing, or spinning of the hydrophobic wiper.
상기 소수성 와이퍼를 포함하는 정렬 바를 사용하여 상기 전사 기판의 상부 표면을 스위핑하는 단계는, 상기 전사 기판이 안착된 전사 헤드를 움직이기 위한 상기 전사 기판의 왕복 운동, 회전 운동, 병진 운동, 롤링 운동, 러빙 또는 스피닝을 포함할 수 있다.The step of sweeping the upper surface of the transfer substrate using the alignment bar including the hydrophobic wiper may include reciprocating motion, rotational motion, translational motion, rolling motion, rubbing or spinning of the transfer substrate to move the transfer head on which the transfer substrate is mounted.
상기 소수성 와이퍼를 포함하는 정렬 바를 사용하여 상기 전사 기판의 상부 표면을 스위핑하는 단계를 통해, 상기 복수의 마이크로 반도체 칩들이 상기 홈 안에 동일한 방향으로 정렬될 수 있다.By using an alignment bar including the hydrophobic wiper to sweep the upper surface of the transfer substrate, the plurality of micro semiconductor chips can be aligned in the same direction within the groove.
상기 복수의 마이크로 반도체 칩들은 각각 전극을 포함하는 제1 표면 및 전극이 없는 제2 표면을 포함하고, 상기 홈 안에 정렬된 복수의 마이크로 반도체 칩들은 상기 제2 표면이 상기 홈의 바닥을 향하게 정렬될 수 있다.The plurality of micro semiconductor chips each include a first surface including an electrode and a second surface without an electrode, and the plurality of micro semiconductor chips aligned in the groove can be aligned such that the second surface faces the bottom of the groove.
상기 마이크로 반도체 칩 전사 방법은, 친수성 재료의 흡수재로 상기 전사 기판을 스위핑하여, 상기 홈 내부에 정렬되지 않은 마이크로 반도체 칩과 남은 액체를 클리닝하는 단계를 더 포함할 수 있다.The above micro semiconductor chip transfer method may further include a step of cleaning unaligned micro semiconductor chips and remaining liquid within the groove by sweeping the transfer substrate with an absorbent of a hydrophilic material.
상기 흡수재로 상기 전사 기판을 클리닝하는 단계는, 상기 흡수재의 왕복 운동, 병진 운동, 회전 운동, 롤링 운동, 러빙, 또는 스피닝을 포함할 수 있다.The step of cleaning the transfer substrate with the absorbent material may include reciprocating motion, translational motion, rotational motion, rolling motion, rubbing, or spinning of the absorbent material.
일 실시예에 따르면, 마이크로 반도체 칩 전사 복수 개의 홈이 상부에 형성된 전사 기판이 안착되는 전사 헤드, 상기 전사 헤드 상의 전사 기판 상부에 마이크로 반도체 칩과 액체를 포함하는 현탁액을 공급하는 현탁액 공급 모듈, 및 상기 전사 기판을 스위핑하는 소수성 와이퍼를 포함하는 정렬 바(align bar)를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the device may include a transfer head on which a transfer substrate having a plurality of micro semiconductor chip transfer grooves formed on an upper portion thereof is mounted, a suspension supply module for supplying a suspension including a micro semiconductor chip and a liquid onto an upper portion of the transfer substrate on the transfer head, and an align bar including a hydrophobic wiper for sweeping the transfer substrate.
상기 소수성 와이퍼는 극성 용매에 용해되지 않는 재료를 포함할 수 있다.The above hydrophobic wiper may include a material that is insoluble in a polar solvent.
상기 소수성 와이퍼는 테플론 또는 나일론을 포함할 수 있다.The above hydrophobic wiper may include Teflon or nylon.
상기 소수성 와이퍼의 형태는 멤브레인 필터, 일반 필터, 메쉬, 시트, 또는 얇은 박막(thin film)의 형태일 수 있다.The form of the above hydrophobic wiper may be a membrane filter, a general filter, a mesh, a sheet, or a thin film.
상기 현탁액은 계면활성제를 더 포함할 수 있다.The above suspension may further contain a surfactant.
상기 마이크로 반도체 칩 전사 장치는 상기 홈 내부에 정렬되지 않은 마이크로 반도체 칩과 액체를 클리닝하기 위한 친수성 재료의 흡수재가 포함된 클리닝 모듈을 더 포함할 수 있다.The above micro semiconductor chip transfer device may further include a cleaning module including an absorbent material of a hydrophilic material for cleaning liquid and micro semiconductor chips that are not aligned inside the groove.
개시된 실시예에 따르면, 마이크로 반도체 칩을 전사하는 방법과 마이크로 반도체 칩 전사 장치는 소수성 와이퍼를 전사에 사용하여, 마이크로 반도체 칩 전사 공정과 마이크로 반도체 칩 클리닝 공정을 분리시킬 수 있다.According to the disclosed embodiment, a method for transferring a micro semiconductor chip and a micro semiconductor chip transfer device use a hydrophobic wiper for transfer, thereby separating a micro semiconductor chip transfer process and a micro semiconductor chip cleaning process.
개시된 실시예에 따르면, 마이크로 반도체 칩을 전사하는 방법과 마이크로 반도체 칩 전사 장치는 소수성 와이퍼를 전사에 사용하여, 마이크로 반도체 칩과 소수성 와이퍼 사이의 마찰을 줄일 수 있으며, 전사 수율을 높일 수 있다.According to the disclosed embodiment, a method for transferring a micro semiconductor chip and a micro semiconductor chip transfer device use a hydrophobic wiper for transfer, thereby reducing friction between the micro semiconductor chip and the hydrophobic wiper and increasing the transfer yield.
도 1은 일 실시예에 따른 마이크로 반도체 칩의 전사 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 2a 내지 도 2c는 일 실시예에 따른 마이크로 반도체 칩의 전사 방법에 사용된 전사 기판을 나타낸 도면이다.
도 3은 일 실시예에 따른 마이크로 반도체 칩의 전사 방법에 사용된 현탁액을 나타낸 도면이다.
도 4a 내지 도 4c는 일 실시예에 따른 마이크로 반도체 칩의 전사 방법을 보이는 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 일 실시예에 따른 마이크로 반도체 칩의 구조를 개략적으로 설명하는 도면이다.
도 6은 일 실시예에 따른 마이크로 반도체 칩 전사 장치를 나타낸 도면이다.
도 7은 전사 기판에 마이크로 반도체 칩이 정렬된 상태의 일 예를 도시한 것이다.
도 8a 내지 도 8c는 다른 실시예에 따른 마이크로 반도체 칩의 전사 방법을 보이는 도면이다.
도 9는 일 실시예에 따른 디스플레이 전사 구조물을 포함하는 전자 장치의 블록도를 나타낸 것이다.
도 10은 일 실시예에 따른 전자 장치가 모바일 장치에 적용된 예를 도시한 것이다.
도 11은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치가 자동차에 적용된 예를 도시한 것이다.
도 12는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치가 증강 현실 안경 또는 가상 현실 안경에 적용된 예를 도시한 것이다.
도 13은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치가 대형 사이니지(signage)에 적용된 예를 도시한 것이다.
도 14는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치가 웨어러블 디스플레이에 적용된 예를 도시한 것이다.FIG. 1 is a flow chart illustrating a method for transferring a micro semiconductor chip according to one embodiment.
FIGS. 2A to 2C are drawings showing a transfer substrate used in a transfer method of a micro semiconductor chip according to one embodiment.
FIG. 3 is a drawing showing a suspension used in a method for transferring a micro semiconductor chip according to one embodiment.
FIGS. 4A to 4C are drawings showing a method for transferring a micro semiconductor chip according to one embodiment.
FIGS. 5A and 5B are drawings schematically illustrating the structure of a micro semiconductor chip according to one embodiment.
FIG. 6 is a drawing showing a micro semiconductor chip transfer device according to one embodiment.
Figure 7 illustrates an example of a state in which micro semiconductor chips are aligned on a transfer substrate.
FIGS. 8A to 8C are drawings showing a method of transferring a micro semiconductor chip according to another embodiment.
FIG. 9 illustrates a block diagram of an electronic device including a display transfer structure according to one embodiment.
FIG. 10 illustrates an example of an electronic device applied to a mobile device according to one embodiment.
FIG. 11 illustrates an example in which a display device according to one embodiment is applied to a car.
FIG. 12 illustrates an example in which a display device according to one embodiment is applied to augmented reality glasses or virtual reality glasses.
FIG. 13 illustrates an example in which a display device according to one embodiment is applied to a large signage.
FIG. 14 illustrates an example in which a display device according to one embodiment is applied to a wearable display.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 다양한 실시예에 따른 마이크로 반도체 칩 전사 방법 및 마이크로 반도체 칩 전사 장치에 대해 상세하게 설명한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다. 또한, 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다.Hereinafter, with reference to the attached drawings, a micro semiconductor chip transfer method and a micro semiconductor chip transfer device according to various embodiments will be described in detail. In the drawings below, the same reference numerals refer to the same components, and the size of each component in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation. In addition, the embodiments described below are merely exemplary, and various modifications are possible from these embodiments.
이하에서, "상부" 나 "상"이라고 기재된 것은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 다수의 표현을 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Hereinafter, the expression "upper" or "upper" may include not only what is directly above in contact, but also what is above in a non-contact manner. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly indicates otherwise. Also, when a part is said to "include" a certain component, this does not mean that it excludes other components, but rather that it may include other components, unless otherwise specifically stated.
"상기"의 용어 및 이와 유사한 지시 용어의 사용은 단수 및 다수 모두에 해당하는 것일 수 있다. 방법을 구성하는 단계들에 대하여 명백하게 순서를 기재하거나 반하는 기재가 없다면, 이러한 단계들은 적당한 순서로 행해질 수 있으며, 반드시 기재된 순서에 한정되는 것은 아니다. The use of the term "above" and similar referential terms may refer to both the singular and the plural. Unless the steps of a method are explicitly stated to be in a particular order or to the contrary, these steps may be performed in any suitable order, and are not necessarily limited to the order stated.
도면에 도시된 구성 요소들 간의 선들의 연결 또는 연결 부재들은 기능적인 연결 및/또는 물리적 또는 회로적 연결들을 예시적으로 나타낸 것으로서, 실제 장치에서는 대체 가능하거나 추가의 다양한 기능적인 연결, 물리적인 연결, 또는 회로 연결들로서 나타내어질 수 있다.The connections or lack of connections between the lines depicted in the drawings are merely illustrative of functional connections and/or physical or circuit connections, and may be represented in an actual device as alternative or additional various functional connections, physical connections, or circuit connections.
또한, 명세서에 기재된 “...부”, “모듈” 등의 용어는 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어 또는 소프트웨어로 구현되거나 하드웨어와 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.Additionally, terms such as “part”, “module”, etc. described in the specification mean a unit that processes a function or operation, which may be implemented by hardware or software, or by a combination of hardware and software.
방법을 구성하는 단계들은 설명된 순서대로 행하여야 한다는 명백한 언급이 없다면, 적당한 순서로 행해질 수 있다.The steps of a method may be performed in any suitable order unless there is an explicit statement that they must be performed in the order described.
모든 예들 또는 예시적인 용어의 사용은 단순히 기술적 사상을 상세히 설명하기 위한 것으로서 청구범위에 의해 한정되지 않는 이상 이런 예들 또는 예시적인 용어로 인해 범위가 한정되는 것은 아니다.Any use of examples or exemplary terms is intended merely to elaborate technical ideas and is not intended to limit the scope of the invention unless otherwise defined by the claims.
도 1은 일 실시예에 따른 마이크로 반도체 칩의 전사 방법을 나타낸 흐름도이다.FIG. 1 is a flow chart illustrating a method for transferring a micro semiconductor chip according to one embodiment.
마이크로 반도체 칩의 전사 방법은 상부에 복수 개의 홈을 포함하는 전사 기판을 준비하는 단계(S101), 전사 기판 상부에 복수의 마이크로 반도체 칩과 액체를 포함하는 현탁액을 공급하는 단계(S102), 및 소수성 와이퍼를 포함하는 정렬 바(align bar)를 사용하여 현탁액을 포함하는 전사 기판 상부 표면을 스위핑하여 마이크로 반도체 칩을 홈 내부로 정렬하는 단계(S103)를 포함할 수 있다. 마이크로 반도체 칩의 전사 방법은 친수성 재료의 흡수재로 상기 전사 기판을 스위핑하여, 상기 홈 내부에 정렬되지 않은 마이크로 반도체 칩과 남은 액체를 클리닝하는 단계(S104)를 더 포함할 수 있다.A method for transferring a micro semiconductor chip may include a step (S101) of preparing a transfer substrate including a plurality of grooves on an upper portion, a step (S102) of supplying a suspension including a plurality of micro semiconductor chips and a liquid onto an upper portion of the transfer substrate, and a step (S103) of sweeping an upper surface of the transfer substrate including the suspension using an align bar including a hydrophobic wiper to align the micro semiconductor chips into the grooves. The method for transferring a micro semiconductor chip may further include a step (S104) of sweeping the transfer substrate with an absorbent of a hydrophilic material to clean micro semiconductor chips that are not aligned inside the grooves and remaining liquid.
상부에 복수 개의 홈을 포함하는 전사 기판을 준비한다(S101). 전사 기판은 단일 층으로 구비되거나 복수의 층을 포함할 수 있다.A transfer substrate including a plurality of grooves on the upper portion is prepared (S101). The transfer substrate may be provided as a single layer or may include a plurality of layers.
전사 기판 상부에 복수 개의 마이크로 반도체 칩을 포함하는 현탁액을 공급한다(S102). 현탁액은 마이크로 반도체 칩과 액체를 포함할 수 있다.A suspension containing a plurality of micro semiconductor chips is supplied to the upper portion of the transfer substrate (S102). The suspension may contain micro semiconductor chips and a liquid.
소수성 와이퍼를 포함하는 정렬 바를 사용하여 현탁액을 포함하는 전사 기판 상부 표면을 스위핑하여 마이크로 반도체 칩을 홈 내부로 정렬한다(S103). 소수성 와이퍼를 포함하는 정렬 바를 사용하여 마이크로 반도체 칩을 전사 기판의 복수 개의 홈으로 이동시킬 수 있다.The upper surface of the transfer substrate including the suspension is swept using an alignment bar including a hydrophobic wiper to align the micro semiconductor chip into the groove (S103). The micro semiconductor chip can be moved into a plurality of grooves of the transfer substrate using the alignment bar including a hydrophobic wiper.
친수성 재료의 흡수재로 상기 전사 기판을 스위핑하여, 상기 홈 내부에 정렬되지 않은 마이크로 반도체 칩과 남은 액체를 클리닝한다(S104). 흡수재는 전사 기판 상의 마이크로 반도체 칩과 액체를 제거할 수 있다.The transfer substrate is swept with an absorbent material of a hydrophilic material to clean the micro semiconductor chips and remaining liquid that are not aligned within the groove (S104). The absorbent material can remove the micro semiconductor chips and liquid on the transfer substrate.
도 2a 내지 도 2c는 일 실시예에 따른 마이크로 반도체 칩의 전사 방법에 사용된 전사 기판을 나타낸 도면이다.FIGS. 2A to 2C are drawings showing a transfer substrate used in a transfer method of a micro semiconductor chip according to one embodiment.
도 2a를 참조하면, 상부에 복수 개의 홈(110)을 포함하는 전사 기판(120)이 준비될 수 있다. 홈(110)은 마이크로 반도체 칩(131)을 배치하기 위해 구비될 수 있다. 마이크로 반도체 칩(131)은 마이크로 사이즈를 가지는 다양한 종류의 반도체 칩을 포함할 수 있으며, 마이크로 사이즈는 100㎛ 이하일 수 있다. 홈(110)은 마이크로 반도체 칩(131)을 수용 가능하도록 마이크로 반도체 칩(131)의 면적보다 큰 단면적을 가질 수 있다.Referring to FIG. 2A, a transfer substrate (120) including a plurality of grooves (110) on an upper portion may be prepared. The grooves (110) may be provided to place a micro semiconductor chip (131). The micro semiconductor chip (131) may include various types of semiconductor chips having a micro size, and the micro size may be 100 μm or less. The grooves (110) may have a cross-sectional area larger than the area of the micro semiconductor chip (131) so as to accommodate the micro semiconductor chip (131).
마이크로 반도체 칩(131)은 예를 들어, LED(light emitting diode), FET(Field Effect Transistor), CMOS(complementary metal-oxide semiconductor), CIS(CMOS image sensor), VCSEL(vertical-cavity surface-emitting laser), PD(photo diode), 메모리 소자, 2D 물질 소자(2 dimensional material device) 등을 포함할 수 있다. 2D 물질은 그래핀 또는 CNT(carbon nano tube) 등일 수 있다.The micro semiconductor chip (131) may include, for example, an LED (light emitting diode), a FET (field effect transistor), a CMOS (complementary metal-oxide semiconductor), a CIS (CMOS image sensor), a VCSEL (vertical-cavity surface-emitting laser), a PD (photo diode), a memory device, a 2D material device, etc. The 2D material may be graphene or a CNT (carbon nano tube), etc.
도 2b를 참조하면, 복수 개의 홈(110) 사이의 간격은 홈(110)에 삽입되는 마이크로 반도체 칩(131) 사이의 간격에 대응할 수 있다. 예를 들어, 마이크로 반도체 칩(131)이 발광 소자일 경우, 복수 개의 홈(110) 사이의 간격은, 최종 제품에서 사용되는 디스플레이 장치의 픽셀 간격에 대응할 수 있다. 다만, 복수 개의 홈(110) 사이의 간격은 이에 한정되지 아니하며, 필요에 따라 다양하게 변형될 수도 있다.Referring to FIG. 2b, the spacing between the plurality of grooves (110) may correspond to the spacing between the micro semiconductor chips (131) inserted into the grooves (110). For example, when the micro semiconductor chips (131) are light-emitting elements, the spacing between the plurality of grooves (110) may correspond to the pixel spacing of the display device used in the final product. However, the spacing between the plurality of grooves (110) is not limited thereto and may be variously modified as needed.
전사 기판(120)은 복수의 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전사 기판(120)은 베이스 기판(121)과 가이드 몰드(122)를 포함할 수 있다. 베이스 기판(121)과 가이드 몰드(122)의 재질은 다를 수 있으나, 같을 수도 있다. 전사 기판(120)은 단일의 층으로 구성될 수도 있다. 또한, 전사 기판(120)의 평면 형상은 사각형일 수 있으나, 이에 한정되지는 않으며, 예를 들어, 평면 형상의 원형일 수도 있다.The transfer substrate (120) may include a plurality of layers. For example, the transfer substrate (120) may include a base substrate (121) and a guide mold (122). The materials of the base substrate (121) and the guide mold (122) may be different, but may also be the same. The transfer substrate (120) may also be composed of a single layer. In addition, the plane shape of the transfer substrate (120) may be a square, but is not limited thereto, and may have, for example, a circular plane shape.
전사 기판(120)의 홈(110) 및 상부 표면은 접착력(adhesion) 또는 표면 에너지 밀도가 서로 다를 수 있다. 전사 기판(120)의 상부 표면은 마이크로 반도체 칩(131)과 접착력을 약화시키는 요철 패턴이 있거나 거칠기가 거친 표면으로 되어 있어서, 마이크로 반도체 칩(131)이 달라 붙기 어려울 수 있다. 반면에 홈(110)의 하부 표면, 즉 베이스 기판(121)은 마이크로 반도체 칩(131)과의 접착력을 강화시키는 물질로 표면 처리될 수 있다. 예를 들어, 홈(110)은 친수성 물질로 표면처리되고, 전사 기판(120)의 상부 표면은 소수성 물질로 표면 처리될 수 있다. 또는 전사 기판(120)의 상부 표면을 물리적으로 패턴화하여 접착력 또는 표면 에너지 밀도를 다르게 할 수 있다. The groove (110) and the upper surface of the transfer substrate (120) may have different adhesion or surface energy densities. The upper surface of the transfer substrate (120) may have a rough surface or a rough pattern that weakens the adhesion with the micro semiconductor chip (131), so that the micro semiconductor chip (131) may have difficulty in sticking. On the other hand, the lower surface of the groove (110), i.e., the base substrate (121), may be surface-treated with a material that strengthens the adhesion with the micro semiconductor chip (131). For example, the groove (110) may be surface-treated with a hydrophilic material, and the upper surface of the transfer substrate (120) may be surface-treated with a hydrophobic material. Alternatively, the upper surface of the transfer substrate (120) may be physically patterned to have different adhesion or surface energy densities.
도 2c를 참조하면, 전사 기판(120a)은 복수의 홈(110)이 구비된 몸체(123)와 몸체(123)의 상부 표면에, 복수의 홈(110) 사이의 영역에 형성된 다수의 볼록 패턴(124)으로 이루어진 표면 에너지 감소 패턴(SP)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2c, the transfer substrate (120a) may include a body (123) having a plurality of grooves (110) and a surface energy reduction pattern (SP) formed of a plurality of convex patterns (124) formed in an area between the plurality of grooves (110) on the upper surface of the body (123).
전사 기판(120a)에 형성된 다수의 볼록 패턴(124)을 포함하는 표면 에너지 감소 패턴(SP)은 홈(110)과 연결된 몸체(123)의 상부 표면의 표면 에너지를 낮추어 마이크로 반도체 칩(131)이 몸체(123)의 상부 표면에 고정되는 것을 방지할 수 있다. 다시 말하면, 표면 에너지 감소 패턴(SP)에 의해 몸체(123)의 상부 표면 상에서 마이크로 반도체 칩(131)의 미끄러짐이 향상되어 마이크로 반도체 칩(131)이 정위치 외의 다른 위치에 압착되지 않고 홈(110) 내부로 잘 이동할 수 있다. 일반적으로 두 면이 접하는 계면 간의 표면 에너지는 접촉 면적에 비례한다. 볼록 패턴(124)들이 구비되는 경우, 마이크로 반도체 칩(131)의 바닥면과 전사 기판(120a) 사이 계면의 표면 에너지가 낮아질 수 있어, 마이크로 반도체 칩(131)이 홈(110) 내부로 잘 이동하게 된다. 뿐만 아니라 볼록 패턴(124)과 마이크로 반도체 칩(131)간의 접착력 또는 표면 에너지 밀도가 낮기 때문에 자기장이 인가되면 마이크로 반도체 칩(131)은 용이하게 볼록 패턴(124)으로부터 분리될 수 있다.The surface energy reduction pattern (SP) including a plurality of convex patterns (124) formed on the transfer substrate (120a) can lower the surface energy of the upper surface of the body (123) connected to the groove (110), thereby preventing the micro semiconductor chip (131) from being fixed to the upper surface of the body (123). In other words, the sliding of the micro semiconductor chip (131) on the upper surface of the body (123) is improved by the surface energy reduction pattern (SP), so that the micro semiconductor chip (131) can move well into the groove (110) without being pressed at a position other than the standard position. In general, the surface energy between the interface where two surfaces come into contact is proportional to the contact area. When the convex patterns (124) are provided, the surface energy of the interface between the bottom surface of the micro semiconductor chip (131) and the transfer substrate (120a) can be lowered, thereby allowing the micro semiconductor chip (131) to move well into the groove (110). In addition, since the adhesive force or surface energy density between the convex pattern (124) and the micro semiconductor chip (131) is low, when a magnetic field is applied, the micro semiconductor chip (131) can be easily separated from the convex pattern (124).
볼록 패턴(124)의 폭, 볼록 패턴(124)들 간의 간격은 마이크로 반도체 칩(131)이 볼록 패턴(124) 상에 고정되지 않고, 또한, 볼록 패턴(124)에 걸려 홈(110)을 향해 움직이는 경로가 방해되지 않도록 설정될 수 있다. 볼록 패턴(124)의 단면 형상은 원형으로 도시되었으나 이는 예시적인 것이다. 다양한 다각형 형상, 환형, 타원형, 또는 기타 다른 형상으로 변경될 수 있다. The width of the convex pattern (124) and the spacing between the convex patterns (124) can be set so that the micro semiconductor chip (131) is not fixed on the convex pattern (124) and also, the path of movement toward the groove (110) by being caught by the convex pattern (124) is not obstructed. The cross-sectional shape of the convex pattern (124) is shown as circular, but this is exemplary. It can be changed to various polygonal shapes, annular shapes, oval shapes, or other shapes.
볼록 패턴(124)의 폭은 마이크로 반도체 칩(131)의 폭보다 작을 수 있다. 볼록 패턴(124)과 마이크로 반도체 칩(131) 간 경계면에서의 표면 에너지를 낮추기 위해, 예를 들어, 볼록 패턴(124)의 폭은 마이크로 반도체 칩(131)의 폭의 50% 이하, 또는 30% 이하, 또는 10%이하로 설정될 수 있다.The width of the convex pattern (124) may be smaller than the width of the micro semiconductor chip (131). In order to lower the surface energy at the interface between the convex pattern (124) and the micro semiconductor chip (131), for example, the width of the convex pattern (124) may be set to 50% or less, or 30% or less, or 10% or less of the width of the micro semiconductor chip (131).
도 3은 일 실시예에 따른 마이크로 반도체 칩의 전사 방법에 사용된 현탁액을 나타낸 도면이다.FIG. 3 is a drawing showing a suspension used in a method for transferring a micro semiconductor chip according to one embodiment.
도 3을 참조하면, 현탁액(130)은 마이크로 반도체 칩(131)과 액체(132)를 포함할 수 있다. 액체(132)는 마이크로 반도체 칩(131)을 부식시키거나 손상을 입히지 않는 한 어떠한 종류의 액체라도 사용될 수 있다. 액체는 예를 들어, 물, 에탄올, 알코올, 폴리올, 케톤, 할로카본, 아세톤, 플럭스(flux), 및 유기 솔벤트(solvent)를 포함하는 그룹 중 하나 또는 복수의 조합을 포함할 수 있다. 유기 솔벤트는 예를 들어 이소프로필알콜(IPA, Isopropyl Alcohol)을 포함할 수 있다. 사용 가능한 액체는 이에 한정되지 않으며 다양한 변경이 가능하다.Referring to FIG. 3, the suspension (130) may include a micro semiconductor chip (131) and a liquid (132). Any type of liquid may be used as the liquid (132) as long as it does not corrode or damage the micro semiconductor chip (131). The liquid may include one or a combination of a plurality of the group including, for example, water, ethanol, alcohol, polyol, ketone, halocarbon, acetone, flux, and organic solvent. The organic solvent may include, for example, isopropyl alcohol (IPA). The usable liquid is not limited thereto and various changes are possible.
현탁액(130)을 공급하는 단계는 스프레이 방법, 액체를 방울방울 떨어뜨리는 디스펜싱 방법, 프린팅 방식처럼 액체를 토출하는 잉크젯 도트 방법, 또는 현탁액(130)을 전사 기판(120)에 흘려 보내는 방법 등이 다양하게 사용될 수 있다.The step of supplying the suspension (130) can be variously used, such as a spray method, a dispensing method of dropping the liquid drop by drop, an inkjet dot method of ejecting the liquid like a printing method, or a method of flowing the suspension (130) onto the transfer substrate (120).
전사 기판(120)에 복수의 마이크로 반도체 칩(131)을 포함하는 현탁액(130)을 공급하는 단계는 전사 기판(120)의 홈(110)에 액체(132)를 공급하는 단계와 전사 기판(120)에 마이크로 반도체 칩(131)을 공급하는 두 개의 단계로 수행되는 것도 가능하다. 홈(110)에 액체(132)를 공급하는 방법은 예를 들어, 스프레이 방법, 디스펜싱 방법, 잉크젯 도트 방법, 액체(132)를 전사 기판(120)에 흘려 보내는 방법 등이 다양하게 사용될 수 있다. 한편, 액체(132)는 홈(110)에 맞게 또는 홈(110)에서 넘치도록 공급량이 다양하게 조절될 수 있다.The step of supplying a suspension (130) containing a plurality of micro semiconductor chips (131) to the transfer substrate (120) may also be performed in two steps: a step of supplying a liquid (132) to the groove (110) of the transfer substrate (120) and a step of supplying the micro semiconductor chips (131) to the transfer substrate (120). Various methods of supplying the liquid (132) to the groove (110) may be used, for example, a spraying method, a dispensing method, an inkjet dot method, a method of flowing the liquid (132) to the transfer substrate (120). Meanwhile, the supply amount of the liquid (132) may be variously adjusted to fit the groove (110) or to overflow from the groove (110).
복수의 마이크로 반도체 칩(131)과 액체(132)를 포함하는 현탁액(130)은 계면활성제를 더 포함할 수 있다. 계면활성제를 현탁액(130)과 함께 공급할 경우, 계면활성제를 공급하지 않은 경우보다 마이크로 반도체 칩의 전사 수율이 향상될 수 있다.The suspension (130) containing a plurality of micro semiconductor chips (131) and a liquid (132) may further contain a surfactant. When the surfactant is supplied together with the suspension (130), the transfer yield of the micro semiconductor chip may be improved compared to when the surfactant is not supplied.
도 4a 내지 도 4c는 일 실시예에 따른 마이크로 반도체 칩의 전사 방법을 보이는 도면이다.FIGS. 4A to 4C are drawings showing a method for transferring a micro semiconductor chip according to one embodiment.
도 4a를 참조하면, 전사 헤드(180) 상에 복수 개의 홈(120)을 포함하는 전사 기판(110)을 준비할 수 있다. 홈(110)의 깊이(d1)는 마이크로 반도체 칩(131)의 높이 보다 약 20% 작을 수 있다. 홈(110)의 폭(d2)은 마이크로 반도체 칩(131)의 폭 보다 약 25% 클 수 있다. 그 후, 전사 기판(120)에 복수의 마이크로 반도체 칩(131)과 액체(132)를 포함하는 현탁액(130)을 공급할 수 있다.Referring to FIG. 4A, a transfer substrate (110) including a plurality of grooves (120) can be prepared on a transfer head (180). The depth (d1) of the groove (110) can be about 20% smaller than the height of the micro semiconductor chip (131). The width (d2) of the groove (110) can be about 25% larger than the width of the micro semiconductor chip (131). Thereafter, a suspension (130) including a plurality of micro semiconductor chips (131) and a liquid (132) can be supplied to the transfer substrate (120).
도 4b를 참조하면, 소수성 와이퍼(141)를 포함하는 정렬 바(140)를 사용하여 전사 기판(120) 상부 표면을 스위핑할 수 있다. 소수성 와이퍼(141)를 포함하는 정렬 바(140)를 사용하여 전사 기판(120)의 상부 표면을 스위핑함으로써, 복수의 마이크로 반도체 칩들(131)이 홈(110) 안에 동일한 방향으로 정렬될 수 있다. 예를 들어, 복수의 마이크로 반도체 칩들(131)은 전극을 포함하는 제1 표면 및 전극이 없는 제2 표면을 포함하고, 소수성 와이퍼(141)를 포함하는 정렬 바(140)를 사용하여 전사 기판(120)의 상부 표면을 스위핑함으로써, 홈(110) 안에 정렬될 마이크로 반도체 칩들(131)은 전극이 없는 제2 표면이 홈(110)의 바닥을 향하게 정렬될 수 있다.Referring to FIG. 4b, an alignment bar (140) including a hydrophobic wiper (141) can be used to sweep an upper surface of a transfer substrate (120). By sweeping the upper surface of the transfer substrate (120) using the alignment bar (140) including the hydrophobic wiper (141), a plurality of micro semiconductor chips (131) can be aligned in the same direction within the groove (110). For example, the plurality of micro semiconductor chips (131) include a first surface including electrodes and a second surface without electrodes, and by sweeping the upper surface of the transfer substrate (120) using the alignment bar (140) including the hydrophobic wiper (141), the micro semiconductor chips (131) to be aligned within the groove (110) can be aligned such that the second surface without electrodes faces the bottom of the groove (110).
소수성 와이퍼(141)는 극성 용매에 용해되지 않는 재료로 이루어질 수 있다. 소수성 와이퍼(141)는 불소를 포함할 수 있다. 소수성 와이퍼(141)는 불소수지(fluoropolymer) 계열의 재료를 포함할 수 있다. 소수성 와이퍼(141)는 테플론(PTFE)을 포함할 수 있다. 소수성 와이퍼(141)는 폴리아미드 계열의 재료를 포함할 수 있다. 소수성 와이퍼(141)는 나일론을 포함할 수 있다.The hydrophobic wiper (141) may be made of a material that does not dissolve in a polar solvent. The hydrophobic wiper (141) may contain fluorine. The hydrophobic wiper (141) may contain a fluoropolymer series material. The hydrophobic wiper (141) may contain Teflon (PTFE). The hydrophobic wiper (141) may contain a polyamide series material. The hydrophobic wiper (141) may contain nylon.
소수성 와이퍼(141)는 멤브레인 필터, 일반 필터, 메쉬, 시트, 또는 얇은 박막(thin film) 등의 형태를 가질 수 있다. 소수성 와이퍼(141)가 메쉬 형태를 가질 경우, 소수성 와이퍼(141)는 복수의 체눈(opening)을 가지며, 체눈의 크기는 마이크로 반도체 칩(131)이 박히거나 끼는 것을 방지하도록 마이크로 반도체 칩(131)의 사이즈 이하일 수 있다. 소수성 와이퍼(141)의 체눈(opening)의 크기는, 예를 들어, 100㎛ 이하일 수 있다. 소수성 와이퍼(141)는 다른 보조 기구 없이 단독으로 사용될 수 있지만, 이에 한정되지 않고, 마이크로 반도체 칩(131)을 전사하기 편리하도록 제1 지지대(142)에 결합될 수 있다. 소수성 와이퍼(141)는 제1 지지대(142)의 표면에 구비된 상태로 마이크로 반도체 칩(131)을 전사할 수 있다. 제1 지지대(142)는 마이크로 반도체 칩(131)을 전사하기 적합한 다양한 형태와 구조를 가질 수 있다. 제1 지지대(142)는 예를 들어, 봉(load), 블레이드(blade), 플레이트(plate), 또는 와이퍼(wiper) 등의 형태를 가질 수 있다. 소수성 와이퍼(141)는 제1 지지대(142)의 어느 한 면에 구비되거나, 제1 지지대(142)의 둘레를 감쌀 수 있다.The hydrophobic wiper (141) may have the form of a membrane filter, a general filter, a mesh, a sheet, or a thin film. When the hydrophobic wiper (141) has a mesh shape, the hydrophobic wiper (141) has a plurality of openings, and the size of the openings may be smaller than or equal to the size of the micro semiconductor chip (131) to prevent the micro semiconductor chip (131) from being stuck or jammed. The size of the openings of the hydrophobic wiper (141) may be, for example, 100 μm or smaller. The hydrophobic wiper (141) may be used alone without any other auxiliary device, but is not limited thereto, and may be combined with a first support member (142) to conveniently transfer the micro semiconductor chip (131). The hydrophobic wiper (141) may be provided on the surface of the first support member (142) to transfer the micro semiconductor chip (131). The first support member (142) may have various shapes and structures suitable for transferring the micro semiconductor chip (131). The first support (142) may have a shape such as a rod, a blade, a plate, or a wiper, for example. The hydrophobic wiper (141) may be provided on one side of the first support (142) or may wrap around the perimeter of the first support (142).
소수성 와이퍼(141)를 포함하는 정렬 바(140)를 사용하여 전사 기판(120)의 상부 표면을 스위핑하는 단계는 소수성 와이퍼(141)의 왕복(reciprocating) 운동 방식, 병진(translating) 운동 방식, 회전(rotating) 방식, 슬라이딩(sliding) 방식, 롤링(rolling) 방식, 러빙(rubbing) 방식 및/또는 스피닝(spinning) 방식 등 다양한 방식을 포함할 수 있으며, 규칙적인 방식 또는 불규칙적인 방식 모두 포함할 수 있다. 마이크로 반도체 칩(131)의 전사는 소수성 와이퍼(141)를 이동시키는 대신에, 전사 기판(120)을 이동시켜 수행될 수도 있으며, 이를 위해 전사 헤드(180)가 이용될 수 있다. 전사 기판(120)이 안착된 전사 헤드(180)를 움직이기 위한 전사 기판(120)의 이동 또한 슬라이딩, 회전, 병진, 왕복, 롤링, 스피닝, 및 또는 러빙 등의 방식으로 수행될 수 있다. 물론, 소수성 와이퍼(141)와 전사 헤드(180)의 협동에 의해 마이크로 반도체 칩(131)의 전사가 수행되는 것도 가능하다. The step of sweeping the upper surface of the transfer substrate (120) using the alignment bar (140) including the hydrophobic wiper (141) may include various methods such as a reciprocating motion of the hydrophobic wiper (141), a translating motion, a rotating motion, a sliding motion, a rolling motion, a rubbing motion, and/or a spinning motion, and may include both a regular method and an irregular method. The transfer of the micro semiconductor chip (131) may also be performed by moving the transfer substrate (120) instead of moving the hydrophobic wiper (141), and for this purpose, the transfer head (180) may be used. The movement of the transfer substrate (120) to move the transfer head (180) on which the transfer substrate (120) is mounted may also be performed by a sliding, rotating, translating, reciprocating, rolling, spinning, and/or rubbing method. Of course, it is also possible for the transfer of the micro semiconductor chip (131) to be performed by cooperation between the hydrophobic wiper (141) and the transfer head (180).
소수성 와이퍼(141)를 사용할 경우, 친수성 와이퍼를 사용한 경우와 다르게 마이크로 반도체 칩(131) 전사 공정과 마이크로 반도체 칩(131) 클리닝 공정을 분리시킬 수 있고, 친수성 와이퍼를 사용한 경우보다 전사 수율이 향상될 수 있다. 또한, 마이크로 반도체 칩(131) 전사 과정에서 소수성 와이퍼(141)를 사용할 경우, 소수성 와이퍼(141)가 액체(132) 및 마이크로 반도체 칩(131)을 흡수하지 않고, 액체(132)가 마르지 않아, 전사하는 동안 추가로 액체(132)를 공급해 줄 필요가 없다. 소수성 와이퍼(141)는 부드러운(soft) 물질로 이루어져 마이크로 반도체 칩(131)과 소수성 와이퍼(141) 사이의 마찰을 줄일 수 있다. 이를 통해, 마이크로 반도체 칩(131)의 손상을 방지할 수 있다.When a hydrophobic wiper (141) is used, unlike when a hydrophilic wiper is used, the micro semiconductor chip (131) transfer process and the micro semiconductor chip (131) cleaning process can be separated, and the transfer yield can be improved compared to when a hydrophilic wiper is used. In addition, when a hydrophobic wiper (141) is used during the micro semiconductor chip (131) transfer process, the hydrophobic wiper (141) does not absorb the liquid (132) and the micro semiconductor chip (131), and the liquid (132) does not dry, so there is no need to supply additional liquid (132) during the transfer. The hydrophobic wiper (141) is made of a soft material and can reduce friction between the micro semiconductor chip (131) and the hydrophobic wiper (141). Through this, damage to the micro semiconductor chip (131) can be prevented.
도 4c를 참조하면, 친수성 재료의 흡수재(160)로 전사 기판(120)을 스위핑하여, 홈(110) 내부에 정렬되지 않은 마이크로 반도체 칩(131)과 남은 액체(132)를 클리닝할 수 있다. 흡수재(160)는 액체(132)를 흡수할 수 있는 재질이면 족하고, 그 형태나 구조는 한정되지 않는다. 흡수재(160)는 예를 들어, 직물, 티슈, 폴리에스테르 섬유, 종이 또는 와이퍼 등을 포함할 수 있다. 흡수재(160)는 다른 보조 기구 없이 단독으로 사용될 수 있지만, 이에 한정되지 않고, 전사 기판(120)을 클리닝하기 편리하도록 제2 지지대(170)에 결합될 수 있다. 제2 지지대(170)는 전사 기판(120)을 클리닝하기 적합한 다양한 형태와 구조를 가질 수 있다. 제2 지지대(170)는 예를 들어, 봉(load), 블레이드(blade), 플레이트(plate), 또는 와이퍼(wiper) 등의 형태를 가질 수 있다. 흡수재(160)는 제2 지지대(170)의 어느 한 면에 구비되거나, 제2 지지대(170)의 둘레를 감쌀 수 있다. Referring to FIG. 4c, the transfer substrate (120) can be swept with an absorbent (160) of a hydrophilic material to clean the micro semiconductor chips (131) that are not aligned inside the groove (110) and the remaining liquid (132). The absorbent (160) may be any material that can absorb the liquid (132), and its shape or structure is not limited. The absorbent (160) may include, for example, fabric, tissue, polyester fiber, paper, or a wiper. The absorbent (160) may be used alone without any other auxiliary device, but is not limited thereto, and may be combined with a second support (170) to facilitate cleaning the transfer substrate (120). The second support (170) may have various shapes and structures suitable for cleaning the transfer substrate (120). The second support (170) may have a shape such as a rod, a blade, a plate, or a wiper, for example. The absorbent material (160) may be provided on one side of the second support (170) or may wrap around the perimeter of the second support (170).
흡수재(160)는 전사 기판(120)을 적절한 압력으로 가압하면서 클리닝할 수 있다. 클리닝은 흡수재(160)가 전사 기판(120)과 접촉하며, 복수 개의 홈(110)을 지나가면서 액체(132)를 흡수하는 단계를 포함할 수 있다.The absorbent (160) can be cleaned while pressurizing the transfer substrate (120) with an appropriate pressure. The cleaning can include a step in which the absorbent (160) contacts the transfer substrate (120) and absorbs liquid (132) while passing through a plurality of grooves (110).
흡수재(160)가 전사 기판(120)을 스위핑한 후, 홈(110) 내부에 정렬되지 않고 전사 기판(120)에 남아 있는 마이크로 반도체 칩과 남은 액체는 제거된다. 흡수재(160)로 전사 기판(120)을 클리닝하는 단계는 예를 들어, 흡수재(160)의 슬라이딩(sliding) 방식, 왕복(reciprocating) 운동 방식, 병진(translating) 운동 방식, 회전(rotating) 방식, 롤링(rolling) 방식, 러빙(rubbing) 방식 및/또는 스피닝(spinning) 방식 등 다양한 방식으로 수행될 수 있으며, 규칙적인 방식 또는 불규칙적인 방식 모두 포함할 수 있다. 클리닝은 흡수재(160)를 이동시키는 대신에, 전사 기판(120)을 이동시켜 수행될 수도 있으며, 흡수재(160)와 전사 기판(120)의 협동에 의해 클리닝이 수행되는 것도 가능하다.After the absorbent (160) sweeps the transfer substrate (120), the micro semiconductor chips and the remaining liquid that are not aligned within the groove (110) and remain on the transfer substrate (120) are removed. The step of cleaning the transfer substrate (120) with the absorbent (160) can be performed in various ways, for example, a sliding manner, a reciprocating motion manner, a translating motion manner, a rotating manner, a rolling manner, a rubbing manner, and/or a spinning manner of the absorbent (160), and can include both a regular manner and an irregular manner. Instead of moving the absorbent (160), the cleaning can be performed by moving the transfer substrate (120), and the cleaning can also be performed by cooperation between the absorbent (160) and the transfer substrate (120).
도 5a 및 도 5b는 일 실시예에 따른 마이크로 반도체 칩의 구조를 개략적으로 설명하는 도면이다.FIGS. 5A and 5B are drawings schematically illustrating the structure of a micro semiconductor chip according to one embodiment.
도 5a를 참조하면, 마이크로 반도체 칩(131)은 제1 전극(131b) 및 제2 전극(131c)을 포함할 수 있다. 마이크로 반도체 칩(131)은 상부에서 보았을 때, 원형일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 마이크로 반도체 칩(131)은 사각형 등 다양한 형태일 수 있다.Referring to FIG. 5a, the micro semiconductor chip (131) may include a first electrode (131b) and a second electrode (131c). The micro semiconductor chip (131) may be circular when viewed from above. However, the shape is not limited thereto, and the micro semiconductor chip (131) may have various shapes, such as a square shape.
도 5b를 참조하면, 마이크로 반도체 칩(131)은 칩 본체(131a), 제1 전극(131b) 및 제2 전극(131c)을 포함할 수 있다. 칩 본체(131a) 상부에 패시베이션막이 형성될 수 있다. 마이크로 반도체 칩(131)은 유체 자가 조립(fluidic self assembly) 방식을 이용하여 한 방향으로 정렬되기 쉽도록 구성될 수 있다. 유체 자가 조립 방식을 이용하여 복수의 마이크로 반도체 칩(131)을 기판과 같은 외부 물체 위에 정렬시킬 때, 복수의 마이크로 반도체 칩(131)의 대부분 또는 모두가 동일한 방향으로 정렬될 수 있다. 예를 들어, 마이크로 반도체 칩(131)의 하부 표면인 제1 표면(S1)이 외부 물체와 접촉하고 마이크로 반도체 칩(131)의 상부 표면인 제2 표면(S2)이 외부 물체와 접촉하지 않도록 복수의 마이크로 반도체 칩(131)이 정렬될 수 있다.Referring to FIG. 5b, the micro semiconductor chip (131) may include a chip body (131a), a first electrode (131b), and a second electrode (131c). A passivation film may be formed on the upper portion of the chip body (131a). The micro semiconductor chip (131) may be configured to be easily aligned in one direction using a fluidic self assembly method. When a plurality of micro semiconductor chips (131) are aligned on an external object such as a substrate using a fluidic self assembly method, most or all of the plurality of micro semiconductor chips (131) may be aligned in the same direction. For example, the plurality of micro semiconductor chips (131) may be aligned such that the first surface (S1), which is a lower surface of the micro semiconductor chip (131), comes into contact with the external object, and the second surface (S2), which is an upper surface of the micro semiconductor chip (131), does not come into contact with the external object.
이를 위해, 마이크로 반도체 칩(131)의 제1 표면(S1)과 외부 접촉면 사이의 반데르발스 힘이 마이크로 반도체 칩(131)의 제2 표면(S2)과 외부 접촉면 사이의 반데르발스 힘보다 크도록 마이크로 반도체 칩(131)이 구성될 수 있다. 이 경우, 마이크로 반도체 칩(131)의 제1 표면(S1)과 외부 접촉면과 접촉하게 되면 상대적으로 쉽게 떨어지지 않는 반면, 마이크로 반도체 칩(131)의 제2 표면(S2)이 외부 접촉면과 접촉하게 되면 상대적으로 쉽게 떨어질 수 있다. 따라서, 마이크로 반도체 칩(131)을 정렬시킬 때, 마이크로 반도체 칩(131)의 제1 표면(S1)이 외부 접촉면과 접촉하도록 마이크로 반도체 칩(131)이 배치될 확률이 증가할 수 있다.To this end, the micro semiconductor chip (131) may be configured such that the van der Waals force between the first surface (S1) of the micro semiconductor chip (131) and the external contact surface is greater than the van der Waals force between the second surface (S2) of the micro semiconductor chip (131) and the external contact surface. In this case, when the first surface (S1) of the micro semiconductor chip (131) comes into contact with the external contact surface, it is relatively difficult to fall off, whereas when the second surface (S2) of the micro semiconductor chip (131) comes into contact with the external contact surface, it can be relatively easily fallen off. Therefore, when aligning the micro semiconductor chip (131), the probability that the micro semiconductor chip (131) is arranged such that the first surface (S1) of the micro semiconductor chip (131) comes into contact with the external contact surface may increase.
반데르발스 힘은 서로 접촉하는 두 물체가 서로 가깝게 밀착할수록 또는 서로 접촉하는 두 물체 사이의 접촉 면적이 넓을수록 더 커질 수 있다. 따라서, 실시예에 따르면, 마이크로 반도체 칩(131)의 제1 표면(S1)의 표면 거칠기는 마이크로 반도체 칩(131)의 제2 표면(S2)의 표면 거칠기보다 작을 수 있다. 결과적으로, 마이크로 반도체 칩(131)의 하부인 제1 표면(S1)에는 상대적으로 매우 매끄러운 표면이 형성되며, 마이크로 반도체 칩(131)의 상부인 제2 표면(S2)에는 상대적으로 울퉁불퉁 표면이 형성될 수 있다.The van der Waals force can become larger as two objects in contact with each other come into closer contact with each other or as the contact area between the two objects in contact with each other becomes larger. Therefore, according to an embodiment, the surface roughness of the first surface (S1) of the micro semiconductor chip (131) can be smaller than the surface roughness of the second surface (S2) of the micro semiconductor chip (131). As a result, a relatively very smooth surface can be formed on the first surface (S1) which is the lower portion of the micro semiconductor chip (131), and a relatively rough surface can be formed on the second surface (S2) which is the upper portion of the micro semiconductor chip (131).
또한, 마이크로 반도체 칩(131)의 제1 표면(S1)의 면적은 마이크로 반도체 칩(131)의 제2 표면(S2)의 면적보다 클 수 있다. 이를 위해, 마이크로 반도체 칩(131)의 제1 표면(S1)의 폭(W1)은 마이크로 반도체 칩(131)의 제2 표면(S2)의 폭(W2)보다 클 수 있다. 예를 들어, 제2 표면(S2)의 폭(W2)은 제1 표면(S1)의 폭(W1)의 0.7배 이상 1배 미만, 또는 0.8배 이상 0.95배 이하일 수 있다. 이에 따라, 마이크로 반도체 칩(131)의 측면은 경사진 형태를 가질 수 있다.In addition, the area of the first surface (S1) of the micro semiconductor chip (131) may be larger than the area of the second surface (S2) of the micro semiconductor chip (131). To this end, the width (W1) of the first surface (S1) of the micro semiconductor chip (131) may be larger than the width (W2) of the second surface (S2) of the micro semiconductor chip (131). For example, the width (W2) of the second surface (S2) may be 0.7 to 1 times, or 0.8 to 0.95 times, the width (W1) of the first surface (S1). Accordingly, the side surface of the micro semiconductor chip (131) may have an inclined shape.
도 6은 일 실시예에 따른 마이크로 반도체 칩 전사 장치를 나타낸 도면이다.FIG. 6 is a drawing showing a micro semiconductor chip transfer device according to one embodiment.
마이크로 반도체 칩 전사 장치(200)는 복수 개의 홈(110)이 상부에 형성된 전사 기판(120)이 안착되는 전사 헤드(180), 전사 헤드(180) 상의 전사 기판(120) 상부에 마이크로 반도체 칩(131)과 액체(132)를 포함하는 현탁액(130)을 공급하는 현탁액 공급 모듈(220), 및 전사 기판(120)을 스위핑하는 소수성 와이퍼(141)를 포함하는 정렬 바(140)를 포함할 수 있다.A micro semiconductor chip transfer device (200) may include a transfer head (180) on which a transfer substrate (120) having a plurality of grooves (110) formed on the upper portion is mounted, a suspension supply module (220) for supplying a suspension (130) containing a micro semiconductor chip (131) and a liquid (132) to the upper portion of the transfer substrate (120) on the transfer head (180), and an alignment bar (140) including a hydrophobic wiper (141) for sweeping the transfer substrate (120).
마이크로 반도체 칩 전사 장치(200)는 전사 기판 공급 모듈(210), 현탁액 공급 모듈(220), 칩 정렬 모듈(230)을 포함할 수 있다. 전사 기판 공급 모듈(210)은 마이크로 반도체 칩(131)을 전사하기 위한 전사 기판(120)과 전사 기판(120)이 안착되는 전사 헤드(180)를 공급할 수 있다.A micro semiconductor chip transfer device (200) may include a transfer substrate supply module (210), a suspension supply module (220), and a chip alignment module (230). The transfer substrate supply module (210) may supply a transfer substrate (120) for transferring a micro semiconductor chip (131) and a transfer head (180) on which the transfer substrate (120) is mounted.
현탁액 공급 모듈(220)은 마이크로 반도체 칩(131)과 액체(132)가 포함된 현탁액(130)을 포함하고, 현탁액(130)을 전사 기판(120)에 공급할 수 있다. 현탁액(130)은 계면활성제를 더 포함할 수 있다. 다른 대안으로 전사 기판(120) 상에 액체(132)를 공급하는 액체 공급 모듈과, 복수 개의 마이크로 반도체 칩(131)을 공급하는 칩 공급 모듈이 별도로 구비되는 것도 가능하다. 이 경우, 액체 공급 모듈은 액체 스프레이어, 액체 스프레더, 액체 디스펜서, 잉크젯 도트기 또는 액체 디퓨져 등을 포함할 수 있고, 칩 공급 모듈은 마이크로 반도체 칩을 전사 기판(120)에 뿌리거나 분산하는 등 다양한 방식으로 공급할 수 있다.The suspension supply module (220) includes a suspension (130) containing a micro semiconductor chip (131) and a liquid (132), and can supply the suspension (130) to the transfer substrate (120). The suspension (130) can further include a surfactant. Alternatively, a liquid supply module for supplying the liquid (132) onto the transfer substrate (120) and a chip supply module for supplying a plurality of micro semiconductor chips (131) may be separately provided. In this case, the liquid supply module may include a liquid sprayer, a liquid spreader, a liquid dispenser, an inkjet dot machine, or a liquid diffuser, and the chip supply module may supply the micro semiconductor chips on the transfer substrate (120) in various ways, such as by spraying or dispersing them.
칩 정렬 모듈(230)은 소수성 와이퍼(141)를 포함하는 정렬 바(140)를 이용하여 전사 기판(120)을 스위핑할 수 있다. 소수성 와이퍼(141)는 도 4b를 참조하여 설명한 바와 같다. 도 4b와 중복되는 내용은 생략한다.The chip alignment module (230) can sweep the transfer substrate (120) using an alignment bar (140) including a hydrophobic wiper (141). The hydrophobic wiper (141) is as described with reference to Fig. 4b. The overlapping content with Fig. 4b is omitted.
마이크로 반도체 칩 전사 장치(200)는 클리닝 모듈(240), 검사 모듈(250), 및 제어부(270)를 더 포함할 수 있다. The micro semiconductor chip transfer device (200) may further include a cleaning module (240), an inspection module (250), and a control unit (270).
클리닝 모듈(240)은 칩 정렬 모듈(230)에 의해 복수 개의 마이크로 반도체 칩(131)이 복수 개의 홈(110)에 정렬이 완료된 후, 홈(110) 내부에 정렬되지 않고 전사 기판(120)의 표면 상에 잔류하는 마이크로 반도체 칩(131)과 액체(132)를 클리닝하도록 구성될 수 있다. 클리닝 모듈(240)은 다양한 방식에 의해 더미 마이크로 반도체 칩을 제거할 수 있다. 클리닝 모듈(240)은 홈(110) 내부에 정렬되지 않은 마이크로 반도체 칩(131)과 액체(132)를 클리닝기 위한 친수성 재료의 흡수재(160)를 포함할 수 있다. 흡수재(160)를 이용한 클리닝은 도 4c를 참조하여 설명한 바와 같다.The cleaning module (240) may be configured to clean the micro semiconductor chips (131) and the liquid (132) that are not aligned inside the grooves (110) and remain on the surface of the transfer substrate (120) after the plurality of micro semiconductor chips (131) are aligned inside the grooves (110) by the chip alignment module (230). The cleaning module (240) may remove the dummy micro semiconductor chips by various methods. The cleaning module (240) may include an absorbent (160) of a hydrophilic material for cleaning the micro semiconductor chips (131) and the liquid (132) that are not aligned inside the grooves (110). Cleaning using the absorbent (160) is as described with reference to FIG. 4c.
검사 모듈(250)은 전사 기판(120)의 상태를 검사할 수 있다. 검사 모듈(250)은 고해상도 이미지 분석이 가능한 카메라일 수 있다. 검사 모듈(250)은 이미지 분석을 통해, 전사 기판(120)의 상태를 검사할 수 있다.The inspection module (250) can inspect the state of the transfer substrate (120). The inspection module (250) can be a camera capable of high-resolution image analysis. The inspection module (250) can inspect the state of the transfer substrate (120) through image analysis.
예를 들어, 검사 모듈(250)은 전사 기판(120) 상에서 마이크로 반도체 칩(131)의 정렬 상태를 검사할 수 있다. 검사 모듈(250)에 의한 검사 결과를 바탕으로, 제어부(260)는 현탁액 공급 모듈(220) 및 칩 정렬 모듈(230) 중 적어도 하나가 작동하도록 제어할 수 있다. 이를 통해, 복수의 마이크로 반도체 칩(131)의 정렬 정확도를 향상시킬 수 있다.For example, the inspection module (250) can inspect the alignment status of the micro semiconductor chip (131) on the transfer substrate (120). Based on the inspection result by the inspection module (250), the control unit (260) can control at least one of the suspension supply module (220) and the chip alignment module (230) to operate. Through this, the alignment accuracy of a plurality of micro semiconductor chips (131) can be improved.
예를 들어, 검사 모듈(250)에 의한 검사 결과, 전사 기판(120)의 홈(110) 중에서 마이크로 반도체 칩(131)이 누락된 홈(110)의 위치가 확인될 수 있다. 이 경우, 검사 모듈(250)에 의한 검사 결과를 바탕으로, 제어부(260)는 마이크로 반도체 칩(131)이 누락된 홈(110)의 위치를 중심으로 현탁액 공급 모듈(220) 및 칩 정렬 모듈(230) 중 적어도 하나가 작동하도록 제어할 수 있다. For example, as a result of the inspection by the inspection module (250), the location of a groove (110) in which a micro semiconductor chip (131) is missing among the grooves (110) of the transfer substrate (120) can be confirmed. In this case, based on the result of the inspection by the inspection module (250), the control unit (260) can control at least one of the suspension supply module (220) and the chip alignment module (230) to operate centered on the location of the groove (110) in which the micro semiconductor chip (131) is missing.
예를 들어, 검사 모듈(250)은 전사 기판(120) 상의 마이크로 반도체 칩(131) 및 액체(132)의 공급 상태를 검사할 수 있다. 예를 들어, 검사 모듈(250)은 전사 기판(120) 상에 액체(132)가 존재하는지, 액체(132)가 존재하더라도 충분한지 여부를 검사할 수 있다. 예를 들어, 검사 모듈(250)은 전사 기판(120) 상에 마이크로 반도체 칩(131)이 존재하는지, 마이크로 반도체 칩(131)이 존재하더라도 충분한지 여부를 검사할 수 있다. 검사 모듈(250)에 의한 검사 결과를 바탕으로, 제어부(260)는 현탁액 공급 모듈(220)이 작동하도록 제어할 수 있다.For example, the inspection module (250) can inspect the supply status of the micro semiconductor chip (131) and the liquid (132) on the transfer substrate (120). For example, the inspection module (250) can inspect whether the liquid (132) exists on the transfer substrate (120) and whether the liquid (132) is sufficient even if it exists. For example, the inspection module (250) can inspect whether the micro semiconductor chip (131) exists on the transfer substrate (120) and whether the micro semiconductor chip (131) is sufficient even if it exists. Based on the inspection result by the inspection module (250), the control unit (260) can control the suspension supply module (220) to operate.
이와 같이, 제어부(260)는 검사 모듈(250)의 검사 결과를 기초로, 현탁액 공급 모듈(220)을 작동하도록 제어함으로써, 복수의 마이크로 반도체 칩(131)의 정렬 정확도를 향상시킬 수 있다.In this way, the control unit (260) can improve the alignment accuracy of a plurality of micro semiconductor chips (131) by controlling the suspension supply module (220) to operate based on the inspection results of the inspection module (250).
도 7은 전사 기판에 마이크로 반도체 칩이 정렬된 상태의 일 예를 도시한 것이다.Figure 7 illustrates an example of a state in which micro semiconductor chips are aligned on a transfer substrate.
앞서 설명한 마이크로 반도체 칩의 전사 방법에 따라 전사된 마이크로 반도체 칩(331)은 전사 기판(320)의 홈(310)에 불규칙적이고 랜덤하게 배열될 수 있다. 기존의 스탬핑 방식에 따라 정렬된 마이크로 반도체 칩은 전사 기판의 홈에 배치되는 위치가 규칙적인데 반해, 본 명세서의 실시예들에 따라 정렬된 마이크로 반도체 칩(331)은 전사 기판(320)의 홈(310)에 배치되는 위치가 불규칙적일 수 있다. 한편, 마이크로 반도체 칩(331)의 전사가 완료되고, 홈(310)에 배열되지 않은 더미 마이크로 반도체 칩이 제거된 후, 깨끗한 흡수재로 전사 기판을 1회 이상 스위핑하여 불규칙적으로 배열된 마이크로 반도체 칩의 불규칙성을 줄일 수 있다.According to the transfer method of the micro semiconductor chip described above, the transferred micro semiconductor chip (331) can be arranged irregularly and randomly in the groove (310) of the transfer substrate (320). While the micro semiconductor chip aligned according to the conventional stamping method is arranged in the groove of the transfer substrate at a regular position, the micro semiconductor chip (331) aligned according to the embodiments of the present specification can be arranged in the groove (310) of the transfer substrate at an irregular position. Meanwhile, after the transfer of the micro semiconductor chip (331) is completed and the dummy micro semiconductor chip that is not arranged in the groove (310) is removed, the irregularity of the irregularly arranged micro semiconductor chip can be reduced by sweeping the transfer substrate at least once with a clean absorbent.
도 8a 내지 도 8c는 다른 실시예에 따른 마이크로 반도체 칩의 전사 방법을 보이는 도면이다.FIGS. 8A to 8C are drawings showing a method of transferring a micro semiconductor chip according to another embodiment.
도 8a를 참조하면, 전사 헤드(180) 상에 복수 개의 홈(110)을 포함하는 전사 기판(120)을 준비할 수 있다. 전사 기판(120)의 상부 표면에, 복수의 홈(110) 사이의 영역에 형성된 다수의 볼록 패턴(124)으로 이루어진 표면 에너지 감소 패턴을 포함할 수 있다. 볼록 패턴(124)은 도 2c의 볼록 패턴(124)과 동일할 수 있다.Referring to FIG. 8a, a transfer substrate (120) including a plurality of grooves (110) can be prepared on a transfer head (180). The upper surface of the transfer substrate (120) can include a surface energy reduction pattern composed of a plurality of convex patterns (124) formed in an area between the plurality of grooves (110). The convex patterns (124) can be the same as the convex patterns (124) of FIG. 2c.
도 8b를 참조하면, 소수성 와이퍼(141)를 포함하는 정렬 바(140)를 사용하여 전사 기판(120) 상부 표면을 스위핑할 수 있다. Referring to FIG. 8b, the upper surface of the transfer substrate (120) can be swept using an alignment bar (140) including a hydrophobic wiper (141).
도 8c를 참조하면, 친수성 재료의 흡수재(160)로 전사 기판(120)을 스위핑하여, 홈(110) 내부에 정렬되지 않은 마이크로 반도체 칩(131)과 남은 액체(132)를 클리닝할 수 있다.Referring to FIG. 8c, by sweeping the transfer substrate (120) with an absorbent material (160) of a hydrophilic material, the micro semiconductor chips (131) that are not aligned inside the groove (110) and the remaining liquid (132) can be cleaned.
도 8a 내지 도 8c의 실시예에 따른 마이크로 반도체 칩의 전사 방법은 전사 기판(120)이 볼록 패턴(124)을 포함하는 점을 제외하고는 도 4a 내지 도 4c를 참조하여 설명한 마이크로 반도체 칩의 전사 방법과 동일할 수 있다.The transfer method of the micro semiconductor chip according to the embodiment of FIGS. 8a to 8c may be the same as the transfer method of the micro semiconductor chip described with reference to FIGS. 4a to 4c, except that the transfer substrate (120) includes a convex pattern (124).
도 9는 일 실시예에 따른 디스플레이 전사 구조물을 포함하는 전자 장치의 블록도를 나타낸 것이다. FIG. 9 illustrates a block diagram of an electronic device including a display transfer structure according to one embodiment.
도 9를 참조하면, 네트워크 환경(8200) 내에 전자 장치(8201)가 구비될 수 있다. 네트워크 환경(8200)에서 전자 장치(8201)는 제1 네트워크(8298)(근거리 무선 통신 네트워크 등)를 통하여 다른 전자 장치(8202)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(8299)(원거리 무선 통신 네트워크 등)를 통하여 또 다른 전자 장치(8204) 및/또는 서버(8208)와 통신할 수 있다. 전자 장치(8201)는 서버(8208)를 통하여 전자 장치(8204)와 통신할 수 있다. 전자 장치(8201)는 프로세서(8220), 메모리(8230), 입력 장치(8250), 음향 출력 장치(8255), 디스플레이 장치(8260), 오디오 모듈(8270), 센서 모듈(8276), 인터페이스(8277), 햅틱 모듈(8279), 카메라 모듈(8280), 전력 관리 모듈(8288), 배터리(8289), 통신 모듈(8290), 가입자 식별 모듈(8296), 및/또는 안테나 모듈(8297)을 포함할 수 있다. 전자 장치(8201)에는, 이 구성요소들 중 일부가 생략되거나, 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 이 구성요소들 중 일부는 하나의 통합된 회로로 구현될 수 있다. 예를 들면, 센서 모듈(8276)(지문 센서, 홍채 센서, 조도 센서 등)은 디스플레이 장치(8260)(디스플레이 등)에 임베디드되어 구현될 수 있다.Referring to FIG. 9, an electronic device (8201) may be provided in a network environment (8200). In the network environment (8200), the electronic device (8201) may communicate with another electronic device (8202) via a first network (8298) (such as a short-range wireless communication network), or may communicate with another electronic device (8204) and/or a server (8208) via a second network (8299) (such as a long-range wireless communication network). The electronic device (8201) may communicate with the electronic device (8204) via the server (8208). The electronic device (8201) may include a processor (8220), a memory (8230), an input device (8250), an audio output device (8255), a display device (8260), an audio module (8270), a sensor module (8276), an interface (8277), a haptic module (8279), a camera module (8280), a power management module (8288), a battery (8289), a communication module (8290), a subscriber identification module (8296), and/or an antenna module (8297). Some of these components may be omitted or other components may be added to the electronic device (8201). Some of these components may be implemented as a single integrated circuit. For example, the sensor module (8276) (such as a fingerprint sensor, an iris sensor, or an ambient light sensor) may be implemented embedded in the display device (8260) (such as a display).
프로세서(8220)는, 소프트웨어(프로그램(8240) 등)를 실행하여 프로세서(8220)에 연결된 전자 장치(8201) 중 하나 또는 복수개의 다른 구성요소들(하드웨어, 소프트웨어 구성요소 등)을 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 데이터 처리 또는 연산의 일부로, 프로세서(8220)는 다른 구성요소(센서 모듈(8276), 통신 모듈(8290) 등)로부터 수신된 명령 및/또는 데이터를 휘발성 메모리(8232)에 로드하고, 휘발성 메모리(8232)에 저장된 명령 및/또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(8234)에 저장할 수 있다. 프로세서(8220)는 메인 프로세서(8221)(중앙 처리 장치, 어플리케이션 프로세서 등) 및 이와 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(8223)(그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 커뮤니케이션 프로세서 등)를 포함할 수 있다. 보조 프로세서(8223)는 메인 프로세서(8221)보다 전력을 작게 사용하고, 특화된 기능을 수행할 수 있다. The processor (8220) may execute software (e.g., a program (8240)) to control one or more other components (e.g., hardware, software components) of the electronic devices (8201) connected to the processor (8220) and perform various data processing or calculations. As part of the data processing or calculations, the processor (8220) may load commands and/or data received from other components (e.g., a sensor module (8276), a communication module (8290)) into a volatile memory (8232), process the commands and/or data stored in the volatile memory (8232), and store result data in a non-volatile memory (8234). The processor (8220) may include a main processor (8221) (a central processing unit, an application processor, etc.) and a secondary processor (8223) (a graphics processing unit, an image signal processor, a sensor hub processor, a communication processor, etc.) that may operate independently or together therewith. The auxiliary processor (8223) uses less power than the main processor (8221) and can perform specialized functions.
보조 프로세서(8223)는, 메인 프로세서(8221)가 인액티브 상태(슬립 상태)에 있는 동안 메인 프로세서(8221)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(8221)가 액티브 상태(어플리케이션 실행 상태)에 있는 동안 메인 프로세서(8221)와 함께, 전자 장치(8201)의 구성요소들 중 일부 구성요소(디스플레이 장치(8260), 센서 모듈(8276), 통신 모듈(8290) 등)와 관련된 기능 및/또는 상태를 제어할 수 있다. 보조 프로세서(8223)(이미지 시그널 프로세서, 커뮤니케이션 프로세서 등)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성 요소(카메라 모듈(8280), 통신 모듈(8290) 등)의 일부로서 구현될 수도 있다. The auxiliary processor (8223) may control functions and/or states related to some of the components of the electronic device (8201) (such as the display device (8260), the sensor module (8276), and the communication module (8290)) on behalf of the main processor (8221) while the main processor (8221) is in an inactive state (sleep state) or together with the main processor (8221) while the main processor (8221) is in an active state (application execution state). The auxiliary processor (8223) (such as the image signal processor, the communication processor) may also be implemented as a part of other functionally related components (such as the camera module (8280), the communication module (8290)).
메모리(2230)는, 전자 장치(8201)의 구성요소(프로세서(8220), 센서모듈(8276) 등)가 필요로 하는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(프로그램(8240) 등) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 및/또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(8230)는, 휘발성 메모리(8232) 및/또는 비휘발성 메모리(8234)를 포함할 수 있다.The memory (2230) can store various data required by components of the electronic device (8201) (processor (8220), sensor module (8276), etc.). The data can include, for example, input data and/or output data for software (program (8240), etc.) and commands related thereto. The memory (8230) can include volatile memory (8232) and/or nonvolatile memory (8234).
프로그램(8240)은 메모리(8230)에 소프트웨어로 저장될 수 있으며, 운영 체제(8242), 미들 웨어(8244) 및/또는 어플리케이션(8246)을 포함할 수 있다. The program (8240) may be stored as software in memory (8230) and may include an operating system (8242), middleware (8244), and/or applications (8246).
입력 장치(8250)는, 전자 장치(8201)의 구성요소(프로세서(8220) 등)에 사용될 명령 및/또는 데이터를 전자 장치(8201)의 외부(사용자 등)로부터 수신할 수 있다. 입력 장치(8250)는, 리모트 컨트롤러, 마이크, 마우스, 키보드, 및/또는 디지털 펜(스타일러스 펜 등)을 포함할 수 있다. The input device (8250) can receive commands and/or data to be used in components of the electronic device (8201, such as the processor (8220)) from an external source (such as a user) of the electronic device (8201). The input device (8250) can include a remote controller, a microphone, a mouse, a keyboard, and/or a digital pen (such as a stylus pen).
음향 출력 장치(8255)는 음향 신호를 전자 장치(8201)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 장치(8255)는, 스피커 및/또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있고, 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 리시버는 스피커의 일부로 결합되어 있거나 또는 독립된 별도의 장치로 구현될 수 있다.The audio output device (8255) can output an audio signal to the outside of the electronic device (8201). The audio output device (8255) can include a speaker and/or a receiver. The speaker can be used for general purposes such as multimedia playback or recording playback, and the receiver can be used to receive an incoming call. The receiver can be combined as a part of the speaker or implemented as an independent, separate device.
디스플레이 장치(8260)는 전자 장치(8201)의 외부로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 장치(8260)는, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 디스플레이 장치(8260)는 도 1 내지 도 4c 및 도 8a 내지 도 8c를 참조하여 설명한 제조 방법에 의해 제조될 수 있다. 디스플레이 장치(8260)는 터치를 감지하도록 설정된 터치 회로(Touch Circuitry), 및/또는 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 센서 회로(압력 센서 등)를 포함할 수 있다.The display device (8260) can visually provide information to the outside of the electronic device (8201). The display device (8260) can include a display, a holographic device, or a projector and a control circuit for controlling the device. The display device (8260) can be manufactured by the manufacturing method described with reference to FIGS. 1 to 4C and FIGS. 8A to 8C. The display device (8260) can include a touch circuitry configured to detect a touch, and/or a sensor circuitry (such as a pressure sensor) configured to measure the intensity of a force generated by a touch.
오디오 모듈(8270)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 오디오 모듈(8270)은, 입력 장치(8250)를 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 장치(8255), 및/또는 전자 장치(8201)와 직접 또는 무선으로 연결된 다른 전자 장치(전자 장치(8102) 등)의 스피커 및/또는 헤드폰을 통해 소리를 출력할 수 있다.The audio module (8270) can convert sound into an electrical signal, or vice versa. The audio module (8270) can acquire sound through an input device (8250), or output sound through speakers and/or headphones of an audio output device (8255), and/or another electronic device (such as an electronic device (8102)) directly or wirelessly connected to the electronic device (8201).
센서 모듈(8276)은 전자 장치(8201)의 작동 상태(전력, 온도 등), 또는 외부의 환경 상태(사용자 상태 등)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 및/또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 센서 모듈(8276)은, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(Infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 및/또는 조도 센서를 포함할 수 있다. The sensor module (8276) can detect the operating status (power, temperature, etc.) of the electronic device (8201) or the external environmental status (user status, etc.) and generate an electric signal and/or data value corresponding to the detected status. The sensor module (8276) can include a gesture sensor, a gyro sensor, a barometric pressure sensor, a magnetic sensor, an acceleration sensor, a grip sensor, a proximity sensor, a color sensor, an IR (Infrared) sensor, a biometric sensor, a temperature sensor, a humidity sensor, and/or an illuminance sensor.
인터페이스(8277)는 전자 장치(8201)가 다른 전자 장치(전자 장치(8102) 등)와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 인터페이스(8277)는, HDMI(High Definition Multimedia Interface), USB(Universal Serial Bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.The interface (8277) may support one or more designated protocols that may be used to allow the electronic device (8201) to connect directly or wirelessly with another electronic device (such as the electronic device (8102)). The interface (8277) may include a High Definition Multimedia Interface (HDMI), a Universal Serial Bus (USB) interface, an SD card interface, and/or an audio interface.
연결 단자(8278)는, 전자 장치(8201)가 다른 전자 장치(전자 장치(8102) 등)와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 연결 단자(8278)는, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 및/또는 오디오 커넥터(헤드폰 커넥터 등)를 포함할 수 있다.The connection terminal (8278) may include a connector that allows the electronic device (8201) to be physically connected to another electronic device (such as the electronic device (8102)). The connection terminal (8278) may include an HDMI connector, a USB connector, an SD card connector, and/or an audio connector (such as a headphone connector).
햅틱 모듈(8279)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(진동, 움직임 등) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 햅틱 모듈(8279)은, 모터, 압전 소자, 및/또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.The haptic module (8279) can convert electrical signals into mechanical stimuli (vibration, movement, etc.) or electrical stimuli that a user can perceive through tactile or kinesthetic senses. The haptic module (8279) can include a motor, a piezoelectric element, and/or an electrical stimulation device.
카메라 모듈(8280)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 카메라 모듈(8280)은 하나 이상의 렌즈를 포함하는 렌즈 어셈블리, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 및/또는 플래시들을 포함할 수 있다. 카메라 모듈(8280)에 포함된 렌즈 어셈블리는 이미지 촬영의 대상인 피사체로부터 방출되는 빛을 수집할 수 있다.The camera module (8280) can capture still images and moving images. The camera module (8280) can include a lens assembly including one or more lenses, image sensors, image signal processors, and/or flashes. The lens assembly included in the camera module (8280) can collect light emitted from a subject that is a target of image capture.
전력 관리 모듈(8288)은 전자 장치(8201)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 전력 관리 모듈(8388)은, PMIC(Power Management Integrated Circuit)의 일부로서 구현될 수 있다.The power management module (8288) can manage power supplied to the electronic device (8201). The power management module (8388) can be implemented as a part of a PMIC (Power Management Integrated Circuit).
배터리(8289)는 전자 장치(8201)의 구성 요소에 전력을 공급할 수 있다. 배터리(8289)는, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 및/또는 연료 전지를 포함할 수 있다.A battery (8289) may power components of the electronic device (8201). The battery (8289) may include a non-rechargeable primary battery, a rechargeable secondary battery, and/or a fuel cell.
통신 모듈(8290)은 전자 장치(8201)와 다른 전자 장치(전자 장치(8102), 전자 장치(8104), 서버(8108) 등)간의 직접(유선) 통신 채널 및/또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(8290)은 프로세서(8220)(어플리케이션 프로세서 등)와 독립적으로 운영되고, 직접 통신 및/또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 통신 모듈(8290)은 무선 통신 모듈(8292)(셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, GNSS(Global Navigation Satellite System 등) 통신 모듈) 및/또는 유선 통신 모듈(8294)(LAN(Local Area Network) 통신 모듈, 전력선 통신 모듈 등)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(8298)(블루투스, WiFi Direct 또는 IrDA(Infrared Data Association) 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(8299)(셀룰러 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(LAN, WAN 등)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 다른 전자 장치와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성 요소(단일 칩 등)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성 요소들(복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(8292)은 가입자 식별 모듈(8296)에 저장된 가입자 정보(국제 모바일 가입자 식별자(IMSI) 등)를 이용하여 제1 네트워크(8298) 및/또는 제2 네트워크(8299)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(8201)를 확인 및 인증할 수 있다.The communication module (8290) can support establishment of a direct (wired) communication channel and/or a wireless communication channel between the electronic device (8201) and other electronic devices (such as the electronic device (8102), the electronic device (8104), the server (8108), etc.), and performance of communication through the established communication channel. The communication module (8290) can operate independently from the processor (8220) (such as an application processor) and can include one or more communication processors that support direct communication and/or wireless communication. The communication module (8290) can include a wireless communication module (8292) (such as a cellular communication module, a short-range wireless communication module, a GNSS (Global Navigation Satellite System), etc.) communication module) and/or a wired communication module (8294) (such as a LAN (Local Area Network) communication module, a power line communication module, etc.). Any of these communication modules may communicate with other electronic devices via a first network (8298) (a short-range communication network such as Bluetooth, WiFi Direct, or Infrared Data Association (IrDA)) or a second network (8299) (a long-range communication network such as a cellular network, the Internet, or a computer network (LAN, WAN, etc.)). These various types of communication modules may be integrated into a single component (such as a single chip) or implemented as multiple separate components (multiple chips). The wireless communication module (8292) may use subscriber information (such as an international mobile subscriber identity (IMSI)) stored in the subscriber identification module (8296) to identify and authenticate the electronic device (8201) within a communication network such as the first network (8298) and/or the second network (8299).
안테나 모듈(8297)은 신호 및/또는 전력을 외부(다른 전자 장치 등)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 안테나는 기판(PCB 등) 위에 형성된 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함할 수 있다. 안테나 모듈(8297)은 하나 또는 복수의 안테나들을 포함할 수 있다. 복수의 안테나가 포함된 경우, 통신 모듈(8290)에 의해 복수의 안테나들 중에서 제1 네트워크(8298) 및/또는 제2 네트워크(8299)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 안테나가 선택될 수 있다. 선택된 안테나를 통하여 통신 모듈(8290)과 다른 전자 장치 간에 신호 및/또는 전력이 송신되거나 수신될 수 있다. 안테나 외에 다른 부품(RFIC 등)이 안테나 모듈(8297)의 일부로 포함될 수 있다.The antenna module (8297) can transmit signals and/or power to or receive signals from the outside (such as other electronic devices). The antenna can include a radiator formed of a conductive pattern formed on a substrate (such as a PCB). The antenna module (8297) can include one or more antennas. When multiple antennas are included, an antenna suitable for a communication method used in a communication network, such as the first network (8298) and/or the second network (8299), can be selected from among the multiple antennas by the communication module (8290). Signals and/or power can be transmitted or received between the communication module (8290) and the other electronic device through the selected antenna. In addition to the antenna, other components (such as an RFIC) can be included as part of the antenna module (8297).
구성요소들 중 일부는 주변 기기들간 통신 방식(버스, GPIO(General Purpose Input and Output), SPI(Serial Peripheral Interface), MIPI(Mobile Industry Processor Interface) 등)을 통해 서로 연결되고 신호(명령, 데이터 등)를 상호 교환할 수 있다.Some of the components can be connected to each other and exchange signals (commands, data, etc.) through communication methods between peripheral devices (bus, GPIO (General Purpose Input and Output), SPI (Serial Peripheral Interface), MIPI (Mobile Industry Processor Interface), etc.).
명령 또는 데이터는 제2 네트워크(8299)에 연결된 서버(8108)를 통해서 전자 장치(8201)와 외부의 전자 장치(8204)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 다른 전자 장치들(8202, 8204)은 전자 장치(8201)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 전자 장치(8201)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 다른 전자 장치들(8202, 8204, 8208) 중 하나 이상의 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(8201)가 어떤 기능이나 서비스를 수행해야 할 때, 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 하나 이상의 다른 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 일부 또는 전체를 수행하라고 요청할 수 있다. 요청을 수신한 하나 이상의 다른 전자 장치들은 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(8201)로 전달할 수 있다. 이를 위하여, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 및/또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다.Commands or data may be transmitted or received between the electronic device (8201) and an external electronic device (8204) via a server (8108) connected to a second network (8299). The other electronic devices (8202, 8204) may be the same or different types of devices as the electronic device (8201). All or part of the operations executed in the electronic device (8201) may be executed in one or more of the other electronic devices (8202, 8204, 8208). For example, when the electronic device (8201) needs to perform a certain function or service, instead of executing the function or service itself, it may request one or more other electronic devices to perform the function or part or all of the service. One or more other electronic devices that receive the request may execute additional functions or services related to the request and transmit the results of the execution to the electronic device (8201). To this end, cloud computing, distributed computing, and/or client-server computing technologies may be used.
도 10은 일 실시예에 따른 전자 장치가 모바일 장치에 적용된 예를 도시한 것이다. 모바일 장치(9100)는 디스플레이 장치(9110)를 포함할 수 있으며, 디스플레이 장치(9110)는 디스플레이 전사 구조물을 포함할 수 있다. 디스플레이 장치(9110)는 접힐 수 있는 구조 예를 들어, 다중 폴더블 구조를 가질 수 있다.FIG. 10 illustrates an example of an electronic device according to one embodiment being applied to a mobile device. The mobile device (9100) may include a display device (9110), and the display device (9110) may include a display transfer structure. The display device (9110) may have a foldable structure, for example, a multi-foldable structure.
도 11은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치가 자동차에 적용된 예를 도시한 것이다. 디스플레이 장치는 자동차용 헤드업 디스플레이 장치(9200)일 수 있으며, 자동차의 일 영역에 구비된 디스플레이(9210)와, 디스플레이(9210)에서 생성된 영상을 운전자가 볼 수 있도록 광 경로를 변환하는 광경로 변경 부재(9220)를 포함할 수 있다.Fig. 11 illustrates an example of a display device according to one embodiment being applied to a vehicle. The display device may be a head-up display device (9200) for a vehicle, and may include a display (9210) provided in one area of the vehicle, and an optical path changing member (9220) that changes an optical path so that the driver can view an image generated by the display (9210).
도 12는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치가 증강 현실 안경 또는 가상 현실 안경에 적용된 예를 도시한 것이다. 증강 현실 안경(9300)은 영상을 형성하는 투영 시스템(9310)과, 투영 시스템(9310)으로부터의 영상을 사용자의 눈에 들어가도록 안내하는 요소(9320)를 포함할 수 있다. 투영 시스템(9310)은 디스플레이 전사 구조물을 포함할 수 있다.FIG. 12 illustrates an example of a display device according to one embodiment being applied to augmented reality glasses or virtual reality glasses. The augmented reality glasses (9300) may include a projection system (9310) that forms an image, and an element (9320) that guides the image from the projection system (9310) to enter the user's eyes. The projection system (9310) may include a display transfer structure.
도 13은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치가 대형 사이니지(signage)에 적용된 예를 도시한 것이다. 사이니지(9400)는 디지털 정보 디스플레이를 이용한 옥외 광고에 이용될 수 있으며, 통신망을 통해 광고 내용 등을 제어할 수 있다. 사이니지(9400)는 예를 들어, 도 9를 참조하여 설명한 전자 장치를 통해 구현될 수 있다.Fig. 13 illustrates an example in which a display device according to one embodiment is applied to a large signage. The signage (9400) can be used for outdoor advertising using a digital information display, and can control advertising content, etc. through a communication network. The signage (9400) can be implemented, for example, through an electronic device described with reference to Fig. 9.
도 14는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치가 웨어러블 디스플레이에 적용된 예를 도시한 것이다. 웨어러블 디스플레이(9500)는 디스플레이 전사 구조물을 포함할 수 있고, 도 9을 참조하여 설명한 전자 장치를 통해 구현될 수 있다.FIG. 14 illustrates an example in which a display device according to one embodiment is applied to a wearable display. The wearable display (9500) may include a display transfer structure and may be implemented through an electronic device described with reference to FIG. 9.
본 개시의 마이크로 반도체 칩 전사 방법 및 마이크로 반도체 칩 전사 장치는 소수성 와이퍼를 사용하여 마이크로 반도체 칩을 정렬함으로써 전사 수율을 높일 수 있다. 마이크로 반도체 칩 전사 방법 및 마이크로 반도체 칩 전사 장치는 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 권리범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 권리범위에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.The micro semiconductor chip transfer method and the micro semiconductor chip transfer device of the present disclosure can increase the transfer yield by aligning the micro semiconductor chip using a hydrophobic wiper. Although the micro semiconductor chip transfer method and the micro semiconductor chip transfer device have been described with reference to the embodiments illustrated in the drawings, these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the disclosed embodiments should be considered in an illustrative rather than a restrictive sense. The scope of the rights is set forth in the claims, not the foregoing description, and all differences within a scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the rights.
110, 310, 1100.....홈
120, 120a, 320, 1200.....전사 기판
121.....베이스 기판
122.....가이드 몰드
123.....몸체
124.....볼록 패턴
130.....현탁액
131, 331, 1300.....마이크로 반도체 칩
132.....액체
140.....정렬 바
141.....소수성 와이퍼
142.....제1 지지대
160.....흡수재
170.....제2 지지대
180.....전사 헤드
200.....마이크로 반도체 칩 전사 장치110, 310, 1100.....Home
120, 120a, 320, 1200.....Transmission board
121.....base board
122.....Guide Mold
123.....body
124.....convex pattern
130.....suspension
131, 331, 1300.....micro semiconductor chips
132.....liquid
140.....sort bar
141.....Hydrophobic wiper
142.....1st support
160.....absorbent
170.....2nd support
180.....Warrior Head
200.....Micro semiconductor chip transfer device
Claims (20)
상기 전사 기판 상부에 복수의 마이크로 반도체 칩과 액체를 포함하는 현탁액을 공급하는 단계; 및
소수성 와이퍼를 포함하는 정렬 바(align bar)를 사용하여 상기 현탁액을 포함하는 상기 전사 기판의 상부 표면을 스위핑하여, 상기 마이크로 반도체 칩을 상기 홈 내부로 정렬하는 단계;를 포함하는, 마이크로 반도체 칩 전사 방법.A step of preparing a transfer substrate including a plurality of grooves on the upper part;
A step of supplying a suspension containing a plurality of micro semiconductor chips and a liquid onto the upper portion of the transfer substrate; and
A micro semiconductor chip transfer method, comprising: a step of sweeping the upper surface of the transfer substrate including the suspension using an align bar including a hydrophobic wiper to align the micro semiconductor chip into the groove.
상기 소수성 와이퍼는 극성 용매에 용해되지 않는 재료를 포함하는, 마이크로 반도체 칩 전사 방법.In the first paragraph,
A micro semiconductor chip transfer method, wherein the hydrophobic wiper comprises a material that does not dissolve in a polar solvent.
상기 소수성 와이퍼는 테플론 또는 나일론을 포함하는, 마이크로 반도체 칩 전사 방법.In the first paragraph,
A micro semiconductor chip transfer method, wherein the hydrophobic wiper comprises Teflon or nylon.
상기 소수성 와이퍼의 형태는 멤브레인 필터, 일반 필터, 메쉬, 시트, 또는 얇은 박막(thin film)의 형태인, 마이크로 반도체 칩 전사 방법.In the first paragraph
A micro semiconductor chip transfer method, wherein the form of the hydrophobic wiper is a membrane filter, a general filter, a mesh, a sheet, or a thin film.
상기 소수성 와이퍼의 체눈의 크기는 100㎛ 이하인, 마이크로 반도체 칩 전사 방법.In the fourth paragraph,
A micro semiconductor chip transfer method, wherein the mesh size of the hydrophobic wiper is 100㎛ or less.
상기 액체는 물, 에탄올, 알코올, 폴리올, 케톤, 할로카본, 아세톤, 플럭스(flux), 및 유기 솔벤트(solvent)를 포함하는 그룹 중 하나 또는 복수의 조합을 포함하는, 마이크로 반도체 칩 전사 방법.In the first paragraph,
A method for transferring a micro semiconductor chip, wherein the liquid comprises one or a combination of a plurality of liquids selected from the group consisting of water, ethanol, alcohol, polyol, ketone, halocarbon, acetone, flux, and organic solvent.
상기 현탁액은, 계면활성제를 더 포함하는, 마이크로 반도체 칩 전사 방법.In Article 6,
A micro semiconductor chip transfer method, wherein the suspension further contains a surfactant.
상기 현탁액을 공급하는 단계는, 스프레이 방법, 디스펜싱 방법, 잉크젯 도트 방법, 또는 상기 현탁액을 상기 전사 기판에 흘려 보내는 방법을 포함하는, 마이크로 반도체 칩 전사 방법.In the first paragraph,
A micro semiconductor chip transfer method, wherein the step of supplying the suspension includes a spraying method, a dispensing method, an inkjet dot method, or a method of flowing the suspension onto the transfer substrate.
상기 소수성 와이퍼를 포함하는 정렬 바를 사용하여 상기 전사 기판의 상부 표면을 스위핑하는 단계는, 상기 소수성 와이퍼의 왕복 운동, 병진 운동, 회전 운동, 롤링 운동, 러빙, 또는 스피닝을 포함하는, 마이크로 반도체 칩 전사 방법.In the first paragraph,
A method for transferring a micro semiconductor chip, wherein the step of sweeping the upper surface of the transfer substrate using an alignment bar including the hydrophobic wiper includes reciprocating motion, translational motion, rotational motion, rolling motion, rubbing, or spinning of the hydrophobic wiper.
상기 소수성 와이퍼를 포함하는 정렬 바를 사용하여 상기 전사 기판의 상부 표면을 스위핑하는 단계는, 상기 전사 기판이 안착된 전사 헤드를 움직이기 위한 상기 전사 기판의 왕복 운동, 회전 운동, 병진 운동, 롤링 운동, 러빙 또는 스피닝을 포함하는, 마이크로 반도체 칩 전사 방법.In the first paragraph,
A method for transferring a micro semiconductor chip, wherein the step of sweeping the upper surface of the transfer substrate using an alignment bar including the hydrophobic wiper includes reciprocating motion, rotational motion, translational motion, rolling motion, rubbing or spinning of the transfer substrate to move a transfer head on which the transfer substrate is mounted.
상기 소수성 와이퍼를 포함하는 정렬 바를 사용하여 상기 전사 기판의 상부 표면을 스위핑하는 단계를 통해, 상기 복수의 마이크로 반도체 칩들이 상기 홈 안에 동일한 방향으로 정렬되는, 마이크로 반도체 칩 전사 방법.In the first paragraph,
A micro semiconductor chip transfer method, wherein the plurality of micro semiconductor chips are aligned in the same direction within the groove through a step of sweeping the upper surface of the transfer substrate using an alignment bar including the hydrophobic wiper.
상기 복수의 마이크로 반도체 칩들은 각각 전극을 포함하는 제1 표면 및 전극이 없는 제2 표면을 포함하고, 상기 홈 안에 정렬된 복수의 마이크로 반도체 칩들은 상기 제2 표면이 상기 홈의 바닥을 향하게 정렬되는, 마이크로 칩 전사 방법.In Article 11,
A microchip transfer method, wherein each of the plurality of micro semiconductor chips includes a first surface including an electrode and a second surface without an electrode, and the plurality of micro semiconductor chips aligned in the groove are aligned such that the second surface faces the bottom of the groove.
친수성 재료의 흡수재로 상기 전사 기판을 스위핑하여, 상기 홈 내부에 정렬되지 않은 마이크로 반도체 칩과 남은 액체를 클리닝하는 단계를 더 포함하는, 마이크로 반도체 칩 전사 방법.In the first paragraph,
A micro semiconductor chip transfer method further comprising a step of cleaning unaligned micro semiconductor chips and remaining liquid within the groove by sweeping the transfer substrate with an absorbent of a hydrophilic material.
상기 흡수재로 상기 전사 기판을 클리닝하는 단계는, 상기 흡수재의 왕복 운동, 병진 운동, 회전 운동, 롤링 운동, 러빙, 또는 스피닝을 포함하는, 마이크로 반도체 칩 전사 방법.In Article 13,
A method for transferring a micro semiconductor chip, wherein the step of cleaning the transfer substrate with the absorbent material includes reciprocating motion, translational motion, rotational motion, rolling motion, rubbing, or spinning of the absorbent material.
상기 전사 헤드 상의 전사 기판 상부에 마이크로 반도체 칩과 액체를 포함하는 현탁액을 공급하는 현탁액 공급 모듈; 및
상기 전사 기판을 스위핑하는 소수성 와이퍼를 포함하는 정렬 바(align bar);를 포함하는, 마이크로 반도체 칩 전사 장치.A transfer head on which a transfer substrate having a plurality of grooves formed on the upper side is mounted;
A suspension supply module for supplying a suspension containing a micro semiconductor chip and a liquid to the upper portion of the transfer substrate on the transfer head; and
A micro semiconductor chip transfer device, comprising: an align bar including a hydrophobic wiper for sweeping the transfer substrate;
상기 소수성 와이퍼는 극성 용매에 용해되지 않는 재료를 포함하는, 마이크로 반도체 칩 전사 장치.In Article 15,
A micro semiconductor chip transfer device, wherein the hydrophobic wiper comprises a material that does not dissolve in a polar solvent.
상기 소수성 와이퍼는 테플론 또는 나일론을 포함하는, 마이크로 반도체 칩 전사 장치.In Article 15,
The above hydrophobic wiper is a micro semiconductor chip transfer device comprising Teflon or nylon.
상기 소수성 와이퍼의 형태는 멤브레인 필터, 일반 필터, 메쉬, 시트, 또는 얇은 박막(thin film)의 형태인, 마이크로 반도체 칩 전사 장치.In Article 15
A micro semiconductor chip transfer device in which the above hydrophobic wiper is in the form of a membrane filter, a general filter, a mesh, a sheet, or a thin film.
상기 현탁액은 계면활성제를 더 포함하는, 마이크로 반도체 칩 전사 장치.In Article 15,
A micro semiconductor chip transfer device, wherein the suspension further contains a surfactant.
상기 홈 내부에 정렬되지 않은 마이크로 반도체 칩과 액체를 클리닝하기 위한 친수성 재료의 흡수재가 포함된 클리닝 모듈을 더 포함하는, 마이크로 반도체 칩 전사 장치.In Article 15,
A micro semiconductor chip transfer device further comprising a cleaning module including an absorbent material of a hydrophilic material for cleaning liquid and micro semiconductor chips that are not aligned inside the home.
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|---|---|---|---|
| US18/433,068 US20240322068A1 (en) | 2023-03-24 | 2024-02-05 | Micro semiconductor chip transfer method and micro semiconductor chip transfer device |
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- 2023-04-27 KR KR1020230055690A patent/KR20240143604A/en active Pending
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| PA0109 | Patent application |
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