KR20170133733A - Contactor for preventing electric shock - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 감전 보호 컨택터는 전자 기기의 전도체에 접촉되며, 탄성력을 가지는 컨택부, 컨택부와 상기 컨택부로부터 이격 배치된 회로 기판 사이에 위치하는 ESD 보호부 및 컨택부와 회로 기판 사이에서, 상기 ESD 보호부의 측 방향에 위치되는 캐패시터부를 포함한다.
따라서, 본 발명의 실시예들에 따른 감전 보호 컨택터에 의하면, ESD 전압에 의한 전류는 접지부로 바이패스시켜, 정전기에 의한 내부 회로의 파손을 방지할 수 있고, 감전전압 또는 항복 전압 이하에서 전류는 차단시켜, 사용자의 감전을 방지할 수 있다.
또한, 외부로부터 유입되는 통신 신호가 캐패시터부로 수신 또는 통과함에 따라, 신호의 감쇄를 줄이거나 최소화할 수 있다.An ESD protection contactor according to the present invention includes a contact portion having an elastic force, a contact portion contacting the conductor of the electronic device, an ESD protection portion positioned between the contact portion and the circuit board spaced from the contact portion, And a capacitor portion located laterally of the ESD protection portion.
Thus, according to the present invention, the current due to the ESD voltage can be bypassed to the ground, thereby preventing breakage of the internal circuit caused by static electricity, It is possible to prevent the electric shock of the user.
Further, as the communication signal input from the outside is received or passed through the capacitor unit, the attenuation of the signal can be reduced or minimized.
Description
본 발명은 감전 보호 컨택터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외부로부터 유입되는 전원에 의한 누설 전류로부터 사용자의 감전을 방지할 수 있는 감전 보호 컨택터에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electric shock protection contactor, and more particularly, to an electric shock protection contactor capable of preventing an electric shock of a user from a leakage current caused by a power source flowing from the outside.
스마트폰 등과 같이 다기능을 가지는 전자 기기에는 그 기능에 따라 다양한 부품들이 집적되어 있다. 또한, 전자 기기에는 기능 별로 다양한 주파수 대역 무선 LAN(wireless LAN), 블루투스(bluetooth), GPS(Global Positioning System) 등 다른 주파수 대역 등을 수신할 수 있는 안테나가 구비되며, 이중 일부는 내장형 안테나로서, 전자 기기를 구성하는 케이스에 설치될 수 있다. 이에, 케이스에 설치된 안테나와 전자 기기의 내장 회로 기판 사이에 전기적 접속을 위한 컨택터가 설치된다.Various electronic components such as smart phones are integrated with various components according to their functions. An electronic device is provided with an antenna capable of receiving various frequency bands such as a wireless LAN (wireless LAN), a Bluetooth (Bluetooth), and a GPS (Global Positioning System) And can be installed in a case constituting an electronic device. Therefore, a contactor for electrical connection is provided between the antenna provided in the case and the built-in circuit board of the electronic device.
한편, 최근 들어 전자 기기의 고급스런 이미지와 내구성이 강조되면서, 케이스가 금속 소재로 이루어진 단말기의 보급이 증가하고 있다. 즉, 테두리를 금속으로 제작하거나, 전면의 화면 표시부를 제외한 나머지 케이스를 금속으로 제작한 스마트폰의 보급이 증가하고 있다.Meanwhile, in recent years, with the emphasis on high-quality images and durability of electronic devices, the spread of terminals made of metallic materials is increasing. That is, the spread of smart phones having a frame made of metal or a case made of metal except the screen display portion on the front is increasing.
그런데, 케이스가 금속 소재로 이루어진 경우, 외부의 금속 케이스를 통하여 순간적으로 높은 전압을 갖는 정전기가 유입될 수 있으며, 상기 정전기는 컨택터를 통하여 내부 회로로 유입되어 상기 회로를 파손시킬 수 있다.However, when the case is made of a metal material, a static electricity having an instantaneous high voltage may be introduced through an external metal case, and the static electricity may flow into the internal circuit through the contactor and break the circuit.
또한, 금속 케이스를 적용한 전자 기기에 과전류 보호 회로가 설치되지 않은 충전기를 이용하는 경우, 충전 중 스마트폰을 이용하면 감전 사고가 발생할 수 있다. 즉, 비정품 충전기 또는 불량 충전기를 이용하여 스마트폰을 충전하는 경우, 내부 회로의 접지를 따라 이동하여 사용자가 접촉하는 케이스까지 전달될 수 있다. 이에, 전자 기기의 충전 중에 사용자가 케이스와 접촉하는 경우, 사용자에 감전 사고가 발생할 수 있다.Also, when a charger having no overcurrent protection circuit is used in an electronic device to which a metal case is applied, an electric shock may occur when a smartphone is used during charging. That is, when the smartphone is charged using the non-genuine charger or the defective charger, the smartphone can be moved to the ground of the internal circuit and delivered to the case where the user touches. Thus, when the user contacts the case during charging of the electronic device, an electric shock may occur to the user.
따라서, 케이스와 내부 회로를 전기적으로 접속하는 컨택터를 구비하는데 있어서, 정전기에 의한 내부 회로의 파괴 및 사용자의 감전 사고를 방지할 수 있는 컨택터가 필요하다.Therefore, in providing a contactor for electrically connecting a case and an internal circuit, a contactor capable of preventing the destruction of an internal circuit caused by static electricity and an electric shock of a user is needed.
본 발명은 외부로부터 유입되는 전원에 의한 누설전류로부터 사용자의 감전을 방지하고, 정전기에 의한 누설전류로부터 내부 회로를 보호할 수 있는 감전 보호 컨택터를 제공한다.The present invention provides an electric shock protection contactor capable of preventing an electric shock of a user from a leakage current caused by a power source flowing from the outside and protecting an internal circuit from a leakage current caused by static electricity.
본 발명은 외부로부터 유입되는 통신 신호의 감쇄를 최소화하여 전달할 수 있는 감전 보호 컨택터를 제공한다.The present invention provides an electric shock protection contactor capable of minimizing attenuation of communication signals flowing from the outside and transmitting the same.
본 발명에 따른 감전 보호 컨택터는 전자 기기의 전도체에 접촉되며, 탄성력을 가지는 컨택부; 상기 컨택부와 상기 컨택부로부터 이격 배치된 회로 기판 사이에 위치하는 ESD 보호부; 및 상기 컨택부와 회로 기판 사이에서, 상기 ESD 보호부의 측 방향에 위치되는 캐패시터부;를 포함한다.An electric shock protection contactor according to the present invention comprises: a contact part having contact with a conductor of an electronic device and having an elastic force; An ESD protection part positioned between the contact part and the circuit board spaced apart from the contact part; And a capacitor portion located between the contact portion and the circuit board, the capacitor portion being located laterally of the ESD protection portion.
상기 캐패시터부 및 ESD 보호부 각각의 일측은 상기 컨택부에 연결되고, 타측은 상기 회로 기판에 연결된다.One side of each of the capacitor portion and the ESD protection portion is connected to the contact portion, and the other side is connected to the circuit board.
상기 캐패시터부는 서로 마주보는 내부 전극을 구비하는 캐패시터를 포함하고, 상기 캐패시터는 ESD 보호부와 중첩되지 않는다.The capacitor portion includes a capacitor having internal electrodes facing each other, and the capacitor does not overlap the ESD protection portion.
상기 캐패시터부와 상기 ESD 보호부는 같은 높이에 형성된다.The capacitor portion and the ESD protection portion are formed at the same height.
상기 캐패시터부는 상기 ESD 보호부의 일측 및 타측에 각기 위치된 복수의 캐패시터부를 포함하고, 상기 복수의 캐패시터부 사이에 적어도 하나의 ESD 보호보가 형성되며, 상기 복수의 캐패시터부와 상기 ESD 보호부가 동일 평면 상에 형성된다.The ESD protection unit includes a plurality of capacitor units disposed at one side and the other of the ESD protection unit, at least one ESD protection member is formed between the plurality of capacitor units, and the plurality of capacitor units and the ESD protection unit are formed on the same plane As shown in FIG.
상기 ESD 보호부는 상기 컨택부와 회로 기판 사이의 폭 방향에서 일측에 위치하도록 형성되고, 상기 캐패시터부는 타측에 형성된다.The ESD protection part is formed on one side in the width direction between the contact part and the circuit board, and the capacitor part is formed on the other side.
상기 캐패시터부와 상기 ESD 보호부가 상호 이격 형성되며, 이격 공간은 빈 공간이다.The capacitor portion and the ESD protection portion are spaced apart from each other, and the spacing space is an empty space.
상기 캐패시터부와 상기 ESD 보호부가 상호 이격 형성되며, 이격 공간에 연결 블록이 형성되며, 상기 연결 블록은 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부와 연결되도록 형성된다.The capacitor portion and the ESD protection portion are spaced apart from each other, and a connection block is formed in the spacing space. The connection block is formed to be connected to the capacitor portion and the ESD protection portion.
상기 연결 블록은 유전체, 세라믹 및 배리스터(Varistor) 중 적어도 어느 하나를 포함한다.The connection block includes at least one of a dielectric, a ceramic, and a varistor.
상기 캐패시터부 및 ESD 보호부와 상기 회로 기판 사이에 형성된 연결부를 포함하며, 상기 연결부의 일측면은 상기 회로 기판과 연결되고, 상기 연결부는 유전체, 세라믹 및 배리스터(Varistor) 중 적어도 어느 하나를 포함한다.And a connection portion formed between the capacitor portion and the ESD protection portion and the circuit board, wherein one side of the connection portion is connected to the circuit board, and the connection portion includes at least one of a dielectric, a ceramic, and a varistor .
상기 ESD 보호부는 방전 물질을 포함하는 서프레서(suppressor) 타입 및 배리스터(Varistor) 타입 중 적어도 어느 하나이다.The ESD protection unit may be at least one of a suppressor type including a discharge material and a varistor type.
상기 캐패시터부 및 ESD 보호부를 상기 컨택부에 결합시키며, 도전성 물질을 포함하는 결합부를 포함한다.And a coupling unit coupling the capacitor unit and the ESD protection unit to the contact unit and including a conductive material.
상기 결합부는 도전성의 접합제를 포함하며, 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부와 상기 컨택부 사이에 위치되어, 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부를 상기 컨택부에 접합시킨다.The coupling portion includes a conductive bonding agent, and is disposed between the capacitor portion and the ESD protection portion and the contact portion, and bonds the capacitor portion and the ESD protection portion to the contact portion.
상기 결합부는 캐패시터부 및 ESD 보호부 중 적어도 하나 및 상기 컨택부와 체결되어, 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부를 상기 컨택부에 기계적으로 결합시키는 체결 부재를 포함하고, 상기 체결 부재를 포함하는 상기 결합부는 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부와 전기적으로 연결되도록 설치된다.Wherein the coupling portion includes at least one of a capacitor portion and an ESD protection portion and a coupling member that is coupled to the contact portion and mechanically couples the capacitor portion and the ESD protection portion to the contact portion, And is electrically connected to the capacitor unit and the ESD protection unit.
전자 기기의 전도체에 접촉되며, 탄성력을 가지는 컨택부; 각각이 상기 컨택부와 상기 컨택부로부터 이격 배치된 회로 기판 사이에 위치하며, 각각의 일측이 상기 컨택부와 전기적으로 연결되고, 타측이 상기 회로 기판과 전기적으로 연결된 캐패시터부와, 내부 전극이 마련된 ESD 보호부를 구비하는 감전 보호부; 상기 컨택부에 연결되고, 상기 감전 보호부의 적어도 일부를 파지하여 상기 컨택부에 결합시키며, 도전성 물질을 포함하는 결합부;를 포함한다.A contact portion contacting the conductor of the electronic device and having an elastic force; Each of which is disposed between the contact portion and the circuit board spaced apart from the contact portion and each having one side electrically connected to the contact portion and the other side electrically connected to the circuit board, An electric shock protection unit having an ESD protection unit; And an engaging portion connected to the contact portion and gripping at least a part of the electric shock protection portion to be coupled to the contact portion and including a conductive material.
상기 감전 보호부 형태는 제 1 방향으로 연장 형성된 제 1 영역과, 상기 제 1 영역과 대응하도록 상기 제 1 방향으로 연장 형성되며, 상기 제 1 영역의 하측에 위치된 영역인 제 2 영역으로 이루어지고, 상기 제 1 영역의 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향의 길이가 상기 제 2 영역의 제 2 방향에 비해 길도록 형성되어, 상기 제 1 영역의 제 2 방향 양 가장자리가 상기 제 2 영역에 비해 돌출된 돌출 영역을 구비하도록 형성되고, 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부 각각이 상기 제 1 영역 및 제 2 영역 중 적어도 하나에 위치하도록 형성되며, 상기 결합부는 적어도 상기 제 1 영역의 돌출 영역을 파지하도록 체결된다.Wherein the shape of the electric shock protection portion comprises a first region extending in a first direction and a second region extending in the first direction so as to correspond to the first region and being a region located under the first region , A length of a second direction intersecting with the first direction of the first region is formed to be longer than a second direction of the second region, and both edges of the first region in the second direction are longer than the second region Wherein each of the capacitor portion and the ESD protection portion is formed so as to be located in at least one of the first region and the second region, and the engaging portion is provided with at least a protruding region of the first region, Respectively.
상기 제 1 영역 및 제 2 영역 각각에 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부가 위치하도록 형성되며, 상기 결합부는 상기 제 1 영역의 돌출 영역에 대응 형성된 캐패시터부 및 ESD 보호부 중 적어도 하나를 파지하도록 체결된다.The capacitor portion and the ESD protection portion are formed in the first region and the second region, respectively, and the coupling portion is fastened to grip at least one of the capacitor portion and the ESD protection portion formed corresponding to the protruding region of the first region .
상기 제 1 영역에 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부 중 어느 하나가 위치되도록 형성되고, 상기 제 2 영역에 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부 중 어느 하나가 위치되도록 형성되며, 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부 중, 제 1 영역 및 제 2 영역이 서로 다르게 형성되고, 상기 결합부는 상기 제 1 영역에 형성된 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부 중 어느 하나와 체결된다.Wherein the capacitor portion and the ESD protection portion are formed in the first region and the capacitor portion and the ESD protection portion are formed in the second region, The first region and the second region of the protection portion are formed differently from each other, and the coupling portion is coupled to one of the capacitor portion and the ESD protection portion formed in the first region.
상기 제 1 영역에 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부 중 어느 하나와, 상기 제 1 영역에서 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부 중 어느 하나에 연결되도록 형성된 연결부가 형성되고, 상기 제 2 영역에 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부 중 어느 하나가 위치되도록 형성되며, 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부 중, 제 1 영역 및 제 2 영역이 서로 다르게 형성되고, 상기 결합부는 상기 제 1 영역에 형성된 상기 캐패시터부, 상기 ESD 보호부 및 상기 연결부 중 적어도 어느 하나와 체결된다.Wherein the first region is formed with a connection portion connected to any one of the capacitor portion and the ESD protection portion and the capacitor portion and the ESD protection portion in the first region, Wherein the first region and the second region of the capacitor portion and the ESD protection portion are formed differently from each other, and the coupling portion is formed between the capacitor portion and the ESD protection portion formed in the first region, The ESD protection unit, and the connection unit.
상기 제 1 영역에 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부가 측 방향으로 나열되도록 형성되며, 상기 제 2 영역에 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부가 나열 배치된 방향으로 연장 형성되며, 상기 회로 기판과 연결되도록 형성된 연결부를 포함하고, 상기 연결부는, 상기 제 2 영역에서 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부가 나열 배치된 방향으로 연장 형성되어, 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부와 회로 기판 사이에서 형성된 연결 부재; 상기 연결 부재에 형성되며, 상기 캐패시터부와 상기 회로 기판을 전기적으로 연결하는 캐패시터 연결 전극; 및 상기 연결 부재에 형성되며, 상기 ESD 보호부와 상기 회로 기판을 전기적으로 연결하는 ESD 연결 전극;를 포함한다.The capacitor portion and the ESD protection portion are formed in the first region so as to be laterally arranged, and the capacitor portion and the ESD protection portion are extended in a direction in which the capacitor portion and the ESD protection portion are arranged and arranged, And a connection part formed between the capacitor part and the ESD protection part and the circuit board, the connection part extending in a direction in which the capacitor part and the ESD protection part are arranged and arranged in the second area; A capacitor connection electrode formed on the connection member, the capacitor connection electrode electrically connecting the capacitor unit and the circuit board; And an ESD connection electrode formed on the connection member and electrically connecting the ESD protection unit and the circuit board.
상기 제 2 영역에 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부가 측 방향으로 나열되도록 형성되며, 상기 제 1 영역에 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부가 나열 배치된 방향으로 연장 형성되며, 상기 컨택부와 연결되도록 형성된 연결부를 포함하고, 상기 연결부는, 상기 제 1 영역에서 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부가 나열 배치된 방향으로 연장 형성되어, 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부와 컨택부 사이에서 형성된 연결 부재; 상기 연결 부재에 형성되며, 상기 캐패시터부와 상기 컨택부를 전기적으로 연결하는 캐패시터 연결 전극; 및 상기 연결 부재에 형성되며, 상기 ESD 보호부와 상기 컨택부를 전기적으로 연결하는 ESD 연결 전극;을 포함한다.The capacitor portion and the ESD protection portion are formed in the second region so as to be laterally arranged. The capacitor portion and the ESD protection portion are extended in a direction in which the capacitor portion and the ESD protection portion are arranged and arranged. And a connection member formed between the capacitor unit and the ESD protection unit and the contact unit, the connection unit extending in a direction in which the capacitor unit and the ESD protection unit are arranged and arranged in the first area; A capacitor connection electrode formed on the connection member, the capacitor connection electrode electrically connecting the capacitor unit and the contact unit; And an ESD connection electrode formed on the connection member and electrically connecting the ESD protection unit and the contact unit.
상기 캐패시터부와 상기 ESD 보호부는 상호 이격 형성된다.The capacitor portion and the ESD protection portion are spaced apart from each other.
상기 제 1 영역에서 상호 이격 형성된 캐패시터부와 ESD 보호부 사이에 형성되어, 일측면 및 타측면이 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부와 각기 연결되도록 연결 블록이 형성된다.And a connection block is formed between the capacitor portion and the ESD protection portion which are spaced apart from each other in the first region, and one side surface and the other side surface are connected to the capacitor portion and the ESD protection portion, respectively.
상기 결합부와 대향하는 감전 보호부의 외면 및 상기 회로 기판과 대향하는 외면 중 적어도 하나에 도금층이 형성된다.A plating layer is formed on at least one of the outer surface of the electric shock protection portion facing the coupling portion and the outer surface facing the circuit board.
본 발명의 실시형태에 따른 감전 보호 캔택터는 캐패시터부 및 ESD 보호부가 같은 높이 또는 동일 평면 상에 형성된다. 즉, 실시예에 따른 ESD 보호부와 캐패시터부는 상하 방향으로 나열 배치되지 되어 폭 방향 위치가 중첩되는 것이 아니라, 컨택부와 회로 기판 사이에서 폭 방향으로 나열되도록 상호 이격 배치되어, 폭 방향 위치가 중첩되지 않도록 형성한다.The electric shock protection canctor according to the embodiment of the present invention is formed such that the capacitor portion and the ESD protection portion are formed at the same height or on the same plane. That is, the ESD protection part and the capacitor part according to the embodiment are arranged in the vertical direction so that the positions in the width direction are not superimposed, but are spaced apart from each other so as to be arranged in the width direction between the contact part and the circuit board, .
이러한 감전 보호 컨택터의 ESD 보호부는 ESD 전압에 의한 전류는 접지부로 바이패스시켜, 정전기에 의한 내부 회로의 파손을 방지할 수 있고, 감전전압 또는 항복 전압 이하에서 전류는 차단시켜, 사용자의 감전을 방지할 수 있다.The ESD protection part of the ESD protection contact can bypass the ESD voltage current to the ground part to prevent damage to the internal circuit due to static electricity and to cut off the electric current below the ESD or breakdown voltage, .
또한, 외부로부터 유입되는 통신 신호가 캐패시터부로 수신 또는 통과함에 따라, 신호의 감쇄를 줄이거나 최소화할 수 있다.Further, as the communication signal input from the outside is received or passed through the capacitor unit, the attenuation of the signal can be reduced or minimized.
그리고, 캐패시터부와 ESD 보호부를 별도로 마련하고, 이들 각각을 전도체와 회로 기판 사이에 위치하도록 형성하므로, 제조가 간단하고 쉬운 장점이 있다. 즉, 하나의 소자 내에 캐패시터부 및 ESD 보호부를 함께 형성하여, 캐패시터부 및 ESD 보호부가 중첩되도록 형성하는 것에 비해, 제조 공정이 단순하다. 따라서, 제조 시간의 절감되는 효과가 있다.Since the capacitor portion and the ESD protection portion are separately provided and each of them is positioned between the conductor and the circuit board, the manufacturing is simple and easy. In other words, the manufacturing process is simple, compared to forming a capacitor portion and an ESD protection portion together in one device so as to overlap the capacitor portion and the ESD protection portion. Therefore, the manufacturing time can be reduced.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 단면도
도 2 및 도 3은 제 1 실시예의 제 1 및 제 2 변형예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 단면도
도 4a 내지 도 4d는 는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 ESD 보호부 및 제 1 실시예의 제 1 내지 제 3 변형예에 따른 ESD 보호부를 도시한 단면도
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 ESD 보호부를 도시한 단면도
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 단면도
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 단면도
도 8은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 단면도
도 9 내지 도 13은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 도면
도 14 내지 도 16은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 도면
도 17 내지 도 21은 본 발명의 제 7 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 도면
도 22 및 도 23은 본 발명의 제 8 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 도면1 is a cross-sectional view of an electric shock protection contactor according to a first embodiment of the present invention;
Figs. 2 and 3 are cross-sectional views showing the electric shock protection contactor according to the first and second modified embodiments of the first embodiment
4A to 4D are sectional views showing an ESD protection unit according to the first embodiment of the present invention and an ESD protection unit according to the first to third modification examples of the first embodiment
5 is a cross-sectional view illustrating an ESD protection unit according to a second embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view of an electric shock protection contactor according to a second embodiment of the present invention
7 is a cross-sectional view showing an electric shock protection contactor according to a third embodiment of the present invention
8 is a cross-sectional view of an electric shock protection contactor according to a fourth embodiment of the present invention
9 to 13 are views showing an electric shock protection contactor according to a fifth embodiment of the present invention
14 to 16 are views showing an electric shock protection contactor according to a sixth embodiment of the present invention
17 to 21 are views showing an electric shock protection contactor according to a seventh embodiment of the present invention
22 and 23 are views showing an electric shock protection contactor according to an eighth embodiment of the present invention
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한 다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of other various forms of implementation, and that these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know completely.
본 발명의 실시예에 따른 감전 보호 컨택터는 외부로부터 유입되는 전원에 의한 누설 전류로부터 사용자의 감전을 방지하고, 정전기에 의한 누설 전류로부터 내부 회로를 보호하는 감전 보호 컨택터에 관한 것이다. 또한, 신호의 감쇄를 최소화하여 전달할 수 있는 감전 보호 컨택터를 제공한다.An electric shock protection contactor according to an embodiment of the present invention relates to an electric shock protection contactor that protects an internal circuit from a leakage current caused by static electricity while preventing an electric shock of a user from a leakage current caused by an external power source. Further, there is provided an electric shock protection contactor capable of minimizing signal attenuation and transmitting the same.
보다 구체적인 예로, 스마트폰, 테블릿 PC, 랩탑, DMB, 카메라 등과 같은 휴대용 전자 기기에 적용되는 감전 보호 컨택터일 수 있다. 또한, 실시예에 따른 감전 보호 컨택터는 전자 기기를 구성하는 케이스와, 내부 회로를 구비하는 회로 기판 사이에 위치되며, 탄성력을 가져, 외력이 회로 기판으로 전달되는 것을 완화하는 역할을 한다.More specifically, it may be an electric shock protection contact applied to a portable electronic device such as a smart phone, a tablet PC, a laptop, a DMB, a camera, and the like. In addition, the electric shock protection contactor according to the embodiment is positioned between a case constituting an electronic device and a circuit board having an internal circuit, and has an elastic force to mitigate the transfer of an external force to a circuit board.
전자 기기는 크게, 전체적인 외관을 형성하고, 필요에 따라 외부 신호를 수신할 수 있는 안테나로 기능하는 케이스(10)와, 케이스(10)의 내부에 설치되며, 전자 기기의 각종 기능을 수행할 수 있는 내부 회로를 구비하는 회로 기판(20)과, 케이스(10)와 회로 기판(20) 사이에 위치된 감전 보호 컨택터를 포함한다.2. Description of the Related Art Electronic apparatuses generally include a
여기서, 케이스(10)는 미려한 외관 및 안테나 역할을 위해 금속과 같은 도전성 물질로 형성된다. 도전성 물질로 이루어진 케이스(10)는 전자 기기의 "전도체"로 명명될 수도 있다.Here, the
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 감전 보호 컨택터에 대해 설명한다.Hereinafter, an electric shock protection contactor according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 단면도이다. 도 2 및 도 3은 제 1 실시예의 제 1 및 제 2 변형예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 단면도이다. 도 4a 내지 도 4d는 는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 ESD 보호부 및 제 1 실시예의 제 1 내지 제 3 변형예에 따른 ESD 보호부를 도시한 단면도이다. 도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 ESD 보호부를 도시한 단면도이다. 도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 단면도이다. 도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 단면도이다. 도 8은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view illustrating an electric shock protection contactor according to a first embodiment of the present invention. Figs. 2 and 3 are sectional views showing an electric shock protection contactor according to first and second modified examples of the first embodiment. Fig. 4A to 4D are cross-sectional views illustrating an ESD protection unit according to a first embodiment of the present invention and an ESD protection unit according to first to third modification examples of the first embodiment. 5 is a cross-sectional view illustrating an ESD protection unit according to a second embodiment of the present invention. 6 is a cross-sectional view illustrating an electric shock protection contactor according to a second embodiment of the present invention. 7 is a cross-sectional view illustrating an electric shock protection contactor according to a third embodiment of the present invention. 8 is a cross-sectional view illustrating an electric shock protection contactor according to a fourth embodiment of the present invention.
도 9 내지 도 13은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 도면이다. 도 14 내지 도 16은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 도면이다. 도 17 내지 도 21은 본 발명의 제 7 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 도면이다. 도 22 및 도 23은 본 발명의 제 8 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 도면이다. 9 to 13 are views showing an electric shock protection contactor according to a fifth embodiment of the present invention. 14 to 16 are views showing an electric shock protection contactor according to a sixth embodiment of the present invention. 17 to 21 are views showing an electric shock protection contactor according to a seventh embodiment of the present invention. 22 and 23 are views showing an electric shock protection contactor according to an eighth embodiment of the present invention.
제 1 실시예에 따른 감전 보호 컨택터(1000)는 도 1에 도시된 바와 같이, 전자 기기의 케이스(10)와 전기적으로 접촉되며, 탄성력을 가지는 컨택부(300a), 각각이 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에 위치하며, 일측면 및 타측면이 케이스(10) 및 회로 기판(20)과 연결된 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부(400)를 포함한다. 또한, 컨택부(300a)에 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부(400)를 접합 또는 체결시키는 결합부(600a)를 포함한다. 여기서, 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부(400)는 상호 이격 형성되며, 캐패시터부(500a, 500b)와 ESD 보호부(400) 사이는 빈 공간이다.As shown in FIG. 1, the electric
즉, 실시예에 따른 감전 보호 컨택터(1000)는 ESD 보호부(400)의 양 측 방향에 캐패시터부(500a, 500b)가 형성된다. 다른 말로 하면, 폭 방향(좌우 방향)으로 이격 배치된 복수의 캐패시터부(500a, 500b) 사이에 ESD 보호부(400)가 형성된다. That is, in the
또 다른 말로 하면, 캐패시터부(500a, 500b)와 ESD 보호부(400)가 병렬 형성되거나, 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부(400)가 같은 높이 또는 동일 평면 상에 형성된다. 또 다른 말로 하면, 실시예에 따른 ESD 보호부(500a, 500b)와 캐패시터부(400)는 상하 방향으로 나열 배치되지 되어 폭 방향 위치가 중첩되는 것이 아니라, 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에서 폭 방향으로 나열되도록 상호 이격 배치된다.In other words, the
컨택부(300a)는 전자 기기의 외부에서 외력이 가해질 때, 그 충격을 완화할 수 있도록 탄성력을 가지며, 도전성의 물질을 포함하는 재료로 이루어진다. 이러한, 컨택부(300a)는 도 1에 도시된 바와 같이 클립(clip) 형상일 수 있다. 보다 구체적으로 컨택부(300a)는 케이스(10)와 대향 위치되며, 적어도 일부가 케이스(10)와 접촉되는 제 1 연장부(310), 제 1 연장부(310)의 하측에서 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부(400)와 나란하도록 연장 형성된 제 2 연장부(320), 제 1 연장부(310)와 제 2 연장부(320)를 연결하도록 연장 형성되며, 탄성력을 가지는 제 3 연장부(330)를 포함한다.The
여기서, 제 1 연장부(310)는 일단이 제 3 연장부(330)와 연결되고, 제 3 연장부(330)로부터 일 방향으로 연장 형성되며, 일부가 케이스(10)를 향해 예컨대, 상향 경사지도록 연장되어 케이스(10)와 접촉되도록 형성될 수 있다. 또한, 제 1 연장부(310)의 타단과 인접한 영역은 케이스(10)가 위치된 방향으로 볼록한 곡률을 가지는 형상일 수 있다. 다른 말로 하면, 제 1 연장부(310)의 영역 중, 제 3 연장부(330)와 멀리 위치된 또는 제 1 연장부(310)의 타단을 포함하는 주위 영역이 상측으로 절곡된 절곡부를 가지는 형상일 수 있으며, 절곡부가 케이스(10)와 접촉되도록 설치된다.The first extending
제 2 연장부(320)는 결합부(600a)의 상부면에서 상기 결합부(600a)와 평행 또는 나란하도록 연장 형성되는 것이 바람직하며, 결합부(600a)의 상부면에 결합 또한 접합된다.The
제 3 연장부(330)는 제 1 연장부(310)의 타단과 제 2 연장부(320)의 타단을 연결하도록 연장되는데, 곡률을 가지도록 연장 형성될 수 있다. 이러한 제 3 연장부(330)는 외력에 의해 가압되면 회로 기판(20)이 위치된 방향으로 눌려지고, 외력이 해제되면, 원래 상태로 복원되는 탄성력을 가진다.The third extending
이러한 클립 형태의 컨택부(300a)는 구리(Cu) 등의 금속 재료를 포함하는 재료로 형성될 수 있다. The clip-shaped
상기에서는 제 1 실시예에서는 컨택부(300a)가 클립 형태인 것을 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 컨택부는 가스킷일 수도 있다.In the above description, the
즉, 도 2에 도시된 제 1 실시예의 제 1 변형예와 같이, 케이스(10)와 ESD 보호부(400) 사이에 가스킷 형태의 컨택부(300b)가 위치되어, 케이스(10)와 컨택부(300b)와 면 접촉하도록 구성될 수 있다. 여기서 가스킷 형태의 컨택부(300b)는 탄성력을 가지는 내부 부재(340), 내부 부재(340)의 표면에 형성된 도전층(350)을 포함한다.That is, as in the first modification of the first embodiment shown in FIG. 2, a
내부 부재(340)는 폴리우레탄 폼, PVC, 실리콘, 에틸렌 비닐아세테이트코폴리머, 폴리에틸린 등의 고분자 합성수지, 천연 고무(NR), 부틸렌 고무(SBR), 에틸렌프로필렌 고무(EPDM), 나이크릴 고무(NBR), 네오프렌(Neoprene) 등의 고무, 합성고무 시트(solid sheets) 또는 스폰지 시트(sponge sheet) 등을 사용할 수 있다.The
도전층(350)은 내부 부재(340)의 외주면을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 그리고 도전층(350)은 카본블랙, 그라파이트, 금, 은, 구리, 니켈, 알루미늄 등 다양한 도전 재료로 형성될 수 있다.The
또한, 내부 부재(340)의 내부에는 도 3에 도시된 제 1 실시예의 제 2 변형예와 같이, 홀(360)이 마련될 수 있으며, 상기 홀(360)은 가스킷의 탄성력 또는 충격 완화 효과를 향상시키기 위해 보조적으로 형성되는 수단이다. 여기서, 홀(360)의 형상은 원형, 타원형, 다각형 등 다양하게 변경 가능하다.3, a
상술한 바와 같이 컨택부(300a 또는 300b)는 전도체로 이루어진 전자 기기의 케이스(10)와 접촉되도록 형성된다. 하지만, 컨택부(300a 또는 300b)는 도전성의 재료로 이루어진 전자 기기의 어떠한 구성과 접촉되도록 형성될 수 있으며, 보다 바람직하게는 외부 통신 신호를 전달하는 안테나의 역할을 하는 구성의 전도체와 접촉되도록 설치될 수 있다.As described above, the
이후, 본 발명의 실시예들에 따른 감전 방지 컨택터를 설명하는데 있어서, 컨택부가 도 1에 도시된 바와 같은 클립 형태인 것을 예를 들어 설명한다. 하지만, 모든 실시예들에 있어서 컨택부는 도 2 및 도 3에 도시된 가스킷 형태의 컨택부(300b)가 적용될 수 있다.Hereinafter, in describing the electric shock preventive contactor according to the embodiments of the present invention, it is exemplified that the contact portion is in the form of a clip as shown in Fig. However, in all embodiments, the
ESD 보호부(400)는 회로 기판(20)의 내부 회로를 통해 케이스(또는 전도체)로 전달되는 감전 전압을 차단하고, 외부로부터 케이스(또는 전도체)를 통해 내부 회로로 전달되는 ESD 전압을 바이패스 시킨다.The
본 발명의 실시예예들에 따른 ESD 보호부(400)는 케이스(10)와 회로 기판(20) 사이에서 폭 방향으로 나열 배치된 복수의 캐패시터부(500a, 500b) 사이에 위치하도록 형성된다. 보다 구체적인 예로, ESD 보호부(400)의 양 측 방향에 캐패시터부(500a, 500b)가 위치하도록 형성될 수 있다. 이때. ESD 보호부(400)는 캐패시터부(500a, 500b)와 그 상하 높이가 상호 대응 또는 동일하거나, 동일 평면 상에 형성되어, 캐패시터부(500a, 500b)와 폭 방향에서의 위치가 중첩되지 않도록 형성된다. 또한, ESD 보호부(400)는 회로 기판의 접지부와 대응 위치하도록 형성된다.The
제 1 실시예에 따른 ESD 보호부(400)는 일명 서프레서(suppressor) 타입의 ESD 보호부이다. 이러한 ESD 보호부(400)는 적어도 하나의 시트가 적층되어 구성된 ESD 적층체(410), ESD 적층체(410)의 외면에서 케이스(10)와 대향하는 외면 및 상기 회로 기판(20)과 대향하는 외면 각각에 형성된 복수의 외부 전극(421, 422), ESD 적층체(410) 내부에서 외부 전극(421, 422)과 교차하는 방향으로 연장 형성되며, 상기 복수의 외부 전극(421, 422)과 교번하여 연결되도록 나열 형성된 복수의 내부 전극(423, 424), 내부 전극(423, 424) 사이에 형성된 ESD 보호층(430)을 포함한다.The
이후부터는 ESD 보호부(400)의 적층체(410)를 후술되는 캐패시터(500a, 500b)의 적층체(510)와 구별하기 위하여, ESD 적층체(410)이라 명명한다.Hereinafter, the
ESD 적층체(410)는 복수의 절연 시트가 적층된 구성일 수 있으며, 절연 시트는 소정의 유전율, 예를 들어 10~20000의 유전율을 갖는 유전체 시트일 수 있다.The
외부 전극(421, 422)은 ESD 적층체(410)의 외면 중, 케이스(10)와 대향하는 외면 및 회로 기판(20)과 대향하는 외면에 형성된다. 이하, 케이스(10)와 마주보는 방향 즉, ESD 적층체(410)의 외면인 상부면에 형성된 외부 전극을 제 1 외부 전극(421), 회로 기판(20)과 마주보는 방향의 외면인 하부면에 형성된 외부 전극을 제 2 외부 전극(422)이라 명명한다.The
제 1 및 제 2 외부 전극(421, 423) 각각은 ESD 적층체(410)의 상부면 및 하부면에서 ESD 적층체(410)의 폭 방향 즉, 좌우 방향으로 연장 형성되며, 제 1 외부 전극(421)은 결합부(600a) 및 컨택부(300a)를 통해 케이스(10)와 전기적으로 접속되고, 제 2 외부 전극(422)은 회로 기판(20)과 전기적으로 접속된다. 실시예에 따른 제 1 및 제 2 외부 전극(421, 422)은 금속 재료 예컨대, Ag, Ag/Pd, Cu, Pd, Au, Al 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.Each of the first and second
그리고, 도시되지는 않았지만, 제 1 및 제 2 외부 전극(421, 422) 각각의 외주면에는 도금층이 더 형성될 수 있다. 도금층은 예를 들어, Ni 도금층 및 Sn 또는 Sn/Ag 도금층이 적층 형성될 수도 있다.Although not shown, a plating layer may be further formed on the outer peripheral surfaces of the first and second
제 1 외부 전극(421)의 외면 및 제 2 외부 전극(422)의 외면에 각기 제 1 및 제 2 도금층을 형성한 후, ESD 보호부(400)의 상부를 결합부와 접속되도록 접촉시키고, ESD 보호부(400)의 하부를 회로 기판(20)과 접촉시킨다. 그리고, 제 1 도금층 및 제 2 도금층 각각을 가열하면, 상기 제 1 및 제 2 도금층이 용융되어 결합부(600a) 및 회로 기판(20)과 접합 또는 결합된다.After the first and second plating layers are formed on the outer surface of the first
복수의 내부 전극(423, 424) 각각은 ESD 적층체(410) 내부에서 외부 전극(421, 422)의 연장 방향과 교차하는 방향 즉, 상하 방향으로 연장 형성되며, 외부 전극(421, 422)의 연장 방향으로 나열되어 이격 형성된다. 또한, 외부 전극(421, 422)의 연장 방향으로 나열된 복수의 내부 전극(423, 424) 각각은 교대로 제 1 및 제 2 외부 전극(421, 422)과 연결되도록 형성되며, 제 1 외부 전극(421)에 연결된 내부 전극(423)과 제 2 외부 전극(422)에 연결된 내부 전극(424)의 상하 방향의 형성 위치가 일부 중첩되도록 형성된다. 즉, 일단이 제 1 외부 전극(421)에 연결되어 제 2 외부 전극(422)이 위치한 방향으로 연장 형성되며, 타단이 상기 제 2 외부 전극(422)과는 이격되도록 형성된 내부 전극(423)과, 일단이 제 2 외부 전극(422)에 연결되어 제 1 외부 전극(421)이 위치한 방향으로 연장 형성되며, 타단이 상기 제 1 외부 전극(421)과는 이격되도록 형성된 내부 전극(424)이 그 연장 방향이 일부 중첩되도록 형성된다.Each of the plurality of
예컨대, 내부 전극은 2개가 구비될 수 있으며(이하, 제 1 및 제 2 내부 전극(423, 424)), 제 1 내부 전극(423)의 일단은 제 1 외부 전극(421)에 연결되어, 제 2 외부 전극(422)이 위치한 방향으로 연장 형성되며, 제 2 외부 전극(422)과는 이격 형성된다. 제 2 내부 전극(424)의 일단은 제 2 외부 전극(422)에 연결되어, 제 1 외부 전극(421)이 위치한 방향으로 연장 형성되며, 제 1 외부 전극(421)과는 이격 형성된다. 그리고, 제 1 내부 전극(423)과 제 2 내부 전극(424)은 그 형성 위치가 일부 중첩되도록 형성된다.For example, two internal electrodes (hereinafter referred to as first and second
이러한 내부 전극(423, 424)는 금속 재료 예컨대, Ag, Ag/Pd, Cu, Pd, Au, Al 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.The
ESD 보호층(430)은 ESD 적층체(410) 내부에서 제 1 내부 전극(423)과 제 2 내부 전극(424) 사이에 형성된다. 즉, 제 1 내부 전극(423)과 제 2 내부 전극(424)의 중첩되는 영역에 ESD 보호층(430)이 형성된다. An
이러한, ESD 보호층(430)은, ESD 적층체(410)를 이루는 복수의 절연 시트 중, 제 1 내부 전극(423)과 제 2 내부 전극(424) 사이에 위치된 절연 시트에서, 제 1 내부 전극(423)과 제 2 내부 전극(424)의 형성 위치가 중첩되는 영역에 관통홀을 형성하고, 후막 인쇄 공정을 이용하여 관통홀에 ESD 보호 물질을 매립하여 ESD 보호층(430)을 형성할 수 있다. 이를 다르게 설명하면, 하나의 절연 시트 상에 관통홀을 형성한 후, ESD 보호 물질을 매립하여 ESD 보호층(430)을 형성하고, 그 절연 시트의 일측면 및 타측면 각각에 제 1 및 제 2 내부 전극(423, 424)을 형성하여 ESD 보호층(430)을 형성할 수 있다.The
ESD 보호층(430)은 도 1 및 도 4a에 도시된 바와 같이, ESD 보호 물질을 포함하는 재료를 포함하는 하나의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, ESD 보호 물질은 도전성 세라믹과 절연성 세라믹을 포함할 수 있으며, ESD 보호층(430)은 도전성 세라믹과 절연성 세라믹을 혼합한 혼합물로 형성할 수 있다. 이 경우 ESD 보호층(430)은 도전성 세라믹과 절연성 세라믹을 예를 들어 10:90 내지 90:10의 혼합 비율로 혼합하여 형성할 수 있다. 절연성 세라믹의 혼합 비율이 증가할수록 방전 개시 전압이 높아지고, 도전성 세라믹의 혼합 비율이 증가할수록 방전 개시 전압이 낮아질 수 있다. 따라서, 소정의 방전 개시 전압을 얻을 수 있도록 도전성 세라믹과 절연성 세라믹의 혼합 비율을 조절한다.The
또한, ESD 보호층(430)은 도전층과 절연층을 적층하여 소정의 적층 구조로 형성할 수 있다. 즉, ESD 보호층(430)은 도전층과 절연층을 적어도 1회 적층하여 도전층과 절연층이 구분되어 형성할 수 있다. 예를 들어, ESD 보호층(430)은 도전층(431a, 431b)과 절연층(432) 이 적층되어 2층 구조로 형성될 수 있고, 도전층(431), 절연층(432) 및 도전층(431)이 적층되어 3층 구조로 형성될 수 있다. 또한, 도전층(431a, 431b)과 절연층(432) 이 복수회 반복 적층되어 3층 이상의 적층 구조로 형성될 수도 있다. 예컨대, 도 4b에 도시된 ESD 보호층(430)의 제 1 변형예와 같이 제 1 도전층(431a), 절연층(432) 및 제 2 도전층(431b)이 적층된 3층 구조의 ESD 보호층(430)이 형성될 수 있다.In addition, the
또 다른 예로, ESD 보호층(430)은 소정 영역에 에어 갭이 더 형성될 수도 있다. 예를 들어, 도전성 물질과 절연성 물질이 혼합된 층의 사이에 에어 갭이 형성되거나, 도전층과 절연층 사이에 에어 갭이 형성될 수도 있다. 즉, 도전성 물질과 절연성 물질의 제 1 혼합층, 에어 갭 및 제 2 혼합층이 적층 형성되거나, 도전층, 에어 갭 및 절연층이 적층 형성될 수도 있다. 후자의 예의 경우, 예를 들어, ESD 보호층(430)은 도 4c에 도시된 제 2 변형예와 같이 제 1 도전층(431a), 제 1 절연층(432a), 에어 갭(433), 제 2 절연층(432b) 및 제 2 도전층(431b)이 적층되어 형성될 수 있다. 즉, 제 1 도전층(431a)과 제 2 도전층(431b) 사이에 절연층(432a, 432b)이 형성되고, 절연층(432a, 432b) 사이에 에어 갭(433)이 형성될 수 있다.As another example, the
상기에서는 제 1 내지 제 3 실시예에 따른 ESD 보호층(430)에서는 관통홀에 별도의 ESD 보호 물질하여 매립하여 ESD 보호층을 형성하는 것을 설명하였다. 하지만, ESD 보호층(430)은 도 4d에 도시된 제 3 변형예와 같이, 도전성 물질과 절연성 물질을 포함하지 않고, 에어 갭(433)만으로 구성될 수도 있다.In the above description, the
상술한 에어 갭(433)은 고분자 물질을 충진한 후 소성 공정을 실시하여 고분자 물질을 제거함으로써 형성할 수 있다.The
ESD 보호층(430)의 도전층(431a, 431b)은 과전압이 유입될 경우 에너지 레벨을 낮춰 과전압에 의한 감전 방지 소자의 구조적인 파괴가 일어나지 않도록 한다. 이러한, 도전층(431a, 431b)을 형성하는 도전성 재료는 도전성 세라믹일 수 있으며, 도전성 세라믹은 La, Ni, Co, Cu, Zn, Ru, Ag, Pd, Pt, W, Fe, Bi 중의 하나 이상을 포함한 혼합물을 이용할 수 있다.The
도전성 재료와 함께 혼합되는 절연성 재료는 방전 유도 재료로 이루어질 수 있고, 다공성의 구조를 가진 전기 장벽으로 기능할 수 있다. 이러한 절연성 재료는 절연성 세라믹일 수 있고, 절연성 세라믹은 50 내지 50000 정도의 유전율을 가지는 강유전체 재료가 이용될 수 있다. 예를 들어, 절연성 세라믹은 MLCC 등의 유전체 재료 분말, BaTiO3, BaCO3, TiO2, Nd, Bi, Zn, Al2O3 중의 하나 이상을 포함한 혼합물일 수 있다. 이러한 절연층(432) 은 1㎚~5㎛ 정도 크기의 공극이 복수 형성되어 30%~80%의 공극률로 형성된 다공성 구조로 형성될 수 있다. 즉, 절연층(432)은 전류가 흐르지 못하는 전기 절연성 물질로 형성되지만, 공극이 형성되므로 공극을 통해 전류가 흐를 수 있다. 이때, 공극의 크기가 커지거나 공극률이 커질수록 방전 개시 전압이 낮아질 수 있고, 이와 반대로 공극의 크기가 작아지거나 공극률이 낮아지면 방전 개시 전압이 높아질 수 있다. 그러나, 공극의 크기가 5㎛를 초과하거나 공극률이 80%를 초과하면 ESD 보호층(430)의 형상 유지가 어려울 수 있다. 따라서, ESD 보호층(430)의 형상을 유지하면서 방전 개시 전압을 조절하도록 절연층(432) 의 공극 크기 및 공극률을 조절할 수 있다. The insulating material mixed with the conductive material can be made of a discharge inducing material and can function as an electrical barrier having a porous structure. Such an insulating material may be an insulating ceramic, and the insulating ceramic may be a ferroelectric material having a dielectric constant of about 50 to 50,000. For example, the insulating ceramic may be a dielectric material powder such as MLCC, or a mixture containing at least one of BaTiO 3 , BaCO 3 , TiO 2 , Nd, Bi, Zn and Al 2 O 3 . The insulating
한편, ESD 보호층(430)이 절연 물질과 도전 물질의 혼합 물질로 형성되는 경우 절연 물질은 미세 공극 및 공극률을 갖는 절연성 세라믹을 이용할 수 있다. 또한, 절연층(432) 은 미세 공극에 의해 절연 시트의 저항보다 낮은 저항을 갖고, 미세 공극을 통해 부분 방전이 이루어질 수 있다. 즉, 절연층(432) 은 미세 공극이 형성되어 미세 공극을 통해 부분 방전이 이루어진다.On the other hand, when the
상술한 바와 같은 ESD 보호부(400)는 회로 기판의 내부 회로를 통해 케이스(또는 전도체)로 전달되는 감전 전압을 차단할 수 있고, 외부로부터 케이스(또는 전도체)와 컨택부(300a)를 통해 유입되는 방전 개시 전압 이상의 과전압 또는 정전기 전압에 의한 전류를 접지부로 바이패스시킨다.The
상기에서는 ESD 보호부(400)로 서프레서(suppressor) 타입을 설명하였다. 하지만, ESD 보호부(400)는 이에 한정되지 않고, 예컨대 배리스터(Varistor) 타입일 수 있다.In the above description, the
제 2 실시예에 따른 ESD 보호부(400)는 배리스터 타입으로서, 도 5를 참조하면, 전압에 따라 저항값이 가변되는 시트가 적어도 하나가 적층되어 형성된 ESD 적층체(410), ESD 적층체(410)의 외면에서 케이스(10)와 대향하는 외면 및 상기 회로 기판(20)과 대향하는 외면 각각에 형성된 제 1 및 제 2 외부 전극(421, 422), ESD 적층체(410) 내부에서 상기 제 1 및 제 2 외부 전극(421, 422)과 교차하는 방향으로 연장 형성되며, 상기 제 1 및 제 2 외부 전극(421, 422)과 교번하여 연결되도록 나열 형성된 제 1 및 제 2 내부 전극(423, 424)을 포함한다.5, the
제2 실시예에 따른 ESD 적층체(410)는 항복 전압(break down voltage) 이상의 전압이 인가될 때 전류가 흐르고, 반대로 항복 전압 이하의 전압이 인가될 때 전류가 흐르지 않는 비선형 전기적 특성을 가지는 재료로 형성된다. 예컨대, ESD 적층체(410)는 배리스터 특성 을 가지는 재료로 형성될 수 있으며, 보다 구체적인 예로 ESD 적층체(410)는 ZnO, Bi2O3, Pr6011, CO3O4, Mn2O3, CaCO3 및 SrTiO3, BaTiO3 중 적어도 하나 이상을 포함하는 재료로 형성될 수 있다.The
이때, ESD 적층체(410) 전체가 배리스터 재료로 형성되거나, 제 1 내부 전극(423)과 제 2 내부 전극(424) 사이의 적층체 영역만 배리스터 재료로 형성되고, 나머지 ESD 적층체(410) 영역은 절연 시트로 형성될 수 있다.At this time, the
이와 같이, 배리스터 재료를 포함하는 ESD 적층체(410)를 구비하는 ESD 보호부(400)에 의하면, 회로 기판의 내부 회로를 통해 케이스(또는 전도체)로 전달되는 감전 전압이 차단되고, 외부로부터 케이스(또는 전도체)와 컨택부(300a)를 통해 유입되는 항복 전압 이상의 과전압 또는 정전기 전압에 의한 전류를 접지부로 바이패스시킨다.As described above, according to the
상술한 서프레서 타입 및 배리스터 타입의 ESD 보호부(400)는 하나의 제 1 및 제 2 내부 전극(426, 424)이 구비되는 것을 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 복수개의 제 1 내부 전극(423)과 복수개의 제 2 내부 전극(424)이 구비될 수 있다. 이에, 복수의 제 1 및 제 2 내부 전극(423, 424)은 제 1 내부 전극(423)과 제 2 내부 전극(424)이 교번하여 반복 배치된다.The
또한, ESD 보호부(400)는 상술한 서프레서 타입 및 배리스터 타입에 한정되지 않고, 정전기 전압을 바이패스 시키고, 감전 전압을 차단할 수 있는 기능을 가지는 어떠한 소자가 적용되어도 무방하며, 소자가 아닌 다른 어떠한 구조 및 형상으로 변경되어도 무방하다.In addition, the
도 1 내지 도 3에는 하나의 ESD 보호부를 구비하는 것을 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 복수개의 ESD 보호부가 마련될 수 있다.1 to 3, one ESD protection unit is provided. However, the present invention is not limited to this, and a plurality of ESD protection units may be provided.
캐패시터부(500a, 500b)는 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에 위치되어, 안테나 기능을 하는 케이스(10)로부터 유입되는 통신 신호를 통과시킨다.The
실시예에 따른 감전 보호 컨택터는 2개의 캐패시터부(이하, 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b))가 구비되며, 제 1 캐패시터부(500a)와 제 2 캐패시터부(500a)는 ESD 보호부(400)를 중심으로 하여, ESD 보호부(400)의 일측 및 타측 방향으로 이격 배치된다. 이때, 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b)는 ESD 보호부(400)와 그 상하 높이가 상호 대응 또는 동일하거나, 동일 평면 상에 형성되어, ESD 보호부(400)와 폭 방향에서의 위치가 중첩되지 않도록 형성된다.The
제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b) 각각은 적어도 하나의 시트가 적층된 적층체(510), 적층체(510)의 외면에서 케이스(10)와 대향하는 외면 및 상기 회로 기판(20)과 대향하는 외면 각각에 형성된 복수의 외부 전극(521, 522), 적층체(510) 내부에서 상기 복수의 외부 전극(521, 522)과 교차하는 방향으로 연장 형성되며, 상기 복수의 외부 전극(521, 522)과 교번하여 연결되도록 나열 형성된 복수의 내부 전극(523, 524)을 포함한다.Each of the first and
이후부터는 캐패시터부(500)의 적층체(510)를 상술한 ESD 보호부(400)의 적층체(410)와 구별하기 위하여, 캐패시터 적층체(510)이라 명명한다.Hereinafter, in order to distinguish the
캐패시터 적층체(510)는 유전체, 세라믹 및 배리스터(Varistor) 중 적어도 어느 하나로 이루어진 시트를 복수개 적층하여 형성할 수 있다.The
캐패시터 적층체(510)의 외면에는 외부 전극(521, 522)이 형성되는데, 캐패시터 적층체(510)의 외면 중, 케이스(10)와 대향하는 외면 및 회로 기판(20)과 대향하는 외면에 외부 전극(521, 522)이 형성된다. 즉, 캐패시터 적층체(510)의 상부면에 제 1 외부 전극(521)이 형성되고, 하부면에 제 2 외부 전극(522)가 형성된다. 여기서, 제 1 외부 전극(521)은 결합부(600a) 및 컨택부(300a)를 통해 케이스(10)와 전기적으로 접속되며, 제 2 외부 전극(522)은 회로 기판(20)과 전기적으로 접속된다. 실시예에 따른 제 1 및 제 2 외부 전극(521, 522)은 금속 재료 예컨대, Ag, Ag/Pd, Cu, Pd, Au, Al 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
그리고, 도시되지는 않았지만, 제 1 및 제 2 외부 전극(521, 522) 각각의 외주면에는 도금층이 더 형성될 수 있다. 도금층은 예를 들어, Ni 도금층 및 Sn 또는 Sn/Ag 도금층이 적층 형성될 수도 있다.Although not shown, a plating layer may further be formed on the outer circumferential surfaces of the first and second
제 1 외부 전극(521)의 외면 및 제 2 외부 전극(522)의 외면에 각기 제 1 및 제 2 도금층을 형성한 후, 캐패시터부(500)의 상부를 결합부와 접속되도록 접촉시키고, 캐패시터부(500)의 하부를 회로 기판(20)과 접촉시킨다. 그리고, 제 1 도금층 및 제 2 도금층 각각을 가열하면, 상기 제 1 및 제 2 도금층이 용융되어 결합부(600a) 및 회로 기판(20)과 접합 또는 결합된다.The first and second plating layers are respectively formed on the outer surface of the first
복수의 내부 전극(523, 524) 각각은 캐패시터 적층체(510) 내부에서 외부 전극(521, 522)과 교차하는 방향으로 연장 형성되며, 각각이 제 1 및 제 2 외부 전극(521, 522)과 연결되도록 형성된다. 실시예에 따른 복수의 내부 전극(523, 524)은 캐패시터 적층체(510) 내부에서 상하 방향으로 연장 형성되며, 복수의 내부 전극(523, 524)은 그 연장 방향 중 일부가 중첩 되도록 형성된다.Each of the plurality of
제 1 내부 전극(523)은 일단이 제 1 외부 전극(521)과 연결되어 제 2 외부 전극(522)이 위치한 방향으로 연장 형성되며, 타단은 제 2 외부 전극(522)과 이격되도록 형성된다. 반대로 제 2 내부 전극(524)은 일단이 제 2 외부 전극(522)과 연결되어 제 1 외부 전극(521)이 위치한 방향으로 연장 형성되며, 타단은 제 1 외부 전극(521)과 이격되도록 형성된다.One end of the first
이러한 내부 전극(523, 524)는 금속 재료 예컨대, Ag, Ag/Pd, Cu, Pd, Au, Al 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.The
상술한 캐패시터부(500a, 500b)의 구조 및 구성에 의하면, 상기 제 1 내부 전극(523)과 제 2 내부 전극(524) 사이의 캐패시터 적층체(510) 영역에 캐패시터(C)가 형성된다.A capacitor C is formed in a region of the
캐패시터부(500a, 500b)를 다시 설명하면, 캐패시터 적층체(510), 캐패시터 적층체(510)의 상부면 및 하부면 각각에 형성된 제 1 및 제 2 외부 전극(521, 522), 캐패시터 적층체(510) 내에 형성된 캐패시터(C)를 포함한다. 여기서, 캐패시터(C)는 캐패시터 적층체(510) 내에서 외부 전극(521, 522)과 교차하는 방향 즉 상하 방향으로 연장 형성되며, 폭 방향(또는 좌우 방향)으로 이격 배치된 제 1 및 제 2 내부 전극(523, 524) 및 제 1 내부 전극(521)과 제 2 내부 전극(522) 사이 영역의 캐패시터 적층체(510)를 포함한다.The
이러한 캐패시터부(500a, 500b)는 컨택부(300a)와 안테나 기능을 하는 케이스(10)로부터 유입되는 통신 신호를 통과시킨다.The
상기에서는 2개의 캐패시터부(500a, 500b)가 구비되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 2개 이상의 캐패시터부가 구비될 수 있다.Although two
또한, 상술한 캐패시터부(500a, 500b)는 하나의 제 1 및 제 2 내부 전극(423, 424)이 구비되는 것을 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 복수개의 제 1 내부 전극(423)과 복수개의 제 2 내부 전극(424)이 구비될 수 있다. 이에, 복수의 제 1 및 제 2 내부 전극(423, 424)은 제 1 내부 전극(423)과 제 2 내부 전극(424)이 교번하여 반복 배치될 수 있다.Although the first and second
상기에서는 2개의 캐패시터부(500a, 500b)가 구비되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 하나 또는 2개 이상의 캐패시터부가 마련될 수 있다. 그리고, 상기에서는 2개의 캐패시터부(500a, 500b)가 구비되어, ESD 보호부(400)의 일측 방향에 하나의 캐패시터부, ESD 보호부(400)의 타측에 하나의 캐패시터부가 위치되는 것을 설명하였다. 하지만, 이에 한정되지 않고, ESD 보호부(400)의 일측 방향 및 ESD 보호부(400)의 타측 방향 중 적어도 하나에 복수의 캐패시터부가 형성될 수 있다. In the above description, two
또한, 상기에서는 2개의 캐패시터부 사이에 하나의 ESE 보호부가 마련되는 것을 설명하였으나 이에 한정되지 않고, 2개의 캐패시터부 사이에 복수의 ESE 보호부가 마련될 수 있다.Also, in the above description, one ESE protection unit is provided between two capacitor units. However, the present invention is not limited to this, and a plurality of ESE protection units may be provided between the two capacitor units.
결합부(600a)는 컨택부(300a)와 ESD 보호부(400) 및 캐패시터부(500a, 500b) 사이에 위치되어, 상기 ESD 보호부(400) 및 캐패시터부(500a, 500b)를 컨택부(300a)에 접합 또는 결합시킨다. 실시예에 따른 결합부(600a)는 도전성 및 접착 기능을 가지는 도전성 접착층이다. 이러한 도전성 접착층은 컨택부(300a) 하부면에 도포되며, 여기에 캐패시터부(500a, 500b)의 상부면 및 ESD 보호부(400)의 상부면이 접촉되면, 상기 도전성 접착층에 의해 컨택부(300a)와 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부(400)가 상호 접합된다. 이때, 컨택부(300a)로 유입된 방전 개시 전압 이상의 과전압 또는 ESD 전압에 의한 전류, 통신 신호 등은 도전성 접착체로 이루어진 결합부(600a) 통해 캐패시터부(500a, 500b) 또는 ESD 보호부(400)로 전달된다.The
본 실시예에서는 결합부(600a)에 의해 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부가 컨택부(300a)에 결합되는 구조를 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 결합부(600a)가 생략될 수도 있다.In the present embodiment, the
이하에서는 상기에서 설명한 제 1 실시예에 따른 감전 보호 컨택터(1000)를 캐패시터부(500a, 500b)와 ESD 보호부(400)의 위치 관계 측면에서 다시 설명한다.Hereinafter, the electric
도 1을 참조하면, 제 1 실시예에 따른 ESD 보호부(400)는 케이스(10)에 접촉되며, 탄성력을 가지는 컨택부(300a), 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에 위치하며, 일측은 컨택부(300a)에 연결되고, 타측은 회로 기판(20)에 연결되는 캐패시터부(500a, 500b), 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에 위치하며, 일측은 컨택부(300a)에 연결되고, 타측은 회로 기판(20)에 연결된 ESD 보호부(400)를 포함한다. 또한, 캐패시터부(500a, 500b)와 ESD 보호부(400)를 컨택부(300a)에 결합시키는 결합부(600a)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the
제 1 실시예에서는 ESD 보호부(400)의 양측에 캐패시터부(500a, 500b)가 형성되며, 상기 ESD 보호부(400)와 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b)는 동일 높이 또는 동일 평면 상에 위치된다. 그리고, 제 1 캐패시터부(500a, 500b), ESD 보호부(400), 제 2 캐패시터부(500a, 500b)는 상호 이격 형성되며, 이격 공간은 빈 공간이다.In the first embodiment,
이때, ESD 보호부(400) 및 캐패시터부(500a, 500b) 각각의 상부는 컨택부(300a)와 연결되고, 하부는 회로 기판(20)과 연결된다. 이러한 감전 보호 컨택터(1000)에 의하면, ESD 보호부(400)와 캐패시터(C)가 상호 중첩되지 않는다. 즉, 다른 말로 하면, ESD 보호부(400)와 캐패시터(C)의 폭 방향에서의 위치가 서로 상이하다.At this time, the upper parts of the
이러한 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b)와, ESD 보호부(400) 각각은 별도로 제조되어, 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에 위치하도록 형성될 수 있다. Each of the first and
후속 설명되는 제 2 실시예 내지 제 7 실시예에 따른 감전 보호 컨택터(1000)에 있어서도, 상술한 바와 같이, ESD 보호부(400) 및 캐패시터부(500a, 500b)가 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에 위치하여, 일측이 컨택부(300a)에 연결되고, 타측이 회로 기판(20)에 연결되도록 구성된다. 그리고, ESD 보호부(400)와 캐패시터(C)가 상호 중첩되지 않도록 형성된다. 또한, ESD 보호부(400)는 서프레서 타입에 한정되지 않고(도 4a 내지 도 4d 중 어느 하나), 배리스터 타입(도 5)으로 구성될 수 있다. The
그리고, 제 1 내지 제 7 실시예들은 다양하게 상호 조합될 수 있다.The first to seventh embodiments may be variously combined with each other.
상술한 제 1 실시예에서는 제 1 캐패시터부(500a, 500b)와 ESD 보호부(400), ESD 보호부(400)와 제 2 캐패시터부(500a, 500b) 사이가 이격되며, 이격 공간이 빈 공간인 것을 설명하였다.In the first embodiment described above, the
하지만, 이에 한정되지 않고, 제 1 캐패시터부(500a)와 ESD 보호부(400) 사이 및 ESD 보호부(400)와 제 2 캐패시터부(500a) 사이 각각의 이격 공간을 채우도록 구성할 수 있다.However, the present invention is not limited to this, and may be configured to fill the spaces between the
예를 들어, 도 6에 도시된 제 2 실시예와 같이, 제 1 캐패시터부(500a)와 ESD 보호부(400) 사이 및 ESD 보호부(400)와 제 2 캐패시터부(500b) 사이 각각에 연결 블록(700a, 700b)이 형성될 수 있다.6, a connection is made between the
즉, 제 2 실시예에 따른 감전 보호 컨택터(1000)는 전자 기기의 케이스(10)와 전기적으로 접촉되며, 탄성력을 가지는 컨택부(300a), 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에서 폭 방향(좌우 방향)으로 이격 배치되며, 일측면 및 타측면이 케이스(10) 및 회로 기판(20)과 연결되도록 형성된 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b), 제 1 캐패시터부(500a)와 제 2 캐패시터부(500b) 사이에서 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b)와 이격 배치되며, 일측면 및 타측면이 케이스(10) 및 회로 기판(20)과 연결되도록 형성된 ESD 보호부(400), 제 1 캐패시터부(500a)와 ESD 보호부(400) 사이를 연결하도록 형성된 제 1 연결 블록(700a), 제 1 캐패시터부(500a)와 ESD 보호부(400) 사이를 연결하도록 형성된 제 2 연결 블록(700b)을 포함한다. 또한, 컨택부(300a)에 캐패시터부(500a, 500b), ESD 보호부(400) 및 연결 블록(700a, 700b)을 접합 또는 체결시키는 결합부(600a)를 포함한다.That is, the electric
여기서, 제 1 연결 블록(700a)의 일측면은 제 1 캐패시터부(500a)의 일측면과 접하고, 제 1 연결 블록(700a)의 타측면은 ESD 보호부(400)의 일측면과 접하도록 형성된다. 또한, 제 2 연결 블록(700b)의 일측면은 ESD 보호부(400)의 타측면과 접하고, 제 2 연결 블록(700b)의 타측면은 제 2 캐패시터부(500b)의 일측면과 접하도록 형성된다.One side of the
이러한 제 1 및 제 2 연결 블록(700a, 700b)은 절연 재료 예컨대, 소정의 유전율, 예를 들어 10~20000의 유전율을 갖는 유전체, 또는 세라믹 또는 배리스터(Varistor) 중 적어도 어느 하나로 이루어진 시트를 복수개 적층하여 형성할 수 있다.The first and
이러한 제 2 실시예에 따른 감전 보호 컨택터(1000)에서는 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b), ESD 보호부(400), 제 1 및 제 2 연결 블록(700a, 700b)이 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에서 폭 방향(좌우 방향)으로 나열 배치되며, 상호 연결된다. 이에, 제 1 캐패시터부(500a)의 제 1 및 제 2 외부 전극(521, 522)과 ESD 보호부(400)의 제 1 및 제 2 외부 전극(421, 422)이 제 1 연결 블록(700a)에 의해 절연되며, 제 2 캐패시터부(500b)의 제 1 및 제 2 외부 전극(521, 522)과 ESD 보호부(400)의 제 1 및 제 2 외부 전극(421, 422)이 제 2 연결 블록(700b)에 의해 절연된다.The first and
상술한 제 1 및 제 2 실시예에 따른 감전 보호 컨택터(1000)는 복수의 캐패시터부(500a, 500b)를 구비하며, ESD 보호부(400)의 양 측에 캐패시터부(500a, 500b)가 배치되었다.The
하지만, 이에 한정되지 않고, 도 7에 도시된 제 3 실시예에 따른 감전 방지 컨택터(1000)와 같이, 하나의 캐패시터부(500)와 하나의 ESD 보호부(400)를 구비할 수 있으며, ESD 보호부(400)가 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에서 일측에 위치하도록 또는 일측에 치우치도록 형성될 수 있다. 즉, 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에서 ESD 보호부(400)가 일측에 위치하도록 형성되며, 캐패시터부(500)는 타측으로부터 ESD 보호부(400)가 위치한 방향으로 연장 형성된다. 이때, 캐패시터부(500)의 타측면은 ESD 보호부(400)와 이격되며, 그 이격 공간은 빈 공간일 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and one
이때, 캐패시터부(500)는 제 1 및 제 2 실시예에 비해 좌우 폭이 더 길어질 수 있으며, 제 1 및 제 2 실시예에 비해 내부 전극 또는 캐패시터(C)의 갯수 또는 면적 증가된 갯수로 구비될 수 있다.In this case, the width of the
즉, 캐패시터 적층체(510) 내부에는 제 1 외부 전극(521)과 연결되는 복수의 제 1 내부 전극(523)과, 제 2 외부 전극(522)과 연결되는 복수의 제 2 내부 전극(524)을 구비한다. 그리고, 캐패시터 적층체(510)의 폭 방향으로 제 1 내부 전극(523)과 제 2 내부 전극(524)이 교번하여 복수번 나열 배치된다. 예컨대, 도 7에 도시된 바와 같이, 2개의 제 1 내부 전극(523)과, 2개의 제 2 내부 전극(524)이 구비될 수 있으며, 캐패시터 적층체(510)의 폭 방향으로 제 1 내부 전극(523), 제 2 내부 전극(524), 제 1 내부 전극(523), 제 2 내부 전극(524)이 나열되도록 형성된다.A plurality of first
이러한 캐패시터부(500)의 구조 및 구성에 의하면, 복수의 제 1 내부 전극(523)과 복수의 제 2 내부 전극(524) 사이의 캐패시터 적층체(510) 영역 사이에 캐패시터(C)가 형성된다.According to the structure and configuration of the
제 3 실시예에서는 캐패시터부(500)와 ESD 보호부(400) 사이가 이격되며, 이격 공간이 빈 공간인 것을 설명하였다.In the third embodiment, the
하지만, 이에 한정되지 않고, 도 8에 도시된 제 4 실시예와 같이, 캐패시터부(500)와 ESD 보호부(400) 사이의 이격 공간에 연결 블록(700)이 채워지도록 형성될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and the
즉, 제 4 실시예에 따른 감전 보호 컨택터는 전자 기기의 케이스(10)와 전기적으로 접촉되며, 탄성력을 가지는 컨택부(300a), 각각이 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에서 폭 방향(좌우 방향)으로 이격 배치되며, 일측면 및 타측면이 케이스(10) 및 회로 기판(20)과 연결되도록 형성된 캐패시터부(500) 및 ESD 보호부(400), 캐패시터부(500)와 ESD 보호부(400) 사이를 연결하도록 형성된 연결 블록(700)을 포함한다. 또한, 컨택부(300a)에 캐패시터부(500), ESD 보호부(400) 및 연결 블록(700)을 접합 또는 체결시키는 결합부(600a)를 포함한다.That is, the shock-protective contactor according to the fourth embodiment has
여기서, 연결 블록(700)의 일측면은 캐패시터부(500)의 일측면과 접하고, 연결 블록(700)의 타측면은 ESD 보호부(400)의 일측면과 접하도록 형성된다.One side of the
이러한, 연결 블록(700)은 절연 재료 예컨대, 소정의 유전율, 예를 들어 10~20000의 유전율을 갖는 유전체 재료로 구성될 수 있다. 또한, 연결 블록은 복수의 유전체 시트가 복수번 적층되어 구성될 수 있다.The
이러한 제 4 실시예에 따른 감전 보호 컨택터(1000)에서는 캐패시터부(500), ESD 보호부(400) 및 연결 블록(700)이 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에서 폭 방향(좌우 방향)으로 나열 배치되며, 상호 연결된다. 이에, 캐패시터부(500)의 제 1 및 제 2 외부 전극(521, 522)과 ESD 보호부(400)의 제 1 및 제 2 외부 전극(421, 422)이 연결 블록(700)에 의해 절연된다.The
상기에서 설명한 제 1 내지 제 4 실시예에서는 캐패시터부(500a, 500b 또는 500) 및 ESD 보호부(400)와 컨택부(300a) 사이에 도전성 접착층으로 이루어진 결합부(600a)가 형성되어, 캐패시터부(500a, 500b 또는 500) 및 ESD 보호부(400)가 컨택부(300a)에 접합되는 것을 설명하였다.In the first to fourth embodiments described above, the
하지만, 이에 한정되지 않고, 캐패시터부(500a, 500b 또는 500) 및 ESD 보호부(400)가 컨택부(300a)에 기계적으로 결합될 수 있으며, 기계적 결합부(600b)는 예컨대 조인트(joint) 일 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the
이하, 도 9 내지 도 20을 참조하여, 본 발명의 제 5 내지 제 7 실시예에 따른 감전 보호 컨택터에 대해 설명한다.Hereinafter, an electric shock protection contactor according to fifth to seventh embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 9 to 20. FIG.
도 9 내지 도 13은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 도면이다. 도 14 내지 도 16은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 도면이다. 도 17 내지 도 20은 본 발명의 제 7 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 도면이다.9 to 13 are views showing an electric shock protection contactor according to a fifth embodiment of the present invention. 14 to 16 are views showing an electric shock protection contactor according to a sixth embodiment of the present invention. 17 to 20 are views showing an electric shock protection contactor according to a seventh embodiment of the present invention.
여기서, 도 9는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 입체도, 도 10은 도 9의 A-A'를 따라 절단한 단면도, 도 11은 도 9의 B-B'를 따라 절단한 단면도, 도 12는 도 9의 C-C'를 따라 절단한 단면도이다. 도 13은 제 5 실시예의 변형예를 설명하기 위한 도면이다.9 is a cross-sectional view taken along line A-A 'of FIG. 9, and FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line B-B' of FIG. 9, FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line C-C 'of FIG. 9. FIG. 13 is a view for explaining a modification of the fifth embodiment.
또한, 도 14는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 입체도, 도 15는 도 14의 D-D'를 따라 절단한 단면도, 도 16은 도 9의 C-C'를 따라 절단한 단면단면도이다.15 is a cross-sectional view taken along the line D-D 'of FIG. 14, and FIG. 16 is a cross-sectional view taken along line CC' of FIG. 9, Fig.
그리고, 도 17은 본 발명의 제 7 실시예에 따른 감전 보호 컨택터를 도시한 입체도, 도 18은 캐패시터부, 연결 블록 및 ESD 보호부의 나열 또는 형성을 설명하기 위하여, 도 17의 감전 보호 컨택터에서, 감전 보호부로부터 결합부가 분리된 상태를 도시한 입체도이다. 도 19는 도 17의 C-C'를 따라 절단한 단면도이다.17 is a three-dimensional view showing an electric shock protection contactor according to a seventh embodiment of the present invention. FIG. 18 is a sectional view of the electric shock protection contact shown in FIG. 17 to explain the arrangement or formation of the capacitor unit, Fig. 3 is a three-dimensional view showing a state in which the coupling portion is separated from the electric shock protection portion in Fig. 19 is a cross-sectional view taken along line C-C 'in Fig.
도 20은 제 7 실시예의 변형에에 따른 감전 보호 컨택터를 설명하기 위한 단면도이다.20 is a sectional view for explaining an electric shock protection contactor according to a modification of the seventh embodiment.
도 9 내지 도 12를 참조하면, 제 5 실시예에 따른 감전 보호 컨택터(1000)는 전자 기기의 케이스(10)와 전기적으로 접촉되며, 탄성력을 가지는 컨택부(300a), 각각이 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에 위치하며, 일측면 및 타측면이 케이스(10) 및 회로 기판(20)과 연결된 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부(400), 컨택부(300a)에 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부(400)를 기계적 또는 물리적으로 결합시키는 결합부(600a)를 포함한다. 여기서, 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부(400)는 상호 이격 형성되며, 캐패시터부(500a, 500b)와 ESD 보호부(400) 사이는 빈 공간이다.9 to 12, an electric
즉, 제 5 실시예에 따른 감전 보호 컨택터(1000)는 도 1에 도시된 제 1 실시예와 유사한 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부(400)를 가지며, 여기에 결합부가 도전성 적층체가 아닌 체결 기능을 가지는 결합부(600b)를 적용한 것이다. That is, the
이하에서는 체결 부재를 포함하는 결합부(600b)에 대한 설명을 위해, 컨택부(300a)로 회로 기판(20) 사이에 위치되며 ESD 보호부(400) 및 캐패시터부(500a, 500b)를 포함하는 구성을 "감전 보호부(50)"라 명명한다. 즉, 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에는 감전 보호부(50)가 위치되며, 감전 보호부(50)는 ESD 보호부(400) 및 캐패시터부(500a, 500b)를 포함한다.Hereinafter, the
실시예에 따른 감전 보호부(50)의 전체적 형상은 돌출 영역를 구비하도록 대략 알파벳 "T"자 형상으로 구성되는데, 이는 결합부와의 용이한 체결을 위함이다.The overall shape of the electric shock protection part 50 according to the embodiment is configured in a substantially alphabetical "T" shape to have a protruding area, for easy fastening with the coupling part.
감전 보호부(50)의 전체적 형상 또는 형태 측면에서 감전 보호(50)를 다시 설명하면, 감전 보호부(50)는 X 축 방향(제 1 방향) 및 Y축 방향(제 2 방향)으로 연장 형성된 제 1 영역(A1) 및 제 1 영역(A1)의 하측에 위치되고, 제 1 영역(A1)에 비해 면적이 작도록 X 축 방향(제 1 방향) 및 Y축 방향(제 2 방향)으로 연장 형성된 제 2 영역(A2)을 포함한다.The electric shock protection 50 is formed by extending in the X-axis direction (first direction) and the Y-axis direction (second direction) (First direction) and a Y-axis direction (second direction) so as to be smaller in area than the first area A1 and located below the first area A1 and the first area A1, And a second region A2 formed.
여기서, 제 1 영역(A1)의 X 축(제 1 방향)과 교차하는 Y 축(제 2 방향)의 길이가 제 2 영역(A2)의 Y 축(제 2 방향)에 비해 길도록 형성되어, 상기 제 1 영역(A1)의 Y 축(제 2 방향)의 끝단이 상기 제 2 영역(A2)에 비해 돌출되도록 형성된다. 즉, 제 1 영역(A1)은 제 2 영역(A2)에 비해 Y 축 방향으로 더 돌출된 돌출 영역(P)을 구비한다. 이때, 제 2 영역(A2)는 제 1 영역(A1)의 하부 중심에 위치하도록 배치되는 것이 바람직하며, 이에 따라 제 1 영역(A1)는 제 2 영역(A2)를 기준으로 Y 축 방향의 양 측으로 돌출 영역(P)이 구비된다. 또한, 제 1 영역(A1)의 X 축(제 1 방향)의 길이와 제 2 영역(A2)의 X 축(제 1 방향)의 길이는 상호 동일할 수 있다.Here, the length of the Y axis (second direction) intersecting the X axis (first direction) of the first region A1 is formed to be longer than the Y axis (second direction) of the second region A2, The end of the first region A1 in the Y-axis (second direction) is formed to protrude from the second region A2. That is, the first region A1 has a protruding region P that is further projected in the Y-axis direction as compared with the second region A2. At this time, it is preferable that the second region A2 is arranged to be positioned at the lower center of the first region A1, and accordingly, the first region A1 is the amount in the Y-axis direction with respect to the second region A2 A protruding region P is provided. The length of the first area A1 in the X axis (first direction) and the length of the second area A2 in the X axis (first direction) may be the same.
이에 감전 보호부(50)의 전체 형태는 상술한 제 1 영역(A1) 및 제 2 영역(A2)을 포함하여, 알파벳 "T"자 형태가 된다.Thus, the entire shape of the electric shock protection portion 50 includes the first area A1 and the second area A2 described above, and is in the form of an alphabet "T" shape.
상술한 제 1 영역(A1) 및 제 2 영역(A2) 각각은 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부(400)가 형성되는 "영역" 또는 "공간" 또는 위치의 의미일 수 있다.Each of the first area A1 and the second area A2 described above may be a meaning of "area" or "space " or position in which the
이에, 감전 보호부(50)를 다시 설명하면, 감전 보호부(50)는 상술한 제 1 영역 및 제 2 영역으로 이루어지도록 형성되어, 알파벳 "T"자 형태가 된다.To describe the electric shock protection unit 50 again, the electric shock protection unit 50 is formed to include the first area and the second area described above and has the alphabet "T" shape.
결합부(600b)는 적어도 제 1 영역(A1)의 돌출 영역(P)을 파지하도록 체결된다.The engaging
제 5 실시예에 따른 감전 보호 컨택터(1000)의 제 1 영역(A1) 및 제 2 영역(A2) 각각은 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b)와 ESD 보호부(400)를 포함한다. 다른 말로 설명하면, 제 1 영역(A1) 및 제 2 영역(A2) 각각에 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b)와 ESD 보호부(400)가 형성된다. 이는 제 1 캐패시터부(500a), 제 2 캐패시터부(500b) 및 ESD 보호부(400) 각각이 제 1 영역(A1) 및 제 2 영역(A2) 각각에 별도로 마련된다는 의미는 아니다. 즉, 제 1 캐패시터부(500a)가 제 1 영역(A1) 및 제 2 영역(A2)에 걸쳐 형성되고, 제 2 캐패시터부(500b)가 제 1 영역(A1) 및 제 2 영역(A2)에 걸쳐 형성되며, ESD 보호부(400)가 제 1 영역(A1) 및 제 2 영역(A2)에 걸쳐 형성되며, 제 1 캐패시터부(500a), ESD 보호부(400) 및 제 2 캐패시터부(500b)가 제 1 방향으로 나열 배치된다.Each of the first area A1 and the second area A2 of the electric
이하, 제 5 실시예에 따른 감전 보호 컨택터에 대해 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the electric shock protection contactor according to the fifth embodiment will be described in more detail.
제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b) 각각은 그 외관의 대략적인 형상이 알파벳 "T"자 형상이 되도록 구성된다. 보다 구체적으로 설명하면, 캐패시터부(500a, 500b)는 적어도 하나의 시트가 적층된 캐패시터 적층체(510), 캐패시터 적층체(510)의 외면에서 케이스(10) 또는 결합부(600b)와 대향하는 외면 및 상기 회로 기판(20)과 대향하는 외면 각각에 형성된 제 1 및 제 2 외부 전극(521, 522), 캐패시터 적층체(510) 내부에서 상기 제 1 및 제 2 외부 전극(521, 522)과 교차하는 방향으로 연장 형성되며, 상기 제 1 및 제 2 외부 전극(521, 522)과 교번하여 연결되도록 나열 형성된 복수의 내부 전극(523, 524)을 포함한다.Each of the first and
도 10을 참조하면, 캐패시터 적층체(510)는 장변 및 단변을 가지는 형상으로, 예컨대, 단변 방향에서 바라본 형상이 알파벳 'T'자 형상일 수 있다. 이하에서는 장변 방향으로 X 축 방향(또는 제 1 방향), 단변 방향으로 Y 축 방향(제 2 방향)이라고 정의한다.Referring to FIG. 10, the
여기서, X축 방향은 다른 말로 하면, 복수의 내부 전극(523, 524)이 나열 배치된 방향이고, Y 축 방향은 상기 X축 방향과 교차 또는 직교하는 방향이다.In other words, the X-axis direction is a direction in which the plurality of
상술한 바와 같이, 캐패시터 적층체(510)는 그 전체적인 형상 또는 단변 방향에서 바라본 단면 형성이 알파벳 'T'자 형상이다. 이를 보다 구체적으로 설명하면, 캐패시터 적층체(510)는 상하부로 적층 형성된 캐패시터 상부 적층체(510a)와 캐패시터 하부 적층체(510b)를 포함하며, 캐패시터 상부 적층체(510a)와 캐패시터 하부 적층체(510b)는 X 방향의 길이가 상호 대응 또는 동일 또는 유사하고, 캐패시터 상부 적층체(510a)의 Y 방향의 길이는 캐패시터 하부 적층체(510b)에 비해 크다. 이에, 캐패시터 상부 적층체(510a)와 캐패시터 하부 적층체(510b)가 상하 방향으로 결합된 형상이 대략 알파벳 "T"자 형상이 된다. 즉, 도 10에 도시된 바와 같이, 하부 적층체(520)를 기준으로 상부 적층제(510)가 Y 축 방향의 양 방향으로 더 돌출된 형상이며, 캐패시터 상부 적층체(510a)의 돌출 영역(P)이 결합부(600b)와 체결되는 부분이다.As described above, the
상기에서는 캐패시터 상부 적층체(510a)와 캐패시터 하부 적층체(510b)를 별도 구성으로 설명하였으나, 캐패시터 적층체(510)는 일체형일 수 있다. 또한, 캐패시터 상부 적층체(510a) 및 캐패시터 하부 적층체(510b) 각각은 유전체, 세라믹 및 배리스터(Varistor) 중 적어도 어느 하나로 이루어진 시트를 복수개 적층하여 형성할 수 있다.Although the capacitor
제 1 외부 전극(521)은 캐패시터 상부 적층체(510a)의 상부면 및 측면에 형성되어, 제 1 내부 전극(523)과 연결되고, 제 2 외부 전극(522)은 캐패시터 하부 적층체(510b)의 하부면에 형성되어, 제 2 내부 전극(524)과 연결된다. 이러한 제 1 및 제 2 외부 전극(521, 522)은 도전성의 재료 예컨대, Ag, Ag/Pd, Cu, Pd, Au, Al 중 적어도 하나를 적층체 외면에 인쇄 방법으로 도포하여 형성할 수 있다.The first
또한, 도 13a에 도시된 바와 같이, 제 1 외부 전극(521) 및 제 2 외부 전극(522) 중 적어도 하나의 외면에 도금층(526a, 526b)이 더 형성될 수 있다. 예를 들어, Ni 도금층 및 Sn 또는 Sn/Ag 도금층이 적층 형성될 수도 있다.13A, plating
제 1 외부 전극(521)의 외면 및 제 2 외부 전극(522)의 외면에 각기 제 1 및 제 2 도금층(526a, 526b)을 형성한 후, 캐패시터부(500a, 500b)의 상부를 결합부(600b)에 체결되도록 접촉시키고, 캐패시터부(500a, 500b)의 하부를 회로 기판(20)과 접촉시킨다. 그리고, 제 1 도금층(526a) 및 제 2 도금층(526b) 각각을 가열하면, 상기 제 1 및 제 2 도금층(526a, 526b)이 용융되어 결합부(600b) 및 회로 기판(20)과 접합 또는 결합된다.The first and
도 9 및 도 11을 참조하면, ESD 보호부(400)는 그 외관의 대략적인 형상이 알파벳 "T"자 형상이 되도록 구성된다. 보다 구체적으로 설명하면, ESD 보호부(400)는 적어도 하나의 시트가 적층되어 구성된 ESD 적층체(410), ESD 적층체(410)의 외면에서 케이스(10)와 대향하는 외면 및 상기 회로 기판(20)과 대향하는 외면 각각에 형성된 복수의 외부 전극(421, 422), ESD 적층체(410) 내부에서 외부 전극(421, 422)과 교차하는 방향으로 연장 형성되며, 상기 복수의 외부 전극(421, 422)과 교번하여 연결되도록 나열 형성된 복수의 내부 전극(423, 424), 내부 전극(423, 424) 사이에 형성된 ESD 보호층(430)을 포함한다.9 and 11, the
도 11을 참조하면, ESD 적층체(410)는 장변 및 단변을 가지는 형상으로, 예컨대, 단변 방향에서 바라본 형상이 알파벳 'T'자 형상일 수 있다. 이하에서는 ESD 보호부(400)의 장변 방향을 X 축 방향(또는 제 1 방향), 단변 방향을 Y 축 방향(제 2 방향)이라고 정의한다.Referring to FIG. 11, the
ESD 보호부(400)의 ESD 적층체(410)는 그 전체적인 형상 또는 단변 방향에서 바라본 단면 형성이 알파벳 'T'자 형상이다. 이를 보다 구체적으로 설명하면, ESD 적층체(410)는 상하부로 적층 형성된 ESD 상부 적층체(410a)와 ESD 하부 적층체(410b)를 포함하며, ESD 상부 적층체(410a)와 ESD 하부 적층체(410b)는 X 방향의 길이가 상호 대응 또는 동일 또는 유사하고, ESD 상부 적층체(410a)의 Y 방향의 길이는 ESD 하부 적층체(410b)에 비해 크다. 이에, ESD 상부 적층체(410a)와 ESD 하부 적층체(410b)가 상하 방향으로 결합된 형상이 대략 알파벳 "T"자 형상이 된다. 즉, 도 9 및 도 11에 도시된 바와 같이, ESD 하부 적층체(410b)를 기준으로 상부 적층제(410a)가 Y 축 방향의 양 방향으로 더 돌출된 형상이며, 캐패시터 상부 적층체(510a)의 돌출 영역(P)이 결합부(600b)와 체결되는 부분이다.The ESD laminate 410 of the
상기에서는 ESD 상부 적층체(410a)와 ESD 하부 적층체(410b)를 별도 구성으로 설명하였으나, ESD 적층체(410)는 일체형일 수 있다. 또한, ESD 상부 적층체(410a) 및 ESD 하부 적층체(410b) 각각은 유전체, 세라믹 및 배리스터(Varistor) 중 적어도 어느 하나로 이루어진 시트를 복수개 적층하여 형성할 수 있다.Although the ESD
제 1 외부 전극(421)은 ESD 상부 적층체(410a)의 상부면 및 측면에 형성되어, 제 1 내부 전극(423)과 연결되고, 제 2 외부 전극(422)은 ESD 하부 적층체(410b)의 하부면에 형성되어, 제 2 내부 전극(424)과 연결된다. 이러한 제 1 및 제 2 외부 전극(421, 422)은 도전성의 재료 예컨대, Ag, Ag/Pd, Cu, Pd, Au, Al 중 적어도 하나를 적층체 외면에 인쇄 방법으로 도포하여 형성할 수 있다.The first
또한, 도 13b에 도시된 바와 같이, 제 1 외부 전극(421) 및 제 2 외부 전극(422) 중 적어도 하나의 외면에 도금층(426a, 426b)이 더 형성될 수 있다. 예를 들어, Ni 도금층 및 Sn 또는 Sn/Ag 도금층이 적층 형성될 수도 있다.13B, plating
제 1 외부 전극(421)의 외면 및 제 2 외부 전극(422)의 외면에 각기 제 1 및 제 2 도금층(426a, 426b)을 형성한 후, ESD 보호부(400)의 상부를 결합부(600b)에 체결되도록 접촉시키고, ESD 보호부(400)의 하부를 회로 기판(20)과 접촉시킨다. 그리고, 제 1 도금층(426a) 및 제 2 도금층(426b) 각각을 가열하면, 상기 제 1 및 제 2 도금층(426a, 426b)이 용융되어 결합부(600b) 및 회로 기판(20)과 접합 또는 결합된다.The first and
이상에서 설명한 바와 같이, 제 5 실시예에 따른 감전 보호 컨택터(1000)는 체결 기능을 가지는 결합부(600b)를 포함한다. 즉, 결합부(600b)는 감전 보호부(50)의 상부면과, 하부 적층체(510b, 410b)에 비해 Y 축 방향으로 더 돌출된 상부 적층체(510a, 410a)의 돌출 영역(P)을 파지(把持)할 수 있도록 구성된다.As described above, the electric
보다 구체적으로 결합부(600b)를 설명하면, 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부(400) 각각의 상부 적층체(510a, 410a)의 상부면과 대응 위치되며, 상부 적층체(510a, 410a)의 X 축 및 Y 축 연장 방향과 대응하는 방향으로 연장 형성된 상부 체결 부재(610), 상부 체결 부재(610)의 Y축 방향의 양 단 각각으로부터 하측 방향으로 연장 형성된 측부 체결 부재(620), 측부 체결 부재(620)로부터 Y 축 방향으로 연장 형성되되, 하부 적층체(510b, 410b)에 비해 Y 축 방향으로 돌출된 상부 적층체(510a, 410b)의 하부면과 대응하도록 연장 형성된 하부 체결 부재(630)를 포함한다.More specifically, the
이러한 결합부(600b)는 상술한 바와 같이 감전 보호부(50) 또는 제 1 영역(A1) 돌출 영역(P)을 파지하도록 체결되는데, 상부 체결 부재(610)의 가장자리가 돌출 영역(P)의 상부면, 측부 체결 부재(620)가 돌출 영역(P)의 측면, 하부 체결 부재(630)가 돌출 영역(P)의 하부면과 체결되도록 결합된다.The
여기서, 결합부(600b)의 상부 체결 부재(610), 측부 체결 부재(620), 하부 체결 부재(630) 사이에는 빈 공간이 마련되며, 상기 빈 공간에는 감전 보호부(50)의 제 1 영역(A1)이 삽입되도록 수용될 수 있게 구성된다. 이러한 결합부(600b)는 도전성의 재료 예컨대, 구리(Cu)로 형성될 수 있다.Here, an empty space is provided between the
제 5 실시예에서는 한 쌍의 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부(400)가 상호 이격 형성된다. 이에, 제 5 실시예에 따른 결합부(600B)는 측부 체결 부재(620) 및 하부 체결 부재(630) 각각은 제 1 캐패시터부(500a)와 ESD 보호부(400) 사이의 이격 공간, 제 2 캐패시터부(500B)와 ESD 보호부(400) 사이의 이격 공간이 개방된 형상일 수 있다.In the fifth embodiment, the pair of
컨택부(300a)는 결합부(600b)와 일체형으로 구성될 수 있다. 예컨대, 컨택부(300a)는 제 1 연장부(310)와 제 3 연장부(330)를 포함하고, 제 3 연장부(330)가 결합부(600b)의 상부 체결 부재(610)와 연결되도록 구성된 일체형일 수 있다. 여기서 컨택부(300a)의 제 2 연장부(320)는 결합부(600b) 또는 결합부(600b)의 상부 체결 부재(610)로 대체될 수 있다.The
상술한 바와 같은, 결합부(600b)를 감전 보호부(50)와 체결 시에, 감전 보호부의 제 1 영역(A1) 또는 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부(400) 각각의 상부 적층체(510a, 410b)를 결합부(600b)의 상부 체결 부재(610), 측부 체결 부재(620), 하부 체결 부재(630) 사이의 공간에 끼워 넣는 방식으로 체결할 수 있다. 이에, 감전 보호부(50) 즉, 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부(400)는 결합부(600b)에 의해 컨택부(300a) 기계적으로 결합된다.When the engaging
이렇게 도전성 접착층이 아닌 체결 부재 또는 조인트를 포함하는 결합부(600b)를 이용하여 컨택부(300a)와 캐패시터부(500) 또는 ESD 보호부(400)를 기계적으로 결합시키게 되면, 도전성 접착제를 이용하는 제 1 내지 제 4 실시예에 비해 저항을 낮출 수 있는 효과가 있다.If the
상술한 제 5 실시예에서는 한 쌍의 캐패시터부(500a, 500b)와 ESD 보호부(400)가 상호 이격 형성되며, 그 이격 공간이 빈 공간인 것을 설명하였다.In the above-described fifth embodiment, the pair of
하지만, 이에 한정되지 않고, 도 14 내지 도 16에 도시된 제 6 실시예와 같이, 제 1 캐패시터부(500a)와 ESD 보호부(400) 사이 및 제 2 캐패시터부(500b)와 ESD 보호부(400) 사이의 이격 공간을 채우도록 구성되고, 여기에 체결 기능을 가지는 결합부(600b)가 적용될 수 있다.However, the present invention is not limited to this, and the
즉, 제 6 실시예에 따른 감전 보호 컨택터(1000)는 전자 기기의 케이스(10)와 전기적으로 접촉되며, 탄성력을 가지는 컨택부(300a), 각각이 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에 위치하며, 일측면 및 타측면이 케이스(10) 및 회로 기판(20)과 연결된 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부(400), 제 1 캐패시터부(500a)와 ESD 보호부(400) 사이 및 ESD 보호부(400)와 제 2 캐패시터부(500b) 사이 각각에 연결 블록(700a, 700b), 컨택부(300a)에 캐패시터부(500a, 500b)및 ESD 보호부(400)를 기계적 또는 물리적으로 결합시키는 결합부(600a)를 포함한다.That is, the
상술한 제 6 실시예에 따른 감전 보호 컨택터(1000)는 도 6에 도시된 제 2 실시예와 유사한 캐패시터부(500a, 500b), ESD 보호부(400) 및 연결 블록(700a, 700b)를 가지며, 여기에 결합부가 도전성 적층체가 아닌 체결 기능을 가지는 결합부(600b)를 적용한 것이다.The electric
본 실시예에서는 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에 위치되는 캐패시터부(500a, 500b), ESD 보호부(400) 및 연결 블록(700a, 700b)을 포함하는 구성을 감전 보호부(50)라 명명한다. 즉, 제 6 실시예에 따른 감전 보호부(50)는 상호 이격 형성된 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b)와, 제 1 캐패시터부(500a)와 제 2 캐패시터부(500b) 사이에 이격 형성된 ESD 보호부(400), 제 1 캐패시터부(500a)와 ESD 보호부(400) 사이에 위치되며, 일측면 및 타측면이 각기 제 1 캐패시터부(500a) 및 ESD 보호부(400)와 연결되도록 형성된 제 1 연결 블록(700a), 제 2 캐패시터부(500b)와 ESD 보호부(400) 사이에 위치되며, 일측면 및 타측면이 각기 제 2 캐패시터부(500b) 및 ESD 보호부(400)와 연결되도록 형성된 제 2 연결 블록(700b)을 포함한다.The structure including the
즉, 제 6 실시예에 따른 제 1 영역(A1) 및 제 2 영역(A2) 각각은 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b)와, ESD 보호부(400)와, 제 1 및 제 2 연결 블록(700a, 700b)를 포함한다. 다른 말로 하면, 제 1 영역(A1) 및 제 2 영역(A2) 각각에 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b)와 ESD 보호부(400)와, 제 1 및 제 2 연결 블록(700a, 700b)이 형성된다. 즉, 제 1 캐패시터부(500a)가 제 1 영역(A1) 및 제 2 영역(A2)에 걸쳐 형성되고, 제 2 캐패시터부(500b)가 제 1 영역(A1) 및 제 2 영역(A2)에 걸쳐 형성되며, ESD 보호부(400)가 제 1 영역(A1) 및 제 2 영역(A2)에 걸쳐 형성된다. 제 1 연결 블록(700a)이 제 1 영역(A1) 및 제 2 영역(A2)에 걸쳐 형성되고, 제 2 연결 블록(700b)이 제 1 영역(A1) 및 제 2 영역(A2)에 걸쳐 형성되다. 그리고, 제 1 캐패시터부(500a), 제 1 연결 블록(700a), ESD 보호부(400), 제 2 연결 블록(700b) 및 제 2 캐패시터부(500b)가 제 1 방향으로 나열 배치된다.That is, each of the first region A1 and the second region A2 according to the sixth embodiment includes first and
이를 다른 말로 하면, 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b), ESD 보호부(400), 제 1 및 제 2 연결 블록(700a, 700b) 각각의 전체적인 형상이 알파벳 "T"자 형상이며, 상기 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b), ESD 보호부, 제 1 및 제 2 연결 블록(700a, 700b)이 연결된 전체적 형상이 알파벳 "T"자 형상이다.In other words, the overall shape of each of the first and
결합부(600b)는 한 쌍의 캐패시터부(500a, 500b)의 상부, 측부와, Y축 방향으로 돌출된 돌출 영역(P)와, ESD 보호부(400)의 상부, 측부와, Y축 방향으로 돌출된 돌출 영역(P)을 파지(把持)할 수 있도록 구성된다. The
즉, 결합부(600b)의 상부 체결 부재(610)는 한 쌍의 캐패시터부(500), ESD 보호부(400), 제 1 및 제 2 연결 블록(700a, 700b) 각각에서 돌출 영역(P)에 대응하는 상부, 측부 체결 부재(620)는 돌출 영역(P)에 대응하는 측부, 하부 체결 부재(630)는 돌출 영역(P)에 대응하는 하부와 체결된다.That is, the
이를 다른 말로하면, 결합부(600b)는 감전 보호부(50)의 돌출 영역(P)을 파지하도록 체결되는데, 상부 체결 부재(610)의 가장자리가 돌출 영역(P)의 상부면, 측부 체결 부재(620)가 돌출 영역(P)의 측면, 하부 체결 부재(630)가 돌출 영역(P)의 하부면과 체결되도록 결합된다.In other words, the
상술한 제 5 실시예 및 제 6 실시예에 따른 감전 보호 컨택터에서는 체결 기능을 가지는 결합부(600b)의 적용을 위하여, 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부(400) 각각이 알파벳 "T"자 형상으로 제조되는 것을 설명하였다.The
하지만, 이에 한정되지 않고, 도 17 내지 도 19에 도시된 제 7 실시예와 같이, 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부(400)의 하측에 Y축 방향의 길이가 상대적으로 짧은 연결부(800)를 더 형성하여, "T"자 형상으로 구성할 수 있다.However, the present invention is not limited to this. As in the case of the seventh embodiment shown in FIGS. 17 to 19, a connection part (for example, a capacitor) 500a and 500b and a
즉, 제 7 실시예에 따른 감전 보호 컨택터(1000)는 전자 기기의 케이스(10)와 전기적으로 접촉되며, 탄성력을 가지는 컨택부(300a), 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에서 폭 방향(좌우 방향)으로 이격 배치되며, 일측면 및 타측면이 케이스(10) 및 회로 기판(20)과 연결되도록 형성된 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b), 제 1 캐패시터부(500a)와 제 2 캐패시터부(500b) 사이에서 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b)와 이격 배치되며, 일측면 및 타측면이 케이스(10) 및 회로 기판(20)과 연결되도록 형성된 ESD 보호부(400), 제 1 캐패시터부(500a)와 ESD 보호부(400) 사이를 연결하도록 형성된 제 1 연결 블록(700a), 제 1 캐패시터부(500a)와 ESD 보호부(400) 사이를 연결하도록 형성된 제 2 연결 블록(700b), 캐패시터부(500a, 500b), ESD 보호부(400), 제 1 및 제 2 연결 블록(700a, 700b)과 회로 기판(20) 사이에 위치되어, 일측면이 캐패시터부(500a, 500b), ESD 보호부(400), 제 1 및 제 2 연결 블록(700a, 700b)와 연결되고, 타측면이 회로 기판(20)과 연결되도록 형성된 연결부(800)를 포함한다. 그리고, 캐패시터부(500a, 500b), ESD 보호부(400), 제 1 및 제 2 연결 블록(700a, 700b)를 컨택부에 기계적으로 결합시키는 결합부(600b)를 포함한다. That is, the
즉, 제 7 실시예에 따른 감전 보호 컨택터(1000)는 도 6에 도시된 제 2 실시예에 따른 감전 보호 컨택터(1000)에서 연결부(800)가 추가 구성되며, 도전성 접착제로 이루어진 결합부(600a)가 제거되고, 기계적 결합 수단인 결합부(600b)가 설치된다.That is, the shock-
본 실시예에서는 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에 위치되는 캐패시터부(500a, 500b), ESD 보호부(400), 연결 블록(700a, 700b) 및 연결부(800)를 포함하는 구성을 감전 보호부(50)라 명명한다. 즉, 제 7 실시예에 따른 감전 보호부(50)는 상호 이격 형성된 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b)와, 제 1 캐패시터부와 제 2 캐패시터 사이에 이격 형성된 ESD 보호부(400)와, 제 1 캐패시터부(500a)와 ESD 보호부(400) 사이에 위치되며, 일측면 및 타측면이 각기 제 1 캐패시터부(500a) 및 ESD 보호부(400)와 연결되도록 형성된 제 1 연결 블록(700a)과, 제 2 캐패시터부(500b)와 ESD 보호부(400) 사이에 위치되며, 일측면 및 타측면이 각기 제 2 캐패시터부(500b) 및 ESD 보호부(400)와 연결되도록 형성된 제 2 연결 블록(700b)와, 제 1 캐패시터부(500a), 제 1 연결 블록(700a), ESD 보호부(400), 제 2 연결 블록(700b) 및 제 2 캐패시터부(500b)의 하부에 연결된 연결부(800)를 포함한다.The
실시예에 따른 감전 보호부(50)의 전체적 형상은 돌출 영역를 구비하도록 대략 알파벳 "T"자 형상으로 구성된다.The overall shape of the electric shock protection portion 50 according to the embodiment is configured in an approximately alphabetical "T" shape to have a protruding region.
즉, 제 7 실시예에 따른 제 1 영역(A1)은 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b)와, ESD 보호부(400)와, 제 1 및 제 2 연결 블록(700a, 700b)를 포함한다. 다른 말로 하면, 제 1 영역(A1)에 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b)와 ESD 보호부(400)와, 제 1 및 제 2 연결 블록(700a, 700b)이 형성된다. 그리고, 제 1 캐패시터부(500a), 제 1 연결 블록(700a), ESD 보호부(400), 제 2 연결 블록(700b) 및 제 2 캐패시터부(500b)가 제 1 방향으로 나열 배치된다.That is, the first region A1 according to the seventh embodiment includes the first and
그리고, 제 2 영역(A2)에 연결부(800)가 형성된다.A
상술한 감전 보호부의 형상에 대해 다시 설명하면, 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b), ESD 보호부(400), 제 1 및 제 2 연결 블록(700a, 700b)의 하부에 연결부(800)가 연결된 전체적인 형상이 알파벳 "T"자 형상이다. 이를 위해, 연결부(800)의 Y 축 방향의 길이가 제 1 캐패시터부(500a), 제 1 연결 블록(700a), ESD 보호부(400), 제 2 연결 블록(700b) 및 제 2 캐패시터부(500b) 순으로 나열되어 상호 연결된 상태에서 Y축 방향의 길이에 비해 짧도록 한다. 이에, 지지부(800)의 Y 축 방향의 양 측방향으로 돌출 영역(P)이 마련된다.The
결합부(600b)는 제 1 캐패시터부(500a), 제 1 연결 블록(700a), ESD 보호부(400), 제 2 연결 블록(700b) 및 제 2 캐패시터부(500b) 각각의 상부 및 측부와, Y축 방향으로 돌출된 돌출 영역(P)을 파지(把持)할 수 있도록 구성된다. 즉, 결합부(600b)는 감전 보호부(50)의 돌출 영역(P)을 파지하도록 체결되는데, 상부 체결 부재(610)의 가장자리가 돌출 영역(P)의 상부면, 측부 체결 부재(620)가 돌출 영역(P)의 측면, 하부 체결 부재(630)가 돌출 영역(P)의 하부면과 체결되도록 결합된다.The
연결부(800)는 캐패시터부(500a, 500b), ESD 보호부(400), 제 1 및 제 2 연결 블록(700a, 700b)의 하부에서 좌우 방향으로 연장 형성된 연결 부재(810), 연결 부재(810)에 형성되며, 제 1 및 제 2 캐패시터부(500a, 500b)와 회로 기판(20)을 전기적으로 연결하도록 형성된 연결 전극(이하, 제 1 및 제 2 캐패시터 연결 전극(820a, 820b)), 연결 부재(810)에 형성되며, ESD 보호부(400)와 회로 기판(20)을 전기적으로 연결하도록 형성된 연결 전극(이하, ESD 연결 전극(830))을 포함한다.The
연결 부재(810)는 절연 재료 예컨대, 소정의 유전율, 예를 들어 10~20000의 유전율을 갖는 유전체 재료 또는 배리스터(Varistor) 중 어느 하나로 구성될 수 있다. 또한, 적층체 복수의 유전체 시트가 복수번 적층되어 구성될 수 있다. The connecting
그리고 연결부(800)의 연결 부재(810)의 좌우 방향의 길이는 제 1 캐패시터부(500a), 제 1 연결 블록(700a), ESD 보호부(400), 제 2 연결 블록(700b), 제 2 캐패시터부(500b)가 일 방향으로 나열되어 상호 연결된 길이에 비해 짧도록 형성되는 것이 바람직하다. The length of the connecting
또한, 연결부(800)의 연결 부재(810)가 제 1 캐패시터부(500a), 제 1 연결 블록(700a), ESD 보호부(400), 제 2 연결 블록(700b), 제 2 캐패시터부(500b) 하부에 위치할 때, 상기 연결부(800)의 연결 부재(810)의 양 측 방향으로 제 1 캐패시터부(500a) 및 제 2 캐패시터부(500b)가 돌출 되도록 형성한다.The
제 1 캐패시터 전극(820a)은 제 1 캐패시터부(500a)와 회로 기판(20)을 연결하는 전극으로서, 연결 부재(810) 내에서 상하 방향으로 연장 형성되며, 일단이 제 1 캐패시터부(500a)의 제 2 외부 전극(522)과 연결된 제 1 연결 전극(821a) 및 연결 부재(810)의 하면에서 제 1 연결 전극(821a) 및 회로 기판(20)과 연결되도록 형성된 제 2 연결 전극(822a)을 포함한다.The
또한, 제 2 캐패시터 전극(820b)은 제 2 캐패시터부(500b)와 회로 기판(20)을 연결하는 전극으로서, 연결 부재(810) 내에서 상하 방향으로 연장 형성되며, 일단이 제 2 캐패시터부(500b)의 제 2 외부 전극(522)과 연결된 제 1 연결 전극(821b) 및 연결 부재(810)의 하면에서 제 1 연결 전극(821b) 및 회로 기판(20)과 연결되도록 형성된 제 2 연결 전극(822b)을 포함한다.The
ESD 연결 전극(830)은 ESD 보호부(400)와 회로 기판(20)을 연결하는 전극으로서, 연결 부재(810) 내에서 상하 방향으로 연장 형성되며, 일단이 ESD 보호부(400)의 제 2 외부 전극(422)과 연결된 제 1 연결 전극(831) 및 연결 부재(810)의 하면에서 제 1 연결 전극(831) 및 회로 기판(20)과 연결되도록 형성된 제 2 연결 전극(832)을 포함한다.The
이러한 연결부(800)에서, 연결 부재(810) 내에서 제 1 및 제 2 캐패시터 연결 전극(820a, 820b) 각각의 제 1 연결 전극(821a, 821b)과, ESD 연결 전극(830)의 제 1 연결 전극(831)은 연결 부재(810)의 폭 방향으로 상호 이격 형성된다.In this
또한, 제 1 및 제 2 캐패시터 연결 전극(820a, 820b) 각각의 제 2 연결 전극(822a, 822b)과, ESD 연결 전극(830)의 제 2 연결 전극(832)은 연결 부재(810)의 폭 방향으로 상호 이격 형성된다. The
제 1 및 제 2 캐패시터 연결 전극(820a, 820b) 각각의 제 1 및 제 2 연결 전극(821a, 821b, 822a, 822b), ESD 연결 전극(830)의 제 1 및 제 2 연결 전극(831, 32)은 Ag, Ag/Pd, Cu, Pd, Au, Al 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.The first and
결합부(600b)는 도전성의 재료로 예컨대, 구리(Cu)로 형성될 수 있다. 이에, 컨택부(300a)로 유입된 외부의 통신 신호는 도전체인 결합부(600b)를 통해 제 1 캐패시터부(500a) 및 제 2 캐패시터부(500b)를 통과하여, 연결부(800)의 제 1 및 제 2 캐패시터 연결 전극(820a, 820b)을 통해 회로 기판으로 입력된다.The
또한, 외부로부터 케이스(10) 및 컨택부(300a)를 통해 유입된 방전 개시 전압 이상의 과전압 또는 ESD 전압에 의한 전류는 ESD 보호부(400) 및 ESD 연결 전극(830)를 통해 접지부로 바이패스 된다. 회로 기판(10)의 내부 회로를 통해 유입되는 감전 전압은 ESD 보호부에 의해 차단된다.An overvoltage or an ESD voltage higher than the discharge start voltage flowing through the
상술한 제 7 실시예에서는 2개의 캐패시터부(500a, 500b)와 하나의 ESD 보호부(400), 제 1 및 제 2 연결 블록(700a, 700b)의 하부에 연결부(800)가 형성되는 경우를 설명하였다.In the seventh embodiment, the
하지만, 이에 한정되지 않고, 하나의 캐패시터부(500)와 하나의 ESD 보호부(400)의 하부에 연결부가 형성될 수 있다.However, the present invention is not limited to this, and a connection portion may be formed under one
예를 들어, 도 20에 도시된 제 7 실시예의 제 1 변형예와 같이, 하나의 캐패시터부(500)와 하나의 ESD 보호부(400)를 구비할 수 있으며, ESD 보호부(400)가 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에서 일측에 위치하도록 또는 일측에 치우치도록 형성될 수 있다. 즉, 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에서 ESD 보호부(400)가 일측에 위치하도록 형성되며, 캐패시터부(500)는 타측으로부터 ESD 보호부(400)가 위치한 방향으로 연장 형성된다. 이때, 캐패시터부(500)와 ESD 보호부(400) 사이에는 연결 블록(700)이 형성되어, 캐패시터부(500) 및 ESD 보호부(400)와 각기 연결된다. For example, the
연결부(800)는 캐패시터부(500), ESD 보호부(400), 연결 블록(700)의 하부에서 좌우 방향으로 연장 형성된 연결 부재(810), 연결 부재(810)에 형성되며, 캐패시터부(500)와 회로 기판(20)을 전기적으로 연결하도록 형성된 연결 전극(이하, 캐패시터 연결 전극(820)), 연결 부재(810)에 형성되며, ESD 보호부(400)와 회로 기판(20)을 전기적으로 연결하도록 형성된 연결 전극(이하, ESD 연결 전극(830))을 포함한다.The connecting
캐패시터 전극(820)은 캐패시터부(500)와 회로 기판(20)을 연결하는 전극으로서, 연결 부재(810) 내에서 상하 방향으로 연장 형성되며, 일단이 캐패시터부(500)의 제 2 외부 전극(522)과 연결된 제 1 연결 전극(821) 및 연결 부재(810)의 하면에서 제 1 연결 전극(821) 및 회로 기판(20)과 연결되도록 형성된 제 2 연결 전극(822)을 포함한다.The
ESD 연결 전극(830)은 ESD 보호부(400)와 회로 기판(20)을 연결하는 전극으로서, 연결 부재(810) 내에서 상하 방향으로 연장 형성되며, 일단이 ESD 보호부(400)의 제 2 외부 전극(422)과 연결된 제 1 연결 전극(831) 및 연결 부재(810)의 하면에서 제 1 연결 전극(831) 및 회로 기판(20)과 연결되도록 형성된 제 2 연결 전극(832)을 포함한다.The
이러한 연결부(800)에서는 연결 부재(810) 내에서 캐패시터 연결 전극(820)의 제 1 연결 전극(821)과, ESD 연결 전극(830)의 제 1 연결 전극(831)이 연결 부재(810)의 폭 방향으로 상호 이격 형성된다. 또한, 캐패시터 연결 전극(820)의 제 2 연결 전극(822)과, ESD 연결 전극(830)의 제 2 연결 전극(832)은 연결 부재(810)의 폭 방향으로 상호 이격 형성된다.The
제 7 실시에의 제 1 변형예에 의하면, 컨택부(300a)로 유입된 외부의 통신 신호는 도전체인 결합부(600b)를 통해 캐패시터부(500)를 통과하여, 연결부(800)의 캐패시터 연결 전극(820)을 통해 회로 기판(20)으로 입력된다.An external communication signal input to the
또한, 외부로부터 케이스(10) 및 컨택부(300a)를 통해 유입된 방전 개시 전압 이상의 과전압 또는 ESD 전압에 의한 전류는 ESD 보호부(400) 및 ESD 연결 전극(830)를 통해 접지부로 바이패스 된다. 회로 기판(10)의 내부 회로를 통해 유입되는 감전 전압은 ESD 보호부(400)에 의해 차단된다.An overvoltage or an ESD voltage higher than the discharge start voltage flowing through the
상술한 제 7 실시예의 제 1 변형예에서는 제 1 영역(A1)에 케패시터부(500) 및 ESD 보호부(400)가 형성되고, 제 2 영역(A2)에 연결부(800)가 형성되는 것을 설명하였다.In the first modification of the seventh embodiment described above, the
하지만, 이에 한정되지 않고, 도 21에 도시된 제 7 실시예의 제 2 변형예와 같이, 제 1 영역(A1)에 연결부(800)가 형성되고, 제 2 영역(A2)에 ESD 보호부(400) 및 캐패시터부(500)가 형성될 수 있다.21, a
상술한 제 5 및 제 6 실시예에서는 제 1 영역 및 제 2 영역에 걸쳐 모두 캐패시터부 및 ESD 보호부가 형성되며, 제 7 실시예에서는 제 1 영역에 캐패시터부 및 ESD 보호부가 형성되고, 제 2 영역에 연결부가 형성되는 것을 설명하였다.In the fifth and sixth embodiments, the capacitor portion and the ESD protection portion are formed over the first region and the second region. In the seventh embodiment, the capacitor portion and the ESD protection portion are formed in the first region, The connection portion is formed.
하지만, 이에 한정되지 않고, 캐패시터부 및 ESD 보호부는 제 1 영역 및 제 2 영역 중 적어도 하나에 형성될 수 있으며, 이때 그 형성 위치가 좌우 방향(또는 폭 방향)으로 중첩되지 않도록 형성된다.However, the present invention is not limited thereto, and the capacitor portion and the ESD protection portion may be formed in at least one of the first region and the second region, and the formation position thereof is formed so as not to overlap in the left-right direction (or the width direction).
예를 들어, 도 22에 도시된 제 8 실시예와 같이, ESD 보호부(400)가 제 1 영역(A1)에, 캐패시터부(500)가 제 2 영역(A2)에 위치하도록 형성되고, ESD 보호부(400)와 캐패시터부(500)과 좌우 폭 방향(예컨대 X 축 방향)의 형성 위치가 중첩되지 않도록 형성된다. 예를 들어, 제 1 영역(A1)의 우측에 치우치도록 ESD 보호부(400)가 형성되고, 제 2 영역(A2)에서 좌측에 치우치도록 캐패시터부(500)가 형성된다. 그리고, 제 1 영역(A1)에서 ESD 보호부(400)의 일측에 연결되고, 제 2 영역(A2)에 형성된 캐패시터부(500)와 전기적으로 연결되도록 제 1 연결부(900a)가 형성되고, 제 2 영역(A2)에서 캐패시터부(500)의 일측에 연결되고, 제 1 영역(A1)에 형성된 ESD 보호부(400)와 전기적으로 연결되도록 제 2 연결부(900b)가 형성된다.22, the
제 1 연결부(900a)는 ESD 적층체(410)의 측방향에서 상기 ESD 적층체(410)와 연결되며, 하측에 위치된 캐패시터부(500)와 대응 위치하도록 형성된 제 1 연결 부재(910a), 제 1 연결 부재(910a)의 상부면에서 컨택부와 전기적으로 연결되도록 형성된 제 1 연결 전극(이하, 제 1 캐패시터 연결 전극(921a)), 제 1 연결 부재(910a) 내에서 일단이 제 1 캐패시터 연결 전극(921a)과 연결되고, 타단이 캐패시터부(500)의 제 1 외부 전극(521)과 연결되도록 형성된 제 2 연결 전극(이하, 제 2 캐패시터 연결 전극(922a))을 포함한다. 여기서 제 1 캐패시터 연결 전극(921a)은 ESD 보호부(400)의 제 1 외부 전극(421)과 이격되도록 형성된다.The
또한, 제 2 연결부(900b)는 캐패시터 적층체(510)의 측방향에서 상기 캐패시터 적층체(510)와 연결되며, 상측에 위치된 ESD 보호부(400)와 대응 위치하도록 형성된 제 2 연결 부재(910b), 제 2 연결 부재(910b) 내에서 일단이 ESD 보호부(400)의 제 2 외부 전극(422)과 연결되도록 형성된 제 1 연결 전극(이하, 제 1 ESD 연결 전극(921b)), 제 2 연결 부재(910b) 하부면에서 일단이 제 1 ESD 연결 전극(921b)과 연결되고, 타단이 회로 기판(20)과 연결되도록 형성된 제 2 연결 전극(이하, 제 2 ESD 연결 전극(922b))을 포함한다. 여기서, 제 2 ESD 연결 전극(922b)은 캐패시터부(500)의 제 2 외부 전극(522)과 이격되도록 형성되며, 회로 기판(20)의 접지부와 대응 위치하도록 형성된다.The second connection unit 900b is connected to the
제 1 및 제 2 연결 부재(910a, 910b)는 복수의 절연 시트가 적층된 구성일 수 있으며, 절연 시트는 소정의 유전율, 예를 들어 10~20000의 유전율을 갖는 유전체 시트일 수 있다.The first and second connecting
이렇게, 제 1 영역(A1)에서 상호 연결되도록 형성된 ESD 보호부(400) 및 제 1 연결부(900a)의 제 2 방향의 길이는 제 2 영역(A2)에서 상호 연결되도록 형성된 캐패시터부(500) 및 제 2 연결부(900b)의 제 2 방향의 길이에 비해 짧으며, 전체적인 외관 형상이 영어 알파벳 'T'자 형상이다.The lengths of the
이러한 제 8 실시예에 따른 감전 보호 컨택터에 의하면, 회로 기판(20)으로부터 전달되는 감전 전압은 제 2 연결부(900b)를 통해 ESD 보호부(400)로 전달되어 차단된다. 또한, 외부로부터 케이스(또는 전도체)와 컨택부(300a)를 통해 유입되는 방전 개시 전압 이상의 과전압 또는 정전기 전압에 의한 전류는 ESD 보호부(400) 및 제 2 연결부(900b)를 통해 접지부로 바이패스 된다.According to the electric shock protection contactor of the eighth embodiment, the electric shock voltage transmitted from the
상기에서는 ESD 보호부(400) 및 캐패시터부(500)와 별도로 제 1 및 제 2 연결부(900a, 900b)가 형성되는 것을 설명하였다. 하지만, 이에 한정되지 않고, ESD 적층체(410) 내에 제 1 및 제 2 캐패시터 연결 전극(921a, 922b)이 형성되고, 캐패시터 적층체(510) 내에 제 1 및 제 2 ESD 연결 전극(921b, 922b)이 형성될 수 있다(미도시).In the above description, the first and
이때, ESD 보호부(400)에서 제 1 및 제 2 내부 전극(423, 424) 사이에 ESD 보호층(430)이 형성된 ESD 보호 영역과, 캐패시터부(500)의 캐패시터(C)의 형성 위치가 좌우 방향 예컨대, X 방향 형성 위치가 중첩되지 않도록 형성된다. 예컨대, ESD 보호부(400)의 ESD 보호 영역이 제 1 영역(A1)의 우측에, 캐패시터(C)가 제 2 영역(A2)의 좌측으로 치우치도록 형성될 수 있다. The ESD protection region in which the
이는, ESD 보호부(400) 형성시에 ESD 적층체(410) 내부의 중심을 기준으로 우측에 제 1 및 제 2 내부 전극(423, 424)과 ESD 보호층(430)을 형성하고, ESD 적층체(410) 외면에 제 1 및 제 2 내부 전극(423, 424)과 연결되도록 제 1 및 제 2 외부 전극(421, 422)을 형성함으로써 구현될 수 있다. 그리고, 캐패시터부(500)는 캐패시터 적층체(510) 내부의 중심을 기준으로 우측에 제 1 및 제 2 내부 전극(523, 524)을 형성하고, 캐패시터 적층체(510) 외면에 제 1 및 제 2 내부 전극(523,524)과 연결되도록 제 1 및 제 2 외부 전극(521, 522)을 형성함으로써 구현될 수 있다.This is because the first and second
그리고, 제 1 영역(A1)에 형성된 ESD 적층체(410)에서 제 2 영역(A2)에 형성된 캐패시터부(500)와 전기적으로 연결되도록 제 1 및 제 2 캐패시터 연결 전극(921a, 922a)이 형성된다. 또한, 제 2 영역(A2)에 형성된 캐패시터 적층체(510)에 제 1 영역(A1)에 형성된 ESD 보호부(400)와 전기적으로 연결되도록 제 1 및 제 2 ESD 연결 전극(921b, 921b)이 형성된다. The first and second
따라서, 외부로부터 입력되는 안테나 신호는 ESD 적층체(410)에 형성된 제 1 및 제 2 캐패시터 연결 전극(921a, 922a)을 통해 캐패시터부(500)로 전달되어 회로 기판(20)으로 입력된다. 그리고, 회로 기판(20)으로부터 전달되는 감전 전압은 캐패시터 적층체(510)에 형성된 제 1 및 제 2 ESD 연결 전극(921b, 922b)을 통해 ESD 보호부(400)로 전달되어 차단된다. 또한, 외부로부터 케이스(또는 전도체)와 컨택부(300a)를 통해 유입되는 방전 개시 전압 이상의 과전압 또는 정전기 전압에 의한 전류는 ESD 보호부(400) 및 캐패시터 적층체(510)에 형성된 제 1 및 제 2 ESD 연결 전극(921b, 922b)을 통해 접지부로 바이패스 된다.The antenna signal inputted from the outside is transmitted to the
상기에서는 제 1 영역(A1)에 ESD 보호부(400)가 형성되고, 제 2 영역(A2)에 캐패시터부(500)가 형성되는 것을 설명하였다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 반대로 도 23에 도시된 제 8 실시예의 변형예와 같이, 제 1 영역(A1)에 캐패시터부(500)가 형성되고, 제 2 영역(A2)에 ESD 보호부(400)가 형성될 수 있다. The
또한, 제 1 영역(A1)에서 캐패시터부(500)의 일측과 연결되며, 제 2 영역(A2)에 형성된 ESD 보호부(400)와 전기적으로 연결되도록 제 1 연결부(900a)가 형성되고, 제 2 영역(A2)에서 ESD 보호부(400)의 일측과 연결되며, 제 1 영역(A1)에 형성된 캐패시터부(400)와 전기적으로 연결되도록 제 2 연결부(900b)가 형성된다. 여기서 제 1 연결부(900a)의 제 1 및 제 2 연결 전극(922a, 922b)은 ESD 연결 전극이며, 제 2 연결부(900b)의 제 1 및 제 2 연결 전극(921b, 922b)은 캐패시터 연결 전극이다.The
상술한 제 8 실시예 및 제 8 실시예의 변형예에서는 하나의 캐패시터부와 ESD 보호부가 형성되는 것을 설명하였다. 하지만, 이에 한정되지 않고, ESD 보호부 및 캐패시터부 각각이 제 1 영역 및 제 2 영역 중 적어도 하나에 복수개로 마련될 수 있다.In the eighth and eighth embodiments described above, one capacitor portion and an ESD protection portion are formed. However, the present invention is not limited thereto, and a plurality of ESD protection portions and capacitor portions may be provided in at least one of the first region and the second region.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 감전 보호 컨택터(1000)는 캐패시터부(500a, 500b) 및 ESD 보호부(400)가 같은 높이 또는 동일 평면 상에 형성된다. 즉, 실시예에 따른 ESD 보호부(500a, 500b)와 캐패시터부(400)는 상하 방향으로 나열 배치되지 되어 폭 방향 위치가 중첩되는 것이 아니라, 컨택부(300a)와 회로 기판(20) 사이에서 폭 방향으로 나열되도록 상호 이격 배치되어, 폭 방향 위치가 중첩되지 않도록 형성한다.As described above, the
이렇게 형성된 ESD 보호부(400)는 ESD 전압에 의한 전류는 접지부로 바이패스시켜, 정전기에 의한 내부 회로의 파손을 방지할 수 있고, 감전전압 또는 항복 전압 이하에서 전류는 차단시켜, 사용자의 감전을 방지할 수 있다.The
또한, 외부로부터 유입되는 통신 신호가 캐패시터부(500a, 500b 또는 500)로 수신 또는 통과함에 따라, 신호의 감쇄를 줄이거나 최소화할 수 있다.Also, as the communication signal inputted from the outside is received or passed through the
그리고, 캐패시터부(500a, 500b 또는 500)와 ESD 보호부(400)를 별도로 마련하고, 이들 각각을 전도체와 회로 기판 사이에 위치하도록 형성하므로, 제조가 간단하고 쉬운 장점이 있다. 즉, 하나의 소자 내에 캐패시터부(500a, 500b 또는 500) 및 ESD 보호부를 함께 형성하여, 캐패시터부(500a, 500b 또는 500) 및 ESD 보호부(400)가 중첩되도록 형성하는 것에 비해, 제조 공정이 단순하다. 따라서, 제조 시간의 절감되는 효과가 있다.Further, the
10: 케이스
20: 회로 기판
300a, 300b: 컨택부
400: ESD 보호부
500, 500a, 500b: 캐패시터부
600a, 600b: 결합부
700, 700a, 700b: 연결 블록
800: 연결부
820, 820a, 820b: 캐패시터 연결 전극
830: ESD 연결 전극
821a, 821b 831: 제 1 연결 전극
822a, 822b 832: 제 2 연결 전극10: Case 20: Circuit board
300a, 300b: contact part 400: ESD protection part
500, 500a, 500b:
700, 700a, 700b: connection block 800: connection
820, 820a, 820b: capacitor connecting electrode
830: ESD connecting electrode
821a, 821b 831: first connecting electrode
822a, 822b 832: a second connecting electrode
Claims (24)
상기 컨택부와 상기 컨택부로부터 이격 배치된 회로 기판 사이에 위치하는 ESD 보호부; 및
상기 컨택부와 회로 기판 사이에서, 상기 ESD 보호부의 측 방향에 위치되는 캐패시터부;
를 포함하는 감전 보호 컨택터.A contact portion contacting the conductor of the electronic device and having an elastic force;
An ESD protection part positioned between the contact part and the circuit board spaced apart from the contact part; And
A capacitor portion positioned between the contact portion and the circuit board in a lateral direction of the ESD protection portion;
And an electric contact.
상기 캐패시터부 및 ESD 보호부 각각의 일측은 상기 컨택부에 연결되고, 타측은 상기 회로 기판에 연결된 감전 보호 컨택터.The method according to claim 1,
Wherein one end of each of the capacitor portion and the ESD protection portion is connected to the contact portion and the other end is connected to the circuit board.
상기 캐패시터부는 서로 마주보는 내부 전극을 구비하는 캐패시터를 포함하고, 상기 캐패시터는 ESD 보호부와 중첩되지 않는 감전 보호 컨택터.The method of claim 2,
Wherein the capacitor portion includes a capacitor having internal electrodes facing each other, and wherein the capacitor does not overlap the ESD protection portion.
상기 캐패시터부와 상기 ESD 보호부는 같은 높이에 형성된 감전 보호 컨택터.The method of claim 3,
Wherein the capacitor portion and the ESD protection portion are formed at the same height.
상기 캐패시터부는 상기 ESD 보호부의 일측 및 타측에 각기 위치된 복수의 캐패시터부를 포함하고,
상기 복수의 캐패시터부 사이에 적어도 하나의 ESD 보호보가 형성되며,
상기 복수의 캐패시터부와 상기 ESD 보호부가 동일 평면 상에 형성된 감전 보호 컨택터.The method of claim 4,
Wherein the capacitor unit includes a plurality of capacitor units located at one side and the other side of the ESD protection unit,
At least one ESD guard is formed between the plurality of capacitors,
Wherein the plurality of capacitor portions and the ESD protection portion are formed on the same plane.
상기 ESD 보호부는 상기 컨택부와 회로 기판 사이의 폭 방향에서 일측에 위치하도록 형성되고,
상기 캐패시터부는 타측에 형성된 감전 보호 컨택터.The method of claim 4,
Wherein the ESD protection unit is formed at one side in the width direction between the contact unit and the circuit board,
And the capacitor portion is formed on the other side.
상기 캐패시터부와 상기 ESD 보호부가 상호 이격 형성되며, 이격 공간은 빈 공간인 감전 보호 컨택터.The method of claim 2,
Wherein the capacitor portion and the ESD protection portion are spaced apart from each other, and the spacing space is an empty space.
상기 캐패시터부와 상기 ESD 보호부가 상호 이격 형성되며, 이격 공간에 연결 블록이 형성되며,
상기 연결 블록은 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부와 연결되도록 형성된 감전 보호 컨택터.The method of claim 2,
The capacitor portion and the ESD protection portion are spaced apart from each other, a connection block is formed in the spacing space,
And the connection block is connected to the capacitor portion and the ESD protection portion.
상기 연결 블록은 유전체, 세라믹 및 배리스터(Varistor) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 감전 보호 컨택터.The method of claim 8,
Wherein the connection block comprises at least one of a dielectric, a ceramic, and a varistor.
상기 캐패시터부 및 ESD 보호부와 상기 회로 기판 사이에 형성된 연결부를 포함하며,
상기 연결부의 일측면은 상기 회로 기판과 연결되고,
상기 연결부는 유전체, 세라믹 및 배리스터(Varistor) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 감전 보호 컨택터.The method according to claim 1,
And a connection portion formed between the capacitor portion and the ESD protection portion and the circuit board,
One side of the connecting portion is connected to the circuit board,
Wherein the connection portion comprises at least one of a dielectric, a ceramic, and a varistor.
상기 ESD 보호부는 방전 물질을 포함하는 서프레서(suppressor) 타입 및 배리스터(Varistor) 타입 중 적어도 어느 하나인 감전 보호 컨택터.The method according to any one of claims 1 to 10,
Wherein the ESD protection unit is at least one of a suppressor type including a discharge material and a varistor type.
상기 캐패시터부 및 ESD 보호부를 상기 컨택부에 결합시키며, 도전성 물질을 포함하는 결합부를 포함하는 감전 보호 컨택터.The method according to any one of claims 1 to 10,
And an ESD protection unit coupled to the contact unit, the ESD protection unit including a coupling part including a conductive material.
상기 결합부는 도전성의 접합제를 포함하며, 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부와 상기 컨택부 사이에 위치되어, 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부를 상기 컨택부에 접합시키는 감전 보호 컨택터.The method of claim 12,
Wherein the coupling portion comprises a conductive bonding agent and is positioned between the capacitor portion and the ESD protection portion and the contact portion to bond the capacitor portion and the ESD protection portion to the contact portion.
상기 결합부는 캐패시터부 및 ESD 보호부 중 적어도 하나 및 상기 컨택부와 체결되어, 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부를 상기 컨택부에 기계적으로 결합시키는 체결 부재를 포함하고,
상기 체결 부재를 포함하는 상기 결합부는 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부와 전기적으로 연결되도록 설치된 감전 보호 컨택터.The method of claim 12,
Wherein the coupling portion includes at least one of a capacitor portion and an ESD protection portion and a coupling member which is coupled to the contact portion and mechanically couples the capacitor portion and the ESD protection portion to the contact portion,
Wherein the coupling portion including the coupling member is electrically connected to the capacitor portion and the ESD protection portion.
각각이 상기 컨택부와 상기 컨택부로부터 이격 배치된 회로 기판 사이에 위치하며, 각각의 일측이 상기 컨택부와 전기적으로 연결되고, 타측이 상기 회로 기판과 전기적으로 연결된 캐패시터부와, 내부 전극이 마련된 ESD 보호부를 구비하는 감전 보호부;
상기 컨택부에 연결되고, 상기 감전 보호부의 적어도 일부를 파지하여 상기 컨택부에 결합시키며, 도전성 물질을 포함하는 결합부;
를 포함하는 감전 보호 컨택터.A contact portion contacting the conductor of the electronic device and having an elastic force;
Each of which is disposed between the contact portion and the circuit board spaced apart from the contact portion and each having one side electrically connected to the contact portion and the other side electrically connected to the circuit board, An electric shock protection unit having an ESD protection unit;
A coupling portion connected to the contact portion and holding at least a part of the electric shock protection portion to be coupled to the contact portion, the coupling portion including a conductive material;
And an electric contact.
상기 감전 보호부 형태는
제 1 방향으로 연장 형성된 제 1 영역과, 상기 제 1 영역과 대응하도록 상기 제 1 방향으로 연장 형성되며, 상기 제 1 영역의 하측에 위치된 영역인 제 2 영역으로 이루어지고,
상기 제 1 영역의 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향의 길이가 상기 제 2 영역의 제 2 방향에 비해 길도록 형성되어, 상기 제 1 영역의 제 2 방향 양 가장자리가 상기 제 2 영역에 비해 돌출된 돌출 영역을 구비하도록 형성되고,
상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부 각각이 상기 제 1 영역 및 제 2 영역 중 적어도 하나에 위치하도록 형성되며,
상기 결합부는 적어도 상기 제 1 영역의 돌출 영역을 파지하도록 체결된 감전 보호 컨택터.16. The method of claim 15,
The shape of the shock-
A first region extending in the first direction and a second region extending in the first direction so as to correspond to the first region and being located below the first region,
Wherein a length of a second direction intersecting with the first direction of the first region is formed to be longer than a length of the second direction of the second region, Formed on the substrate,
Each of the capacitor portion and the ESD protection portion is formed in at least one of the first region and the second region,
And the engaging portion is fastened to grip at least a protruding region of the first region.
상기 제 1 영역 및 제 2 영역 각각에 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부가 위치하도록 형성되며,
상기 결합부는 상기 제 1 영역의 돌출 영역에 대응 형성된 캐패시터부 및 ESD 보호부 중 적어도 하나를 파지하도록 체결되는 감전 보호 컨택터.18. The method of claim 16,
Wherein the capacitor portion and the ESD protection portion are formed in the first region and the second region, respectively,
And the coupling portion is fastened to grip at least one of the capacitor portion and the ESD protection portion formed corresponding to the protruding region of the first region.
상기 제 1 영역에 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부 중 어느 하나가 위치되도록 형성되고,
상기 제 2 영역에 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부 중 어느 하나가 위치되도록 형성되며,
상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부 중, 제 1 영역 및 제 2 영역이 서로 다르게 형성되고,
상기 결합부는 상기 제 1 영역에 형성된 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부 중 어느 하나와 체결된 감전 보호 컨택터.18. The method of claim 16,
And the ESD protection part is formed in the first area,
And the ESD protection unit is formed in the second region,
A first region and a second region of the capacitor portion and the ESD protection portion are formed differently from each other,
Wherein the coupling portion is engaged with one of the capacitor portion and the ESD protection portion formed in the first region.
상기 제 1 영역에 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부 중 어느 하나와, 상기 제 1 영역에서 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부 중 어느 하나에 연결되도록 형성된 연결부가 형성되고,
상기 제 2 영역에 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부 중 어느 하나가 위치되도록 형성되며,
상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부 중, 제 1 영역 및 제 2 영역이 서로 다르게 형성되고,
상기 결합부는 상기 제 1 영역에 형성된 상기 캐패시터부, 상기 ESD 보호부 및 상기 연결부 중 적어도 어느 하나와 체결된 감전 보호 컨택터.18. The method of claim 16,
A connection portion formed to be connected to any one of the capacitor portion and the ESD protection portion in the first region and the capacitor portion and the ESD protection portion in the first region,
And the ESD protection unit is formed in the second region,
A first region and a second region of the capacitor portion and the ESD protection portion are formed differently from each other,
Wherein the coupling portion is engaged with at least one of the capacitor portion, the ESD protection portion, and the connection portion formed in the first region.
상기 제 1 영역에 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부가 측 방향으로 나열되도록 형성되며,
상기 제 2 영역에 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부가 나열 배치된 방향으로 연장 형성되며, 상기 회로 기판과 연결되도록 형성된 연결부를 포함하고,
상기 연결부는,
상기 제 2 영역에서 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부가 나열 배치된 방향으로 연장 형성되어, 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부와 회로 기판 사이에서 형성된 연결 부재;
상기 연결 부재에 형성되며, 상기 캐패시터부와 상기 회로 기판을 전기적으로 연결하는 캐패시터 연결 전극; 및
상기 연결 부재에 형성되며, 상기 ESD 보호부와 상기 회로 기판을 전기적으로 연결하는 ESD 연결 전극;
를 포함하는 감전 보호 컨택터.18. The method of claim 16,
The capacitor portion and the ESD protection portion are formed in the first region so as to be laterally aligned,
And a connection portion extending in a direction in which the capacitor portion and the ESD protection portion are arranged and arranged in the second region and connected to the circuit board,
The connecting portion
A connection member formed in the second region in a direction in which the capacitor unit and the ESD protection unit are arranged and arranged, the capacitor unit and the ESD protection unit being formed between the circuit substrate and the capacitor unit;
A capacitor connection electrode formed on the connection member, the capacitor connection electrode electrically connecting the capacitor unit and the circuit board; And
An ESD connection electrode formed on the connection member and electrically connecting the ESD protection unit and the circuit board;
And an electric contact.
상기 제 2 영역에 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부가 측 방향으로 나열되도록 형성되며,
상기 제 1 영역에 상기 캐패시터부 및 상기 ESD 보호부가 나열 배치된 방향으로 연장 형성되며, 상기 컨택부와 연결되도록 형성된 연결부를 포함하고,
상기 연결부는,
상기 제 1 영역에서 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부가 나열 배치된 방향으로 연장 형성되어, 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부와 컨택부 사이에서 형성된 연결 부재;
상기 연결 부재에 형성되며, 상기 캐패시터부와 상기 컨택부를 전기적으로 연결하는 캐패시터 연결 전극; 및
상기 연결 부재에 형성되며, 상기 ESD 보호부와 상기 컨택부를 전기적으로 연결하는 ESD 연결 전극;
를 포함하는 감전 보호 컨택터.18. The method of claim 16,
The capacitor portion and the ESD protection portion are formed in the second region so as to be laterally aligned,
And a connection portion extending in a direction in which the capacitor portion and the ESD protection portion are arranged and arranged in the first region and connected to the contact portion,
The connecting portion
A connection member extending from the first region in a direction in which the capacitor portion and the ESD protection portion are arranged and arranged, the connection portion being formed between the capacitor portion and the ESD protection portion and the contact portion;
A capacitor connection electrode formed on the connection member, the capacitor connection electrode electrically connecting the capacitor unit and the contact unit; And
An ESD connection electrode formed on the connection member and electrically connecting the ESD protection unit and the contact unit;
And an electric contact.
상기 캐패시터부와 상기 ESD 보호부는 상호 이격 형성된 감전 보호 컨택터.The method of any one of claims 17, 20 and 21,
Wherein the capacitor portion and the ESD protection portion are spaced apart from each other.
상기 제 1 영역에서 상호 이격 형성된 캐패시터부와 ESD 보호부 사이에 형성되어, 일측면 및 타측면이 상기 캐패시터부 및 ESD 보호부와 각기 연결되도록 연결 블록이 형성된 감전 보호 컨택터.23. The method of claim 22,
Wherein the connection block is formed between the capacitor portion and the ESD protection portion which are mutually spaced apart from each other in the first region, and one side surface and the other side surface are connected to the capacitor portion and the ESD protection portion, respectively.
상기 결합부와 대향하는 감전 보호부의 외면 및 상기 회로 기판과 대향하는 외면 중 적어도 하나에 도금층이 형성된 감전 보호 컨택터.The method according to any one of claims 15 to 23,
A plating layer is formed on at least one of an outer surface of the electric shock protection portion facing the coupling portion and an outer surface facing the circuit board.
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