KR20170112764A - X-ray detector for industrial use - Google Patents
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Abstract
본 발명은 픽셀 어레이 패널 주변과 메인보드에 배치되는 구성요소를 보호할 수 있는 X-선 디텍터에 관한 것이다. 이 디텍터는 X-선을 수광하여 전기신호를 생성하는 픽셀 어레이 패널; 상기 픽셀 어레이 패널로부터 상기 전기신호를 전달받아 영상신호를 생성하는 메인보드; 전면이 상기 픽셀 어레이 패널을 덮으며 X-선을 투과하는 제1 영역과 상기 메인보드를 덮으며 X-선을 차폐하기 위한 제2 영역을 포함하는 하우징; 상기 하우징의 전면의 제2 영역과 중첩되도록 배치되어 상기 메인보드를 덮는 차폐판을 포함한다.The present invention relates to an X-ray detector capable of protecting components arranged on a periphery of a pixel array panel and on a main board. The detector includes a pixel array panel for receiving an X-ray to generate an electric signal; A main board for receiving the electrical signal from the pixel array panel and generating a video signal; A housing having a front surface covering the pixel array panel and transmitting a X-ray, and a second region covering the main board and shielding the X-ray; And a shield plate disposed to overlap the second area of the front surface of the housing and covering the main board.
Description
본 발명은 X-선 디텍터(X-ray detector)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 X-선으로부터 픽셀 어레이 패널 주변의 구성요소를 보호할 수 있는 산업용 X-선 디텍터(X-ray detector)에 관한 것이다.The present invention relates to an X-ray detector, and more particularly to an industrial X-ray detector capable of protecting components around a pixel array panel from an X-ray will be.
일반적으로 X-선(X-ray)은 파장대 0.01~10nm, 주파수대 30×1015 ~30×1018 Hz의 단파장 전자기파를 총칭하며, X-선 촬영은 X-선이 지닌 높은 투과력으로 촬영대상의 내부를 투영 표시하는 방사선사진법(radiography)을 일컫는다.Generally, X-rays are collectively referred to as short-wave electromagnetic waves having a wavelength of 0.01 to 10 nm and a frequency band of 30 × 10 15 to 30 × 10 18 Hz. X-ray is a high transmittance power of X- Refers to radiography in which the inside is projected and displayed.
도 1을 참고하면, X-선 영상 시스템은 X-선을 생성하는 X-선 발생기, 피사체를 사이에 두고 X-선 발생기와 대면 배치되어 촬영대상을 통과한 X-선 감쇠량을 검출하는 X-선 디텍터(detector)를 필수 구성요소로 한다. 1, an X-ray imaging system includes an X-ray generator for generating an X-ray, an X-ray generator for detecting X-ray attenuation through the object, A line detector is an essential component.
잘 알려진 것처럼, X-선은 물체를 투과하면서 광전효과(photoelectric effect), 콤프턴 산란(compton scattering) 등 물체의 재질, 밀도, 두께에 따른 감쇠 현상을 수반한다. X-선 영상 시스템은 촬영대상(피사체)을 통과하는 과정 중에 누적된 X-선 감쇠량을 기초로 촬영대상의 내부구조를 보이는 영상을 제공한다. As is well known, X-rays are transmitted through an object and are accompanied by attenuation due to the material, density, and thickness of the object such as photoelectric effect and compton scattering. The X-ray imaging system provides an image showing the internal structure of the object based on the amount of accumulated X-ray attenuation during the process of passing through the object (object).
X-선디텍터는 아날로그 방식과 디지털 방식으로 구분되는데, 아날로그 방식은 X-선에 의해 빛을 발하는 X-선 증감지(X-ray intensifying screen)와 은염 필름(silver salt film)을 조합해서 X-선 증감지의 빛으로 은염 필름에 잠상을 구현한 후 은염 필름을 현상해서 촬영결과를 얻는다. 이에 따라, 아날로그 방식은 은염 필름의 현상 등을 위한 시간적, 비용적 소모가 크고 필름의 보관 및 처리상 문제를 수반하므로 점차 수요가 줄어들고 있다. The X-ray detector is divided into an analog system and a digital system. In the analog system, an X-ray intensifying screen (X-ray intensifying screen) and a silver salt film After developing a latent image on a silver salt film with the light of a sensitizing paper, a silver salt film is developed to obtain a photograph result. As a result, the analog system has a problem of time and cost consuming for the development of the silver salt film, and the problem of storage and processing of the film, so that the demand is gradually decreasing.
디지털 방식의 디텍터는 전기신호의 획득방식에 따라 신틸레이터(Scintillator)를 사용해서 가시광선에 의한 간접의 전기신호를 얻는 간접변환방식(direct conversion type)과 광전물질(photoconductors)을 사용해서 X-선으로부터 직접의 전기신호를 얻는 직접변환방식(direct conversion type)으로 나누어볼 수 있고, 전기신호를 생성하는 소자종류에 따라 전하결합소자(Charge-Coupled Device)를 이용하는 CCD 방식, 결정질 실리콘(crystalline silicon)의 CMOS 소자를 이용하는 CMOS 방식, 비정질 실리콘(Amorphous silicon)의 TFT(Thin Film Transistor) 기판을 이용하는 a-Si 방식으로 구분될 수 있다.A digital detector uses a direct conversion type and a photoconductor to obtain an indirect electrical signal by visible light using a scintillator according to the acquisition method of the electric signal, (CCD) system using a charge-coupled device, a crystalline silicon (CMOS) system using a charge-coupled device according to a type of a device for generating an electric signal, A CMOS method using a CMOS device of an amorphous silicon, and an a-Si method using a TFT (Thin Film Transistor) substrate of an amorphous silicon.
X-선 디텍터는 2차원 센서를 구비하여 X-선의 입사량에 비례한 센서의 전기신호와 위치정보로 디지털의 화상데이터를 구현한다. 해당방식은 실시간에 가까운 촬영결과를 얻을 수 있고 상대적으로 적은 방사선으로 높은 해상도와 넓은 동적영역(dynamic range)을 확보할 수 있으며 디지털 데이터의 특성상 촬영결과의 보관 및 처리가 간편하다. The X-ray detector has a two-dimensional sensor, and implements the digital image data with the electric signal and the position information of the sensor proportional to the incident amount of the X-ray. This method can obtain close-to-real-time shooting results, obtain high resolution and wide dynamic range with relatively low radiation, and it is easy to store and process shooting results due to the characteristics of digital data.
X-선 디텍터는 픽셀 어레이로부터 출력되는 전기적 신호를 읽어내는 신호 독출부와, 신호 독출부가 전기적 신호를 읽어낼 수 있도록 스위칭 소자를 턴온시키는 게이트 드라이버 등이 포함되고, 신호 독출부에 의해 검출된 전기적 신호는 메인 보드에 구비된 컨트롤러 등에서 일정한 처리 과정을 거쳐 영상 신호로 변환된 후 X-선 영상을 표시하기 위한 디스플레이 장치로 전송된다.The X-ray detector includes a signal reading unit for reading an electrical signal output from the pixel array, a gate driver for turning on the switching element so that the signal reading unit can read an electrical signal, The signal is converted into a video signal through a predetermined process in a controller or the like provided on the main board, and then transmitted to a display device for displaying an X-ray image.
X-선 디텍터의 픽셀 어레이, 신호 독출부, 게이트 드라이버는 지지판 상에 배치되고, 지지판의 배면에는 메인보드가 배치된다. 비파괴 검사에 이용되는 X-선 디텍터는 의료 뿐만 아니라 일반 산업과 보안분야까지 다양하게 활용되고 있다. X-선의 조사 에너지가 의료용 영상 시스템에서는 15 내지 30 keV인데 반하여 산업용 영상시스템의 경우에는 350 내지 450 keV에 달하기 때문에, 픽셀 어레이 패널 주변에 배치되는 구성요소를 보호할 필요가 있다.The pixel array of the X-ray detector, the signal reading unit, and the gate driver are disposed on the support plate, and the main board is disposed on the back surface of the support plate. X-ray detectors used in nondestructive testing are widely used not only in medical care but also in general industrial and security fields. It is necessary to protect the components disposed around the pixel array panel because the irradiation energy of the X-ray is 15 to 30 keV in the medical imaging system and 350 to 450 keV in the industrial imaging system.
본 발명은 상기와 같은 실정을 감안하여 안출된 것으로서 픽셀 어레이 패널 주변과 메인보드에 배치되는 구성요소를 보호할 수 있는, 산업용 X-선 디텍터를 제공하는데 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide an industrial X-ray detector capable of protecting components arranged on the periphery of a pixel array panel and on a main board, which is devised in view of the above circumstances.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, X-선을 수광하여 전기신호를 생성하는 픽셀 어레이 패널; 상기 픽셀 어레이 패널로부터 상기 전기신호를 전달받아 영상신호를 생성하는 메인보드; 전면이 상기 픽셀 어레이 패널을 덮으며 X-선을 투과하는 제1 영역과 상기 메인보드를 덮으며 X-선을 차폐하기 위한 제2 영역을 포함하는 하우징; 상기 하우징의 전면의 제2 영역과 중첩되도록 배치되어 상기 메인보드를 덮는 차폐판을 포함하는 X-선 디텍터를 제공한다. 이 X-선 디텍터는 350 내지 450 keV로 조사되는 X선을 수광한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display comprising: a pixel array panel for receiving an X-ray to generate an electric signal; A main board for receiving the electrical signal from the pixel array panel and generating a video signal; A housing having a front surface covering the pixel array panel and transmitting a X-ray, and a second region covering the main board and shielding the X-ray; And a shield plate disposed to overlap the second area of the front surface of the housing and covering the main board. This X-ray detector receives X-rays irradiated at 350 to 450 keV.
본 발명에 따른 X-선 디텍터는 픽셀 어레이 패널 주변에 배치되는 구성요소들이 촬용시 필수적으로 이용될 수 밖에 없는 X-선에 의해 파손되는 것을 방지할 수 있다.The X-ray detector according to the present invention can prevent the components disposed around the pixel array panel from being damaged by X-rays, which are inevitably used at the time of shooting.
도 1은 X-선 영상 시스템의 구성을 보이는 개략도.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 X-선 디텍터의 픽셀 어레이, 신호 독출부, 브릿지 보드, 게이트 IC, 지지판의 배치를 보이는 전면도.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따라, ㄷ 자 형태로 구현되는 메인보드가 지지판 하부에 배치되는 상태를 보이는 배면도.
도 2c는 도 3a와 도 3b에 보인 X-선 디텍터의 일측면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 X-선 디텍터의 외형을 보이는 개략도.
도 4는 상부 하우징의 배면 구조를 보이는 사진.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 X-선 디텍터의 픽셀 어레이 패널, 신호 독출부, 게이트 드라이버의 연결관계를 보이는 개략도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 X-선 디텍터의 단일 픽셀의 구성을 보이는 개략도.1 is a schematic view showing a configuration of an X-ray imaging system;
FIG. 2A is a front view showing an arrangement of a pixel array, a signal reading unit, a bridge board, a gate IC, and a support plate of an X-ray detector according to an embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 2B is a rear view showing a state in which a main board, which is implemented in a C shape, is disposed below a support plate according to an embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 2C is a side view of the X-ray detector shown in FIGS. 3A and 3B. FIG.
3 is a schematic view showing the outline of an X-ray detector according to an embodiment of the present invention.
4 is a photograph showing the back surface structure of the upper housing;
5 is a schematic view showing a connection relationship between a pixel array panel, a signal reading unit, and a gate driver of an X-ray detector according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic view showing the configuration of a single pixel of an X-ray detector according to an embodiment of the present invention; FIG.
이하, 도면을 참조해서 본 발명의 바람직한 몇 가지 양태(樣態)를 살펴본다. 도면의 요소들은 서로에 대하여 반드시 축척에 맞게 그려진 것은 아니다. “제1”, “제2” 등이 사용되는 경우, . “제1”, “제2” 등은 반드시 순서가 우선순위를 나타내는 것은 아니며 하나의 요소나 시간 간격을 다른 요소나 시간 간격과 구분하기 위해 사용될 수 있다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The elements in the figures are not necessarily drawn to scale with respect to each other. When "first", "second", etc. are used,. The terms " first ", " second ", etc., are not necessarily indicative of priority, and may be used to distinguish one element or time interval from another.
도 2a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 X-선 디텍터는 픽셀 어레이, 신호 독출부, 브릿지 보드, 게이트 IC, 지지판을 포함한다. 도시되지 않았으나, 간접변환방식을 채용할 경우, X-선 디텍터는 입사되는 X-선을 광으로 변환시키는 신틸레이터부와, 신틸레이터부에 의해 변환된 광을 입력 받고 이를 전기적 신호로 변환하여 출력하는 복수의 픽셀이 구비된, 픽셀 어레이 패널을 구비할 수 있다. Referring to FIG. 2A, an X-ray detector according to an embodiment of the present invention includes a pixel array, a signal reading unit, a bridge board, a gate IC, and a support plate. Although not shown, when an indirect conversion method is adopted, the X-ray detector includes a scintillator unit for converting incident X-rays into light, and a scintillator unit for receiving the light converted by the scintillator unit, converting the received light into an electrical signal, And a plurality of pixels arranged in a matrix.
도 5를 참조하면, 픽셀 어레이 패널(120)은 복수의 픽셀(PX)이 배치된 픽셀 어레이(122)를 포함한다. 본 발명의 실시예에서 픽셀 어레이는 1536 X 1536 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 픽셀 어레이(122)에는 일 방향(예컨대, 행 방향)으로 서로 평행하게 연장된 복수의 게이트 라인(GL1, GL2, GL3, …) 및 일 방향과 교차하는 방향(예컨대, 열 방향)으로 서로 평행하게 연장된 복수의 데이터 라인(DL1, DL2, DL3, …)이 배치되고, 게이트 라인(GL1, GL2, GL3, …)과 데이터 라인(DL1, DL2, DL3, …)에 의해 정의되는 영역마다 픽셀(PX)이 배치된다.Referring to FIG. 5, the
픽셀(PX) 각각은 입력되는 광을 전기적 신호로 변환하는 포토 다이오드(PD) 및 포토 다이오드(PD)의 출력단에 연결되어 상기 전기적 신호의 출력을 제어하는 스위칭 소자 예컨대, 트랜지스터(Tr)를 포함한다. 여기서, 포토 다이오드(PD)의 출력단은 전술한 바와 같이 트랜지스터(Tr)의 입력단에 연결되고, 포토 다이오드(PD)의 입력단은 바이어스 라인(BL)을 통하여 바이어스 전압(Vbias) 또는 그라운드 전압을 인가하는 전압 제공부(128)에 연결된다. 또한, 트랜지스터(Tr)의 출력단은 대응하는 데이터 라인(DL)을 통하여 신호 독출부(126)에 연결되고, 트랜지스터(Tr)의 제어단인 게이트는 대응하는 게이트 라인(GL)을 통하여 게이트 드라이버(124)에 연결된다.Each of the pixels PX includes a photodiode PD for converting input light into an electrical signal and a switching element Tr such as a transistor Tr connected to an output terminal of the photodiode PD for controlling the output of the electrical signal . The output terminal of the photodiode PD is connected to the input terminal of the transistor Tr and the input terminal of the photodiode PD applies a bias voltage Vbias or ground voltage through the bias line BL And is connected to the
전압 제공부(128)는 바이어스 라인(BL)과 제 1 전압단, 일례로 그라운드 전The
압단의 연결을 제어하는 제1 스위치 및 바이어스 라인(BL)과 제 2 전압단, 일례로 바이어스 전압단의 연결을 제어하는 제2 스위치를 포함할 수 있다. 전압 제공부(128)는 바이어스 라인(BL)으로 그라운드 전압 또는 바이어스 전압(Vbias)을 선택적으로 인가하며, 이를 위하여 제1 스위치가 온 상태일 때 제2 스위치는 오프 상태이고, 제1 스위치가 오프 상태일 때 제1 스위치는 온 상태이다. 본 실시예에서는 전압 제공부(128)가 두 개의 제1 및 제2 스위치를 포함하는 경우에 대해 나타내었으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 전압 제공부(128)는 바이어스 라인(BL)으로 그라운드 전압 또는 바이어스 전압(Vbias)을 선택적으로 인가할 수 있는 구성을 가지면 족하다. 바이어스 전압(Vbias)은 네가티브 전압일 수 있다.A first switch for controlling connection of the bare cell and a bias line BL and a second switch for controlling the connection of the second voltage terminal, for example, the bias voltage terminal. The
게이트 드라이버(124)는 게이트 신호를 생성하여 게이트 라인(GL1, GL2, GL3, …)으로 인가한다. 게이트 신호의 인가는 게이트 라인(GL1, GL2, GL3, …) 별로 즉, 행 단위로 순차적으로 수행될 수 있다. 게이트 신호는 트랜지스터(Tr)를 턴The
온시키는 신호 및 트랜지스터(Tr)를 턴오프시키는 신호 사이에서 스윙할 수 있다.And swings between the signal for turning on the transistor Tr and the signal for turning off the transistor Tr.
게이트 신호의 인가에 따라 해당 게이트 라인(GL)에 연결된 트랜지스터(Tr)가 턴온되면, 포토 다이오드(PD)로부터 출력된 전기적 신호가 턴온된 트랜지스터(Tr)를 통하여 대응하는 데이터 라인(DL)으로 전달된다.When the transistor Tr connected to the gate line GL is turned on in response to the application of the gate signal, the electrical signal output from the photodiode PD is transmitted to the corresponding data line DL through the turned- do.
신호 독출부(126)는 데이터 라인(DL)으로부터 전달된 전기적 신호를 읽어낸다. 이를 위하여 신호 독출부(126)는 복수의 데이터 라인(DL1, DL2, DL3, …)과 일대일 대응으로 연결된 증폭기 및 증폭기의 출력단에 연결된 멀티 플렉서 등을 포함하여 구성될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 신호 독출부(126)의 구체적인 구성은 다양하게 변형될 수 있다. 신호 독출부(126)에서 검출된 신호는 도시되지 않은 메인 보드의 컨트롤러 등으로 전달되고 영상 신호로 변환되어 엑스레이 영상 표시를 위한 디스플레이 장치로 전송된다. The
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 X-선 디텍터의 단일 픽셀의 구성을 보이는 개략도로서, Oxide TFT를 채용한 예를 보인다. 도 6은 픽셀 구조의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명에 따른 X-선 디텍터의 픽셀의 구성과 구조가 이에 한정되는 것은 아니다. FIG. 6 is a schematic view showing a configuration of a single pixel of an X-ray detector according to an embodiment of the present invention, and shows an example in which an oxide TFT is employed. 6 is only intended to help understand the pixel structure, but the structure and structure of the pixel of the X-ray detector according to the present invention are not limited thereto.
도 2a를 다시 참고하면, 지지판 상에 픽셀 어레이 패널이 배치되고, 픽셀 어레이 패널의 데이터 라인은 신호독출부(ROIC)에 연결된다. 다수의 ROIC는 브릿지 보드 상에 장착된다. 브릿지 보드에는 메인보드와 연결될 커넥터가 적어도 하나 구비된다. 메인보드에는 신호 독출부에 의해 검출된 전기적 신호를 처리하여 영상 신호로 변환하기 위한 컨트롤러를 비롯하여 X-선 디텍터를 구동에 필요한 전기, 전자적 요소들이 구비된다 Referring again to FIG. 2A, a pixel array panel is disposed on a support plate, and a data line of the pixel array panel is connected to a signal reading unit (ROIC). A plurality of ROICs are mounted on the bridge board. The bridge board is provided with at least one connector to be connected to the main board. The main board is provided with electric and electronic elements necessary for driving the X-ray detector, as well as a controller for converting an electrical signal detected by the signal reading unit into a video signal
도 2b를 참고하면, 브릿지 보드의 커넥터와 연결되는 커넥터를 구비한 메인보드가 지지판 하부에 배치된다.Referring to FIG. 2B, a main board having a connector connected to a connector of a bridge board is disposed under the support plate.
도 2c는 도 2a와 도 2b에 보인 X-선 디텍터의 일측면도로서, 지지판에는 다수의 스페이서가 부착되어 하우징(도시하지 않음)과 메인보드가 접하는 것을 방지할 수 있다. FIG. 2C is a side view of the X-ray detector shown in FIGS. 2A and 2B. A plurality of spacers are attached to the support plate to prevent the housing (not shown) from contacting the main board.
도 3을 참조하면, 상면 하우징은 픽셀 어레이 패널을 덮는 투과영역(I)과 픽셀 어레이 주변의 Gate IC, 신호독출부를 덮는 투과방지영역(II)으로 이루어질 수 있다. 투과영역(I)은 카본 섬유로 구성된다. 도 4를 참고하면, 상면 하우징의 배면에는 차폐판이 구비된다. 차폐판은 X-선을 차폐할 수 있는 물질로 구현되며 두께는 2mm 정도가 바람직하다. 투과방지영역(II)과 차폐판은 메인보드와 동일한 형태로 구현될 수 있다. Referring to FIG. 3, the upper housing may include a transmissive region I covering the pixel array panel, a gate IC around the pixel array, and a transmissive region II covering the signal reading portion. The transmission region I is composed of carbon fibers. Referring to FIG. 4, a shielding plate is provided on the back surface of the upper housing. The shielding plate is made of a material capable of shielding X-rays and preferably has a thickness of about 2 mm. The transmission prevention region II and the shielding plate may be implemented in the same manner as the main board.
본 발명의 일 실시예에 따른 X-선 디텍터의 메인보드는 픽셀 어레이 패널 하부에 배치되며 ㄷ 자 형으로 구현된다. 도 2a에 보인 예와 같이 픽셀 어레이 패널이 Gate IC와 연결되는 제1 변, 신호독출부와 연결되는 제2, 제3변, 총 3개의 변으로 이루어질 경우, 투과방지영역(II)과 차폐판은 메인보드와 같이 3개의 변으로써 ㄷ 자 형으로 이루어지며 메인보드의 전 영역과 중첩된다.The main board of the X-ray detector according to an embodiment of the present invention is disposed under the pixel array panel and is embodied in a C shape. 2A, when the pixel array panel is composed of the first side connected to the gate IC, the second side connected to the signal reading unit, and the third side, Like the main board, is made up of three sides and is shaped like a C shape, and overlaps the whole area of the main board.
전술한 바와 같이 본 발명은 상부 하우징이 투과영역(I)과 투과방지영역(II)을 구비하며, 투과방지영역(II)의 배면에는 픽셀 어레이 패널 주변의 신호독출부와 게이트 IC를 덮으며 메인보드와 동일한 형태의 차폐판이 배치되어, 메인보드 뿐만 아니라 픽셀 어레이 패널을 제외하고 X-선이 조사될 필요가 없는 디텍터의 구성요소를 X-선으로부터 보호할 수 있다. As described above, the present invention is characterized in that the upper housing has a transmissive region I and a transmissive region II, and a backside of the transmissive region II covers a signal readout portion and a gate IC around the pixel array panel, Shielding plates of the same type as the boards are arranged so that components of the detectors that do not need to be irradiated with X-rays, except for the main board as well as the pixel array panel, can be protected from X-rays.
이상의 설명과 도면은 본 발명의 몇 가지 예시에 지나지 않으며 본 발명을 한정하지는 않는다. 즉, 본 발명은 다양한 변형이 가능하지만 이들 변형이 본 발의 기술사상 내에 있다면 본 발명의 권리범위에 속한다 해야 할 것이며, 본 발명권리범위는 이하의 특허청구범위 및 이와 균등한 범위 내에서 가능한 넓게 해석할 필요가 있다.The foregoing description and drawings are only a few examples of the present invention and are not intended to limit the present invention. While the invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Needs to be.
Claims (3)
상기 픽셀 어레이 패널로부터 상기 전기신호를 전달받아 영상신호를 생성하는 메인보드;
전면이 상기 픽셀 어레이 패널을 덮으며 X-선을 투과하는 제1 영역과 상기 메인보드를 덮으며 X-선을 차폐하기 위한 제2 영역을 포함하는 하우징;
상기 하우징의 전면의 제2 영역과 중첩되도록 배치되어 상기 메인보드를 덮는 차폐판을 포함하는 X-선 디텍터.
A pixel array panel for receiving X-rays to generate an electric signal;
A main board for receiving the electrical signal from the pixel array panel and generating a video signal;
A housing having a front surface covering the pixel array panel and transmitting a X-ray, and a second region covering the main board and shielding the X-ray;
And a shield plate disposed to overlap the second area of the front surface of the housing and covering the main board.
상기 게이트 라인에 연결되는 Gate IC를 포함하는 게이트 드라이버:
상기 데이터 라인에 연결되는 신호독출부;
상기 신호독출부와 연결되는 메인보드;
X-선이 투과되는 제1 영역 및 상기 게이트 드라이버와 상기 신호독출부를 덮으며 상기 메인보드와 동일한 형태를 갖는 제2 영역을 포함하는 상부 하우징; 및
상기 상부 하우징의 제2 영역 배면에 배치되는 차폐판을 포함하는 X-선 디텍터.
A pixel array panel in which a plurality of pixels defined by a gate line and a data line are arranged;
A gate driver including a gate IC connected to the gate line;
A signal reading unit connected to the data line;
A main board connected to the signal reading unit;
An upper housing including a first area through which X-rays are transmitted and a second area covering the gate driver and the signal reading part and having the same shape as the main board; And
And a shield plate disposed on a back surface of the second area of the upper housing.
상기 X-선 디텍터는 350 내지 450 keV로 조사되는 X선을 수광하는, X-선 디텍터.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the X-ray detector receives X-rays irradiated at 350 to 450 keV.
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| KR20170112764A true KR20170112764A (en) | 2017-10-12 |
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Family Applications (1)
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| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20160401 |
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