KR20170103431A - Gate unit testing system and testing method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명에 사이리스터와 연결된 게이트 유닛을 시험하는 게이트 유닛 시험장치에 있어서, 상기 게이트 유닛에 연결되며, 공급전압을 생성하는 사이리스터 테스터기 및 상기 사이리스터와 연결되어 상기 게이트 유닛으로 테스트전압을 인가하는 게이트 유닛 시험회로를 포함하고, 상기 게이트 유닛 시험회로는 상기 사이리스터 테스터기를 통해 상기 공급전압을 입력 받는 입력부와 상기 공급전압을 입력 받아 변환한 후 상기 사이리스터에 공급하는 변환부 및 상기 공급전압을 상기 공급전압보다 낮은 상기 테스트전압으로 변환되게 상기 변환부를 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.A gate unit testing apparatus for testing a gate unit connected to a thyristor according to the present invention, comprising: a thyristor tester for generating a supply voltage, connected to the gate unit; and a gate unit test unit connected to the thyristor for applying a test voltage to the gate unit Wherein the gate unit testing circuit comprises: an input for receiving the supply voltage through the thyristor tester; a converter for receiving and converting the supply voltage to supply the supply voltage to the thyristor; And a control unit for controlling the converting unit to convert the test voltage into the test voltage.
Description
본 발명은 게이트 유닛 시험장치 및 그의 시험방법{GATE UNIT TESTING SYSTEM AND TESTING METHOD THEREOF}에 관한 것으로, 특히, 초 고압 직류 송전(High Voltage Direct Current, HVDC)에 적용되는 사이리스터의 게이트 유닛 시험에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
초 고압 직류 송전(High Voltage Direct Current, HVDC)은 송전소가 발전소에서 생산되는 교류 전력을 직류 전력으로 변환시켜서 송전한 후, 수전소에서 교류로 재 변환시켜 전력을 공급하는 송전 방식을 말한다.High Voltage Direct Current (HVDC) refers to a transmission method in which a transmission station transforms AC power generated by a power plant into DC power, and then converts the AC power from the water station to AC to supply power.
초 고압 직류 송전은 해저 케이블 송전, 대용량 장거리 송전, 교류 계통 간 연계 등에 적용된다. Ultra high voltage DC transmission is applied to submarine cable transmission, large-capacity long-distance transmission, and linkage between AC systems.
송전소는 교류 전력을 직류 전력으로 변환한다. 즉, 교류 전력을 해저 케이블 등을 이용하여 전송하는 상황은 매우 위험하기 때문에, 송전소는 교류 전력을 직류 전력으로 변환하여 수전소로 전송한다.Transformers convert AC power to DC power. In other words, it is very dangerous to transmit AC power using a submarine cable. Therefore, the power station converts the AC power into DC power and transmits it to the power plant.
송전소와 수전소의 전력 변환은 사이리스터 또는 IGBT 등의 전력 소자에 의해서 변환된다.The power conversion of the power source and the water heater is converted by a power device such as a thyristor or an IGBT.
전력 소자인 사이리스터는 사이리스터의 구동과 상태 정보를 파악하기 위한 게이트 유닛이 포함된다.The thyristor, which is a power device, includes a gate unit for driving the thyristor and monitoring status information.
게이트 유닛은 상위 제어기에서 수신 받는 신호를 사이리스터에 알맞은 신호인 파이닝 펄스(Firing Pulse)로 변환하여 사이리스터로 송신할 수 있으며, 사이리스터로부터 오는 사이리스터의 상태정보 신호를 상위 제어기로 송신할 수 있다. The gate unit converts a signal received from the host controller into a firing pulse, which is a signal suitable for the thyristor, and transmits the signal to the thyristor, and transmits the thyristor status information signal from the thyristor to the host controller.
이러한, 게이트 유닛은 초 고압 직류 송전 시스템의 사이리스터의 신뢰성을 확보하는 역할을 한다.This gate unit plays a role of ensuring the reliability of the thyristor of the ultra high voltage direct current transmission system.
사이리스터의 신뢰성을 확보하기 위해서는 게이트 유닛의 정상 동작 유무를 주기적으로 확인하는 것이 중요하며, 게이트 유닛의 정상 동작 유무를 확인하기 위해서는 공급되는 전압보다 적은 전압에서의 시험이 필요하다.In order to ensure the reliability of the thyristor, it is important to periodically check whether the gate unit is in normal operation. To check whether the gate unit is operating normally, it is necessary to test the gate unit at a voltage lower than the supplied voltage.
본 발명은 게이트 유닛의 동작 유무를 확인할 수 있는 게이트 유닛 시험장치 및 그의 검수 방법을 제공하는데 목적이 있다. It is an object of the present invention to provide a gate unit testing apparatus and a method of inspecting a gate unit that can check the operation of the gate unit.
본 발명은 사이리스터와 연결된 게이트 유닛을 시험하는 게이트 유닛 시험장치에 있어서, 상기 게이트 유닛에 연결되며, 공급전압을 생성하는 사이리스터 테스터기 및 상기 사이리스터와 연결되어 상기 게이트 유닛으로 테스트전압을 인가하는 게이트 유닛 시험회로를 포함할 수 있다.The present invention relates to a gate unit testing apparatus for testing a gate unit connected to a thyristor, comprising: a thyristor tester connected to the gate unit for generating a supply voltage; and a gate unit connected to the thyristor for applying a test voltage to the gate unit Circuit.
상기 게이트 유닛 시험회로는 상기 사이리스터 테스터기를 통해 상기 공급전압을 입력 받는 입력부와 상기 공급전압을 입력 받아 변환한 후 상기 사이리스터에 공급하는 변환부 및 상기 공급전압을 상기 공급전압보다 낮은 상기 테스트전압으로 변환되게 상기 변환부를 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.Wherein the gate unit testing circuit includes an input unit for receiving the supply voltage through the thyristor tester, a converter for receiving the supply voltage, converting the supply voltage to the thyristor, and converting the supply voltage to the test voltage lower than the supply voltage And a control unit for controlling the converting unit.
상기 사이리스터 테스터기는 상기 사이리스터가 상기 변환부로부터 상기 테스트전압을 공급 받으면, 상기 사이리스터에 연결되어 있는 상기 게이트 유닛을 시험하는 테스트 제어부를 포함할 수 있다.The thyristor tester may include a test control unit that tests the gate unit connected to the thyristor when the thyristor receives the test voltage from the conversion unit.
상기 사이리스터 테스터기는 상기 게이트 유닛과 연결되어 상기 게이트 유닛과 신호를 송수신하는 입력 단자 및 상기 게이트 유닛의 상기 시험 결과를 출력하는 모니터부를 더 포함할 수 있다.The thyristor tester may further include an input terminal connected to the gate unit and transmitting / receiving a signal to / from the gate unit, and a monitor unit outputting the test result of the gate unit.
상기 게이트 유닛 시험회로는 상기 변환부와 상기 사이리스터 사이에 연결되는 스위치를 더 포함할 수 있다.The gate unit test circuit may further include a switch connected between the conversion unit and the thyristor.
상기 변환부는 상기 공급전압을 입력 받는 1차측 및 상기 스위치와 연결되며, 상기 1차측이 입력 받은 상기 공급전압이 변환되어 출력되는 2차측을 포함할 수 있다.The converting unit may include a primary side receiving the supply voltage and a secondary side connected to the switch, the secondary side of which the supply voltage input from the primary side is converted and output.
상기 2차측은 상기 공급전압을 입력 받아 상기 공급 전압보다 높은 전압이 출력되게 하는 제1 접점과 상기 공급전압을 입력 받아 상기 테스트전압이 출력되게 하는 제2 접점을 포함할 수 있다.The secondary side may include a first contact receiving the supply voltage and outputting a voltage higher than the supply voltage, and a second contact receiving the supply voltage and outputting the test voltage.
상기 제어부는 상기 테스트 전압이 출력되도록 상기 스위치를 상기 제2 접점과 접촉되도록 제어할 수 있다.The controller may control the switch to be in contact with the second contact so that the test voltage is output.
사이리스터와 연결되는 게이트 유닛을 시험하는 게이트 유닛 시험방법에 있어서, 사이리스터 테스터기가 게이트 유닛 시험회로에 인가할 공급전압을 생성하는 공급전압생성단계와 상기 게이트 유닛 시험회로가 상기 사이리스터 테스터기로부터 인가 받은 상기 공급전압을 상기 공급전압보다 낮은 테스트전압으로 변환하여 변환단계 및 상기 게이트 유닛 시험회로가 상기 테스트 전압을 상기 사이리스터로 인가하면 상기 게이트 유닛을 시험하는 시험단계를 포함할 수 있다.A method for testing a gate unit connected to a thyristor, the method comprising: a supply voltage generation step of generating a supply voltage to be applied to a gate unit test circuit by a thyristor tester; Converting the voltage to a test voltage lower than the supply voltage, and testing the gate unit when the gate unit test circuit applies the test voltage to the thyristor.
상기 시험단계는 상기 게이트 유닛과 신호를 송수신하는 송수신단계 및 상기 게이트 유닛의 상기 시험의 결과를 상기 사이리스터 테스터기에 구비된 모니터부로 출력하는 출력단계를 포함할 수 있다.The test step may include a transmitting and receiving step of transmitting and receiving signals to and from the gate unit and an output step of outputting the result of the test of the gate unit to a monitor unit provided in the thyristor tester.
본 발명은 공급전압을 변환하는 게이트 유닛 시험회로의 구조가 간단하여 부피를 간소화 할 수 있어 이동의 간편성을 제공할 수 있으며, 또한, 구조가 간단하여 비용을 절감할 수 있다. The present invention can simplify the structure of the gate unit test circuit for converting the supply voltage so as to simplify the volume, simplify the movement, and simplify the structure and reduce the cost.
또한, 제어부가 변환부를 제어하여 공급전압을 테스트 전압으로 정확하게 변환할 수 있어, 게이트 유닛 시험을 정확하게 할 수 있어 시험의 신뢰성을 높일 수 있다.Further, the control unit can control the converting unit to accurately convert the supply voltage to the test voltage, so that the gate unit test can be accurately performed, and the reliability of the test can be enhanced.
또한, 사이리스터 테스터기는 테스트 전압이 게이트 유닛에 인가되면, 테스트 전압에서의 게이트 유닛의 시험의 결과를 출력할 수 있어 사용자가 게이트 유닛의 정상동작 유무를 편리하게 확인할 수 있는 편리성을 제공할 수 있다.Further, when the test voltage is applied to the gate unit, the thyristor tester can output the result of the test of the gate unit at the test voltage, so that the user can conveniently check the normal operation of the gate unit .
도 1는 본 발명의 실시 예에 따른 게이트 유닛 시험장치와 사이리스터를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 게이트 유닛 시험회로의 회로도를 설명하기 위한 도면이다.
도 3는 본 발명의 실시 예에 따른 게이트 유닛 시험회로의 회로도를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예인 게이트 유닛 시험회로와 사이리스터 테스터기와 사이리트스터의 연결을 설명하기 위한 도면일 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시 예인 게이트 유닛 시험회로가 사이리스터 테스터기와 사이리트스터의 연결되어 게이트 유닛을 시험하기 위한 게이트 유닛 시험 방법을 설명하기 위한 도면일 수 있다.1 is a view for explaining a gate unit testing apparatus and a thyristor according to an embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram of a gate unit test circuit according to an embodiment of the present invention.
3 is a circuit diagram of a gate unit test circuit according to an embodiment of the present invention.
4 is a view for explaining the connection of the gate unit test circuit, the thyristor tester and the thyristor, which is an embodiment of the present invention.
5 is a view for explaining a gate unit test method for testing a gate unit in which a thyristor tester and a thyristor are connected to each other in a gate unit test circuit according to an embodiment of the present invention.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시 예를 도면과 함께 상세히 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명의 사상이 제시되는 실시 예에 제한된다고 할 수 없으며, 또 다른 구성요소의 추가, 변경, 삭제 등에 의해서 퇴보적인 다른 발명이나, 본 발명 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시 예를 용이하게 제안할 수 있다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It should be understood, however, that there is no intention to limit the scope of the present invention to the embodiment shown, and other embodiments which are degenerative by adding, changing or deleting other elements or other embodiments falling within the spirit of the present invention Can be proposed.
본 발명에서 사용되는 용어는 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어를 선택하였으나, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 발명의 설명 부분에서 상세히 그 의미를 기재하였으므로, 단순한 용어의 명칭이 아닌 용어가 가지는 의미로서 본 발명을 파악하여야 함을 밝혀 두고자 한다.Although the term used in the present invention is a general term that is widely used at present, there are some terms selected arbitrarily by the applicant in a specific case. In this case, since the meaning is described in detail in the description of the corresponding invention, It is to be understood that the present invention should be grasped as a meaning of a non-term.
즉, 이하의 설명에 있어서, 단어 '포함하는'은 열거된 것과 다른 구성요소들 또는 단계들의 존재를 배제하지 않는다.That is, in the following description, the word 'comprising' does not exclude the presence of other elements or steps than those listed.
도 1는 본 발명의 실시 예에 따른 게이트 유닛 시험장치를 설명하기 위한 도면일 수 있으며, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 게이트 유닛 시험회로의 회로도로를 설명하기 위한 도면일 수 있고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 게이트 유닛 시험회로의 회로도를 설명하기 위한 도면이며, 도 4는 본 발명의 실시 예인 게이트 유닛 시험장치와 사이리스터 테스터기와 사이리스터의 연결을 설명하기 위한 도면일 수 있다.FIG. 1 is a view for explaining a gate unit testing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram for explaining a circuit diagram of a gate unit testing circuit according to an embodiment of the present invention, 3 is a view for explaining a circuit diagram of a gate unit test circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a diagram for explaining the connection of a gate unit test apparatus, a thyristor tester and a thyristor, which is an embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 4를 참고하면, 게이트 유닛 시험회로(1)는 사이리스터 테스터기(100)와 사이리스터(30)에 연결된 도면일 수 있다.Referring to Figs. 1 to 4, the gate
게이트 유닛 시험장치(1000)는 사이리스터 테스터기(100)와 게이트 유닛 시험회로(1)를 포함하며, 게이트 유닛 시험장치(1000)는 사이리스터(30)와 연결될 수 있다.The gate
사이리스터(30)는 게이트 유닛(40)과 스너버 회로(32, 34)를 포함하며, 상세하게는 사이리스터(30)에 게이트 유닛(40)과 스너버 회로(32, 34)가 연결될 수 있다. The
게이트 유닛 시험회로(1)는 입력부(3), 변환부(11)및 제어부(23)를 포함할 수 있다.The gate
게이트 유닛 시험회로(1)는 제1 출력부(9)와 제2 출력부(17)을 더 포함할 수 있다.The gate
사이리스터(30)와 연결되는 게이트 유닛(40)을 시험하는 게이트 유닛 시험장치(1000)에 있어서, 게이트 유닛(40)에 연결되며, 외부로부터 전원을 공급받아 공급전압을 생성하는 사이리스터 테스터기(100) 및 사이리스터(30)와 연결되어 게이트 유닛(40)으로 테스트전압을 인가하는 게이트 유닛 시험회로(1)를 포함할 수 있다.1. A gate unit testing apparatus (1000) for testing a gate unit (40) connected to a thyristor (30), comprising: a thyristor tester (100) connected to a gate unit (40) And a gate
게이트 유닛 시험회로(1)는 사이리스터 테스터기(100)를 통해 공급전압을 입력 받는 입력부(3)와 공급전압을 입력 받아 변환한 후 사이리스터(30)에 공급하는 변환부(11) 및 공급전압을 공급전압보다 낮은 테스트전압으로 변환되게 변환부(11)를 제어하는 제어부(23)를 포함할 수 있다.The gate
게이트 유닛 시험회로(10)의 입력부(3)는 공급전압을 입력 받아 사이리스터(30) 전원을 전달할 수 있으며, 입력 받는 공급전압은 교류전압 일 수 있다.The
게이트 유닛(40)은 사이리스터(30)의 턴 온 및 턴 오프에 따른 턴 온/오프 신호를 출력할 수 있으며, 또한, 사이리스터(30)의 상태신호를 외부로 출력할 수 있다.The
변환부(11)는 1차측으로 공급전압을 입력 받아 변환하여 변환된 전압인 고전압 또는 저전압을 2차측으로 출력할 수 있다.The converting
변환부(11)는 변압기, 전력 변압기, 탭 변압기일 수 있으며, 1차측 과 2차측은 변압기의 1차측과 2차측 일 수 있으며, 1차측과 2차측은 코일로 감겨 있으며, 1차측과 2차측의 코일의 턴 수는 다를 수 있다.The
변압기는 전자기유도현상을 이용하여 교류의 전압이나 전류의 값을 변환시키는 장치일 수 있으며, 변압기는 코어와 코일로 이루어질 수 있으며, 입력되는 전원이 연결된 방향의 코일이 1차측일 수 있으며, 2차측은 1차측의 맞은편에 감겨있는 코일일 수 있다.The transformer may be a device for converting the voltage or current value of the AC using an electromagnetic induction phenomenon. The transformer may be composed of a core and a coil. A coil in a direction in which the input power is connected may be a primary side, May be a coil wound on the opposite side of the primary side.
1차측은 공급전압에 의해서 결정되며, 2차측은 패러데이의 법칙에 따라 변압기의 코일의 턴 수의해 결정될 수 있다.The primary side is determined by the supply voltage, and the secondary side can be determined by the number of turns of the coil of the transformer according to Faraday's law.
변환부(11)의 가장 바람직한 실시 예로는 전력 변압기(Power Transformer)일 수 있으며, 전력 변압기(Power Transformer)는 송전선이나 비교적 대전력의 배전선에 사용되는 변압기 일 수 있다.The most preferred embodiment of the
제어부(23)는 게이트 유닛 시험회로(1)를 제어하며, 상세하게는 게이트 유닛 시험회로(1)에 포함되는 스위치(13)등을 제어할 수 있으며, 또한, 파워 스위치(5), 시동 스위치(7), 개폐기(미도시)등을 제어할 수 있다.The
사이리스터 테스터기(100)는 사이리스터(30)가 변환부(11)로부터 테스트전압을 공급 받으면, 사이리스터(30)에 연결되어 있는 게이트 유닛(40)을 시험하도록 제어하는 테스트 제어부(53)를 포함할 수 있다.The
사이리스터 테스터기(100)는 게이트 유닛(40)과 연결되어 게이트 유닛(40)과 신호를 송수신하는 입력 단자(50) 및 게이트 유닛(40)의 시험 결과를 출력하는 모니터부(52)를 더 포함할 수 있다.The
게이트 유닛 시험회로(1)는 변환부(11)와 사이리스터(30) 사이에 연결되는 스위치를 더 포함할 수 있다.The gate
변환부(11)는 공급전압을 입력 받는 1차측(N1) 및 스위치와 연결되며, 1차측(N1)이 입력 받은 공급전압이 테스트전압으로 변환되어 출력되는 2차측(N21, N22)을 포함할 수 있다.The
2차측(N21, N22)은 공급전압을 입력 받아 공급 전압보다 높은 전압이 출력되게 하는 제1 접점(a)과 공급전압을 입력 받아 공급전압 보다 낮은 테스트전압이 출력되게 하는 제2 접점(b)을 포함할 수 있다.The secondary sides N21 and N22 include a first contact a for receiving a supply voltage and outputting a voltage higher than the supply voltage and a second contact b for receiving a supply voltage and outputting a test voltage lower than the supply voltage, . ≪ / RTI >
제어부(23)는 공급전압 보다 낮은 테스트 전압이 출력되도록 스위치를 제2 접점(b)과 접촉되도록 제어할 수 있다.The
공급전압이 스위치(13)의 스위칭을 통해 공급전압 보다 낮은 전압인 저전압이 되면, 저전압은 게이트 유닛(40)을 시험 하기 위한 테스트전압이 될 수 있다.When the supply voltage becomes a low voltage which is lower than the supply voltage through the switching of the
공급전압이 스위치(13)의 스위칭을 통해 공급전압 보다 높은 전압인 고전압이 되면, 고전압은 게이트 유닛(40)을 동작 하기 위한 동작 전압이 될 수 있다.When the supply voltage becomes a high voltage which is higher than the supply voltage through the switching of the
테스트전압은 게이트 유닛(40)을 시험 하기 위한 기준이 되는 전압 일 수 있으며, 예를 들어, 게이트 유닛(40)의 시험은 계통 또는 상위 시스템의 사고 등에 의해서 공급전압이 정상시보다 낮은 저전압이 게이트 유닛(40)으로 공급되었을 때를 가정하여 테스트하는 시험일 수 있으며, 게이트 유닛(40)의 정상동작 유무를 확인하는 시험일 수 있다.The test voltage may be a voltage that serves as a reference for testing the
예를 들어, 공급전압이 220(v)이고, 공급전압이 변환부(11)에 의해서 변환된 동작 전압이 700(V)이고, 테스트 전압이 120(V)이면, 게이트 유닛 시험장치(1)는 사이리스터 테스터기(100)로부터 공급되는 전압을 테스트 전압인 120(v)로 변환해 사이리스터(30)와 연결된 게이트 유닛(40)으로 공급하여 게이트 유닛(40)의 정상 동작 유무를 시험할 수 있다.For example, if the supply voltage is 220 (v), the operating voltage converted by the converting
입력부(3)와 1차측 사이에 공급전압 입력 유무를 확인하는 신호를 출력하는 제1 출력부(9)를 더 포함할 수 있다.And a
게이트 유닛 시험회로(1)는 제1 출력부(9)를 통해서 외부로부터 공급되는 공급전압의 입력 유무를 외부로 알릴 수 있다.The gate
제1 출력부(9)는 빛 신호를 출력하여 외부로 공급전압의 입력 유무를 알릴 수 있으며, 또는, 소리, 진동 등일 수 있다.The
게이트 유닛(40)과 2차측 사이에 연결되며, 공급전압이 고전압인 동작 전압 또는 저전압인 테스트 전압 중 하나로 변환된 것을 알리는 신호를 출력하는 제2 출력부(17)를 더 포함할 수 있다.And a
제2 출력부(17)는 변환부(11)가 공급전압을 저전압인 테스트 전압으로 변환하면, 게이트 유닛(40)을 시험 하기 위한 테스트 전압이 게이트 유닛(40)으로 공급되는 것을 학인 하기 위한 신호를 출력할 수 있다.The
제2 출력부(17)는 변환부(11)가 공급전압을 고전압인 동작 전압으로 변환하면 게이트 유닛(40)이 정상적으로 동작하기 위한 전압이 입력되는 것을 확인하기 위한 신호를 출력할 수 있다.The
제2 출력부(17)는 신호를 출력하여 외부로 동작 전압 또는 저전압인 테스트 전압의 입력 유무를 알릴 수 있으며, 상기 신호는 빛, 소리 등일 수 있으며, 실시예에 한정 짓지 않는다.The
사이리스터부(31)는 게이트 유닛(40)을 포함하는 사이리스터(30)와 스너버 회로(32, 34)를 포함할 수 있으며, 게이트 유닛(40)은 제1 단자(42)와 제2 단자(44)를 포함할 수 있다.The
사이리스터(30)는 게이트 유닛(40)을 포함하며 스너버 회로(32, 34)에 연결될 수 있다.The
스너버 회로(32, 34)는 스너버 저항(32)과 스너버 캐패시터(34)의 직렬 연결 일 수 있으며, 스너버 저항(32)과 스너버 캐패시터(34)는 스너버 회로(32, 34)에 연결되는 저항과 캐패시터 일 수 있다.The
스너버 회로(32, 34)는 사이리스터(30)를 보호하는 회로이며, 사이리스터(30)의 턴 온 또는 턴 오프 동작 시 발생하는 과도 전류와 사이리스터(30)를 포함하는 상위 시스템의 이상 전류 발생시 사이리스터(30)를 보호하기 위한 회로일 수 있다.The
게이트 유닛(40)은 사이리스터(30)의 상태를 나타내는 상태 신호를 상위 제어기로 송신할 수 있으며, 상위 제어기에서 오는 사이리스터(30)의 제어신호를 사이리스터(30)에 알맞은 신호인 점호신호(Firing Pulse)로 변환할 수 있다.The
게이트 유닛 시험장치(1000)에 포함되는 사이리스터 테스터기(100)는 전원 출력부(54), 입력 단자(50), 테스트 제어부(53) 및 모니터부(52)를 포함할 수 있다.The
전원 출력부(54)는 외부로 전원을 출력할 수 있으며, 전원은 교류 전압일 수 있다.The
전원 출력부(54)는 게이트 유닛 시험장치(1)의 입력부(3)로 전압을 공급할 수 있다.The power
입력 단자(50)는 게이트 유닛(40)과 연결될 수 있으며, 게이트 유닛(40)에서 나오는 신호를 입력 받을 수 있다.The
모니터부(52)는 입력 단자(50)가 입력 받은 신호를 통해서 게이트 유닛(40)의 상태를 출력할 수 있다.The
테스트 제어부(53)는 입력 단자(50)를 통해서 게이트 유닛(40)을 테스트 전압에서 시험하도록 제어할 수 있다.The
예를 들어, 외부에서 모니터부(52)의 출력신호를 통해서 사이리스터(30)의 고장 유무 상태, 턴 온/오프 상태, 게이트 유닛(40)의 동작 상태, 게이트 유닛(40)의 고장 유무 상태 등을 모니터부(52)를 통해서 관측할 수 있다.For example, the failure state of the
사이리스터 테스터기(100)의 바람직한 실시 예로는 TLT(Thyristor Level Tester)일 수 있으며, TLT(Thyristor Level Tester)는 게이트 유닛(40)을 전원이 부족할 시 동작 확인 특성을 확인할 수 있으며, 동작 확인 특성은 로우 파워 테스트(Low Power Test)일 수 있다.A preferred embodiment of the
TLT(Thyristor Level Tester)는 모니터부(52)를 통해서 게이트 유닛(40)의 고장 유무와 게이트 유닛(40)의 동작 확인 특성에 결과를 외부로 알릴 수 있다.The TLT (Thyristor Level Tester) can inform the outside of the result of the failure of the
TLT(Thyristor Level Tester)는 게이트 유닛 시험회로(1)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 전원 출력부(54)를 통해서 게이트 유닛 시험회로(1)로 전원을 공급할 수 있다.The TLT (Thyristor Level Tester) can be electrically connected to the gate
TLT(Thyristor Level Tester)는 입력 단자(50)를 통해서 사이리스터(30)와 신호를 송 수신 할 수 있으며, 게이트 유닛 시험회로(1)로 전원을 공급할 수 있다.The TLT (Thyristor Level Tester) can transmit and receive a signal to and from the
게이트 유닛 시험회로(1)는 제어부(23)을 통해 공급전압을 동작 전압 또는 테스트 전압으로 변환할 수 있어, 사용자가 직접 공급전압을 변환하지 않는 편리성을 확보할 수 있으며, 제어부(23)의 스위치(13) 제어에 따라 공급전압이 변하는 변환부(11)를 사용하게 되어, 사용자가 직접 조작하는 장치가 간소화 될 수 있다.The gate
이하에서는 도 2를 상세히 설명할 수 있으며, 본 발명의 실시 예인 게이트 유닛 시험회로(1)가 스위치(13)의 스위칭을 통해 공급전압이 고전압인 동작 전압으로 변환되도록 하는 것을 나타내기 위한 도면일 수 잇다.Hereinafter, Fig. 2 can be described in detail, and it is possible to illustrate that the gate
도 1 내지 도 4을 참고하면, 게이트 유닛 시험회로(1)는 입력부(3), 변환부(11)및 제어부(23)를 포함할 수 있으며, 파워 스위치(5), 시동 스위치(7), 제1 출력부(9), 스위치(13), 전압계(15), 제2 출력부(17), 저항(21), 전류계(19)을 더 포함할 수 있다.1 to 4, the gate
외부로부터 전압을 입력 받는 입력부(3)의 일단은 파워 스위치(5)의 일단과 연결되며, 파워 스위치(5)의 타단은 제1 출력부(9)와 시동 스위치(7)의 일단과 연결되며, 제1 출력부(9)의 타단은 입력부(3)의 타단과 연결될 수 있다.One end of the
변환부(11)의 1차측은 시동 스위치(7)와 체1 출력부(9)의 타단과 연결되며, 변환부(11)의 2차측은 스위치(13)의 일단과 연결되며, 스위치(13)의 타단은 전압계(15)와 제2 출력부(7)의 일단과 연결될 수 있다.The primary side of the
변환부(11)의 2차측은 제1 접점(N21)과 제2 접점(N22)을 포함할 수 있으며, 도 2의 실시 예는 스위치(13)는 제1 접점(N21)과 연결된 상태일 수 있다.The secondary side of the
전압계(15)의 타단은 변환부(11)의 2차측과 연결될 수 있으며, 사이리스터(30)의 케소드단(K)과 연결될 수 있다.The other end of the
제2 출력부(17)의 타단은 전류계(19)의 일단과 연결될 수 있으며, 전류계(19)의 타단은 저항(21)의 일단과 연결될 수 있으며, 저항(21)의 타단은 사이리스터(30)의 에노드단(A)과 연결될 수 있다.The other end of the
제어부(23)는 파워 스위치(5), 시동 스위치(7), 스위치(13)를 제어할 수 있으며, 제어부(23)는 파워 스위치(5)와 시동 스위치(7)를 턴 온 되도록 제어하고, 스위치(13)를 변환부(11)의 N21에 연결되도록 제어하면 게이트 유닛(40)이 동작하기 위한 전원을 공급할 수 있다.The
변환부(11)는 제어부(23)의 제어에 의해서 변환부(11)의 N21과 스위치(13)가 연결되면, 공급 전압은 공급전압 보다 낮은 저전압에서 공급전압 보다 높은 고전압인 동작 전압으로 변환할 수 있다.When the N21 of the converting
예를 들어, 공급전압인 고전압 또는 저전압으로의 변환은 변환부(11) 1차측(N1)의 코일권수와 변환부(11) 2차측(N21, N22)의 코일권수에 비례할 수 있다.For example, the supply voltage may be converted to a high voltage or a low voltage in proportion to the number of turns of the primary winding N1 of the
변환부(11) 1차측 N1의 코일권수는 변환부 2차측 N21의 코일권수보다 적을 수 있으며, 변환부 1차측의 N1의 코일권수는 변환부 2차측의 N22의 코일권수보다 많을 수 있다.The number of coil turns of the primary side N1 of the converting
변환부 2차측 N21은 2차측 N22보다 코일권수가 더 많은 수 있어 스위치(13)가 제1 접점(a)에 접점 될 때보다 제2 접점(b)에 접점될 때 고전압이 출력될 수 있다.The transformer secondary side N21 may have a larger number of coil windings than the secondary side N22 so that a high voltage may be output when the
전압계(15)와 전류계(19)는 공급 전압이 변환부(11)의 2차측에서 변환되어 출력되는 전압값과 전류값을 측정할 수 있다. The
도 3는 본 발명의 실시 예인 게이트 유닛 시험회로(1)가 스위치(13)의 스위칭을 통해 공급전압이 저전압인 테스트 전압으로 변환되도록 하는 것을 나타내기 위한 도면일 수 잇다.Fig. 3 is a diagram showing that the gate
도 1 내지 도 4를 참고하면, 스위치(13)는 제2 접점(N22)과 연결된 상태일 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 4, the
제어부(23)는 파워 스위치(5), 시동 스위치(7), 스위치(13)를 제어할 수 있으며, 제어부(23)는 파워 스위치(5)와 시동 스위치(7)를 턴 온 되도록 제어하고, 스위치(13)를 변환부(11)의 제2 접점(N22)에 연결되도록 제어하면, 게이트 유닛 시험회로(1)를 통해서 게이트 유닛(40)에 테스트 전압을 공급할 수 있으며, 사이리스터 테스터기(100)는 테스트 제어부(53)를 통해서 게이트 유닛(40)에 전원이 부족할 시, 게이트 유닛(40)의 동작 확인 특성을 시험 할 수 있다. The
변환부(11)는 제어부(23)의 제어에 의해서 제2 접점(N22)과 스위치(13)가 연결되면, 공급 전압을 고전압보다 낮은 저전압인 테스트 전압으로 변환할 수 있으며, 상세하게는, 기준 전압보다 낮은 테스트 전압으로 변환할 수 있어, 게이트 유닛 시험장치(1)가 게이트 유닛(40)의 동작 확인 특성을 시험 할 수 있다.When the second contact N22 and the
예를 들어, 공급전압이 220(v)이고, 공급전압이 변환부(11)에 의해서 변환된 동작 전압이 700(V)이고, 테스트 전압이 120(V)이면, 게이트 유닛 시험장치(1)는 테스트 전압인 120(v) 또는 동작 전압인 700(V)로 정확하게 변환할 수 있으며, 정확하게 테스트 전압으로 변환할 수 있어 게이트 유닛(40)의 정상 동작 유무를 시험의 신뢰성이 높이지게 될 수 있다.For example, if the supply voltage is 220 (v), the operating voltage converted by the converting
변환부 1차측 N1의 코일권수는 2차측의 N21의 코일권수보다 적으며, N22의 코일권수보다 많을 수 있다.The number of turns of the coil on the primary side N1 of the transformer unit is smaller than the number of turns of the coil on the secondary side N21 and may be larger than the number of turns of the coil on N22.
즉, 변환부 1차측 N1로 입력되는 공급전압이 220(V)이고, 스위치(13)가 제1 접점(a)에 접점되면, 출력전압은 변환부 2차측 N21의 코일권수에 따라 700(V)가 출력될 수 있다. 또한, 스위치(13)가 제2 접점(b)에 접점되면, 출력전압은 변환부 2차측 N22의 코일권수에 따라 120(V)로 출력될 수 있다.That is, when the supply voltage input to the transformer primary N1 is 220 V and the
게이트 유닛 시험장치(1)는 제2 출력부(17)를 통해 1차측 공급전압이 2차측에서 게이트 유닛(40)을 동작하기 위한 동작 전압으로 변환하는지, 게이트 유닛(40)을 시험하기 위한 테스트 전압으로 변환하는지 사용자가 확인할 수 있어 사용함에 편리성을 확보할 수 있다.The gate
도 4는 본 발명의 실시 예인 게이트 유닛 시험장치와 사이리스터 테스터기와 사이리트스터의 연결을 설명하기 위한 도면일 수 있다.4 is a view for explaining the connection of the gate unit testing apparatus, the thyristor tester, and the thyristor according to the embodiment of the present invention.
도 4를 참고하면, 사이리스터 테스터기(100)의 전원 출력부(54)는 게이트 유닛 시험 회로(1)의 입력부(3)와 연결되며, 입력부(3)는 전원 출력부(54)로부터 전압을 공급 받을 수 있다.4, the
사이리스터(30)의 에노드단(A)과 케소드단(K)은 게이트 유닛 시험장치(1)와 연결되며, 스너버 회로(32, 34)의 스너버 저항(32)의 일단은 사이리스터(30)의 에노드단(A)과 연결될 수 있으며, 스너버 저항(32)의 타단은 스너버 캐패시터(34)의 일단과 연결될 수 있다.The node end A and the terminal end K of the
게이트 유닛(40)은 에너지를 충방전하는 캐패시터인 게이트 캐패시터(46)를 포함하며, 사이리스터 테스터기(100)의 입력 단자(50)와 연결되는 제1 단자(42)와 제2 단자(44)를 포함할 수 있다.The
스너버 캐패시터(34)의 타단은 게이트 유닛(40)의 게이트 캐패시터(46)의 일단과 연결될 수 있으며, 게이트 캐패시터(34)의 타단은 사이리스터의 케소드단(K)과 연결될 수 있다.The other end of the
게이트 유닛 시험회로(1)는 사이리스터 테스터기(100)로부터 공급전압을 입력 받아 변환부(11)에서 공급전압을 동작 전압 또는 테스트 전압으로 변환할 수 있다.The gate
게이트 유닛 시험회로(1)는 변환부(11)를 통해서 공급전압을 고전압인 동작 전압으로 변환하여 사이리스터(30)의 게이트 유닛(40)에 공급하여 게이트 유닛(40)이 동작하도록 할 수 있다. The gate
게이트 유닛 시험회로(1)는 변환부(11)를 통해서 공급전압을 저전압인 테스트 전압으로 변환하면, 사이리스터(30)의 게이트 유닛(40)은 충분한 전압을 공급 받지 못하게 될 수 있고, 게이트 유닛(40)이 충분한 전압을 공급 받지 못할 시, 게이트 유닛 시험장치(1000)는 게이트 유닛(40)이 정상적으로 동작하는지 동작 확인 시험을 할 수 있다. 즉, 게이트 유닛(40)이 정상적으로 동작하는지 확인 시험을 하기 위해서는 공급전압을 변환부(11)를 통해 저전압인 테스트 전압으로 변환해야 하며, 공급 전압을 저전압인 테스트 전압으로 변환시, 사이리스터 테스터기(100)는 사이리스터(30)의 게이트 유닛(40)이 정상적으로 동작하는지 확인 시험인 로우 파워 시험(Low Power Test)를 할 수 있다.The gate
도 5는 본 발명의 실시 예인 게이트 유닛 시험회로가 사이리스터 테스터기와 사이리트스터에 연결되어 게이트 유닛을 시험하기 위한 게이트 유닛 시험 방법을 설명하기 위한 도면일 수 있다.5 is a view for explaining a gate unit test method for testing a gate unit connected to a thyristor tester and a thyristor in a gate unit test circuit according to an embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 5를 참고하면, 게이트 유닛 시험회로(1)의 입력부(3)는 사이리스터 테스터기(100)의 전원 출력부(54)로부터 전압을 공급 받을 수 있다(S1).1 to 5, the
사이리스터(30)와 연결되는 게이트 유닛(40)을 시험하는 게이트 유닛 시험회로(1)의 게이트 유닛(40) 시험방법에 있어서, 게이트 유닛(40)에 연결되며, 외부로부터 전원을 공급받아 게이트 유닛 시험회로(1)로 공급할 공급전압을 생성하는 공급전압생성단계일 수 있다.A method for testing a gate unit (40) of a gate unit testing circuit (1) for testing a gate unit (40) connected to a thyristor (30) And a supply voltage generating step of generating a supply voltage to be supplied to the
게이트 유닛 시험회로(1)의 제1 출력부(9)는 입력부(3)가 공급 받은 공급전압의 입력 유무를 확인하는 신호를 출력할 수 있다(S2).The
제어부(23)는 입력부(3)에서 변환부(11)로 입력 되는 공급전압을 스위치(13)의 스위칭 제어를 통해서 동작 전압 또는 테스트 전압으로 변환할 수 있으며(S3), 공급 전압을 고전압보다 낮은 저전압인 테스트 전압으로 변환할 수 있다.The
공급전압을 입력 받아 공급전압보다 낮은 테스트전압으로 변환하여 변환단계일 수 있다.And may be a conversion step of converting the input voltage into a test voltage lower than the input voltage.
제2 출력부(17)는 공급전압이 테스트 전압으로 변환된 것을 알리는 신호를 출력할 수 있다(S4).The
게이트 유닛 시험회로(1)는 변환부(11)를 통해서 공급전압을 테스트 전압으로 변환하면, 사이리스터(30)의 게이트 유닛(40)은 충분한 전압을 공급 받지 못할 수 있어, 게이트 유닛(40)을 시험 할 수 있다(S5).The gate
테스트 전압을 사이리스터(30)로 입력 받아 게이트 유닛(40)을 시험하는 시험단계일 수 있다.The test voltage may be input to the
예를 들어, 공급전압이 220(v)이고, 공급전압이 변환부(11)에 의해서 변환된 동작 전압이 700(V)이고, 테스트 전압이 120(V)이면, 게이트 유닛(40)을 시험하기 위해서는 사이리스터(30)로 테스트 전압인 120(V)가 인가되어야 한다.For example, if the supply voltage is 220 (v) and the operating voltage converted by the converting
게이트 유닛 시험회로(1)는 변환부(11)를 통해서 공급전압을 동작 전압으로 변환하면(S5), 사이리스터(30)의 게이트 유닛(40)에 충분한 전압이 공급 되어, 게이트 유닛(40)이 정상적으로 동작하도록 할 수 있다(S6).The gate
시험단계는 게이트 유닛(40)과 신호를 송수신하는 송수신단계 및 게이트 유닛(40)의 시험의 결과를 상기 사이리스터 테스터기(100)에 구비된 모니터부(52)로 출력하는 출력단계를 포함할 수 있다.The test step may include a transmitting and receiving step of transmitting and receiving signals to and from the
고전압은 공급전압보다 높은 전압이며, 저전압은 공급전압보다 낮은 전압일 수 있다.The high voltage may be a voltage higher than the supply voltage, and the low voltage may be a voltage lower than the supply voltage.
본 발명의 실시예를 통해 게이트 유닛 시험장비 및 게이트 유닛 시험방법은 제어부의 제어로 공급전압이 고전압 또는 저전압으로 변환할 수 있어, 사용자가 직접 공급전압을 변환하지 않는 편리성을 확보할 수 있으며, 또한, 제어부의 스위치 제어에 따라 공급전압이 변하는 변환부를 사용하게 되어, 사용자가 직접 조작하는 장치가 간소화 된다. 이를 통해, 게이트 유닛 시험장비의 부피를 간소화 할 수 있으며, 부피의 간소화를 통해 비용을 절감할 수 있다. 그리고, 사용자가 직접 변환하지 않고, 기준전압레벨을 정하여 공급전압을 변환함에 따라 게이트 유닛을 시험하는데 있어 신뢰성을 확보할 수 있으며, 제2 출력부를 통해 1차측 공급전압이 2차측에서 게이트 유닛을 동작하기 위한 전압으로 변환하는지, 게이트 유닛을 시험하기 위한 전압으로 변환하는지 사용자가 확인할 수 있어 게이트 유닛 시험장치를 사용하는데 있어 편리성을 확보할 수 있다.The gate unit testing apparatus and the gate unit testing method according to the embodiment of the present invention can control the supply voltage to a high voltage or a low voltage under the control of the controller so that the convenience of the user not directly converting the supply voltage can be secured, In addition, a conversion unit whose supply voltage is changed in accordance with the switch control of the control unit is used, so that a device directly operated by the user is simplified. This can simplify the volume of the gate unit test equipment and reduce costs by simplifying the volume. Further, it is possible to secure reliability in testing the gate unit by converting the supply voltage by setting the reference voltage level without direct conversion by the user, and it is possible to ensure the reliability by testing the gate unit at the secondary side through the second output unit It is possible for the user to confirm whether or not the voltage is converted into a voltage for testing the gate unit or a voltage for testing the gate unit, thereby ensuring convenience in using the gate unit testing apparatus.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
1; 게이트 유닛 시험회로, 3; 입력부,
5; 파워 스위치, 7; 시동 스위치,
9; 제1 출력부, 11; 변환부,
13; 스위치, 15; 전압계,
17; 제2 출력부, 19; 전류계,
21; 저항, 23; 제어부,
30; 사이리스터, 32; 스너버 저항,
34; 스너버 캐패시터, 40; 게이트 유닛,
42; 제1 단자,
44; 제2 단자,
46; 게이트 캐패시터, 50; 입력 단자,
52; 모니터부, 53; 테스트 제어부,
54; 전원 출력부, 100; 사이리스터 테스터기,
1000; 게이트 유닛 시험장치,One; Gate unit test circuit, 3; An input unit,
5; Power switch, 7; Start switch,
9; A first output section, 11; Conversion section,
13; Switch, 15; Voltmeter,
17; A second output section, 19; ammeter,
21; Resistance, 23; The control unit,
30; Thyristor, 32; Snubber resistance,
34; Snubber capacitors, 40; Gate unit,
42; A first terminal, 44; A second terminal,
46; A gate capacitor, 50; Input terminal,
52; A
54; A power output unit, 100; Thyristor tester,
1000; Gate unit testing device,
Claims (7)
상기 게이트 유닛에 연결되며, 공급전압을 생성하는 사이리스터 테스터기; 및
상기 사이리스터와 연결되어 상기 게이트 유닛으로 테스트전압을 인가하는 게이트 유닛 시험회로를 포함하고,
상기 게이트 유닛 시험회로는
상기 사이리스터 테스터기를 통해 상기 공급전압을 입력 받는 입력부;
상기 공급전압을 입력 받아 변환한 후 상기 사이리스터에 공급하는 변환부; 및
상기 공급전압을 상기 공급전압보다 낮은 상기 테스트전압으로 변환되게 상기 변환부를 제어하는 제어부를 포함하는
게이트 유닛 시험장치.1. A gate unit testing apparatus for testing a gate unit connected to a thyristor,
A thyristor tester connected to the gate unit and generating a supply voltage; And
And a gate unit test circuit connected to the thyristor to apply a test voltage to the gate unit,
The gate unit test circuit
An input unit for receiving the supply voltage through the thyristor tester;
A converter for receiving and converting the supply voltage and supplying the converted voltage to the thyristor; And
And a control unit for controlling the converting unit to convert the supply voltage into the test voltage lower than the supply voltage
Gate unit testing apparatus.
상기 사이리스터 테스터기는
상기 사이리스터가 상기 변환부로부터 상기 테스트전압을 공급 받으면, 상기 사이리스터에 연결되어 있는 상기 게이트 유닛을 시험하는 테스트 제어부를 포함하는
게이트 유닛 시험장치.The method according to claim 1,
The thyristor tester
And a test control unit for testing the gate unit connected to the thyristor when the thyristor receives the test voltage from the conversion unit
Gate unit testing apparatus.
상기 사이리스터 테스터기는
상기 게이트 유닛과 연결되어 상기 게이트 유닛과 신호를 송수신하는 입력 단자; 및
상기 게이트 유닛의 상기 시험 결과를 출력하는 모니터부를 더 포함하는
게이트 유닛 시험장치.3. The method of claim 2,
The thyristor tester
An input terminal connected to the gate unit to transmit and receive a signal to / from the gate unit; And
And a monitor unit for outputting the test result of the gate unit
Gate unit testing apparatus.
상기 게이트 유닛 시험회로는
상기 변환부와 상기 사이리스터 사이에 연결되는 스위치를 더 포함하며,
상기 변환부는
상기 공급전압을 입력 받는 1차측; 및
상기 스위치와 연결되며, 상기 1차측이 입력 받은 상기 공급전압이 변환되어 출력되는 2차측을 포함하는
게이트 유닛 시험장치.The method according to claim 1,
The gate unit test circuit
And a switch connected between the conversion unit and the thyristor,
The conversion unit
A primary side receiving the supply voltage; And
And a secondary side connected to the switch, the secondary side of which the supply voltage input from the primary side is converted and output
Gate unit testing apparatus.
상기 2차측은
상기 공급전압을 입력 받아 상기 공급 전압보다 높은 전압이 출력되게 하는 제1 접점과 상기 공급전압을 입력 받아 상기 테스트전압이 출력되게 하는 제2 접점을 포함하며,
상기 제어부는
상기 테스트 전압이 출력되도록 상기 스위치를 상기 제2 접점과 접촉되도록 제어하는
게이트 유닛 시험장치.5. The method of claim 4,
The secondary side
A first contact for receiving the supply voltage and outputting a voltage higher than the supply voltage, and a second contact for receiving the supply voltage and outputting the test voltage,
The control unit
And controls the switch to be in contact with the second contact so that the test voltage is output
Gate unit testing apparatus.
사이리스터 테스터기가 게이트 유닛 시험회로에 인가할 공급전압을 생성하는 공급전압생성단계;
상기 게이트 유닛 시험회로가 상기 사이리스터 테스터기로부터 인가 받은 상기 공급전압을 상기 공급전압보다 낮은 테스트전압으로 변환하는 변환단계; 및
상기 게이트 유닛 시험회로가 상기 테스트 전압을 상기 사이리스터로 인가하면 상기 게이트 유닛을 시험하는 시험단계를 포함하는
게이트 유닛 시험방법.A method for testing a gate unit connected to a thyristor,
A supply voltage generating step in which a thyristor tester generates a supply voltage to be applied to the gate unit test circuit;
A converting step of the gate unit testing circuit converting the supply voltage applied from the thyristor tester to a test voltage lower than the supply voltage; And
And testing the gate unit when the gate unit test circuit applies the test voltage to the thyristor
Gate unit test method.
상기 시험단계는
상기 게이트 유닛과 신호를 송수신하는 송수신단계; 및
상기 게이트 유닛의 상기 시험의 결과를 상기 사이리스터 테스터기에 구비된 모니터부로 출력하는 출력단계를 포함하는
게이트 유닛 시험방법.The method according to claim 6,
The test step
A transmitting and receiving step of transmitting and receiving signals with the gate unit; And
And outputting the result of the test of the gate unit to a monitor unit provided in the thyristor tester
Gate unit test method.
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|---|---|---|---|
| KR1020160026347A KR20170103431A (en) | 2016-03-04 | 2016-03-04 | Gate unit testing system and testing method thereof |
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| KR20170103431A true KR20170103431A (en) | 2017-09-13 |
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| KR (1) | KR20170103431A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114966359A (en) * | 2022-05-17 | 2022-08-30 | 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司广州局 | Thyristor test method, device, computer equipment, storage medium and product |
-
2016
- 2016-03-04 KR KR1020160026347A patent/KR20170103431A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
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| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20160304 |
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