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KR20170038695A - Substrate treatment device and substrate treatment method - Google Patents

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KR20170038695A
KR20170038695A KR1020160123871A KR20160123871A KR20170038695A KR 20170038695 A KR20170038695 A KR 20170038695A KR 1020160123871 A KR1020160123871 A KR 1020160123871A KR 20160123871 A KR20160123871 A KR 20160123871A KR 20170038695 A KR20170038695 A KR 20170038695A
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시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
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Abstract

(과제) 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
(해결 수단) 실시형태에 관련된 기판 처리 장치는, 퇴피실(31)과, 퇴피실(31)을 사이에 두고 설치된 한 쌍의 처리실(21)과, 퇴피실(31) 내부 및 한 쌍의 처리실(21) 내부에 걸쳐 이동 가능하게 설치되고, 처리실(21) 내의 기판(W) 상에 처리액을 공급하며, 또한, 그 기판(W) 상의 처리액을 가열하는 처리부로서 기능하는 히터(32)와, 퇴피실(31) 내부 및 한 쌍의 처리실(21) 내부에 걸쳐 히터(32)를 이동시키는 이동 기구로서 기능하는 히터 이동 기구(33)를 구비한다.A substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving substrate processing efficiency are provided.
A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a retraction chamber 31, a pair of processing chambers 21 provided between the retraction chambers 31, A heater 32 which is provided so as to be movable in the inside of the processing chamber 21 and which supplies the processing liquid onto the substrate W in the processing chamber 21 and also functions as a processing section for heating the processing liquid on the substrate W, And a heater moving mechanism 33 functioning as a moving mechanism for moving the heater 32 in the inside of the evacuating chamber 31 and inside the pair of processing chambers 21.

Figure P1020160123871
Figure P1020160123871

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATMENT DEVICE AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

본 발명의 실시형태는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

기판 처리 장치는, 반도체 웨이퍼, 포토마스크용 유리 기판, 액정용 유리 기판 등 각종 기판에 대하여 여러가지 표면 처리(에칭 처리나 세정 처리, 린스 처리, 건조 처리 등)를 행하는 장치이다. 이 기판 처리 장치에서는, 처리의 균일성이나 재현성의 면에서, 기판을 1장씩 전용 처리실 내에서 처리하는 매엽 방식을 이용하는 경우가 많아지고 있다. 또한, 처리 대상의 기판은 전용 케이스, 예컨대 기판이 반도체 웨이퍼인 경우에는, FOUP(후프)에 수납되어 있다. 이 때문에, 전용 케이스로부터의 기판의 취출과 수납을 행하는 전용 유닛이 설치된다. 이 전용 유닛으로는, 예컨대, EFEM(FOUP 오프너와 반송 로봇의 조합)이 이용된다.The substrate processing apparatus is a device for performing various surface treatments (etching treatment, cleaning treatment, rinsing treatment, drying treatment, and the like) on various substrates such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, and a glass substrate for a liquid crystal. In this substrate processing apparatus, in the case of uniformity and reproducibility of processing, a sheet-like system for processing one substrate in a dedicated processing chamber is often used. Further, the substrate to be processed is housed in a special case, for example, a FOUP (hoop) when the substrate is a semiconductor wafer. Therefore, a dedicated unit for taking out and storing the substrate from the special case is provided. As this dedicated unit, for example, EFEM (a combination of a FOUP opener and a transportation robot) is used.

전용 케이스 내의 기판은, 전용 유닛의 반송 로봇에 의해 전용 케이스로부터 취출되고, 처리실 내로 반송되어 처리실 내에서 처리된다. 이 처리에는 약액이 사용되기 때문에, 처리실 분위기가 주위로 퍼지지 않도록, 통상, 처리실 내는 주위보다 음압으로 유지되고 있다. 처리로는, 상온의 약액 처리뿐만 아니라, 가열을 수반하는 약액 처리 등도 있다. 또한, 처리 종료된 기판에 별도의 처리를 행할 필요가 있는 경우에는, 그 기판은 다음 처리실로 반송되어 처리된다. 최종적으로 기판은 세정 및 건조되고, 반송 로봇에 의해 원래의 전용 케이스에 수납되고, 그 후, 기판 처리 장치로부터 인출된다.The substrate in the special case is taken out of the special case by the carrying robot of the dedicated unit, transported into the process chamber, and processed in the process chamber. Since the chemical liquid is used for this treatment, the inside of the treatment chamber is generally maintained at a negative pressure so that the treatment chamber atmosphere does not spread to the surroundings. The treatment includes not only chemical treatment at normal temperature but also chemical treatment accompanied by heating. Further, when it is necessary to perform a separate process on the processed substrate, the substrate is transferred to the next process chamber and processed. Finally, the substrate is cleaned and dried, and stored in the original special case by the carrying robot, and then taken out from the substrate processing apparatus.

기판 처리 장치는, 이용되는 전용 케이스나 전용 유닛의 폭이나 높이 등의 크기가 규격으로 정해져 있기 때문에, 각 처리실의 크기는 동일해지는 경향이 있다. 이 때문에, 처리실의 수에 따라, 각 처리실과 반송 로봇의 배치 조합 형태도 유사해지는 경향이 있다. 처리실이 2개 있는 경우에는, EFEM에 직접 처리실을 접속하는 형태가 많다. 또한, 처리실이 4개 있는 경우에는, EFEM에 기판 전달대(버퍼대)를 설치하고, 처리실에 대한 기판 반송을 전문으로 행하는 또 1대의 반송 로봇을 설치하고, 그 반송 로봇 주변에 처리실을 배치하는 형태가 많다.In the substrate processing apparatus, the size of each of the processing chambers tends to be the same because the size of the special case or the dedicated unit used is determined by the standard. For this reason, depending on the number of treatment chambers, there is a tendency that the combination of the arrangements of the respective treatment chambers and the carrier robot becomes similar. When there are two treatment chambers, there are many cases where the treatment chamber is connected directly to the EFEM. When there are four processing chambers, another substrate transferring robot (buffer unit) is provided in the EFEM, another transfer robot is provided for carrying out substrate transfer to the processing chamber, and a processing chamber is arranged around the transfer robot There are many forms.

또한, 처리실을 더욱 증가시키는 경우에는, 전술한 또 1대의 반송 로봇을 직선 이동 기구에 의해 직선 이동시키고, 그 반송 로봇이 이동하는 로봇 이동로의 양측에 처리실을 배치하는 경우가 많다. 다만, 이 구성의 경우, 직선 이동하는 반송 로봇의 이동 속도의 제한, 혹은, 기판 처리 장치가 설치되는 클린룸의 깊이 제한으로부터, 처리실의 수는 8개(로봇 이동로의 양측에 4개씩) 정도가 된다. 또, 추가적인 처리실 증가를 위해서는, 처리실을 쌓아 올리고, 기판 반송에 각 계층에 대한 반송 방식을 추가하는 것도 가능하다. 즉, 처리실의 배치를 평면 배치가 아니라 입체 배치로 하는 것이 가능하다.Further, when the processing chamber is further increased, there are many cases where the above-described another carrier robot is linearly moved by a linear moving mechanism, and the processing chamber is disposed on both sides of the robot moving path where the carrier robot moves. However, in the case of this configuration, the number of processing chambers is eight (four on each side of the robot moving path) from the limitation of the moving speed of the linearly moving transport robot or the limit of the depth of the clean room in which the substrate processing apparatus is installed . In order to further increase the processing chamber, it is also possible to stack process chambers and add a transport system for each layer to the substrate transport. That is, it is possible to arrange the processing chamber in a three-dimensional arrangement instead of a flat arrangement.

동일한 처리액을 이용하는 처리를 복수의 처리실에서 개별로 행하는 경우에는, 각 처리실의 처리 시간이 동일해지기 때문에, 반송 효율이 높은 시스템이 채용되게 된다. 한편, 상이한 처리액을 이용하는 복수의 처리를 복수의 처리실에서 순차 행하는 경우에는, 각 처리실 사이에서 기판을 반송할 필요가 생긴다. 이 때, 각 처리실에서 처리 시간이 상이하면, 어느 처리 공정에서 기판 반송 대기가 발생한다. 통상, 기판 반송 대기의 발생을 피하기 위해, 전체 처리 공정이 동일한 처리 시간으로 종료되도록 프로세스가 조정된다. 그런데, 각 처리실 사이에서 기판을 반송할 필요가 있기 때문에, 이 기판 반송에 의해 처리가 중단되고, 기판 처리 효율이 저하된다. 그래서, 전술한 상이한 처리액을 이용하는 복수의 처리를 하나의 처리실에서 실시할 수 있다면, 각 처리실 사이에서의 기판 반송이 불필요해진다. 이에 따라, 기판 반송에 의한 처리의 중단을 회피하는 것이 가능해진다.When processing using the same processing liquid is performed individually in a plurality of processing chambers, the processing time of each processing chamber becomes the same, so that a system with high transportation efficiency is adopted. On the other hand, when a plurality of processes using different process solutions are sequentially performed in a plurality of process chambers, it is necessary to transport the substrates between the process chambers. At this time, if the processing time differs in each processing chamber, a substrate transfer wait occurs in any processing step. Normally, in order to avoid occurrence of the substrate conveyance waiting period, the process is adjusted so that the entire process process ends with the same process time. However, since it is necessary to transport the substrate between the processing chambers, the processing is interrupted by this substrate transport, and the substrate processing efficiency is lowered. Thus, if a plurality of processes using the above-described different process liquids can be performed in one process chamber, the substrate transfer between the process chambers becomes unnecessary. Thus, it is possible to avoid interruption of processing by the substrate transport.

특허문헌 1: 국제 공개 제2011/090141호Patent Document 1: International Publication No. 2011/090141

그러나, 전술한 상이한 처리액을 이용하는 복수의 처리를 하나의 처리실에서 실시하고자 해도, 처리액의 종류에 따른 처리 분위기의 차이 등으로부터 처리실을 나눌 필요가 있다. 예컨대, 에칭 처리를 행하는 처리실에서는, 기판의 상측에 위치하는 히터 유닛에 의해, 기판에 공급된 약액(예컨대 인산액)을 가열하고, 고온의 약액에 의해 기판을 에칭한다. 이 처리실에 있어서, 다음 공정으로서 기판에 린스 약액(예컨대 APM: 암모니아과산화수소수)을 가하는 린스 처리가 행해진다. 이 때, 처리 분위기 중의 약액과 린스 약액이 반응하면, 파티클이 발생하고, 히터 유닛에 부착되는 경우가 있다. 또한, 히터 유닛에 파티클이 부착됨으로써, 기판의 처리 중에 파티클이 기판에 부착되어, 제품 불량을 일으키는 경우가 있다. 이 파티클의 제거는 곤란한 경우가 많고, 히터 유닛의 메인터넌스 시간(예컨대 히터 세정 시간)이 길어지는 경향이 있다. 이것을 피하기 위해서는, 각 처리실을 나누는 것이 유효하지만, 각 처리실 사이의 기판 반송이 필수가 되기 때문에, 기판 처리 효율이 저하된다.However, even if a plurality of processes using the above-described different process liquids are performed in one process chamber, it is necessary to divide the process chamber from the difference in the process atmosphere depending on the type of the process liquid. For example, in a treatment chamber for performing an etching treatment, a chemical solution (for example, phosphoric acid solution) supplied to a substrate is heated by a heater unit positioned above the substrate, and the substrate is etched by a high-temperature chemical solution. In this processing chamber, as a next step, a rinse treatment is performed by adding a rinse liquid (for example, APM: ammonia hydrogen peroxide solution) to the substrate. At this time, when the chemical liquid in the treatment atmosphere reacts with the rinsing liquid, particles may be generated and attached to the heater unit. Further, since particles adhere to the heater unit, particles adhere to the substrate during processing of the substrate, resulting in product failure. Removal of the particles is often difficult, and the maintenance time (for example, the heater cleaning time) of the heater unit tends to be long. In order to avoid this, it is effective to divide the respective processing chambers. However, since substrate transfer between the processing chambers is essential, the substrate processing efficiency is lowered.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.A problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving substrate processing efficiency.

실시형태에 관련된 기판 처리 장치는, 퇴피실(退避室)과, 퇴피실을 사이에 두고 설치된 한 쌍의 처리실과, 퇴피실 내부 및 한 쌍의 처리실 내부에 걸쳐 이동 가능하게 설치되고, 처리실 내의 기판 상에 처리액을 공급하며, 또한, 그 기판 상의 처리액을 가열하는 처리부와, 퇴피실 내부 및 한 쌍의 처리실 내부에 걸쳐 처리부를 이동시키는 이동 기구를 구비한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a retraction chamber (retraction chamber), a pair of processing chambers provided between the retraction chamber, a movable substrate disposed inside the retraction chamber and inside the pair of processing chambers, And a moving mechanism for moving the processing section inside the evacuation chamber and inside the pair of processing chambers.

실시형태에 관련된 기판 처리 방법은, 퇴피실과, 퇴피실을 사이에 두고 설치된 한 쌍의 처리실과, 처리실 내의 기판 상에 처리액을 공급하며, 또한, 그 기판 상의 처리액을 가열하는 처리부를 구비하는 기판 처리 장치를 이용하여, 처리실 내의 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, 퇴피실 내부 및 한 쌍의 처리실 내부에 걸쳐 처리부를 이동시킨다.A substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes a pair of processing chambers provided between a vacuum chamber and a vacuum chamber and a processing unit for supplying a processing liquid onto a substrate in the processing chamber and heating the processing liquid on the substrate A substrate processing method for processing a substrate in a processing chamber using a substrate processing apparatus, the processing portion being moved inside the evacuation chamber and inside the pair of processing chambers.

본 발명의 실시형태에 의하면, 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the substrate processing efficiency can be improved.

도 1은, 제1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는, 제1 실시형태에 관련된 기판 처리 유닛의 개략 구성을 나타내는 사시도이다.
도 3은, 제1 실시형태에 관련된 히터, 히터 이동 기구 및 세정부의 개략 구성을 나타내는 단면도(도 1의 3-3선 단면도)이다.
도 4는, 제1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 비교예를 나타내는 평면도이다.
도 5는, 제1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치와 비교예의 기판 처리 공정의 흐름을 나타내는 타이밍 차트이다.
도 6은, 제2 실시형태에 관련된 히터, 히터 이동 기구 및 세정부의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to the first embodiment.
2 is a perspective view showing a schematic configuration of a substrate processing unit according to the first embodiment.
3 is a cross-sectional view (sectional view taken along the line 3-3 in Fig. 1) showing the schematic structure of the heater, the heater moving mechanism, and the cleaning part according to the first embodiment.
4 is a plan view showing a comparative example of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
Fig. 5 is a timing chart showing the flow of the substrate processing apparatus of the first embodiment and the substrate processing process of the comparative example.
6 is a cross-sectional view showing a schematic structure of a heater, a heater moving mechanism, and a cleaner according to the second embodiment.

(제1 실시형태)(First Embodiment)

제1 실시형태에 대하여 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한다.The first embodiment will be described with reference to Figs. 1 to 5. Fig.

(기본 구성)(Basic configuration)

도 1에 나타내는 바와 같이, 제1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치(10)는, 복수의 개폐 유닛(11)과, 제1 반송 로봇(12)과, 버퍼 유닛(13)과, 제2 반송 로봇(14)과, 복수의 기판 처리 유닛(15)과, 장치 부대 유닛(16)을 구비하고 있다.1, the substrate processing apparatus 10 according to the first embodiment includes a plurality of opening / closing units 11, a first conveying robot 12, a buffer unit 13, (14), a plurality of substrate processing units (15), and a device unit unit (16).

각 개폐 유닛(11)은, 일렬로 나란히 설치되어 있다. 이들 개폐 유닛(11)은 반송 용기로서 기능하는 전용 케이스(예컨대 FOUP)의 도어를 개폐한다. 또, 전용 케이스가 FOUP인 경우, 개폐 유닛(11)은 FOUP 오프너라고 불린다.Each of the opening and closing units 11 is arranged in a line. The opening and closing unit 11 opens and closes the door of a special case (for example, a FOUP) functioning as a transport container. When the special case is a FOUP, the opening and closing unit 11 is called a FOUP opener.

제1 반송 로봇(12)은, 각 개폐 유닛(11)이 늘어서는 제1 반송 방향을 따라 이동하도록 각 개폐 유닛(11)의 열의 옆에 설치되어 있다. 이 제1 반송 로봇(12)은, 개폐 유닛(11)에 의해 도어가 개방된 전용 케이스로부터 기판(W)을 취출한다. 그리고, 제1 반송 로봇(12)은, 필요에 따라 버퍼 유닛(13) 부근까지 제1 반송 방향으로 이동하고, 정지 장소에서 선회하여 기판(W)을 버퍼 유닛(13)에 반입한다. 또한, 제1 반송 로봇(12)은, 버퍼 유닛(13)으로부터 처리 종료된 기판(W)을 취출하고, 필요에 따라 원하는 개폐 유닛(11) 부근까지 제1 반송 방향으로 이동하고, 정지 장소에서 선회하여 처리 종료된 기판(W)을 원하는 전용 케이스에 반입한다. 또, 제1 반송 로봇(12)은, 이동하지 않고 선회하여, 기판(W)을 버퍼 유닛(13)에, 혹은, 처리 종료된 기판(W)을 원하는 전용 케이스에 반입하는 경우도 있다. 제1 반송 로봇(12)으로는, 예컨대, 로봇 아암이나 로봇 핸드, 이동 기구 등을 갖는 로봇을 이용하는 것이 가능하다.The first conveying robot 12 is provided beside the row of the respective opening and closing units 11 so as to move along the first conveying direction in which the respective opening and closing units 11 are arranged. The first carrying robot 12 takes out the substrate W from the special case in which the door is opened by the opening / closing unit 11. [ The first transport robot 12 moves in the first transport direction up to the vicinity of the buffer unit 13 as necessary and rotates at a stopping position to carry the substrate W into the buffer unit 13. [ The first carrying robot 12 takes out the processed substrate W from the buffer unit 13 and moves in the first carrying direction to the vicinity of the desired opening and closing unit 11 as required, The substrate W which has been turned and processed is carried into a desired special case. The first carrying robot 12 may be rotated without moving to bring the substrate W into the buffer unit 13 or the processed substrate W into a desired special case. As the first carrying robot 12, for example, a robot having a robot arm, a robot hand, a moving mechanism, or the like can be used.

버퍼 유닛(13)은, 제1 반송 로봇(12)이 이동하는 제1 로봇 이동로의 중앙 부근에 위치시켜지고, 그 제1 로봇 이동로의 편측, 즉 각 개폐 유닛(11)과 반대의 편측에 설치되어 있다. 이 버퍼 유닛(13)은, 제1 반송 로봇(12)과 제2 반송 로봇(14) 사이에서 기판(W)의 전달을 행하기 위한 버퍼대(기판 전달대)로서 기능한다.The buffer unit 13 is positioned in the vicinity of the center of the first robot moving path on which the first conveying robot 12 moves and is disposed on one side of the first robot moving path, Respectively. The buffer unit 13 functions as a buffer table (substrate transfer table) for transferring the substrate W between the first transfer robot 12 and the second transfer robot 14.

제2 반송 로봇(14)은, 버퍼 유닛(13) 부근으로부터 전술한 제1 반송 방향에 직교하는 제2 반송 방향(제1 반송 방향에 교차하는 방향의 일례)으로 이동하도록 설치되어 있다. 이 제2 반송 로봇(14)은, 버퍼 유닛(13)으로부터 기판(W)을 취출하고, 필요에 따라 원하는 기판 처리 유닛(15) 부근까지 제2 반송 방향을 따라 이동하고, 정지 장소에서 선회하여 기판(W)을 원하는 기판 처리 유닛(15)에 반입한다. 또한, 제2 반송 로봇(14)은, 기판 처리 유닛(15)으로부터 처리 종료된 기판(W)을 취출하고, 필요에 따라 버퍼 유닛(13) 부근까지 제2 반송 방향으로 이동하고, 정지 장소에서 선회하여 처리 종료된 기판(W)을 버퍼 유닛(13)에 반입한다. 또, 제2 반송 로봇(14)은, 이동하지 않고 선회하여, 기판(W)을 원하는 기판 처리 유닛(15)에, 혹은, 처리 종료된 기판(W)을 버퍼 유닛(13)에 반입하는 경우도 있다. 제2 반송 로봇(14)으로는, 예컨대, 로봇 아암이나 로봇 핸드, 이동 기구 등을 갖는 로봇을 이용하는 것이 가능하다.The second conveying robot 14 is provided so as to move from the vicinity of the buffer unit 13 to a second conveying direction (an example of a direction crossing the first conveying direction) perpendicular to the first conveying direction described above. The second carrying robot 14 takes out the substrate W from the buffer unit 13 and moves along the second carrying direction to the vicinity of the desired substrate processing unit 15 as required and turns And the substrate W is carried into the desired substrate processing unit 15. [ The second transfer robot 14 takes out the processed wafers W from the substrate processing unit 15 and moves to the vicinity of the buffer unit 13 in the second transfer direction as required, And transfers the substrate W which has been turned and processed to the buffer unit 13. When the second transfer robot 14 pivots without moving and transfers the substrate W to the desired substrate processing unit 15 or the processed substrate W into the buffer unit 13 There is also. As the second carrying robot 14, for example, a robot having a robot arm, a robot hand, a moving mechanism, or the like can be used.

기판 처리 유닛(15)은, 제2 반송 로봇(14)이 이동하는 제2 로봇 이동로의 양측에 예컨대 2개씩 설치되어 있다. 기판 처리 유닛(15)은, 한 쌍의 스핀 처리 유닛(15a 및 15b)과, 히터 처리 유닛(15c)을 갖는다. 히터 처리 유닛(15c)은, 한 쌍의 스핀 처리 유닛(15a 및 15b) 사이에 설치되어 있고, 한 쌍의 스핀 처리 유닛(15a 및 15b)에 공통의 처리 유닛으로서 기능한다(상세하게는 후술함).The substrate processing unit 15 is provided, for example, two on each side of the second robot moving path on which the second conveying robot 14 moves. The substrate processing unit 15 has a pair of spin processing units 15a and 15b and a heater processing unit 15c. The heater processing unit 15c is provided between the pair of spin processing units 15a and 15b and functions as a common processing unit for the pair of spin processing units 15a and 15b ).

장치 부대 유닛(16)은, 제2 로봇 이동로의 일단, 즉 버퍼 유닛(13)과 반대측의 끝에 설치되어 있다. 이 장치 부대 유닛(16)은, 액 공급 유닛(16a)과 제어 유닛(16b)을 수납한다. 액 공급 유닛(16a)은, 한 쌍의 스핀 처리 유닛(15a 및 15b), 히터 처리 유닛(15c)에 각종 처리액(예컨대, 약액이나 린스 약액, 린스액 등)이나 세정액을 공급한다. 제어 유닛(16b)은, 각 부를 집중적으로 제어하는 마이크로컴퓨터와, 기판 처리에 관한 기판 처리 정보나 각종 프로그램 등을 기억하는 기억부(모두 도시하지 않음)를 구비한다. 이 제어 유닛(16b)은, 기판 처리 정보나 각종 프로그램에 기초하여, 각 개폐 유닛(11)이나 제1 반송 로봇(12), 제2 반송 로봇(14), 각 기판 처리 유닛(15) 등의 각 부를 제어한다.The device unit unit 16 is provided at one end of the second robot moving path, that is, at the end opposite to the buffer unit 13. The device unit 16 houses a liquid supply unit 16a and a control unit 16b. The liquid supply unit 16a supplies various processing solutions (for example, chemical solution, rinse solution, rinse solution, etc.) and cleaning solution to the pair of spin processing units 15a and 15b and the heater processing unit 15c. The control unit 16b includes a microcomputer for intensively controlling each part, and a storage unit (both not shown) for storing substrate processing information and various programs relating to the substrate processing. The control unit 16b controls the opening / closing unit 11, the first conveying robot 12, the second conveying robot 14, the respective substrate processing units 15 and the like based on the substrate processing information and various programs. Each part is controlled.

(기판 처리 유닛)(Substrate processing unit)

다음으로, 전술한 기판 처리 유닛(15), 즉 한 쌍의 스핀 처리 유닛(15a 및 15b), 히터 처리 유닛(15c)에 대하여 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다. 도 2에 있어서는, 기판 처리 유닛(15)의 내부 구조가 보이도록 도시되어 있다. 또, 스핀 처리 유닛(15a 및 15b)은 기본적으로 동일한 구조이기 때문에, 대표로서 스핀 처리 유닛(15a)에 대하여 설명한다.Next, the above-described substrate processing unit 15, that is, the pair of spin processing units 15a and 15b and the heater processing unit 15c will be described with reference to FIG. 2 and FIG. In Fig. 2, the internal structure of the substrate processing unit 15 is shown to be seen. Since the spin processing units 15a and 15b have basically the same structure, the spin processing unit 15a will be described as a representative.

(스핀 처리 유닛)(Spin processing unit)

도 2에 나타내는 바와 같이, 스핀 처리 유닛(15a)은, 처리실(21)과, 스핀 유지 기구(22)와, 컵(23)과, 제1 노즐 헤드(24)와, 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)와, 제2 노즐 헤드(26)와, 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)와, 처리 제어부(28)를 갖는다. 스핀 유지 기구(22), 컵(23), 제1 노즐 헤드(24), 제1 노즐 헤드 이동 기구(25), 제2 노즐 헤드(26), 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)는, 처리실(21) 내에 설치되어 있다.2, the spin processing unit 15a includes a processing chamber 21, a spin holding mechanism 22, a cup 23, a first nozzle head 24, a first nozzle head moving mechanism A second nozzle head 26, a second nozzle head moving mechanism 27, The spin holding mechanism 22, the cup 23, the first nozzle head 24, the first nozzle head moving mechanism 25, the second nozzle head 26 and the second nozzle head moving mechanism 27, (Not shown).

처리실(21)은, 예컨대 직방체 형상으로 형성되고, 기판 셔터(21a)와, 메인터넌스 도어(21b)를 갖는다. 기판 셔터(21a)는, 처리실(21)에 있어서의 제2 로봇 이동로측의 벽면에 개폐 가능하게 형성되어 있다. 메인터넌스 도어(21b)는, 처리실(21)에 있어서의 기판 셔터(21a)와 반대측의 벽면에 개폐 가능하게 형성되어 있다. 또, 처리실(21) 내는, 다운 플로우(수직 층류)에 의해 청정하게 유지되고 있고, 또한, 외부보다 음압으로 유지되고 있다.The treatment chamber 21 is formed, for example, in a rectangular parallelepiped shape, and has a substrate shutter 21a and a maintenance door 21b. The substrate shutter 21a is formed on the wall surface of the second robot moving path side of the processing chamber 21 so as to be openable and closable. The maintenance door 21b is openably and closably formed on a wall surface of the process chamber 21 opposite to the substrate shutter 21a. Further, the inside of the treatment chamber 21 is kept clean by the down flow (vertical laminar flow), and is maintained at a negative pressure than the outside.

스핀 유지 기구(22)는, 기판(W)의 피처리면을 상측으로 향하게 하여 기판(W)을 수평 상태로 유지하고, 기판(W)의 피처리면의 대략 중앙에 수직으로 교차하는 축(기판(W)의 피처리면에 교차하는 축의 일례)을 회전 중심으로 하여 기판(W)을 수평면 내에서 회전시키는 기구이다. 예컨대, 스핀 유지 기구(22)는, 복수의 지지 부재(도시하지 않음)에 의해 기판(W)을 컵(23) 내에서 수평 상태로 유지하고, 회전축이나 모터 등을 갖는 회전 기구(도시하지 않음)에 의해 그 유지 상태의 기판(W)을 회전시킨다.The spin holding mechanism 22 holds the substrate W in a horizontal state with the surface to be processed of the substrate W facing upward so that the axis perpendicular to the center of the substrate W W) in the horizontal plane with the center of rotation as an axis of rotation. For example, the spin holding mechanism 22 holds the substrate W in a horizontal state in the cup 23 by a plurality of supporting members (not shown), and a rotation mechanism (not shown) To rotate the substrate W in the holding state.

컵(23)은, 스핀 유지 기구(22)에 의해 유지된 기판(W)을 주위로부터 둘러싸도록 원통 형상으로 형성되어 있다. 컵(23)의 상부는 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)이 노출되도록 개구되어 있고, 그 상부의 둘레벽은 직경 방향의 내측을 향하여 경사져 있다. 이 컵(23)은, 회전하는 기판(W)으로부터 비산한 처리액이나 흘러내린 처리액(예컨대, 약액이나 린스 약액, 린스액 등)을 수취한다. 또, 컵(23)의 저면에는, 수취한 처리액을 배출하기 위한 배출구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 배출구로부터 배출된 처리액은 회수부(도시하지 않음)에 의해 회수된다.The cup 23 is formed in a cylindrical shape so as to surround the substrate W held by the spin holding mechanism 22 from the surroundings. The upper portion of the cup 23 is opened to expose the substrate W on the spin holding mechanism 22, and the upper peripheral wall thereof is inclined inward in the radial direction. The cup 23 receives a processing liquid scattered from the rotating substrate W and a processing liquid (for example, a chemical liquid, a rinse liquid, a rinse liquid, etc.) flowing down from the rotating substrate W. Further, a discharge port (not shown) for discharging the received treatment liquid is formed on the bottom surface of the cup 23. The treatment liquid discharged from the discharge port is recovered by a recovery unit (not shown).

제1 노즐 헤드(24)는, 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면에 린스 약액(예컨대 APM: 암모니아과산화수소수)을 공급한다. 이 제1 노즐 헤드(24)는, 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면을 따라 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)에 의해 요동 가능하게 형성되어 있다. 또, 제1 노즐 헤드(24)에는, 린스 약액이 액 공급 유닛(16a)으로부터 배관(도시하지 않음)을 통해 공급된다.The first nozzle head 24 supplies a rinsing agent solution (for example, APM: ammonia hydrogen peroxide solution) to the surface of the substrate W on the spin holding mechanism 22. The first nozzle head 24 is formed so as to be swingable by the first nozzle head moving mechanism 25 along the surface to be processed of the substrate W on the spin holding mechanism 22. [ The rinse liquid is supplied from the liquid supply unit 16a to the first nozzle head 24 through a pipe (not shown).

제1 노즐 헤드 이동 기구(25)는, 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면을 따라 제1 노즐 헤드(24)를 요동시키는 기구이다. 이 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)는, 가동 아암(25a)과 회전 기구(25b)를 갖는다. 가동 아암(25a)은, 수평 상태로 선단에 제1 노즐 헤드(24)를 유지한다. 회전 기구(25b)는, 컵(23)의 주위에 설치되어 있고, 가동 아암(25a)의 말단을 지지하고, 그 말단을 회전 중심으로 하여 가동 아암(25a)을 회전시킨다. 가동 아암(25a)의 회전 중심, 즉 제1 노즐 헤드(24)의 요동 중심은, 처리실(21) 내에 있어서, 처리실(21)에 있어서의 인접하는 퇴피실(31)(히터 처리 유닛(15c))측의 벽에 대하여, 스핀 유지 기구(22)를 사이에 두고 반대측의 벽측에 설치된다. 보다 구체적으로는, 제1 노즐 헤드(24)의 요동 중심은, 처리실(21)에 있어서의 인접하는 히터 처리 유닛(15c)측의 벽과는 반대측이며, 또한 메인터넌스 도어(21b)에 가까운 개소에 설치된다. 회전 기구(25b)는, 일례로서, 회전축이나 모터 등에 의해 구성되어 있다. 예컨대, 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)는, 제1 노즐 헤드(24)를 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면의 중앙 부근에 대향시키는 액 공급 위치와, 그 액 공급 위치로부터 퇴피시켜 기판(W)의 반입이나 반출, 기판(W)에 대한 히터 처리를 가능하게 하는 퇴피 위치로 이동시킨다.The first nozzle head moving mechanism 25 is a mechanism for oscillating the first nozzle head 24 along the surface to be processed of the substrate W on the spin holding mechanism 22. [ The first nozzle head moving mechanism 25 has a movable arm 25a and a rotating mechanism 25b. The movable arm 25a holds the first nozzle head 24 at its tip in a horizontal state. The rotating mechanism 25b is provided around the cup 23 to support the distal end of the movable arm 25a and to rotate the movable arm 25a with its distal end serving as a rotational center. The center of rotation of the movable arm 25a, that is, the center of pivoting of the first nozzle head 24 is located in the adjacent evacuation chamber 31 (the heater processing unit 15c) in the processing chamber 21, Side wall with the spin holding mechanism 22 interposed therebetween. More specifically, the pivot center of the first nozzle head 24 is located on the side opposite to the wall on the side of the adjacent heater processing unit 15c in the process chamber 21 and on the side close to the maintenance door 21b Respectively. The rotating mechanism 25b is constituted by, for example, a rotating shaft, a motor, or the like. For example, the first nozzle head moving mechanism 25 has a liquid supply position for opposing the first nozzle head 24 to the vicinity of the center of the surface of the substrate W on the spin holding mechanism 22, And moves to the retreat position where the substrate W can be carried in or out and the heater W can be processed with respect to the substrate W. [

제2 노즐 헤드(26)는, 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면에 린스액(예컨대 순수)을 공급한다. 이 제2 노즐 헤드(26)는, 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면을 따라 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)에 의해 요동 가능하게 형성되어 있다. 또, 제2 노즐 헤드(26)에는, 린스액이 액 공급 유닛(16a)으로부터 배관(도시하지 않음)을 통해 공급된다.The second nozzle head 26 supplies a rinse liquid (e.g., pure water) to the surface of the substrate W on the spin holding mechanism 22. The second nozzle head 26 is formed to be swingable by the second nozzle head moving mechanism 27 along the surface to be processed of the substrate W on the spin holding mechanism 22. [ The rinsing liquid is supplied to the second nozzle head 26 from the liquid supply unit 16a through a pipe (not shown).

제2 노즐 헤드 이동 기구(27)는, 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면을 따라 제2 노즐 헤드(26)를 요동시키는 기구이다. 이 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)는, 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)와 동일하게, 가동 아암(27a)과 회전 기구(27b)를 갖는다. 가동 아암(27a)은, 수평 상태로 선단에 제2 노즐 헤드(26)를 유지한다. 회전 기구(27b)는, 컵(23)의 주위에 설치되어 있고, 가동 아암(27a)의 말단을 지지하고, 그 말단을 회전 중심으로 하여 가동 아암(27a)을 회전시킨다. 가동 아암(27a)의 회전 중심, 즉 제2 노즐 헤드(26)의 요동 중심은, 처리실(21) 내에 있어서, 처리실(21)에 있어서의 인접하는 퇴피실(31)(히터 처리 유닛(15c))측의 벽에 대하여, 스핀 유지 기구(22)를 사이에 두고 반대측의 벽측에 설치된다. 보다 구체적으로는, 제2 노즐 헤드(26)의 요동 중심은, 처리실(21)에 있어서의 인접하는 히터 처리 유닛(15c)측의 벽과는 반대측이며, 또한 기판 셔터(21a)에 가까운 개소에 설치된다. 회전 기구(27b)는, 일례로서, 회전축이나 모터 등에 의해 구성되어 있다. 예컨대, 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)는, 제2 노즐 헤드(26)를 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면의 중앙 부근에 대향시키는 액 공급 위치와, 그 액 공급 위치로부터 퇴피시켜 기판(W)의 반입이나 반출, 기판(W)에 대한 히터 처리를 가능하게 하는 퇴피 위치로 이동시킨다.The second nozzle head moving mechanism 27 is a mechanism for swinging the second nozzle head 26 along the surface to be processed of the substrate W on the spin holding mechanism 22. [ The second nozzle head moving mechanism 27 has a movable arm 27a and a rotating mechanism 27b in the same manner as the first nozzle head moving mechanism 25. The movable arm 27a holds the second nozzle head 26 at the tip in a horizontal state. The rotating mechanism 27b is provided around the cup 23 to support the distal end of the movable arm 27a and rotate the movable arm 27a with its distal end serving as a rotational center. The center of rotation of the movable arm 27a, that is, the center of pivoting of the second nozzle head 26 is located in the adjacent evacuation chamber 31 (the heater processing unit 15c) in the processing chamber 21, Side wall with the spin holding mechanism 22 interposed therebetween. More specifically, the pivot center of the second nozzle head 26 is opposite to the wall on the side of the adjacent heater processing unit 15c in the process chamber 21, and is located at a position close to the substrate shutter 21a Respectively. The rotating mechanism 27b is constituted by, for example, a rotating shaft, a motor, or the like. For example, the second nozzle head moving mechanism 27 is provided with a liquid supply position for opposing the second nozzle head 26 to the vicinity of the center of the surface of the substrate W on the spin holding mechanism 22, And moves to the retreat position where the substrate W can be carried in or out and the heater W can be processed with respect to the substrate W. [

처리 제어부(28)는, 스핀 유지 기구(22)나 제1 노즐 헤드(24), 제1 노즐 헤드 이동 기구(25), 제2 노즐 헤드(26), 제2 노즐 헤드 이동 기구(27) 등에 전기적으로 접속되어 있다. 이 처리 제어부(28)는, 제어 유닛(16b)의 명령에 따라(제어 유닛(16b)의 제어하에), 스핀 유지 기구(22)에 의한 기판(W)의 유지나 회전, 제1 노즐 헤드(24)에 의한 액 공급, 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)에 의한 노즐 헤드 이동, 제2 노즐 헤드(26)에 의한 액 공급, 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)에 의한 노즐 헤드 이동 등을 제어한다.The processing control unit 28 controls the spin holding mechanism 22 and the first nozzle head 24, the first nozzle head moving mechanism 25, the second nozzle head 26, the second nozzle head moving mechanism 27, And are electrically connected. The processing control unit 28 controls the rotation and rotation of the substrate W by the spin holding mechanism 22 and the rotation of the first nozzle head 24 (under control of the control unit 16b) in response to an instruction from the control unit 16b ), The nozzle head movement by the first nozzle head moving mechanism 25, the liquid supply by the second nozzle head 26, the movement of the nozzle head by the second nozzle head moving mechanism 27, and the like do.

(히터 처리 유닛)(Heater processing unit)

히터 처리 유닛(15c)은, 퇴피실(31)과, 히터(32)와, 히터 이동 기구(33)와, 세정부(34)와, 세정 제어부(35)를 갖는다. 히터(32), 히터 이동 기구(33), 세정부(34)는 퇴피실(31) 내에 설치되어 있다.The heater processing unit 15c has a save chamber 31, a heater 32, a heater moving mechanism 33, a cleaning unit 34, and a cleaning control unit 35. [ The heater 32, the heater moving mechanism 33, and the cleaning section 34 are installed in the evacuation chamber 31.

퇴피실(31)은, 예컨대 직방체 형상으로 형성되고, 복수의 히터 셔터(31a)와, 메인터넌스 도어(31b)를 갖는다. 이 퇴피실(31)은, 인접하는 처리실(21)과 벽에 의해 구획되어 있다. 각 히터 셔터(31a)는, 퇴피실(31)에 있어서 대향하는 2개의 벽면, 즉 퇴피실(31)에 있어서의 2개의 처리실(21)측의 벽면에 개별로 개폐 가능하게 형성되어 있다. 예컨대, 히터 셔터(31a)는 상하 방향으로 슬라이드 이동하여 개폐한다. 메인터넌스 도어(31b)는, 퇴피실(31)에 있어서의 제2 로봇 이동로와 반대측의 벽면에 개폐 가능하게 형성되어 있다. 퇴피실(31) 내는, 다운 플로우에 의해 청정하게 유지되고 있다.The save chamber 31 is formed in, for example, a rectangular parallelepiped shape and has a plurality of heater shutters 31a and a maintenance door 31b. This evacuation chamber 31 is partitioned by the adjacent processing chamber 21 and the wall. Each of the heater shutters 31a is formed so as to be individually openable and closable on two opposing walls in the evacuation chamber 31, that is, a wall surface on the side of the two processing chambers 21 in the evacuation chamber 31. [ For example, the heater shutter 31a slides in the vertical direction to open and close. The maintenance door 31b is formed on the wall surface opposite to the second robot moving path in the retreat chamber 31 so as to be openable and closable. The inside of the save chamber 31 is kept clean by the down flow.

히터(32)는, 스핀 유지 기구(22)에 의해 유지된 기판(W) 상의 처리액(예컨대 약액)을 가열하는 것이다. 히터(32)에 있어서의, 기판(W)의 피처리면과의 대향면은, 기판(W)에 있어서의 피처리면의 형상과 상사(相似)형을 갖고, 그 대향면의 크기는, 피처리면을 전부 덮는 크기인 것이 바람직하다. 예컨대 기판이 원형 웨이퍼인 경우, 히터(32)에 있어서의 기판(W)과의 대향면을, 원형 웨이퍼의 직경보다 큰 원형으로 하는 것이 바람직하다. 그리고, 히터(32)에 있어서의 기판(W)과의 대향면은, 수평면이 된다. 이 히터(32)는 노즐(32a)을 갖는다. 이 노즐(32a)은, 히터(32)의 하면의 중앙에 위치하도록 형성되어 있고, 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면에 처리액(예컨대 약액)을 공급한다.The heater 32 heats the processing solution (e.g., chemical solution) on the substrate W held by the spin holding mechanism 22. [ The surface of the heater 32 facing the surface to be treated of the substrate W has a shape similar to that of the surface to be treated of the substrate W and the size of the facing surface As shown in Fig. For example, when the substrate is a circular wafer, it is preferable that the surface of the heater 32 facing the substrate W is a circular shape having a diameter larger than the diameter of the circular wafer. The surface of the heater 32 facing the substrate W is a horizontal surface. The heater 32 has a nozzle 32a. The nozzle 32a is formed so as to be positioned at the center of the lower surface of the heater 32 and supplies the treatment liquid (for example, chemical solution) to the surface of the substrate W on the spin holding mechanism 22.

히터 이동 기구(33)는, 히터(32)를 지지하고, 그 히터(32)를 요동 방향(F1), 상하 방향(승강 방향)(F2) 및 좌우 방향(가로 방향)(F3)으로 이동시키는 기구이다. 이 히터 이동 기구(33)는, 히터 아암(33a)과 아암 이동 기구(33b)를 갖는다. 히터 이동 기구(33)는, 퇴피실(31) 내부 및 한 쌍의 처리실(21) 내부에 걸쳐, 즉 퇴피실(31) 내 및 한 쌍의 처리실(21) 내의 범위에서 히터(32)를 이동시키는 이동 기구(일례로서 요동 기구)로서 기능한다.The heater moving mechanism 33 supports the heater 32 and moves the heater 32 in the swinging direction F1, the vertical direction (lifting direction) F2 and the horizontal direction (horizontal direction) F3 Mechanism. The heater moving mechanism 33 has a heater arm 33a and an arm moving mechanism 33b. The heater moving mechanism 33 moves the heater 32 within the evacuation chamber 31 and within the pair of processing chambers 21, that is, within the evacuation chamber 31 and within the pair of processing chambers 21 (A swing mechanism as an example).

히터 아암(33a)은, 선단측의 하면에 히터(32)를 유지한다. 이 히터 아암(33a)은, 아암 이동 기구(33b)에 의해 수평 상태로 이동 가능하게 형성되어 있다. 또한, 히터 아암(33a)은 액 공급 유로(33a1)를 갖는다. 액 공급 유로(33a1)의 일단은 노즐(32a)에 접속되어 있고, 그 타단은 액 공급 유닛(16a)에 배관(도시하지 않음)을 통해 접속되어 있다. 노즐(32a)에는, 예컨대, 고온의 약액(예컨대 인산액)이 액 공급 유닛(16a)으로부터 액 공급 유로(33a1) 및 배관을 통해 공급된다. 이에 따라, 고온의 약액이 노즐(32a)로부터 토출되고, 기판(W)의 피처리면 상에 공급된다. 기판(W)의 피처리면 상에 공급된 고온의 약액은, 히터(32)에 의한 가열에 의해 고온이 유지된 상태에서 에칭 처리가 행해진다. 히터(32)는, 처리실(21) 내의 기판(W) 상에 처리액을 공급하며, 또한, 그 기판(W) 상의 처리액을 가열하는 처리부로서 기능한다.The heater arm 33a holds the heater 32 on the lower surface of the tip end side. The heater arm 33a is formed to be movable in a horizontal state by the arm moving mechanism 33b. The heater arm 33a has a liquid supply passage 33a1. One end of the liquid supply passage 33a1 is connected to the nozzle 32a and the other end thereof is connected to the liquid supply unit 16a through a pipe (not shown). To the nozzle 32a, for example, a high-temperature chemical liquid (e.g., phosphoric acid solution) is supplied from the liquid supply unit 16a through the liquid supply flow path 33a1 and the piping. Thereby, the high-temperature chemical liquid is discharged from the nozzle 32a and supplied onto the surface of the substrate W to be processed. The high temperature chemical liquid supplied onto the surface of the substrate W is subjected to the etching treatment while the high temperature is maintained by the heating by the heater 32. The heater 32 functions as a processing section for supplying the processing solution onto the substrate W in the processing chamber 21 and for heating the processing solution on the substrate W. [

아암 이동 기구(33b)는, 히터 아암(33a)의 말단을 지지하고, 히터 아암(33a)을 요동 방향(F1), 상하 방향(F2) 및 좌우 방향(F3)으로 이동시키는 기구이다. 이 아암 이동 기구(33b)는, 일례로서, 회전 기구나 상하 이동 기구, 좌우 이동 기구 등이 조합되어 구성되어 있다. 예컨대, 아암 이동 기구(33b)는, 히터 셔터(31a)가 개방된 상태에서 히터 아암(33a)을 요동 방향(F1)으로 이동시키고, 히터(32)를 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면에 대향시키는 대향 위치(히터 처리 위치)와, 그 히터 처리 위치로부터 퇴피시켜 퇴피실(31) 내에 위치시키는 퇴피 위치로 이동시킨다. 또, 히터(32)는, 아암 이동 기구(33b)에 의한 히터 아암(33a)의 요동에 의해, 아암 이동 기구(33b)의 축을 선회축으로 하고, 그 선회축 둘레로 선회하게 된다.The arm moving mechanism 33b is a mechanism for supporting the distal end of the heater arm 33a and moving the heater arm 33a in the swinging direction F1, the vertical direction F2 and the lateral direction F3. The arm moving mechanism 33b is constituted by, for example, a combination of a rotating mechanism, an up-and-down moving mechanism, a left-and-right moving mechanism, and the like. For example, the arm moving mechanism 33b moves the heater arm 33a in the swinging direction F1 while the heater shutter 31a is open and moves the heater 32 to the substrate W (Heater processing position) which is opposed to the surface to be processed of the heater processing position and a retreat position which is retracted from the heater processing position and is located in the retreating chamber 31. The heater 32 is pivoted about the pivot axis with the axis of the arm moving mechanism 33b as the pivot axis by the pivotal movement of the heater arm 33a by the arm moving mechanism 33b.

여기서, 본 실시형태와 같이, 히터 아암(33a)의 선단측에 히터(32)가 유지되고, 히터 아암(33a)의 회전에 의해 히터(32)가 요동하는 타입에 있어서, 도 1, 도 3에 나타내는 바와 같이, 히터(32)의 중앙에 설치한 노즐(32a)과, 히터(32)의 요동 중심(히터 아암(33a)의 회전 중심이며, 아암 이동 기구(33)의 선회축의 중심이기도 함)과의 거리를 r1, 히터(32)의 요동 중심과, 한 쌍의 스핀 처리 유닛(15a, 15b)이 각각 구비하는 스핀 유지 기구(22)의 회전 중심까지의 거리를 각각 r2, r3으로 했을 때, r1 = r2 = r3이 성립하도록 아암 이동 기구(33)를 구성하는 것이 바람직하다.Here, as in the present embodiment, in the type in which the heater 32 is held at the tip end side of the heater arm 33a and the heater 32 is oscillated by the rotation of the heater arm 33a, The nozzle 32a provided at the center of the heater 32 and the center of rotation of the heater 32 (the center of rotation of the heater arm 33a and the center of the pivotal axis of the arm moving mechanism 33) R2 and r3 are the distance between the center of rotation of the heater 32 and the rotation center of the spin holding mechanism 22 provided for each of the pair of spin processing units 15a and 15b , It is preferable to configure the arm moving mechanism 33 such that r1 = r2 = r3.

세정부(34)는, 퇴피 위치에 존재하는 히터(32)의 하측에 설치되어 있다. 세정부(34)는, 퇴피 위치에 존재하는 히터(32)의 하면을 향하여 세정액(예컨대 순수)을 토출하여, 히터(32)의 하면에 부착된 약액 등의 처리액을 세정액에 의해 세정한다. 이 세정부(34)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 액 받이부(34a)와 살포부(34b)를 갖는다.The cleaning section 34 is provided below the heater 32 in the retreat position. The cleaning section 34 discharges a cleaning liquid (for example, pure water) toward the lower surface of the heater 32 existing at the retreat position and cleans the processing liquid such as the chemical liquid attached to the lower surface of the heater 32 with the cleaning liquid. As shown in Fig. 3, the cleaning portion 34 has a liquid receiving portion 34a and a spraying portion 34b.

액 받이부(34a)는, 상부가 개구되는 상자 형상으로 형성되어 있다. 액 받이부(34a)의 개구는, 히터(32)의 하면, 즉 피세정면의 형상과 상사형이고, 피세정면을 전부 덮는 크기를 갖는 것이 바람직하다. 히터(32)의 하면이 원형인 경우, 액 받이부(34a)는, 평면 형상이 원형이고, 그 직경은 히터(32)의 직경보다 크게 된다. 액 받이부(34a)는, 퇴피 위치에 존재하는 히터(32)로부터 낙하한 세정액이나 살포에 의해 비산한 세정액 등을 수취한다. 액 받이부(34a)의 바닥부에는, 액 공급 유로(41)가 형성되어 있다. 이 액 공급 유로(41)는, 액 공급 유닛(16a)에 배관(도시하지 않음)을 통해 접속되어 있다. 또한, 액 받이부(34a)의 저면의 모퉁이에는, 배액구(42)가 형성되어 있다. 이 배액구(42)로부터 배출된 세정액은 회수부(도시하지 않음)에 의해 회수된다.The liquid receiving portion 34a is formed in a box shape in which an upper portion is opened. It is preferable that the opening of the receiving portion 34a is such that the lower surface of the heater 32, that is, the shape of the surface to be imaged and the upper surface thereof, When the lower surface of the heater 32 is circular, the liquid receiving portion 34a has a circular planar shape and its diameter becomes larger than the diameter of the heater 32. [ The liquid receiving portion 34a receives the cleaning liquid dropped from the heater 32 existing in the retreat position or the cleaning liquid scattered by the spraying. A liquid supply passage 41 is formed at the bottom of the liquid receiving portion 34a. The liquid supply passage 41 is connected to the liquid supply unit 16a through a pipe (not shown). A liquid drain port 42 is formed at the corner of the bottom surface of the liquid receiver 34a. The cleaning liquid discharged from the drain port 42 is recovered by a recovery section (not shown).

살포부(34b)는, 배액구(42)를 피하여 액 받이부(34a)의 저면에 설치되어 있다. 이 살포부(34b)에는, 복수의 노즐(43)이 형성되어 있다. 이들 노즐(43)은, 평면 내에 행렬 형상으로 배열되고, 액 공급 유로(41)에 연결되어 있다. 또, 각 노즐(43)이, 원형 형상으로 배치되어 있어도 좋다. 각 노즐(43)에는, 세정액(예컨대 순수)이 액 공급 유닛(16a)으로부터 액 공급 유로(41) 및 배관(도시하지 않음)을 통해 공급된다. 이 살포부(34b)는, 액 공급 유닛(16a)으로부터 공급된 세정액을 각 노즐(43)로부터 상측을 향하여 토출한다. 또, 노즐(43)로부터 세정액이 토출되기 전단계에서, 히터(32)는 히터 이동 기구(33)에 의해 하강하여, 살포부(34b)에 대한 이격 거리(갭)가 소정치가 되는 세정 위치에서 정지되어 있다. 이 때문에, 갭이 소정치보다 큰 경우에 비해, 세정 효율을 향상시킬 수 있다.The spray portion 34b is provided on the bottom surface of the liquid receiver portion 34a avoiding the liquid discharge port 42. [ In the spray portion 34b, a plurality of nozzles 43 are formed. These nozzles 43 are arranged in a matrix in a plane and connected to the liquid supply passage 41. Further, each of the nozzles 43 may be arranged in a circular shape. A cleaning liquid (for example, pure water) is supplied to each of the nozzles 43 from the liquid supply unit 16a through the liquid supply flow path 41 and the piping (not shown). The spray portion 34b discharges the cleaning liquid supplied from the liquid supply unit 16a from the nozzles 43 toward the upper side. The heater 32 is lowered by the heater moving mechanism 33 in the previous stage in which the cleaning liquid is discharged from the nozzle 43 so that the heater 32 is moved from the cleaning position where the gap (gap) It is stopped. Therefore, the cleaning efficiency can be improved as compared with the case where the gap is larger than the predetermined value.

또, 히터 세정 후, 퇴피실(31) 내의 처리 분위기의 배기를 행하기 위해, 퇴피실(31)에는, 인접하는 처리실(21)의 배기계와는 별도의 배기계(모두 도시하지 않음)가 접속되어 있다. 이 배기계에 의해, 히터 세정 후, 히터 세정에 의해 생긴 퇴피실(31) 내의 처리 분위기를 배기할 수 있다.An evacuation system (not shown) separate from the evacuation system of the adjacent processing chamber 21 is connected to the evacuation chamber 31 to evacuate the processing atmosphere in the evacuation chamber 31 after the heater is cleaned have. By this exhaust system, after the heater is cleaned, the processing atmosphere in the evacuation chamber 31 generated by the heater cleaning can be exhausted.

도 2로 되돌아가, 세정 제어부(35)는, 히터(32)나 히터 이동 기구(33), 세정부(34) 등에 전기적으로 접속되어 있다. 이 세정 제어부(35)는, 제어 유닛(16b)의 명령에 따라(제어 유닛(16b)의 제어하에), 히터(32)의 구동이나 히터 온도, 히터 이동 기구(33)에 의한 히터 이동, 세정부(34)에 의한 히터 세정 등을 제어한다.2, the cleaning control unit 35 is electrically connected to the heater 32, the heater moving mechanism 33, the cleaning unit 34, and the like. The cleaning control unit 35 controls the driving of the heater 32 and the heater temperature, the heater movement by the heater moving mechanism 33, the heating operation by the heater moving mechanism 33, And controls the heater cleaning by the heater 34 and the like.

(기판 처리 동작)(Substrate processing operation)

다음으로, 전술한 기판 처리 장치(10)의 기판 처리 동작에 대하여 설명한다. 설명의 관계상, 스핀 처리 유닛(15a)의 처리실(21)을 제1 처리실(21)로 하고, 스핀 처리 유닛(15b)의 처리실(21)을 제2 처리실(21)로 하여 설명한다.Next, the substrate processing operation of the above-described substrate processing apparatus 10 will be described. The processing chamber 21 of the spin processing unit 15a is referred to as the first processing chamber 21 and the processing chamber 21 of the spin processing unit 15b is defined as the second processing chamber 21 in the description of the present invention.

우선, 기판(W)이 개폐 유닛(11) 내의 전용 케이스로부터 제1 반송 로봇(12)에 의해 취출된다. 이 때, 전용 케이스의 도어는 개방되어 있다. 제1 반송 로봇(12)은, 필요에 따라 제1 로봇 이동로를 따라 이동하고, 정지 장소에서 선회하여 기판(W)을 버퍼 유닛(13)에 반입한다. 혹은, 제1 반송 로봇(12)은, 이동하지 않고 선회하여 기판(W)을 버퍼 유닛(13)에 반입한다. 그 후, 버퍼 유닛(13) 내의 기판(W)은, 제2 반송 로봇(14)에 의해 취출된다. 제2 반송 로봇(14)은, 필요에 따라 원하는 스핀 처리 유닛(15a)의 제1 처리실(21) 부근까지, 제2 로봇 이동로를 따라 이동하고, 정지 장소에서 선회하여 기판(W)을 원하는 제1 처리실(21)에 반입한다. 혹은, 제2 반송 로봇(14)은, 이동하지 않고 선회하여 기판(W)을 원하는 제1 처리실(21)에 반입한다. 이 때, 제1 처리실(21)의 기판 셔터(21a)는 개방되어 있다.First, the substrate W is taken out from the special case in the opening / closing unit 11 by the first conveying robot 12. At this time, the door of the special case is opened. The first transport robot 12 moves along the first robot moving path as necessary and turns in a stopping position to bring the substrate W into the buffer unit 13. [ Alternatively, the first transfer robot 12 pivots without moving to bring the substrate W into the buffer unit 13. Thereafter, the substrate W in the buffer unit 13 is taken out by the second carrying robot 14. [ The second conveying robot 14 moves along the second robot moving path up to the vicinity of the first processing chamber 21 of the desired spin processing unit 15a as required and rotates at a stopping position to move the substrate W Into the first processing chamber (21). Alternatively, the second transfer robot 14 pivots without moving, and transfers the substrate W into the desired first processing chamber 21. [ At this time, the substrate shutter 21a of the first processing chamber 21 is opened.

제1 처리실(21)에 반입된 기판(W)은, 스핀 유지 기구(22)에 의해 유지된다. 그 후, 제2 반송 로봇(14)은 제1 처리실(21)로부터 퇴피하고, 기판 셔터(21a)가 폐쇄되고, 퇴피실(31)에 있어서의 제1 처리실(21)측의 히터 셔터(31a)가 개방된다. 퇴피실(31) 내의 히터(32)가 히터 이동 기구(33)에 의해 요동 방향(F1)으로 이동하여, 제1 처리실(21) 내에 히터 아암(33a)과 함께 침입하여 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면에 대향하여 정지한다. 그리고, 히터(32)는, 히터 이동 기구(33)에 의해 하강하여, 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면에 대한 이격 거리가 소정치(예컨대 1 mm 정도)가 되는 위치에서 정지한다. 이 상태에서, 기판(W)이 스핀 유지 기구(22)에 의해 저속(예컨대, 500 rpm 이하)으로 회전하고, 히터(32)의 노즐(32a)로부터 고온의 약액(예컨대 인산액)이, 미리 설정한 시간, 기판(W)의 피처리면에 토출되어, 에칭 처리가 행해진다. 또, 히터(32)는 처리 전에 미리 구동하고 있어, 즉, 에칭 처리가 행해지기 전단계인 퇴피실(31)에 위치되어 있을 때부터 가열 상태가 되어, 히터 온도는 소정 온도(예컨대 100도 이상)로 유지되고 있다.The substrate W carried into the first processing chamber 21 is held by the spin holding mechanism 22. [ The second transfer robot 14 is retracted from the first process chamber 21 and the substrate shutter 21a is closed and the heater shutter 31a on the side of the first process chamber 21 in the save chamber 31 Is opened. The heater 32 in the save chamber 31 moves in the swinging direction F1 by the heater moving mechanism 33 and enters the first processing chamber 21 together with the heater arm 33a to move the spin holding mechanism 22, And stops on the surface of the substrate W on the opposite side. The heater 32 is lowered by the heater moving mechanism 33 so that the heater 32 is moved to a position where the distance between the wafer W on the spin holding mechanism 22 and the surface to be processed is a predetermined value Stop. In this state, the substrate W is rotated at a low speed (for example, 500 rpm or less) by the spin holding mechanism 22 and a high temperature chemical solution (for example, phosphoric acid solution) is supplied from the nozzle 32a of the heater 32 And is discharged onto the surface of the substrate W to be processed for a set period of time, and etching processing is performed. The heater 32 is heated before being processed, that is, when it is located in the evacuation chamber 31 before the etching process, and the heater temperature is maintained at a predetermined temperature (for example, 100 degrees or more) Respectively.

노즐(32a)로부터 토출된 고온의 약액은, 히터(32)의 하면과 기판(W)의 피처리면 사이에 공급되고, 기판(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 기판(W)의 외주를 향하여 퍼져 나간다. 이에 따라, 히터(32)의 하면과 기판(W)의 피처리면 사이가 약액에 의해 채워진 상태가 된다. 이 때, 히터(32)는, 회전 중인 기판(W)의 피처리면 상의 약액에 접촉하여 직접 약액을 가열한다. 또, 히터(32)는, 기판(W)의 피처리면 상의 약액에 접촉하여 직접 약액을 가열하지만, 그뿐만 아니라, 기판(W)의 피처리면을 비접촉으로 가열하여 간접적으로도 약액을 가열하게 된다. 다만, 기판(W)의 피처리면 상의 약액을 가열하는 것이 가능하다면, 직접 가열 및 간접 가열의 양쪽이 아니라, 이들 중 어느 한쪽만을 이용하는 것도 가능하다.The high temperature chemical liquid discharged from the nozzle 32a is supplied between the lower surface of the heater 32 and the surface to be processed of the substrate W and is directed toward the outer periphery of the substrate W by the centrifugal force caused by the rotation of the substrate W It spreads out. As a result, the lower surface of the heater 32 and the surface to be processed of the substrate W are filled with the chemical liquid. At this time, the heater 32 directly contacts the chemical liquid on the surface of the substrate W being rotated, and directly heats the chemical liquid. The heater 32 directly contacts the chemical liquid on the surface to be processed of the substrate W to directly heat the chemical liquid but also indirectly heats the chemical liquid indirectly by heating the surface to be processed of the substrate W . However, if it is possible to heat the chemical liquid on the surface of the substrate W, it is possible to use not only the direct heating but indirect heating, either.

에칭 처리가 종료되면, 히터(32)는 히터 이동 기구(33)에 의해 상승하여, 기판(W)의 피처리면으로부터 상측으로 퇴피한다. 그리고, 히터(32)는 히터 이동 기구(33)에 의해 요동 방향(F1)으로 이동하여, 히터 아암(33a)과 함께 퇴피실(31) 내로 되돌아가 세정부(34)에 대향하여 정지한다. 히터(32)가 세정부(34)의 상측에서 정지하면, 제1 처리실(21)측의 히터 셔터(31a)가 폐쇄된다. 또한, 히터(32)는 히터 이동 기구(33)에 의해 하강하여, 액 받이부(34a) 내의 살포부(34b)에 대한 이격 거리가 소정치가 되는 위치에서 정지한다. 이 상태에서, 살포부(34b)로부터 세정액이 상측을 향하여 미리 설정한 시간, 분사되어, 히터(32)의 하면이 세정액에 의해 세정된다. 히터(32)의 하면으로부터 낙하한 세정액이나 분사에 의해 확산한 세정액은 액 받이부(34a)에 의해 받아지고, 배액구(42)로부터 배출되어 회수부에 의해 회수된다. 히터(32)의 세정이 종료되면, 히터(32)는 히터 이동 기구(33)에 의해 상승하여, 대기 위치에 위치시켜진다. 히터(32)의 히터 온도는 전술한 소정 온도로 유지되고 있다. 이 때문에, 세정 후의 히터(32)는 즉시 건조되기 때문에, 다음 처리에 히터(32)를 신속히 이용할 수 있다.When the etching process is completed, the heater 32 is raised by the heater moving mechanism 33 and is retracted upward from the surface to be processed of the substrate W. The heater 32 moves in the swinging direction F1 by the heater moving mechanism 33 and returns to the retreating chamber 31 together with the heater arm 33a to stop against the cleaner 34. [ When the heater 32 stops at the upper side of the cleaning portion 34, the heater shutter 31a at the side of the first processing chamber 21 is closed. The heater 32 is lowered by the heater moving mechanism 33 and stops at a position where the distance from the spraying portion 34b in the liquid receiving portion 34a is a predetermined value. In this state, the cleaning liquid is sprayed from the spray portion 34b upward for a preset time, and the lower surface of the heater 32 is cleaned by the cleaning liquid. The cleaning liquid dropped from the lower surface of the heater 32 or the cleaning liquid diffused by the jetting is received by the liquid receiver 34a, is discharged from the liquid discharge port 42, and is recovered by the recovery unit. When the cleaning of the heater 32 is completed, the heater 32 is raised by the heater moving mechanism 33 and is positioned at the standby position. The heater temperature of the heater 32 is maintained at the predetermined temperature described above. Therefore, since the heater 32 after being cleaned is dried immediately, the heater 32 can be quickly used for the next treatment.

또, 1장의 기판(W)에 대한 에칭 처리가 종료될 때마다, 반드시 히터(32)의 하면을 세정할 필요는 없다. 예컨대, 미리 설정한 장수의 기판(W)에 대한 에칭 처리가 종료될 때까지는, 히터(32)의 세정을 행하지 않고, 연속하여 에칭 처리를 행하고, 미리 설정한 장수의 기판(W)에 대한 에칭 처리가 종료된 단계에서 히터(32)의 세정을 행하도록 해도 좋다.It is not always necessary to clean the lower surface of the heater 32 every time the etching process for one substrate W is completed. For example, the etching process is continuously performed without cleaning the heater 32 until the etching process for the predetermined number of the substrates W is completed, and the etching process for the predetermined number of the substrates W is performed The heater 32 may be cleaned at the stage where the processing is completed.

한편, 제2 반송 로봇(14)은, 퇴피실(31)에서의 히터(32)의 세정이 종료되기 전까지, 스핀 처리 유닛(15b)의 제2 처리실(21)에 미처리의 기판(W)을 반송한다. 이 반송시에는, 제2 처리실(21)의 기판 셔터(21a)는 개방되어 있고, 기판(W)은 스핀 유지 기구(22)에 의해 유지된다. 제2 반송 로봇(14)은, 반송 완료 후, 제2 처리실(21)로부터 퇴피하고, 기판 셔터(21a)는 폐쇄된다. 전술한 히터(32)의 세정이 완료되면, 퇴피실(31)에 있어서의 제2 처리실(21)측의 히터 셔터(31a)가 개방된다. 퇴피실(31) 내의 히터(32)가 히터 이동 기구(33)에 의해 요동 방향(F1)으로 이동하여, 제2 처리실(21) 내에 히터 아암(33a)과 함께 침입하여 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면에 대향하여 정지한다. 그리고, 히터(32)는, 히터 이동 기구(33)에 의해 하강하여, 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면에 대한 이격 거리가 소정치가 되는 위치에서 정지한다. 이 상태에서, 기판(W)이 스핀 유지 기구(22)에 의해 저속(예컨대, 500 rpm 이하)으로 회전하고, 히터(32)의 노즐(32a)로부터 고온의 약액(예컨대 인산액)이 미리 설정한 시간, 기판(W)의 피처리면에 토출되어, 에칭 처리가 행해진다. 또, 히터(32)의 히터 온도는 전술한 소정 온도로 유지되고 있다.On the other hand, the second carrying robot 14 holds the unprocessed substrate W in the second processing chamber 21 of the spin processing unit 15b until the cleaning of the heater 32 in the save chamber 31 is completed Return. The substrate shutter 21a of the second processing chamber 21 is opened and the substrate W is held by the spin holding mechanism 22. At this time, After the second transfer robot 14 completes the transfer, the second transfer robot 14 is retracted from the second process chamber 21, and the substrate shutter 21a is closed. When the above-described cleaning of the heater 32 is completed, the heater shutter 31a on the side of the second processing chamber 21 in the save chamber 31 is opened. The heater 32 in the retreating chamber 31 moves in the swinging direction F1 by the heater moving mechanism 33 and enters the second processing chamber 21 together with the heater arm 33a to rotate the spin holding mechanism 22, And stops on the surface of the substrate W on the opposite side. The heater 32 is lowered by the heater moving mechanism 33 to stop at a position where the spacing distance of the substrate W on the spin holding mechanism 22 with respect to the surface to be processed is a predetermined value. In this state, the substrate W is rotated at a low speed (for example, 500 rpm or less) by the spin holding mechanism 22 and a high temperature chemical solution (for example, phosphoric acid solution) is supplied from the nozzle 32a of the heater 32 Is discharged onto the surface of the substrate W to be processed for one hour, and the etching process is performed. The heater temperature of the heater 32 is maintained at the above-described predetermined temperature.

제1 처리실(21)에 있어서, 전술한 에칭 처리의 종료 후, 전술한 히터(32)의 퇴피에 맞춰, 기판(W)의 상측의 액 공급 위치에 제1 노즐 헤드(24)가 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)에 의해 이동하고, 제1 노즐 헤드(24)로부터 린스 약액(예컨대 APM)이 미리 설정한 시간, 토출된다(제1 린스 처리). 이 때, 기판(W)의 회전은 유지되고 있다. 또, 이 제1 린스 처리 중, 제1 노즐 헤드(24)가 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)에 의해 요동하도록 해도 좋다.The first nozzle head 24 is moved to the liquid supply position on the upper side of the substrate W in accordance with the retreat of the heater 32 described above in the first treatment chamber 21 after the completion of the above- Is moved by the head moving mechanism 25 and the rinse liquid (for example, APM) is discharged from the first nozzle head 24 for a preset time (first rinsing process). At this time, the rotation of the substrate W is maintained. In addition, during the first rinsing process, the first nozzle head 24 may be rocked by the first nozzle head moving mechanism 25.

제1 처리실(21)에 있어서, 제1 린스 처리가 종료되면, 제1 노즐 헤드(24)가 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)에 의해 기판(W)의 상측으로부터 퇴피하고, 제2 노즐 헤드(26)가 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)에 의해 기판(W)의 상측의 액 공급 위치로 이동한다. 이 상태에서, 제2 노즐 헤드(26)로부터 린스액(예컨대 순수)이 미리 설정한 시간, 토출된다(제2 린스 처리). 이 때, 기판(W)의 회전은 유지되고 있다. 또, 이 제2 린스 처리 중, 제2 노즐 헤드(26)가 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)에 의해 요동하도록 해도 좋다.The first nozzle head 24 is retracted from the upper side of the substrate W by the first nozzle head moving mechanism 25 and the second nozzle head 24 is moved backward by the second nozzle head moving mechanism 25 in the first processing chamber 21, The second nozzle head moving mechanism 27 moves the nozzle 26 to the liquid supply position on the upper side of the substrate W. [ In this state, a rinsing liquid (for example, pure water) is discharged from the second nozzle head 26 for a preset time (second rinsing process). At this time, the rotation of the substrate W is maintained. During the second rinsing process, the second nozzle head 26 may be rocked by the second nozzle head moving mechanism 27.

제1 처리실(21)에 있어서, 제2 린스 처리가 종료되면, 제2 노즐 헤드(26)가 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)에 의해 기판(W)의 상측으로부터 퇴피한다. 그 후, 기판(W)은 스핀 유지 기구(22)에 의해 미리 설정한 시간, 고속 회전하여, 기판(W)으로부터 린스액이 회전의 원심력에 의해 비산하고, 기판(W)이 건조된다. 기판(W)의 건조 처리가 종료되면, 기판(W)의 회전은 정지된다. 제1 처리실(21)의 기판 셔터(21a)가 개방되고, 처리 종료된 기판(W)은 제2 반송 로봇(14)에 의해 취출된다. 제2 반송 로봇(14)은, 필요에 따라 제2 로봇 이동로를 따라 이동하고, 정지 장소에서 선회하여 처리 종료된 기판(W)을 버퍼 유닛(13)에 반입한다. 혹은, 제2 반송 로봇(14)은, 이동하지 않고 선회하여 처리 종료된 기판(W)을 버퍼 유닛(13)에 반입한다. 그 후, 버퍼 유닛(13) 내의 기판(W)은, 제1 반송 로봇(12)에 의해 취출된다. 제1 반송 로봇(12)은, 필요에 따라 제1 로봇 이동로를 따라 이동하고, 정지 장소에서 선회하여 처리 종료된 기판(W)을 원하는 전용 케이스에 반입한다. 혹은, 제1 반송 로봇(12)은, 이동하지 않고 선회만 하여 처리 종료된 기판(W)을 원하는 전용 케이스에 반입한다. 이 때, 전용 케이스의 도어는 개방되어 있다.The second nozzle head 26 is retracted from the upper side of the substrate W by the second nozzle head moving mechanism 27 when the second rinsing process is completed in the first processing chamber 21. [ Thereafter, the substrate W is rotated at a high speed for a predetermined period of time by the spin holding mechanism 22, the rinse liquid is scattered from the substrate W by the centrifugal force of rotation, and the substrate W is dried. When the drying process of the substrate W is completed, the rotation of the substrate W is stopped. The substrate shutter 21a of the first processing chamber 21 is opened and the processed substrate W is taken out by the second transfer robot 14. [ The second conveying robot 14 moves along the second robot moving path as necessary and carries the substrate W which has been processed by turning at the stopping position into the buffer unit 13. Alternatively, the second carrying robot 14 carries the substrate W, which has been swiveled without movement, into the buffer unit 13. Thereafter, the substrate W in the buffer unit 13 is taken out by the first transfer robot 12. The first carrying robot 12 moves along the first robot moving path as required, and brings the substrate W, which has been processed by turning at the stopping position, into a desired special case. Alternatively, the first carrying robot 12 carries the substrate W, which has been processed by turning only without moving, into a desired special case. At this time, the door of the special case is opened.

또, 제2 처리실(21)에 있어서도, 에칭 처리(예컨대 인산 처리)가 종료되면, 제1 처리실(21)과 동일하게 제1 린스 처리(예컨대 APM 처리)가 행해진다. 이 제1 린스 처리가 종료되면, 제1 처리실(21)과 동일하게 제2 린스 처리(예컨대 순수 처리)가 행해진다. 제2 린스 처리가 종료되면, 제1 처리실(21)과 동일하게 건조 처리 및 기판 반송 처리가 행해진다. 또, 상기한 실시형태에 있어서는, 필요에 따라, 인산액에 의한 기판(W)의 에칭 전에, 불산액을 이용하여 기판(W)을 세정하거나, 인산액을 이용한 처리와, APM을 이용한 처리 사이에, 예컨대 순수를 이용한 세정 처리를 행하도록 해도 좋다.Also, in the second process chamber 21, when the etching process (for example, phosphoric acid process) is completed, the first rinse process (for example, the APM process) is performed in the same manner as the first process chamber 21. When the first rinsing process is completed, a second rinsing process (for example, pure water process) is performed in the same manner as the first process chamber 21. When the second rinsing process is completed, the drying process and the substrate transport process are performed in the same manner as in the first process chamber 21. In the above embodiment, the substrate W may be cleaned by using a fluoric acid solution before the etching of the substrate W with the phosphoric acid solution, or may be cleaned between the treatment using the phosphoric acid solution and the treatment using the APM For example, a cleaning process using pure water may be performed.

이러한 기판 처리 동작에서는, 히터(32)는 제1 처리실(21) 및 제2 처리실(21)에 교대로 이동하기 때문에, 히터(32)를 이용하는 에칭 처리(약액 처리)는 제1 처리실(21) 및 제2 처리실(21)에서 교대로 행해지게 된다. 예컨대, 제1 처리실(21)에 있어서, 히터(32)를 이용하는 에칭 처리가 행해질 때, 제2 처리실(21)에서는, 제1 노즐 헤드(24)에 의한 제1 린스 처리, 제2 노즐 헤드(26)에 의한 제2 린스 처리, 기판(W)의 스핀 건조 처리 등이 행해진다. 반대로, 제1 처리실(21)에 있어서, 제1 노즐 헤드(24)에 의한 제1 린스 처리, 제2 노즐 헤드(26)에 의한 제2 린스 처리, 기판(W)의 스핀 건조 처리 등이 행해질 때, 제2 처리실(21)에서는, 히터(32)를 이용하는 에칭 처리가 행해진다.The etching process (chemical processing) using the heater 32 is carried out in the first processing chamber 21 and the second processing chamber 21 in the substrate processing operation as the heater 32 alternately moves to the first processing chamber 21 and the second processing chamber 21. [ And the second processing chamber 21, as shown in Fig. For example, when the etching process using the heater 32 is performed in the first processing chamber 21, the first rinsing process by the first nozzle head 24 and the second rinsing process by the second nozzle head 26, a spin rinse process of the substrate W, and the like are performed. Conversely, in the first treatment chamber 21, the first rinsing treatment by the first nozzle head 24, the second rinsing treatment by the second nozzle head 26, the spin drying treatment of the substrate W, and the like are performed The etching process using the heater 32 is performed in the second process chamber 21. [

이와 같이, 어느쪽의 처리실(21)에서도, 기판(W)을 이동시키지 않고 약액 처리부터 건조 처리까지의 처리를 연속하여 행하는 것이 가능하다. 이에 따라, 상이한 처리액을 이용하는 복수의 처리를 2개의 처리실에서 순차 행하는 경우에 비해, 2개의 처리실 사이에서의 기판 반송을 불필요로 하여, 기판 반송 시간을 생략할 수 있다. 또한, 2개의 처리실에서 상이한 처리를 연속하여 행하는 경우에는, 액 물듦(예컨대 워터마크)의 방지를 위해, 기판(W)은 젖은 상태에서 반송될 필요가 있고, 고속 반송을 행하는 것이 불가능하다. 이 때문에, 반송 로봇에 의한 기판(W)의 이재(移載) 횟수가 많을 뿐만 아니라, 저속 반송을 행하기 때문에, 기판 반송 시간은 길어진다. 전술한 기판 처리 동작에서는, 그 기판 반송 시간을 생략하는 것이 가능해지기 때문에, 기판 처리 효율을 대폭 향상시킬 수 있다. 또한, 히터(32)는 한 쌍의 처리실(21)에 공통의 처리 유닛으로서 기능한다. 이에 따라, 처리실(21)마다 히터(32) 및 히터 이동 기구(33)를 설치하는 경우에 비해, 장치 구성의 간략화 및 저비용화를 실현할 수 있다.As described above, in any of the process chambers 21, it is possible to continuously carry out the processes from the chemical liquid process to the dry process without moving the substrate W. This makes it unnecessary to transport the substrate between the two processing chambers, and the substrate transfer time can be omitted, as compared with a case where a plurality of processes using different process liquids are sequentially performed in two process chambers. Further, in the case where different treatments are continuously performed in the two treatment chambers, in order to prevent liquid buildup (e.g., watermark), the substrate W needs to be transported in a wet state, and it is impossible to carry out high-speed transport. For this reason, not only is the number of transfers of the substrate W by the transport robot large, but also because the low-speed transport is performed, the substrate transport time becomes long. In the above-described substrate processing operation, since the substrate transfer time can be omitted, the substrate processing efficiency can be greatly improved. Further, the heater 32 functions as a common processing unit for the pair of processing chambers 21. This makes it possible to realize the simplification of the apparatus configuration and the cost reduction as compared with the case where the heater 32 and the heater moving mechanism 33 are provided for each treatment chamber 21. [

(기판 처리 공정)(Substrate processing step)

다음으로, 전술한 기판 처리 장치(10)가 행하는 기판 처리 공정에 대하여 설명한다. 또, 전술한 기판 처리 장치(10)의 기판 처리 공정을 설명하기 전에, 비교예로서의 기판 처리 장치(100)에 대하여 도 4를 참조하여 설명하고, 그 후, 비교예의 기판 처리 장치(100)와 전술한 기판 처리 장치(10)의 기판 처리 공정에 대하여 도 5를 참조하여 설명한다.Next, the substrate processing step performed by the above-described substrate processing apparatus 10 will be described. Before describing the substrate processing step of the substrate processing apparatus 10 described above, the substrate processing apparatus 100 as a comparative example will be described with reference to Fig. 4. Then, the substrate processing apparatus 100 of the comparative example and the tact A substrate processing process of one substrate processing apparatus 10 will be described with reference to FIG.

(비교예의 기본 구성)(Basic Configuration of Comparative Example)

도 4에 나타내는 바와 같이, 비교예의 기판 처리 장치(100)는, 전술한 기판 처리 장치(10)에 관련된 복수의 기판 처리 유닛(15) 대신에, 복수의 인산 처리실(101)과, 복수의 APM 처리실(102)을 구비하고 있다. 또, 여기서는, 전술한 기판 처리 장치(10)와의 상이점(각 인산 처리실(101) 및 각 APM 처리실(102))에 대하여 설명하고, 그 밖의 설명은 생략한다.4, the substrate processing apparatus 100 of the comparative example is provided with a plurality of phosphoric acid processing chambers 101, a plurality of APMs 101, And a processing chamber 102. Here, the difference from the above-described substrate processing apparatus 10 (each phosphoric acid treatment chamber 101 and each APM treatment chamber 102) will be described, and a description thereof will be omitted.

각 인산 처리실(101)은, 인산을 이용하는 처리실이고, 제2 로봇 이동로를 따라 일렬로 배열되어 있다. 이들 인산 처리실(101)은, 기판 셔터(101a)와, 스핀 유지 기구(101b)와, 컵(101c)과, 히터(101d)와, 히터 아암(101e)과, 아암 승강 기구(101f)를 갖는다. 또, 히터(101d)는, 기판의 반입이나 반출시, 히터 아암(101e)과 함께 아암 승강 기구(101f)에 의해, 예컨대, 스핀 유지 기구(101b)의 상측의 퇴피 위치로 이동하여 퇴피한다.Each phosphoric acid treatment chamber 101 is a treatment chamber using phosphoric acid and is arranged in a line along the second robot moving path. These phosphoric acid treatment chambers 101 have a substrate shutter 101a, a spin holding mechanism 101b, a cup 101c, a heater 101d, a heater arm 101e and an arm lifting mechanism 101f . The heater 101d moves along with the heater arm 101e to the retracted position on the upper side of the spin holding mechanism 101b by the arm lifting mechanism 101f and retracts when the substrate is carried in or out.

또, 기본적으로, 기판 셔터(101a)는 전술한 기판 셔터(21a)와 동일하고, 스핀 유지 기구(101b)도 전술한 스핀 유지 기구(22)와 동일하며, 컵(101c)도 전술한 컵(23)과 동일하다. 또한, 히터(101d)도 전술한 히터(32)와 동일하고, 히터 아암(101e)도 전술한 히터 아암(33a)과 동일하다.Basically, the substrate shutter 101a is the same as the above-described substrate shutter 21a, the spin holding mechanism 101b is the same as the above-described spin holding mechanism 22, and the cup 101c is the same as the above- 23). The heater 101d is also the same as the heater 32 described above and the heater arm 101e is the same as the heater arm 33a described above.

각 APM 처리실(102)은, APM을 이용하는 처리실이고, 일렬로 늘어서는 각 인산 처리실(101)에 대하여 제2 로봇 이동로를 사이에 두고 대향하도록 위치시켜지고, 제2 로봇 이동로를 따라 일렬로 설치되어 있다. 이들 APM 처리실(102)은, 기판 셔터(102a)와, 스핀 유지 기구(102b)와, 컵(102c)과, 제1 노즐 헤드(102d)와, 제1 노즐 헤드 이동 기구(102e)와, 제2 노즐 헤드(102f)와, 제2 노즐 헤드 이동 기구(102g)를 갖는다.Each of the APM processing chambers 102 is a processing chamber using APM and is positioned so as to oppose each of the phosphoric acid processing chambers 101 arranged in a row across the second robot moving path, Is installed. The APM processing chamber 102 includes a substrate shutter 102a, a spin holding mechanism 102b, a cup 102c, a first nozzle head 102d, a first nozzle head moving mechanism 102e, 2 nozzle head 102f, and a second nozzle head moving mechanism 102g.

또, 기본적으로, 기판 셔터(102a)는 전술한 기판 셔터(21a)와 동일하고, 스핀 유지 기구(102b)도 전술한 스핀 유지 기구(22)와 동일하며, 컵(102c)도 전술한 컵(23)과 동일하다. 또한, 제1 노즐 헤드(102d)도 전술한 제1 노즐 헤드(24)와 동일하고, 제1 노즐 헤드 이동 기구(102e)도 전술한 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)와 동일하며, 제2 노즐 헤드(102f)도 전술한 제2 노즐 헤드(26)와 동일하고, 제2 노즐 헤드 이동 기구(102g)도 전술한 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)와 동일하다.Basically, the substrate shutter 102a is the same as the above-described substrate shutter 21a, the spin holding mechanism 102b is the same as the above-described spin holding mechanism 22, and the cup 102c is also the cup 23). The first nozzle head 102d is also identical to the first nozzle head 24 described above and the first nozzle head moving mechanism 102e is the same as the first nozzle head moving mechanism 25 described above, The nozzle head 102f is also the same as the second nozzle head 26 described above and the second nozzle head moving mechanism 102g is the same as the second nozzle head moving mechanism 27 described above.

여기서, 히터(101d)를 갖는 인산 처리실(101)과, APM 처리실(102)은, 처리액의 종류에 의해 나눠져 있고, 상이한 처리를 연속하여 행하는 2개의 처리실이다. 기판 반송 효율을 향상시키기 위해서는, 인산 처리실(101)로부터 APM 처리실(102)로의 기판 반송을, 제2 반송 로봇(14)을 수평 방향으로는 이동시키지 않고 제2 반송 로봇(14)의 선회 동작만으로 행하는 것이 유효하다. 이 때문에, 제2 로봇 이동로를 통해 마주보는 인산 처리실(101) 및 APM 처리실(102) 사이에서 기판 반송이 행해진다. 버퍼 유닛(13) 내의 미처리의 기판(W)은, 제2 반송 로봇(14)에 의해, 버퍼 유닛(13)→인산 처리실(101)→APM 처리실(102)→버퍼 유닛(13)이라는 순서로 반송된다. 이 때, 인산 처리실(101) 및 APM 처리실(102) 사이의 기판 반송은 필수가 되기 때문에, 기판 반송에 의해 처리가 중단되고, 기판 처리 효율이 저하된다.Here, the phosphoric acid treatment chamber 101 having the heater 101d and the APM treatment chamber 102 are divided into two types depending on the type of the treatment liquid, and are two treatment chambers for performing different treatments successively. The substrate transport from the phosphoric acid treatment chamber 101 to the APM processing chamber 102 is performed only by the swing operation of the second transport robot 14 without moving the second transport robot 14 in the horizontal direction It is effective to do. Therefore, substrate transfer is performed between the phosphoric acid treatment chamber 101 and the APM treatment chamber 102 facing each other through the second robot moving path. The unprocessed substrate W in the buffer unit 13 is transferred by the second transfer robot 14 in the order of the buffer unit 13 → the phosphoric acid processing chamber 101 → the APM processing chamber 102 → the buffer unit 13 Lt; / RTI > At this time, substrate transfer between the phosphoric acid treatment chamber 101 and the APM treatment chamber 102 is indispensable, so that the treatment is interrupted by the substrate transfer and the substrate treatment efficiency is lowered.

(기판 처리 공정의 비교)(Comparison of substrate processing steps)

도 5에서는, 경과 시간이 횡축이 되고, 도 5 중의 상부 도면에는, 비교예의 기판 처리 장치(100)의 기판 처리 공정(처리 순서 및 처리 시간)이 도시되어 있고, 도 5 중의 하부 도면에는, 전술한 기판 처리 장치(10)의 기판 처리 공정(처리 순서 및 처리 시간)이 도시되어 있다. 또, 도 5 중의 상부 도면 및 하부 도면을 비교함으로써, 비교예의 기판 처리 장치(100)와 전술한 기판 처리 장치(10)의 양자의 처리 능력을 비교하는 것이 가능하다. 설명의 편의상, 전술한 기판 처리 장치(10)의 처리실(21)을 인산＋APM 처리실(21)로 한다.5, the elapsed time is plotted on the abscissa, and the upper part of Fig. 5 shows the substrate processing step (processing procedure and processing time) of the substrate processing apparatus 100 of the comparative example. In the lower drawing of Fig. 5, A substrate processing process (processing sequence and processing time) of one substrate processing apparatus 10 is shown. It is also possible to compare the processing capability of both the substrate processing apparatus 100 of the comparative example and the substrate processing apparatus 10 described above by comparing the upper and lower drawings in Fig. For convenience of explanation, the processing chamber 21 of the above-described substrate processing apparatus 10 is referred to as a phosphoric acid + APM processing chamber 21.

도 5에 나타내는 바와 같이, 비교예에 있어서, 인산 처리실(101)에서는, 전처리 공정(A1), 인산액 공급 공정(A2), 기판 및 히터 세정 공정(A3), 기판 교환 공정(A4)의 일련의 처리 공정이 반복해서 행해진다. 또한, APM 처리실(102)에서는, 기판 교환 후, 린스액 공급 공정(B1), APM 공급 공정(B2), 린스액 공급 공정(B3), 스핀 건조 공정(B4), 기판 교환 공정(B5)의 일련의 처리 공정이 반복해서 행해진다. 여기서, 전처리 공정(A1), 인산액 공급 공정(A2), 기판 및 히터 세정 공정(A3)의 처리 공정이 인산 처리이다. 또한, 린스액 공급 공정(B1), APM 공급 공정(B2), 린스액 공급 공정(B3), 스핀 건조 공정(B4)의 처리 공정이 APM 처리이다. 이와 같이 비교예에서는, 인산 처리실(101)로부터 APM 처리실(102)로 기판(W)(예컨대 반도체 웨이퍼)이 반송되고, 인산 처리와 APM 처리의 2가지의 처리가 상이한 처리실에서 연속하여 행해진다.5, in the phosphoric acid treatment chamber 101, a series of the pretreatment step (A1), the phosphoric acid solution supply step (A2), the substrate and heater cleaning step (A3), and the substrate exchange step (A4) Is repeatedly performed. In the APM processing chamber 102, after the substrate exchange, the rinse solution supplying step B1, the APM supplying step B2, the rinsing solution supplying step B3, the spin drying step B4 and the substrate exchanging step B5 A series of processing steps are repeatedly performed. Here, phosphoric acid treatment is performed in the pretreatment step (A1), phosphoric acid solution supply step (A2), substrate and heater cleaning step (A3). The processing steps of the rinsing liquid supplying step (B1), the APM supplying step (B2), the rinsing liquid supplying step (B3), and the spin drying step (B4) are APM processing. As described above, in the comparative example, the substrate W (for example, semiconductor wafer) is transferred from the phosphoric acid treatment chamber 101 to the APM treatment chamber 102, and the two treatments of phosphoric acid treatment and APM treatment are successively performed in different treatment chambers.

인산 처리실(101)에서는, 처리 전에 히터(101d)가 미리 구동하고 있어, 즉, 에칭 처리가 행해지기 전단계일 때부터 가열 상태가 되어, 히터 온도는 소정 온도로 되어 있다. 우선, 전처리 공정(A1)에 있어서, 기판(W)의 피처리면 상에 불산액이 히터(101d)의 노즐 또는 도시하지 않은 처리액 노즐로부터 공급되어, 기판(W)이 불산액에 의해 세정된다. 또한, 인산액 공급 공정(A2)에 있어서는, 기판(W)의 피처리면 상에 고온의 인산액이 히터(101d)의 노즐로부터 공급되어, 기판(W)이 고온의 인산액에 의해 처리된다. 기판 및 히터 세정 공정(A3)에 있어서는, 인산 처리 종료 후, 처리에 사용한 히터(101d)가 기판(W)과 함께 세정되고, 다음 기판(W)의 반입을 대기하게 된다. 이 세정에서는, 인산액 대신에 린스액(예컨대 순수)이 히터(101d)의 노즐로부터 히터(101d)와 기판(W) 사이에 공급되어, 히터(101d) 및 기판(W)이 세정된다. 기판 교환 공정(A4)에 있어서는, 인산액을 이용한 처리가 종료된 기판(W)이 인산 미처리의 기판(W)과 교환되고, 처리 종료된 기판(W)은, 다음 공정의 APM 처리실(102)로 반송된다. 이 반송시, 기판(W)은 젖은 상태에서 반송된다. 즉, 기판(W)은, 반송 준비로서, 반송 중에도 피처리면이 젖은 상태가 유지되도록 린스액이 액 마운팅된 상태가 된다.In the phosphoric acid treatment chamber 101, the heater 101d is driven in advance before the treatment, that is, before the etching treatment is performed, the wafer is in a heated state, and the heater temperature is a predetermined temperature. First, in the pretreatment step (A1), the hydrofluoric acid liquid is supplied from a nozzle of the heater 101d or a treatment liquid nozzle (not shown) onto the surface of the substrate W to be treated, and the substrate W is cleaned by the fluoric acid solution . In the phosphoric acid solution supplying step A2, a high-temperature phosphoric acid solution is supplied from the nozzle of the heater 101d on the surface of the substrate W to be processed, and the substrate W is treated by the high-temperature phosphoric acid solution. In the substrate and heater cleaning process (A3), after the completion of the phosphoric acid treatment, the heater 101d used in the process is cleaned together with the substrate W, and waiting for the next substrate W to be carried. In this cleaning, a rinsing liquid (for example, pure water) is supplied between the heater 101d and the substrate W from the nozzle of the heater 101d instead of the phosphoric acid solution, and the heater 101d and the substrate W are cleaned. In the substrate exchange step A4, the substrate W having been treated with the phosphoric acid solution is exchanged with the phosphorus-untreated substrate W, and the substrate W having been subjected to the treatment is transferred to the APM processing chamber 102 in the next step. . During this transportation, the substrate W is transported in a wet state. That is, the substrate W is in a state in which the rinsing liquid is liquid-mounted so that the surface to be treated is kept wet even during transportation as a preparation for transportation.

APM 처리실(102)에서는, 린스액 공급 공정(B1)에 있어서, APM 공급 공정(B2)의 전에 기판(W)의 피처리면 상에 린스액(예컨대 순수)이 제2 노즐 헤드(102f)로부터 공급된다. 이것은, 인산 처리실(101)로부터 APM 처리실(102)로 기판(W)을 반송하는 도중에, 기판(W) 상의 린스액에 부착된 파티클이나 기판(W)에 부착된 파티클을 APM 처리 전에 제거하기 위해서이다. APM 공급 공정(B2)에 있어서는, 기판(W)의 피처리면 상에 APM이 제1 노즐 헤드(102d)로부터 공급되어, 기판(W)이 APM에 의해 처리된다. 린스액 공급 공정(B3)에 있어서는, APM 처리 종료된 기판(W)의 피처리면 상에 린스액(예컨대 순수)이 제2 노즐 헤드(102f)로부터 공급되어, APM 처리 종료된 기판(W)이 린스액에 의해 세정된다. 스핀 건조 공정(B4)에 있어서는, 세정 종료된 기판(W)이 스핀 건조에 의해 건조된다. 기판 교환 공정(B5)에 있어서는, 건조 종료된 기판(W)이 APM 미처리의 기판(W)과 교환되어, 버퍼 유닛(13)에 반송된다.In the APM processing chamber 102, a rinsing liquid (e.g., pure water) is supplied from the second nozzle head 102f onto the surface of the substrate W to be processed before the APM supplying step B2 in the rinsing liquid supplying step B1 do. This is because the particles attached to the rinsing liquid on the substrate W or the particles attached to the substrate W are removed before the APM treatment during the transportation of the substrate W from the phosphoric acid treatment chamber 101 to the APM treatment chamber 102 to be. In the APM supplying step (B2), the APM is supplied from the first nozzle head 102d on the surface of the substrate W to be processed, and the substrate W is processed by the APM. In the rinsing liquid supplying step B3, a rinsing liquid (for example, pure water) is supplied from the second nozzle head 102f onto the surface of the substrate W on which the APM processing has been completed, And rinsed with a rinsing liquid. In the spin drying step (B4), the cleaned substrate W is dried by spin drying. In the substrate exchange step (B5), the dried substrate W is exchanged with the APM untreated substrate W and transported to the buffer unit 13.

한편, 인산＋APM 처리실(21)에서는, 전처리 공정(A1), 인산액 공급 공정(A2), 기판 세정 공정(C1), APM 공급 공정(B2), 린스액 공급 공정(B3), 스핀 건조 공정(B4), 기판 교환 공정(B5)이 행해진다. 퇴피실(31)에서는, 히터 세정 공정(C2)이 행해진다. 또, 전처리 공정(A1), 인산액 공급 공정(A2), APM 공급 공정(B2), 린스액 공급 공정(B3), 기판 교환 공정(B5)은 비교예와 동일한 처리이다.On the other hand, in the phosphoric acid + APM treatment chamber 21, the phosphoric acid solution supplying step A2, the substrate cleaning step C1, the APM supplying step B2, the rinse solution supplying step B3, B4) and a substrate exchange step (B5) are performed. In the evacuation chamber 31, the heater cleaning step (C2) is performed. The pretreatment step (A1), the phosphoric acid solution supplying step (A2), the APM supplying step (B2), the rinse solution supplying step (B3) and the substrate exchanging step (B5) are the same as those in the comparative example.

인산＋APM 처리실(21)에서는, 전처리 공정(A1) 및 인산액 공급 공정(A2)의 종료 후, 기판 세정 공정(C1)에 있어서, 린스액(예컨대 순수)이 제2 노즐 헤드(26)로부터 기판(W)의 피처리면 상에 공급되어, 기판(W)의 피처리면이 세정된다. 기판 세정 공정(C1)의 종료 후, APM 공급 공정(B2)에 있어서, 전술과 동일하게, 기판(W)의 피처리면 상에 APM이 제1 노즐 헤드(24)로부터 공급되어, 기판(W)이 APM에 의해 처리된다. 린스액 공급 공정(B3)에 있어서는, APM 처리 종료된 기판(W)의 피처리면 상에 린스액(예컨대 순수)이 제2 노즐 헤드(26)로부터 공급되어, APM 처리 종료된 기판(W)이 린스액에 의해 세정된다. 그 후, 스핀 건조 공정(B4) 및 기판 교환 공정(B5)이 행해진다.In the phosphoric acid + APM treatment chamber 21, a rinsing liquid (for example, pure water) is supplied from the second nozzle head 26 to the substrate 2 in the substrate cleaning step C1 after the end of the pretreatment step (A1) (W), and the surface to be treated of the substrate W is cleaned. APM is supplied from the first nozzle head 24 on the surface of the substrate W to be processed on the substrate W in the APM supplying step B2 after the end of the substrate cleaning step C1, Is processed by this APM. In the rinsing liquid supplying step B3, a rinse liquid (for example, pure water) is supplied from the second nozzle head 26 onto the surface to be processed of the substrate W subjected to the APM processing, And rinsed with a rinsing liquid. Thereafter, the spin drying step (B4) and the substrate exchange step (B5) are performed.

퇴피실(31)에서는, 인산액 공급 공정(A2)의 종료 후, 히터 세정 공정(C2)에 있어서, 히터(32)가 세정부(34)에 의해 세정된다. 이 히터(32)는, 퇴피실(31)을 사이에 두는 2개의 처리실(21) 사이를 이동하지만, 2개의 처리실(21) 중 어느곳에 있어서도, 히터(32)가 인산액 공급 공정(A2)의 가열 처리에 이용되지 않는 동안에, 퇴피실(31) 내의 퇴피 위치(중간 위치)에서 세정부(34)에 의해 세정된다. 이 케이스로는, 2개의 처리실(21)에 있어서, APM 처리가 행해지고 있는 때를 생각할 수 있다.The heater 32 is cleaned by the cleaning part 34 in the heater cleaning step C2 after the phosphate solution supplying step A2 is completed. The heater 32 moves between the two treatment chambers 21 sandwiching the evacuation chamber 31. The heater 32 is moved in the phosphoric acid solution supply step A2 in any of the two treatment chambers 21, (Middle position) in the evacuation chamber 31 while the cleaning section 34 is not used for the heating process of the cleaning chamber 31. [ In this case, it can be considered that the APM process is being performed in the two process chambers 21.

이와 같이 전술한 기판 처리 장치(10)에서는, 인산 처리와 APM 처리의 2가지의 처리가 동일한 인산＋APM 처리실(21)에서 실시 가능하게 되어 있다. 즉, 비교예와 같이 2개의 처리실(인산 처리실(101) 및 APM 처리실(102))로 나누는 원인이 되고 있는 2가지의 처리(인산 처리 및 APM 처리)를 동일한 인산＋APM 처리실(21)에서 연속하여 행하는 것이 가능하다. 이에 따라, 2개의 처리실 사이에서의 기판 반송이 불필요해지기 때문에, 기판 반송 시간을 생략하고, 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, in the above-described substrate processing apparatus 10, two treatments of phosphoric acid treatment and APM treatment can be performed in the same phosphoric acid + APM treatment chamber 21. Namely, two treatments (phosphoric acid treatment and APM treatment) that cause separation into two treatment chambers (phosphoric acid treatment chamber 101 and APM treatment chamber 102) are performed in the same phosphoric acid + APM treatment chamber 21 continuously It is possible to do. This eliminates the need to transport the substrate between the two process chambers, thereby omitting the substrate transfer time and improving the substrate processing efficiency.

또한, 비교예와 같이, 2개의 처리실 사이에서 기판(W)을 반송하는 경우에는, 기판(W)의 반송 중에, 피처리면이 노출되면, 노출된 부분에 파티클이 부착되어 제품 불량이 생긴다. 이 때문에, 기판(W)의 피처리면에 세정액을 액 마운팅한 상태에서 반송하게 되는데, 액 마운팅한 세정액이, 예컨대 반송 로봇 등의 진동으로 기판(W)의 피처리면으로부터 흘러내려, 액 마운팅 상태를 유지할 수 없게 되는 경우도 있다. 그런데, 본 실시형태와 같이, 처리실 사이에서의 반송이 불필요해지면, 액 마운팅을 할 필요가 없기 때문에, 기판 처리의 도중(반송 중)에 제품 불량을 일으키는 것을 방지할 수 있다.In the case of transporting the substrate W between the two treatment chambers as in the comparative example, when the surface to be treated is exposed during transportation of the substrate W, particles are adhered to the exposed portion, resulting in product defects. For this reason, the cleaning liquid is carried on the surface of the substrate W to which the cleaning liquid has been mounted. The cleaning liquid which has been mounted on the substrate W flows down from the surface of the substrate W to be subjected to vibration by a carrier robot, In some cases, it can not be maintained. However, as in the present embodiment, when conveyance between the processing chambers becomes unnecessary, it is not necessary to mount the liquid, and therefore it is possible to prevent a product failure from occurring during the course of substrate processing (during conveyance).

또한, 비교예에서는, 기판 및 히터 세정 공정(A3)의 종료 후, 기판 교환 공정(A4) 및 린스액 공급 공정(B1)을 행하고 나서, APM 공급 공정(B2)을 개시한다. 한편, 인산＋APM 처리실(21)에서는, 기판 세정 공정(C1)의 종료 후, 즉시 APM 공급 공정(B2)을 개시하는 것이 가능하여, 비교예에 비해 대폭 처리 시간을 단축할 수 있다. 또한, 비교예의 기판 처리 장치(100)에는, 인산 처리실(101) 및 APM 처리실(102)의 1조가 4개 존재하고 있지만, 전술한 기판 처리 장치(10)에는, 인산＋APM 처리실(21)이 8개 존재하고 있다. 이와 같이 일련의 처리를 행하는 처리실(21)을 증가시키는 것이 가능해져, 기판 처리 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.In the comparative example, after the substrate and heater cleaning step (A3) are completed, the substrate exchange step (A4) and the rinsing liquid supply step (B1) are performed, and then the APM supply step (B2) is started. On the other hand, in the phosphoric acid + APM processing chamber 21, it is possible to immediately start the APM supplying step (B2) after the completion of the substrate cleaning step (C1), and the processing time can be greatly shortened as compared with the comparative example. Although the substrate processing apparatus 100 of the comparative example has four phosphoric acid treatment chambers 101 and four APM treatment chambers 102 in the substrate processing apparatus 10 described above, Dogs are present. As a result, it is possible to increase the number of processing chambers 21 in which a series of processes are performed, and the substrate processing efficiency can be further improved.

또한, 히터(32)는 퇴피실(31) 내에서 세정부(34)에 의해 세정된다. 이 때, 히터(32)는 인산＋APM 처리실(21) 내에 존재하고 있지 않기 때문에, 인산＋APM 처리실(21)에서는, 기판 세정 공정(C1)에 있어서 기판(W)만을 세정하면 되고, 비교예의 기판 및 히터 세정 공정(A3)에서의 히터 세정 시간을 생략할 수 있다. 이에 따라, 비교예에 비해, 인산＋APM 처리실(21)에서의 처리 시간을 단축하는 것이 가능하여, 기판 처리 효율을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 인산＋APM 처리실(21)에서의 처리 중에(처리에 병행하여), 세정부(34)에 의해 히터(32)를 세정할 수 있다.In addition, the heater 32 is cleaned by the cleaning section 34 in the evacuation chamber 31. At this time, since the heater 32 is not present in the phosphoric acid + APM processing chamber 21, only the substrate W in the phosphoric acid + APM processing chamber 21 can be cleaned in the substrate cleaning step (C1) The heater cleaning time in the heater cleaning step (A3) can be omitted. As a result, the processing time in the phosphoric acid + APM processing chamber 21 can be shortened as compared with the comparative example, and the substrate processing efficiency can be further improved. Further, during the processing in the phosphoric acid + APM processing chamber 21 (in parallel with the processing), the cleaning section 34 can clean the heater 32.

또한, 히터(32) 및 노즐(32a)을 인산＋APM 처리실(21) 밖의 퇴피실(31) 내로 퇴피시킴으로써, APM 처리 전에 인산＋APM 처리실(21)의 다운 플로우에 의해, 인산＋APM 처리실(21) 내에 존재하는 인산 분위기를 배제하는 것이 가능하다. 이에 따라, APM 처리를 행할 때에, 인산＋APM 처리실(21) 내에서 인산 분위기와 APM이 혼재하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 인산과 APM의 반응에 의해 생기는 파티클이, 인산＋APM 처리실(21) 내에서 발생하는 것을 억제할 수 있다.Further, the heater 32 and the nozzle 32a are retracted into the evacuation chamber 31 outside the phosphoric acid + APM processing chamber 21 so that the phosphate + APM processing chamber 21 It is possible to exclude the existing phosphoric acid atmosphere. This makes it possible to prevent the phosphoric acid atmosphere and the APM from being mixed in the phosphoric acid + APM treatment chamber 21 when the APM treatment is performed. Therefore, the particles generated by the reaction between the phosphoric acid and the APM can be prevented from entering the phosphoric acid + APM treatment chamber 21 Can be suppressed.

또, 도 5에서는, 일례로서, 인산 처리 시간과 APM 처리 시간을 동일하게 하고 있지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 이들에 다소의 차가 있어도 좋다. 다만, 비교예에 있어서, 인산 처리실(101)에서의 인산 처리 시간과 APM 처리실(102)에서의 APM 처리 시간이 상이한 경우에는, 처리 시간의 차이에 의해 기판 반송의 대기 시간이 발생하기 때문에, 기판 처리 효율이 저하되게 된다.In Fig. 5, as an example, the phosphoric acid treatment time and the APM treatment time are set to be the same, but the present invention is not limited to this, and there may be some differences therebetween. However, in the comparative example, when the phosphoric acid treatment time in the phosphoric acid treatment chamber 101 is different from the APM treatment time in the APM treatment chamber 102, a waiting time for substrate transportation occurs due to the difference in treatment time, The treatment efficiency is lowered.

이상 설명한 바와 같이, 제1 실시형태에 의하면, 히터(32)가 한 쌍의 처리실(21) 내부 및 퇴피실(31) 내부에 걸쳐 이동 가능하게 설치되어 있고, 히터 이동 기구(33)에 의해 한 쌍의 처리실(21) 내부 및 퇴피실(31) 내부에 걸쳐 이동한다. 예컨대, 상이한 2가지의 처리(예컨대 인산 처리 및 APM 처리)를 하나의 처리실(21)에서 행하는 경우, 제1 처리(예컨대 인산 처리)에서는 히터(32)가 처리실(21) 내에 존재하고, 다음 제2 처리(예컨대 APM 처리)에서는 히터(32)가 처리실(21) 내로부터 퇴피한다. 이에 따라, 제1 처리 및 제2 처리에서 기인하여 처리실(21) 내에서 파티클이 발생하더라도, 제2 처리시에는 히터(32)는 퇴피실(31) 내에 존재한다. 이 때문에, 처리실(21) 내에서 발생한 파티클이 퇴피실(31) 내의 히터(32)에 부착되는 것을 억제하는 것이 가능해져, 상이한 처리액을 이용하는 2가지의 처리를 하나의 처리실(21)에서 행할 수 있다. 따라서, 각 처리실 사이에서의 기판 반송을 생략하는 것이 가능해져, 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, according to the first embodiment, the heater 32 is provided movably within the pair of the processing chambers 21 and the inside of the retreat chamber 31, and the heater 32 is moved by the heater moving mechanism 33 And travels inside the pair of processing chambers 21 and inside the evacuation chamber 31. [ For example, when two different treatments (for example, phosphoric acid treatment and APM treatment) are performed in one treatment chamber 21, the heater 32 is present in the treatment chamber 21 in the first treatment (phosphoric acid treatment) 2 process (for example, APM process), the heater 32 is retracted from the inside of the process chamber 21. Thus, even if particles are generated in the process chamber 21 due to the first process and the second process, the heater 32 is present in the save chamber 31 during the second process. This makes it possible to inhibit the particles generated in the treatment chamber 21 from adhering to the heater 32 in the evacuation chamber 31 and to perform two kinds of treatment using different treatment liquids in one treatment chamber 21 . Therefore, it is possible to omit substrate transfer between the processing chambers, and the substrate processing efficiency can be improved.

또한, 히터(32)는 한 쌍의 처리실(21)에 공통의 처리 유닛으로서 기능하기 때문에, 처리실(21)마다 히터(32) 및 히터 이동 기구(33)를 설치하는 경우에 비해, 장치 구성의 간략화 및 저비용화를 실현할 수 있다. 또한, 히터(32)에 파티클이 부착되는 것을 억제함으로써, 히터(32)에 의해 기판(W)을 처리하고 있는 동안, 히터(32)에 부착된 파티클이 기판(W)에 부착되는 것을 억제할 수 있어, 기판(W)의 제품 불량의 발생을 막을 수 있다.Since the heater 32 functions as a common processing unit in the pair of processing chambers 21, the heater 32 and the heater moving mechanism 33 are provided for each processing chamber 21, Simplification and cost reduction can be realized. It is also possible to suppress adhesion of particles attached to the heater 32 to the substrate W while the substrate W is processed by the heater 32 by suppressing the attachment of particles to the heater 32 So that the occurrence of defective products on the substrate W can be prevented.

(제2 실시형태)(Second Embodiment)

제2 실시형태에 대하여 도 6을 참조하여 설명한다. 또, 제2 실시형태에서는, 제1 실시형태와의 상이점(세정부)에 대하여 설명하고, 그 밖의 설명을 생략한다.The second embodiment will be described with reference to Fig. In the second embodiment, a different point (cleaning section) from the first embodiment will be described, and the other description will be omitted.

도 6에 나타내는 바와 같이, 제2 실시형태에 관련된 세정부(34)는, 액 받이부(34a) 및 살포부(34b)에 더하여, 브러시(34c)와 브러시 회전 기구(34d)를 갖는다.As shown in Fig. 6, the cleaning part 34 according to the second embodiment has a brush 34c and a brush rotation mechanism 34d in addition to the liquid receiver 34a and the spray part 34b.

브러시(34c)는, 예컨대 롤 브러시이고, 액 받이부(34a) 내에 그 반경 방향을 따르도록 수평 상태로 설치되어 있다. 이 브러시(34c)는, 그 연신 방향의 축을 회전축으로 하여 회전 가능하게 브러시 회전 기구(34d)에 부착되어 있다. 브러시(34c)의 길이는, 퇴피 위치에 존재하는 히터(32)의 하면의 반경 이상이다.The brush 34c is, for example, a roll brush, and is installed horizontally in the liquid receiving portion 34a along the radial direction thereof. The brush 34c is attached to the brush rotating mechanism 34d so as to be rotatable about its axis in the stretching direction. The length of the brush 34c is equal to or larger than the radius of the lower surface of the heater 32 existing at the retreat position.

브러시 회전 기구(34d)는, 회전부(51)와 회전 기구(52)를 갖는다. 회전부(51)는, 브러시(34c)의 일단을 지지하고, 모터 등의 구동원(도시하지 않음)에 의해 브러시(34c)를 그 축 둘레로 회전시킨다. 회전 기구(52)는, 회전부(51)를 지지하고, 그 회전부(51)를 수평면 내에서 회전시킨다. 이 회전 기구(52)는, 액 받이부(34a)의 바닥부를 관통하도록, 그 바닥부의 대략 중앙에 설치되어 있다. 회전 기구(52)는, 예컨대, 회전축이나 모터 등에 의해 구성되어 있다. 회전부(51)가 회전 기구(52)에 의해 수평면 내에서 회전하면, 회전부(51)에 의해 지지되어 있는 브러시(34c)도 수평면 내에서 회전하게 된다.The brush rotating mechanism 34d has a rotating portion 51 and a rotating mechanism 52. [ The rotating portion 51 supports one end of the brush 34c and rotates the brush 34c around its axis by a driving source (not shown) such as a motor. The rotating mechanism 52 supports the rotating portion 51 and rotates the rotating portion 51 in a horizontal plane. The rotating mechanism 52 is provided substantially at the center of the bottom portion of the liquid receiving portion 34a so as to pass through the bottom portion of the liquid receiving portion 34a. The rotating mechanism 52 is constituted by, for example, a rotating shaft, a motor, or the like. When the rotating portion 51 is rotated in the horizontal plane by the rotating mechanism 52, the brush 34c supported by the rotating portion 51 also rotates in the horizontal plane.

각 노즐(43)은, 브러시 회전 기구(34d)를 피하여 액 받이부(34a)의 저면에 배치되어 있다. 이들 노즐(43)은, 퇴피 위치에 존재하는 히터(32)의 하면의 중앙 부근을 향하여 세정액을 토출하도록 형성되어 있다. 예컨대, 노즐(43)은 원기둥형으로 형성되어 있고, 그 노즐(43)은, 퇴피 위치에 존재하는 히터(32)의 하면의 중앙 영역을 향하여 경사지도록 형성되어 있다.Each of the nozzles 43 is disposed on the bottom surface of the liquid receiving portion 34a avoiding the brush rotating mechanism 34d. These nozzles 43 are formed so as to discharge the cleaning liquid toward the vicinity of the center of the lower surface of the heater 32 existing at the retreat position. For example, the nozzle 43 is formed in a cylindrical shape, and the nozzle 43 is formed so as to be inclined toward the central area of the lower surface of the heater 32 existing at the retreat position.

이러한 세정부(34)에 있어서, 히터(32)는 히터 이동 기구(33)에 의해 하강하여, 액 받이부(34a) 내의 브러시(34c)에 접촉하는 위치에서 정지한다. 이 상태에서, 세정액이 살포부(34b)로부터 상측을 향하여 분사되면, 세정액에 의해 젖은 상태의 브러시(34c)가 그 축 둘레로 회전하기 시작한다. 세정액의 분사는 계속되고, 회전부(51)가 회전 기구(52)에 의해 회전하기 시작하면, 세정액에 의해 젖은 상태의 브러시(34c)는, 축 둘레로 회전하면서, 회전부(51)의 회전에 의해 히터(32)의 하면에 대하여 둘레 방향으로 상대 이동하여, 히터(32)의 하면을 문질러 세정해 나간다. 이와 같이 하여, 히터(32)의 하면의 전역이 브러시(34c) 및 세정액에 의해 세정되게 된다. 히터(32)의 하면으로부터 낙하한 세정액이나 브러싱에 의해 확산한 세정액은, 액 받이부(34a)에 의해 받아지고, 배액구(42)로부터 배출되어 회수부에 의해 회수된다.In the cleaning section 34, the heater 32 is lowered by the heater moving mechanism 33 and stops at a position where it contacts the brush 34c in the liquid receiver 34a. In this state, when the cleaning liquid is sprayed upward from the spray portion 34b, the wet brush 34c starts to rotate around its axis by the cleaning liquid. When the rotation part 51 starts to rotate by the rotation mechanism 52, the brush 34c in a wet state by the cleaning liquid is rotated around the axis and is rotated by the rotation of the rotation part 51 And moves relative to the lower surface of the heater 32 in the circumferential direction to rub the lower surface of the heater 32. In this manner, the entire lower surface of the heater 32 is cleaned by the brush 34c and the cleaning liquid. The cleaning liquid dropped from the lower surface of the heater 32 or the cleaning liquid diffused by brushing is received by the liquid receiver 34a, discharged from the liquid discharge port 42, and recovered by the recovery unit.

이상 설명한 바와 같이, 제2 실시형태에 의하면, 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 세정부(34)의 브러시(34c)가 세정액에 의해 젖은 상태에서 직접 히터(32)에 접촉하고, 히터(32)를 문질러 세정한다. 이에 따라, 세정부(34)의 히터 세정 능력이 높아지기 때문에, 히터 세정 시간을 단축하는 것이 가능하여, 기판 처리 효율을 보다 향상시킬 수 있다.As described above, according to the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained. Further, the brush 34c of the cleaning section 34 contacts the heater 32 directly in a wet state by the cleaning liquid, and rubs the heater 32. As a result, the heater cleaning performance of the cleaning section 34 is increased, so that the heater cleaning time can be shortened and the substrate processing efficiency can be further improved.

(다른 실시형태)(Other Embodiments)

전술한 각 실시형태에 있어서는, 처리부로서 히터(32)를 예시했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 예컨대, 램프나 IH(유도 가열) 히터 등의 가열기를 이용하는 것이 가능하다. 또한, 램프의 형상도 직관(直管)형이나 환형, 구형 등 각종 형상을 채용하는 것이 가능하다. 또, 램프나 IH 히터는, 어느쪽이나 전자파(광도 전자파에 포함됨)에 의해 기판(W)이나 처리액(예컨대 약액)을 가열하는 가열기이다.In each of the above-described embodiments, the heater 32 is exemplified as the processing portion. However, the present invention is not limited thereto. For example, a heater such as a lamp or an IH (induction heating) heater can be used. Further, the shape of the lamp can be various shapes such as an straight pipe type, an annular shape, and a spherical shape. The lamp and the IH heater are both heaters for heating the substrate W and the treatment liquid (e.g., chemical solution) by electromagnetic waves (included in the photoconductive electromagnetic waves).

또한, 전술한 각 실시형태에 있어서는, 히터면을 세정하는 세정 기능으로서 도 3 또는 도 6의 세정 방식의 세정부(34)를 예시했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 세정액(예컨대 고온의 순수)을 액 받이부(34a)에 저장하여 히터면을 세정액에 디프하는 방식 등도 유효하다. 또한, 히터(32), 히터 이동 기구(33) 및 세정부(34)의 각 부를 일체로서 퇴피실(31)로부터 제2 로봇 이동로와 반대측으로 인출 가능하게 하는 인출 기구를 추가해도 좋다. 이 경우에는, 전술한 각 부가 인출 기구에 의해 퇴피실(31)로부터 인출되고, 히터(32)의 둘레면이 노출되기 때문에, 히터(32)의 메인터넌스 작업을 용이하게 행할 수 있다.Further, in each of the above-described embodiments, the cleaning part 34 of the cleaning type shown in Fig. 3 or 6 is exemplified as the cleaning function for cleaning the heater surface. However, the cleaning part is not limited to this, Is stored in the liquid receiver 34a and the heater surface is defrosted into the cleaning liquid. It is also possible to add a drawing mechanism that allows the heater 32, the heater moving mechanism 33, and the cleaning unit 34 to be pulled out from the retracting chamber 31 as a unit to the opposite side of the second robot moving path. In this case, since the peripheral surfaces of the heater 32 are exposed by being pulled out of the evacuation chamber 31 by the above-described respective additional drawing mechanisms, the maintenance work of the heater 32 can be easily performed.

또한, 전술한 각 실시형태에 있어서는, 히터 아암(33a)의 길이가 일정하지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 예컨대, 히터 아암(33a)의 길이를 바꾸는 기구(예컨대 히터 아암(33a)을 신축시키는 신축 기구)를 설치하도록 해도 좋다. 히터 아암(33a)의 길이가 변함으로써, 처리실(21)이 3개나 4개로 증가하더라도, 이들 처리실(21)에 하나의 히터(32)로 대응할 수 있다.Although the heater arm 33a has a constant length, the present invention is not limited to this. For example, a mechanism for changing the length of the heater arm 33a (e.g., a mechanism for expanding and contracting the heater arm 33a) Expansion / contraction mechanism) may be provided. The length of the heater arm 33a is changed so that even if the number of the processing chambers 21 increases to three or four, the number of the processing chambers 21 can correspond to one heater 32.

또한, 전술한 각 실시형태에 있어서는, 처리 공정의 일례를 설명했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 각종 처리 공정에 전술한 각 실시형태에 관련된 기판 처리 장치(10)를 적용하는 것이 가능하다. 하나의 처리실(21)에 있어서, 처리 분위기나 온도 등을 전환할 필요가 있는 연속 처리에 대하여 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있다.In the above-described embodiments, one example of the processing step is described. However, the present invention is not limited to this, and it is possible to apply the substrate processing apparatus 10 related to each of the above-described embodiments to various processing steps. It is possible to improve the substrate processing efficiency in the continuous processing in which one of the processing chambers 21 needs to switch the processing atmosphere, the temperature, and the like.

이상, 본 발명의 몇가지 실시형태를 설명했지만, 이들 실시형태는 예로서 제시한 것으로, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하지 않는다. 이들 신규인 실시형태는, 그 밖의 여러가지 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서, 여러가지 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함됨과 동시에, 특허 청구 범위에 기재된 발명과 그 균등 범위에 포함된다.While the present invention has been described in detail with reference to certain embodiments thereof, these embodiments are provided by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These new embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, substitutions, and alterations can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and spirit of the invention, and are included in the scope of the invention described in the claims and their equivalents.

10: 기판 처리 장치 21: 처리실
22: 스핀 유지 기구 24: 제1 노즐 헤드
25: 제1 노즐 헤드 이동 기구 26: 제2 노즐 헤드
27: 제2 노즐 헤드 이동 기구 31: 퇴피실
32: 히터 32a: 노즐
33: 히터 이동 기구 34: 세정부
W: 기판10: substrate processing apparatus 21: processing chamber
22: spin holding mechanism 24: first nozzle head
25: first nozzle head moving mechanism 26: second nozzle head
27: second nozzle head moving mechanism 31:
32: heater 32a: nozzle
33: Heater moving mechanism 34:
W: substrate

Claims (12)

퇴피실(退避室)과,
상기 퇴피실을 사이에 두고 설치된 한 쌍의 처리실과,
상기 퇴피실 내부 및 상기 한 쌍의 처리실 내부에 걸쳐 이동 가능하게 설치되고, 상기 처리실 내의 기판 상에 처리액을 공급하며, 또한, 상기 기판 상의 처리액을 가열하는 처리부와,
상기 퇴피실 내부 및 상기 한 쌍의 처리실 내부에 걸쳐 상기 처리부를 이동시키는 이동 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A retraction chamber (retraction chamber)
A pair of treatment chambers provided so as to sandwich the evacuation chamber,
A processing section that is provided so as to be movable in the inside of the evacuation chamber and inside the pair of processing chambers and supplies the processing liquid onto the substrate in the processing chamber and further heats the processing liquid on the substrate;
And a moving mechanism for moving said processing section in said evacuation chamber and inside said pair of processing chambers. 제1항에 있어서, 상기 이동 기구는, 상기 퇴피실 내부 및 상기 한 쌍의 처리실 내부에 걸쳐 상기 처리부를 요동시키는 요동 기구인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the moving mechanism is a swing mechanism for swinging the processing section in the evacuation chamber and inside the pair of processing chambers. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 이동 기구는, 상기 한 쌍의 처리실로 교대로 상기 처리부를 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the moving mechanism alternately moves the processing section to the pair of processing chambers. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 퇴피실 내에 설치되고, 상기 처리부를 세정하는 세정부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, further comprising a cleaning section provided in said evacuation chamber for cleaning said processing section. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리부는, 상기 기판 상의 처리액에 접촉하여 상기 기판 상의 처리액을 가열하는 히터이고,
상기 히터는, 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 노즐을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The apparatus according to claim 1 or 2, wherein the processing section is a heater for heating the treatment liquid on the substrate in contact with the treatment liquid on the substrate,
Wherein the heater has a nozzle for supplying the processing liquid to the substrate. 제5항에 있어서, 상기 히터에 있어서의 상기 기판의 피처리면과의 대향면은, 상기 기판에 있어서의 상기 피처리면의 형상과 상사(相似)형이고, 상기 피처리면을 전부 덮는 크기를 가지며,
상기 노즐은, 상기 대향면의 중앙에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein a surface of the substrate facing the surface to be processed of the substrate is similar to a shape of the surface to be processed in the substrate, and has a size covering the entire surface to be processed,
Wherein the nozzle is provided at the center of the opposed surface. 제2항에 있어서, 상기 처리부는, 상기 기판 상의 처리액에 접촉하여 상기 기판 상의 처리액을 가열하는 히터이고,
상기 히터는, 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 노즐을 갖고,
상기 한 쌍의 처리실에는, 상기 기판을 유지하여 회전시키는 스핀 유지 기구가 각각 설치되고,
상기 노즐과, 상기 히터의 요동 중심과의 거리를 r1, 상기 히터의 요동 중심과, 상기 한 쌍의 처리실이 각각 구비하는 상기 스핀 유지 기구의 회전 중심과의 거리를 각각 r2, r3으로 했을 때, r1 = r2 = r3이 성립하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The apparatus according to claim 2, wherein the processing section is a heater for heating the treatment liquid on the substrate in contact with the treatment liquid on the substrate,
The heater has a nozzle for supplying the treatment liquid to the substrate,
Wherein the pair of processing chambers are respectively provided with a spin holding mechanism for holding and rotating the substrate,
And a distance between the nozzle and the center of rotation of the heater is r1 and the distance between the center of rotation of the heater and the center of rotation of the spin holding mechanism each provided by the pair of processing chambers is r2 and r3, r1 = r2 = r3. 제2항에 있어서, 상기 처리실에는, 상기 기판을 유지하여 회전시키는 스핀 유지 기구와, 상기 스핀 유지 기구에 의해 유지되는 상기 기판에 처리액을 공급하는 노즐 헤드와, 상기 노즐 헤드를 상기 기판의 피처리면을 따라 요동시키는 노즐 헤드 이동 기구가 설치되고,
상기 노즐 헤드의 요동 중심은, 상기 처리실 내에 있어서, 상기 처리실에 있어서의 인접하는 상기 퇴피실측의 벽에 대하여, 상기 스핀 유지 기구를 사이에 두고 반대측의 벽측에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The apparatus according to claim 2, wherein the processing chamber is provided with a spin holding mechanism for holding and rotating the substrate, a nozzle head for supplying the processing liquid to the substrate held by the spin holding mechanism, A nozzle head moving mechanism for swinging along the reverse face is provided,
Wherein the oscillation center of the nozzle head is provided on a wall side opposite to the wall on the side of the evacuation chamber adjacent to the treatment chamber in the treatment chamber with the spin holding mechanism interposed therebetween. 퇴피실과, 상기 퇴피실을 사이에 두고 설치된 한 쌍의 처리실과, 상기 처리실 내의 기판 상에 처리액을 공급하며, 또한, 상기 기판 상의 처리액을 가열하는 처리부를 구비하는 기판 처리 장치를 이용하여, 상기 처리실 내의 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
상기 퇴피실 내부 및 상기 한 쌍의 처리실 내부에 걸쳐 상기 처리부를 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And a processing unit for supplying a treatment liquid onto the substrate in the treatment chamber and heating the treatment liquid on the substrate, A substrate processing method for processing a substrate in the processing chamber,
And said processing section is moved within said evacuation chamber and said pair of processing chambers. 제9항에 있어서, 상기 퇴피실 내부 및 상기 한 쌍의 처리실 내부에 걸쳐 상기 처리부를 요동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The substrate processing method according to claim 9, wherein the processing portion is oscillated within the evacuation chamber and inside the pair of processing chambers. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 한 쌍의 처리실로 교대로 상기 처리부를 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The substrate processing method according to claim 9 or 10, wherein the processing portion is alternately moved to the pair of processing chambers. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 퇴피실 내에 상기 처리부를 이동시키고, 상기 퇴피실 내에서 상기 처리부를 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The substrate processing method according to claim 9 or 10, wherein the processing section is moved in the evacuation chamber and the processing section is cleaned in the evacuation chamber.
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