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KR20170024808A - Vision inspection module and device inspection system having the same - Google Patents

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KR20170024808A
KR20170024808A KR1020150120312A KR20150120312A KR20170024808A KR 20170024808 A KR20170024808 A KR 20170024808A KR 1020150120312 A KR1020150120312 A KR 1020150120312A KR 20150120312 A KR20150120312 A KR 20150120312A KR 20170024808 A KR20170024808 A KR 20170024808A
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Abstract

본 발명은 소자검사시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체소자에 대한 비전검사를 수행하는 비전검사모듈 및 그를 가지는 소자검사시스템에 관한 것이다.
본 발명은, 평면형상이 다각형인 반도체소자(1)의 비전검사를 수행하는 비전검사모듈(50)로서, 상기 반도체소자(1)의 제1평면에 대한 제1평면이미지 및 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 측면들에 대한 측면이미지들을 획득하는 단일이미지획득부(100)와, 상기 반도체소자(1)의 제1평면에 대한 제1평면이미지가 상기 단일이미지획득부(100)에 도달하도록 하는 제1광경로(L1)와, 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 측면들에 대한 측면이미지들 각각을 상기 단일이미지획득부(100)에 도달하도록 하는 복수의 제2광경로(L2)들을 형성하는 광학계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비전검사모듈(50)을 개시한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a device inspection system, and more particularly, to a vision inspection module for performing a vision inspection for a semiconductor device and a device inspection system having the same.
A vision inspection module (50) for performing a vision inspection of a semiconductor element (1) having a polygonal planar shape, the vision inspection module (50) comprising a first plane image of the semiconductor element A first plane image for the first plane of the semiconductor element 1 reaches the single image acquiring section 100, and a second plane image for the first plane of the semiconductor element 1 reaches the single image acquiring section 100. The single image acquiring section 100 acquires side images for the sides of the polygonal sides of the semiconductor element 1, And a plurality of second optical paths (L2) for allowing each of the side images of the sides of the polygonal sides of the semiconductor element (1) to reach the single image acquiring section (100) And an optical system that forms an optical system (not shown).

Description

비전검사모듈 및 그를 가지는 소자검사시스템 {Vision inspection module and device inspection system having the same}[0001] VISION INSPECTION MODULE AND DEVICE INSPECTION SYSTEM [0002]

본 발명은 소자검사시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체소자에 대한 비전검사를 수행하는 비전검사모듈 및 그를 가지는 소자검사시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a device inspection system, and more particularly, to a vision inspection module for performing a vision inspection for a semiconductor device and a device inspection system having the same.

패키지 공정을 마친 반도체디바이스 소자는 번인테스트 등의 검사를 마친 후에 고객 트래이에 적재되어 출하된다.Semiconductor device devices that have undergone the package process are shipped in the customer trays after inspection such as burn-in test.

그리고 출하되는 반도체디바이스 소자는 그 표면에 레이저 등에 의하여 일련번호, 제조사 로고 등의 표지가 표시되는 마킹공정을 거치게 된다.The semiconductor device device to be shipped is subjected to a marking process in which marks such as a serial number, a manufacturer's logo, and the like are displayed on the surface thereof by a laser or the like.

또한 반도체디바이스 소자는 최종적으로 리드(lead)나 볼 그리드(ball grid)의 파손여부, 크랙(crack), 스크래치(scratch) 여부 등과 같은 반도체디바이스 소자의 외관상태 및 표면에 형성된 마킹의 양호여부를 검사하는 공정을 거치게 된다.In addition, the semiconductor device element finally checks whether the appearance of the semiconductor device element and the marking formed on the surface are good or not, such as whether the lead or the ball grid is broken, cracked, scratched, .

한편 상기와 같은 반도체디바이스 소자의 외관상태 및 마킹의 양호여부의 검사가 추가되면서 그 검사시간 및 각 모듈들의 배치에 따라서 전체 공정수행을 위한 시간 및 장치의 크기에 영향을 미치게 된다.On the other hand, the inspection of the appearance of the semiconductor device device and the goodness of marking are added, and the time for performing the whole process and the size of the device are affected according to the inspection time and the arrangement of the modules.

특히 다수의 소자들이 적재된 트레이의 로딩, 각 소자들에 대한 비전검사를 위한 하나 이상의 모듈, 검사 후 검사결과에 따른 언로딩모듈의 구성 및 배치에 따라서 장치의 크기가 달라진다.In particular, the size of the device varies depending on the configuration of the unloading module according to the inspection result after inspection, one or more modules for loading trays on which a plurality of devices are loaded, a vision inspection for each of the devices, and the like.

그리고 장치의 크기는 소자검사라인 내에 설치될 수 있는 소자검사시스템의 숫자를 제한하거나, 미리 정해진 숫자의 소자검사시스템의 설치에 따라서 소자 생산을 위한 설치비용에 영향을 주게 된다.And the size of the device may affect the number of device inspection systems that can be installed in the device inspection line or the installation cost for device production depending on the installation of a predetermined number of device inspection systems.

본 발명의 목적을 상기와 같은 점들을 인식하여 반도체소자의 표면 및 그 표면에 인접하는 복수의 측면들에 대한 이미지를 한번에 획득하여 비전검사를 수행할 수 있는 비전검사모듈 및 그를 가지는 소자검사시스템을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a vision inspection module capable of acquiring an image of a plurality of sides adjacent to a surface of a semiconductor device and a surface thereof by recognizing the above points and performing a vision inspection, .

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 평면형상이 다각형인 반도체소자(1)의 비전검사를 수행하는 비전검사모듈(50)로서, 상기 반도체소자(1)의 제1평면에 대한 제1평면이미지 및 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 측면들에 대한 측면이미지들을 획득하는 단일이미지획득부(100)와, 상기 반도체소자(1)의 제1평면에 대한 제1평면이미지가 상기 단일이미지획득부(100)에 도달하도록 하는 제1광경로(L1)와, 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 측면들에 대한 측면이미지들 각각을 상기 단일이미지획득부(100)에 도달하도록 하는 복수의 제2광경로(L2)들을 형성하는 광학계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비전검사모듈(50)을 개시한다.The vision inspection module (50) for performing a vision inspection of a semiconductor device (1) having a polygonal planar shape is provided. The vision inspection module (50) (100) for obtaining a first plane image of a first plane of the semiconductor element (1) and side images of sides of the polygonal sides of the semiconductor element (1) (L1) allowing a first plane image for a plane to reach the single image acquiring section (100), and a plurality of side images for the sides of the polygonal sides of the semiconductor element (1) And an optical system for forming a plurality of second optical paths (L2) for reaching the image acquisition unit (100).

상기 광학계에 설치되어 상기 제1광경로(L1) 및 상기 제2광경로(L2)의 초점거리 차이를 보정하는 초점거리보정부(400)를 추가로 포함할 수 있다.And a focal length correcting unit 400 installed in the optical system for correcting a focal length difference between the first optical path L1 and the second optical path L2.

상기 초점거리보정부(400)는, 해당 광경로(L1, L2)에 설치되어 광투과가 가능한 투명재질을 가지는 매질부(410)를 포함할 수 있다.The focal length correcting unit 400 may include a medium portion 410 having a transparent material that is provided on the optical paths L1 and L2 and is capable of transmitting light.

상기 초점거리보정부(400)는, 구조물(520)에 탈착가능하게 결합되며 상기 매질부(410)가 탈착가능하게 설치되는 프레임부(420)를 포함할 수 있다.The focal length correcting unit 400 may include a frame unit 420 detachably coupled to the structure 520 and to which the medium unit 410 is detachably installed.

상기 프레임부(420)는, 상기 구조물(520)에 대하여 자력에 의하여 탈착가능하게 결합될 수 있다.The frame part 420 may be detachably coupled to the structure 520 by a magnetic force.

상기 광학계는, 상기 제1평면에 대한 제1평면이미지를 상기 단일이미지획득부(100)를 향하도록 반사시키는 주반사부재(211)와, 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면에 대응되어 설치되어 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면에 대한 측면이미지를 상기 주반사부재(211)로 향하도록 반사시키는 보조반사부재(311)를 포함할 수 있다.The optical system includes a main reflecting member 211 for reflecting a first plane image with respect to the first plane toward the single image obtaining unit 100 and a second reflecting member 211 corresponding to each side of the polygonal sides of the semiconductor element 1 And an auxiliary reflecting member 311 installed so as to reflect a side image of each side of the polygonal sides of the semiconductor device 1 toward the main reflecting member 211.

상기 주반사부재(211)는, 광이 투과할 수 있는 반투과재질을 가지며, 상기 제1평면이미지를 반사시키는 반사면의 이면에서 상기 제1평면 및 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면에 광을 조사하는 조명계(540)를 포함할 수 있다.The main reflecting member 211 has a semitransmissive material capable of transmitting light and is formed on the back surface of the reflecting surface reflecting the first plane image and the angle of the polygonal sides of the semiconductor element 1 And an illumination system 540 for irradiating light to the side surface.

상기 초점거리보정부(400)는, 상기 제2광경로(L2) 중 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면 및 상기 주반사부재(211)의 사이, 및 상기 제2광경로(L2) 중 상기 주반사부재(211) 및 상기 단일이미지획득부(100) 사이 중 적어도 어느 하나에 설치될 수 있다.The focal length correcting unit 400 corrects the focal length of the first optical path L2 between each side of the polygonal sides of the semiconductor device 1 and the main reflecting member 211 among the second optical path L2, May be installed in at least one of the main reflecting member 211 and the single image obtaining unit 100.

상기 초점거리보정부(400)는, 상기 제2광경로(L2) 중 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면 및 상기 주반사부재(211)의 사이에 설치되며, 상기 초점거리보정부(400)는, 상기 보조반사부재(311)와 일체로 형성될 수 있다.The focal length correcting unit 400 is installed between each side of the polygonal sides of the semiconductor device 1 and the main reflecting member 211 of the second optical path L2, (400) may be formed integrally with the auxiliary reflecting member (311).

본 발명은 또한 복수의 반도체소자(1)들이 담긴 트레이(2)가 로딩되어 선형이동시키는 로딩부(10)와; 상기 로딩부(10) 내의 트레이(2)의 이송방향과 수직을 이루어 상기 로딩부(10)의 일측에 설치되어 반도체소자(1)에 대한 비전검사를 수행하는 비전검사모듈(50)과; 상기 로딩부(10)에서의 트레이(2) 이동방향과 수직으로 배치된 제1가이드레일(68)과; 상기 제1가이드레일(68)을 따라서 이동되도록 상기 제1가이드레일(68)과 결합되며 비전검사를 수행하기 위하여 상기 로딩부(10)로부터 상기 비전검사모듈(50)로 소자를 픽업하여 이송하는 제1이송툴(61)과; 상기 로딩부(10)에서 비전검사를 마친 반도체소자(1)들이 담긴 트레이(2)들을 전달받아 비전검사결과에 따라서 해당 트레이(2)에 반도체소자(1)들을 분류하는 언로딩부(31, 32, 33)를 포함하며, 상기 비전검사모듈(50)은, 상기와 같은 구성을 가지는 비전검사모듈인 것을 특징으로 하는 소자검사시스템을 개시한다.The present invention also includes a loading section (10) for loading and linearly moving a tray (2) containing a plurality of semiconductor elements (1); A vision inspection module 50 mounted on one side of the loading unit 10 perpendicular to a conveying direction of the tray 2 in the loading unit 10 to perform a vision inspection of the semiconductor device 1; A first guide rail 68 disposed perpendicular to a moving direction of the tray 2 in the loading section 10; Is coupled with the first guide rail (68) to move along the first guide rail (68) and picks up and transports the device from the loading unit (10) to the vision inspection module (50) A first transfer tool (61); An unloading unit 31 for sorting the semiconductor devices 1 in the tray 2 according to a result of the vision inspection by receiving the trays 2 containing the semiconductor devices 1 having undergone the vision inspection in the loading unit 10, 32, and 33, and the vision inspection module 50 is a vision inspection module having the above-described configuration.

본 발명에 따른 비전검사모듈 및 그를 가지는 소자검사시스템은, 반도체소자의 표면 및 그 표면에 인접하는 복수의 측면들에 대한 이미지를 한번에 획득하여 비전검사를 수행함으로써 다양하고 신속한 비전검사의 수행이 가능한 이점이 있다.The vision inspection module and the device inspection system having the vision inspection module according to the present invention can perform various and quick vision inspection by acquiring an image of a surface of a semiconductor device and a plurality of side surfaces adjacent to the surface thereof at a time, There is an advantage.

특히 반도체소자의 표면 및 그 표면에 인접하는 복수의 측면들에 대한 이미지를 한번에 획득함에 있어 서로 다른 광경로에 따른 초점거리의 차이를 투명유리 등의 매질을 이용하여 보정함으로써 하나의 단일 카메라에 의한 이미지 획득이 가능하여 비전검사의 수행을 위한 모듈의 구성을 간단화하고 제조비용을 절감할 수 있는 이점이 있다.In particular, in acquiring images of a plurality of side surfaces adjacent to a surface of a semiconductor device and a surface thereof, the difference in focal length according to different optical paths is corrected by using a medium such as a transparent glass, It is possible to acquire an image, thereby simplifying the configuration of the module for performing the vision inspection and reducing the manufacturing cost.

도 1은, 본 발명에 따른 소자검사시스템의 일예를 보여주는 평면도이다.
도 2a는, 도 1의 소자검사시스템의 비전검사모듈의 일예의 구성을 측면 방향으로 보여주는 개념도이다.
도 2b는, 도 2a의 비전검사모듈 중 반도체소자 및 보조반사부재의 배치를 보여주는 저면도이다.
도 3은, 도 2의 비전검사모듈 중 초점거리조정부의 일예를 보여주는 평면도이다.
도 4는, 도 3의 초점거리조정부의 측면도이다.
도 5는, 도 1의 소자검사시스템의 비전검사모듈의 다른 예의 구성을 측면 방향으로 보여주는 개념도이다.
도 6은, 도 2 또는 도 5의 비전검사모듈에서 이미지 획득을 위한 작동거리의 개념을 보여주는 개념도이다.
도 7은, 도 2 또는 도 5의 비전검사모듈에 의하여 획득된 이미지를 개략적으로 보여주는 개념도이다. 1 is a plan view showing an example of a device inspection system according to the present invention.
FIG. 2A is a conceptual view showing, in a lateral direction, the configuration of an example of the vision inspection module of the element inspection system of FIG.
FIG. 2B is a bottom view showing the arrangement of the semiconductor element and the auxiliary reflecting member in the vision inspection module of FIG. 2A. FIG.
FIG. 3 is a plan view showing an example of a focal length adjusting unit of the vision inspection module of FIG. 2. FIG.
4 is a side view of the focal length adjusting section of Fig.
Fig. 5 is a conceptual view showing, in a lateral direction, the configuration of another example of the vision inspection module of the element inspection system of Fig. 1. Fig.
Fig. 6 is a conceptual diagram showing the concept of the working distance for image acquisition in the vision inspection module of Fig. 2 or Fig. 5;
FIG. 7 is a conceptual diagram schematically showing an image obtained by the vision check module of FIG. 2 or FIG. 5. FIG.

이하, 본 발명에 따른 비전검사모듈 및 그를 가지는 소자검사시스템에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the vision inspection module and the device inspection system having the vision inspection module according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 일실시예에 따른 소자검사시스템는, 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 반도체소자(1)들이 담긴 트레이(2)가 로딩되어 선형이동시키는 로딩부(10)와; 로딩부(10) 내의 트레이(2)의 이송방향과 수직을 이루어 로딩부(10)의 일측에 설치되어 반도체소자(1)에 대한 비전검사를 수행하는 비전검사모듈(50)과; 로딩부(10)에서의 트레이(2) 이동방향과 수직으로 배치된 제1가이드레일(68)과; 제1가이드레일(68)을 따라서 이동되도록 제1가이드레일(68)과 결합되며 비전검사를 수행하기 위하여 로딩부(10)로부터 비전검사모듈(50)로 소자를 픽업하여 이송하는 제1이송툴(61)과; 로딩부(10)에서 비전검사를 마친 반도체소자(1)들이 담긴 트레이(2)들을 전달받아 비전검사결과에 따라서 해당 트레이(2)에 반도체소자(1)들을 분류하는 언로딩부(31, 32, 33)를 포함한다.As shown in FIG. 1, a device inspection system according to an embodiment of the present invention includes a loading unit 10 for loading and linearly moving a tray 2 containing a plurality of semiconductor devices 1; A vision inspection module 50 mounted on one side of the loading unit 10 perpendicular to the conveying direction of the tray 2 in the loading unit 10 to perform a vision inspection on the semiconductor device 1; A first guide rail 68 disposed perpendicular to the moving direction of the tray 2 in the loading section 10; The first conveying tool 70 is coupled to the first guide rail 68 so as to be moved along the first guide rail 68 and picks up the element from the loading unit 10 to the vision inspection module 50 to perform the vision inspection. (61); Unloading sections 31 and 32 for sorting the semiconductor elements 1 in the trays 2 according to the result of the vision inspection by receiving the trays 2 containing the semiconductor elements 1 having undergone the vision inspection in the loading section 10 , 33).

여기서 반도체소자(1)는, 메모리, SD램, 플래쉬램, CPU, GPU 등 반도체 공정을 마친 반도체소자들이면 모두 그 대상이 될 수 있다.Here, the semiconductor element 1 may be any semiconductor element that has been subjected to a semiconductor process such as a memory, an SDRAM, a flash RAM, a CPU, and a GPU.

상기 트레이(2)는, 한 개 이상의 반도체소자(1)들이 8×10 등 행렬을 이루어 적재되어 이송되는 구성으로서, 메모리소자 등 규격화됨이 일반적이다.The tray 2 is configured such that one or more semiconductor elements 1 are stacked and transported in an 8 × 10 matrix, and the memory elements and the like are generally standardized.

상기 로딩부(10)는, 검사대상인 반도체소자(1)를 담아 비전검사를 수행할 수 있도록 로딩하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다The loading unit 10 is configured to load a semiconductor element 1 to be inspected and perform a vision inspection, and various configurations are possible

예로서, 상기 로딩부(10)는, 트레이(2)에 형성된 안착홈에 안착된 상태로 다수개의 반도체소자(1)들이 담긴 트레이(2)를 이송한다.For example, the loading section 10 transfers a tray 2 containing a plurality of semiconductor elements 1 in a state of being seated in a mounting groove formed in the tray 2.

상기 로딩부(10)는 다양한 구성이 가능하며, 도 1 및 한국 공개특허공보 제10-2008-0092671호에 도시된 바와 같이, 다수개의 반도체소자(1)들이 적재되는 트레이(2)의 이동을 안내하는 가이드부(미도시)와, 트레이(2)가 가이드부를 따라서 이동시키기 위한 구동부(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 1 and Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2008-0092671, the loading section 10 can be configured in various manners such as moving the tray 2 on which a plurality of semiconductor elements 1 are loaded (Not shown) for guiding the tray 2, and a driving unit (not shown) for moving the tray 2 along the guide unit.

상기 비전검사모듈(50)은, 로딩부(10) 내의 트레이(2)의 이송방향과 수직을 이루어 로딩부(10)의 일측에 설치되어 반도체소자(1)에 대한 비전검사를 수행하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The vision inspection module 50 is installed on one side of the loading unit 10 perpendicular to the conveyance direction of the tray 2 in the loading unit 10 and performs a vision inspection on the semiconductor device 1 Various configurations are possible.

여기서 상기 비전검사모듈(50)은, 시스템의 구성에 따라서 다양한 구성이 가능함은 물론이다.Here, the vision inspection module 50 may have various configurations according to the configuration of the system.

특히 상기 비전검사모듈(50)은, 반도체소자(1)의 저면 등에 대한 외관을 카메라, 스캐너 등을 이용하여 이미지를 획득하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.In particular, the vision inspection module 50 can be variously configured as an arrangement for acquiring an image of a bottom surface or the like of the semiconductor element 1 using a camera, a scanner, or the like.

여기서 상기 비전검사모듈(50)에 의하여 획득된 이미지는, 프로그램 등을 이용하여 이미지 분석 후 불량여부 등의 비점검사에 활용된다.Here, the image obtained by the vision inspection module 50 is utilized for a boiling point inspection such as a defect after image analysis using a program or the like.

한편 상기 비전검사모듈(50)은, 비전검사의 종류에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 반도체소자(1)의 상면 및 저면 중 어느 일면(이하 '제1표면'이라 한다) 및 그에 인접된 측면에 대한 비전검사를 모두 수행하도록 구성됨이 바람직하다.On the other hand, the vision inspection module 50 can be configured in various ways according to the type of vision inspection, and can be formed on one surface (hereinafter referred to as a "first surface") of a top surface and a bottom surface of the semiconductor element 1, It is preferable to be configured to perform all of the vision tests.

보다 구체적으로, 상기 비전검사모듈(50)은, 도 2a 및 도 7에 도시된 바와 같이, 평면형상이 직사각형인 반도체소자(1)에 대하여, 제1이송툴(61)에 픽업된 상태에서 그 반대면 및 네 개의 측면들에 대한 비전검사를 모두 수행하도록 구성됨이 바람직하다.More specifically, as shown in Figs. 2A and 7, the vision inspection module 50 is mounted on the semiconductor element 1 whose planar shape is rectangular, It is preferable to be configured to perform both the opposite face and the vision inspection for the four sides.

이를 위하여, 상기 비전검사모듈(50)은, 예로서, 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 평면형상이 다각형인 반도체소자(1)의 비전검사를 수행하는 비전검사모듈(50)로서, 반도체소자(1)의 제1평면에 대한 제1평면이미지 및 반도체소자(1)의 다각형 변들의 측면들에 대한 측면이미지들을 획득하는 단일이미지획득부(100)와, 반도체소자(1)의 제1평면에 대한 제1평면이미지가 단일이미지획득부(100)에 도달하도록 하는 제1광경로(L1)와, 반도체소자(1)의 다각형 변들의 측면들에 대한 측면이미지들 각각을 단일이미지획득부(100)에 도달하도록 하는 복수의 제2광경로(L2)들을 형성하는 광학계를 포함할 수 있다.For this purpose, the vision inspection module 50 is a vision inspection module 50 for performing a vision inspection of a semiconductor device 1 having a polygonal plane shape, as shown in FIGS. 2 to 5, A single image acquiring part (100) for acquiring a first plane image of a first plane of the semiconductor element (1) and side images of sides of the polygon sides of the semiconductor element (1) A first optical path L1 for allowing a first plane image for one plane to reach the single image obtaining section 100 and a plurality of side images for the sides of the polygonal sides of the semiconductor element 1, And an optical system for forming a plurality of second optical paths (L2) for reaching the optical system (100).

상기 단일이미지획득부(100)는, 반도체소자(1)의 제1평면에 대한 제1평면이미지 및 반도체소자(1)의 다각형 변들의 측면들에 대한 측면이미지들을 획득하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The single image obtaining unit 100 may be configured to obtain a first plane image of the first plane of the semiconductor element 1 and side images of the sides of the polygonal sides of the semiconductor element 1, Do.

예로서, 상기 단일이미지획득부(100)는, 카메라, 스캐너 등이 사용될 수 있다.For example, the single image obtaining unit 100 may be a camera, a scanner, or the like.

그리고 상기 단일이미지획득부(100)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 획득된 이미지들의 분석을 위하여 반도체소자(1)의 제1평면에 대한 제1평면이미지 및 반도체소자(1)의 다각형 변들의 측면들에 대한 측면이미지들을 제어부(미도시)로 전달되어 프로그램 등을 이용하여 이미지 분석 후 불량여부 등의 비점검사에 활용된다.7, the single-image obtaining unit 100 obtains the first plane image of the semiconductor element 1 with respect to the first plane and the polygonal side of the semiconductor element 1 with respect to the first plane for analysis of the obtained images (Not shown), and is used for the boiling point test such as whether or not there is a defect after image analysis using a program or the like.

상기 광학계는, 반도체소자(1)의 제1평면에 대한 제1평면이미지가 단일이미지획득부(100)에 도달하도록 하는 제1광경로(L1)와, 반도체소자(1)의 다각형 변들의 측면들에 대한 측면이미지들 각각을 단일이미지획득부(100)에 도달하도록 하는 복수의 제2광경로(L2)들을 형성하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The optical system includes a first optical path L1 for allowing a first plane image of a first plane of the semiconductor element 1 to reach a single image acquiring unit 100 and a second optical path L1 for guiding a side of the polygonal sides of the semiconductor element 1 Various configurations are possible as a configuration for forming a plurality of second optical paths L2 to allow each of the side images with respect to the plurality of first image obtaining units 100 to reach the single image obtaining unit 100. [

구체적으로, 상기 광학계는, 반도체소자(1) 및 단일이미지획득부(100)의 설치위치에 따라서 렌즈(110), 반사부재(211, 311), 반투과부재, 프리즘 등이 그 숫자 및 설치위치가 선택될 수 있다.Specifically, the optical system includes a lens 110, reflective members 211 and 311, a semi-transmissive member, a prism, and the like according to the mounting positions of the semiconductor element 1 and the single image obtaining unit 100, Can be selected.

특히, 상기 광학계는, 제1평면에 대한 제1평면이미지를 단일이미지획득부(100)를 향하도록 반사시키는 주반사부재(211)와, 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면에 대응되어 설치되어 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면에 대한 측면이미지를 주반사부재(211)로 향하도록 반사시키는 보조반사부재(311)를 포함할 수 있다.In particular, the optical system includes a main reflecting member 211 for reflecting the first plane image with respect to the first plane toward the single image obtaining unit 100, and a plurality of second reflecting members 211 corresponding to respective sides of the polygonal sides of the semiconductor element 1 And an auxiliary reflecting member 311 installed to reflect the side image of each side of the polygonal sides of the semiconductor element 1 toward the main reflecting member 211. [

상기 주반사부재(211)는, 제1평면에 대한 제1평면이미지를 단일이미지획득부(100)를 향하도록 반사시키는 구성으로서 반사부재, 반투과부재 등 다양한 부재가 사용될 수 있다.The main reflecting member 211 may be configured to reflect the first plane image of the first plane toward the single image obtaining unit 100, and various members such as a reflecting member and a transflective member may be used.

상기 보조반사부재(311)는, 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면에 대응되어 설치되어 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면에 대한 측면이미지를 주반사부재(211)로 향하도록 반사시키는 구성으로서, 반사부재, 반투과부재 등 다양한 부재가 사용될 수 있다.The auxiliary reflecting member 311 is provided so as to correspond to each side of the polygonal sides of the semiconductor element 1 to direct the side image of each side of the polygonal sides of the semiconductor element 1 to the main reflecting member 211 As the reflecting structure, various members such as a reflective member and a semi-transmissive member can be used.

한편, 상기 광학계는, 비전검사를 위하여 제1평면, 측면들에 광을 조사하는 조명계(540)가 설치되는데, 조명계(540)는, 그 조사방식에 따라서 다양하게 설치될 수 있다.Meanwhile, in the optical system, an illumination system 540 for irradiating light to the first plane and side surfaces is installed for vision inspection. The illumination system 540 can be installed variously according to the illumination system.

상기 조명계(540)는, 비전검사의 형태에 따라서, 레이저광 등의 단색광, R, G, B 등의 삼색광, 백색광 등 다양한 광을 조사할 수 있으며, 엘이디소자 등 다양한 광원이 사용될 수 있다.The illumination system 540 can emit various kinds of light such as monochromatic light such as laser light, tricolor light such as R, G, B, or white light depending on the type of vision inspection, and various light sources such as an LED element can be used.

아울러, 상기 조명계(540)는, 광학계의 구성에 따라서 다양한 배치가 가능하다.In addition, the illumination system 540 can be arranged in various ways according to the configuration of the optical system.

예로서, 상기 광학계가 앞서 설명한 주반사부재(211)를 포함할 때, 주반사부재(211)가 광이 투과할 수 있는 반투과재질을 가질 수 있으며, 이때 조명계(540)는, 제1평면이미지를 반사시키는 반사면의 이면에서 제1평면 및 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면에 광을 조사하도록 구성될 수 있다.For example, when the optical system includes the main reflecting member 211 as described above, the main reflecting member 211 may have a semi-transmissive material through which light can be transmitted, It may be configured to irradiate light on the first plane and the respective sides of the polygonal sides of the semiconductor element 1 on the back surface of the reflection surface reflecting the image.

또한, 상기 조명계(540)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1평면에 대한 조사 및 각 측면에 대한 조사가 별도의 광원(545)에 의하여 수행되도록 구성될 수 있으며, 이때 앞서 설명한 보조반사부재(311)가 광이 투과할 수 있는 반투과재질을 가지도록 하고, 측면이미지를 반사시키는 반사면의 이면에서 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면에 광을 조사하도록 구성될 수 있다.In addition, the illumination system 540 may be configured such that illumination on the first plane and illumination on each side are performed by a separate light source 545, as shown in FIG. 2, The member 311 may be configured to have a semi-transmissive material capable of transmitting light and to irradiate light on each side of the polygonal sides of the semiconductor element 1 on the back surface of the reflecting surface that reflects the side image.

한편 제1평면이미지 및 측면이미지들은, 서로 다른 광경로, 즉 제1광경로(L1) 및 제2광경로(L2)를 거쳐 획득되므로 광경로의 경로차로 인하여 초점거리가 서로 달라 단일의 이미지획득장치, 즉 카메라에 의하여 이미지가 획득될 때 제1평면이미지 및 측면이미지들 중 어느 한쪽에 대한 초점이 맞지 않아 흐릿하게 되는 문제점이 있다.Since the first plane image and the side images are acquired through different optical paths, i.e., the first optical path L1 and the second optical path L2, the focal lengths are different due to the path difference of the optical path, There is a problem in that when the image is acquired by the apparatus, that is, the camera, the first plane image and the side images are out of focus and blurred.

이에, 상기 비전검사모듈(50)은, 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 광학계에 설치되어 제1광경로(L1) 및 제2광경로(L2)의 초점거리 차이를 보정하는 초점거리보정부(400)를 추가로 포함할 수 있다.2 to 5, the vision inspection module 50 may include a focal length adjusting unit 50 installed in the optical system for correcting a focal length difference between the first optical path L1 and the second optical path L2, And may further include a correction unit 400.

상기 초점거리보정부(400)는, 제1광경로(L1) 및 제2광경로(L2)를 거쳐 획득되므로 광경로의 경로차로 인하여 초점거리가 서로 달라지는 것을 보정하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.Since the focal length correcting unit 400 is obtained through the first optical path L1 and the second optical path L2, various configurations are possible as the configuration for correcting the focal distances from being different due to the path difference of the optical path .

일예로서, 상기 초점거리보정부(400)는, 해당 광경로(L1, L2)에 설치되어 광투과가 가능한 투명재질을 가지는 매질부(410)를 포함할 수 있다.For example, the focal length correcting unit 400 may include a medium portion 410 having a transparent material, which is provided on the optical paths L1 and L2 and is capable of transmitting light.

상기 매질부(410)는, 해당 광경로(L1, L2)에 설치되어 초점거리를 보정하기 위한 구성으로서, 투명유리, 석영 등 광경로(L1, L2) 상에 설치되어 굴절률 상의 차이로 초점거리를 보정하는 구성이다.The medium portion 410 is provided on the optical paths L1 and L2 to correct the focal length and is provided on the optical paths L1 and L2 such as transparent glass and quartz, .

특히 상기 매질부(410)는, 제1광경로(L1) 및 제2광경로(L2) 중 제2광경로(L2)에 설치됨이 바람직하다.Particularly, the medium portion 410 is preferably provided on the second optical path L2 of the first optical path L1 and the second optical path L2.

여기서 상기 매질부(410)는, 광경로를 기준으로 광의 입사면 및 투과면은 광경로와 수직인 평면을 이루며 미리 설정된 두께를 가지는 원기둥, 다각기둥 등 기둥 형상을 가진다. Here, the medium portion 410 has a columnar shape such as a cylinder, a polygonal column, and the like, which have a predetermined thickness and form a plane perpendicular to the optical path, with respect to the optical path.

이때, 상기 제2광경로(L2) 방향의 매질부(410)의 두께(t)는, 도 6 및 다음 식에 의하여 산출된다.At this time, the thickness t of the medium portion 410 in the direction of the second optical path L2 is calculated according to FIG. 6 and the following equation.

t= (1-1/n)/A1-A2 (여기서 t는 광경로 방향으로의 매질의 두께, n은 매질의 굴절율, A1 제1평면에 대한 이미지획득을 위한 작업거리, A2는 측면에 대한 이미지획득을 위한 작업거리이다)t = (1-1 / n) / A 1 -A 2 where t is the thickness of the medium in the optical path direction, n is the refractive index of the medium, A 1 is the working distance for image acquisition on the first plane, A 2 Is the working distance for image acquisition on the side)

한편 상기 매질부(410)는, 미세한 오차가 있는 경우 그 측정결과에 영향을 줄 수 있는바, 정밀한 설치가 중요하며, 이를 위하여, 초점거리보정부(400)는, 구조물(520)에 탈착가능하게 결합되며 매질부(410)가 탈착가능하게 설치되는 프레임부(420)를 포함할 수 있다.On the other hand, if there is a slight error, the medium portion 410 may affect the measurement result. Therefore, it is important to precisely install the medium portion 410. To this end, the focal length correcting portion 400 may be detachably attached to the structure 520 And a frame portion 420 to which the medium portion 410 is detachably installed.

상기 구조물(520)은, 장치, 즉 소자검사시스템에 설치되어 매질부(410)를 지지하기 위한 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The structure 520 may have various configurations as a structure for supporting the medium portion 410 installed in the device, that is, the device inspection system.

상기 프레임부(420)는, 구조물(520)에 탈착가능하게 결합되며 매질부(410)가 탈착가능하게 설치되는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The frame part 420 is detachably coupled to the structure 520, and the medium part 410 is detachably installed, and various configurations are possible.

예로서, 상기 프레임부(420)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1광경로(L1)에는 광투과 가능하도록 빈공간(429)을 형성하고, 제2광경로(L2)에 대응되는 부분에서 매질부(413)가 설치될 수 있도록 복수의 프레임부재(421, 422)들에 의하여 구성될 수 있다.3, the frame portion 420 may include an empty space 429 so as to be optically transmissive to the first optical path L1 and a second space 429 corresponding to the second optical path L2 And may be constituted by a plurality of frame members 421 and 422 so that the medium portion 413 can be installed.

또한, 상기 프레임부(420)는, 구조물(520)에 대하여 자력에 의하여 탈착가능하게 결합될 수 있으며, 이를 위하여 프레임부(420) 및 구조물(520) 중 적어도 어느 하나에는 하나 이상의 자석(424, 524)이 설치될 수 있다.The frame part 420 may be detachably coupled to the structure 520 by a magnetic force and at least one of the frame part 420 and the structure 520 may have one or more magnets 424, 524 may be installed.

한편 상기 초점거리보정부(400)는, 광학계와 조합되어 다양하게 배치될 수 있다.Meanwhile, the focal length correcting unit 400 may be variously arranged in combination with an optical system.

예로서, 상기 초점거리보정부(400)는, 도 2 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제2광경로(L2) 중 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면 및 상기 주반사부재(211)의 사이, 및 상기 제2광경로(L2) 중 상기 주반사부재(211) 및 상기 단일이미지획득부(100) 사이 중 적어도 어느 하나에 설치될 수 있다.2 and 5, the focal length correcting unit 400 may be configured to include, on each side of the polygonal sides of the semiconductor element 1 of the second optical path L2, Or between the main reflecting member 211 and the single image obtaining unit 100 among the first optical path 211 and the second optical path L2.

그리고, 상기 초점거리보정부(400)는, 제2광경로(L2) 중 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면 및 상기 주반사부재(211)의 사이에 설치될 때, 초점거리보정부(400)는, 보조반사부재(311)와 일체로 형성될 수 있다.When the focal length correcting unit 400 is installed between the side surfaces of the polygonal sides of the semiconductor device 1 and the main reflecting member 211 in the second optical path L2, (400) may be integrally formed with the auxiliary reflecting member (311).

상기와 같은 초점거리보정부(400)의 설치에 의하여, 광경로의 경로차로 인하여 초점거리가 서로 달라 단일의 이미지획득장치, 즉 카메라에 의하여 이미지가 획득될 때 제1평면이미지 및 측면이미지들 중 어느 한쪽에 대한 초점이 맞지 않아 흐릿하게 되는 문제점을 해결할 수 있다.By the installation of the focal length correcting unit 400 as described above, the focal lengths are different from each other due to the path difference of the optical path, so that a single image acquiring device, that is, It is possible to solve the problem that the focus is not focused on either one and the blurring occurs.

상기 제1이송툴(61)은, 제1가이드레일(68)을 따라서 이동되도록 제1가이드레일(68)과 결합되며 비전검사를 수행하기 위하여 로딩부(10)로부터 비전검사모듈(50)로 소자를 픽업하여 이송하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The first transfer tool 61 is coupled with the first guide rail 68 to be moved along the first guide rail 68 and is moved from the loading section 10 to the vision inspection module 50 Various configurations are possible as a configuration for picking up and transferring the device.

예로서, 상기 제1이송툴(61)은, 반도체소자(1)를 픽업하기 위한 하나 이상의 픽업툴(미도시)들을 포함하며, 픽업툴은 검사속도 등을 높이기 위하여 일렬 또는 복렬 등 복수개로 설치됨이 바람직하다.For example, the first transfer tool 61 includes at least one pick-up tool (not shown) for picking up the semiconductor element 1, and the pick-up tool is installed in a plurality of lines, .

상기 픽업툴은, 진공압에 의하여 반도체소자(1)를 픽업하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The pick-up tool can have various configurations as a configuration for picking up the semiconductor element 1 by the vacuum pressure.

상기 제1가이드레일(680)은, 로딩부(10)에서의 트레이(2) 이동방향과 수직으로 배치되어 후술하는 제1이송툴(61)을 지지함과 아울러 그 이동을 가이드하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The first guide rail 680 is arranged perpendicular to the moving direction of the tray 2 in the loading section 10 and supports a first conveying tool 61 to be described later, Configuration is possible.

상기 언로딩부(31, 32, 33)는, 로딩부(10)에서 비전검사를 마친 반도체소자(1)들이 담긴 트레이(2)들을 전달받아 비전검사결과에 따라서 해당 트레이(2)에 반도체소자(1)들을 분류하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The unloading units 31, 32 and 33 receive the trays 2 containing the semiconductor devices 1 which have undergone the vision inspection in the loading unit 10 and receive the semiconductor devices 1 in the tray 2, (1).

상기 언로딩부(31, 32, 33)는 로딩부(10)와 유사한 구성을 가지며, 반도체소자(1)의 검사결과의 수에 따라서 양품(G), 불량1 또는 이상1(R1), 불량2 또는 이상2(R2) 등의 분류등급이 부여되도록 구성됨이 바람직하다.The unloading portions 31, 32 and 33 have a configuration similar to that of the loading portion 10 and are provided with good products G, defective 1 or more 1 (R1) 2 or more and 2 (R2) or the like.

그리고 상기 언로딩부(31, 32, 33)는, 로딩부(10)의 일측에 평행하게 설치되는 가이드부(미도시)와, 트레이(2)가 가이드부를 따라서 이동시키기 위한 구동부(미도시)를 포함하는 언로딩트레이부들이 평행하게 복수개로 설치될 수 있다.The unloading units 31, 32 and 33 include a guide unit (not shown) installed parallel to one side of the loading unit 10 and a driving unit (not shown) for moving the tray 2 along the guide unit. A plurality of unloading tray portions including a plurality of unloading tray portions may be installed in parallel.

한편 상기 트레이(2)는 로딩부(10) 및 상기 언로딩부(31, 32, 33)들 사이에서 서로 트레이이송장치(미도시)에 의하여 이송이 가능하며, 상기 언로딩부(31, 32, 33)에 반도체소자(1)가 적재되지 않은 빈 트레이(2)를 공급하는 빈트레이부(200)를 추가적으로 포함할 수 있다.Meanwhile, the tray 2 can be transported by a tray transfer device (not shown) between the loading section 10 and the unloading sections 31, 32 and 33, and the unloading sections 31 and 32 And an empty tray unit 200 for supplying empty trays 2 on which semiconductor elements 1 are not mounted.

이때 상기 빈트레이부(200)는 로딩부(10)의 일측에 평행하게 설치되는 가이드부(미도시)와, 트레이(2)가 가이드부를 따라서 이동시키기 위한 구동부(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다.At this time, the empty tray unit 200 includes a guide unit (not shown) installed parallel to one side of the loading unit 10 and a driving unit (not shown) for moving the tray 2 along the guide unit .

또한 상기 언로딩부(31, 32, 33)에는, 각 언로딩트레이부 사이에서 각 언로딩트레이부의 분류등급에 따라서 반도체소자(1)를 이송하기 위한 소팅툴(62)이 별도로 설치될 수 있다.In addition, a sorting tool 62 for transferring the semiconductor element 1 may be separately installed in each of the unloading sections 31, 32, and 33 in accordance with the classification class of each unloading tray section between the unloading tray sections .

상기 소팅툴(62)은 앞서 설명한 제1이송툴(61)과 동일하거나 유사한 구성을 가지며 복렬구조 또는 일렬구조를 가질 수 있다.The sorting tool 62 has the same or similar structure as the first transfer tool 61 described above and may have a series structure or a linear structure.

한편 상기 언로딩부(31, 32, 33)는, 로딩부(10)에서 로딩되는 트레이(2)에 다시 적재된 상태로 언로딩되는 실시예를 들어 설명하였으나, 반도체소자(1)가 담기는 포켓이 형성된 캐리어테이프에 적재시켜 언로딩하는, 소위 테이프 엔 릴 모듈을 포함하는 등 반도체소자(1)를 담아 언로딩할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.Although the unloading units 31, 32, and 33 are unloaded in a state of being loaded on the tray 2 loaded in the loading unit 10, the unloading units 31, 32, Any structure can be adopted as long as the semiconductor device 1 can be unloaded by being loaded with a carrier tape on which pockets are formed and unloaded.

한편 본 발명은, 비전검사모듈, 특히 광경로상에 초검거리보상부가 설치된 구성에 특징이 있는바, 제시된 소자검사시스템의 구성은 일 실시예로서, 본 발명에 따른 비전검사모듈은 본 발명의 실시예에 따른 소자검사시스템에 설치되는 것으로 한정되는 것이 아님은 물론이다.In the meantime, the present invention is characterized by a configuration in which a vision inspection module, in particular, a configuration in which a sifting distance compensation section is provided on an optical path, is provided as one embodiment, and the vision inspection module according to the present invention includes It is needless to say that the present invention is not limited to being installed in the device inspection system according to the example.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예들에만 한정되는 것이 아니며, 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경될 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims.

1 : 반도체 소자
50 : 비전검사모듈 100 : 단일이미지획득부1: Semiconductor device
50: vision check module 100: single image acquiring unit

Claims (14)

평면형상이 다각형인 반도체소자(1)의 비전검사를 수행하는 비전검사모듈(50)로서,
상기 반도체소자(1)의 제1평면에 대한 제1평면이미지 및 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 측면들에 대한 측면이미지들을 획득하는 단일이미지획득부(100)와,
상기 반도체소자(1)의 제1평면에 대한 제1평면이미지가 상기 단일이미지획득부(100)에 도달하도록 하는 제1광경로(L1)와, 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 측면들에 대한 측면이미지들 각각을 상기 단일이미지획득부(100)에 도달하도록 하는 복수의 제2광경로(L2)들을 형성하는 광학계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비전검사모듈(50).A vision inspection module (50) for performing a vision inspection of a semiconductor element (1) having a polygonal plane shape,
A single image acquiring section (100) for acquiring a first plane image of a first plane of the semiconductor element (1) and side images of sides of the polygonal sides of the semiconductor element (1)
A first optical path L1 for allowing a first plane image of the semiconductor element 1 to reach the single image acquiring section 100 and a second optical path L1 for guiding the side surfaces of the polygonal sides of the semiconductor element 1, And an optical system for forming a plurality of second optical paths (L2) for allowing each of the side images for the single image acquisition unit (100) to reach the single image acquisition unit (100). 청구항 1에 있어서,
상기 광학계에 설치되어 상기 제1광경로(L1) 및 상기 제2광경로(L2)의 초점거리 차이를 보정하는 초점거리보정부(400)를 추가로 포함하는 비전검사모듈(50).The method according to claim 1,
The vision inspection module (50) further includes a focal length correcting unit (400) installed in the optical system to correct a focal length difference between the first optical path (L1) and the second optical path (L2). 청구항 2에 있어서,
상기 초점거리보정부(400)는, 해당 광경로(L1, L2)에 설치되어 광투과가 가능한 투명재질을 가지는 매질부(410)를 포함하는 것을 특징으로 하는 비전검사모듈(50).The method of claim 2,
The vision inspection module (50) according to any one of the preceding claims, wherein the focal length correction unit (400) includes a medium portion (410) having a transparent material that is installed in the optical paths (L1, L2) and is capable of transmitting light. 청구항 2에 있어서,
상기 초점거리보정부(400)는, 구조물(520)에 탈착가능하게 결합되며 상기 매질부(410)가 탈착가능하게 설치되는 프레임부(420)를 포함하는 것을 특징으로 비전검사모듈(50).The method of claim 2,
Wherein the focal length correcting unit 400 includes a frame unit 420 detachably attached to the structure 520 and having the medium unit 410 detachably installed therein. 청구항 4에 있어서,
상기 프레임부(420)는, 상기 구조물(520)에 대하여 자력에 의하여 탈착가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 비전검사모듈(50).The method of claim 4,
Wherein the frame part (420) is detachably coupled to the structure (520) by a magnetic force. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 광학계는,
상기 제1평면에 대한 제1평면이미지를 상기 단일이미지획득부(100)를 향하도록 반사시키는 주반사부재(211)와,
상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면에 대응되어 설치되어 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면에 대한 측면이미지를 상기 주반사부재(211)로 향하도록 반사시키는 보조반사부재(311)를 포함하는 것을 특징으로 하는 비전검사모듈(50).The method according to any one of claims 1 to 5,
The optical system includes:
A main reflecting member 211 for reflecting the first plane image of the first plane toward the single image obtaining unit 100,
An auxiliary reflecting member provided corresponding to each side of the polygonal sides of the semiconductor element 1 to reflect a side image of each side of the polygonal sides of the semiconductor element 1 toward the main reflecting member 211 311). ≪ / RTI > 청구항 6에 있어서,
상기 주반사부재(211)는, 광이 투과할 수 있는 반투과재질을 가지며,
상기 제1평면이미지를 반사시키는 반사면의 이면에서 상기 제1평면 및 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면에 광을 조사하는 조명계(540)를 포함하는 것을 특징으로 하는 비전검사모듈(50).The method of claim 6,
The main reflecting member 211 has a semitransparent material through which light can pass,
And an illumination system (540) for illuminating the first plane and each side of the polygonal sides of the semiconductor element (1) at the back surface of the reflection surface reflecting the first plane image (540) 50). 청구항 7에 있어서,
상기 초점거리보정부(400)는, 상기 제2광경로(L2) 중 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면 및 상기 주반사부재(211)의 사이, 및 상기 제2광경로(L2) 중 상기 주반사부재(211) 및 상기 단일이미지획득부(100) 사이 중 적어도 어느 하나에 설치된 것을 특징으로 하는 비전검사모듈(50).The method of claim 7,
The focal length correcting unit 400 corrects the focal length of the first optical path L2 between each side of the polygonal sides of the semiconductor device 1 and the main reflecting member 211 among the second optical path L2, ) Is installed in at least one of the main reflecting member (211) and the single image obtaining unit (100). 청구항 7에 있어서,
상기 초점거리보정부(400)는, 상기 제2광경로(L2) 중 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면 및 상기 주반사부재(211)의 사이에 설치되며,
상기 초점거리보정부(400)는, 상기 보조반사부재(311)와 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 비점검사모듈(1).The method of claim 7,
The focal length correcting unit 400 is installed between each side of the polygonal sides of the semiconductor element 1 of the second optical path L2 and the main reflecting member 211,
Wherein the focal length correcting unit (400) is formed integrally with the auxiliary reflecting member (311). 복수의 반도체소자(1)들이 담긴 트레이(2)가 로딩되어 선형이동시키는 로딩부(10)와;
상기 로딩부(10) 내의 트레이(2)의 이송방향과 수직을 이루어 상기 로딩부(10)의 일측에 설치되어 반도체소자(1)에 대한 비전검사를 수행하는 비전검사모듈(50)과;
상기 로딩부(10)에서의 트레이(2) 이동방향과 수직으로 배치된 제1가이드레일(68)과;
상기 제1가이드레일(68)을 따라서 이동되도록 상기 제1가이드레일(68)과 결합되며 비전검사를 수행하기 위하여 상기 로딩부(10)로부터 상기 비전검사모듈(50)로 소자를 픽업하여 이송하는 제1이송툴(61)과;
상기 로딩부(10)에서 비전검사를 마친 반도체소자(1)들이 담긴 트레이(2)들을 전달받아 비전검사결과에 따라서 해당 트레이(2)에 반도체소자(1)들을 분류하는 언로딩부(31, 32, 33)를 포함하며,
상기 비전검사모듈(50)은, 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 따른 비전검사모듈인 것을 특징으로 하는 소자검사시스템.A loading section (10) for loading and linearly moving the tray (2) containing a plurality of semiconductor elements (1);
A vision inspection module 50 mounted on one side of the loading unit 10 perpendicular to a conveying direction of the tray 2 in the loading unit 10 to perform a vision inspection of the semiconductor device 1;
A first guide rail 68 disposed perpendicular to a moving direction of the tray 2 in the loading section 10;
Is coupled with the first guide rail (68) to move along the first guide rail (68) and picks up and transports the device from the loading unit (10) to the vision inspection module (50) A first transfer tool (61);
An unloading unit 31 for sorting the semiconductor devices 1 in the tray 2 according to a result of the vision inspection by receiving the trays 2 containing the semiconductor devices 1 having undergone the vision inspection in the loading unit 10, 32, and 33,
The vision inspection module (50) is a vision inspection module according to any one of claims 1 to 5. 청구항 10에 있어서,
상기 광학계는,
상기 제1평면에 대한 제1평면이미지를 상기 단일이미지획득부(100)를 향하도록 반사시키는 주반사부재(211)와,
상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면에 대응되어 설치되어 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면에 대한 측면이미지를 상기 주반사부재(211)로 향하도록 반사시키는 보조반사부재(311)를 포함하는 것을 특징으로 하는 소자검사시스템.The method of claim 10,
The optical system includes:
A main reflecting member 211 for reflecting the first plane image of the first plane toward the single image obtaining unit 100,
An auxiliary reflecting member provided corresponding to each side of the polygonal sides of the semiconductor element 1 to reflect a side image of each side of the polygonal sides of the semiconductor element 1 toward the main reflecting member 211 311). ≪ / RTI > 청구항 11에 있어서,
상기 주반사부재(211)는, 광이 투과할 수 있는 반투과재질을 가지며,
상기 제1평면이미지를 반사시키는 반사면의 이면에서 상기 제1평면 및 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면에 광을 조사하는 조명계(540)를 포함하는 것을 특징으로 하는 소자검사시스템.The method of claim 11,
The main reflecting member 211 has a semitransparent material through which light can pass,
And an illumination system (540) for irradiating light on the first plane and each side of the polygonal sides of the semiconductor element (1) at the back surface of the reflection surface reflecting the first plane image. 청구항 12에 있어서,
상기 초점거리보정부(400)는, 상기 제2광경로(L2) 중 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면 및 상기 주반사부재(211)의 사이, 및 상기 제2광경로(L2) 중 상기 주반사부재(211) 및 상기 단일이미지획득부(100) 사이 중 적어도 어느 하나에 설치된 것을 특징으로 하는 소자검사시스템.The method of claim 12,
The focal length correcting unit 400 corrects the focal length of the first optical path L2 between each side of the polygonal sides of the semiconductor device 1 and the main reflecting member 211 among the second optical path L2, ) Between the main reflecting member (211) and the single image obtaining unit (100). 청구항 12에 있어서,
상기 초점거리보정부(400)는, 상기 제2광경로(L2) 중 상기 반도체소자(1)의 다각형 변들의 각 측면 및 상기 주반사부재(211)의 사이에 설치되며,
상기 초점거리보정부(400)는, 상기 보조반사부재(311)와 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 소자검사시스템.The method of claim 12,
The focal length correcting unit 400 is installed between each side of the polygonal sides of the semiconductor element 1 of the second optical path L2 and the main reflecting member 211,
Wherein the focal length correcting unit (400) is formed integrally with the auxiliary reflecting member (311).
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