KR20170021746A - Curable composition, method for forming pattern and method for producing device - Google Patents
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Abstract
잉크젯 토출성이 우수하며, 강도 및 에칭 내성이 우수한 패턴을 형성 가능한 경화성 조성물, 패턴 형성 방법 및 디바이스의 제조 방법을 제공한다. 이 경화성 조성물은, (메타)아크릴레이트 모노머A1과, 지방족 축합환 구조, 지방족 가교환 구조 및 지방족 가교 축합환 구조에서 선택되는 적어도 1종의 구조를 갖는 2관능 이상의 (메타)아크릴레이트 모노머A2와, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트 모노머A3과, 광중합개시제를 포함하고, A1과 A2와 A3과의 합계 질량이, 경화성 조성물의 전 질량의 70질량% 이상이고, A2의 100질량부에 대해 A1을 40∼130질량부 함유하고, A2의 100질량부에 대해 A3을 5∼65질량부 함유하고, 경화성 조성물의 23℃에 있어서의 점도가 25m㎩·s 이하이다.A curable composition which is excellent in ink jet discharge property and can form a pattern having excellent strength and etching resistance, a pattern forming method, and a manufacturing method of a device. The curable composition comprises a (meth) acrylate monomer A1 and a bifunctional or more (meth) acrylate monomer A2 having at least one structure selected from an aliphatic condensed ring structure, an aliphatic crosslinked ring structure and an aliphatic crosslinked condensed ring structure, , A trifunctional or more (meth) acrylate monomer A3 and a photopolymerization initiator, wherein the total mass of A1, A2 and A3 is 70 mass% or more of the total mass of the curable composition, A1 Is contained in an amount of from 5 to 65 parts by mass based on 100 parts by mass of A2, and the viscosity of the curable composition at 23 캜 is 25 mPa · s or less.
Description
본 발명은, 경화성 조성물, 패턴 형성 방법 및 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a curable composition, a pattern forming method and a device manufacturing method.
임프린트법은, 광디스크의 제작에서 알려져 있는 엠보스 기술을 발전시킨 것이며, 요철의 패턴을 형성한 몰드(일반적으로 스탬퍼, 템플레이트라고도 불림)의 미세 패턴을 정밀하게 전사하는 기술이다. 몰드를 한번 제작하면, 나노 구조 등의 미세 구조를 간단하게 반복 성형할 수 있기 때문에 경제적이며, 근년, 다양한 분야에의 응용이 기대되고 있다.The imprint method develops an embossing technique known in the manufacture of an optical disc, and is a technique for precisely transferring a fine pattern of a mold (generally called a stamper or a template) having a concavo-convex pattern formed thereon. When a mold is once fabricated, the microstructure such as a nanostructure can be simply and repeatedly molded, which is economical, and application in various fields is expected in recent years.
임프린트법으로서, 예를 들면, 광경화성 조성물을 사용하는 광 임프린트법이 제안되어 있다. 광 임프린트법은, 광투과성 몰드나 광투과성 기판을 통해 광을 조사해서 광경화성 조성물을 경화시킨 후, 몰드를 박리함으로써 미세 패턴을 광경화물에 전사하는 방법이다. 이 방법은, 실온에서의 임프린트가 가능해지기 때문에, 고밀도 반도체 집적 회로, 액정 디스플레이의 트랜지스터, 보호막 등의 형성에의 적용이 시도되고 있다.As the imprint method, for example, an optical imprint method using a photo-curable composition has been proposed. The optical imprint method is a method of transferring a fine pattern to a light cured product by curing the photo-curable composition by irradiating light through a light-transmissive mold or a light-transmissible substrate and then peeling the mold. This method can be imprinted at room temperature, and therefore, application to the formation of a high-density semiconductor integrated circuit, a transistor of a liquid crystal display, a protective film, and the like is attempted.
특허문헌 1에는, 환상 구조를 포함하는 (메타)아크릴레이트 모노머 및/또는 올리고머와 광중합개시제를 포함하는 경화성 조성물을 사용해서 임프린트를 행하는 것이 기재되어 있다.Patent Document 1 describes that imprinting is carried out by using a curable composition comprising a (meth) acrylate monomer and / or an oligomer containing a cyclic structure and a photopolymerization initiator.
특허문헌 2에는, 특정의 비닐 화합물의 공중합체와, 아크릴로일옥시기 또는 메타크릴로일옥시기를 1개 이상 갖는 화합물과, 광중합개시제를 포함하는 경화성 조성물을 사용해서 임프린트를 행하는 것이 기재되어 있다.Patent Document 2 discloses imprinting using a curable composition comprising a copolymer of a specific vinyl compound, a compound having at least one acryloyloxy group or methacryloyloxy group, and a photopolymerization initiator.
임프린트용 경화성 조성물을 기판 상이나 몰드 상에 도포하는 방법의 하나로서, 잉크젯법이 있다. 잉크젯법은, 패턴의 조밀에 따라서 경화성 조성물의 도포량을 조정할 수 있기 때문에, 잔막의 두께 불균일을 저감할 수 있어, 에칭 가공에 있어서의 패턴 전사성이 우수한 이점이 있다. 또한, 스핀 코팅법에 비해서, 재료의 이용 효율이 높아, 생산 코스트 저감이나 환경 부하 저감의 이점도 있다.As a method of applying the curable composition for imprint on a substrate or a mold, there is an inkjet method. The inkjet method has an advantage of being able to reduce the thickness irregularity of the remaining film and to improve the pattern transfer property in the etching process because the coating amount of the curable composition can be adjusted in accordance with the density of the pattern. Further, as compared with the spin coating method, the utilization efficiency of the material is high, and there is also an advantage of reducing the production cost and reducing the environmental load.
또한, 임프린트법에 의해 형성한 패턴을 마스크로 해서 기재를 에칭 가공하는 것이 있다. 임프린트법으로 형성한 패턴을 이러한 용도에 적용할 경우, 에칭 내성이 양호하며, 강도가 우수한 패턴을 형성 가능한 조성물이 요구되고 있다.There is also a method in which a substrate is etched using a pattern formed by the imprint method as a mask. When a pattern formed by the imprint method is applied to such a use, there is a demand for a composition capable of forming a pattern having good etching resistance and excellent strength.
이렇게, 근년에 있어서는, 임프린트용의 경화성 조성물은, 잉크젯 토출성이 양호하며, 또한, 에칭 내성 및 강도가 우수한 패턴을 형성 가능한 조성물의 개발이 요망되고 있다.Thus, in recent years, it has been desired to develop a composition capable of forming a pattern having good ink-jet discharge property and excellent in etching resistance and strength, in the curable composition for imprint.
본 발명자가, 특허문헌 1, 2에 기재된 경화성 조성물에 대하여 검토한 바, 경화성 조성물의 잉크젯 토출성과, 패턴의 에칭 내성 및 강도를 병립시키는 것이 곤란한 것을 알 수 있었다.The inventors of the present invention have studied the curable compositions described in Patent Documents 1 and 2, and found that it is difficult to link the inkjet ejectability of the curable composition with the etching resistance and strength of the pattern.
따라서, 본 발명의 목적은, 잉크젯 토출성이 양호하며, 에칭 내성 및 강도가 우수한 패턴을 형성 가능한 경화성 조성물, 패턴 형성 방법 및 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a curable composition, a pattern forming method, and a device manufacturing method which can form a pattern having good ink-jet dischargeability and excellent etching resistance and strength.
이러한 상황을 기초로 본 발명자가 예의 검토를 행한 결과, 단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머A1과, 지방족 축합환 구조, 지방족 가교환 구조 및 지방족 가교 축합환 구조에서 선택되는 적어도 1종의 구조를 갖는 2관능 이상의 (메타)아크릴레이트 모노머A2와, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트 모노머A3을 후술하는 특정의 비율로 함유하며, 또한, 23℃에 있어서의 점도가 25m㎩·s 이하인 경화성 조성물을 사용함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있는 것을 알아내, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다. 본 발명은, 이하를 제공한다.Based on such a situation, the inventors of the present invention have conducted intensive studies and have found that (A) a monofunctional (meth) acrylate monomer A1 and at least one structure selected from an aliphatic condensed ring structure, an aliphatic crosslinked ring structure and an aliphatic crosslinked condensed ring structure (Meth) acrylate monomer A2 having a bifunctionality or more and a trifunctional or more (meth) acrylate monomer A3 at a specific ratio described below, and having a viscosity at 25 DEG C of 25 mPa.s or less at 23 DEG C The present invention has been accomplished on the basis of the finding that the above object can be achieved by using the above- The present invention provides the following.
<1> 단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머A1과,(1) a monofunctional (meth) acrylate monomer A1,
지방족 축합환 구조, 지방족 가교환 구조 및 지방족 가교 축합환 구조에서 선택되는 적어도 1종의 구조를 갖는 2관능 이상의 (메타)아크릴레이트 모노머A2와,(Meth) acrylate monomer A2 having at least one structure selected from an aliphatic condensed ring structure, an aliphatic crosslinked ring structure and an aliphatic crosslinked condensed ring structure,
(메타)아크릴레이트 모노머A2 이외의 다관능 (메타)아크릴레이트 모노머로서, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트 모노머A3과,(Meth) acrylate monomer A2, a trifunctional or more (meth) acrylate monomer A3 and a polyfunctional (meth)
광중합개시제Photopolymerization initiator
를 포함하는 경화성 조성물이며, 또한,Wherein the curable composition is a curable composition,
(메타)아크릴레이트 모노머A1과, (메타)아크릴레이트 모노머A2와, (메타)아크릴레이트 모노머A3과의 합계 질량이, 경화성 조성물의 전 질량의 70질량% 이상이고,(Meth) acrylate monomer A1, the (meth) acrylate monomer A2, and the (meth) acrylate monomer A3 is at least 70 mass% of the total mass of the curable composition,
(메타)아크릴레이트 모노머A2의 100질량부에 대해, (메타)아크릴레이트 모노머A1을 40∼130질량부 함유하고,(Meth) acrylate monomer A2 is contained in an amount of 40 to 130 parts by mass relative to 100 parts by mass of the (meth) acrylate monomer A2,
(메타)아크릴레이트 모노머A2의 100질량부에 대해, (메타)아크릴레이트 모노머A3을 5∼65질량부 함유하고,(Meth) acrylate monomer A3 is contained in an amount of 5 to 65 parts by mass relative to 100 parts by mass of the (meth) acrylate monomer A2,
경화성 조성물의 23℃에 있어서의 점도가 25m㎩·s 이하인 경화성 조성물.Wherein the curable composition has a viscosity at 23 캜 of 25 mPa s or less.
<2> (메타)아크릴레이트 모노머A2의 100질량부에 대해, (메타)아크릴레이트 모노머A1을 40∼100질량부 함유하는, <1>에 기재된 경화성 조성물.<2> The curable composition according to <1>, which contains 40 to 100 parts by mass of (meth) acrylate monomer A1 relative to 100 parts by mass of the (meth) acrylate monomer A2.
<3> (메타)아크릴레이트 모노머A2의 100질량부에 대해, (메타)아크릴레이트 모노머A3을 5∼30질량부 함유하는, <1> 또는 <2>에 기재된 경화성 조성물.<3> The curable composition according to <1> or <2>, which contains 5 to 30 parts by mass of (meth) acrylate monomer A3 relative to 100 parts by mass of the (meth) acrylate monomer A2.
<4> (메타)아크릴레이트 모노머A2를, 경화성 조성물의 전 질량의 30∼60질량% 함유하는, <1>∼<3> 중 어느 하나에 기재된 경화성 조성물.<4> The curable composition according to any one of <1> to <3>, wherein the (meth) acrylate monomer A2 contains 30 to 60 mass% of the total mass of the curable composition.
<5> (메타)아크릴레이트 모노머A1은, 환상 구조를 갖는 단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머를 포함하는, <1>∼<4> 중 어느 하나에 기재된 경화성 조성물.<5> The curable composition according to any one of <1> to <4>, wherein the (meth) acrylate monomer A1 comprises a monofunctional (meth) acrylate monomer having a cyclic structure.
<6> (메타)아크릴레이트 모노머A1은, 환상 구조를 갖는 단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머를, (메타)아크릴레이트 모노머A1의 전 질량에 대해서, 50∼100질량% 함유하는, <1>∼<5> 중 어느 하나에 기재된 경화성 조성물.<6> The (meth) acrylate monomer A1 is a monomer having a cyclic structure in which a monofunctional (meth) acrylate monomer is contained in an amount of 50 to 100 mass% based on the total mass of the (meth) acrylate monomer A1 The curable composition according to any one of < 5 > to < 5 >.
<7> (메타)아크릴레이트 모노머A2가, 지방족 가교환 구조 및 지방족 가교 축합환 구조에서 선택되는 적어도 1종의 구조를 갖는, <1>∼<6> 중 어느 하나에 기재된 경화성 조성물.<7> The curable composition according to any one of <1> to <6>, wherein the (meth) acrylate monomer A2 has at least one structure selected from an aliphatic crosslinked ring structure and an aliphatic crosslinked condensed ring structure.
<8> (메타)아크릴레이트 모노머A2가, 지방족 가교 축합환 구조를 갖는, <1>∼<7> 중 어느 하나에 기재된 경화성 조성물.<8> The curable composition according to any one of <1> to <7>, wherein the (meth) acrylate monomer A2 has an aliphatic crosslinked condensed ring structure.
<9> (메타)아크릴레이트 모노머A2가, 비시클로환 또는 트리시클로환을 포함하는 지방족 가교 축합환 구조를 갖는, <1>∼<8> 중 어느 하나에 기재된 경화성 조성물.<9> The curable composition according to any one of <1> to <8>, wherein the (meth) acrylate monomer A2 has an aliphatic crosslinked condensed ring structure including a bicyclo ring or a tricyclo ring.
<10> (메타)아크릴레이트 모노머A2가, 트리시클로데칸디메탄올디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐디(메타)아크릴레이트 및 디시클로펜테닐디(메타)아크릴레이트에서 선택되는 적어도 1종인, <1>∼<9> 중 어느 하나에 기재된 경화성 조성물.<10> The positive resist composition according to any one of <1> to <10>, wherein the (meth) acrylate monomer A2 is at least one selected from tricyclodecane dimethanol di (meth) acrylate, dicyclopentanyl di (meth) acrylate and dicyclopentenyl (meth) The curable composition according to any one of < 1 > to < 9 >.
<11> (메타)아크릴레이트 모노머A3이, 쇄상 지방족 (메타)아크릴레이트 모노머인, <1>∼<10> 중 어느 하나에 기재된 경화성 조성물.<11> The curable composition according to any one of <1> to <10>, wherein the (meth) acrylate monomer A3 is a chain aliphatic (meth) acrylate monomer.
<12> 추가로, 이형제를 포함하는, <1>∼<11> 중 어느 하나에 기재된 경화성 조성물.<12> The curable composition according to any one of <1> to <11>, further comprising a release agent.
<13> 이형제가, 실리콘 오일인, <12>에 기재된 경화성 조성물.<13> The curable composition according to <12>, wherein the mold release agent is a silicone oil.
<14> 잉크젯용인, <1>∼<13> 중 어느 하나에 기재된 경화성 조성물.<14> The curable composition according to any one of <1> to <13>, which is for an ink jet.
<15> 임프린트용인, <1>∼<14> 중 어느 하나에 기재된 경화성 조성물.<15> The curable composition according to any one of <1> to <14>, which is for imprinting.
<16> <1>∼<15> 중 어느 하나에 기재된 경화성 조성물을, 기재 상 또는 패턴을 갖는 몰드 상에 도포하는 공정과, 경화성 조성물을 몰드와 기재로 협지(挾持)하는 공정과, 경화성 조성물을 몰드와 기재로 협지한 상태에서 광조사해서, 경화성 조성물을 경화시키는 공정과, 몰드를 박리하는 공정을 포함하는 패턴 형성 방법.<16> A process for producing a curable composition, comprising the steps of: applying the curable composition according to any one of <1> to <15> on a mold having a substrate or pattern; holding the curable composition between the mold and the substrate; A step of curing the curable composition by irradiating light in a state sandwiched between the mold and the substrate, and a step of peeling the mold.
<17> 경화성 조성물을, 잉크젯법에 의해, 기재 상 또는 패턴을 갖는 몰드 상에 도포하는, <16>에 기재된 패턴 형성 방법.<17> A pattern forming method according to <16>, wherein the curable composition is applied onto a substrate or a mold having a pattern by an inkjet method.
<18> <16> 또는 <17>에 기재된 패턴 형성 방법으로 기재 상에 패턴을 형성하는 공정과, 형성한 패턴을 마스크로 해서, 기재를 에칭하는 공정을 포함하는 디바이스의 제조 방법.<18> A method of manufacturing a device, comprising: forming a pattern on a substrate by a pattern forming method according to <16> or <17>; and etching the substrate using the formed pattern as a mask.
본 발명에 따르면, 잉크젯 토출성이 양호하며, 에칭 내성 및 강도가 우수한 패턴을 형성 가능한 경화성 조성물, 패턴 형성 방법 및 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것이 가능해졌다.According to the present invention, it becomes possible to provide a curable composition, a pattern forming method, and a manufacturing method of a device which can form a pattern having good ink jet dischargeability and excellent etching resistance and strength.
이하에 있어서, 본 발명의 내용에 대하여 상세히 설명한다. 이하에 기재하는 구성 요건의 설명은, 본 발명의 대표적인 실시태양에 의거해서 행해지는 경우가 있지만, 본 발명은 그러한 실시태양으로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the contents of the present invention will be described in detail. The description of the constituent elements described below may be made based on representative embodiments of the present invention, but the present invention is not limited to such embodiments.
본 명세서에 있어서 「∼」란 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로 사용된다.In the present specification, " " is used to mean that the numerical values described before and after the lower limit and the upper limit are included.
본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴레이트」는, 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 나타내고, 「(메타)아크릴」은, 아크릴 및 메타크릴을 나타내고, 「(메타)아크릴로일」은, 아크릴로일 및 메타크릴로일을 나타낸다.In the present specification, the term "(meth) acrylate" refers to acrylate and methacrylate, "(meth) acryl" refers to acrylic and methacryl, "(meth) acryloyl" And methacryloyl.
본 명세서에 있어서 「임프린트」는, 바람직하게는, 1㎚∼10㎜ 사이즈의 패턴 전사를 말하며, 보다 바람직하게는, 10㎚∼100㎛ 사이즈(나노 임프린트)의 패턴 전사를 말한다.In the present specification, the term " imprint " refers to pattern transfer of a size of 1 nm to 10 mm, and more preferably, pattern transfer of a size of 10 nm to 100 m (nanoimprint).
본 명세서 중의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하고 있지 않은 표기는, 치환기를 갖지 않는 기와 함께 치환기를 갖는 기도 포함하는 것이다. 예를 들면, 「알킬기」란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.In the notation of the group (atomic group) in the present specification, the notation in which substitution and non-substitution are not described includes a group having a substituent and a group having a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (an unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).
본 명세서에 있어서, 「광」에는, 자외, 근자외, 원자외, 가시, 적외 등의 영역의 파장의 광이나, 전자파뿐만 아니라, 방사선도 포함된다. 방사선에는, 예를 들면 마이크로파, 전자선, 극단 자외선(EUV), X선이 포함된다. 또한 248㎚ 엑시머 레이저, 193㎚ 엑시머 레이저, 172㎚ 엑시머 레이저 등의 레이저광도 사용할 수 있다. 이들 광은, 광학 필터를 통한 모노크롬광(단일 파장광)을 사용해도 되고, 복수의 파장이 다른 광(복합광)이어도 된다.In the present specification, the term " light " includes not only electromagnetic waves but also radiation having wavelengths in the ultraviolet, extinction, non-atomic, visible, and infrared regions. Radiation includes, for example, microwave, electron beam, extreme ultraviolet (EUV), and X-ray. Further, a laser beam such as a 248 nm excimer laser, a 193 nm excimer laser, or a 172 nm excimer laser can also be used. These lights may be monochromatic light (single wavelength light) through an optical filter, or may be lights of different wavelengths (composite light).
본 명세서에 있어서, 고형분이란, 조성물의 전 조성에서 용제를 제외한 성분의 총질량을 말한다.In this specification, the solid content refers to the total mass of components excluding the solvent in the composition of the composition.
<경화성 조성물>≪ Curable composition >
본 발명의 경화성 조성물은,The curable composition of the present invention comprises
단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머A1과,Monofunctional (meth) acrylate monomers A1,
지방족 축합환 구조, 지방족 가교환 구조 및 지방족 가교 축합환 구조에서 선택되는 적어도 1종의 구조를 갖는 2관능 이상의 (메타)아크릴레이트 모노머A2와,(Meth) acrylate monomer A2 having at least one structure selected from an aliphatic condensed ring structure, an aliphatic crosslinked ring structure and an aliphatic crosslinked condensed ring structure,
(메타)아크릴레이트 모노머A2 이외의 다관능 (메타)아크릴레이트 모노머로서, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트 모노머A3과,(Meth) acrylate monomer A2, a trifunctional or more (meth) acrylate monomer A3 and a polyfunctional (meth)
광중합개시제Photopolymerization initiator
를 포함하는 경화성 조성물이며, 또한,Wherein the curable composition is a curable composition,
(메타)아크릴레이트 모노머A1과, (메타)아크릴레이트 모노머A2와, (메타)아크릴레이트 모노머A3과의 합계 질량이, 경화성 조성물의 전 질량의 70질량% 이상이고,(Meth) acrylate monomer A1, the (meth) acrylate monomer A2, and the (meth) acrylate monomer A3 is at least 70 mass% of the total mass of the curable composition,
(메타)아크릴레이트 모노머A2의 100질량부에 대해, (메타)아크릴레이트 모노머A1을 40∼130질량부 함유하고,(Meth) acrylate monomer A2 is contained in an amount of 40 to 130 parts by mass relative to 100 parts by mass of the (meth) acrylate monomer A2,
(메타)아크릴레이트 모노머A2의 100질량부에 대해, (메타)아크릴레이트 모노머A3을 5∼65질량부 함유하고,(Meth) acrylate monomer A3 is contained in an amount of 5 to 65 parts by mass relative to 100 parts by mass of the (meth) acrylate monomer A2,
경화성 조성물의 23℃에 있어서의 점도가 25m㎩·s 이하이다.The viscosity of the curable composition at 23 캜 is 25 mPa s or less.
상기 구성으로 함에 의해, 잉크젯 토출성이 양호하며, 에칭 내성 및 강도가 우수한 패턴을 형성 가능한 경화성 조성물을 제공하는 것이 가능해졌다. 이러한 효과는 이하에 의한 것임이라 추정된다.With the above configuration, it becomes possible to provide a curable composition which is capable of forming a pattern having good ink-jet dischargeability and excellent etching resistance and strength. This effect is presumed to be due to the following.
본 발명의 경화성 조성물은, 단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머A1을 포함하므로, 조성물의 점도를 저하할 수 있어, 잉크젯 토출성을 향상할 수 있다. 또한, 본 발명의 경화성 조성물은, 상기 (메타)아크릴레이트 모노머A2를 포함하므로, 경화막의 탄소 밀도를 높일 수 있어, 에칭 내성을 양호하게 할 수 있다. 또한, 본 발명의 경화성 조성물은, 상기 (메타)아크릴레이트 모노머A3을 포함하므로, 경화막의 가교 밀도를 높일 수 있어, 강도가 우수한 패턴을 형성할 수 있고, 패턴 쓰러짐 등을 억제할 수 있다. 그리고, 상기 (메타)아크릴레이트 모노머A1과, 상기 (메타)아크릴레이트 모노머A2와, 상기 (메타)아크릴레이트 모노머A3을, 상기 소정의 비율로 포함하며, 또한, 경화성 조성물의 23℃에 있어서의 점도를 25m㎩·s 이하로 함으로써, 양호한 잉크젯 토출성을 가지면서, 에칭 내성 및 강도가 우수한 패턴을 형성 가능한 경화성 조성물로 할 수 있었다.Since the curable composition of the present invention contains the monofunctional (meth) acrylate monomer A1, the viscosity of the composition can be lowered and the inkjet dischargeability can be improved. Further, since the curable composition of the present invention contains the above (meth) acrylate monomer A2, the carbon density of the cured film can be increased and the etching resistance can be improved. Further, since the curable composition of the present invention contains the above (meth) acrylate monomer A3, the cross-linking density of the cured film can be increased, and a pattern having excellent strength can be formed, and pattern collapse and the like can be suppressed. The (meth) acrylate monomer A1, the (meth) acrylate monomer A2, and the (meth) acrylate monomer A3 are contained in the predetermined ratio, and the By setting the viscosity to 25 mPa s or less, a curable composition capable of forming a pattern having excellent ink-jet dischargeability and excellent in etching resistance and strength could be obtained.
본 발명의 경화성 조성물에 있어서, (메타)아크릴레이트 모노머A1과, 후술하는 (메타)아크릴레이트 모노머A2와, 후술하는 (메타)아크릴레이트 모노머A3과의 합계 질량은, 경화성 조성물의 전 질량의 70질량% 이상인 것이 바람직하며, 80질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 90질량% 이상인 것이 더 바람직하다. 상한은, 예를 들면 99질량% 이하로 할 수 있다. 각 (메타)아크릴레이트 모노머의 합계 질량이 상기 범위이면, 양호한 잉크젯 토출성을 가지면서, 에칭 내성 및 강도가 우수한 패턴을 형성 가능한 경화성 조성물로 할 수 있다.In the curable composition of the present invention, the total mass of the (meth) acrylate monomer A1, the (meth) acrylate monomer A2 described later, and the (meth) acrylate monomer A3 described later is preferably 70 By mass or more, more preferably 80% by mass or more, and further preferably 90% by mass or more. The upper limit can be, for example, 99 mass% or less. When the total mass of each of the (meth) acrylate monomers is within the above range, a curable composition capable of forming a pattern having excellent ink-jet dischargeability and excellent etching resistance and strength can be obtained.
이하, 본 발명의 경화성 조성물의 각 성분에 대하여 설명한다.Each component of the curable composition of the present invention will be described below.
<<(메타)아크릴레이트 모노머A1>><< (Meth) acrylate monomer A1 >>
본 발명의 경화성 조성물은, 단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머A1을 함유한다.The curable composition of the present invention contains a monofunctional (meth) acrylate monomer A1.
(메타)아크릴레이트 모노머A1은, 일분자 중에 (메타)아크릴로일기를 갖는 화합물(모노머)이면, 어느 것도 바람직하게 사용할 수 있다. (메타)아크릴레이트 모노머A1은, 쇄상 지방족 (메타)아크릴레이트 모노머여도 되고, 환상 구조를 갖는 (메타)아크릴레이트 모노머여도 된다. 또한, 실리콘 원자 및/또는 불소 원자를 갖는 (메타)아크릴레이트 모노머여도 된다. 환상 구조로서는, 지방족환, 방향족환 등을 들 수 있다. 지방족환 및 방향족환은, 단환이어도 되고, 축합환이어도 된다. 또한, 지방족환은, 가교 구조를 갖고 있어도 된다.Any of (meth) acrylate monomers A1 may be used as long as it is a compound (monomer) having a (meth) acryloyl group in one molecule. The (meth) acrylate monomer A1 may be a chain aliphatic (meth) acrylate monomer or a (meth) acrylate monomer having a cyclic structure. Alternatively, it may be a (meth) acrylate monomer having a silicon atom and / or a fluorine atom. Examples of the cyclic structure include an aliphatic ring and an aromatic ring. The aliphatic ring and aromatic ring may be monocyclic or condensed rings. The aliphatic ring may have a crosslinked structure.
또, 본 발명에 있어서, 「쇄상 지방족 (메타)아크릴레이트 모노머」란, 지방족환이나 방향족환 등의 환상 구조를 포함하지 않는, 직쇄 또는 분기의 지방족 (메타)아크릴레이트 모노머를 의미한다.In the present invention, the term " chain aliphatic (meth) acrylate monomer " means a linear or branched aliphatic (meth) acrylate monomer containing no cyclic structure such as an aliphatic or aromatic ring.
(메타)아크릴레이트 모노머A1의 구체예로서는, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, N-비닐피롤리디논, 2-아크릴로일옥시에틸프탈레이트, 2-아크릴로일옥시2-히드록시에틸프탈레이트, 2-아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈레이트, 2-아크릴로일옥시프로필프탈레이트, 2-에틸-2-부틸프로판디올아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실카르비톨(메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 1- 또는 2-나프틸(메타)아크릴레이트, 부톡시에틸(메타)아크릴레이트, 세틸(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성(이하 「EO」라 한다) 크레졸(메타)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 에톡시화페닐(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸(메타)아크릴레이트, 이소미리스틸(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 메톡시디프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시트리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜벤조에이트(메타)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 옥틸(메타)아크릴레이트, 파라쿠밀페녹시에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 에피클로로히드린(이하 「ECH」라 함) 변성 페녹시아크릴레이트, 페녹시에틸(메타)아크릴레이트, 페녹시디에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 페녹시헥사에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 페녹시테트라에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 스테아릴(메타)아크릴레이트, EO 변성 숙신산(메타)아크릴레이트, 트리브로모페닐(메타)아크릴레이트, EO 변성 트리브로모페닐(메타)아크릴레이트, 트리도데실(메타)아크릴레이트 등이 예시된다.Specific examples of the (meth) acrylate monomer A1 include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, N-vinylpyrrolidinone, 2-acryloyloxyethyl phthalate, 2- Acryloyloxypropyl phthalate, 2-ethyl-2-butylpropanediol acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, (Meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, 1- or 2-naphthyl (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, cetyl Quot; EO ") cresol (meth) acrylate, (Meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dipropylene glycol (meth) acrylate, Acrylate, methoxydipropylene glycol (meth) acrylate, methoxytripropylene glycol (meth) acrylate, methoxytripropylene glycol (meth) acrylate, , Methoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, methoxytriethylene glycol (meth) acrylate, neopentyl glycol benzoate (meth) acrylate, nonylphenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, nonylphenoxypolypropylene glycol (Meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, para-cumylphenoxyethylene glycol (meth) acrylate, epichlorohydrin ECH ") modified phenoxy acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, phenoxy diethylene glycol (meth) acrylate, phenoxyhexaethylene glycol (meth) acrylate, phenoxy tetraethylene glycol Acrylate, stearyl (meth) acrylate, EO-modified succinic acid (meth) acrylate, tribroole (meth) acrylate, polyethylene glycol (Meth) acrylate, EO-modified tribromophenyl (meth) acrylate, and tridodecyl (meth) acrylate.
불소 원자를 갖는 단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머로서는, 플루오로알킬기 및 플루오로알킬에테르기에서 선택되는 함불소기를 갖는 화합물이 바람직하다.As the monofunctional (meth) acrylate monomer having a fluorine atom, a compound having a fluorine-containing group selected from a fluoroalkyl group and a fluoroalkyl ether group is preferable.
플루오로알킬기로서는, 탄소수가 2∼20인 플루오로알킬기가 바람직하며, 4∼8의 플루오로알킬기가 보다 바람직하다. 바람직한 플루오로알킬기로서는, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 헵타플루오로프로필기, 헥사플루오로이소프로필기, 노나플루오로부틸기, 트리데카플루오로헥실기, 헵타데카플루오로옥틸기를 들 수 있다.The fluoroalkyl group is preferably a fluoroalkyl group having 2 to 20 carbon atoms, more preferably a fluoroalkyl group having 4 to 8 carbon atoms. Preferred examples of the fluoroalkyl group include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a heptafluoropropyl group, a hexafluoroisopropyl group, a nonafluorobutyl group, a tridecafluorohexyl group, and a heptadecafluorooctyl group have.
플루오로알킬에테르기로서는, 트리플로로메틸기를 갖는 기, 퍼플루오로에틸렌옥시기를 갖는 기, 퍼플루오로프로필렌옥시기를 함유하는 기 등이 바람직하다. 또한, -(CF(CF3)CF2O)- 등의 트리플루오로메틸기를 갖는 플루오로알킬에테르 유닛 및/또는 플루오로알킬에테르기의 말단에 트리플루오로메틸기를 갖는 기도 바람직하다.As the fluoroalkyl ether group, a group having a trifluoromethyl group, a group having a perfluoroethyleneoxy group, a group containing a perfluoropropyleneoxy group and the like are preferable. In addition, - (CF (CF 3) CF 2 O) - are preferred airway fluoro having a trifluoromethyl group, such as having a trifluoromethyl group at the terminal of the alkyl ether group with an alkyl ether unit and / or fluoro.
불소 원자를 갖는 단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머의 구체예로서는, 트리플루오로에틸(메타)아크릴레이트, 펜타플루오로에틸(메타)아크릴레이트, (퍼플루오로부틸)에틸(메타)아크릴레이트, (퍼플루오로헥실)에틸(메타)아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸(메타)아크릴레이트, 퍼플루오로옥틸에틸(메타)아크릴레이트, 테트라플루오로프로필(메타)아크릴레이트, 헥사플루오로프로필(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Specific examples of the monofunctional (meth) acrylate monomer having a fluorine atom include trifluoroethyl (meth) acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, (perfluorobutyl) ethyl (meth) (Meth) acrylate, perfluorooctyl (meth) acrylate, tetrafluoropropyl (meth) acrylate, hexafluoropropyl (meth) acrylate, perfluorooctyl ) Acrylate, and the like.
실리콘 원자를 갖는 단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머로서는, 알킬실릴기, 알콕시실릴기, 쇄상 실록산 구조, 환상 실록산 구조, 농상(籠狀) 실록산 구조 등을 갖는 화합물을 들 수 있다. 예를 들면, 알콕시실릴기(바람직하게는, 트리알콕시실릴기)를 갖는 단관능의 (메타)아크릴레이트를 배합함에 의해, 기재와의 밀착성이 우수한 패턴을 형성하기 쉽다.Examples of monofunctional (meth) acrylate monomers having a silicon atom include compounds having an alkylsilyl group, an alkoxysilyl group, a chain siloxane structure, a cyclic siloxane structure, and a cage siloxane structure. For example, by blending a monofunctional (meth) acrylate having an alkoxysilyl group (preferably a trialkoxysilyl group), it is easy to form a pattern having excellent adhesion to a substrate.
실리콘 원자를 갖는 단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머의 구체예로서는, 2-(트리메틸실릴)에틸(메타)아크릴레이트, 3-[트리스(트리메틸실릴옥시)실릴]프로필(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴로일옥시메틸비스(트리메틸실록시)메틸실란, (메타)아크릴로일옥시메틸트리스(트리메틸실록시)실란, 3-(메타)아크릴로일옥시프로필비스(트리메틸실록시)메틸실란, 3-(메타)아크릴로일옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-(메타)아크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 3-(메타)아크릴로일옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-(메타)아크릴로일옥시프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다.Specific examples of monofunctional (meth) acrylate monomers having a silicon atom include 2- (trimethylsilyl) ethyl (meth) acrylate, 3- [tris (trimethylsilyloxy) (Meth) acryloyloxymethyltris (trimethylsiloxy) silane, 3- (meth) acryloyloxypropylbis (trimethylsiloxy) methylsilane, 3- (meth) acryloyloxypropylmethyldimethoxysilane, 3- (meth) acryloyloxypropyltrimethoxysilane, 3- (meth) acryloyloxypropylmethyldiethoxysilane, 3- Acryloyloxypropyltriethoxysilane, and the like.
알콕시실릴기를 갖는 단관능의 (메타)아크릴레이트의 시판품으로서는, KBM-5103(신에츠가가쿠고교(주)제, 3-아크릴로일옥시프로필트리메톡시실란), KBM-502(신에츠가가쿠고교(주)제, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란), KBM-503(신에츠가가쿠고교(주)제, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란), KBE-502(신에츠가가쿠고교(주)제, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란), KBE-503(신에츠가가쿠고교(주)제, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available monofunctional (meth) acrylates having an alkoxysilyl group include KBM-5103 (3-acryloyloxypropyltrimethoxysilane manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), KBM-502 (Shin- 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane), KBM-503 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane), KBE-502 (Shinetsu Kagaku Kogyo Co., 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), KBE-503 (3-methacryloxypropyltriethoxysilane manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and the like.
본 발명에 있어서, (메타)아크릴레이트 모노머A1은, 환상 구조를 갖는 단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머를 포함하는 것이 바람직하다. 이 태양에 따르면, 에칭 내성이 우수한 패턴을 형성하기 쉽다. 환상 구조를 갖는 단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머의 함유량은, (메타)아크릴레이트 모노머A1의 전 질량에 대해서, 50∼100질량%가 바람직하며, 60∼100질량%가 더 바람직하다. 상한은, 예를 들면 99질량% 이하로 할 수도 있고, 95질량% 이하로 할 수도 있다.In the present invention, the (meth) acrylate monomer A1 preferably contains a monofunctional (meth) acrylate monomer having a cyclic structure. According to this aspect, it is easy to form a pattern having excellent etching resistance. The content of the monofunctional (meth) acrylate monomer having a cyclic structure is preferably 50 to 100 mass%, more preferably 60 to 100 mass%, based on the total mass of the (meth) acrylate monomer A1. The upper limit may be, for example, 99 mass% or less, or 95 mass% or less.
본 발명에 있어서, (메타)아크릴레이트 모노머A1은, 불소 원자 및/또는 실리콘 원자를 갖는 단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머 이외의 단관능 (메타)아크릴레이트 모노머(이하, (메타)아크릴레이트 모노머A1-1이라고도 한다)의 전 질량 중에, 환상 구조를 갖는 단관능 (메타)아크릴레이트 모노머를, 50∼100질량% 함유하는 것이 바람직하며, 60∼100질량% 함유하는 것이 보다 바람직하고, 70∼100질량% 함유하는 것이 더 바람직하고, 80∼100질량% 함유하는 것이 특히 바람직하다. (메타)아크릴레이트 모노머A1-1은, 실질적으로 환상 구조를 갖는 (메타)아크릴레이트 모노머만으로 구성되어 있어도 된다. 또, (메타)아크릴레이트 모노머A1-1이 실질적으로 환상 구조를 갖는 (메타)아크릴레이트 모노머만으로 구성되어 있음이란, 예를 들면, 환상 구조를 갖는 (메타)아크릴레이트 모노머의 함유량은, (메타)아크릴레이트 모노머A1-1의 전 질량에 대해서, 99질량% 이상이 바람직하며, 99.9질량% 이상이 보다 바람직하다. 이 태양에 따르면, 에칭 내성이 우수한 패턴을 형성하기 쉽다.In the present invention, the (meth) acrylate monomer A1 is preferably a monofunctional (meth) acrylate monomer other than a monofunctional (meth) acrylate monomer having a fluorine atom and / or a silicon atom (Meth) acrylate monomer having a cyclic structure is contained in an amount of preferably 50 to 100 mass%, more preferably 60 to 100 mass%, and most preferably 70 By mass to 100% by mass, and particularly preferably 80% by mass to 100% by mass. The (meth) acrylate monomer A1-1 may be composed only of a (meth) acrylate monomer having a substantially cyclic structure. In addition, the (meth) acrylate monomer A1-1 is composed of only a (meth) acrylate monomer having a substantially cyclic structure. For example, the content of the (meth) acrylate monomer having a cyclic structure is ) Acrylate monomer A1-1 is preferably 99% by mass or more, and more preferably 99.9% by mass or more. According to this aspect, it is easy to form a pattern having excellent etching resistance.
본 발명에 있어서, (메타)아크릴레이트 모노머A1에 있어서의 불소 원자 및/또는 실리콘 원자를 갖는 단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머의 함유량은, (메타)아크릴레이트 모노머A1의 전 질량에 대해서, 50질량% 이하가 바람직하며, 40질량% 이하가 보다 바람직하다. 하한은, 예를 들면 1질량% 이상으로 할 수도 있고, 5질량% 이상으로 할 수도 있다. 또한, 불소 원자 및/또는 실리콘 원자를 갖는 단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머를 실질적으로 함유하지 않는 조성으로 할 수도 있다. 불소 원자 및/또는 실리콘 원자를 갖는 단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머를 실질적으로 함유하지 않음이란, 예를 들면, 불소 원자 및/또는 실리콘 원자를 갖는 단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머의 함유량은, (메타)아크릴레이트 모노머A1의 전 질량에 대해서, 0.1질량% 이하가 바람직하며, 0.01질량% 이하가 보다 바람직하다.In the present invention, the content of the monofunctional (meth) acrylate monomer having a fluorine atom and / or a silicon atom in the (meth) acrylate monomer A1 is preferably in the range of, Is preferably 50 mass% or less, and more preferably 40 mass% or less. The lower limit may be, for example, 1% by mass or more, or 5% by mass or more. Further, it may be a composition substantially not containing a monofunctional (meth) acrylate monomer having a fluorine atom and / or a silicon atom. The expression "substantially free of a monofunctional (meth) acrylate monomer having a fluorine atom and / or a silicon atom means that the content of a monofunctional (meth) acrylate monomer having a fluorine atom and / or a silicon atom Is preferably 0.1 mass% or less, more preferably 0.01 mass% or less, based on the total mass of the (meth) acrylate monomer A1.
본 발명에 있어서, (메타)아크릴레이트 모노머A1은, 23℃에 있어서의 점도가 10m㎩·s 이하인 것이 바람직하다. 하한은, 1m㎩·s 이상이 바람직하며, 1.5m㎩·s 이상이 더 바람직하다. 상한은, 8m㎩·s 이하가 바람직하며, 5m㎩·s 이하가 더 바람직하다. 또, 본 발명에 있어서의 점도의 값은, 후술하는 실시예에 기재된 방법으로 측정한 값이다.In the present invention, the (meth) acrylate monomer A1 preferably has a viscosity at 23 캜 of 10 mPa s or less. The lower limit is preferably 1 mPa · s or more, more preferably 1.5 mPa · s or more. The upper limit is preferably 8 mPa · s or less, more preferably 5 mPa · s or less. The value of the viscosity in the present invention is a value measured by the method described in the following Examples.
본 발명의 경화성 조성물은, (메타)아크릴레이트 모노머A1을, 본 발명의 경화성 조성물 중에 10∼50질량% 함유하는 것이 바람직하다. 하한은, 20질량% 이상이 보다 바람직하며, 25질량% 이상이 더 바람직하다. 상한은, 40질량% 이하가 보다 바람직하다. (메타)아크릴레이트 모노머A1의 함유량을 10질량% 이상으로 하면, 잉크젯 토출성을 향상할 수 있다. 또한, (메타)아크릴레이트 모노머A1의 함유량을 50질량% 이하로 하면 에칭 내성 및 강도가 우수한 패턴을 형성하기 쉽다.The curable composition of the present invention preferably contains the (meth) acrylate monomer A1 in an amount of 10 to 50 mass% in the curable composition of the present invention. The lower limit is more preferably not less than 20% by mass, and more preferably not less than 25% by mass. The upper limit is more preferably 40 mass% or less. When the content of the (meth) acrylate monomer A1 is 10 mass% or more, inkjet dischargeability can be improved. When the content of the (meth) acrylate monomer A1 is 50 mass% or less, a pattern having excellent etching resistance and strength is easily formed.
본 발명의 경화성 조성물은, (메타)아크릴레이트 모노머A1을, 후술하는 (메타)아크릴레이트 모노머A2의 100질량부에 대해, 40∼130질량부 함유하며, 40∼100질량부 함유하는 것이 바람직하다. 하한은, 50질량부 이상이 바람직하며, 55질량부 이상이 더 바람직하다. 상한은, 95질량부 이하가 바람직하며, 90질량부 이하가 더 바람직하다.The curable composition of the present invention preferably contains (meth) acrylate monomer A1 in an amount of 40 to 130 parts by mass, and 40 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of (meth) acrylate monomer A2 described later . The lower limit is preferably 50 parts by mass or more, more preferably 55 parts by mass or more. The upper limit is preferably 95 parts by mass or less, more preferably 90 parts by mass or less.
본 발명의 경화성 조성물은, (메타)아크릴레이트 모노머A1을, (메타)아크릴레이트 모노머A1과 (메타)아크릴레이트 모노머A2와 후술하는 (메타)아크릴레이트 모노머A3과의 합계 질량 중에, 10∼50질량% 함유하는 것이 바람직하다. 하한은, 20질량% 이상이 보다 바람직하며, 25질량% 이상이 더 바람직하다. 상한은, 40질량% 이하가 보다 바람직하다.The curable composition of the present invention is a curable composition comprising a (meth) acrylate monomer A1 in a total mass of (meth) acrylate monomer A1, (meth) acrylate monomer A2, and (meth) By mass. The lower limit is more preferably not less than 20% by mass, and more preferably not less than 25% by mass. The upper limit is more preferably 40 mass% or less.
(메타)아크릴레이트 모노머A1은, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 2종 이상을 사용하는 경우는, 그 합계량이 상기 범위로 되는 것이 바람직하다.The (meth) acrylate monomer A1 may be used alone, or two or more thereof may be used in combination. When two or more kinds are used, the total amount is preferably in the above range.
<<(메타)아크릴레이트 모노머A2>><< (Meth) acrylate monomer A2 >>
본 발명의 경화성 조성물은, 지방족 축합환 구조, 지방족 가교환 구조 및 지방족 가교 축합환 구조에서 선택되는 적어도 1종의 구조를 갖는 2관능 이상의 (메타)아크릴레이트 모노머A2를 함유한다.The curable composition of the present invention contains a bifunctional or more (meth) acrylate monomer A2 having at least one structure selected from an aliphatic condensed ring structure, an aliphatic crosslinked ring structure and an aliphatic crosslinked condensed ring structure.
또, 본 발명에 있어서, 지방족 축합환 구조란, 화학 구조식으로 나타냈을 때에, 2 이상의 지방족환이 1 대 1로 변을 공유한 구조를 의미한다. 또한, 지방족 가교환 구조란, 1개의 지방족환에 있어서, 서로 인접하지 않는 2개 이상의 원자가 연결한 구조를 의미한다. 또한, 지방족 가교 축합환 구조란, 2 이상의 지방족환이 1 대 1로 변을 공유하며, 또한, 같은 지방족환의, 서로 인접하지 않는 2개 이상의 원자를 연결한 구조, 또는, 다른 지방족환의, 서로 인접하지 않는 2개 이상의 원자를 연결한 구조를 의미한다.In the present invention, an aliphatic fused ring structure means a structure in which two or more aliphatic rings share a side-by-side relationship when expressed in a chemical structural formula. The aliphatic crosslinked ring structure means a structure in which two or more atoms not adjacent to each other are connected to each other in one aliphatic ring. The aliphatic crosslinked condensed ring structure means a structure in which two or more aliphatic rings share one to one side and two or more atoms of the same aliphatic ring which are not adjacent to each other are connected to each other or a structure in which other aliphatic rings are adjacent to each other Or more than two atoms connected together.
지방족 축합환 구조, 지방족 가교환 구조 및 지방족 가교 축합환 구조는, 5원환 또는 6원환이 바람직하다.The aliphatic condensed ring structure, the aliphatic crosslinked ring structure and the aliphatic crosslinked condensed ring structure are preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring.
지방족 축합환 구조 및 지방족 가교 축합환 구조의 축합수는, 2∼10이 바람직하며, 2∼6이 보다 바람직하고, 2∼4가 더 바람직하고, 2∼3이 특히 바람직하다.The condensed number of the aliphatic condensed ring structure and the aliphatic crosslinked condensed ring structure is preferably from 2 to 10, more preferably from 2 to 6, still more preferably from 2 to 4, and particularly preferably from 2 to 3.
(메타)아크릴레이트 모노머A2는, 지방족 가교환 구조 및 지방족 가교 축합환 구조에서 선택되는 적어도 1종의 구조를 갖는 것이 바람직하며, 지방족 가교 축합환 구조를 갖는 것이 더 바람직하다. 이 태양에 따르면, 에칭 내성 및 강도가 우수한 패턴을 형성하기 쉽다.The (meth) acrylate monomer A2 preferably has at least one structure selected from an aliphatic crosslinked ring structure and an aliphatic crosslinked condensed ring structure, more preferably an aliphatic crosslinked condensed ring structure. According to this aspect, it is easy to form a pattern having excellent etching resistance and strength.
지방족 축합환 구조의 구체예로서는, 이하의 구조를 들 수 있다.Specific examples of the aliphatic condensed ring structure include the following structures.
지방족 가교환 구조 및 지방족 가교 축합환 구조의 구체예로서는, 이하에 나타내는 구조를 들 수 있다.Specific examples of the aliphatic crosslinked ring structure and the aliphatic crosslinked condensed ring structure include the following structures.
본 발명에 있어서, (메타)아크릴레이트 모노머A2는, 2∼10관능인 것이 바람직하며, 2∼6관능이 보다 바람직하고, 2관능 또는 3관능이 더 바람직하고, 2관능이 특히 바람직하다. 이 태양에 따르면, 경화성 조성물의 점도의 상승을 적게 할 수 있다는 효과가 얻어지기 쉽다. 특히 2관능이면, 경화성 조성물의 점도의 상승을 보다 작게 할 수 있다.In the present invention, the (meth) acrylate monomer A2 is preferably 2 to 10 functional groups, more preferably 2 to 6 functional groups, more preferably bifunctional or trifunctional functional groups, and particularly preferably 2 functional groups. According to this aspect, it is easy to obtain an effect that the increase in the viscosity of the curable composition can be reduced. In particular, if the bifunctional is used, the increase in the viscosity of the curable composition can be further reduced.
(메타)아크릴레이트 모노머A2는, 23℃에 있어서의 점도가 200m㎩·s 이하인 것이 바람직하다. 하한은, 2m㎩·s 이상이 바람직하며, 5m㎩·s 이상이 더 바람직하다. 상한은, 150m㎩·s 이하가 바람직하며, 100m㎩·s 이하가 더 바람직하다. 또, 본 발명에 있어서의 점도의 값은, 후술하는 실시예에 기재된 방법으로 측정한 값이다.The (meth) acrylate monomer A2 preferably has a viscosity at 23 캜 of 200 mPa s or less. The lower limit is preferably 2 mPa · s or more, more preferably 5 mPa · s or more. The upper limit is preferably 150 mPa s or less, more preferably 100 mPa s or less. The value of the viscosity in the present invention is a value measured by the method described in the following Examples.
(메타)아크릴레이트 모노머A2의 구체예로서는, 트리시클로데칸디메탄올디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐디(메타)아크릴레이트, 데카하이드로디아크릴레이트, 이소보르닐디(메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸트리(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Specific examples of the (meth) acrylate monomer A2 include tricyclodecane dimethanol di (meth) acrylate, dicyclopentenyl di (meth) acrylate, dicyclopentanyl di (meth) acrylate, decahydrodiacrylate, iso (Meth) acrylate, tricyclodecanetri (meth) acrylate, and the like.
그 중에서도, 비시클로환 또는 트리시클로환을 포함하는 지방족 가교 축합환 구조를 갖는 (메타)아크릴레이트가 바람직하며, 트리시클로데칸디메탄올디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐디(메타)아크릴레이트 및 디시클로펜타닐디(메타)아크릴레이트가 더 바람직하다. 이 태양에 따르면, 에칭 내성 및 강도가 우수한 패턴을 형성하기 쉽다.Among them, (meth) acrylate having an alicyclic condensed ring structure including a bicyclo ring or tricyclo ring is preferable, and tricyclodecane dimethanol di (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate And dicyclopentanyl di (meth) acrylate are more preferable. According to this aspect, it is easy to form a pattern having excellent etching resistance and strength.
본 발명의 경화성 조성물은, (메타)아크릴레이트 모노머A2를, 본 발명의 경화성 조성물 중에, 10∼80질량% 함유하는 것이 바람직하다. 하한은, 20질량% 이상이 보다 바람직하며, 30질량% 이상이 더 바람직하고, 40질량% 이상이 특히 바람직하다. 상한은, 75질량% 이하가 보다 바람직하며, 70질량% 이하가 더 바람직하다. (메타)아크릴레이트 모노머A2의 함유량이 상기 범위이면, 우수한 잉크젯 토출성을 가지면서, 에칭 내성 및 강도가 우수한 패턴을 형성하기 쉽다.The curable composition of the present invention preferably contains the (meth) acrylate monomer A2 in an amount of 10 to 80 mass% in the curable composition of the present invention. The lower limit is more preferably 20 mass% or more, more preferably 30 mass% or more, and particularly preferably 40 mass% or more. The upper limit is more preferably 75 mass% or less, and further preferably 70 mass% or less. When the content of the (meth) acrylate monomer A2 is within the above range, it is easy to form a pattern having excellent ink-jet dischargeability and excellent etching resistance and strength.
본 발명의 경화성 조성물은, (메타)아크릴레이트 모노머A2를, (메타)아크릴레이트 모노머A1과 (메타)아크릴레이트 모노머A2와 후술하는 (메타)아크릴레이트 모노머A3과의 합계 질량 중에, 10∼80질량% 함유하는 것이 바람직하다. 하한은, 20질량% 이상이 보다 바람직하며, 30질량% 이상이 더 바람직하고, 40질량% 이상이 특히 바람직하다. 상한은, 75질량% 이하가 보다 바람직하며, 70질량% 이하가 더 바람직하다.The curable composition of the present invention is a curable composition wherein the (meth) acrylate monomer A2 is contained in the total mass of the (meth) acrylate monomer A1, the (meth) acrylate monomer A2 and the (meth) By mass. The lower limit is more preferably 20 mass% or more, more preferably 30 mass% or more, and particularly preferably 40 mass% or more. The upper limit is more preferably 75 mass% or less, and further preferably 70 mass% or less.
(메타)아크릴레이트 모노머A2는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 2종 이상을 사용하는 경우는, 그 합계량이 상기 범위로 되는 것이 바람직하다.The (meth) acrylate monomer A2 may be used alone or in combination of two or more. When two or more kinds are used, the total amount is preferably in the above range.
<<(메타)아크릴레이트 모노머A3>><< (Meth) acrylate monomer A3 >>
본 발명의 경화성 조성물은, 상술한 (메타)아크릴레이트 모노머A2 이외의 다관능 (메타)아크릴레이트 모노머로서, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트 모노머A3을 함유한다.The curable composition of the present invention is a polyfunctional (meth) acrylate monomer other than the above-mentioned (meth) acrylate monomer A2 and contains a trifunctional or more (meth) acrylate monomer A3.
(메타)아크릴레이트 모노머A3은, (메타)아크릴로일기를 3개 이상 가지며, 또한, 지방족 축합환 구조, 지방족 가교환 구조 및 지방족 가교 축합환 구조를 갖지 않는 화합물이면, 모두 바람직하게 사용할 수 있다. (메타)아크릴레이트 모노머A3은, 쇄상 지방족 (메타)아크릴레이트 모노머여도 된다. 또한, 단환의 지방족환 구조(단, 지방족 가교환 구조를 제외한다)를 갖는 (메타)아크릴레이트 모노머여도 된다. 또한, 방향족환 구조를 갖는 (메타)아크릴레이트 모노머여도 된다. 또한, 실리콘 원자 및/또는 불소 원자를 갖는 (메타)아크릴레이트 모노머여도 된다.The (meth) acrylate monomer A3 is preferably a compound having three or more (meth) acryloyl groups and not having an aliphatic condensed ring structure, an aliphatic crosslinked ring structure and an aliphatic crosslinked condensed ring structure . The (meth) acrylate monomer A3 may be a chain aliphatic (meth) acrylate monomer. Further, a (meth) acrylate monomer having a monocyclic aliphatic cyclic structure (except for an aliphatic cyclic cyclic structure) may be used. Further, it may be a (meth) acrylate monomer having an aromatic ring structure. Alternatively, it may be a (meth) acrylate monomer having a silicon atom and / or a fluorine atom.
본 발명에 있어서, (메타)아크릴레이트 모노머A3은, 쇄상 지방족 (메타)아크릴레이트 모노머인 것이 바람직하다. 이 태양에 따르면, 경화성 조성물의 점도의 상승을 최소한으로 억제한다는 효과가 얻어지기 쉽다.In the present invention, the (meth) acrylate monomer A3 is preferably a chain aliphatic (meth) acrylate monomer. According to this aspect, an effect of minimizing an increase in viscosity of the curable composition is apt to be obtained.
본 발명에 있어서, (메타)아크릴레이트 모노머A3은, 3∼10관능인 것이 바람직하며, 3∼6관능이 보다 바람직하다. 이 태양에 따르면, 경화성 조성물의 점도의 상승을 억제하기 쉽다.In the present invention, the (meth) acrylate monomer A3 is preferably 3 to 10-functional, more preferably 3 to 6-functional. According to this aspect, it is easy to suppress an increase in the viscosity of the curable composition.
(메타)아크릴레이트 모노머A3의 구체예로서는, ECH 변성 글리세롤트리(메타)아크릴레이트, EO 변성 글리세롤트리(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드(이하 「PO」라 한다) 변성 글리세롤트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, EO 변성 인산트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, EO 변성 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, PO 변성 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨히드록시펜타(메타)아크릴레이트, 알킬 변성 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 알킬 변성 디펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨에톡시테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 시판품으로서는, Miramer M300(Miwon사제, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트), A-TMMT(신나카무라가가쿠(주)제, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트), KAYARAD DPHA(니혼가야쿠(주)제, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트) 등을 들 수 있다.Specific examples of the (meth) acrylate monomer A3 include ECH-modified glycerol tri (meth) acrylate, EO-modified glycerol tri (meth) acrylate, propylene oxide (hereinafter referred to as PO) modified glycerol tri (meth) (Meth) acrylate, EO modified triacrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, caprolactone modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, EO modified trimethylolpropane tri (Meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (metha) acrylate, caprolactone modified (methacrylic acid) Dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol hydroxypenta (meth) acrylate, alkyl-modified dipenta (Meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tetra Methacrylate, and the like. Examples of commercially available products include Miramer M300 (manufactured by Miwon, trimethylolpropane triacrylate), A-TMMT (pentaerythritol triacrylate manufactured by Shin Nakamura Chemical Co., Ltd.), KAYARAD DPHA (manufactured by Nihon Kayaku Co., Pentaerythritol pentaacrylate), and the like.
본 발명에 있어서, (메타)아크릴레이트 모노머A3은, 23℃에 있어서의 점도가 300m㎩·s 이하인 것이 바람직하다. 하한은, 5m㎩·s 이상이 바람직하며, 10m㎩·s 이상이 더 바람직하다. 상한은, 250m㎩·s 이하가 바람직하며, 200m㎩·s 이하가 더 바람직하다. 또, 본 발명에 있어서의 점도의 값은, 후술하는 실시예에 기재된 방법으로 측정한 값이다.In the present invention, the (meth) acrylate monomer A3 preferably has a viscosity of 300 mPa s or less at 23 캜. The lower limit is preferably 5 mPa · s or more, more preferably 10 mPa · s or more. The upper limit is preferably 250 mPa s or less, more preferably 200 mPa s or less. The value of the viscosity in the present invention is a value measured by the method described in the following Examples.
본 발명의 경화성 조성물은, (메타)아크릴레이트 모노머A3을, 본 발명의 경화성 조성물 중에, 1∼30질량% 함유하는 것이 바람직하다. 하한은, 2질량% 이상이 보다 바람직하다. 상한은, 20질량% 이하가 보다 바람직하며, 15질량% 이하가 더 바람직하다. (메타)아크릴레이트 모노머A3의 함유량이 상기 범위이면, 잉크젯 토출성이 양호하며, 패턴 쓰러짐이 억제된 강도가 우수한 패턴이 얻어지기 쉽다.The curable composition of the present invention preferably contains (meth) acrylate monomer A3 in an amount of 1 to 30 mass% in the curable composition of the present invention. The lower limit is more preferably 2% by mass or more. The upper limit is more preferably 20 mass% or less, and further preferably 15 mass% or less. When the content of the (meth) acrylate monomer A3 is within the above range, a pattern having good ink-jet dischargeability and excellent strength with suppressed pattern collapse is likely to be obtained.
본 발명의 경화성 조성물은, (메타)아크릴레이트 모노머A3을, 상기 (메타)아크릴레이트 모노머A2의 100질량부에 대해, 5∼65질량부 함유하며, 5∼30질량부 함유하는 것이 바람직하다.The curable composition of the present invention preferably contains (meth) acrylate monomer A3 in an amount of 5 to 65 parts by mass, and preferably 5 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylate monomer A2.
본 발명의 경화성 조성물은, (메타)아크릴레이트 모노머A3을, (메타)아크릴레이트 모노머A1과 (메타)아크릴레이트 모노머A2와 (메타)아크릴레이트 모노머A3과의 합계 질량 중에, 1∼30질량% 함유하는 것이 바람직하다. 하한은, 2질량% 이상이 보다 바람직하고 2.5질량% 이상이 더 바람직하다. 상한은, 20질량% 이하가 보다 바람직하고, 15질량% 이하가 더 바람직하다.The curable composition of the present invention comprises (meth) acrylate monomer A3 in an amount of from 1 to 30 mass%, based on the total mass of (meth) acrylate monomer A1, (meth) acrylate monomer A2 and (meth) . The lower limit is more preferably 2% by mass or more, and still more preferably 2.5% by mass or more. The upper limit is more preferably 20% by mass or less, and still more preferably 15% by mass or less.
(메타)아크릴레이트 모노머A3은, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 2종 이상을 사용하는 경우는, 그 합계량이 상기 범위로 되는 것이 바람직하다.The (meth) acrylate monomer A3 may be used alone or in combination of two or more. When two or more kinds are used, the total amount is preferably in the above range.
<<(메타)아크릴레이트 모노머A4>><< (Meth) acrylate monomer A4 >>
본 발명의 경화성 조성물은, 상술한 (메타)아크릴레이트 모노머A1, (메타)아크릴레이트 모노머A2, 및 (메타)아크릴레이트 모노머A3 이외의 (메타)아크릴레이트 모노머A4를 포함해도 된다.The curable composition of the present invention may contain the above (meth) acrylate monomer A1, (meth) acrylate monomer A2, and (meth) acrylate monomer A4 other than the (meth) acrylate monomer A3.
(메타)아크릴레이트 모노머A4로서는, 지방족 축합환 구조, 지방족 가교환 구조 및 지방족 가교 축합환 구조를 갖지 않는 2관능의 (메타)아크릴레이트 모노머를 들 수 있다.As the (meth) acrylate monomer A4, bifunctional (meth) acrylate monomers which do not have an aliphatic condensed ring structure, an aliphatic crosslinked ring structure and an aliphatic crosslinked condensed ring structure are exemplified.
예를 들면, 단환의 지방족환 구조(단, 지방족 가교환 구조를 제외한다)를 갖는 2관능 (메타)아크릴레이트 모노머나, 방향족환 구조를 갖는 2관능 (메타)아크릴레이트 모노머나, 쇄상 지방족의 2관능 (메타)아크릴레이트 모노머 등을 들 수 있다.For example, a bifunctional (meth) acrylate monomer having a monocyclic aliphatic cyclic structure (except an aliphatic cyclic cyclic structure), a bifunctional (meth) acrylate monomer having an aromatic cyclic structure, a bifunctional And bifunctional (meth) acrylate monomers.
구체예로서는, 오르토-, 메타-, 파라-페닐렌디(메타)아크릴레이트, 오르토-, 메타-, 파라-자일릴렌디(메타)아크릴레이트, 비스페놀A디(메타)아크릴레이트, EO 변성 비스페놀A디(메타)아크릴레이트, PO 변성 비스페놀A디(메타)아크릴레이트, EO 변성 비스페놀F디(메타)아크릴레이트, 시클로헥산디올디(메타)아크릴레이트, 시클로헥산디메탄올디(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,3-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 3-메틸-1,5-펜탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 2-부틸-2-에틸-1,3-프로판디올디(메타)아크릴레이트, 1,10-데칸디올디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리테트라메틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, EO 변성 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, PO 변성 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 2,2-디메틸-3-((메타)아크릴로일옥시)프로피온산2,2-디메틸-3-((메타)아크릴로일옥시)프로필, 2-히드록시-3-아크릴로일옥시프로필(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 트리스(2-(메타)아크릴로일옥시에틸)이소시아누레이트 등을 들 수 있다.Specific examples include (meth) acrylates such as ortho, meta, para-phenylene di (meth) acrylate, ortho-, meta-, para-xylylene di (meth) acrylate, bisphenol A di (meth) acrylate, EO modified bisphenol A di (Meth) acrylate, cyclohexanediol di (meth) acrylate, cyclohexanedimethanol di (meth) acrylate, ethylene modified (meth) acrylate, PO modified bisphenol A di (meth) acrylate, EO modified bisphenol F di Butanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, (Meth) acrylate, 3-methyl-1,5-pentanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (Meth) acrylate, 1,10-decanediol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethyl (Meth) acrylate, dipropylene glycol di (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (Meth) acrylate, polytetramethylene glycol di (meth) acrylate, EO-modified neopentyl glycol di (meth) acrylate, PO-modified neopentyl glycol di (meth) acrylate, 2,2- (Meth) acryloyloxy) propionic acid, 2,2-dimethyl-3 - ((meth) acryloyloxy) propyl, 2-hydroxy- (Meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, There may be mentioned tris (2- (meth) acryloyloxyethyl) isocyanurate.
본 발명의 경화성 조성물이, (메타)아크릴레이트 모노머A4를 포함할 경우, (메타)아크릴레이트 모노머A4의 함유량은, 본 발명의 경화성 조성물에 대해서, 1∼10질량%가 바람직하며, 1∼5질량%가 보다 바람직하다. (메타)아크릴레이트 모노머A4는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 2종 이상을 사용하는 경우는, 그 합계량이 상기 범위로 되는 것이 바람직하다.When the curable composition of the present invention contains the (meth) acrylate monomer A4, the content of the (meth) acrylate monomer A4 is preferably from 1 to 10 mass%, more preferably from 1 to 5 mass% % By mass is more preferable. The (meth) acrylate monomer A4 may be used alone or in combination of two or more. When two or more kinds are used, the total amount is preferably in the above range.
또한, 본 발명의 경화성 조성물은, (메타)아크릴레이트 모노머A4를 실질적으로 포함하지 않는 조성으로 할 수도 있다. (메타)아크릴레이트 모노머A4를 실질적으로 함유하지 않음이란, 경화성 조성물의 질량에 대해서, (메타)아크릴레이트 모노머A4의 함유량이, 0.5질량% 이하인 것이 바람직하며, 0.1질량% 이하인 것이 더 바람직하다.Further, the curable composition of the present invention may have a composition substantially not containing the (meth) acrylate monomer A4. Means that the content of the (meth) acrylate monomer A4 is preferably 0.5% by mass or less, more preferably 0.1% by mass or less with respect to the mass of the curable composition.
<<(메타)아크릴레이트 모노머 이외의 중합성 화합물>><< Polymerizable compound other than (meth) acrylate monomer >>
본 발명의 경화성 조성물은, (메타)아크릴레이트 모노머 이외의 중합성 화합물(이하, 그 밖의 중합성 화합물이라 함)을 함유할 수 있다. 그 밖의 중합성 화합물로서는, 예를 들면, 에폭시 화합물, 옥세탄 화합물, 비닐에테르 화합물, 스티렌 유도체, 프로페닐에테르, 부테닐에테르 등을 들 수 있다. 에폭시 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면, EX-321L(나가세켐텍스(주)제) 등을 들 수 있다. 이들의 구체예로서는, 일본국 특개2011-231308호 공보의 단락번호 0020∼0098에 기재된 것을 들 수 있으며, 이 내용은 본 명세서에 도입된다. 또, 본 발명에 있어서, 그 밖의 중합성 화합물은, 후술하는 실란커플링제 이외의 화합물이다. 즉, 본 발명에 있어서의 그 밖의 중합성 화합물은, 알콕시실란 구조를 갖지 않는 화합물이다.The curable composition of the present invention may contain a polymerizable compound other than the (meth) acrylate monomer (hereinafter, referred to as another polymerizable compound). Examples of other polymerizable compounds include epoxy compounds, oxetane compounds, vinyl ether compounds, styrene derivatives, propenyl ether, butenyl ether, and the like. Examples of commercially available epoxy compounds include EX-321L (manufactured by Nagase ChemteX Corporation). Specific examples thereof include those described in paragraphs 0020 to 0098 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-231308, the contents of which are incorporated herein by reference. In the present invention, the other polymerizable compound is a compound other than the silane coupling agent described later. That is, the other polymerizable compound in the present invention is a compound having no alkoxysilane structure.
본 발명의 경화성 조성물이, 그 밖의 중합성 화합물을 포함할 경우, 그 밖의 중합성 화합물의 함유량은, 본 발명의 경화성 조성물에 대해서, 1∼10질량%가 바람직하며, 1∼5질량%가 보다 바람직하다.When the curable composition of the present invention contains other polymerizable compounds, the content of other polymerizable compounds is preferably from 1 to 10 mass%, more preferably from 1 to 5 mass%, based on the curable composition of the present invention desirable.
또한, 본 발명의 경화성 조성물은, 그 밖의 중합성 화합물을 실질적으로 포함하지 않는 조성으로 할 수도 있다. 그 밖의 중합성 화합물을 실질적으로 함유하지 않음이란, 경화성 조성물의 질량에 대해서, 그 밖의 중합성 화합물의 함유량이, 0.5질량% 이하인 것이 바람직하며, 0.1질량% 이하인 것이 더 바람직하다.In addition, the curable composition of the present invention may be a composition that does not substantially contain other polymerizable compounds. Means that the content of the other polymerizable compound is substantially 0.5% by mass or less, more preferably 0.1% by mass or less, relative to the mass of the curable composition.
본 발명의 경화성 조성물은, (메타)아크릴레이트 모노머A1과, (메타)아크릴레이트 모노머A2와, (메타)아크릴레이트 모노머A3과의 합계 질량이, 경화성 조성물의 전 질량의 70질량% 이상이고, 70∼99.9질량%가 바람직하며, 80∼99.9질량%가 보다 바람직하고, 90∼99질량%가 더 바람직하다.The curable composition of the present invention is characterized in that the total mass of (meth) acrylate monomer A1, (meth) acrylate monomer A2, and (meth) acrylate monomer A3 is 70% by mass or more of the total mass of the curable composition, , More preferably from 70 to 99.9 mass%, further preferably from 80 to 99.9 mass%, still more preferably from 90 to 99 mass%.
<<광중합개시제>><< Photopolymerization initiator >>
본 발명의 경화성 조성물은, 광중합개시제를 함유한다. 광중합개시제는, 광조사에 의해, (메타)아크릴레이트 모노머 등의 중합성 화합물을 중합하는 활성종을 발생하는 화합물이면, 어떠한 것이어도 사용할 수 있다. 광중합개시제로서는, 라디칼 중합개시제, 양이온 중합개시제가 바람직하며, 라디칼 중합개시제가 보다 바람직하다.The curable composition of the present invention contains a photopolymerization initiator. The photopolymerization initiator may be any compound as long as it generates an active species capable of polymerizing a polymerizable compound such as a (meth) acrylate monomer by irradiation with light. As the photopolymerization initiator, a radical polymerization initiator and a cation polymerization initiator are preferable, and a radical polymerization initiator is more preferable.
광중합개시제로서는, 예를 들면, 옥심 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물 등이 경화 감도, 흡수 특성의 관점에서 바람직하다. 그 중에서도 옥심 화합물이 바람직하다. 옥심 화합물의 구체예로서는, 일본국 특개2001-233842호 공보에 기재된 화합물, 일본국 특개2000-80068호 공보에 기재된 화합물, 일본국 특개2006-342166호 공보에 기재된 화합물을 사용할 수 있다.As the photopolymerization initiator, oxime compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds and the like are preferable from the viewpoints of curing sensitivity and absorption characteristics. Among them, an oxime compound is preferable. As specific examples of the oxime compounds, compounds described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-233842, compounds described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-80068, and compounds described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-342166 can be used.
본 발명에서는, 광중합개시제로서, 불소 원자를 갖는 옥심 화합물을 사용할 수도 있다. 불소 원자를 갖는 옥심 화합물의 구체예로서는, 일본국 특개2010-262028호 공보에 기재된 화합물, 일본국 특표2014-500852호 공보에 기재된 화합물24, 36∼40, 일본국 특개2013-164471호 공보에 기재된 화합물(C-3) 등을 들 수 있다. 이들의 내용은 본 명세서에 도입된다.In the present invention, an oxime compound having a fluorine atom may be used as a photopolymerization initiator. Specific examples of the fluorine atom-containing oxime compound include compounds described in JP-A-2010-262028, compounds 24, 36 to 40 described in JP-A-2014-500852, compounds described in JP-A-2013-164471 (C-3), and the like. The contents of which are incorporated herein by reference.
광중합개시제의 시판품으로서는, Irgacure(등록상표) 1173, Irgacure 184, Irgacure 2959, Irgacure 127, Irgacure 907, Irgacure 369, Irgacure 379, Lucilin(등록상표) TPO-L, Irgacure 819, Irgacure OXE-01, Irgacure OXE-02, Irgacure OXE-03, Irgacure 651, Irgacure 754 등(이상, BASF사제)을 들 수 있다. 또한, 광중합개시제는, 일본국 특개2008-105414호 공보의 단락번호 0091에 기재된 화합물을 사용할 수도 있다.Examples of commercially available photopolymerization initiators include Irgacure (registered trademark) 1173, Irgacure 184, Irgacure 2959, Irgacure 127, Irgacure 907, Irgacure 369, Irgacure 379, Lucilin TMO, Irgacure 819, Irgacure OXE- -02, Irgacure OXE-03, Irgacure 651, and Irgacure 754 (manufactured by BASF). As the photopolymerization initiator, the compound described in paragraph No. 0091 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-105414 may be used.
광중합개시제는, 1종 단독으로 사용해도 되지만, 2종 이상을 병용해서 사용하는 것도 바람직하다.The photopolymerization initiator may be used singly or in combination of two or more.
광중합개시제의 함유량은, 경화성 조성물에 대해서, 0.1∼15질량%가 바람직하며, 보다 바람직하게는 0.5∼10질량%이고, 더 바람직하게는 1∼5질량%이다. 경화성 조성물은, 광중합개시제를 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 그 합계량이 상기 범위로 되는 것이 바람직하다.The content of the photopolymerization initiator is preferably from 0.1 to 15 mass%, more preferably from 0.5 to 10 mass%, and still more preferably from 1 to 5 mass%, based on the curable composition. The curable composition may contain only one type of photopolymerization initiator or two or more types of photopolymerization initiators. When two or more kinds are included, the total amount is preferably in the above range.
광중합개시제의 함유량을 0.1질량% 이상으로 하면, 감도(속경화성), 해상성, 라인엣지러프니스성, 막강도가 보다 향상하는 경향이 있어 바람직하다. 또한, 광중합개시제의 함유량을 15질량% 이하로 하면, 광투과성, 착색성, 취급성 등이 향상하는 경향이 있어, 바람직하다.When the content of the photopolymerization initiator is 0.1% by mass or more, the sensitivity (fast curability), resolution, line edge roughness, and film strength tend to be improved, which is preferable. When the content of the photopolymerization initiator is 15 mass% or less, light transmittance, coloring property, handling property and the like tend to be improved, which is preferable.
<<이형제>><< Release Agent >>
본 발명의 경화성 조성물은 이형제를 포함하고 있어도 된다. 이형제를 포함함으로써, 경화성 조성물의 도막면상이 개량되고, 패턴 정도(精度)가 향상하는 경향이 있다. 또한, 몰드 이형성이 향상해, 패턴 결함의 발생을 억제할 수도 있다.The curable composition of the present invention may contain a release agent. By including the releasing agent, the surface area of the curable composition is improved, and the degree of pattern (accuracy) tends to be improved. Further, the mold releasability is improved, and occurrence of pattern defects can be suppressed.
이형제의 함유량은, 경화성 조성물 중, 예를 들면, 0.001∼5질량%가 바람직하며, 0.002∼4질량%가 보다 바람직하고, 0.005∼3질량%가 더 바람직하다. 2종류 이상의 이형제를 사용하는 경우는, 그 합계량이 상기 범위로 되는 것이 바람직하다. 이형제의 함유량이 상기 범위 내이면, 상술한 효과가 얻어지기 쉽다.The content of the releasing agent is preferably 0.001 to 5% by mass, more preferably 0.002 to 4% by mass, and still more preferably 0.005 to 3% by mass in the curable composition. When two or more kinds of release agents are used, the total amount is preferably in the above range. When the content of the releasing agent is within the above range, the above-mentioned effect is easily obtained.
이형제로서는, 실리콘계 이형제, 불소계 이형제, 실리콘·불소계 이형제 및 탄화수소계 이형제를 들 수 있다. 여기에서, 실리콘·불소계 이형제란, 불소 원자와 규소 원자를 갖는 이형제를 의미한다.Examples of the release agent include a silicone-based release agent, a fluorine-based release agent, a silicone-fluorine-based release agent, and a hydrocarbon-based release agent. Here, the silicon-fluorine-based releasing agent means a releasing agent having a fluorine atom and a silicon atom.
실리콘계 이형제로서는, HLB(Hydrophile-Lipophile Balance)가 6∼11인 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 여기에서, HLB란, 화합물의 친수성·소수성 밸런스를 수치적으로 나타낸 것이다. 상용성(相溶性)의 관점에서, 상기 범위가 정해진다. 구체적으로는, 메가카탈로그 등에 기재가 있다.As the silicone-based releasing agent, it is preferable to use a compound having an HLB (Hydrophile-Lipophile Balance) of 6 to 11. Herein, HLB is a numerical value of a hydrophilic / hydrophobic balance of a compound. From the viewpoint of compatibility, the above range is determined. Specifically, there is a mega catalog or the like.
실리콘계 이형제로서는, 미변성 또는 변성의 실록산 화합물이 바람직하다. 그 중에서도, 실리콘 오일이 바람직하고, 폴리실록산의 측쇄 및/또는 말단을 변성한 변성 실리콘 오일이 특히 바람직하다. 실리콘 오일로서는, 폴리에테르 변성 실리콘 오일, 메틸스티릴 변성 실리콘 오일, 알킬 변성 실리콘 오일, 고급 지방 에스테르 변성 실리콘 오일, 친수성 특수 변성 실리콘 오일, 고급 알콕시 변성 실리콘 오일, 고급 지방산 변성 실리콘 오일 등을 들 수 있다.As the silicone-based releasing agent, an unmodified or modified siloxane compound is preferable. Among them, a silicone oil is preferable, and a modified silicone oil obtained by modifying the side chain and / or terminal of the polysiloxane is particularly preferable. Examples of the silicone oil include polyether-modified silicone oil, methylstyryl-modified silicone oil, alkyl-modified silicone oil, higher fatty ester-modified silicone oil, hydrophilic special modified silicone oil, higher alkoxy- have.
불소계 이형제로서는, 플루오로알킬기를 갖는 화합물이 바람직하다. 플루오로알킬기의 탄소수는 1∼20이 바람직하며, 1∼10이 보다 바람직하다. 플루오로알킬기는, 직쇄, 분기, 환상의 어느 것이어도 된다. 또한, 플루오로알킬기는, 분자쇄 중에 에테르 결합을 갖고 있어도 된다. 플루오로알킬기는 동일 분자 중에 복수 포함되어 있어도 된다.As the fluorine-containing releasing agent, a compound having a fluoroalkyl group is preferable. The number of carbon atoms of the fluoroalkyl group is preferably from 1 to 20, more preferably from 1 to 10. The fluoroalkyl group may be linear, branched or cyclic. The fluoroalkyl group may have an ether bond in the molecular chain. A plurality of fluoroalkyl groups may be contained in the same molecule.
탄화수소계 이형제로서는, 폴리옥시알킬렌 구조를 갖는 비중합성 화합물을 들 수 있다. 여기에서, 비중합성 화합물이란, 중합성기를 갖지 않는 화합물을 말한다.Examples of the hydrocarbon-based releasing agent include a non-polymerizable compound having a polyoxyalkylene structure. Here, the non-polymer compound means a compound having no polymerizable group.
폴리옥시알킬렌 구조를 갖는 비중합성 화합물에 있어서, 폴리옥시알킬렌 구조로서는, 폴리옥시에틸렌 구조, 폴리옥시프로필렌 구조, 폴리옥시부틸렌 구조, 또는 이들의 혼합 구조가 보다 바람직하며, 폴리옥시에틸렌 구조 또는 폴리옥시프로필렌 구조가 더 바람직하고, 폴리옥시프로필렌 구조가 특히 바람직하다. 또한, 글리세린이나 펜타에리트리톨 등의 다가(多價) 알코올을 코어로 해서, 분기한 구조인 것도 바람직하다.In the non-polymerizable compound having a polyoxyalkylene structure, the polyoxyalkylene structure is more preferably a polyoxyethylene structure, a polyoxypropylene structure, a polyoxybutylene structure, or a mixed structure thereof, and the polyoxyethylene structure Or a polyoxypropylene structure is more preferable, and a polyoxypropylene structure is particularly preferable. In addition, it is also preferable to use a structure in which a polyhydric alcohol such as glycerin or pentaerythritol is used as a core and branched structure.
폴리옥시알킬렌 구조로서는 폴리옥시알킬렌 구성 단위를 3∼30개 갖고 있는 것이 바람직하며, 5∼20개 갖고 있는 것이 보다 바람직하고, 7∼15개 갖고 있는 것이 더 바람직하고, 9∼13개 갖고 있는 것이 특히 바람직하다.The polyoxyalkylene structure preferably has 3 to 30 polyoxyalkylene constituent units, more preferably 5 to 20, more preferably 7 to 15, and more preferably 9 to 13 Is particularly preferable.
폴리옥시알킬렌 구조의 말단의 수산기는, 치환되어 있지 않아도 되고, 적어도 1개가 유기기로 치환되어 있어도 되고, 모두가 유기기로 치환되어 있어도 된다.The hydroxyl group at the terminal of the polyoxyalkylene structure may be unsubstituted or substituted with at least one organic group or all of them may be substituted with an organic group.
유기기는, 탄소수 1∼20의 유기기가 바람직하다. 유기기는, 에테르 결합, 에스테르 결합, 또는 2가의 연결기로 폴리옥시알킬렌 구조와 연결되어 있는 것이 바람직하다. 유기기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, 부틸기, 옥틸기, 벤질기, 페닐기 등의 탄화수소기를 들 수 있다.The organic group is preferably an organic group having 1 to 20 carbon atoms. The organic group is preferably bonded to the polyoxyalkylene structure through an ether bond, an ester bond, or a divalent linking group. Specific examples of the organic group include hydrocarbon groups such as methyl group, ethyl group, butyl group, octyl group, benzyl group and phenyl group.
상기 비중합성 화합물의 수평균 분자량은, 300∼3000이 바람직하며, 400∼2000이 보다 바람직하고, 500∼1500이 더 바람직하다.The number average molecular weight of the non-polymerizable compound is preferably 300 to 3,000, more preferably 400 to 2,000, and still more preferably 500 to 1,500.
상기 비중합성 화합물의 구체예로서는, 폴리옥시에틸렌(폴리에틸렌글리콜이라고도 함), 폴리옥시프로필렌(폴리프로필렌글리콜이라고도 함), 폴리옥시부틸렌, 폴리옥시에틸렌·폴리옥시프로필렌(블록 및 랜덤), 폴리옥시에틸렌(이하 PEG로 약기한다)글리세릴에테르, 폴리옥시프로필렌(이하 PPG로 약기한다)글리세릴에테르, PEG·PPG글리세릴에테르, PEG비스페놀A에테르, PEG트리메틸올프로판에테르, PEG펜타에리트리톨에테르, PEG네오펜틸글리콜에테르, PEG트리메틸올프로판에테르, PEG메틸에테르, PEG부틸에테르, PEG2-에틸헥실에테르, PEG라우릴에테르, PEG올레일에테르, PPG메틸에테르, PPG부틸에테르, PPG라우릴에테르, PPG올레일에테르, PEG페닐에테르, PEG옥틸페닐에테르, PEG노닐페닐에테르, PEG나프틸에테르, PEG스티렌화페닐에테르, PPG페닐에테르, PPG옥틸페닐에테르, PPG노닐페닐에테르, PEG디메틸에테르, PEG디벤질에테르, PPG디메틸에테르, PPG디벤질에테르, PEG·PPG디메틸에테르, PEG글리세릴에테르트리메틸에테르, PPG글리세릴에테르트리메틸에테르, PEG모노아세테이트, PEG모노라우레이트, PEG모노올레에이트, PPG모노아세테이트, PPG모노라우레이트, PPG모노올레에이트, PEG디아세테이트, PEG디라우레이트, PEG디올레에이트, PPG디아세테이트, PPG디라우레이트, PPG디올레에이트, PEG글리세린 지방산 에스테르, PEG소르비탄 지방산 에스테르, PEG소르비톨 지방산 에스테르, 2,4,7,9-테트라메틸-5-데신-4,7-디올 등의 에틸렌옥사이드 부가물(예를 들면, 오르핀E1004, E1010, E1020 등(닛신가가쿠고교(주)제), 사피놀420, 440, 465, 485, 2502, 2505 등(에어프로덕츠 앤드 케미컬즈사제)) 등을 들 수 있다.Specific examples of the non-polymerizable compound include polyoxyethylene (also referred to as polyethylene glycol), polyoxypropylene (also referred to as polypropylene glycol), polyoxybutylene, polyoxyethylene polyoxypropylene (block and random), polyoxyethylene (Hereinafter abbreviated as PEG) glyceryl ether, polyoxypropylene (abbreviated as PPG) glyceryl ether, PEG.PPG glyceryl ether, PEG bisphenol A ether, PEG trimethylol propane ether, PEG pentaerythritol ether, PEG PEG trimethylol propane ether, PEG methyl ether, PEG butyl ether, PEG2-ethylhexyl ether, PEG lauryl ether, PEG oleyl ether, PPG methyl ether, PPG butyl ether, PPG lauryl ether, PPG ole PEG phenyl ether, PEG octyl phenyl ether, PEG nonyl phenyl ether, PEG naphthyl ether, PEG styrenated phenyl ether, PPG phenyl ether, PPG octyl phenyl ether , PPG nonylphenyl ether, PEG dimethyl ether, PEG dibenzyl ether, PPG dimethyl ether, PPG dibenzyl ether, PEG.PPG dimethyl ether, PEG glyceryl ether trimethyl ether, PPG glyceryl ether trimethyl ether, PEG monoacetate, PEG mono PEG monooleate, PPG monoacetate, PPG monooleate, PPG monooleate, PEG diacetate, PEG dilaurate, PEG diolate, PPG diacetate, PPG dilaurate, PPG diolate, Ethylene oxide adducts such as PEG glycerin fatty acid esters, PEG sorbitan fatty acid esters, PEG sorbitol fatty acid esters and 2,4,7,9-tetramethyl-5-decyne-4,7-diol (for example, , E1010 and E1020 (manufactured by Nisshin Chemical Industries, Ltd.), and Saponol 420, 440, 465, 485, 2502 and 2505 (manufactured by Air Products and Chemicals)).
상기 비중합성 화합물에 대해서는, 일본국 특개2013-036027호 공보의 단락0105∼0106의 기재를 참작할 수 있으며, 이 내용은 본 명세서에 도입된다.With regard to the above non-polymerizable compound, the description of paragraphs 0105 to 0106 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-036027 may be taken into consideration, and the contents thereof are incorporated herein.
불소계 이형제의 시판품으로서는, 플로라드FC-4430, FC-4431(스미토모스리엠(주)제), 사프론S-241, S-242, S-243(AGC세이미케미컬(주)제), 에프톱EF-PN31M-03, EF-PN31M-04, EF-PN31M-05, EF-PN31M-06, MF-100(미쓰비시머티리얼덴시가세이(주)제), Polyfox PF-636, PF-6320, PF-656, PF-6520(OMNOVA사제), 후타전트250, 251, 222F, 212M DFX-18((주)네오스제), 유니다인DS-401, DS-403, DS-406, DS-451, DSN-403N(다이킨고교(주)제), 메가파크F-430, F-444, F-477, F-553, F-556, F-557, F-559, F-562, F-565, F-567, F-569, R-40(DIC(주)제), Capstone FS-3100, Zonyl FSO-100(DuPont사제)을 들 수 있다.S-242, S-243 (manufactured by AGC Seiyaku Chemical Co., Ltd.), F-4431 (manufactured by Sumitomo 3M Ltd.) EF-PN31M-04, EF-PN31M-05, EF-PN31M-06, MF-100 (manufactured by Mitsubishi Materials Denshigasai), Polyfox PF-636, PF-6320, PF DSD-401, DS-403, DS-406, DS-451, DSN (trade name) manufactured by Nippon Zeon Co.), PF-6520 and PF-6520 (manufactured by OMNOVA), futanut 250, 251, 222F and 212M DFX- F-555, F-559, F-562, F-565, F-554, F- F-567, F-569, R-40 (manufactured by DIC Corporation), Capstone FS-3100 and Zonyl FSO-100 (manufactured by DuPont).
실리콘계 이형제의 시판품으로서는, SI-10시리즈(타케모토유시(주)제), SH-3746, SH-3749, SH-3771, SH-8400, TH-8700(도레 다우코닝(주)제, 폴리에테르 변성 폴리실록산오일), KF-351A, KF-352A, KF-353, KF-354L, KF-355A, KF-615A, KF-945, KF-640, KF-642, KF-643, KF-6020, X-22-6191, X-22-4515, KF-6011, KF-6012, KF-6015(신에츠가가쿠고교(주)제, 폴리에테르 변성 폴리실록산오일) 등을 들 수 있다.SH-3749, SH-3771, SH-8400, and TH-8700 (manufactured by Dow Corning Toray Industries, Inc.), polyether-modified KF-642, KF-6020, XF-355A, KF-355A, KF-615A, KF-945, KF-640, KF-642, KF-352A, KF- 22-6191, X-22-4515, KF-6011, KF-6012 and KF-6015 (polyether-modified polysiloxane oil made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
실리콘·불소계 이형제의 시판품으로서는, X-70-090, X-70-091, X-70-092, X-70-093(신에츠가가쿠고교(주)제), 메가파크R-08, XRB-4(DIC(주)제)을 들 수 있다.X-70-091, X-70-092, X-70-093 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Mega Park R-08, XRB- 4 (manufactured by DIC Corporation).
<<젖음성 개량제>><< Wetting improver >>
본 발명의 경화성 조성물은, 젖음성 개량제를 포함하고 있어도 된다. 젖음성 개량제를 포함함으로써, 패턴 형성 시에 있어서의 몰드 오목부의 캐비티 내에의 본 발명의 경화성 조성물의 유동성이 향상해, 양호한 패턴 전사성이 얻어지기 쉽다.The curable composition of the present invention may contain a wettability improver. By including the wettability improving agent, the fluidity of the curable composition of the present invention in the cavity of the mold concave portion at the time of pattern formation is improved, and good pattern transferability is easily obtained.
젖음성 개량제로서는, 지방족 아미드 화합물 등을 들 수 있다. 지방족 아미드 화합물로서는, 하기 식(1)으로 표시되는 화합물이 바람직하다.As the wettability improver, an aliphatic amide compound and the like can be mentioned. As the aliphatic amide compound, a compound represented by the following formula (1) is preferable.
R101-C(=O)NH2 …식(1) R 101 -C (= O) NH 2 ... Equation (1)
식 중, R101은, 탄소수 5∼30의 알킬기 또는 탄소수 5∼30의 알케닐기를 나타낸다.In the formula, R 101 represents an alkyl group having 5 to 30 carbon atoms or an alkenyl group having 5 to 30 carbon atoms.
R101이 나타내는 알킬기 및 알케닐기의 탄소수는, 5∼30이 바람직하다. 하한은, 7 이상이 바람직하며, 10 이상이 보다 바람직하다. 상한은 26 이하가 바람직하며, 24 이하가 보다 바람직하다.The alkyl group and alkenyl group represented by R < 101 > preferably have 5 to 30 carbon atoms. The lower limit is preferably 7 or more, more preferably 10 or more. The upper limit is preferably 26 or less, more preferably 24 or less.
식(1)으로 표시되는 지방산 아미드 화합물의 구체예로서는, 올레산아미드, 에루크산아미드, 베헨산아미드, 라우르산아미드, 스테아르산아미드, 옥탄아미드, 헥산아미드 등을 바람직하게 들 수 있다. 시판품으로서는, 다이아미드(등록상표) O-200(니혼가세이(주)제, 올레산아미드) 등을 들 수 있다.Specific examples of the fatty acid amide compound represented by the formula (1) include oleic acid amide, erucic acid amide, behenic acid amide, lauric acid amide, stearic acid amide, octanamide and hexanamide. Commercially available products include diamide (registered trademark) O-200 (oleic acid amide manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) and the like.
젖음성 개량제의 함유량은, 경화성 조성물 중, 예를 들면, 0.001∼5질량%가 바람직하며, 0.002∼4질량%가 보다 바람직하고, 0.005∼3질량%가 더 바람직하다. 2종류 이상의 젖음성 개량제를 사용하는 경우는, 그 합계량이 상기 범위로 되는 것이 바람직하다. 젖음성 개량제의 함유량이 상기 범위 내이면, 상술한 효과가 얻어지기 쉽다.The content of the wettability improver is, for example, preferably 0.001 to 5 mass%, more preferably 0.002 to 4 mass%, and still more preferably 0.005 to 3 mass% in the curable composition. When two or more kinds of wettability improving agents are used, the total amount is preferably in the above range. When the content of the wettability improver is within the above range, the above-mentioned effect is easily obtained.
<<실란커플링제>><< Silane coupling agent >>
본 발명의 경화성 조성물에는, 실란커플링제를 함유할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 실란커플링제의 종류는 특히 정하는 것은 아니지만, 에폭시기, 에틸렌성 불포화기, 클로로기로 치환된 알킬기 및 메르캅토기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종과, 알콕시실란 구조를 갖는 화합물이 바람직하다. 경화성 조성물에 실란커플링제를 배합함에 의해, 기재와의 밀착성이 우수한 패턴을 형성하기 쉽다.The curable composition of the present invention may contain a silane coupling agent. The kind of the silane coupling agent used in the present invention is not particularly defined, but a compound having at least one member selected from the group consisting of an epoxy group, an ethylenic unsaturated group, an alkyl group substituted with a chloro group, and a mercapto group and a compound having an alkoxysilane structure desirable. By blending a silane coupling agent into the curable composition, it is easy to form a pattern having excellent adhesion to a substrate.
또, 본 발명에 있어서, (메타)아크릴로일기를 갖는 실란커플링제 중, 상술한 (메타)아크릴레이트 모노머A1, (메타)아크릴레이트 모노머A2 또는 (메타)아크릴레이트 모노머A3에 해당하는 것은, (메타)아크릴레이트 모노머A1, (메타)아크릴레이트 모노머A2 또는 (메타)아크릴레이트 모노머A3에 포함되는 것으로 한다.In the present invention, among the silane coupling agents having a (meth) acryloyl group, those corresponding to the aforementioned (meth) acrylate monomer A1, (meth) acrylate monomer A2 or (meth) acrylate monomer A3, (Meth) acrylate monomer A1, (meth) acrylate monomer A2 or (meth) acrylate monomer A3.
실란커플링제의 구체예로서는, 예를 들면, 비닐트리클로로실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-클로로프로필메틸디메톡시실란, γ-클로로프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다.Specific examples of the silane coupling agent include vinyl trichlorosilane, vinyltris (? -Methoxyethoxy) silane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl ) -Ethyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropylmethyldiethoxysilane,? -Mercaptopropyltrimethoxysilane,? -Chloropropylmethyldimethoxysilane,? - Chloropropylmethyldiethoxysilane, and the like.
실란커플링제의 분자량은, 150∼400이 바람직하다.The molecular weight of the silane coupling agent is preferably 150 to 400.
실란커플링제의 함유량은, 경화성 조성물 중, 예를 들면, 1∼20질량%가 바람직하다. 하한은, 3질량% 이상이 바람직하며, 5질량% 이상이 보다 바람직하고, 8질량% 이상이 더 바람직하다. 상한은, 15질량% 이하가 바람직하다.The content of the silane coupling agent is preferably, for example, 1 to 20% by mass in the curable composition. The lower limit is preferably 3% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, and still more preferably 8% by mass or more. The upper limit is preferably 15 mass% or less.
<<그 밖의 성분>><< Other Ingredients >>
본 발명의 경화성 조성물은, 상술한 성분 외에, 필요에 따라서, 광증감제, 산화방지제, 자외선흡수제, 중합금지제, 광안정제, 노화방지제, 가소제, 열중합개시제, 광염기발생제, 착색제, 무기 입자, 엘라스토머 입자, 염기성 화합물, 광산발생제, 광산증식제, 연쇄이동제, 대전방지제, 유동조정제, 소포제, 분산제 등을 포함하고 있어도 된다. 이러한 성분의 구체예로서는, 일본국 특개2012-33517호 공보의 단락0031∼0052의 기재를 참작할 수 있으며, 이들의 내용은 본 명세서에 도입된다.The curable composition of the present invention may contain, in addition to the above-described components, a photosensitizer, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a polymerization inhibitor, a light stabilizer, an antioxidant, a plasticizer, a thermal polymerization initiator, Particles, elastomer particles, basic compounds, photoacid generators, photo acid generators, chain transfer agents, antistatic agents, flow control agents, antifoaming agents, dispersants and the like. As specific examples of such components, reference may be made to paragraphs 0031 to 0052 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 3133517, the contents of which are incorporated herein by reference.
<<물>><< Water >>
본 발명의 경화성 조성물 중의 물의 함유량은, 2.0질량% 이하인 것이 바람직하며, 1.5질량% 이하가 보다 바람직하고, 1.0질량% 이하가 더 바람직하다. 물의 함유량이 2.0질량% 이하이면, 경화성 조성물의 보존안정성이 우수하다.The content of water in the curable composition of the present invention is preferably 2.0 mass% or less, more preferably 1.5 mass% or less, and further preferably 1.0 mass% or less. When the content of water is 2.0 mass% or less, the curable composition has excellent storage stability.
<<용제>><< Solvent >>
본 발명의 경화성 조성물은, 용제를 함유하고 있어도 된다. 본 발명의 경화성 조성물 중의 용제의 함유량은, 5질량% 이하인 것이 바람직하며, 3질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 실질적으로 용제를 함유하지 않는 것이 특히 바람직하다. 여기에서, 실질적으로 용제를 함유하지 않음이란, 예를 들면, 본 발명의 경화성 조성물의 질량에 대해서 1질량% 이하인 것이 바람직하며, 0.5질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 함유하지 않는 것이 한층 바람직하다. 본 발명의 경화성 조성물을 잉크젯법으로 기판 상에 도포할 경우, 용제의 함유량이 적으면, 용제의 휘발에 의한 경화성 조성물의 점도 변화를 억제할 수 있기 때문에, 바람직하다. The curable composition of the present invention may contain a solvent. The content of the solvent in the curable composition of the present invention is preferably 5 mass% or less, more preferably 3 mass% or less, and particularly preferably substantially free of solvent. Here, the term substantially solvent-free means that it is preferably 1% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or less, and more preferably, not more than 0.5% by mass with respect to the mass of the curable composition of the present invention. When the curable composition of the present invention is coated on a substrate by an ink-jet method, it is preferable that the content of the solvent is small because the viscosity change of the curable composition due to volatilization of the solvent can be suppressed.
이렇게, 본 발명의 경화성 조성물은, 반드시, 용제를 포함하는 것은 아니지만, 경화성 조성물의 점도를 미세 조정할 때 등에, 임의로 첨가해도 된다. 본 발명의 경화성 조성물에 바람직하게 사용할 수 있는 용제의 종류로서는, 임프린트용 경화성 조성물이나 포토레지스트에서 일반적으로 사용되고 있는 용제이며, 본 발명에서 사용하는 각 성분을 용해 및 균일 분산시키는 것이면 되며, 또한, 이들 성분과 반응하지 않는 것이면 특히 한정되지 않는다. 본 발명에서 사용할 수 있는 용제의 예로서는, 일본국 특개2008-105414호 공보의 단락번호 0088에 기재된 것을 들 수 있으며, 이 내용은 본 명세서에 도입된다.Thus, the curable composition of the present invention does not necessarily contain a solvent, but may be optionally added when the viscosity of the curable composition is finely adjusted. The solvent which can be preferably used in the curable composition of the present invention is a solvent which is generally used in the curable composition for imprinting or the photoresist and which dissolves and uniformly disperses each component used in the present invention, Is not particularly limited as long as it does not react with the component. Examples of the solvent usable in the present invention include those described in paragraph No. 0088 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-105414, the contents of which are incorporated herein.
<경화성 조성물의 조제 방법, 용도>≪ Preparation method and use of curable composition >
본 발명의 경화성 조성물은, 상술한 각 성분을 혼합해서 조제할 수 있다. 각 성분의 혼합은, 통상, 0℃∼100℃의 범위에서 행해진다. 또한, 각 성분을 혼합한 후, 예를 들면, 필터로 여과하는 것이 바람직하다. 여과는, 다단계로 행해도 되고, 다수 회 반복해도 된다. 또한, 여과한 액을 재여과할 수도 있다.The curable composition of the present invention can be prepared by mixing the respective components described above. The mixing of each component is usually carried out in the range of 0 ° C to 100 ° C. Further, it is preferable to mix the respective components and then filter them with a filter, for example. The filtration may be performed in multiple steps or repeated a plurality of times. Further, the filtrate may be re-filtered.
필터로서는, 종래부터 여과 용도 등에 사용되고 있는 것이면 특히 한정되지 않고 사용할 수 있다. 예를 들면, PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌) 등의 불소 수지, 나일론-6, 나일론-6,6 등의 폴리아미드계 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌(PP) 등의 폴리올레핀 수지(고밀도, 초고분자량의 폴리올레핀 수지를 포함한다) 등의 소재를 사용한 필터를 들 수 있다. 이들 소재 중에서도 폴리프로필렌(고밀도 폴리프로필렌을 포함한다) 및 나일론이 바람직하다.The filter is not particularly limited as long as it is conventionally used for filtration and the like. For example, a fluororesin such as PTFE (polytetrafluoroethylene), a polyamide resin such as nylon-6 or nylon-6,6, a polyolefin resin such as polyethylene or polypropylene (PP) And a polyolefin resin). Of these materials, polypropylene (including high-density polypropylene) and nylon are preferred.
필터의 공경(孔徑)은, 예를 들면, 0.003∼5.0㎛ 정도가 적합하다. 이 범위로 함에 의해, 여과 막힘을 억제하면서, 조성물에 포함되는 불순물이나 응집물 등, 미세한 이물을 확실히 제거하는 것이 가능해진다.The pore diameter of the filter is preferably about 0.003 to 5.0 mu m, for example. Within this range, it is possible to reliably remove fine foreign matters such as impurities and aggregates contained in the composition while suppressing filtration clogging.
필터를 사용할 때, 다른 필터를 조합해도 된다. 그때, 제1 필터에서의 여과는, 1회만이어도 되고, 2회 이상 행해도 된다. 다른 필터를 조합해서 2회 이상의 여과를 행하는 경우는, 1회째의 여과에서 사용하는 필터의 공경에 대해, 2회째 이후의 여과에서 사용하는 필터의 공경은 같거나, 혹은 작은 편이 바람직하다. 또한, 여과를 2회 이상 행할 경우, 상술한 범위 내에서 다른 공경의 제1 필터를 조합해도 된다. 여기에서의 공경은, 필터 메이커의 공칭값을 참조할 수 있다. 시판의 필터로서는, 예를 들면, 니혼폴가부시키가이샤, 아드반테크도요가부시키가이샤, 니혼인테그리스가부시키가이샤(구 니혼마이크로리스가부시키가이샤) 또는 가부시키가이샤킷츠마이크로필터 등이 제공하는 각종 필터 중에서 선택할 수 있다.When using a filter, other filters may be combined. At that time, the filtration in the first filter may be performed once, or may be performed two or more times. When two or more filtrations are performed in combination with other filters, it is preferable that the filter used in the second filtration after the first filtration is equal to or smaller than the pore size of the filter used in the first filtration. When filtration is performed twice or more, a first filter having different pore diameters may be combined within the above-described range. Here, the pore size can refer to the nominal value of the filter maker. As a commercially available filter, for example, commercially available products such as Nippon Polybutylene terephthalate, Advan Tech Yoga Bushi Co., Ltd., Nippon Ince Grease Co., Ltd. (formerly Nippon Microlis Co., Ltd.) Can be selected from among various filters provided by the user.
본 발명의 경화성 조성물은, 23℃에 있어서, 점도가 25m㎩·s 이하인 것이 바람직하다. 하한은, 예를 들면, 5m㎩·s 이상이 바람직하며, 8m㎩·s 이상이 보다 바람직하고, 10m㎩·s 이상이 더 바람직하다. 상한은, 예를 들면, 23m㎩·s 이하가 보다 바람직하고, 21m㎩·s 이하가 더 바람직하다. 이러한 범위로 함에 의해, 잉크젯 토출성을 향상할 수 있다. 또한, 몰드의 요철 패턴에의 충전성을 향상시킬 수 있으며, 패턴 형성성도 우수하다. 또, 본 발명에 있어서의 점도의 값은, 후술하는 실시예에 기재된 방법으로 측정한 값이다.The curable composition of the present invention preferably has a viscosity of 25 mPa · s or less at 23 ° C. The lower limit is, for example, preferably 5 mPa · s or more, more preferably 8 mPa · s or more, and even more preferably 10 mPa · s or more. The upper limit is more preferably 23 mPa s or less, for example, and further preferably 21 mPa s or less. By setting this range, ink jet dischargeability can be improved. Further, the filling property of the mold to the concavo-convex pattern can be improved, and the pattern forming property is also excellent. The value of the viscosity in the present invention is a value measured by the method described in the following Examples.
본 발명의 경화성 조성물은, 잉크젯 토출성이 우수하기 때문에, 잉크젯용의 경화성 조성물로서 호적(好適)하다.The curable composition of the present invention is favorable as a curable composition for ink jet because of its excellent ink jet dischargeability.
또한, 본 발명의 경화성 조성물은, 임프린트법에 의해, 패턴 쓰러짐 등이 없고, 강도가 우수한 미세 패턴을 형성할 수 있으므로, 임프린트용의 경화성 조성물로서 호적하다. 특히, 광 임프린트용의 경화성 조성물로서 호적하다.In addition, the curable composition of the present invention is suitable as a curable composition for imprinting because it can form a fine pattern with excellent strength without pattern collapse and the like by the imprint method. In particular, it is a curable composition for optical imprint.
또한, 본 발명의 경화성 조성물은, 에칭 내성 및 강도가 우수한 패턴을 형성할 수 있으므로, 에칭 마스크 형성용의 경화성 조성물로서 호적하다.Further, the curable composition of the present invention is suitable as a curable composition for forming an etching mask because it can form a pattern having excellent etching resistance and strength.
<패턴 형성 방법>≪ Pattern formation method >
다음으로, 본 발명의 패턴 형성 방법을 설명한다. 본 발명의 패턴 형성 방법은, 본 발명의 경화성 조성물을 사용해서, 광 임프린트법에 의해 패턴을 형성하는 것이 바람직하다.Next, the pattern forming method of the present invention will be described. In the pattern forming method of the present invention, it is preferable to form the pattern by the optical imprint method using the curable composition of the present invention.
이하에 있어서, 본 발명의 경화성 조성물을 사용한 패턴 형성 방법에 대하여 구체적으로 기술한다. 본 발명의 패턴 형성 방법은, 우선, 본 발명의 경화성 조성물을 기재 상 또는 패턴을 갖는 몰드 상에 도포한다. 다음으로, 경화성 조성물을 몰드와 기재로 협지한다. 다음으로, 경화성 조성물을 몰드와 기재로 협지한 상태에서 광조사(노광)해서, 경화성 조성물을 경화시킨다. 마지막으로, 경화물의 표면으로부터 몰드를 박리한다.Hereinafter, a pattern forming method using the curable composition of the present invention will be described in detail. In the pattern forming method of the present invention, first, the curable composition of the present invention is applied onto a mold having a substrate or pattern. Next, the curable composition is sandwiched between the mold and the substrate. Next, the curable composition is cured by light irradiation (exposure) in a state sandwiched between the mold and the substrate. Finally, the mold is peeled from the surface of the cured product.
본 발명의 경화성 조성물을, 기재 상 또는 패턴을 갖는 몰드 상에 도포하는 방법으로서는, 일반적으로 잘 알려진 도포 방법, 예를 들면, 딥코팅법, 에어나이프 코팅법, 커튼 코팅법, 와이어바 코팅법, 그라비어 코팅법, 익스트루전 코팅법, 스핀 코팅법, 슬릿스캔법, 또는 잉크젯법 등을 사용함으로써 기재 상에 도막 혹은 액적을 배치할 수 있다. 특히, 본 발명의 경화성 조성물은, 잉크젯 토출성이 우수하므로, 잉크젯법에 호적하다.As a method of applying the curable composition of the present invention on a substrate or a mold having a pattern, there can be used generally known coating methods such as a dip coating method, an air knife coating method, a curtain coating method, a wire bar coating method, A coating film or a droplet can be arranged on a substrate by using a gravure coating method, an extrusion coating method, a spin coating method, a slit scanning method, or an inkjet method. Particularly, since the curable composition of the present invention is excellent in inkjet dischargeability, it is suitable for an inkjet method.
경화성 조성물의 도포막 두께는, 용도에 따라서 다르지만, 0.05∼30㎛가 바람직하다. 또한, 경화성 조성물은, 다중 도포에 의해 도포해도 된다.The coating film thickness of the curable composition varies depending on the application, but is preferably 0.05 to 30 占 퐉. The curable composition may be applied by multiple application.
또, 몰드 상에 경화성 조성물을 도포하는 경우는, 몰드의 패턴이 형성된 측의 면에, 경화성 조성물을 도포한다.When the curable composition is applied onto the mold, the curable composition is applied to the side of the mold where the pattern is formed.
기재는, 각종 용도에 따라서 선택 가능하며, 예를 들면, 석영, 유리, 광학 필름, 세라믹 재료, 폴리에스테르 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름 등의 폴리머 기재, 트랜지스터(TFT) 어레이 기재, 플라스마 디스플레이(PDP)의 전극판, ITO(Indium Tin Oxide)나 금속 등의 도전성 기재, 유리나 플라스틱 등의 절연성 기재, 실리콘, 질화실리콘, 폴리실리콘, 산화실리콘, 아모퍼스실리콘, 탄화규소, SOG(Spin On Glass), SOC(Spin On Carbon) 등의 반도체 제작 기재, 컬러 필터 등이 예시된다. 기판의 형상은, 판상이어도 되고, 롤상이어도 된다. 또한, 몰드와의 조합 등에 따라서, 광투과성, 또는, 비광투과성의 기재를 선택할 수 있다.The substrate can be selected according to various applications, and examples of the substrate include a polymer substrate such as quartz, glass, an optical film, a ceramic material, a polyester film, a polycarbonate film and a polyimide film, a transistor (TFT) (PDP), an electrically conductive substrate such as indium tin oxide (ITO) or metal, an insulating substrate such as glass or plastic, silicon, silicon nitride, polysilicon, silicon oxide, amorphous silicon, silicon carbide, SOG ), SOC (Spin On Carbon), and color filters. The shape of the substrate may be a plate shape or a roll shape. Further, depending on the combination with the mold, a light-transmitting or non-light-transmitting base material can be selected.
기재는, 경화성 조성물과의 밀착성을 향상시키기 위하여, 기재 표면에 하층막 형성용 조성물을 적용해서, 하층막을 형성한 기재를 사용해도 된다. 하층막 형성용 수지 조성물은, 예를 들면, 중합성 화합물과 용제를 포함하는 것이 사용된다. 하층막 형성용 수지 조성물로서는, 예를 들면, 일본국 특개2014-24322호 공보의 단락번호 0017∼0068, 일본국 특개2013-93552호 공보의 단락번호 0016∼0044에 기재된 것을 사용할 수 있고, 이들의 내용은 본 명세서에 도입된다. 하층막 형성용 수지 조성물의 적용 방법으로서는, 도포법이 바람직하다. 도포법으로서는, 예를 들면, 상술한 방법을 들 수 있다.In order to improve adhesion with the curable composition, a base material on which a lower layer film is formed by applying a composition for forming a lower layer film on the surface of the base material may be used. As the resin composition for forming a lower layer film, for example, a resin composition containing a polymerizable compound and a solvent is used. As the resin composition for forming a lower layer film, for example, those described in paragraphs 0016 to 0088 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-24322 and paragraphs 0016 to 0044 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-93552 can be used. The contents are incorporated herein. As a method of applying the resin composition for forming a lower layer film, a coating method is preferable. As the coating method, for example, the above-mentioned methods can be mentioned.
몰드는, 패턴을 갖고 있다. 몰드가 갖는 패턴은, 예를 들면, 포토리소그래피, 다른 몰드를 사용하는 전사법, 및 전자선묘화법 등에 의해서, 원하는 가공 정도에 따라서 형성할 수 있다.The mold has a pattern. The pattern possessed by the mold can be formed according to a desired degree of processing, for example, by photolithography, a transfer method using another mold, an electronic line drawing method, or the like.
몰드의 재질은, 특히 한정되지 않지만, 소정의 강도, 내구성을 갖는 것이면 된다. 광투과성의 재질이어도 되고, 비광투과성의 재질이어도 된다. 기재와의 조합에 따라서 적의(適宜) 선택할 수 있다. 광투과성의 몰드의 재질로서는, 예를 들면, 유리, 석영, 아크릴 수지, 폴리카보네이트 수지 등의 광투명성 수지, 투명 금속 증착막, 금속막 등이 예시된다. 비광투과성의 몰드의 재질로서는, 세라믹 재료, 증착막, 자성막, 반사막, 금속 기판, SiC, 실리콘, 질화실리콘, 폴리실리콘, 산화실리콘, 아모퍼스실리콘, 탄화규소 등이 예시되며, 특히 제약되지 않는다. 또한, 몰드의 형상도 특히 제약되는 것은 아니며, 판상 몰드, 롤상 몰드의 어느 쪽이어도 된다. 롤상 몰드는, 특히 전사의 연속 생산성이 필요한 경우에 적용된다.The material of the mold is not particularly limited, but any material having a predetermined strength and durability may be used. And may be a light-transmitting material or a non-light-transmitting material. And may be appropriately selected depending on the combination with the substrate. As the material of the light-transmitting mold, for example, light transparent resin such as glass, quartz, acrylic resin, polycarbonate resin, transparent metal vapor deposition film, metal film and the like are exemplified. The material of the non-light-permeable mold is exemplified by a ceramic material, a vapor deposition film, a magnetic film, a reflective film, a metal substrate, SiC, silicon, silicon nitride, polysilicon, silicon oxide, amorphous silicon and silicon carbide. In addition, the shape of the mold is not particularly limited, and either a plate-like mold or a roll-shaped mold may be used. The roll-on mold is applied especially when the continuous productivity of the warrior is required.
몰드는, 경화성 조성물과 몰드 표면과의 박리성을 향상시키기 위하여 이형 처리를 행한 것을 사용해도 된다. 이러한 몰드로서는, 실리콘계나 불소계 등의 실란커플링제에 의한 처리를 행한 것, 예를 들면, 다이킨고교(주)제의 오프툴DSX나, 스미토모스리엠(주)제의 Novec EGC-1720 등, 시판의 이형제도 호적하게 사용할 수 있다.The mold may be subjected to mold release treatment to improve the releasability between the curable composition and the surface of the mold. Examples of such molds include those obtained by treatment with a silane coupling agent such as a silicone type or fluorine type; for example, off-tool DSX manufactured by Daikin Industries Co., Ltd., Novec EGC-1720 manufactured by Sumitomo 3M Co., A commercially available release system can be used as a convenience.
기재 또는 몰드 상에 도포한 경화성 조성물을 몰드와 기재로 끼움으로써, 경화성 조성물의 표면에, 몰드 표면에 형성된 패턴을 전사할 수 있다.The pattern formed on the surface of the mold can be transferred onto the surface of the curable composition by fitting the substrate or the curable composition applied on the mold with the mold and the substrate.
경화성 조성물을 몰드와 기재로 끼울 때에는, 몰드 가압력을 1㎫ 이하에서 행하는 것이 바람직하다. 몰드 가압력을 1㎫ 이하로 함에 의해서, 몰드나 기판이 변형하기 어려워 패턴 정도가 향상하는 경향이 있다. 또한, 가압이 낮기 때문에 장치를 축소할 수 있는 경향이 있는 점에서도 바람직하다.When the curable composition is sandwiched between the mold and the substrate, it is preferable to perform the mold pressing force at 1 MPa or less. By setting the mold pressing force to 1 MPa or less, it is difficult for the mold or the substrate to be deformed, and the degree of the pattern tends to be improved. It is also preferable that the device is shrunk because the pressure is low.
또한, 경화성 조성물을 몰드와 기재로 끼울 때에는, 헬륨 가스를 몰드와 기재와의 사이에 도입해도 된다. 이러한 방법을 사용함에 의해, 기체의 몰드의 투과를 촉진해서, 잔류 기포의 소실을 촉진시킬 수 있다. 또한, 경화성 조성물 중의 용존 산소를 저감함으로써, 노광에 있어서의 라디칼 중합 저해를 억제할 수 있다. 또한, 헬륨 대신에, 응축성 가스를 몰드와 기재와의 사이에 도입해도 된다. 이러한 방법을 사용함에 의해, 도입된 응축성 가스가 응축해서 체적이 감소하는 것을 이용해, 잔류 기포의 소멸을 더 촉진시킬 수 있다. 응축성 가스란, 온도나 압력에 따라서 응축하는 가스를 말하며, 예를 들면, 트리클로로플루오로메탄, 1,1,1,3,3-펜타플루오로프로판 등을 사용할 수 있다. 응축성 가스에 대해서는, 예를 들면, 일본국 특개2004-103817호 공보의 단락0023, 일본국 특개2013-254783호 공보의 단락0003의 기재를 참작할 수 있으며, 이들의 내용은 본 명세서에 도입된다.Further, when the curable composition is sandwiched between the mold and the substrate, a helium gas may be introduced between the mold and the substrate. By using such a method, the permeation of the mold of the gas can be promoted, and the disappearance of the residual bubbles can be promoted. In addition, inhibition of radical polymerization in exposure can be suppressed by reducing dissolved oxygen in the curable composition. Further, instead of helium, a condensable gas may be introduced between the mold and the substrate. By employing such a method, it is possible to further accelerate the disappearance of the residual bubbles by utilizing the fact that the introduced condensable gas condenses and the volume is reduced. The condensable gas means a gas which condenses in accordance with a temperature or a pressure. For example, trichlorofluoromethane, 1,1,1,3,3-pentafluoropropane, etc. can be used. As regards the condensable gas, for example, reference may be made to the description of paragraph 0003 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-103817, and of paragraph 0003 of Japanese Patent Application Publication No. 2013-254783, the contents of which are incorporated herein .
다음으로, 경화성 조성물을 몰드와 기재로 끼운 상태에서 광조사(노광)해서, 경화성 조성물을 경화시킨다.Next, the curable composition is cured by light irradiation (exposure) with the mold and the substrate sandwiched therebetween.
경화성 조성물을 경화시키기 위하여 사용하는 광은 특히 한정되지 않으며, 예를 들면, 고에너지 전리방사선, 근자외, 원자외, 가시, 적외 등의 영역의 파장의 광 또는 방사선을 들 수 있다. 고에너지 전리방사선원으로서는, 예를 들면, 코크로프트형 가속기, 밴더그래프형 가속기, 리니어 엑셀레이터, 베타트론, 사이클로트론 등의 가속기에 의해서 가속된 전자선을 들 수 있다. 또한, 방사성 동위원소나 원자로 등으로부터 방사되는 γ선, X선, α선, 중성자선, 양자선 등의 방사선도 사용할 수 있다. 자외선원으로서는, 예를 들면, 자외선 형광등, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 제논등, 탄소 아크등, 태양등 등을 들 수 있다.The light used for curing the curable composition is not particularly limited, and examples thereof include light or radiation having a wavelength in a region of high energy ionizing radiation, extraordinary, non-atomic, visible, infrared, and the like. Examples of the high energy ionizing radiation source include electron beams accelerated by accelerators such as a cocroof type accelerator, a Vandegraph type accelerator, a linear accelerator, a betatron, and a cyclotron. Also, radiation such as γ rays, X rays, α rays, neutron rays, and proton rays emitted from radioactive isotopes or reactors may be used. Examples of the ultraviolet source include ultraviolet fluorescent lamps, low pressure mercury lamps, high pressure mercury lamps, ultra high pressure mercury lamps, xenon lamps, carbon arc lamps, and the like.
광조사는, 노광 조도를 1∼200㎽/㎠의 범위에서 행하는 것이 바람직하다. 노광 조도를 1㎽/㎠ 이상으로 함에 의해, 노광 시간을 단축할 수 있기 때문에 생산성이 향상한다. 노광 조도를 200㎽/㎠ 이하로 함에 의해, 부반응이 생기는 것에 의한 경화막의 특성의 열화를 억지할 수 있는 경향이 있어 바람직하다. 광조사에 있어서의 노광량은 5∼1000mJ/㎠의 범위가 바람직하다.The light irradiation is preferably performed in a range of 1 to 200 mW / cm 2. By setting the exposure illuminance to 1 mW / cm < 2 > or more, the exposure time can be shortened and productivity is improved. By setting the exposure illuminance to 200 mW / cm 2 or less, the deterioration of the properties of the cured film due to the occurrence of side reactions tends to be suppressed, which is preferable. The exposure dose in light irradiation is preferably in the range of 5 to 1000 mJ / cm 2.
광조사에 있어서는, 산소에 의한 라디칼 중합 저해를 억제하기 위해, 질소, 헬륨, 아르곤, 이산화탄소 등의 불활성 가스를 흘려보내서, 대기 중의 산소 농도를 10㎪ 이하로 제어하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 대기 중의 산소 농도는 3㎪ 이하, 더 바람직하게는, 1㎪ 이하이다.In light irradiation, it is preferable to control the oxygen concentration in the atmosphere to 10 ㎪ or less by flowing an inert gas such as nitrogen, helium, argon, or carbon dioxide in order to suppress the inhibition of radical polymerization by oxygen. More preferably, the oxygen concentration in the atmosphere is 3 kPa or less, more preferably 1 kPa or less.
광조사 시, 기판 온도는, 통상, 실온으로 하지만, 반응성을 높이기 위하여 가열을 하면서 광조사해도 된다. 광조사의 전단계로서, 진공 상태로 해두면, 기포 혼입 방지, 산소 혼입에 의한 반응성 저하의 억제, 몰드와 경화성 조성물과의 밀착성 향상에 효과가 있기 때문에, 진공 상태에서 광조사해도 된다. 또한, 광조사 시에 있어서의 바람직한 진공도는, 10-1㎩ 내지 상압(常壓)의 범위이다.At the time of light irradiation, the substrate temperature is usually room temperature, but light irradiation may be performed while heating to increase the reactivity. As a preliminary stage of light irradiation, light irradiation may be conducted in a vacuum state since it is effective in preventing air bubble mixing, suppressing decrease in reactivity due to oxygen incorporation, and improving adhesion between the mold and the curable composition. The preferable degree of vacuum at the time of light irradiation is in the range of 10 -1 Pa to atmospheric pressure.
본 발명의 패턴 형성 방법은, 광조사에 의해 경화성 조성물을 경화시킨 후, 필요에 따라서 경화시킨 패턴에 열을 더해서 추가로 경화시키는 공정을 포함하고 있어도 된다.The pattern forming method of the present invention may include a step of curing the curable composition by light irradiation and then curing the composition by adding heat to the cured pattern as required.
광조사 후에 경화성 조성물을 가열 경화시킬 경우, 가열 온도는, 150∼280℃가 바람직하며, 200∼250℃가 보다 바람직하다. 또한, 가열 시간은, 5∼60분간이 바람직하며, 15∼45분간이 더 바람직하다.When the curable composition is thermally cured after light irradiation, the heating temperature is preferably 150 to 280 占 폚, more preferably 200 to 250 占 폚. The heating time is preferably 5 to 60 minutes, more preferably 15 to 45 minutes.
상술과 같이 해서 경화성 조성물을 경화시킨 후, 몰드를 박리함으로써, 몰드가 갖는 패턴 형상이 전사된 패턴을 갖는 경화물을 제조할 수 있다.After the curable composition is cured as described above, the mold is peeled off to produce a cured product having a pattern in which the pattern of the mold is transferred.
패턴 형성 방법의 구체예로서는, 일본국 특개2012-169462호 공보의 단락번호 0125∼0136에 기재된 것을 들 수 있으며, 이 내용은 본 명세서에 도입된다.Specific examples of the pattern forming method include those described in paragraphs 0125 to 0136 of Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei. 2012-169462, the contents of which are incorporated herein.
본 발명의 패턴 형성 방법은, 패턴반전법에 응용할 수 있다. 구체적으로는, 탄소막(SOC)을 구비한 피가공기판 상에, 본 발명의 패턴 형성 방법으로 패턴을 형성한다. 다음으로, 상기 패턴을 Si 함유막(SOG)으로 피복한 후, Si 함유막의 상부를 에칭해서 패턴을 노출시키고, 노출한 패턴을 산소 플라스마 등에 의해 제거함으로써, Si 함유막의 반전 패턴을 형성한다. Si 함유막의 반전 패턴을 에칭 마스크로 해서, 그 하층에 있는 탄소막을 에칭함으로써, 탄소막에 상기 반전 패턴이 전사한다. 마지막으로, 상기 반전 패턴이 전사된 탄소막을 에칭 마스크로 해서, 기재를 에칭 가공한다. 이러한 방법의 예로서는, 일본국 특개평5-267253호 공보, 일본국 특개2002-110510호 공보, 일본국 특표2006-521702호 공보의 단락0016∼0030, 일본국 특표2010-541193호 공보를 참작할 수 있고, 이들의 내용은 본 명세서에 도입된다.The pattern formation method of the present invention can be applied to the pattern inversion method. Specifically, a pattern is formed on the substrate to be processed provided with a carbon film (SOC) by the pattern forming method of the present invention. Next, after covering the pattern with the Si-containing film (SOG), the upper part of the Si-containing film is etched to expose the pattern, and the exposed pattern is removed with oxygen plasma or the like to form an inverted pattern of the Si-containing film. The reversal pattern of the Si-containing film is transferred to the carbon film by etching the carbon film underneath using the reversed pattern as an etching mask. Finally, the substrate is etched using the carbon film on which the reversed pattern is transferred as an etching mask. As an example of such a method, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 5-267253, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2002-110510, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-521702, paragraphs 0016 to 0030, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2010-541193 , The contents of which are incorporated herein by reference.
<패턴><Pattern>
상술과 같이 본 발명의 패턴 형성 방법에 의해서 형성된 패턴은, 액정 디스플레이(LCD) 등에 사용되는 영구막이나, 반도체 가공용의 에칭 레지스트로서 사용할 수 있다.As described above, the pattern formed by the pattern forming method of the present invention can be used as a permanent film used for a liquid crystal display (LCD) or the like, or as an etching resist for semiconductor processing.
예를 들면, 반도체 집적 회로, 마이크로 전기 기계 시스템(MEMS), 광디스크, 자기디스크 등의 기록 매체, 고체 촬상 소자 등의 수광 소자, LED나 유기 EL 등의 발광 소자 등의 광디바이스, 회절 격자, 릴리프 홀로그램, 광도파로, 광학 필터, 마이크로 렌즈 어레이 등의 광학 부품, 박막 트랜지스터, 유기 트랜지스터, 컬러 필터, 반사방지막, 편광 소자, 광학 필름, 주재(柱材) 등의 플랫 패널 디스플레이용 부재, 나노 바이오 디바이스, 면역분석칩, 데옥시리보핵산(DNA)분리칩, 마이크로 리액터, 포토닉 액정, 블록 코폴리머의 자기 조직화를 사용한 미세 패턴 형성(directed self-assembly, DSA)을 위한 가이드 패턴 등의 제작에 바람직하게 사용할 수 있다.For example, a recording medium such as a semiconductor integrated circuit, a micro electro mechanical system (MEMS), an optical disk, a magnetic disk, a light receiving element such as a solid-state image pickup element, an optical device such as a light emitting element such as an LED or an organic EL, Optical elements such as a hologram, an optical waveguide, an optical filter and a microlens array, a member for a flat panel display such as a thin film transistor, an organic transistor, a color filter, an antireflection film, a polarizing element, , Immunoassay chips, deoxyribonucleic acid (DNA) separation chips, microreactors, photonic liquid crystals, and guide patterns for directed self-assembly (DSA) using self-organization of block copolymers Can be used.
본 발명의 패턴 형성 방법에 의해서 형성된 패턴은, 강도 및 에칭 내성이 우수하므로, 에칭 레지스트로서 특히 유용하다. 본 발명의 경화성 조성물을 에칭 레지스트로서 이용할 경우에는, 기재 상에 본 발명의 패턴 형성 방법에 의해서 패턴을 형성한다. 그 후, 웨트에칭의 경우에는 불화수소 등, 드라이에칭의 경우에는 CF4 등의 에칭 가스를 사용해서 에칭함에 의해, 기재 상에 원하는 패턴을 형성할 수 있다. 본 발명의 경화성 조성물은, 불화탄소 등을 사용하는 드라이에칭에 대한 에칭 내성이 양호하다.The pattern formed by the pattern forming method of the present invention is particularly useful as an etching resist because of its excellent strength and etching resistance. When the curable composition of the present invention is used as an etching resist, a pattern is formed on the substrate by the pattern forming method of the present invention. Thereafter, a desired pattern can be formed on the substrate by etching with hydrogen fluoride in the case of wet etching or etching gas such as CF 4 in the case of dry etching. The curable composition of the present invention has good etching resistance against dry etching using fluorocarbon or the like.
<디바이스의 제조 방법>≪ Device Manufacturing Method >
본 발명의 디바이스의 제조 방법은, 상술한 패턴 형성 방법을 포함한다.The method for manufacturing a device of the present invention includes the above-described pattern forming method.
즉, 상술한 방법으로 패턴을 형성한 후, 각종 디바이스의 제조에 사용되고 있는 방법을 적용해서 디바이스를 제조할 수 있다.That is, after a pattern is formed by the above-described method, a device used for manufacturing various devices can be applied.
상기 패턴은, 영구막으로서 디바이스에 포함되어 있어도 된다. 또한, 상기 패턴을 에칭 마스크로 해서 사용해, 기재에 대해서 에칭 처리를 실시할 수도 있다. 예를 들면, 상술한 본 발명의 패턴 형성 방법으로 기재 상에 패턴을 형성하고, 형성한 패턴을 마스크로 해서, 기재를 에칭하는 방법을 들 수 있다. 구체적으로는, 형성한 패턴을 에칭 마스크로 해서 드라이에칭을 실시하여, 기재의 상층 부분을 선택적으로 제거한다. 기재에 대해서 이러한 처리를 반복함에 의해, 디바이스를 제조할 수도 있다. 디바이스로서는, LSI(large-scale integrated circuit : 대규모 집적 회로) 등의 반도체 디바이스나, 액정 디스플레이 등의 각종 디스플레이를 들 수 있다.The pattern may be included in the device as a permanent film. The substrate may be subjected to an etching treatment using the pattern as an etching mask. For example, a method of forming a pattern on a substrate by the above-described method of forming a pattern of the present invention, and etching the substrate using the formed pattern as a mask. More specifically, dry etching is performed using the formed pattern as an etching mask to selectively remove the upper layer portion of the substrate. By repeating such processing for a substrate, a device can also be manufactured. Examples of the device include a semiconductor device such as an LSI (large-scale integrated circuit) and various displays such as a liquid crystal display.
[실시예] [Example]
이하에 실시예를 들어서 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 수순 등은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한, 적의, 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. The materials, the amounts used, the ratios, the treatment contents, the treatment procedures and the like shown in the following examples can be changed without departing from the gist of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the following specific examples.
(점도의 측정 방법)(Method of measuring viscosity)
도키산교(주)제의 E형 회전 점도계 RE85L, 표준 콘 로터(1°34'×R24)를 사용해, 회전수를 50rpm으로 설정하고, 샘플컵을 23±0.1℃로 온도 조절해서, 경화성 조성물의 점도를 측정했다.The number of revolutions was set to 50 rpm by using an E-type rotational viscometer RE85L manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd. and a standard cone rotor (1 ° 34 '× R24), and the temperature of the sample cup was adjusted to 23 ± 0.1 ° C. The viscosity was measured.
<경화성 조성물의 조제><Preparation of Curable Composition>
하기 표 1에 나타내는 질량비로, 각 원료를 혼합한 후, 0.1㎛의 PTFE 필터로 여과해서, 경화성 조성물을 조제했다.The raw materials were mixed at the mass ratios shown in Table 1 below and then filtered through a 0.1 占 퐉 PTFE filter to prepare a curable composition.
[표 1] [Table 1]
표 중에 나타내는 원료는 이하와 같다.The raw materials shown in the table are as follows.
A-11 : 벤질아크릴레이트(비스코트#160, 오사카유키가가쿠(주)제)A-11: Benzyl acrylate (Viscot # 160, manufactured by Osaka Yuki Kagaku Co., Ltd.)
A-12 : 시클로헥실아크릴레이트(비스코트#155, 오사카유키가가쿠(주)제)A-12: Cyclohexyl acrylate (Viscot # 155, manufactured by Osaka Yuki Kagaku Co., Ltd.)
A-13 : 이소보르닐아크릴레이트(IB-XA, 오사카유키가가쿠(주)제)A-13: Isobornyl acrylate (IB-XA, manufactured by Osaka Yuki Kagaku Co., Ltd.)
A-14 : 2-에틸헥실아크릴레이트(HA, 미쓰비시가가쿠(주)제)A-14: 2-ethylhexyl acrylate (HA, manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.)
A-15 : KBM-5103(신에츠가가쿠고교(주)제, 3-아크릴로일옥시프로필트리메톡시실란)A-15: KBM-5103 (3-acryloyloxypropyltrimethoxysilane, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
A-21 : 트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트(Miramer M262, Miwon사제, 지방족 가교 축합환 구조를 갖는 2관능 (메타)아크릴레이트 모노머)A-21: tricyclodecane dimethanol diacrylate (Miramer M262, bifunctional (meth) acrylate monomer having an aliphatic crosslinked condensed ring structure, manufactured by Miwon)
A-22 : 디시클로펜테닐디아크릴레이트(지방족 가교 축합환 구조를 갖는 2관능 (메타)아크릴레이트 모노머)A-22: dicyclopentenyl diacrylate (bifunctional (meth) acrylate monomer having an aliphatic crosslinked condensed ring structure)
A-23 : 디시클로펜타닐디아크릴레이트(지방족 가교 축합환 구조를 갖는 2관능 (메타)아크릴레이트 모노머)A-23: dicyclopentanyl diacrylate (bifunctional (meth) acrylate monomer having an aliphatic crosslinked condensed ring structure)
A-24 : 데카하이드로나프탈렌디아크릴레이트A-24: Decahydronaphthalene diacrylate
A-25 : 이소보르닐디아크릴레이트(지방족 가교환 구조를 갖는 2관능 (메타)아크릴레이트 모노머)A-25: Isobornyl diacrylate (bifunctional (meth) acrylate monomer having an aliphatic crosslinked ring structure)
A-27 : 트리시클로데칸트리아크릴레이트(지방족 가교 축합환 구조를 갖는 3관능 (메타)아크릴레이트 모노머)A-27: tricyclodecane triacrylate (trifunctional (meth) acrylate monomer having an aliphatic crosslinking condensed ring structure)
a-21 : 네오펜틸글리콜디아크릴레이트(KAYARAD NGPDA, 니혼가야쿠사제, 지방족 축합환 구조, 지방족 가교환 구조 및 지방족 가교 축합환 구조를 갖지 않는 2관능 (메타)아크릴레이트 모노머)a-21: neopentyl glycol diacrylate (KAYARAD NGPDA, a bifunctional (meth) acrylate monomer having an aliphatic condensed ring structure, an aliphatic crosslinked ring structure and an aliphatic crosslinked condensed ring structure, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
a-22 : ECH 변성 헥사히드로프탈산디아크릴레이트(데나콜DA-722, 나가세켐텍스사제, 지방족 축합환 구조, 지방족 가교환 구조 및 지방족 가교 축합환 구조를 갖지 않는 2관능 (메타)아크릴레이트 모노머)a-22: ECH-modified hexahydrophthalic acid diacrylate (denacol DA-722, manufactured by Nagase ChemteX, aliphatic condensed ring structure, aliphatic crosslinked ring structure and bifunctional (meth) acrylate monomer having no aliphatic crosslinked condensed ring structure )
a-23 : 나프탈렌디아크릴레이트(지방족 축합환 구조, 지방족 가교환 구조 및 지방족 가교 축합환 구조를 갖지 않는 2관능 (메타)아크릴레이트 모노머)a-23: naphthalene diacrylate (bifunctional (meth) acrylate monomer having an aliphatic condensed ring structure, an aliphatic crosslinked ring structure and an aliphatic crosslinked condensed ring structure)
A-31 : 트리메틸올프로판트리아크릴레이트(Miramer M300, Miwon사제)A-31: trimethylolpropane triacrylate (Miramer M300, manufactured by Miwon)
A-32 : 펜타에리트리톨트리아크릴레이트(A-TMMT, 신나카무라가가쿠(주)제)A-32: Pentaerythritol triacrylate (A-TMMT, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)
A-33 : 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트(KAYARAD DPHA, 니혼가야쿠(주)제)A-33: dipentaerythritol pentaacrylate (KAYARAD DPHA, manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd.)
P-1 : Lucilin TPO-L(BASF사제)P-1: Lucilin TPO-L (manufactured by BASF)
P-2 : Irgacure OXE-01(BASF사제)P-2: Irgacure OXE-01 (manufactured by BASF)
P-3 : Irgacure OXE-02(BASF사제)P-3: Irgacure OXE-02 (manufactured by BASF)
P-4 : Irgacure OXE-03(BASF사제)P-4: Irgacure OXE-03 (manufactured by BASF)
C-1 : KF-6012(신에츠가가쿠고교(주)제, 이형제, 폴리에테르 변성 실리콘 오일)C-1: KF-6012 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., releasing agent, polyether-modified silicone oil)
C-2 : KF-6011(신에츠가가쿠고교(주)제, 이형제, 폴리에테르 변성 실리콘 오일)C-2: KF-6011 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., releasing agent, polyether-modified silicone oil)
C-3 : KF-6015(신에츠가가쿠고교(주)제, 이형제, 폴리에테르 변성 실리콘 오일)C-3: KF-6015 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., releasing agent, polyether-modified silicone oil)
O-1 : 올레산아미드(다이아미드 O-200, 니혼가세이(주)제)O-1: oleic acid amide (diamide O-200, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
O-2 : EX-321L(에폭시 화합물, 나가세켐텍스(주)제)O-2: EX-321L (epoxy compound, manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd.)
<잉크젯 토출성의 평가>≪ Evaluation of inkjet dischargeability &
각 경화성 조성물에 대하여, 잉크젯 토출 장치(Fuji Film Dimatix사제, DMP2800)를 사용해서 토출성을 평가했다. 잉크젯 헤드는 16노즐(노즐의 개수)의 것을 사용하고, 소정의 횟수 토출 후의 노즐 막힘의 유무를 체크했다.Each of the curable compositions was evaluated for discharging property by using an ink jet discharging device (DMP2800, manufactured by Fuji Film Dimatix Co., Ltd.). As the ink jet head, 16 nozzles (the number of nozzles) were used, and the presence or absence of nozzle clogging after ejection a predetermined number of times was checked.
5 : 10만회 토출 후, 노즐 막힘 없음5: No nozzle clogging after ejection of 10,000 times
4 : 10만회 토출 후, 노즐 막힘 1개소4: After ejection of 10 million times, one nozzle clogging
3 : 10만회 토출 후, 노즐 막힘 2개소3: After ejection of 100,000 times, two nozzle clogging
2 : 10만회 토출 후, 노즐 막힘 3∼5개소2: After ejection of 100,000 times, nozzle clogging 3 to 5 places
1 : 10만회 토출 후, 노즐 막힘 6개소 이상1: After ejection of 100,000 times, nozzle clogging at 6 points or more
<임프린트성(전사성)의 평가>≪ Evaluation of imprinting property (transferability) >
막두께 200㎚로 되도록 유리 기판 상에 각 경화성 조성물을 잉크젯 도포했다. 도포 기판을 (주)오크세이사쿠쇼제의 고압 수은등(램프 파워 2000㎽/㎠)을 광원으로 하는 나노 임프린트 장치에 세팅하고, 몰드 가압력 0.8kN, 노광 중의 진공도는 10Torr(약 1.33×104㎩)의 조건에서, 몰드로서, 100㎚의 라인/스페이스 패턴을 가지며, 홈 깊이가 100㎚인 폴리디메틸실록산(도레 다우코닝(주)제의 「SILPOT184」를 80℃ 60분으로 경화시킨 것)을 재질로 하는 몰드를 사용해서 압압(押壓)하고, 추가로, 몰드의 표면으로부터 240mJ/㎠의 조건에서 노광했다. 노광 후, 몰드를 떼어, 레지스트 패턴을 얻었다. 전사 후의 패턴 형상을 주사형 전자현미경(10만배) 및 광학현미경(1,000배)으로 관찰하여, 패턴 형상을 이하의 기준에 따라서 평가했다.Each of the curable compositions was applied to the glass substrate by ink-jet so as to have a film thickness of 200 nm. The coated substrate Co., Oak assay Saku high pressure mercury lamp (lamp power 2000㎽ / ㎠) vacuum level in the setting for nanoimprint apparatus as a light source, a mold pressing force 0.8kN, and exposure is 10Torr (about 1.33 × 10 4 ㎩) of syoje , A polydimethylsiloxane having a 100 nm line / space pattern and a groove depth of 100 nm (" SILPOT 184 " manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.) was cured at 80 캜 for 60 minutes under the conditions of , And further exposed from the surface of the mold under the condition of 240 mJ / cm < 2 >. After exposure, the mold was peeled off to obtain a resist pattern. The pattern shape after transfer was observed with a scanning electron microscope (100,000 times) and an optical microscope (1,000 times), and the pattern shape was evaluated according to the following criteria.
5 : 몰드 형상의 전사율 95% 이상5: Transfer rate of mold shape 95% or more
4 : 몰드 형상의 전사율 90% 이상 95% 미만4: Transfer rate of mold shape 90% or more and less than 95%
3 : 몰드 형상의 전사율 80% 이상 90% 미만3: Transfer rate of mold shape 80% or more and less than 90%
2 : 몰드 형상의 전사율 70% 이상 80% 미만2: Transfer rate of mold shape 70% or more and less than 80%
1 : 몰드 형상의 전사율 70% 미만1: Transfer rate of mold shape is less than 70%
<드라이에칭 적정의 평가>≪ Evaluation of dry etching titration &
(에칭 내성(에칭레이트)의 평가)(Evaluation of etching resistance (etching rate)
임프린트성의 평가와 마찬가지로 해서, 도포, 노광 후, 몰드를 떼어, 레지스트 패턴을 얻었다. 얻어진 패턴에 대해서, 드라이에칭 장치 「CDE-80N((주)시바우라메카트로닉스제)」을 사용하고, 에칭 가스로서 CF4 50㎖/분, O2 10㎖/분, 출력 400㎽, 에칭 시간 90초의 조건에서 드라이에칭을 행하고, 처리 전후의 막두께를 측정하고 드라이에칭의 시간에 대한 막 감소량을 계산했다. 이하의 기준에 따라서 평가했다.Similarly to the evaluation of the imprinting property, after the application and exposure, the mold was peeled off to obtain a resist pattern. The obtained pattern was subjected to dry etching using a dry etching apparatus " CDE-80N (manufactured by Shibaura Mechatronics Co., Ltd.) ", and as an etching gas, CF 4 50 ml / min, O 2 10 ml / min, Second, the film thickness before and after the treatment was measured, and the film reduction amount with respect to the time of dry etching was calculated. And evaluated according to the following criteria.
5 : 에칭레이트가 3㎚/초 미만5: Etching rate less than 3 nm / sec
4 : 에칭레이트가 3㎚/초 이상 4㎚/초 미만4: Etching rate is 3 nm / sec or more and less than 4 nm / sec
3 : 에칭레이트가 4㎚/초 이상 5㎚/초 미만3: Etching rate of 4 nm / sec or more and less than 5 nm / sec
2 : 에칭레이트가 5㎚/초 이상 6㎚/초 미만2: Etching rate of 5 nm / sec or more and less than 6 nm / sec
1 : 에칭레이트가 6㎚/초 이상1: Etching rate of 6 nm / sec or more
(강도(패턴 쓰러짐)의 평가)(Evaluation of Strength (Pattern Collapse)
드라이에칭 처리 후의 패턴 형상을 주사형 전자현미경(10만배) 및 광학현미경(1,000배)으로 관찰하여, 패턴 쓰러짐의 유무를 이하의 기준에 따라서 평가했다.The pattern shape after the dry etching treatment was observed with a scanning electron microscope (100,000 times) and an optical microscope (1,000 times), and the presence or absence of pattern collapse was evaluated according to the following criteria.
5 : 패턴 쓰러짐 없음5: No pattern collapse
4 : 패턴 쓰러짐이 전 면적의 0.5% 미만으로 발생4: Pattern collapse occurs less than 0.5% of total area
3 : 패턴 쓰러짐이 전 면적의 0.5% 이상 1% 미만으로 발생3: Pattern collapse occurs more than 0.5% and less than 1% of the whole area
2 : 패턴 쓰러짐이 전 면적의 1% 이상 3% 미만으로 발생2: Pattern collapse occurs more than 1% and less than 3% of the whole area
1 : 패턴 쓰러짐이 전 면적의 3% 이상으로 발생1: Pattern collapse occurs more than 3% of the whole area
[표 2] [Table 2]
상기 결과에 나타내는 바와 같이, 실시예는, 잉크젯 토출성이 양호했다. 또한, 에칭레이트가 양호하며, 에칭 내성이 우수했다. 또한, 강도가 우수한 패턴을 형성할 수 있어, 패턴 쓰러짐의 발생을 억제할 수 있었다.As shown in the above results, the examples were good in ink jet dischargeability. In addition, the etching rate was good and the etching resistance was excellent. Further, it is possible to form a pattern having excellent strength, and it is possible to suppress occurrence of pattern collapse.
한편, 비교예는, 잉크젯 토출성, 에칭레이트, 패턴 쓰러짐 중 적어도 하나가, 실시예보다도 뒤떨어져 있었다.On the other hand, in the comparative example, at least one of the inkjet dischargeability, the etching rate, and the pattern collapse was inferior to those in Examples.
Claims (18)
지방족 축합환 구조, 지방족 가교환 구조 및 지방족 가교 축합환 구조에서 선택되는 적어도 1종의 구조를 갖는 2관능 이상의 (메타)아크릴레이트 모노머A2와,
상기 (메타)아크릴레이트 모노머A2 이외의 다관능 (메타)아크릴레이트 모노머로서, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트 모노머A3과,
광중합개시제
를 포함하는 경화성 조성물이며, 또한,
상기 (메타)아크릴레이트 모노머A1과, 상기 (메타)아크릴레이트 모노머A2와, 상기 (메타)아크릴레이트 모노머A3과의 합계 질량이, 상기 경화성 조성물의 전 질량의 70질량% 이상이고,
상기 (메타)아크릴레이트 모노머A2의 100질량부에 대해, 상기 (메타)아크릴레이트 모노머A1을 40∼130질량부 함유하고,
상기 (메타)아크릴레이트 모노머A2의 100질량부에 대해, 상기 (메타)아크릴레이트 모노머A3을 5∼65질량부 함유하고,
상기 경화성 조성물의 23℃에 있어서의 점도가 25m㎩·s 이하인 경화성 조성물.Monofunctional (meth) acrylate monomers A1,
(Meth) acrylate monomer A2 having at least one structure selected from an aliphatic condensed ring structure, an aliphatic crosslinked ring structure and an aliphatic crosslinked condensed ring structure,
As the polyfunctional (meth) acrylate monomer other than the (meth) acrylate monomer A2, a trifunctional or more (meth) acrylate monomer A3,
Photopolymerization initiator
Wherein the curable composition is a curable composition,
Wherein the total mass of the (meth) acrylate monomer A1, the (meth) acrylate monomer A2 and the (meth) acrylate monomer A3 is 70% by mass or more of the total mass of the curable composition,
(Meth) acrylate monomer A1 is contained in an amount of 40 to 130 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylate monomer A2,
(Meth) acrylate monomer A3 in an amount of 5 to 65 parts by mass based on 100 parts by mass of the (meth) acrylate monomer A2,
Wherein the curable composition has a viscosity at 23 캜 of 25 mPa s or less.
상기 (메타)아크릴레이트 모노머A2의 100질량부에 대해, 상기 (메타)아크릴레이트 모노머A1을 40∼100질량부 함유하는, 경화성 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the (meth) acrylate monomer A1 is contained in an amount of 40 to 100 parts by mass based on 100 parts by mass of the (meth) acrylate monomer A2.
상기 (메타)아크릴레이트 모노머A2의 100질량부에 대해, 상기 (메타)아크릴레이트 모노머A3을 5∼30질량부 함유하는, 경화성 조성물.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the (meth) acrylate monomer A3 is contained in an amount of 5 to 30 parts by mass based on 100 parts by mass of the (meth) acrylate monomer A2.
상기 (메타)아크릴레이트 모노머A2를, 상기 경화성 조성물의 전 질량의 30∼60질량% 함유하는, 경화성 조성물.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the (meth) acrylate monomer (A2) contains 30 to 60 mass% of the total mass of the curable composition.
상기 (메타)아크릴레이트 모노머A1은, 환상 구조를 갖는 단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머를 포함하는, 경화성 조성물.3. The method according to claim 1 or 2,
The (meth) acrylate monomer A1 comprises a monofunctional (meth) acrylate monomer having a cyclic structure.
상기 (메타)아크릴레이트 모노머A1은, 환상 구조를 갖는 단관능의 (메타)아크릴레이트 모노머를, (메타)아크릴레이트 모노머A1의 전 질량에 대해서, 50∼100질량% 함유하는, 경화성 조성물.3. The method according to claim 1 or 2,
The (meth) acrylate monomer A1 contains a monofunctional (meth) acrylate monomer having a cyclic structure in an amount of 50 to 100 mass% with respect to the total mass of the (meth) acrylate monomer A1.
상기 (메타)아크릴레이트 모노머A2가, 지방족 가교환 구조 및 지방족 가교 축합환 구조에서 선택되는 적어도 1종의 구조를 갖는, 경화성 조성물.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the (meth) acrylate monomer (A2) has at least one structure selected from an aliphatic crosslinked ring structure and an aliphatic crosslinked condensed ring structure.
상기 (메타)아크릴레이트 모노머A2가, 지방족 가교 축합환 구조를 갖는, 경화성 조성물.3. The method according to claim 1 or 2,
The (meth) acrylate monomer A2 has an aliphatic crosslinked condensed ring structure.
상기 (메타)아크릴레이트 모노머A2가, 비시클로환 또는 트리시클로환을 포함하는 지방족 가교 축합환 구조를 갖는, 경화성 조성물.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the (meth) acrylate monomer A2 has an aliphatic crosslinked fused ring structure including a bicyclo ring or a tricyclo ring.
상기 (메타)아크릴레이트 모노머A2가, 트리시클로데칸디메탄올디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐디(메타)아크릴레이트 및 디시클로펜테닐디(메타)아크릴레이트에서 선택되는 적어도 1종인, 경화성 조성물.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the (meth) acrylate monomer A2 is at least one selected from tricyclodecane dimethanol di (meth) acrylate, dicyclopentanyl di (meth) acrylate and dicyclopentenyl (meth) acrylate. .
상기 (메타)아크릴레이트 모노머A3이, 쇄상 지방족 (메타)아크릴레이트 모노머인, 경화성 조성물.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the (meth) acrylate monomer A3 is a chain aliphatic (meth) acrylate monomer.
추가로, 이형제를 포함하는, 경화성 조성물.3. The method according to claim 1 or 2,
In addition, a curable composition comprising a release agent.
상기 이형제가, 실리콘 오일인, 경화성 조성물.13. The method of claim 12,
Wherein the mold release agent is a silicone oil.
잉크젯용인, 경화성 조성물.3. The method according to claim 1 or 2,
Ink jet, curable composition.
임프린트용인, 경화성 조성물.3. The method according to claim 1 or 2,
Curable composition for impregnation.
상기 경화성 조성물을 몰드와 기재로 협지(挾持)하는 공정과,
상기 경화성 조성물을 몰드와 기재로 협지한 상태에서 광조사해서, 상기 경화성 조성물을 경화시키는 공정과,
몰드를 박리하는 공정을 포함하는 패턴 형성 방법.A process for producing a curable composition, comprising the steps of: applying the curable composition of claim 1 onto a mold having a substrate or pattern;
A step of sandwiching the curable composition between the mold and the substrate,
Curing the curable composition by irradiating light with the curable composition sandwiched between the mold and the substrate;
And a step of peeling the mold.
상기 경화성 조성물을, 잉크젯법에 의해, 상기 기재 상 또는 상기 패턴을 갖는 몰드 상에 도포하는, 패턴 형성 방법.17. The method of claim 16,
Wherein the curable composition is applied onto the substrate or a mold having the pattern by an inkjet method.
상기 형성한 패턴을 마스크로 해서, 기재를 에칭하는 공정을 포함하는 디바이스의 제조 방법.A method for forming a pattern according to claim 16 or 17, comprising the steps of: forming a pattern on a substrate;
And etching the base material by using the formed pattern as a mask.
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