KR20170012341A - Porous imide resin film production system, separator, and porous imide resin film production method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 다공성의 이미드계 수지막의 제조 효율을 향상시키는 것이 가능한 다공성의 이미드계 수지막 제조 시스템, 세퍼레이터, 및 다공성의 이미드계 수지막 제조 방법을 제공한다. 폴리아미드산, 폴리이미드, 폴리아미드이미드 또는 폴리아미드의 수지 재료 및 미립자를 포함하는 도포액(제1 도포액 및 제2 도포액)을 반송 기재에 도포하여서 미소성막을 형성하는 도포 유닛(10)과, 이 도포 유닛(10) 내에서 반송 기재로부터 박리한 미소성막을 소성하여, 미립자를 포함한 소성막을 형성하는 소성 유닛(20)과 소성막으로부터 미립자를 제거하는 제거 유닛(30)을 포함한다.The present invention provides a porous imide resin film production system, a separator, and a porous imide resin film production method capable of improving the production efficiency of a porous imide resin film. A coating unit (10) for applying a coating liquid (a first coating liquid and a second coating liquid) containing a resin material of polyamide acid, polyimide, polyamideimide or polyamide and fine particles to a transportation substrate to form a microcapsule, And a removal unit (30) for removing the fine particles from the fired film and a firing unit (20) for firing the microfilm peeled off from the transport substrate in the coating unit (10) to form a fired film containing fine particles.
Description
본 발명은 다공성의 이미드계 수지막 제조 시스템, 세퍼레이터, 및 다공성의 이미드계 수지막 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a porous imide resin film production system, a separator, and a porous imide resin film production method.
2차 전지의 일종인 리튬 이온 전지는 전해액에 침지된 정극과 부극 사이에 세퍼레이터가 배치되어 세퍼레이터에 의해서 정극과 부극 사이의 직접적인 전기적 접촉을 방지하는 구조로 되어 있다. 정극에는 리튬 천이 금속 산화물이 이용되고, 부극에는, 예를 들면 리튬이나 카본(그래파이트) 등이 이용되고 있다. 충전시에는 리튬 이온이 정극으로부터 세퍼레이터를 통과해 부극으로 이동하고, 방전시에는 리튬 이온이 부극으로부터 세퍼레이터를 통과해 정극으로 이동한다. 이와 같은 세퍼레이터로서 최근에는 내열성이 높고 안전성이 높은 다공성의 폴리이미드막으로 이루어지는 세퍼레이터를 이용하는 것이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 등 참조).A lithium ion battery, which is a type of secondary battery, has a structure in which a separator is disposed between a positive electrode and a negative electrode immersed in an electrolytic solution to prevent direct electrical contact between the positive electrode and the negative electrode by a separator. Lithium transition metal oxide is used for the positive electrode, and lithium or carbon (graphite) is used for the negative electrode. During charging, lithium ions move from the positive electrode to the negative electrode through the separator, and at the time of discharging, lithium ions move from the negative electrode to the positive electrode through the separator. As such a separator, it is known to use a separator made of a porous polyimide film having high heat resistance and high safety (see, for example,
상기의 다공성의 폴리이미드막은, 예를 들면 미립자를 포함하는 폴리아미드산 또는 폴리이미드의 미(未)소성막을 도포 형성하고, 이 미소성막을 소성하여 소성막을 형성하며, 소성막으로부터 미립자를 제거함으로써 형성된다. 종래에는 상기 3개의 공정을 하나의 라인으로 실시하는 제조 시스템이 존재하지 않았기 때문에, 다공성의 폴리이미드막의 제조 효율은 그만큼 높지 않았다. 그 때문에, 보다 제조 효율이 높은 시스템이 요구되고 있었다.The porous polyimide film is formed by coating a microfabricated film of polyamic acid or polyimide containing fine particles, firing the microfilm to form a fired film, and removing fine particles from the fired film . In the past, the production efficiency of the porous polyimide film was not so high because there was no manufacturing system for carrying out the above three processes in one line. Therefore, a system with higher production efficiency has been required.
이상과 같은 사정을 감안하여, 본 발명은 다공성의 이미드계 수지막의 제조 효율을 향상시키는 것이 가능한 다공성의 이미드계 수지막 제조 시스템, 세퍼레이터, 및 다공성의 이미드계 수지막 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above circumstances, it is an object of the present invention to provide a porous imide resin film production system, a separator, and a porous imide resin film production method capable of improving the production efficiency of a porous imide resin film do.
본 발명의 제1 양태에 관한 다공성의 이미드계 수지막 제조 시스템은 다공성의 이미드계 수지막을 제조하는 제조 시스템으로서, 폴리아미드산, 폴리이미드, 폴리아미드이미드 또는 폴리아미드 및 미립자를 포함하는 액체를 기재에 도포하여서 미소성막을 형성하는 도포 유닛과, 도포 유닛 내 또는 도포 유닛 외에서 기재로부터 박리한 미소성막을 소성하여, 미립자를 포함한 소성막을 형성하는 소성 유닛과, 소성막으로부터 미립자를 제거하는 제거 유닛을 포함한다.A porous imidic resin film production system according to the first aspect of the present invention is a production system for producing a porous imidic resin film, comprising a liquid containing polyamic acid, polyimide, polyamideimide or polyamide and fine particles, And a removing unit for removing the fine particles from the firing film. The firing unit removes fine particles from the firing film. The firing unit removes fine particles from the firing film. .
본 발명의 제2 양태에 관한 세퍼레이터는 다공성의 이미드계 수지막에 의해서 형성되는 세퍼레이터로서, 다공성의 이미드계 수지막은 본 발명의 제1 양태에 관한 다공성의 이미드계 수지막 제조 시스템에 의해 생성된다.The separator according to the second aspect of the present invention is a separator formed by a porous imide resin film, and a porous imide resin film is produced by the porous imide resin film production system according to the first embodiment of the present invention.
본 발명의 제3 양태에 관한 다공성의 이미드계 수지막 제조 방법은 다공성의 이미드계 수지막을 제조하는 방법으로서, 폴리아미드산, 폴리이미드, 폴리아미드이미드 또는 폴리아미드 및 미립자를 포함하는 액체를 기재에 도포한 후에 기재로부터 박리하여서 미소성막을 형성하는 것과, 미소성막을 소성하여 미립자를 포함한 소성막을 형성하는 것과, 소성막으로부터 미립자를 제거하는 것을 포함한다.A porous imidic resin film production method according to a third aspect of the present invention is a method for producing a porous imidic resin film, comprising the steps of: preparing a liquid containing a polyamic acid, a polyimide, a polyamideimide or polyamide and fine particles, Forming a microfilm by removing the microfilm from the substrate after the application, firing the microfilm to form a fired film containing fine particles, and removing fine particles from the fired film.
본 발명의 양태에 의하면, 다공성의 이미드계 수지막의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the production efficiency of the porous imide resin film can be improved.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 제조 시스템의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 실시 형태에 관한 도포 유닛에 마련되는 노즐의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 실시 형태에 관한 권취부의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 실시 형태에 관한 소성 유닛의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 5는 본 실시 형태에 관한 제거 유닛의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 6은 본 실시 형태에 관한 이미드계 수지막의 제조 과정의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7은 변형예에 관한 제조 시스템의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8은 변형예에 관한 제조 시스템의 일례를 나타내는 도면이다.
도 9는 변형예에 관한 제조 시스템의 일례를 나타내는 도면이다.
도 10은 변형예에 관한 제조 시스템의 일례를 나타내는 도면이다.
도 11은 변형예에 관한 에칭 유닛의 일례를 나타내는 도면이다.
도 12는 변형예에 관한 권취 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 13은 실시 형태에 관한 세퍼레이터의 일례를 나타내는 도면이다.1 is a diagram showing an example of a manufacturing system according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing an example of a nozzle provided in the coating unit according to the embodiment.
3 is a perspective view showing an example of a winding section according to the present embodiment.
4 is a perspective view showing an example of the baking unit according to the present embodiment.
5 is a perspective view showing an example of a removal unit according to the present embodiment.
6 is a view showing an example of a process of manufacturing the imide resin film according to this embodiment.
7 is a view showing an example of a manufacturing system according to a modification.
8 is a view showing an example of a manufacturing system according to a modification.
9 is a view showing an example of a manufacturing system according to a modification.
10 is a view showing an example of a manufacturing system according to a modification.
11 is a view showing an example of an etching unit according to a modified example.
12 is a view showing an example of a winding device according to a modification.
13 is a view showing an example of a separator according to the embodiment.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태를 설명한다. 이하, XYZ 좌표계를 이용해 도면 중의 방향을 설명한다. 이 XYZ 좌표계에서는 수평면에 평행한 평면을 XY 평면으로 한다. 이 XY 평면에 평행한 한 방향을 X 방향이라고 표기하고, X 방향에 직교하는 방향을 Y 방향이라고 표기한다. 또, XY 평면에 수직인 방향은 Z 방향이라고 표기한다. X 방향, Y 방향 및 Z 방향의 각각은 도면 중의 화살표의 방향이 +방향이며, 화살표의 방향과는 반대의 방향이 -방향인 것으로서 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Hereinafter, directions in the figure will be described using an XYZ coordinate system. In this XYZ coordinate system, a plane parallel to the horizontal plane is defined as an XY plane. One direction parallel to the XY plane is denoted as X direction, and a direction orthogonal to X direction is denoted as Y direction. The direction perpendicular to the XY plane is referred to as the Z direction. Each of the X direction, the Y direction and the Z direction is described as the direction of the arrow in the drawing being the + direction and the direction opposite to the direction of the arrow being the -direction.
도 1은 제조 시스템(SYS)의 일례를 나타내는 도면이다. 도 1에 나타내는 제조 시스템(SYS)은 다공성 수지막(F)(다공성의 이미드계 수지막)를 제조하는 것이다. 제조 시스템(SYS)은 소정의 도포액을 도포해 미소성막(FA)을 형성하는 도포 유닛(10)과, 미소성막(FA)을 소성하여 소성막(FB)을 형성하는 소성 유닛(20)과, 소성막(FB)으로부터 미립자를 제거해 다공성 수지막(F)을 형성하는 제거 유닛(30)과, 상기 각 유닛을 통괄적으로 제어하는 제어 장치(도시하지 않음)를 구비하고 있다.1 is a diagram showing an example of a manufacturing system (SYS). The production system SYS shown in Fig. 1 is to produce a porous resin film (porous imide resin film). The manufacturing system SYS includes a
제조 시스템(SYS)은, 예를 들면 상하 2계층으로 구성되어 있고, 도포 유닛(10)이 2층 부분에 배치되고, 소성 유닛(20) 및 제거 유닛(30)이 1층 부분에 배치된다. 동일층에 배치되는 소성 유닛(20) 및 제거 유닛(30)은, 예를 들면 Y 방향으로 나란히 배치되지만, 이것으로 한정하는 것이 아니며, 예를 들면 X 방향 또는 X 방향과 Y 방향의 합성 방향으로 나란히 배치되어도 된다.The manufacturing system SYS is composed of, for example, upper and lower two layers, in which the
또한 제조 시스템(SYS)의 계층 구조나 각층에서의 각 유닛의 배치 등에 대해서는 상기로 한정하는 것이 아니며, 예를 들면 도포 유닛(10) 및 소성 유닛(20)이 2층 부분에 배치되고 제거 유닛(30)이 1층 부분에 배치되어도 된다. 또, 모든 유닛이 동일층에 배치되어도 된다. 이 경우, 각 유닛이 일렬로 배치되어도 되고, 복수 열로 배치되어도 된다. 또, 모든 유닛이 상이한 계층에 배치되어도 된다.For example, the
제조 시스템(SYS)에서는 미소성막(FA)이 띠 모양으로 형성된다. 도포 유닛(10)의 +Y측(미소성막(FA)의 반송 방향의 전방)에는 띠 모양의 미소성막(FA)을 롤상으로 권취하는 권취부(40)가 마련된다. 소성 유닛(20)의 -Y측(미소성막(FA)의 반송 방향의 후방)에는 롤상의 미소성막(FA)을 소성 유닛(20)을 향하여 송출하는 송출부(50)가 마련된다. 제거 유닛(30)의 +Y측(소성막(FB)의 반송 방향의 전방)에는 다공성 수지막(F)을 롤상으로 권취하는 권취부(60)가 마련된다.In the manufacturing system SYS, the microfilm FA is formed in a band shape. On the + Y side (in front of the direction of conveyance of the microfilm (FA)) of the
이와 같이, 송출부(50)로부터 소성 유닛(20) 및 제거 유닛(30)을 거쳐 권취부(60)에 이르기까지의 구간(1층 부분)에서는 이른바 롤·투·롤 방식에 의한 처리가 실시된다. 따라서, 이 구간에서는 미소성막(FA), 소성막(FB) 및 다공성 수지막(F)의 각 막이 일련의 상태로 반송된다.As described above, in the section from the
[도포액][Application liquid]
여기서, 각 유닛을 설명하기 전에, 다공성 수지막(F)의 원료가 되는 도포액에 대해 설명한다. 도포액은 소정의 수지 재료와, 미립자와, 용제를 포함한다. 소정의 수지 재료로서는, 예를 들면 폴리아미드산, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 또는 폴리아미드를 들 수 있다. 용제로서는 이들 수지 재료를 용해 가능한 유기용제가 이용된다.Before describing each unit, the coating liquid to be a raw material of the porous resin film (F) will be described. The coating liquid includes a predetermined resin material, fine particles, and a solvent. Examples of the predetermined resin material include polyamide acid, polyimide, polyamideimide, and polyamide. As the solvent, an organic solvent capable of dissolving these resin materials is used.
본 실시 형태에서는 도포액으로서 미립자의 함유율이 상이한 2 종류의 도포액(제1 도포액 및 제2 도포액)이 이용된다. 구체적으로는 제1 도포액은 제2 도포액보다도 미립자의 함유율이 높아지도록 조제된다. 이것에 의해, 미소성막(FA), 소성막(FB) 및 다공성 수지막(F)의 강도 및 유연성을 담보할 수 있다. 또, 미립자의 함유율이 낮은 층을 마련함으로써, 다공성 수지막(F)의 제조 코스트의 저감을 도모할 수 있다.In the present embodiment, two kinds of coating liquids (first coating liquid and second coating liquid) having different contents of fine particles are used as the coating liquid. Specifically, the first coating liquid is prepared so that the content of the fine particles is higher than that of the second coating liquid. Thus, the strength and flexibility of the micro-film (FA), the fired film (FB), and the porous resin film (F) can be secured. In addition, by providing a layer having a low content of fine particles, the production cost of the porous resin film (F) can be reduced.
예를 들면, 제1 도포액에는 수지 재료와 미립자가 19:81~45:65의 체적비가 되도록 함유된다. 또, 제2 도포액에는 수지 재료와 미립자가 20:80~50:50의 체적비가 되도록 함유된다. 다만, 제1 도포액의 미립자의 함유율이, 제2 도포액의 미립자의 함유율보다도 높아지도록 체적비가 설정된다. 또한 각 수지 재료의 체적은 각 수지 재료의 질량에 그 비중을 곱해 구한 값이 이용된다.For example, the first coating liquid contains the resin material and the fine particles in a volume ratio of 19: 81 to 45: 65. The second coating liquid contains the resin material and the fine particles in a volume ratio of 20:80 to 50:50. However, the volume ratio is set so that the content rate of the fine particles in the first coating liquid is higher than the content rate of the fine particles in the second coating liquid. The volume of each resin material is obtained by multiplying the mass of each resin material by its specific gravity.
상기의 경우에서, 제1 도포액의 체적 전체를 100으로 했을 때에 미립자의 체적이 65 이상이면, 입자가 균일하게 분산하고, 또 미립자의 체적이 81 이내이면 입자끼리가 응집하는 경우 없이 분산한다. 이 때문에, 다공성 수지막(F)에 구멍을 균일하게 형성할 수 있다. 또, 미립자의 체적 비율이 이 범위 내이면, 미소성막(FA)을 성막할 때의 박리성을 확보할 수 있다.In this case, when the volume of the first coating liquid is 100, the particles are uniformly dispersed if the volume of the particles is 65 or more. If the volume of the particles is 81 or less, the particles disperse without aggregation. Therefore, it is possible to uniformly form holes in the porous resin film (F). If the volume fraction of the fine particles is within this range, the peeling property at the time of forming the micro-film (FA) can be ensured.
제2 도포액의 체적 전체를 100으로 했을 때에 미립자의 체적이 50 이상이면, 미립자 단체가 균일하게 분산하고, 또 미립자의 체적 80 이내이면 미립자끼리가 응집하는 경우도 없고, 또 표면에 균열 등이 생기는 경우도 없기 때문에, 안정하게 전기 특성이 양호한 다공성 수지막(F)을 형성할 수 있다.When the total volume of the second coating liquid is 100, if the volume of the fine particles is 50 or more, the fine particles are uniformly dispersed and if the volume of the fine particles is 80 or less, the fine particles do not aggregate, It is possible to form the porous resin film (F) stably with good electrical characteristics.
상기 2 종류의 도포액은, 예를 들면 미립자를 미리 분산한 용제와 폴리아미드산, 폴리이미드, 폴리아미드이미드 또는 폴리아미드를 임의의 비율로 혼합함으로써 조제된다. 또, 미립자를 미리 분산한 용제 중에서 폴리아미드산, 폴리이미드, 폴리아미드이미드 또는 폴리아미드를 중합해 조제되어도 된다. 예를 들면, 미립자를 미리 분산한 유기용제 중에서 테트라카르복시산 2무수물 및 디아민을 중합해 폴리아미드산으로 하거나, 더욱 이미드화해 폴리이미드로 함으로써 제조할 수 있다.The two kinds of coating liquids are prepared by mixing, for example, a solvent in which fine particles are preliminarily dispersed and a polyamic acid, a polyimide, a polyamideimide or a polyamide at an arbitrary ratio. In addition, it may be prepared by polymerizing a polyamic acid, a polyimide, a polyamideimide, or a polyamide in a solvent in which fine particles are dispersed in advance. For example, it can be produced by polymerizing a tetracarboxylic acid dianhydride and a diamine in an organic solvent in which fine particles are preliminarily dispersed to obtain a polyamic acid, or further converting the imide into a polyimide.
도포액의 점도는 최종적으로 300~2500 cP로 하는 것이 바람직하고, 400~1500 cP의 범위가 보다 바람직하며, 600~1200 cP의 범위가 더욱 바람직하다. 도포액의 점도가 이 범위 내이면, 균일하게 성막을 하는 것이 가능하다.The viscosity of the coating liquid is preferably 300 to 2500 cP, more preferably 400 to 1500 cP, and still more preferably 600 to 1200 cP. When the viscosity of the coating liquid is within this range, it is possible to form the film uniformly.
상기 도포액에는 미립자와 폴리아미드산 또는 폴리이미드를 건조해 미소성막(FA)으로 한 경우에서, 미립자의 재질이 후술하는 무기 재료인 경우에는 미립자/폴리이미드의 비율이 2~6(질량비)이 되도록 미립자와 폴리아미드산 또는 폴리이미드를 혼합하면 된다. 3~5(질량비)로 하는 것이, 더욱 바람직하다. 미립자의 재질이 후술하는 유기 재료인 경우에는 미립자/폴리이미드의 비율이 1~3.5(질량비)가 되도록 미립자와 폴리아미드산 또는 폴리이미드를 혼합하면 된다. 1.2~3(질량비)으로 하는 것이, 더욱 바람직하다. 또, 미소성막(FA)으로 했을 때에 미립자/폴리이미드의 체적 비율이 1.5~4.5가 되도록 미립자와 폴리아미드산 또는 폴리이미드를 혼합하면 된다. 1.8~3(체적비)으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 미소성막(FA)으로 했을 때에 미립자/폴리이미드의 질량비 또는 체적비가 하한값 이상이면, 세퍼레이터로서 적절한 밀도의 구멍을 얻을 수 있고, 상한값 이하이면, 점도의 증가나 막 중의 균열 등의 문제를 일으키는 경우 없이 안정적으로 성막할 수 있다. 폴리아미드산 또는 폴리이미드대신에 수지 재료가 폴리아미드이미드 또는 폴리아미드가 되는 경우에도, 질량비는 상기와 동일하다.When the particulate material and the polyamic acid or polyimide are dried to form an unfired film (FA) in the coating liquid, when the material of the particulate material is an inorganic material to be described later, the ratio of particulates / polyimide is 2 to 6 (mass ratio) It is sufficient that the fine particles and the polyamic acid or polyimide are mixed. More preferably 3 to 5 (mass ratio). When the material of the fine particles is an organic material to be described later, the fine particles and the polyamic acid or the polyimide may be mixed so that the ratio of the fine particles / polyimide is 1 to 3.5 (mass ratio). More preferably 1.2 to 3 (mass ratio). In addition, fine particles and a polyamic acid or polyimide may be mixed so that the volume ratio of the fine particles / polyimide becomes 1.5 to 4.5 in the case of the unfilled film (FA). More preferably 1.8 to 3 (volume ratio). When the mass ratio or the volume ratio of the fine particles / polyimide is not less than the lower limit value, it is possible to obtain a hole with an appropriate density as the separator. When the mass ratio is less than the upper limit value, there is no case such as an increase in viscosity, The film can be stably formed. Even when the resin material is polyamideimide or polyamide instead of polyamide acid or polyimide, the mass ratio is the same as above.
이하, 각 수지 재료에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, each resin material will be described in detail.
<폴리아미드산><Polyamide acid>
본 실시 형태에서 이용하는 폴리아미드산은 임의의 테트라카르복시산 2무수물과 디아민을 중합해 얻어지는 것을, 특별히 한정되는 경우 없이 사용할 수 있다. 테트라카르복시산 2무수물 및 디아민의 사용량은 특별히 한정되지 않지만, 테트라카르복시산 2무수물 1 몰에 대해서, 디아민을 0.50~1.50 몰 이용하는 것이 바람직하고, 0.60~1.30 몰 이용하는 것이 보다 바람직하며, 0.70~1.20 몰 이용하는 것이 특히 바람직하다.The polyamic acid used in the present embodiment can be obtained by polymerizing any of tetracarboxylic dianhydride and diamine without particular limitation. The amount of the tetracarboxylic acid dianhydride and the diamine to be used is not particularly limited, but the diamine is preferably used in an amount of 0.50 to 1.50 moles, more preferably 0.60 to 1.30 moles, and more preferably 0.70 to 1.20 moles per mole of the tetracarboxylic acid dianhydride Particularly preferred.
테트라카르복시산 2무수물은 종래부터 폴리아미드산의 합성 원료로서 사용되고 있는 테트라카르복시산 2무수물로부터 적절히 선택할 수 있다. 테트라카르복시산 2무수물은 방향족 테트라카르복시산 2무수물이어도, 지방족 테트라카르복시산 2무수물이어도 되지만, 얻어지는 폴리이미드 수지의 내열성의 점에서, 방향족 테트라카르복시산 2무수물을 사용하는 것이 바람직하다. 테트라카르복시산 2무수물은 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.The tetracarboxylic acid dianhydride can be appropriately selected from tetracarboxylic dianhydrides conventionally used as a starting material for synthesis of polyamic acid. The tetracarboxylic acid dianhydride may be an aromatic tetracarboxylic acid dianhydride or an aliphatic tetracarboxylic dianhydride, but from the viewpoint of the heat resistance of the obtained polyimide resin, it is preferable to use an aromatic tetracarboxylic dianhydride. The tetracarboxylic acid dianhydride may be used in combination of two or more.
방향족 테트라카르복시산 2무수물의 적합한 구체예로서는 피로멜리트산 2무수물, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄 2무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄 2무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄 2무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복시산 2무수물, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복시산 2무수물, 2,2,6,6-비페닐테트라카르복시산 2무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판 2무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)프로판 2무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 2무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 2무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복시산 2무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르 2무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)에테르 2무수물, 2,2',3,3'-벤조페논테트라카르복시산 2무수물, 4,4-(p-페닐렌디옥시)디프탈산 2무수물, 4,4-(m-페닐렌디옥시)디프탈산 2무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복시 2무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복시산 2무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복시산 2무수물, 1,2,3,4-벤젠테트라카르복시산 2무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복시산 2무수물, 2,3,6,7-안트라센테트라카르복시산 2무수물, 1,2,7,8-페난트렌테트라카르복시산 2무수물, 9,9-비스 무수 프탈산 플루오렌, 3,3',4,4'-디페닐설폰테트라카르복시산 2무수물 등을 들 수 있다. 지방족 테트라카르복시산 2무수물로서는, 예를 들면 에틸렌테트라카르복시산 2무수물, 부탄테트라카르복시산 2무수물, 시클로펜탄테트라카르복시산 2무수물, 시클로헥산테트라카르복시산 2무수물, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복시산 2무수물, 1,2,3,4-시클로헥산테트라카르복시산 2무수물 등을 들 수 있다. 이들 중에서는 가격, 입수 용이성 등으로부터, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복시산 2무수물 및 피로멜리트산 2무수물이 바람직하다. 또, 이들 테트라카르복시산 2무수물은 단독 혹은 2종 이상 혼합해 이용할 수도 있다.Suitable examples of the aromatic tetracarboxylic acid dianhydride include pyromellitic dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis , 4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3', 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2,6 Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) Bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) , 3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis -Dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 2,2 ', 3,3'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 4,4- (p-phenylenedioxy) diphthalic acid 2-anhydride, 4,4- (m-phenylenedioxy) diphthalic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3 , 6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracene tetra Carboxylic acid dianhydride, 1,2,7,8-phenanthrenetetracarboxylic acid dianhydride, 9,9-bis phthalic anhydride fluorene, and 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride. have. Examples of the aliphatic tetracarboxylic acid dianhydride include ethylene tetracarboxylic acid dianhydride, butanetetracarboxylic dianhydride, cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride , 1,2,3,4-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, and the like. Of these, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and pyromellitic dianhydride are preferable from the viewpoint of cost, availability and the like. These tetracarboxylic acid dianhydrides may be used singly or in combination of two or more.
디아민은 종래부터 폴리아미드산의 합성 원료로서 사용되고 있는 디아민으로부터 적절히 선택할 수 있다. 디아민은 방향족 디아민이어도, 지방족 디아민이어도 되지만, 얻어지는 폴리이미드 수지의 내열성의 점에서, 방향족 디아민이 바람직하다. 이들 디아민은 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.The diamine can be appropriately selected from diamines conventionally used as starting materials for the synthesis of polyamic acid. The diamine may be an aromatic diamine or an aliphatic diamine, but from the viewpoint of the heat resistance of the obtained polyimide resin, an aromatic diamine is preferable. These diamines may be used in combination of two or more.
방향족 디아민으로서는 페닐기가 1개 혹은 2~10개 정도가 결합한 디아미노 화합물을 들 수 있다. 구체적으로는 페닐렌디아민 및 그 유도체, 디아미노비페닐 화합물 및 그 유도체, 디아미노디페닐 화합물 및 그 유도체, 디아미노트리페닐 화합물 및 그 유도체, 디아미노나프탈렌 및 그 유도체, 아미노페닐아미노인단 및 그 유도체, 디아미노테트라페닐 화합물 및 그 유도체, 디아미노헥사페닐 화합물 및 그 유도체, 카르도형 플루오렌디아민 유도체이다.As the aromatic diamine, there can be mentioned a diamino compound in which one or two to ten or more phenyl groups are bonded. Specific examples thereof include phenylenediamine and derivatives thereof, diaminobiphenyl compounds and derivatives thereof, diaminodiphenyl compounds and derivatives thereof, diaminotriphenyl compounds and derivatives thereof, diaminonaphthalenes and derivatives thereof, Derivatives thereof, diaminotetraphenyl compounds and derivatives thereof, diaminohexaphenyl compounds and derivatives thereof, and cardo-type fluorenediamine derivatives.
페닐렌디아민은 m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민 등이며, 페닐렌디아민 유도체로서는 메틸기, 에틸기 등의 알킬기가 결합한 디아민, 예를 들면 2,4-디아미노톨루엔, 2,4-트리페닐렌디아민 등이다.Phenylenediamine is m-phenylenediamine, p-phenylenediamine and the like. Examples of the phenylenediamine derivative include diamines to which alkyl groups such as methyl and ethyl are bonded, for example, 2,4-diaminotoluene, 2,4-triphenyl Lt; / RTI >
디아미노비페닐 화합물은 2개의 아미노페닐기가 페닐기끼리 결합한 것이다. 예를 들면, 4,4'-디아미노비페닐, 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐 등이다.The diaminobiphenyl compound is a compound in which two aminophenyl groups are bonded to each other by phenyl groups. For example, 4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-diamino-2,2'-bis (trifluoromethyl) biphenyl and the like.
디아미노디페닐 화합물은 2개의 아미노페닐기가 다른 기를 통해서 페닐기끼리 결합한 것이다. 결합은 에테르 결합, 설포닐 결합, 티오에테르 결합, 알킬렌 또는 그 유도체기에 의한 결합, 이미노 결합, 아조 결합, 포스핀옥시드 결합, 아미드 결합, 우레일렌 결합 등이다. 알킬렌 결합은 탄소수가 1~6 정도인 것이며, 그 유도체기는 알킬렌기의 수소 원자의 1 이상이 할로겐 원자 등으로 치환된 것이다.The diaminodiphenyl compound is a compound in which two aminophenyl groups are bonded to each other through another group. The bond may be an ether bond, a sulfonyl bond, a thioether bond, a bond by an alkylene or a derivative group thereof, an imino bond, an azo bond, a phosphine oxide bond, an amide bond or a ureylene bond. The alkylene bond has about 1 to 6 carbon atoms, and the derivative thereof is one in which at least one of the hydrogen atoms of the alkylene group is substituted with a halogen atom or the like.
디아미노디페닐 화합물의 예로서는 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐설폰, 3,4'-디아미노디페닐설폰, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐설피드, 3,3'-디아미노디페닐케톤, 3,4'-디아미노디페닐케톤, 2,2-비스(p-아미노페닐)프로판, 2,2'-비스(p-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 4-메틸-2,4-비스(p-아미노페닐)-1-펜텐, 4-메틸-2,4-비스(p-아미노페닐)-2-펜텐, 이미노디아닐린, 4-메틸-2,4-비스(p-아미노페닐)펜탄, 비스(p-아미노페닐)포스핀옥시드, 4,4'-디아미노아조벤젠, 4,4'-디아미노디페닐 요소, 4,4'-디아미노디페닐아미드, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]설폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]설폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판 등을 들 수 있다.Examples of the diaminodiphenyl compound include 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone , 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'- Diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminodiphenylketone, 3,4'-diaminodiphenylketone, 2,2-bis (p-aminophenyl ) Propane, 2,2'-bis (p-aminophenyl) hexafluoropropane, 4-methyl- (p-aminophenyl) phosphine oxide, 4,4'-diamino azobenzene (p-aminophenyl) , 4,4'-diaminodiphenyl urea, 4,4'-diaminodiphenylamide, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3- , 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene Bis (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, and the like.
이들 중에서는 가격, 입수 용이성 등으로부터, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,4-디아미노톨루엔, 및 4,4'-디아미노디페닐에테르가 바람직하다.Of these, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2,4-diaminotoluene, and 4,4'-diaminodiphenyl ether are preferable from the viewpoint of price and availability.
디아미노트리페닐 화합물은 2개의 아미노페닐기와 1개의 페닐렌기가 모두 다른 기를 통해서 결합한 것으로, 다른 기는 디아미노디페닐 화합물과 동일한 것이 선택된다. 디아미노트리페닐 화합물의 예로서는 1,3-비스(m-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(p-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(p-아미노페녹시)벤젠 등을 들 수 있다.The diaminotriphenyl compound is a compound in which two aminophenyl groups and one phenylene group are bonded through different groups, and the other groups are the same as the diaminodiphenyl compound. Examples of the diaminotriphenyl compound include 1,3-bis (m-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (p-aminophenoxy) benzene, 1,4- .
디아미노나프탈렌의 예로서는 1,5-디아미노나프탈렌 및 2,6-디아미노나프탈렌을 들 수 있다.Examples of the diaminonaphthalene include 1,5-diaminonaphthalene and 2,6-diaminonaphthalene.
아미노페닐아미노인단의 예로서는 5 또는 6-아미노-1-(p-아미노페닐)-1,3,3-트리메틸인단을 들 수 있다.An example of the aminophenylamino indane is 5 or 6-amino-1- (p-aminophenyl) -1,3,3-trimethylindan.
디아미노테트라페닐 화합물의 예로서는 4,4'-비스(p-아미노페녹시)비페닐, 2,2'-비스[p-(p'-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2'-비스[p-(p'-아미노페녹시)비페닐]프로판, 2,2'-비스[p-(m-아미노페녹시)페닐]벤조페논 등을 들 수 있다.Examples of the diaminotetraphenyl compound include 4,4'-bis (p-aminophenoxy) biphenyl, 2,2'-bis [p- (p'-aminophenoxy) phenyl] propane, [p- (p'-aminophenoxy) biphenyl] propane, and 2,2'-bis [p- (m-aminophenoxy) phenyl] benzophenone.
카르도형 플루오렌디아민 유도체는 9,9-비스아닐린플루오렌 등을 들 수 있다.The carrageenan fluorenediamine derivatives include 9,9-bisaniline fluorene and the like.
지방족 디아민은, 예를 들면 탄소수가 2~15 정도인 것이 좋고, 구체적으로는 펜타메틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 헵타메틸렌디아민 등을 들 수 있다.The aliphatic diamine preferably has, for example, 2 to 15 carbon atoms, and specifically includes pentamethylenediamine, hexamethylenediamine, heptamethylenediamine, and the like.
또한 이들 디아민의 수소 원자가 할로겐 원자, 메틸기, 메톡시기, 시아노기, 페닐기 등의 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 치환기에 의해 치환된 화합물이어도 된다.And the hydrogen atoms of these diamines may be substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a halogen atom, a methyl group, a methoxy group, a cyano group, and a phenyl group.
본 실시 형태에서 이용되는 폴리아미드산을 제조하는 수단에 특별히 제한은 없고, 예를 들면 유기용제 중에서 산, 디아민 성분을 반응시키는 방법 등의 공지된 수법을 이용할 수 있다.The means for producing the polyamic acid used in the present embodiment is not particularly limited, and for example, a known method such as a method of reacting an acid or a diamine component in an organic solvent can be used.
테트라카르복시산 2무수물과 디아민의 반응은 통상 유기용제 중에서 실시된다. 테트라카르복시산 2무수물과 디아민의 반응에 사용되는 유기용제는 테트라카르복시산 2무수물 및 디아민을 용해시킬 수 있고, 테트라카르복시산 2무수물 및 디아민과 반응하지 않는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 유기용제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합해 이용할 수 있다.The reaction of the tetracarboxylic dianhydride and the diamine is usually carried out in an organic solvent. The organic solvent used for the reaction of the tetracarboxylic acid dianhydride and the diamine is not particularly limited as long as it can dissolve the tetracarboxylic acid dianhydride and the diamine and does not react with the tetracarboxylic acid dianhydride and the diamine. The organic solvent may be used alone or in combination of two or more.
테트라카르복시산 2무수물과 디아민의 반응에 이용하는 유기용제의 예로서는 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸카프로락탐, N,N,N',N'-테트라메틸우레아 등의 함질소 극성 용제; β-프로피오락톤, γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, δ-발레로락톤, γ-카프로락톤, ε-카프로락톤 등의 락톤계 극성 용제; 디메틸설폭사이드; 아세토니트릴; 락트산에틸, 락트산부틸 등의 지방산 에스테르류; 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디옥산, 테트라히드로푸란, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에테르류; 크레졸류 등의 페놀계 용제를 들 수 있다. 이들 유기용제는 단독 혹은 2종 이상을 혼합해 이용할 수 있다. 유기용제의 사용량에 특별히 제한은 없지만, 생성하는 폴리아미드산의 함유량을 5~50 질량%로 하는 것이 바람직하다.Examples of the organic solvent used for the reaction of the tetracarboxylic dianhydride and the diamine include N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide, N, , N-diethylformamide, N-methylcaprolactam, N, N, N ', N'-tetramethylurea and the like; lactone-based polar solvents such as? -propiolactone,? -butyrolactone,? -valerolactone,? -valerolactone,? -caprolactone and? -caprolactone; Dimethyl sulfoxide; Acetonitrile; Fatty acid esters such as ethyl lactate and butyl lactate; Ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dioxane, tetrahydrofuran, methyl cellosolve acetate and ethyl cellosolve acetate; And phenol-based solvents such as cresol and the like. These organic solvents may be used alone or in combination of two or more. The amount of the organic solvent to be used is not particularly limited, but the content of the produced polyamic acid is preferably 5 to 50% by mass.
이들 유기용제 중에서는 생성하는 폴리아미드산의 용해성으로부터, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸카프로락탐, N,N,N',N'-테트라메틸우레아 등의 함질소 극성 용제가 바람직하다.Among these organic solvents, from the solubility of the produced polyamic acid, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide, , N-diethylformamide, N-methylcaprolactam, N, N, N ', N'-tetramethylurea and the like are preferable.
중합 온도는 일반적으로는 -10~120℃, 바람직하게는 5~30℃이다. 중합 시간은 사용하는 원료 조성에 따라 상이하지만, 통상은 3~24 Hr(시간)이다. 또, 이와 같은 조건 하에서 얻어지는 폴리아미드산의 유기용제 용액의 고유 점도는 바람직하게는 1000~10만 cP(센티 포아즈), 보다 한층 바람직하게는 5000~7만 cP의 범위이다.The polymerization temperature is generally -10 to 120 占 폚, preferably 5 to 30 占 폚. The polymerization time varies depending on the raw material composition used, but is usually 3 to 24 Hr (hour). The intrinsic viscosity of the organic solvent solution of polyamic acid obtained under such conditions is preferably in the range of 1,000 to 100,000 cP (centipoise), and still more preferably in the range of 5,000 to 70,000 cP.
<폴리이미드><Polyimide>
본 실시 형태에 이용하는 폴리이미드는 도포액에 사용하는 유기용제에 용해 가능한 가용성 폴리이미드라면, 그 구조나 분자량으로 한정되는 경우 없이, 공지된 것을 사용할 수 있다. 폴리이미드에 대해서, 측쇄에 카르복시기 등의 축합 가능한 관능기 또는 소성시에 가교 반응 등을 촉진시키는 관능기를 가지고 있어도 된다.The polyimide used in the present embodiment may be a soluble polyimide surface soluble in an organic solvent used in a coating liquid, and any known polyimide may be used without being limited by its structure or molecular weight. The polyimide may have a functional group capable of condensing a carboxyl group or the like on the side chain or a functional group for promoting a crosslinking reaction during firing.
유기용제에 가용인 폴리이미드로 하기 위해서, 주쇄에 유연한 굴곡 구조를 도입하기 위한 모노머의 사용, 예를 들면 에틸레디아민, 헥사메틸렌디아민, 1,4-디아미노시클로헥산, 1,3-디아미노시클로헥산, 4,4'-디아미노디시클로헥실메탄 등의 지방족 디아민; 2-메틸-1,4-페닐렌디아민, o-트리진, m-트리진, 3,3'-디메톡시벤지딘, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드 등의 방향족 디아민; 폴리옥시에틸렌디아민, 폴리옥시프로필렌디아민, 폴리옥시부틸렌디아민 등의 폴리옥시알킬렌디아민; 폴리실록산디아민; 2,3,3',4'-옥시디프탈산 무수물, 3,4,3',4'-옥시디프탈산 무수물, 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판디벤조에이트-3,3',4,4'-테트라카르복시산 2무수물 등의 사용이 유효하다. 또, 유기용제에 대한 용해성을 향상하는 관능기를 가지는 모노머의 사용, 예를 들면 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐, 2-트리플루오로메틸-1,4-페닐렌디아민 등의 불소화 디아민을 사용하는 것도 유효하다. 또한, 상기 폴리이미드의 용해성을 향상하기 위한 모노머에 더하여, 용해성을 저해하지 않는 범위에서, 상기 폴리아미드산의 란에 적은 것과 같은 모노머를 병용할 수도 있다.In order to obtain a polyimide soluble in an organic solvent, use of a monomer for introducing a flexible bending structure into the main chain, for example, use of a monomer such as ethylideneamine, hexamethylenediamine, 1,4-diaminocyclohexane, Aliphatic diamines such as cyclohexane and 4,4'-diaminodicyclohexylmethane; Aromatic diamines such as 2-methyl-1,4-phenylenediamine, o-triazine, m-triazine, 3,3'-dimethoxybenzidine and 4,4'-diaminobenzanilide; Polyoxyalkylene diamines such as polyoxyethylene diamine, polyoxypropylene diamine, and polyoxybutylene diamine; Polysiloxane diamines; Oxydiphthalic anhydride, 2,3,3 ', 4'-oxydiphthalic anhydride, 3,4,3', 4'-oxydiphthalic anhydride, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane dibenzoate- ', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride and the like are effective. The use of a monomer having a functional group for improving the solubility in an organic solvent, for example, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl, 2-trifluoromethyl- It is also effective to use a fluorinated diamine such as 1,4-phenylenediamine. In addition to the monomers for improving the solubility of the polyimide, monomers such as those listed in the columns of the polyamic acid may be used in combination as long as the solubility is not impaired.
본 발명에서 이용되는 유기용제에 용해 가능한 폴리이미드를 제조하는 수단에 특별히 제한은 없고, 예를 들면 폴리아미드산을 화학 이미드화 또는 가열 이미드화시켜, 유기용제에 용해시키는 방법 등의 공지된 수법을 이용할 수 있다. 그와 같은 폴리이미드로서는 지방족 폴리이미드(전체 지방족 폴리이미드), 방향족 폴리이미드 등을 들 수 있고, 방향족 폴리이미드가 바람직하다. 방향족 폴리이미드로서는 식(1)로 나타내는 반복 단위를 가지는 폴리아미드산을 열 또는 화학적으로 폐환 반응에 의해서 취득한 것, 혹은 식(2)로 나타내는 반복 단위를 가지는 폴리이미드를 용매에 용해한 것이어도 된다. 식 중 Ar은 아릴기를 나타낸다.No particular limitation is imposed on the means for producing the polyimide soluble in the organic solvent used in the present invention. For example, a known method such as a method in which a polyamic acid is chemically imidized or heat-imidized and dissolved in an organic solvent Can be used. Examples of such polyimides include aliphatic polyimides (all aliphatic polyimides) and aromatic polyimides, and aromatic polyimides are preferred. As the aromatic polyimide, a polyamic acid having a repeating unit represented by the formula (1) may be obtained by thermal or chemical ring-closure reaction, or a polyimide having a repeating unit represented by the formula (2) may be dissolved in a solvent. Ar represents an aryl group.
[화 1]However,
[화 2][Figure 2]
<폴리아미드이미드><Polyamideimide>
본 실시 형태에 이용하는 폴리아미드이미드는 도포액에 사용하는 유기용제에 용해 가능한 가용성 폴리아미드이미드라면, 그 구조나 분자량으로 한정되는 경우 없이, 공지된 것을 사용할 수 있다. 폴리아미드이미드에 대해서, 측쇄에 카르복시기 등의 축합 가능한 관능기 또는 소성시에 가교 반응 등을 촉진시키는 관능기를 가지고 있어도 된다.The polyamide imide used in the present embodiment may be any known polyamide imide soluble in an organic solvent used for the coating liquid, without limitation to its structure or molecular weight. The polyamideimide may have a functional group capable of condensing a carboxyl group or the like on the side chain or a functional group for promoting a crosslinking reaction during firing.
본 실시 형태에서 이용하는 폴리아미드이미드는 임의의 무수 트리멜리트산과 디이소시아네이트를 반응시켜 얻어지는 것이나, 임의의 무수 트리멜리트산의 반응성 유도체와 디아민의 반응에 의해 얻어지는 전구체 폴리머를 이미드화해 얻어지는 것을 특별히 한정되는 경우 없이 사용할 수 있다.The polyamideimide used in the present embodiment is obtained by reacting an arbitrary anhydride trimellitic acid with a diisocyanate or a polyimide imide obtained by imidizing a precursor polymer obtained by reacting a reactive derivative of any trimellitic anhydride with a diamine, Can be used without a case.
상기 임의의 무수 트리멕과 산 또는 그 반응성 유도체로서는, 예를 들면 무수 트리멜리트산, 무수 트리멜리트산클로라이드 등의 무수 트리멜리트산할로겐화물, 무수 트리멜리트산에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the optional anhydride trimec and an acid or a reactive derivative thereof include anhydrous trimellitic acid halide such as trimellitic anhydride and trimellitic anhydride chloride, trimellitic anhydride, and the like.
디이소시아네이트로서는, 예를 들면 메타페닐렌디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 4,4'-옥시비스(페닐이소시아네이트), 4,4'-디이소시아네이트디페닐메탄, 비스[4-(4-이소시아네이트페녹시)페닐]설폰, 2,2'-비스[4-(4-이소시아네이트페녹시)페닐]프로판 등을 들 수 있다.Examples of the diisocyanate include diisocyanates such as m-phenylenediisocyanate, p-phenylenediisocyanate, 4,4'-oxybis (phenylisocyanate), 4,4'-diisocyanate diphenylmethane, bis [4- Phenyl] sulfone, 2,2'-bis [4- (4-isocyanatophenoxy) phenyl] propane, and the like.
디아민으로서는 상기 폴리아미드산의 설명에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the diamine include the same ones as those exemplified in the description of the polyamic acid.
<폴리아미드><Polyamide>
폴리아미드로서는 디카르복시산과 디아민으로부터 얻어지는 폴리아미드가 바람직하고, 특히 방향족 폴리아미드가 바람직하다.As polyamides, polyamides obtained from dicarboxylic acids and diamines are preferable, and aromatic polyamides are particularly preferable.
디카르복시산으로서는 말레산, 푸마르산, 이타콘산, 메틸말레산, 디메틸말레산, 페닐말레산, 클로로말레산, 디클로로말레산, 플루오로말레산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 및 디펜산 등을 들 수 있다.Examples of the dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, methylmaleic acid, dimethylmaleic acid, phenylmaleic acid, chloromaleic acid, dichloromaleic acid, fluoromaleic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, have.
디아민으로서는 상기 폴리아미드산의 설명에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the diamine include the same ones as those exemplified in the description of the polyamic acid.
<미립자>≪ Particles >
이어서, 미립자에 대해 설명한다. 미립자는, 예를 들면 진구율이 높고, 입경 분포 지수가 작은 것이 이용된다. 이와 같은 미립자는 액체 중에서의 분산성이 뛰어나 서로 응집하지 않는 상태가 된다. 미립자의 입경(평균 직경)으로서는, 예를 들면 100~2000 nm 정도로 설정할 수 있다. 상기와 같은 미립자를 이용함으로써, 후의 공정에서 미립자를 제거함으로써 얻어지는 다공성 수지막(F)의 공경을 같게 할 수 있다. 이 때문에, 다공성 수지막(F)에 의해서 형성되는 세퍼레이터에 인가되는 전계를 균일화할 수 있다.Next, the fine particles will be described. The fine particles are, for example, those having a high sphericity and a small particle size distribution index. Such fine particles are excellent in dispersibility in a liquid, and are in a state in which they do not aggregate with each other. The particle diameter (average diameter) of the fine particles can be set to, for example, about 100 to 2000 nm. By using the above-mentioned fine particles, the pores of the porous resin film (F) obtained by removing the fine particles in the subsequent step can be made equal. Therefore, the electric field applied to the separator formed by the porous resin film (F) can be made uniform.
또한 미립자의 재질로서는 도포액에 포함되는 용제에 불용이고, 후의 공정에서 다공성 수지막(F)으로부터 제거 가능한 재질이면, 특별히 한정되지 않고 공지된 것을 채용할 수 있다. 예를 들면, 무기 재료로는 실리카(이산화규소), 산화 티탄, 알루미나(Al2O3) 등의 금속 산화물을 들 수 있다. 또, 유기 재료로는 고분자량 올레핀(폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등), 폴리스티렌, 에폭시 수지, 셀룰로오스, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리에스테르, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에테르 등의 유기 고분자 미립자를 들 수 있다. 또, 미립자의 일례로서, (단분산) 구상 실리카 입자 등의 콜로이달 실리카, 탄산칼슘 등을 들 수 있다. 이 경우, 다공성 수지막(F)의 공경을 보다 균일하게 할 수 있다.The material of the fine particles is not particularly limited as long as it is insoluble in the solvent contained in the coating liquid and can be removed from the porous resin film (F) in a subsequent step. For example, examples of the inorganic material include metal oxides such as silica (silicon dioxide), titanium oxide, and alumina (Al 2 O 3 ). Examples of the organic material include organic polymer fine particles such as high molecular weight olefin (polypropylene, polyethylene, etc.), polystyrene, epoxy resin, cellulose, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polyester, polymethyl methacrylate, . Examples of the fine particles include colloidal silica such as (monodisperse) spherical silica particles, and calcium carbonate. In this case, the pores of the porous resin film (F) can be made more uniform.
또, 제1 도포액에 포함되는 미립자와 제2 도포액에 포함되는 미립자는 진구율, 입경, 재료 등의 제원(諸元)이 동일해도 되고, 서로 상이해도 된다. 제1 도포액에 포함되는 미립자는 제2 도포액에 포함되는 미립자보다도 입경 분포 지수가 작거나 동일한 것이 바람직하다. 혹은 제1 도포액에 포함되는 미립자는 제2 도포액에 포함되는 미립자보다도 진구율이 작거나 동일한 것이 바람직하다. 또, 제1 도포액에 포함되는 미립자는 제2 도포액에 포함되는 미립자보다도 미립자의 입경(평균 직경)이 작은 것이 바람직하고, 특히 제1 도포액에 포함되는 미립자가 100~1000 nm(보다 바람직하게는 100~600 nm)이며, 제2 도포액에 포함되는 미립자가 500~2000 nm(보다 바람직하게는 700~2000 nm)인 것이 바람직하다. 제1 도포막에 포함되는 미립자의 입경에 제2 도포액에 포함되는 미립자의 입경보다 작은 것을 이용함으로써, 다공성 수지막(F) 표면의 구멍의 개구 비율을 높고 균일하게 할 수 있다. 또, 다공성 수지막(F) 전체를 제1 도포액에 포함되는 미립자의 입경으로 한 경우보다도 막의 강도를 높일 수 있다.The fine particles contained in the first coating liquid and the fine particles contained in the second coating liquid may be the same in size, material, and material, or they may be different from each other. It is preferable that the particle size distribution index of the fine particles contained in the first coating liquid is smaller than or equal to that of the fine particles contained in the second coating liquid. Or the fine particles contained in the first coating liquid are preferably smaller or equal to those of the fine particles contained in the second coating liquid. The fine particles contained in the first coating liquid are preferably smaller in particle diameter (average diameter) than the fine particles contained in the second coating liquid, and more preferably, the fine particles contained in the first coating liquid have a particle diameter of 100 to 1000 nm , And the fine particles contained in the second coating liquid are preferably 500 to 2000 nm (more preferably 700 to 2000 nm). It is possible to make the opening ratio of the holes on the surface of the porous resin film (F) high and uniform by using the particle diameter of the fine particles contained in the first coating film smaller than the particle diameter of the fine particles contained in the second coating liquid. Further, the strength of the film can be increased more than when the entirety of the porous resin film (F) is made to have a particle diameter of the fine particles contained in the first coating liquid.
또한 상기 도포액은 소정의 수지 재료와, 미립자와, 용제 외에, 필요에 따라 이형제, 분산제, 축합제, 이미드화제, 계면활성제 등 여러 가지의 첨가제를 포함하고 있어도 된다.The coating liquid may contain various additives such as a releasing agent, a dispersing agent, a condensing agent, an imidizing agent, a surfactant and the like in addition to a predetermined resin material, fine particles and solvent.
[도포 유닛][Application unit]
도포 유닛(10)은 반송부(11)와, 제1 노즐(12)과, 제2 노즐(13)과, 건조부(14)와, 박리부(15)를 갖는다. The
반송부(11)는 반송 기재(기재)(S)와, 기재 송출 롤러(11a)와, 지지 롤러(11b~11d)와, 기재 권취 롤러(11e)와, 반출 롤러(11f)를 갖는다.The
반송 기재(S)는 띠 모양으로 형성되어 있다. 반송 기재(S)는 기재 송출 롤러(11a)로부터 송출되고 텐션을 가지도록 지지 롤러(11b~11d)에 걸쳐지고, 기재 권취 롤러(11e)에 의해서 권취된다. 반송 기재(S)의 재질로서는, 예를 들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 등을 들 수 있지만, 이것으로 한정하는 것이 아니며, 스테인리스철 등의 금속 재료여도 된다.The conveying substrate S is formed in a band shape. The conveying substrate S is fed from the
각 롤러(11a~11f)는, 예를 들면 원통 모양으로 형성되고, 각각 X 방향에 평행하게 배치되어 있다. 또한 각 롤러(11a~11f)는 X 방향에 평행한 배치에 한정되지 않고, 적어도 1개가 X 방향에 대해서 기울어서 배치되어도 된다. 예를 들면, 각 롤러(11a~11f)가 Z 방향에 평행하게 배치되어 Z 방향의 높이 위치가 동일해지도록 배치되어도 된다. 이 경우, 반송 기재(S)는 수평면(XY 평면)에 대해서 선 상태로 수평면을 따라서 이동하게 된다.Each of the
기재 송출 롤러(11a)는 반송 기재(S)가 감겨진 상태로 배치된다. 지지 롤러(11b)는 기재 송출 롤러(11a)의 +Z측에 배치되면서, 기재 송출 롤러(11a)보다도 -Y측에 배치된다. 또, 지지 롤러(11c)는 지지 롤러(11b)의 +Z측에 배치되면서, 지지 롤러(11b)보다도 +Y측에 배치된다. 이 3개의 롤러(기재 송출 롤러(11a), 지지 롤러(11b, 11c)의 배치에 의해, 반송 기재(S)는 지지 롤러(11b)의 -Y측 단부를 포함하는 면으로 지지된다.The
또, 지지 롤러(11d)는 지지 롤러(11c)의 +Y측에 배치되면서, 지지 롤러(11c)의 -Z측에 배치된다. 이 경우, 지지 롤러(11b~11d)의 3개의 롤러의 배치에 의해, 반송 기재(S)는 지지 롤러(11c)의 +Z측 단부를 포함하는 면으로 지지된다.The
또한 지지 롤러(11d)가, 지지 롤러(11c)의 높이 위치(Z 방향의 위치)와 거의 동일한 높이 위치에 배치되어도 된다. 이 경우, 반송 기재(S)는 지지 롤러(11c)로부터 지지 롤러(11d)를 향해서 XY 평면에 거의 평행한 상태로 +Y 방향으로 보내진다.The
기재 권취 롤러(11e)는 지지 롤러(11d)의 -Z측에 배치된다. 지지 롤러(11d)로부터 기재 권취 롤러(11e)를 향해서, 반송 기재(S)는, -Z 방향으로 보내진다. 반출 롤러(11f)는 지지 롤러(11d)의 +Y측 또한 -Z측에 배치된다. 반출 롤러(11f)는 건조부(14)에서 형성되는 미소성막(FA)을 +Y 방향으로 보낸다. 이 미소성막(FA)은 반출 롤러(11f)에 의해, 도포 유닛(10)의 외부로 반출된다.The substrate take-up
또한 상기의 롤러(11a~11f)는 원통형에 한정되지 않고, 테이퍼형의 크라운이 형성되어도 된다. 이 경우, 롤러(11a~11f)의 굴곡 보정에 유효하고, 반송 기재(S) 또는 후술하는 미소성막(FA)이 롤러(11a~11f)에 균등하게 접촉 가능해진다. 또, 롤러(11a~11f)에 레이디얼형의 크라운이 형성되어도 된다. 이 경우, 반송 기재(S) 또는 미소성막(FA)의 사행(蛇行) 방지에 유효하다. 또, 롤러(11a~11f)에 콘케이브형의 크라운(X 방향의 중앙부가 오목형으로 만곡한 부분)이 형성되어도 된다. 이 경우, X 방향으로 장력을 부여하면서 반송 기재(S) 또는 미소성막(FA)을 반송하는 것이 가능해지기 때문에, 주름의 발생 방지에 유효하다. 이하의 롤러에 대해서도, 상기와 같이 테이퍼형, 레이디얼형, 콘케이브형 등의 크라운을 가지는 구성이어도 된다.Further, the
도 2의 (a)는 제1 노즐(12)의 일례를 나타내는 사시도이다. 도 1 및 도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이, 제1 노즐(12)은 반송 기재(S)에 제1 도포액(Q1)의 도포막(이하, 제1 도포막(F1)로 함)을 형성한다. 제1 노즐(12)은 제1 도포액(Q1)을 토출하는 토출구(12a)를 갖는다. 토출구(12a)는, 예를 들면 길이 방향이 반송 기재(S)의 X 방향의 치수와 거의 동일해지도록 형성된다.2 (a) is a perspective view showing an example of the
제1 노즐(12)은 토출 위치(P1)에 배치된다. 토출 위치(P1)는 지지 롤러(11b)에 대해서 -Y 방향상의 위치이다. 제1 노즐(12)은 토출구(12a)가 +Y 방향을 향하도록 기울어서 배치된다. 따라서, 토출구(12a)는 반송 기재(S) 중 지지 롤러(11b)의 -Y측 단부로 지지되는 부분으로 향하게 된다. 제1 노즐(12)은 이 반송 기재(S)에 대해서, 토출구(12a)로부터 수평 방향에 따라 제1 도포액(Q1)을 토출한다.The
도 2의 (b)는 제2 노즐(13)의 일례를 나타내는 사시도이다. 도 1 및 도 2의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제2 노즐(13)은 반송 기재(S) 위에 제1 도포막(F1)을 포개어 제2 도포액(Q2)의 도포막(이하, 제2 도포막(F2)으로 함)을 형성한다. 제2 노즐(13)은 제2 도포액(Q2)을 토출하는 토출구(13a)를 갖는다. 토출구(13a)는, 예를 들면 길이 방향이 반송 기재(S)의 X 방향의 치수와 거의 동일해지도록 형성된다.Fig. 2 (b) is a perspective view showing an example of the
제2 노즐(13)은 토출 위치(P2)에 배치된다. 토출 위치(P2)는 지지 롤러(11c)에 대해서 +Z 방향상의 위치이다. 제2 노즐(13)은 토출구(13a)가 -Z 방향을 향하도록 배치된다. 따라서, 토출구(13a)는 반송 기재(S) 중 지지 롤러(11c)의 +Z측 단부로 지지되는 부분으로 향하게 된다. 제2 노즐(13)은 이 반송 기재(S)에 대해서, 토출구(13a)로부터 중력 방향에 따라 제2 도포액(Q2)을 토출한다.And the
또한 제1 노즐(12) 및 제2 노즐(13)은 X 방향, Y 방향 및 Z 방향 중 적어도 한 방향으로 이동 가능해도 된다. 또, 제1 노즐(12) 및 제2 노즐(13)은 X 방향에 평행한 축선의 주위로 회전 가능하게 마련되어도 된다. 또, 제1 노즐(12) 및 제2 노즐(13)은 도포액을 토출하지 않을 때에는 도시하지 않은 대기 위치에 배치되고, 도포액을 토출할 때에 대기 위치로부터 상기의 토출 위치(P1, P2)로 각각 이동하도록 해도 된다. 또, 제1 노즐(12) 및 제2 노즐(13)의 예비 토출 동작을 실시하는 부분이 마련되어도 된다.The
제1 노즐(12) 및 제2 노즐(13)은 각각 접속 배관(도시하지 않음) 등을 통해서, 도포액 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 제1 노즐(12) 및 제2 노즐(13)은, 예를 들면 내부에 소정량의 도포액을 유지하는 유지부(도시하지 않음)가 마련된다. 이 경우, 제1 노즐(12) 및 제2 노즐(13)은 상기 유지부에 유지된 액상체의 온도를 조정하는 온도 조절부를 가져도 된다.The
제1 노즐(12) 또는 제2 노즐(13)로부터 도출되는 각 도포액의 도출량이나, 제1 도포막(F1) 또는 제2 도포막(F2)의 막 두께는 각 노즐, 각 접속 배관(도시하지 않음), 혹은 도포액 공급원(도시하지 않음)에 접속되는 펌프(도시하지 않음)의 압력, 반송 속도, 각 노즐 위치 또는 반송 기재(S)와 노즐과의 거리 등에 의해, 조정 가능하다. 제1 도포막(F1) 또는 제2 도포막(F2)의 막 두께는, 예를 들면 각각, 0.5μm~500μm이다.The amount of each coating liquid to be led out from the
본 실시 형태와 같이, 2 종류의 도포액(제1 도포액(Q1) 및 제2 도포액(Q2))을 이용하는 경우에는 제1 도포액(Q1)에 의한 제1 도포막(F1)의 막 두께를, 예를 들면 0.5μm~10μm의 범위로 조정하고, 제2 도포액(Q2)에 의한 제2 도포막(F2)의 막 두께를, 예를 들면 1μm~50μm의 범위로 조정하는 것이 바람직하다.When two kinds of coating liquids (the first coating liquid Q1 and the second coating liquid Q2) are used as in the present embodiment, the film of the first coating film F1 by the first coating liquid Q1 It is preferable to adjust the thickness of the second coating film F2 in the range of 0.5 to 10 mu m and adjust the thickness of the second coating film F2 in the second coating liquid Q2 to be in the range of 1 to 50 mu m, Do.
또한 제1 노즐(12) 및 제2 노즐(13)의 사이에, 제1 도포막(F1)을 건조시키기 위한 건조부(도시하지 않음)를 배치해도 된다. 이 건조부는 가열 건조부를 구비하고 있는 것이 바람직하다. 가열 건조부로서는 온풍 송풍부나 적외선 히터를 이용하는 것이 바람직하다. 가열 온도는, 예를 들면 50℃~150℃, 바람직하게는 50℃~100℃의 범위이다. 제1 도포막(F1)을 건조시킨 후에 제2 도포막(F2)을 형성함으로써, 예를 들면 제2 도포액에 이용한 미립자가 제1 도포막(F1)의 미립자와 혼재해 버리는 것을 억제할 수 있다.A drying unit (not shown) for drying the first coating film F1 may be disposed between the
도 1에 나타내는 바와 같이, 건조부(14)는 제2 노즐(13)의 +Y측이고, 지지 롤러(11c)와 지지 롤러(11d) 사이에 배치되어 있다. 건조부(14)는 반송 기재(S) 위에 도포된 2층의 도포막(제1 도포막(F1) 및 제2 도포막(F2))을 건조시켜, 미소성막(FA)을 형성한다.As shown in Fig. 1, the drying
건조부(14)는 챔버(14a)와, 가열부(14b)를 갖는다. 챔버(14a)는 반송 기재(S) 및 가열부(14b)를 수용한다. 가열부(14b)는 반송 기재(S) 위에 형성되는 제1 도포막(F1) 및 제2 도포막(F2)을 가열한다. 가열부(14b)로서는, 예를 들면 적외선 히터 등이 이용된다. 가열부(14b)는 50℃~100℃ 정도의 온도에서 도포막을 가열한다.The drying
박리부(15)는 미소성막(FA)이 반송 기재(S)로부터 박리되는 부분이다. 본 실시 형태에서는 작업자의 수작업에 의해서 미소성막(FA)의 박리가 실시되지만, 이것으로 한정하는 것이 아니며, 매니퓰레이터 등을 이용해 자동적으로 실시해도 된다. 반송 기재(S)로부터 박리된 미소성막(FA)은 반출 롤러(11f)에 의해서 도포 유닛(10)의 외부로 반출되어 권취부(40)로 보내진다. 또, 미소성막(FA)이 박리된 반송 기재(S)는 기재 권취 롤러(11e)에 의해서 권취된다.The peeling
[권취부(1)][Winding part (1)]
도 3은 도포 유닛(10)의 +Y측의 구성을 개략적으로 나타내는 사시도이다. 3 is a perspective view schematically showing the configuration of the
도 3에 나타내는 바와 같이, 도포 유닛(10)의 +Y측에는 미소성막(FA)을 반출하는 반출구(10b)가 마련되어 있다. 반출구(10b)로부터 반출된 미소성막(FA)은 권취부(40)에 의해서 권취된다.As shown in Fig. 3, on the + Y side of the
권취부(40)는 베어링(41)에 축 부재(SF)가 장착된 구성으로 되어 있다. 축 부재(SF)는 반출구(10b)로부터 반출된 미소성막(FA)을 권취하여 롤체(R)를 형성한다. 축 부재(SF)는 베어링(41)에 대해서 착탈 가능하게 마련된다. 축 부재(SF)는 베어링(41)에 장착되는 경우, X 방향에 평행한 축선의 주위로 회전 가능해지도록 지지된다. 권취부(40)는 베어링(41)에 장착되는 축 부재(SF)를 회전시키는 도시하지 않은 구동 기구를 가지고 있다.The winding
또한 권취부(40)에서는 미소성막(FA) 중 제1 도포막(F1)측의 면이 외측에 배치되도록 미소성막(FA)을 권취하도록 한다. 예를 들면 구동 기구에 의해서 축 부재(SF)를 도 1의 반시계 회전으로 회전시킴으로써, 미소성막(FA)이 권취되도록 되어 있다. 롤체(R)가 형성된 상태로 축 부재(SF)를 베어링(41)으로부터 분리함으로써, 롤체(R)를 다른 유닛으로 이동시키는 것이 가능해진다.In addition, in the winding
또한 도 1 및 도 3에서는 권취부(40)가 도포 유닛(10)으로부터 독립해서 배치되어 있지만, 이것으로 한정하는 것은 아니다. 예를 들면, 권취부(40)는 도포 유닛(10)의 내부에 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 도포 유닛(10)에 반출구(10b)를 배치하지 않고, 반출 롤러(11f)로부터, (또는 지지 롤러(11d)로부터) 미소성막(FA)을 권취하여 롤체(R)를 형성해도 된다.1 and 3, the winding
[송출부][Feeder]
도 4는 소성 유닛(20)의 -Y측의 구성을 개략적으로 나타내는 사시도이다. Fig. 4 is a perspective view schematically showing the configuration of the -Y side of the
도 4에 나타내는 바와 같이, 소성 유닛(20)의 -Y측에는 미소성막(FA)을 반입하는 반입구(20a)가 마련되어 있다. 송출부(50)는 반입구(20a)에 대해서 미소성막(FA)을 송출한다.As shown in Fig. 4, on the -Y side of the
송출부(50)는 베어링(51)에 축 부재(SF)가 장착 가능한 구성으로 되어 있다. 축 부재(SF)는 권취부(40)의 베어링(41)에 장착하는 것과 공통으로 사용 가능하다. 따라서, 권취부(40)로부터 떼어낸 축 부재(SF)를 송출부(50)의 베어링(51)에 장착 가능하다. 이것에 의해, 권취부(40)에서 형성된 롤체(R)를 송출부(50)에 배치하는 것이 가능하다. 또한 베어링(51) 및 권취부(40)의 베어링(41)에 대해서는 각각 바닥면으로부터의 높이가 동일해지도록 설정 가능하지만, 상이한 높이 위치로 설정되어도 된다.The feeding
축 부재(SF)는 베어링(51)에 장착되는 경우, X 방향에 평행한 축선의 주위로 회전 가능해지도록 지지된다. 송출부(50)는 베어링(51)에 장착되는 축 부재(SF)를 회전시키는 도시하지 않은 구동 기구를 가지고 있다. 구동 기구에 의해서 축 부재(SF)를 도 1의 시계 회전으로 회전시킴으로써, 롤체(R)를 구성하는 미소성막(FA)이 반입구(20a)를 향하여 송출되도록 되어 있다. 또한 상기의 권취부(40)에서, 미소성막(FA) 중 제1 도포막(F1)측의 면이 외측에 배치되도록 미소성막(FA)이 권취되기 때문에, 롤체(R)로부터 미소성막(FA)이 꺼내지는 경우에는 제1 도포막(F1)측이 윗쪽에 배치되게 된다.When the shaft member (SF) is mounted on the bearing (51), it is supported so as to be rotatable about an axis parallel to the X direction. The dispensing
[소성 유닛][Firing unit]
소성 유닛(20)은 본 실시 형태에서, 미소성막(FA)에 대한 고온 처리를 실시하는 유닛이다. 소성 유닛(20)은 미소성막(FA)을 소성하여, 미립자를 포함한 소성막(FB)을 형성한다. 소성 유닛(20)은 챔버(21)와, 가열부(22)와, 반송부(23)를 갖는다. 챔버(21)는 미소성막(FA)을 반입하는 반입구(20a)와, 소성막(FB)을 반출하는 반출구(20b)를 가지고 있다. 챔버(21)는 가열부(22) 및 반송부(23)를 수용한다.The
가열부(22)는 챔버(31) 내에 반입된 미소성막(FA)을 가열한다. 가열부(22)는 Y 방향으로 나란히 배치되는 복수의 히터(22a)를 갖는다. 이 히터(22a)로서는, 예를 들면 적외선 히터 등이 이용된다. 가열부(22)는 챔버(21)의 내부의 -Y측 단부로부터 +Y측 단부에 걸쳐 배치되어 있다. 가열부(22)는 Y 방향의 거의 전체에서 미소성막(FA)을 가열하는 것이 가능하게 이루어져 있다. 가열부(22)는, 예를 들면 미소성막(FA)을 120℃~450℃ 정도에서 가열하는 것이 가능하다. 가열부(22)에 의한 가열 온도는 미소성막(FA)의 반송 속도나 미소성막(FA)의 구성 성분 등에 따라 적절히 조정한다.The
반송부(23)는 반송 벨트(23a)와, 구동 롤러(23b)와, 종동(從動) 롤러(23c)와, 텐션 롤러(23d, 23e)를 가지고 있다. 반송 벨트(23a)는 무단상(無端狀)으로 형성되어 있고, Y 방향에 따라 배치되어 있다. 반송 벨트(23a)는 미소성막(FA)의 소성 온도에 내구성을 가지는 재료를 이용해 형성된다. 반송 벨트(23a)는 텐션을 가지는 상태로, XY 평면에 거의 평행이 되도록, 구동 롤러(23b)와 종동 롤러(23c) 사이에 걸쳐져 있다. 미소성막(FA) 및 소성막(FB)은 반송 벨트(23a)에 재치된 상태로 +Y 방향으로 반송된다.The
구동 롤러(23b)는 챔버(21)의 내부의 +Y측 단부에 배치된다. 구동 롤러(23b)는, 예를 들면 원통 모양으로 형성되고, X 방향에 평행하게 배치되어 있다. 구동 롤러(23b)에는, 예를 들면 모터 등의 회전 구동 장치가 마련되어 있다. 구동 롤러(23b)는 이 회전 구동 장치에 의해, X 방향에 평행한 축선의 주위로 회전 가능하게 마련되어 있다. 구동 롤러(23b)가 회전함으로써, 반송 벨트(23a)가 도 1의 시계 회전으로 회전하도록 되어 있다. 반송 벨트(23a)가 회전함으로써, 반송 벨트(23a) 위에 재치된 미소성막(FA) 및 소성막(FB)이 +Y 방향으로 반송된다.The
종동 롤러(23c)는 챔버(21)의 내부의 -Y측 단부에 배치된다. 종동 롤러(23c)는, 예를 들면 원통 모양으로 형성되고, X 방향에 평행하게 배치되어 있다. 종동 롤러(23c)는 구동 롤러(23b)와 동일한 지름으로 형성되고, Z 방향의 위치(높이 위치)가 구동 롤러(23b)와 거의 동일해지도록 배치되어 있다. 종동 롤러(23c)는 X 방향에 평행한 축선의 주위로 회전 가능하게 마련되어 있다. 종동 롤러(23c)는 반송 벨트(23a)의 회전에 추종해 회전한다.The driven
텐션 롤러(23d)는 종동 롤러(23c)의 +Z측에 배치되어 있다. 텐션 롤러(23d)는 X 방향에 평행하게 배치되어 있고, X축 주위로 회전 가능하게 마련되어 있다. 텐션 롤러(23d)는 Z 방향으로 승강(昇降) 이동 가능하게 마련된다. 텐션 롤러(23d)는 종동 롤러(23c)와의 사이에 미소성막(FA)을 끼우는 것이 가능하다. 텐션 롤러(23d)는 미소성막(FA)을 끼운 상태로 회전 가능하다.The
텐션 롤러(23e)는 구동 롤러(23b)의 +Z측에 배치되어 있다. 텐션 롤러(23e)는 X 방향에 평행하게 배치되어 있고, X축 주위로 회전 가능하게 마련되어 있다. 텐션 롤러(23e)는 Z 방향으로 승강 이동 가능하게 마련된다. 텐션 롤러(23e)는 구동 롤러(23b)와의 사이에 소성막(FB)을 끼우는 것이 가능하다. 텐션 롤러(23e)는 소성막(FB)을 끼운 상태로 회전 가능하다.The
텐션 롤러(23d, 23e)가 각각 종동 롤러(23c) 및 구동 롤러(23b) 사이에 미소성막(FA) 및 소성막(FB)을 각각 끼운 상태로 함으로써, 일련의 미소성막(FA) 및 소성막(FB) 중 끼워진 2개소의 사이의 부분은 외부로부터의 텐션이 컷되게 된다. 이것에 의해, 미소성막(FA) 및 소성막(FB)에 대해서 과잉인 부하가 걸리는 것을 방지할 수 있다. 텐션 롤러(23d, 23e)는 챔버(21) 내에 배치되는 미소성막(FA) 및 소성막(FB)에 텐션이 걸리지 않게 조정 가능하다.The
[제거 유닛][Removal Unit]
제거 유닛(30)은 챔버(31)와, 에칭부(32)와, 세정부(33)와, 건조부(34)와, 반송부(35)를 갖는다. 챔버(31)는 소성막(FB)을 반입하는 반입구(30a)와, 다공성 수지막(F)을 반출하는 반출구(30b)를 가지고 있다. 챔버(31)는 에칭부(32), 세정부(33), 건조부(34) 및 반송부(35)를 수용한다.The
에칭부(32)는 소성막(FB)에 대해서 에칭을 실시해, 소성막(FB)에 포함되는 미립자를 제거하여 다공성 수지막(F)을 형성한다. 에칭부(32)에서는 미립자를 용해 또는 분해 가능한 에칭액에 소성막(FB)을 침지함으로써 미립자를 제거한다. 에칭부(32)에는 이와 같은 에칭액을 공급하는 공급부(도시하지 않음)나, 에칭액을 저장 가능한 저장부가 마련된다.The
세정부(33)는 에칭 후의 다공성 수지막(F)을 세정한다. 세정부(33)는 에칭부(32)의 +Y측(다공성 수지막(F)의 반송 방향의 전방)에 배치된다. 세정부(33)는 세정액을 공급하는 공급부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 또, 다공성 수지막(F)을 세정한 후의 폐수를 회수하는 회수부(도시하지 않음), 다공성 수지막(F)의 액체 제거를 실시하는 액체 제거부(도시하지 않음) 등을 가져도 된다.The
건조부(34)는 세정 후의 다공성 수지막(F)을 건조한다. 건조부(34)는 세정부(33)의 +Y측(다공성 수지막(F)의 반송 방향의 전방)에 배치된다. 건조부(34)에는 다공성 수지막(F)을 가열하는 가열부 등이 마련되어 있다.The drying
반송부(35)는 에칭부(32), 세정부(33) 및 건조부(34)에 걸쳐 소성막(FB) 및 다공성 수지막(F)을 반송한다. 반송부(35)는 반송 벨트(35a)와, 구동 롤러(35b)와, 종동 롤러(35c)를 가지고 있다. 또한 구동 롤러(35b) 및 종동 롤러(35c) 외에, 에칭부(32), 세정부(33), 건조부(34)의 내부에, 반송 벨트(35a)를 지지하는 지지 롤러가 배치되어도 된다.The
반송 벨트(35a)는 무단상으로 형성되어 있고, Y 방향에 따라 배치되어 있다. 반송 벨트(35a)는 상기 에칭액에 내구성을 가지는 재료를 이용해 형성된다. 반송 벨트(35a)는 텐션을 가지는 상태로, XY 평면에 거의 평행이 되도록, 구동 롤러(35b)와 종동 롤러(35c) 사이에 걸쳐져 있다. 소성막(FB) 및 다공성 수지막(F)은 반송 벨트(35a)에 재치된다.The
구동 롤러(35b)는 챔버(31)의 내부의 +Y측 단부에 배치된다. 구동 롤러(35b)는, 예를 들면 원통 모양으로 형성되고, X 방향에 평행하게 배치되어 있다. 구동 롤러(35b)에는, 예를 들면 모터 등의 회전 구동 장치가 마련되어 있다. 구동 롤러(35b)는 이 회전 구동 장치에 의해, X 방향에 평행한 축선의 주위로 회전 가능하게 마련되어 있다. 구동 롤러(35b)가 회전함으로써, 반송 벨트(35a)가 도 1의 시계 회전으로 회전하도록 되어 있다. 반송 벨트(35a)가 회전함으로써, 반송 벨트(35a) 위에 재치된 소성막(FB) 및 다공성 수지막(F)이 +Y 방향으로 반송된다.The driving
종동 롤러(35c)는 챔버(31)의 내부의 -Y측 단부에 배치된다. 종동 롤러(35c)는, 예를 들면 원통 모양으로 형성되고, X 방향에 평행하게 배치되어 있다. 종동 롤러(35c)는 구동 롤러(35b)와 동일한 지름으로 형성되고, Z 방향의 위치(높이 위치)가 구동 롤러(35b)와 거의 동일해지도록 배치되어 있다. 종동 롤러(35c)는 X 방향에 평행한 축선의 주위로 회전 가능하게 마련되어 있다. 종동 롤러(35c)는 반송 벨트(35a)의 회전에 추종해 회전한다.The driven
또한 제거 유닛(30)에서는 미립자를 에칭에 의해서 제거하는 경우로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 미립자의 재질로서 폴리이미드보다도 저온에서 분해되는 유기 재료가 이용되는 경우, 소성막(FB)을 가열함으로써 미립자를 분해시킬 수 있다. 이와 같은 유기 재료로서는 폴리이미드보다도 저온에서 분해되는 것이면, 특별히 한정되는 경우 없이 사용할 수 있다. 예를 들면, 선상(線狀) 폴리머나 공지된 해(解)중합성 폴리머로 이루어지는 수지 미립자를 들 수 있다. 통상의 선상 폴리머는 열분해시에 폴리머의 분자쇄가 랜덤으로 절단되고, 해중합성 폴리머는 열분해시에 폴리머가 단량체로 분해되는 폴리머이다. 모두, 저분자량체, 혹은 CO2까지 분해됨으로써, 소성막(FB)으로부터 소실된다. 이 경우의 미립자의 분해 온도는 200~320℃인 것이 바람직하고, 230~260℃인 것이 더욱 바람직하다. 분해 온도가 200℃ 이상이면, 도포액에 고비점 용제를 사용한 경우에도 성막을 실시할 수 있고, 소성 유닛(20)에서의 소성 조건의 선택의 폭이 넓어진다. 또, 분해 온도가 320℃ 미만이면, 소성막(FB)에 열적인 데미지를 부여하는 경우 없이 미립자만을 소실시킬 수 있다.Further, the
[권취부(2)][Winding Part (2)]
도 5는 제거 유닛(30)의 +Y측의 구성을 개략적으로 나타내는 사시도이다. 5 is a perspective view schematically showing the configuration of the
도 5에 나타내는 바와 같이, 제거 유닛(30)의 +Y측에는 다공성 수지막(F)을 반출하는 반출구(30b)가 마련되어 있다. 반출구(30b)로부터 반출된 다공성 수지막(F)은 권취부(60)에 의해서 권취된다.As shown in Fig. 5, on the + Y side of the
권취부(60)는 베어링(61)에 축 부재(SF)가 장착된 구성으로 되어 있다. 축 부재(SF)는 반출구(30b)로부터 반출된 다공성 수지막(F)을 권취하여 롤체(RF)를 형성한다. 축 부재(SF)는 베어링(61)에 대해서 착탈 가능하게 마련된다. 축 부재(SF)는 베어링(61)에 장착되는 경우, X 방향에 평행한 축선의 주위로 회전 가능해지도록 지지된다. 권취부(60)는 베어링(61)에 장착되는 축 부재(SF)를 회전시키는 도시하지 않은 구동 기구를 가지고 있다. 구동 기구에 의해서 축 부재(SF)를 회전시킴으로써, 다공성 수지막(F)이 권취되도록 되어 있다. 롤체(RF)가 형성된 상태로 축 부재(SF)를 베어링(61)으로부터 분리함으로써, 롤체(RF)를 회수하는 것이 가능해진다.The winding
[제조 방법][Manufacturing method]
다음에, 상기와 같이 구성된 제조 시스템(SYS)을 이용해 다공성 수지막(F)을 제조하는 동작의 일례를 설명한다. 도 6의 (a)~(f)는 다공성 수지막(F)의 제조 과정의 일례를 나타내는 도면이다.Next, an example of the operation of manufacturing the porous resin film (F) using the manufacturing system (SYS) configured as described above will be described. Figs. 6 (a) to 6 (f) are views showing an example of a manufacturing process of the porous resin film (F).
우선, 도포 유닛(10)에서, 미소성막(FA)을 형성한다. 도포 유닛(10)에서는 기재 송출 롤러(11a)를 회전시켜 반송 기재(S)를 송출해, 반송 기재(S)를 지지 롤러(11b~11d)에 건 후, 기재 권취 롤러(11e)로 권취시킨다. 그 후, 기재 송출 롤러(11a)로부터 반송 기재(S)를 차례로 송출하면서, 기재 권취 롤러(11e)로 권취를 실시한다.First, in the
이 상태로, 제1 노즐(12)을 제1 위치(P1)에 배치시켜, 토출구(12a)를 +Y 방향으로 향하게 한다. 이것에 의해, 반송 기재(S) 중 지지 롤러(11b)에 의해서 지지되는 부분에 토출구(12a)가 향하게 된다. 그 후, 토출구(12a)로부터 제1 도포액(Q1)을 토출시킨다. 제1 도포액(Q1)은 토출구(12a)로부터 +Y 방향을 향해서 토출되어 반송 기재(S)에 도달한 후, 반송 기재(S)의 이동에 따라 반송 기재(S) 위에 도포된다. 이것에 의해, 도 6의 (a)에 나타내는 바와 같이, 반송 기재(S) 위에 제1 도포액(Q1)에 의한 제1 도포막(F1)이 형성된다. 제1 도포막(F1)에는 수지 재료(A1)에 미립자(A2)가 소정의 체적비로 포함된다.In this state, the
이어서, 제2 노즐(12)을 제2 위치(P2)에 배치시켜, 토출구(13a)를 -Z 방향으로 향하게 한다. 이것에 의해, 반송 기재(S) 중 지지 롤러(11c)에 의해서 지지되는 부분에 토출구(13a)가 향하게 된다. 그 후, 토출구(13a)로부터 제2 도포액(Q2)을 토출시킨다. 제2 도포액(Q2)은 토출구(13a)로부터 -Z 방향을 향해서 토출되어 반송 기재(S)에 형성된 제1 도포막(F1) 위에 도달한 후, 반송 기재(S)의 이동에 따라 제1 도포막(F1) 위에 도포된다. 이것에 의해, 도 6의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제1 도포막(F1) 위에 제2 도포액에 의한 제2 도포막(F2)이 형성된다. 제2 도포막(F2)에는 수지 재료(A1)에 미립자(A2)가 소정의 체적비로 포함된다. 또한 미립자의 함유율은 제1 도포막(F1)이 제2 도포막(F2)보다도 크게 설정된다.Then, the
또한 반송 기재(S) 중 지지 롤러(11b, 11c)에 의해서 지지되는 부분에 토출구(12a, 13a)를 향하게 한 상태로 제1 도포액(Q1) 및 제2 도포액(Q2)이 도포되기 때문에, 제1 도포액(Q1) 및 제2 도포액(Q2)이 반송 기재(S)에 도달할 때에 반송 기재(S)에 작용하는 힘을 지지 롤러(11b, 11c)에 의해서 받게 된다. 이 때문에, 반송 기재(S)의 휨이나 진동 등의 발생이 억제되어 반송 기재(S) 위에 균일한 두께로 안정하게 제1 도포막(F1) 및 제2 도포막(F2)이 형성된다.Since the first coating liquid Q1 and the second coating liquid Q2 are applied in such a state that the
이어서, 반송 기재(S)가 이동해, 제1 도포막(F1) 및 제2 도포막(F2)의 적층 부분이 건조부(14)의 챔버(14a) 내에 반입된 경우, 건조부(14)에서 제1 도포막(F1) 및 제2 도포막(F2)의 건조를 실시한다. 건조부(14)에서는 가열부(14b)를 이용하고, 예를 들면 50℃~100℃ 정도의 온도에서 제1 도포막(F1) 및 제2 도포막(F2)을 가열한다. 이 온도 범위이면, 반송 기재(S)에 뒤틀림이나 변형 등이 발생하는 경우 없이, 제1 도포막(F1) 및 제2 도포막(F2)을 가열할 수 있다. 제1 도포막(F1) 및 제2 도포막(F2)의 적층체를 건조함으로써, 도 6의 (c)에 나타내는 바와 같이, 미소성막(FA)이 형성된다.Subsequently, when the conveying substrate S moves and the laminated portion of the first coated film F1 and the second coated film F2 is carried into the
또한 본 명세서에서, 적층체란 상기 제1 도포막(F1) 및 상기 제2 도포막(F2)으로 이루어지는 미소성막을 말한다. 본 발명에 관한 다공성의 이미드계 수지막을 형성할 때, 제1 액체 및 제2 액체에서, 폴리아미드산, 폴리이미드, 폴리아미드이미드 또는 폴리아미드 중, 각각 동종의 수지를 사용한 경우, 형성된 상기 제1 도포막(F1) 및 상기 제2 도포막(F2)으로 이루어지는 미소성막(또는 다공성의 이미드계 수지막)은 실질 1층이 되지만, 미립자의 함유율이 상이한 미소성막(또는 공공율이 상이한 영역을 가지는 다공성의 이미드계 수지막)이 형성되기 때문에, 제1 액체 및 제2 액체에 동종의 수지를 사용한 경우도 포함해 본 명세서에서는 적층체라고 한다.In the present specification, the laminate refers to a micro-film composed of the first coating film F1 and the second coating film F2. When the porous imide resin film according to the present invention is formed by using a resin of the same kind among polyamide acid, polyimide, polyamideimide or polyamide in the first liquid and the second liquid, (Or a porous imide-based resin film) composed of the coating film F1 and the second coating film F2 becomes substantially one layer. However, in the case of a microfilm film having different contents of fine particles (or a film having a different porosity A porous imide resin film) is formed. Therefore, the case where a resin of the same kind is used for the first liquid and the second liquid is also referred to as a laminate in this specification.
이어서, 반송 기재(S)가 이동해, 미소성막(FA)의 선단(先端) 부분이 지지 롤러(11d)(박리부(15))에 도달한 경우에는, 예를 들면 작업자의 수작업에 의해, 이 선단 부분을 반송 기재(S)로부터 박리한다. 본 실시 형태에서는 반송 기재(S)의 재료로서, 예를 들면 PET가 이용되고 있기 때문에, 제1 도포막(F1) 및 제2 도포막(F2)을 건조시켜 미소성막(FA)을 형성한 경우, 반송 기재(S)로부터 벗겨지기 쉬워지기 때문에, 작업자는 용이하게 박리를 실시할 수 있다.Subsequently, when the conveying substrate S moves and the leading end portion of the microfilm FA reaches the supporting
미소성막(FA)의 선단 부분을 박리한 후, 계속 반송 기재(S)가 이동해, 제1 노즐(12)에 의해서 제1 도포막(F1)이 형성된다. 또, 계속 제2 노즐(13)에 의해서 제2 도포막(F2)이 형성되고 건조부(14)에 의해서 미소성막(FA)이 형성된다. 이것에 의해, 미소성막(FA)이 띠 모양으로 형성되어 건조부(14)로부터 +Y측에 반출되는 미소성막(FA)의 길이가 서서히 길어진다. 작업자는 박리부(15)에서 미소성막(FA)을 계속해서 박리한다. 그리고, 박리된 미소성막(FA)의 선단이 권취부(40)의 축 부재(SF)에 도달하는 길이가 된 경우, 작업자는 수작업에 의해서 미소성막(FA)을 반출 롤러(11f)에 걸면서, 미소성막(FA)의 선단 부분을 축 부재(SF)에 장착한다. 그 후, 미소성막(FA)이 차례로 형성되어 박리되어감에 따라, 권취부(40)에서 축 부재(SF)를 회전시킨다. 이것에 의해, 박리된 미소성막(FA)이 차례로 도포 유닛(10)으로부터 반출되고 권취부(40)의 축 부재(SF)에 의해서 권취되어 롤체(R)가 형성된다. 롤체(R)가 구성하는 미소성막(FA)은 도 6의 (d)에 나타내는 바와 같이, 반송 기재(S)로부터 박리된 상태가 되어, 표면 및 이면이 함께 노출된다.After the leading end portion of the untreated film FA is peeled off, the transporting substrate S continues to move, and the first coated film F1 is formed by the
또한 미소성막(FA)의 선단 부분을 박리하는 작업, 및 박리한 선단 부분을 축 부재(SF)에 장착하는 작업 등에 대해서는 작업자가 수작업으로 실시하는 양태에 한정되지 않고, 예를 들면 매니퓰레이터 등을 이용하여 자동으로 실시해도 된다. 또, 미소성막(FA)의 박리성을 높이기 위해, 반송 기재(S)의 표면에 이형층을 형성해 두어도 된다.The operation of peeling the tip portion of the microfilm (FA) and the operation of attaching the peeled tip portion to the shaft member (SF) are not limited to the manual operation by the operator. For example, a manipulator And may be performed automatically. Further, in order to improve the peeling property of the micro-film FA, a release layer may be formed on the surface of the transport substrate S.
소정의 길이의 미소성막(FA)이 축 부재(SF)에 권취된 후, 미소성막(FA)을 컷하면서, 축 부재(SF)를 롤체(R)마다 베어링(41)으로부터 분리한다. 그리고, 새로운 축 부재(SF)를 권취부(40)의 베어링(41)에 장착해, 미소성막(FA)의 절취 단부를 이 축 부재(SF)에 장착하여 회전시켜, 미소성막(FA)을 계속해 형성함으로써, 새로운 롤체(R)가 제조 가능하다.The shaft member SF is separated from the bearing 41 for each roll body R while cutting the microfilm FA after the microfilm FA having a predetermined length is wound around the shaft member SF. The new shaft member SF is mounted on the bearing 41 of the winding
한편, 예를 들면 작업자는 베어링(41)으로부터 롤체(R)마다 분리한 축 부재(SF)를 송출부(50)에 반송해, 베어링(51)에 장착한다. 이 축 부재(SF)의 반송 동작 및 장착 동작은 매니퓰레이터나 반송 장치 등을 이용하여 자동으로 실시해도 된다. 축 부재(SF)를 베어링(51)에 장착한 후, 축 부재(SF)를 회전시킴으로써 롤체(R)로부터 미소성막(FA)이 차례로 꺼내지고 미소성막(FA)이 소성 유닛(20)의 챔버(21) 내에 반입된다. 또한 미소성막(FA)의 선단을 챔버(21)에 반입하는 경우에는 작업자가 수작업으로 실시해도 되고, 매니퓰레이터 등을 이용해 자동적으로 실시해도 된다.On the other hand, for example, the operator transports the shaft member SF separated for each roll R from the bearing 41 to the
챔버(21) 내에 반입된 미소성막(FA)은 반송 벨트(23a) 위에 재치되고 반송 벨트(23a)의 회전에 따라 +Y 방향으로 반송된다. 또한 텐션 롤러(23d, 23e)를 이용해 텐션의 조정을 실시해도 된다. 그리고, 미소성막(FA)을 반송시키면서, 가열부(22)를 이용해 미소성막(FA)의 소성이 실시된다.The microfilm FA transferred into the
소성시의 온도는 미소성막(FA)의 구조에 따라 상이하지만, 120℃~375℃ 정도인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 150℃~350℃이다. 또, 미립자에 유기 재료가 포함되는 경우에는 그 열분해 온도보다도 낮은 온도로 설정할 필요가 있다. 또한 도포액이 폴리아미드산을 포함하는 경우, 이 소성에서는 이미드화를 완결시키는 것이 바람직하지만, 미소성막(FA)이 폴리이미드, 폴리아미드이미드 또는 폴리아미드로 구성되고 소성 유닛(20)에 의해 미소성막(FA)에 대해 고온 처리를 실시하는 경우에는 그러하지 않다.The temperature at the time of baking is preferably 120 占 폚 to 375 占 폚, and more preferably 150 占 폚 to 350 占 폚, though it differs depending on the structure of the microfilm (FA). When an organic material is contained in the fine particles, it is necessary to set the temperature to a temperature lower than the thermal decomposition temperature. When the coating liquid contains a polyamic acid, it is preferable to complete the imidization in this firing. However, it is preferable that the micro-film (FA) is composed of polyimide, polyamideimide or polyamide, This is not the case when high temperature treatment is applied to the film formation (FA).
또, 소성 조건은, 예를 들면 도포액이 폴리아미드산 및/또는 폴리이미드를 포함하는 경우, 실온으로부터 375℃까지를 3시간에 승온시킨 후, 375℃에서 20분간 유지시키는 방법이나, 실온으로부터 50℃씩으로 단계적으로 375℃까지 승온(각 스텝 20분 유지)해, 최종적으로 375℃에서 20분 유지시키는 등의 단계적인 가열을 실시해도 된다. 또, 미소성막(FA)의 단부를 SUS제의 거푸집 등에 고정해 변형을 막도록 해도 된다.The firing conditions include, for example, a method of raising the temperature from room temperature to 375 DEG C over 3 hours and then maintaining the temperature at 375 DEG C for 20 minutes when the coating liquid contains polyamic acid and / or polyimide, Stepwise heating may be performed such that the temperature is raised stepwise at 50 DEG C to 375 DEG C (each step is held for 20 minutes), and finally, the temperature is maintained at 375 DEG C for 20 minutes. Further, the end of the microfilm (FA) may be fixed to a die made of SUS to prevent deformation.
이와 같은 소성에 의해, 도 6의 (e)에 나타내는 바와 같이, 소성막(FB)이 형성된다. 소성막(FB)에서는 이미드화 또는 고온 처리된 수지층(A3)의 내부에 미립자(A2)가 포함되어 있다. 소성막(FB)의 막 두께는, 예를 들면 마이크로 미터 등으로 복수의 개소의 두께를 측정해 평균함으로써 구할 수 있다. 바람직한 평균 막 두께로서는 세퍼레이터 등에 이용되는 경우에는 3μm~500μm인 것이 바람직하고, 5μm~100μm인 것이 보다 바람직하며, 10μm~30μm인 것이 더욱 바람직하다.By this firing, as shown in Fig. 6E, the fired film FB is formed. In the firing film FB, fine particles A2 are contained in the interior of the resin layer A3 imidized or subjected to high temperature treatment. The film thickness of the fired film FB can be obtained by measuring the thickness of a plurality of portions with a micrometer, for example, and averaging them. When the separator is used for a separator or the like, the average film thickness is preferably from 3 탆 to 500 탆, more preferably from 5 탆 to 100 탆, and further preferably from 10 탆 to 30 탆.
소성 유닛(20)에서 형성된 소성막(FB)은 소성 유닛(20)으로부터 반출되면, 권취되는 경우 없이, 제거 유닛(30)에 반입된다. 또한 소성막(FB)의 선단 부분을 제거 유닛(30)에 반입하는 경우에는 작업자가 수작업으로 실시해도 되고, 매니퓰레이터 등을 이용해 자동적으로 실시해도 된다.The fired film FB formed in the
제거 유닛(30)에 반입된 소성막(FB)은 반송 벨트(35a) 위에 재치되고 반송 벨트(35a)의 회전에 따라 +Y 방향으로 반송된다. 제거 유닛(30)에서는 소성막(FB)의 반송에 따라, 우선은 에칭부(32)에서 미립자(A2)의 제거가 실시된다. 미립자(A2)의 재질로서, 예를 들면 실리카가 이용되는 경우, 에칭부(32)에서는 저농도의 불화 수소수 등의 에칭액에 소성막(FB)이 침지된다. 이것에 의해, 미립자(A2)가 에칭액에 용해되어 제거되고 도 6의 (f)에 나타내는 바와 같이, 수지층(A3)의 내부에 다공부(A4)가 포함된 다공성 수지막(F)이 형성된다.The fired film FB carried into the
그 후, 반송 벨트(35a)의 회전에 따라, 다공성 수지막(F)이 세정부(33) 및 건조부(34)에 순서대로 반입된다. 세정부(33)에서는 세정액에 의해서 다공성 수지막(F)이 세정되어 액체 제거가 실시된다. 또, 건조부(34)에서는 액체 제거 후의 다공성 수지막(F)이 가열되어 세정액이 제거된다. 그리고, 다공성 수지막(F)이 제거 유닛(30)으로부터 반출되고 권취부(60)의 축 부재(SF)에 의해서 권취된다.Thereafter, in accordance with the rotation of the conveying
이상과 같이, 본 실시 형태에 관한 제조 시스템(SYS)은 폴리아미드산, 폴리이미드, 폴리아미드이미드 또는 폴리아미드의 수지 재료(A1) 및 미립자(A2)를 포함하는 도포액(제1 도포액(Q1) 및 제2 도포액(Q2))을 반송 기재(S)에 도포해 미소성막(FA)을 형성하는 도포 유닛(10)과, 이 도포 유닛(10) 내에서 반송 기재(S)로부터 박리한 미소성막(FA)을 소성하여, 미립자를 포함한 소성막(FB)을 형성하는 소성 유닛(20)과, 소성막(FB)으로부터 미립자(A2)를 제거하는 제거 유닛(30)을 포함하기 때문에, 미소성막(FA)의 형성, 미소성막(FA)의 소성(소성막(FB)의 형성), 및 미립자(A2)의 제거(다공성 수지막(F)의 형성)의 3개의 공정을 일련의 흐름으로 실시할 수 있다. 이것에 의해, 다공성 수지막(F)의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, the production system SYS according to the present embodiment is characterized in that a coating liquid (a first coating liquid (liquid composition) containing a resin material A1 of polyamide acid, polyimide, polyamideimide or polyamide and fine particles A2
또, 도포 유닛(10)은 기재(반송 기재(S)) 위에 띠 모양의 미소성막(FA)을 형성하기 때문에, 롤·투·롤 방식 등의 제조 공정에 적용 가능하고, 효율적으로 다공성의 이미드계 수지막(다공성 수지막(F))을 형성할 수 있다.In addition, since the
또, 제거 유닛(20)은 소성 유닛(10)에 의해 소성한 소성막(FB)을 권취하지 않고 차례로 도입하여 미립자(A2)를 제거하기 때문에, 소성에서 미립자의 제거까지의 공정을 효율적으로 실시할 수 있다.Since the
또, 기재(반송 기재(S))로부터 박리한 미소성막(FA)을 권취하여 롤체(R)를 형성하는 권취부(40)를 구비하기 때문에 유닛 사이에서의 반송을 실시하기 쉽게 할 수 있다.In addition, since the winding
또, 롤체(R)가 기재(반송 기재(S))로부터 박리한 띠 모양의 미소성막(FA)의 롤체인 경우, 소성 유닛(10)이, 롤체로부터 미소성막을 차례로 꺼내 소성하기 때문에, 효율적으로 소성막(FB)을 형성할 수 있다.In the case where the roll body R is a roll of strip-shaped microfilm (FA) stripped from the base material (transport substrate S), the
또, 액체로서 적어도 미립자(A2)의 함유율이 서로 상이한 제1 액체(제1 도포액(Q1)) 및 제2 액체(제2 도포액(Q2))가 이용되고, 도포 유닛(10)이 제1 액체 및 제2 액체를 기재(반송 기재(S))에 도포함으로써, 적어도 미립자의 함유율이 상이하게 적층된 미소성막(FA)을 형성하기 때문에, 이 미소성막을 기초로 형성되는 다공성의 이미드계 수지막(다공성 수지막(F))을 세퍼레이터로서 이용한 경우, 이온이 원활하게 이동하게 되면서, 동일한 공공율의 다공성인 이미드계 수지막을 제1 도포액(Q1)만으로 형성한 경우보다도 막으로서의 강도를 확보할 수 있다.The first liquid (the first coating liquid Q1) and the second liquid (the second coating liquid Q2) having different contents of at least the fine particles A2 are used as the liquid, (FA) formed by laminating the first liquid and the second liquid on the base material (transport substrate (S)) so that the content ratio of at least the fine particles is different from that of the first base material In the case where the resin film (porous resin film (F)) is used as a separator, the intensity of the film is higher than that in the case where the imide resin film having the same porosity and having the same porosity is formed of only the first coating liquid Q1 .
또, 본 실시 형태에 관한 다공성 수지막(F)의 제조 방법에서는 폴리아미드산, 폴리이미드, 폴리아미드이미드 또는 폴리아미드의 수지 재료(A1) 및 미립자(A2)를 포함하는 도포액(제1 도포액(Q1) 및 제2 도포액(Q2))을 반송 기재(S)에 도포한 후에 반송 기재(S)로부터 박리해 미소성막(FA)을 형성하는 것과, 미소성막(FA)을 소성하여 미립자(A2)를 포함하는 소성막(FB)을 형성하는 것과, 소성막(FB)으로부터 미립자(A2)를 제거하는 것을 포함하기 때문에, 미소성막(FA)의 형성, 미소성막(FA)의 소성(소성막(FB)의 형성), 및 미립자(A2)의 제거(다공성 수지막(F)의 형성)의 3개의 공정을 일련의 흐름으로 실시할 수 있다. 이것에 의해, 다공성 수지막(F)의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.In the method for producing a porous resin film (F) according to the present embodiment, a coating liquid (a first coating liquid) containing a resin material (A1) of polyamide acid, polyimide, polyamideimide or polyamide and fine particles (FA) is peeled off from the conveying substrate (S) after coating the substrate (S) with the fine particles (Q1 and the second coating liquid (Q2) Since the formation of the fired film FB including the fired film A2 and the removal of the fine particles A2 from the fired film FB, the formation of the microfiltration film FA and the firing of the microfiltration film FA (Formation of the fired film FB) and removal of the fine particles A2 (formation of the porous resin film F) can be performed in a series of flows. Thus, the production efficiency of the porous resin film (F) can be improved.
또, 미소성막(FA)은 띠 모양으로 형성되기 때문에, 롤·투·롤 방식 등의 제조 공정에 적용 가능하고, 효율적으로 다공성의 이미드계 수지막(다공성 수지막(F))을 형성할 수 있다.In addition, since the microcapsule film FA is formed in a band shape, it can be applied to a manufacturing process such as a roll-to-roll system and can efficiently form a porous imide resin film (porous resin film (F)) have.
또, 소성막(FB)을 권취하지 않고 차례로 도입함으로써 소성막으로부터 미립자(A2)를 제거하기 때문에, 소성에서 미립자의 제거까지의 공정을 효율적으로 실시할 수 있다.Since the fine particles A2 are removed from the fired film by introducing the fired films FB in turn without being taken up, the steps from firing to removal of fine particles can be performed efficiently.
또, 기재(반송 기재(S))로부터 박리한 미소성막(FA)을 권취하여 롤체(R)를 형성하기 때문에, 유닛 사이에서의 반송을 실시하기 쉽게 할 수 있다.In addition, since the rolled body R is formed by winding up the minute film (FA) peeled off from the base material (the conveying substrate S), it is easy to carry out transportation between the units.
또, 롤체가 기재(반송 기재(S))로부터 박리한 띠 모양의 미소성막(FA)의 롤체(R)인 경우, 롤체로부터 미소성막을 차례로 꺼내 소성하기 때문에, 효율적으로 소성막(FB)을 형성할 수 있다.When the roll body is a roll body R of a strip-shaped microfilm (FA) peeled from the base material (transport substrate S), the microfibers are successively taken out from the roll body and fired, Can be formed.
또, 액체로서 적어도 미립자(A2)의 함유율이 서로 상이한 제1 액체(제1 도포액(Q1)) 및 제2 액체(제2 도포액(Q2))가 이용되고, 제1 액체 및 제2 액체를 기재(반송 기재(S))에 도포함으로써, 적어도 미립자(A2)의 함유율이 상이하게 적층된 미소성막(FA)을 형성하기 때문에, 세퍼레이터로서 이용하는 경우에 이온이 원활하게 이동하면서, 막으로서의 강도를 확보하는 것이 가능한 다공성의 이미드계 수지막(다공성 수지막(F))이 제조 가능해진다.The first liquid (the first coating liquid Q1) and the second liquid (the second coating liquid Q2) having different contents of at least the fine particles A2 are used as the liquid, and the first liquid and the second liquid (FA) having a different content ratio of at least the fine particles (A2) is formed by applying the fine particles (A) to the base material (transport substrate (S)). Therefore, when used as a separator, ions move smoothly, (Porous resin film (F)) capable of securing a porous imide resin film can be produced.
[변형예][Modifications]
상기 실시 형태에서는 도포 유닛(10)과 소성 유닛(20) 사이에 권취부(40)가 배치된 구성을 예로 들어 설명했지만, 이것으로 한정하는 것은 아니다. 도 7은 변형예에 관한 제조 시스템(SYS2)의 일부의 예를 나타내는 도면이다.In the above embodiment, the winding
예를 들면 도 7에 나타내는 바와 같이, 권취부(40)를 마련하지 않고, 도포 유닛(10)으로부터 반출된 미소성막(FA)이 소성 유닛(20)에 반입되는 구성이어도 된다. 이 경우, 소성 유닛(20)은 도포 유닛(10)으로부터 반출되고, 중계(中繼) 롤러(70)를 통해서 반송되는 미소성막(FA)을 차례로 도입하여 소성하여 소성막(FB)을 형성한다.The microfilm FA discharged from the
이와 같이, 소성 유닛(20)은 기재(반송 기재(S))로부터 박리한 미소성막(FA)을 권취하지 않고 차례로 도입하여 소성하기 때문에, 미소성막(FA)의 형성으로부터 소성막(FB)의 형성까지를 연속적으로 실시할 수 있다.As described above, the
또, 상기 실시 형태에서는 도포 유닛(10)의 내부에 마련되는 박리부(15)에서 미소성막(FA)을 반송 기재(S)로부터 박리하는 구성을 예로 들어 설명했지만, 이것으로 한정하는 것은 아니다. 예를 들면, 도포 유닛(10)에서 미소성막(FA)과 반송 기재(S)를 박리하지 않고 일체로 권취하여, 도포 유닛(10)의 외부에서 액체 중에 침지하면서 미소성막(FA)을 반송 기재(S)로부터 박리해도 된다. 도 8은 변형예에 관한 제조 시스템(SYS3)의 일부의 예를 나타내는 도면이다.In the above embodiment, the peeling
예를 들면 도 8에 나타내는 바와 같이, 도포 유닛(10)은 미소성막(FA)과 반송 기재(S)를 박리하지 않고 일체로 권취하는 권취부(73)를 가지고 있다. 권취부(73)는 베어링(16) 및 축 부재(SF2)를 가지고 있다. 베어링(16)은 지지 롤러(11d)의 -Z측에 배치된다. 축 부재(SF2)는 베어링(16)에 대해서 착탈 가능하게 마련된다. 축 부재(SF2)는 베어링(16)에 장착되는 경우, X 방향에 평행한 축선의 주위로 회전 가능해지도록 지지된다. 도포 유닛(10)에는 베어링(16)에 장착되는 축 부재(SF2)를 회전시키는 도시하지 않은 구동 기구가 마련된다. 이 구동 기구에 의해서 축 부재(SF2)를 회전시킴으로써, 미소성막(FA)과 반송 기재(S)가 일체로 권취되어 롤체(RS)가 형성된다.For example, as shown in Fig. 8, the
도포 유닛(10)의 외부에는 베어링(71)이 마련된다. 이 베어링(71)의 -Z측에는 침지부(72)가 마련된다. 침지부(72)는 용기(72a)와, 이 용기(72a)에 수용된 액체(72b)와, 이 액체(72b)에 침지된 롤러(72c)를 가지고 있다. 액체(72b)로서는, 예를 들면 물 등을 들 수 있다.A
축 부재(SF2)에 의해서 미소성막(FA) 및 반송 기재(S)가 일체로 권취되고, 롤체(RS)가 형성된 경우에는 우선 축 부재(SF2)를 베어링(16)으로부터 분리한다. 그리고, 도포 유닛(10)의 외부에 마련되는 베어링(71)에 축 부재(SF2)를 장착한다.The shaft member SF2 is separated from the bearing 16 in the case where the free roll film FA and the transporting substrate S are integrally wound by the shaft member SF2 and the roll body RS is formed. The shaft member SF2 is mounted on the
베어링(71)에 축 부재(SF2)를 장착한 후, 롤체(RS)로부터 미소성막(FA)과 반송 기재(S)를 꺼내 액체(72b)에 침지한다. 예를 들면 미소성막(FA)과 반송 기재(S)의 적층체를 롤러(72c)의 아래 쪽에 걸도록 한다. 이 경우, 롤체(RS)로부터 꺼낸 미소성막(FA)과 반송 기재(S)가 차례로 액체(72b)에 침지된다. 예를 들면 작업자는 미소성막(FA) 및 반송 기재(S)가 액체(72b)에 침지된 상태로, 미소성막(FA)을 반송 기재(S)로부터 박리한다.After the shaft member SF2 is mounted on the
이와 같이, 기재(반송 기재(S))를 포함한 미소성막(FA)을 권취하여 롤체(RS)를 형성하는 권취부(73)를 구비하기 때문에 유닛 사이에서의 반송을 실시하기 쉽게 할 수 있다. 또, 롤체가 기재(반송 기재(S))를 포함한 띠 모양의 미소성막(FA)의 롤체(RS)인 경우, 롤체로부터 기재를 꺼내 소정 액체(액체(72b)) 중에 침지하고, 이 기재로부터 미소성막을 박리하는 침지부(72)를 구비하기 때문에 안정하게 박리할 수 있다.As described above, since the winding
또, 미소성막(FA)을 액체(72b)에 침지시키는 양태로서는 미소성막(FA)을 반송 기재(S)로부터 박리하는 경우로 한정되지 않는다. 예를 들면, 반송 기재(S)로부터 박리된 미소성막(FA)을 물 등의 액체에 침지시켜도 된다. 도 9는 변형예에 관한 제조 시스템(SYS4)의 일부의 예를 나타내는 도면이다.The embodiment in which the microfilm (FA) is immersed in the liquid (72b) is not limited to the case of peeling the microfilm (FA) from the transport substrate (S). For example, the microfilm (FA) peeled off from the conveying substrate (S) may be immersed in a liquid such as water. Fig. 9 is a view showing an example of a part of the manufacturing system SYS4 according to the modified example.
도 9에 나타내는 바와 같이, 도포 유닛(10)의 +Y측에는 제2 침지부(74)가 마련되어 있다. 제2 침지부(74)는 용기(74a)와, 이 용기(74a)에 수용된 액체(74b)와, 이 액체(74b)에 침지된 롤러(74c)를 가지고 있다. 도포 유닛(10)으로부터 반출된 미소성막(FA)은 롤러(74c)를 통해서 액체(74b)에 침지된다. 이 경우, 미소성막(FA)을 예를 들면 10초~5분 정도, 바람직하게는 30초~40초 정도, 액체(74b)에 침지시킬 수 있다. 이것에 의해, 미소성막(FA)을 소성할 때에 주름이 형성되는 것을 억제할 수 있다.As shown in Fig. 9, on the + Y side of the
반송 기재(S)로부터 박리된 미소성막(FA)을 물 등의 액체에 침지시키는 경우에서, 침지 후에 권취부(40)에 의해 미소성막(FA)을 권취하여도 되고, 침지 후에 권취부(40)를 거치치 않아도 된다. When immersing the microfilm (FA) peeled from the conveying substrate (S) in a liquid such as water, the microfilm (FA) may be taken up by the winding unit (40) after immersion, ).
또, 반송 기재(S)로부터 박리된 미소성막(FA)을 물 등의 액체에 침지시킨 후, 상기 미소성막(FA)을 강제하는 공정을 가져도 된다. 강제하는 수단으로서는 상기 미소성막(FA)을 프레스하는 공정을 들 수 있다. 이것에 의해, 미소성막(FA)을 건조 또는 소성할 때에 주름이 형성되는 것을 억제할 수 있다.In addition, a step of forcing the microfilm (FA) after immersing the microfilm (FA) peeled off from the transport substrate (S) in a liquid such as water may be employed. As a means for forcing, there is a step of pressing the micro-film (FA). As a result, it is possible to suppress formation of wrinkles when drying or firing the micro-film (FA).
또한 미소성막(FA)의 침지 후에 권취부(40)를 거치지 않는 경우에는 중계 롤러를 통해서 반송되는 미소성막(FA)을 차례로 도입하여 소성하여, 소성막(FB)을 형성한다. 이것에 의해, 소성 유닛(20)은 기재(반송 기재(S))로부터 박리한 미소성막(FA)을 권취하지 않고 차례로 도입하여 소성하기 때문에, 미소성막(FA)의 형성으로부터 소성막(FB)의 형성까지를 연속적으로 실시할 수 있다. 상기 반송되는 미소성막(FA)을 소성 유닛에 도입하기 전에는 침지시에 부착한 액체를 건조 또는 흡수하는 공정을 마련해도 된다.In the case of not passing through the take-up
또, 상기 실시 형태의 구성에 더하여, 제거 유닛(30)에서 형성된 다공성 수지막(F)에 대해서 후처리를 실시하는 후처리 유닛이 마련되어도 된다. 도 10은 변형예에 관한 제조 시스템(SYS5)의 일례를 나타내는 도면이다.Further, in addition to the configuration of the above-described embodiment, a post-treatment unit for post-treating the porous resin film (F) formed in the removal unit (30) may be provided. 10 is a diagram showing an example of a manufacturing system SYS5 according to a modified example.
도 10에 나타내는 바와 같이, 제거 유닛(30)과 권취부(60) 사이에, 후처리 유닛(80)이 배치되어 있다. 이 후처리 유닛(80)으로서는, 예를 들면 다공성 수지막(F)에 대해서 제전(除電) 처리를 실시하는 대전 방지 유닛(81)을 이용할 수 있다. 대전 방지 유닛(81)에는, 예를 들면 이오나이저 등의 제전 장치가 탑재된다.10, a post-processing unit 80 is disposed between the
이와 같이, 미립자(A2)가 제거된 소성막(다공성 수지막(F))에 대해서 대전 방지 처리를 실시하는 대전 방지 유닛(81)을 구비하기 때문에 미립자 제거 후의 다공성 수지막(F)으로부터 정전기를 제거할 수 있다.As described above, since the antistatic unit 81 for carrying out the antistatic treatment on the fired film (porous resin film F) from which the fine particles A2 have been removed is provided, the static electricity is removed from the porous resin film F after the particulate removal Can be removed.
또, 후처리 유닛(80)으로서는, 예를 들면 다공성 수지막(F)의 일부를 제거하는 에칭 유닛(82)을 이용할 수 있다. 도 11의 (a)는 에칭 유닛(82)의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 11의 (a)에 나타내는 바와 같이, 에칭 유닛(82)은 처리액(82b)이 수용된 수용부(82a)를 가지고 있다. 처리액(82b)으로서는, 예를 들면 알칼리 용액 등이 이용된다. 처리액(82b)에 다공성 수지막(F)을 소정 시간 침지함으로써, 도 11의 (b)에 나타내는 바와 같이, 다공부(A4)의 내부가 제거된다. 이 경우, 다공부(A4)의 버(bur)가 떨어지면서, 연통성이 확보되게 된다.As the post-treatment unit 80, for example, an
후처리 유닛(80)으로서 에칭 유닛(82)을 이용한 경우, 에칭 유닛(82)에 의한 후처리의 후, 추가로 다공성 수지막(F)의 건조 공정 또는 포스트베이크 처리 공정을 실시해도 된다. 건조 공정 또는 포스트베이크 처리 공정의 온도는 다공성 수지막(F)의 수지의 종류에 따라 적절히 설정하면 되고, 예를 들면 100~300℃이다.When the
후처리 유닛(80)으로서 에칭 유닛(82)을 이용한 경우, 상기 제거 유닛(30)에서의 건조부(34)에서는 액체 제거를 실시하고, 건조 또는 가열을 실시하지 않고, 다공성 수지막(F)을 에칭 유닛(82)으로 반송해도 된다. 이 경우, 건조부(34)에서의 액체 제거에서는 세정 후의 다공성 수지막(F)에 부착한 액체를 제거한다. 건조부(34)에는 흡수 롤러 등이 마련되어 있는 것이 바람직하고, 흡수 롤러를 다공성 수지막(F)에 접촉시킴으로써, 다공성 수지막(F)을 반송하면서, 다공성 수지막(F)에 부착하고 있는 액체를 흡수 가능하다.When the
이와 같이, 미립자(A2)가 제거된 소성막(다공성 수지막(F))의 일부를 제거하는 에칭 유닛(82)을 포함하기 때문에, 다공성 수지막(F)에 포함되는 다공부(A4)의 내면이 매끄럽게 되는 데다가, 연통성을 확보할 수 있다.As described above, since the
또, 상기 실시 형태에서는 권취부(40, 60)로서 축 부재(SF)를 베어링(41, 61)에 착탈시키는 구성을 예로 들어 설명했지만, 이것으로 한정하는 것이 아니며, 예를 들면 도 12에 나타내는 바와 같은 권취 장치(90)가 이용되어도 된다. 이하, 권취부(40)를 대신해 권취 장치(90)가 이용되는 경우를 예로 들어 설명한다.In the above-described embodiment, the shaft member SF is attached to and detached from the
도 12에 나타내는 바와 같이, 권취 장치(90)는 프레임(91)과, 축 부재(SF)와, 베어링(92)과, 구동부(93)와, 중계 롤러(94a~94e)와, 롤러 지지부(95)를 갖는다. 프레임(91)은 축 부재(SF), 베어링(92), 구동부(93), 중계 롤러(94a~94e), 롤러 지지부(95)의 각부를 지지한다.12, the winding
축 부재(SF)는 도포 유닛(10)으로부터 반출된 미소성막(FA)을 권취하여 롤체(R)를 형성한다. 축 부재(SF)는 베어링(92)에 대해서 착탈 가능하게 마련되어 있다. 축 부재(SF)는 베어링(92)에 장착되는 경우, X 방향에 평행한 축선의 주위로 회전 가능해지도록 베어링(92)으로 지지된다. 롤체(R)가 형성된 상태로 축 부재(SF)를 베어링(92)으로부터 분리함으로써, 롤체(R)를 다른 유닛으로 이동 또는 회수할 수 있다.The shaft member SF forms the roll body R by winding up the unfired film FA taken out from the
중계 롤러(94a~94e)는 미소성막(FA)의 텐션을 조정하면서, 미소성막(FA)을 축 부재(SF)로 보낸다. 중계 롤러(94a~94e)는, 예를 들면 원통 모양으로 형성되고, 각각 X 방향에 평행하게 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는 미소성막(FA)은 중계 롤러 94a, 94b, 94c, 94d, 94e의 순서대로 걸쳐지지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 일부의 중계 롤러를 이용하지 않아도 된다. 또한 중계 롤러(94a~94e) 중 적어도 하나는 롤러 지지부(95)에 의해서 이동 가능해도 된다. 예를 들면, 롤러 지지부(95)가 중계 롤러(94b)를 Z 방향 또는 Y 방향으로 이동 가능해도 된다. 또, 롤러 지지부(95)에 의해서, X축에 평행한 축선(AX)의 주위에 중계 롤러(94b)를 회동(回動)시키는 구성이어도 된다. 이 경우, 중계 롤러(94b)가 이동(회동)하는 양(거리)을 베어링(92)의 권취 속도에 피드백시킴으로써, 미소성막(FA)의 텐션을 일정하게 유지하는 것이 가능해진다. 또, 중계 롤러(94b)의 -Y측에 있고, 지점축을 통해서 배치되는 이동 가능한 추(도시하지 않음)를 이동시켜 중계 롤러(94b)에 대한 부하를 변경하는 구성이어도 된다. 이 경우, 중계 롤러(94b)에 걸리는 부하를 상기 추에 의해 조정함으로써, 미소성막(FA)의 텐션을 조정하는 것이 가능해진다.The
중계 롤러(94a~94e)는 X 방향에 평행한 배치에 한정되지 않고, X 방향에 대해서 기울어서 배치되어도 된다. 또, 중계 롤러(R21~R25)는 원통형에 한정되지 않고, 테이퍼형, 레이디얼형, 콘케이브형 등의 크라운이 형성된 것이 이용되어도 된다.The relaying
또한 상기의 권취 장치(90)는 권취부(60)를 대신해 이용해도 된다. 또, 미소성막(FA) 등의 막을 권취하는 경우와는 반대의 방향으로 축 부재(SF)를 회전시킴으로써, 미소성막(FA) 등의 막을 송출할 수 있다. 이 때문에, 예를 들면 상기의 송출부(50)를 대신해 권취 장치(90)를 이용하는 것도 가능하다.Further, the winding
[세퍼레이터][Separator]
다음에, 실시 형태에 관한 세퍼레이터(100)를 설명한다. 도 13은 리튬 이온 전지(200)의 일례를 나타내는 모식도이며, 일부가 절개된 상태를 나타내고 있다. 도 13에 나타내는 바와 같이, 리튬 이온 전지(200)는 정극 단자를 겸한 금속 케이스(201)와, 부극 단자(202)를 가지고 있다. 금속 케이스(201)의 내부에는 정극(201a)과, 부극(202a)과, 세퍼레이터(100)가 마련되어 있고, 도시하지 않은 전해액에 침지되어 있다. 세퍼레이터(100)는 정극(201a)과 부극(202a) 사이에 배치되어 정극(201a)과 부극(202a) 사이의 전기적 접촉을 막고 있다. 정극(201a)으로서는 리튬 천이 금속 산화물이 이용되고, 부극(202a)으로서는, 예를 들면 리튬이나 카본(그래파이트) 등이 이용되고 있다.Next, the
상기 실시 형태에 기재된 다공성 수지막(F)은 이 리튬 이온 전지(200)의 세퍼레이터(100)로서 이용된다. 이 경우, 예를 들면 제1 도포막(F1)이 형성되는 면을 리튬 이온 전지의 부극(202a)측으로 함으로써, 전지 성능을 향상시킬 수 있다. 또한 도 13에서는 각형의 리튬 이온 전지(200)의 세퍼레이터(100)를 예로 들어 설명하고 있지만, 이것으로 한정하는 것은 아니다. 상기의 다공성 수지막(F)은 원통형이나 라미네이트형 등의 임의의 타입의 리튬 이온 전지의 세퍼레이터로서도 이용할 수 있다. 또한 리튬 이온 전지의 세퍼레이터 외에, 상기의 다공성 수지막(F)은 연료 전지 전해질막, 가스 또는 액체의 분리용막, 저유전율 재료로서 사용하는 것이 가능하다.The porous resin film (F) described in the above embodiment is used as a separator (100) of the lithium ion battery (200). In this case, for example, the surface on which the first coating film F1 is formed is made toward the
이상, 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 상술한 설명으로 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경이 가능하다. Although the embodiment has been described above, the present invention is not limited to the above description, and various modifications are possible without departing from the gist of the present invention.
예를 들면, 상기 실시 형태 및 변형예에서는 미립자의 함유율이 상이한 2 종류의 도포액을 이용해 미소성막(FA)을 형성하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것으로 한정하는 것이 아니며, 1 종류의 도포액으로 미소성막을 형성하는 것이어도 된다. 이 경우, 제1 노즐(12) 및 제2 노즐(13) 중 어느 한쪽이 이용되지 않아도 되고, 한쪽의 노즐을 생략해도 된다. 한쪽의 노즐을 생략하는 경우에는 제1 노즐(12)을 생략하고, 제2 노즐(13)을 사용하는 것이 바람직하다.For example, in the above-described embodiment and modified examples, the case of forming the microcavities FA by using two kinds of coating liquids having different microparticle content rates has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, To form an untreated film. In this case, either the
또, 상기 실시 형태 및 변형예에서는 소성 유닛(20)에서 소성막(FB)을 형성한 후, 소성막(FB)을 권취하지 않고 제거 유닛(30)에 반입시키는 구성을 예로 들어 설명했지만, 이것으로 한정하는 것이 아니며, 소성막(FB)을 권취하도록 해도 된다. 이 경우, 상기 변형예에서 설명한 권취 장치(90)를 이용해도 된다.In the above-described embodiment and modified examples, a configuration is described in which, after the firing film FB is formed in the
또, 상기 실시 형태 및 변형예에서는 도포 유닛(10), 소성 유닛(20), 및 제거 유닛(30)이 1대씩 배치된 구성을 예로 들어 설명했지만, 이것으로 한정하는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 유닛의 적어도 1개가 복수대 마련되어도 된다. 이 경우, 예를 들면 단위 시간당 처리 가능한 미소성막(FA), 소성막(FB) 또는 다공성 수지막(F)의 분량(예, 길이, 등)이 적은 유닛을 많이 배치함으로써, 제조 시스템(SYS) 전체의 제조 효율을 높일 수 있다.In the above-described embodiment and modified examples, the configuration in which one
또, 상기 실시 형태 및 변형예에서는 도포 유닛(10), 소성 유닛(20), 제거 유닛(30), 및 후처리 유닛(80)(대전 방지 유닛(81), 에칭 유닛(82))의 각 유닛이, 미소성막(FA), 소성막(FB) 또는 다공성 수지막(F)의 각 막을 Y 방향에 따라 반송하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것으로 한정하는 것은 아니다. 예를 들면, 몇 개의 유닛이 막을 X 방향, Y 방향, Z 방향 또는 이들 합성 방향으로 반송해도 되고, 1개의 유닛 내에서 반송 방향을 적절히 변경해도 된다.In the above embodiment and modified examples, the
또, 상기 실시 형태 및 변형예에서는 도포 유닛(10)에서의 도포, 소성 유닛(20)에서의 소성, 제거 유닛(30)에서의 제거의 3개의 공정을 실시하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것으로 한정하는 것은 아니다. 예를 들면, 도포막의 재료로서 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 또는 폴리아미드가 이용되는 경우, 소성을 실시하지 않아도 된다. 이 때문에, 소성을 실시하지 않는 경우, 예를 들면 소성 유닛(20)과 제거 유닛(30) 사이에 권취 장치 및 송출 장치 등을 마련함으로써, 도포 유닛(10)에서 형성된 미소성막(FA)을, 소성 유닛(20)을 개입시키는 경우 없이, 제거 유닛(30)에 반입시키는 것이 가능해진다. 또, 소성을 실시하지 않는 경우, 다공성의 이미드계 수지막을 제조하는 제조 시스템은 폴리아미드산, 폴리이미드, 폴리아미드이미드 또는 폴리아미드 및 미립자를 포함하는 액체를 기재에 도포하여서 미소성막을 형성하는 도포 유닛과, 상기 도포 유닛 내 또는 상기 도포 유닛 외에서 상기 기재로부터 박리한 상기 미소성막으로부터 상기 미립자를 제거하는 제거 유닛을 포함하는 제조 시스템으로 할 수 있다. 또한 소성을 실시하지 않는 경우, 미립자를 제거하는 제거 유닛(30)으로부터 다공성 수지막(F)을 반출시킨 후, 전술한 포스트베이크 처리 공정을 실시해도 된다. 포스트베이크 처리 공정 전에, 후처리 유닛(80) 및/또는 에칭 유닛(82)을 거쳐도 된다.In the above-described embodiment and modified examples, the case where the three steps of coating in the
또, 상기 실시 형태 및 변형예에서는 이른바 롤·투·롤 방식에 의해서 다공성 수지막(F)을 형성하는 구성을 예로 들어 설명했지만, 이것으로 한정하는 것은 아니다. 예를 들면, 제거 유닛(30)에서의 처리가 종료한 후, 다공성 수지막(F)이 제거 유닛(30)으로부터 반출된 경우에, 권취부(60)에서 권취시키는 경우 없이 소정의 길이로 절단하고, 절단한 것을 회수해도 된다.In the above-described embodiment and the modified example, the configuration in which the porous resin film (F) is formed by the roll-to-roll method has been described as an example, but the present invention is not limited thereto. For example, when the porous resin film F is taken out from the
SYS, SYS2, SYS3, SYS4, SYS5…제조 시스템(다공성의 이미드계 수지 제조 시스템) F…다공성 수지막(다공질의 이미드계 수지막) FA…미소성막 FB…소성막 S…반송 기재(기재) Q1…제1 도포액 F1…제1 도포막 Q2…제2 도포액 F2…제2 도포막 A1…수지 재료 A2…미립자 R, RS, RF…롤체 10…도포 유닛 12…제1 노즐 13…제2 노즐 14…건조부 15…박리부 20…소성 유닛 30…제거 유닛 32…에칭부 40, 60, 73…권취부 72…침지부 80…후처리 유닛 81…대전 방지 유닛 82…에칭 유닛 90…권취 장치 100…세퍼레이터 200…리튬 이온 전지SYS, SYS2, SYS3, SYS4, SYS5 ... Manufacturing system (porous imide resin manufacturing system) F ... Porous resin film (porous imide resin film) FA ... Smiling Tabernacle FB ... Blown film S ... Return equipment (substrate) Q1 ... The first coating liquid F1 ... The first coating film Q2 ... The second coating liquid F2 ... The second coating film A1 ... Resin material A2 ... Particle R, RS, RF ... Roll
Claims (21)
폴리아미드산, 폴리이미드, 폴리아미드이미드 또는 폴리아미드 및 미립자를 포함하는 액체를 기재에 도포하여서 미소성막을 형성하는 도포 유닛과,
상기 도포 유닛 내 또는 상기 도포 유닛 외에서 상기 기재로부터 박리한 상기 미소성막을 소성하고, 상기 미립자를 포함한 소성막을 형성하는 소성 유닛과,
상기 소성막으로부터 상기 미립자를 제거하는 제거 유닛을 포함하는 다공성의 이미드계 수지막 제조 시스템.As a manufacturing system for manufacturing a porous imide resin film,
A coating unit for applying a liquid containing polyamic acid, polyimide, polyamideimide or polyamide and fine particles to a substrate to form a microcapsule,
A firing unit for firing the microfilm film peeled from the base material in the coating unit or outside the coating unit to form a fired film containing the fine particles;
And a removing unit for removing the fine particles from the firing film.
상기 도포 유닛은 상기 기재 위에 띠 모양의 상기 미소성막을 형성하는 다공성의 이미드계 수지막 제조 시스템.The method according to claim 1,
Wherein the coating unit forms the strip-shaped micro-film on the substrate.
상기 제거 유닛은 상기 소성 유닛에 의해 소성한 상기 소성막을 권취하지 않고 차례로 도입하여 상기 미립자를 제거하는 다공성의 이미드계 수지막 제조 시스템.The method according to claim 1 or 2,
Wherein the removal unit removes the fine particles by introducing the fired film fired by the firing unit in turn without winding the porous fired film.
상기 기재로부터 박리한 상기 미소성막, 또는 상기 기재를 포함한 상기 미소성막을 권취하여서 롤체를 형성하는 권취부를 구비하는 다공성의 이미드계 수지막 제조 시스템.The method according to any one of claims 1 to 3,
And a winding section for winding the microfilm film peeled from the base material or the microfilm film including the base material to form a rolled body.
상기 롤체가, 상기 기재로부터 박리한 상기 띠 모양의 미소성막의 롤체인 경우,
상기 소성 유닛은 상기 롤체로부터 상기 미소성막을 차례로 꺼내 소성하는 다공성의 이미드계 수지막 제조 시스템.The method of claim 4,
When the roll body is a roll of the strip-shaped micro-film peeled off from the substrate,
And the firing unit sequentially takes out the microfilm from the roll and fires the microfilm.
상기 롤체가, 상기 기재를 포함한 상기 띠 모양의 미소성막의 롤체인 경우,
상기 롤체로부터 상기 기재를 꺼내 소정 액체 중에 침지하고, 이 기재로부터 상기 미소성막을 박리하는 침지부를 구비하는 다공성의 이미드계 수지막 제조 시스템.The method of claim 4,
When the roll body is a roll of the strip-shaped micro-film including the substrate,
And a dipping section for taking out the substrate from the roll and immersing the substrate in a predetermined liquid, and peeling the microfilm from the substrate.
상기 소성 유닛은 상기 기재로부터 박리한 상기 미소성막을 권취하지 않고 차례로 도입하여 소성하는 다공성의 이미드계 수지막 제조 시스템.The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the baking unit introduces and fires the microfilm peeled off from the substrate in turn without winding, and firing the microfilm.
상기 미립자가 제거된 상기 소성막에 대해서 대전 방지 처리를 실시하는 대전 방지 유닛을 포함하는 다공성의 이미드계 수지막 제조 시스템.The method according to any one of claims 1 to 7,
And an antistatic unit that performs antistatic treatment on the fired film from which the fine particles have been removed.
상기 미립자가 제거된 상기 소성막의 일부를 제거하는 에칭 유닛을 포함하는 다공성의 이미드계 수지막 제조 시스템.The method according to any one of claims 1 to 8,
And an etching unit for removing a part of the fired film from which the fine particles have been removed.
상기 액체로서 적어도 미립자의 함유율이 서로 상이한 제1 액체 및 제2 액체가 이용되고,
상기 도포 유닛은 상기 제1 액체 및 상기 제2 액체를 상기 기재에 도포함으로써, 적어도 미립자의 함유율이 상이하게 적층된 상기 미소성막을 형성하는 다공성의 이미드계 수지막 제조 시스템.The method according to any one of claims 1 to 9,
The first liquid and the second liquid having different contents of at least the fine particles are used as the liquid,
Wherein the coating unit forms the microfilm film in which the content ratio of at least the microfine particles is different by applying the first liquid and the second liquid to the substrate.
상기 다공성 폴리이미드막은 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항의 다공성의 이미드계 수지막 제조 시스템에 의해 생성되는 세퍼레이터.As a separator formed by a porous polyimide film,
The porous polyimide film is produced by the porous imide-based resin film production system according to any one of claims 1 to 10.
폴리아미드산, 폴리이미드, 폴리아미드이미드 또는 폴리아미드 및 미립자를 포함하는 액체를 기재에 도포한 후에 상기 기재로부터 박리하여서 미소성막을 형성하는 것과,
상기 미소성막을 소성하여 상기 미립자를 포함한 소성막을 형성하는 것과,
상기 소성막으로부터 상기 미립자를 제거하는 것을 포함하는 다공성의 이미드계 수지막 제조 방법.As a method for producing a porous imide resin film,
A method in which a liquid containing polyamic acid, polyimide, polyamideimide or polyamide and fine particles is applied to a substrate and then peeled from the substrate to form a microcapsule,
Firing said microfilm film to form a fired film containing said microfilm,
And removing the fine particles from the firing film.
상기 미소성막은 띠 모양으로 형성되는 다공성의 이미드계 수지막 제조 방법.The method of claim 12,
Wherein the micro-film is formed in a band-like shape.
상기 소성막을 권취하지 않고 차례로 도입함으로써 상기 소성막으로부터 상기 미립자를 제거하는 다공성의 이미드계 수지막 제조 방법.The method according to claim 12 or 13,
And removing the fine particles from the firing film by introducing the firing film in turn without winding.
상기 기재로부터 박리한 상기 미소성막, 또는 상기 기재를 포함한 상기 미소성막을 권취하여서 롤체를 형성하는 다공성의 이미드계 수지막 제조 방법.The method according to any one of claims 12 to 14,
Based resin film is formed by winding the microfilm film peeled from the base material or the microfilm film including the base material to form a roll.
상기 롤체가, 상기 기재로부터 박리한 상기 띠 모양의 미소성막의 롤체인 경우,
상기 롤체로부터 상기 미소성막을 차례로 꺼내 소성하는 다공성의 이미드계 수지막 제조 방법.16. The method of claim 15,
When the roll body is a roll of the strip-shaped micro-film peeled off from the substrate,
And the microfilm is sequentially taken out from the roll and fired.
상기 롤체가, 상기 기재를 포함한 상기 띠 모양의 미소성막의 롤체인 경우,
상기 롤체로부터 상기 기재를 꺼내 소정 액체 중에 침지하고, 이 기재로부터 상기 미소성막을 박리하는 다공성의 이미드계 수지막 제조 방법.16. The method of claim 15,
When the roll body is a roll of the strip-shaped micro-film including the substrate,
And removing the substrate from the roll, immersing the substrate in a predetermined liquid, and peeling the micro-film from the substrate.
상기 기재로부터 박리한 상기 미소성막을 권취하지 않고 차례로 도입하여 소성하는 다공성의 이미드계 수지막 제조 방법.The method according to any one of claims 12 to 14,
Wherein the microfilm film peeled off from the substrate is introduced in turn without being wound and fired.
상기 미립자가 제거된 상기 소성막에 대해서 대전 방지 처리를 실시하는 다공성의 이미드계 수지막 제조 방법.The method according to any one of claims 12 to 18,
Wherein the antireflection treatment is performed on the fired film from which the fine particles have been removed.
상기 미립자가 제거된 상기 소성막의 일부를 제거하는 다공성의 이미드계 수지막 제조 방법.The method according to any one of claims 12 to 19,
And removing a part of the fired film from which the fine particles have been removed.
상기 액체로서 적어도 미립자의 함유율이 서로 상이한 제1 액체 및 제2 액체가 이용되고,
상기 제1 액체 및 상기 제2 액체를 상기 기재에 도포함으로써, 적어도 미립자의 함유율이 상이하게 적층된 상기 미소성막을 형성하는 다공성의 이미드계 수지막 제조 방법.The method of claim 12,
The first liquid and the second liquid having different contents of at least the fine particles are used as the liquid,
And the first liquid and the second liquid are applied to the base material to form the microcapsule in which the content of at least the microparticles is differently stacked.
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| JP6858902B2 (en) * | 2020-04-27 | 2021-04-14 | 東京応化工業株式会社 | A method for manufacturing a laminated body for a wiring board, a wiring board, and a laminated body for a wiring board. |
| CN116278083A (en) * | 2023-05-06 | 2023-06-23 | 西安航天华阳机电装备有限公司 | Polyimide composite film production equipment |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07165932A (en) * | 1993-12-16 | 1995-06-27 | Kanebo Ltd | Production of porous polyvinyl alcohol sheet |
| JP2002086476A (en) * | 2000-09-20 | 2002-03-26 | Ube Ind Ltd | Continuous production method and continuous production apparatus for porous membrane |
| JP3347484B2 (en) * | 1994-07-22 | 2002-11-20 | 日本無機株式会社 | Battery separator manufacturing equipment |
| JP2003138056A (en) * | 2001-11-01 | 2003-05-14 | Sangaku Renkei Kiko Kyushu:Kk | Functional membrane and method for producing the functional membrane |
| KR20080044325A (en) * | 2005-09-12 | 2008-05-20 | 토넨 케미칼 코퍼레이션 | Method and apparatus for plasma processing porous material |
| WO2009038061A1 (en) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Fujifilm Corporation | Multilayered film and process for producing the same |
| WO2009041352A1 (en) * | 2007-09-25 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | Process for producing porous film, porous film, and composite material |
| JP2011111470A (en) | 2009-11-24 | 2011-06-09 | Tokyo Metropolitan Univ | Porous polyimide and method for producing the same |
| JP2012144395A (en) * | 2011-01-12 | 2012-08-02 | Canon Inc | Method of producing porous film |
| KR20140019407A (en) * | 2011-03-25 | 2014-02-14 | 우베 고산 가부시키가이샤 | Polyimide film production method, polyimide film production apparatus, and polyimide film |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1121369A (en) * | 1997-07-04 | 1999-01-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method for producing porous polymer membrane |
| JP4880824B2 (en) * | 2001-04-12 | 2012-02-22 | 住友化学株式会社 | Porous film |
| JP2004204119A (en) | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | Porous film and electrochemical device using the same |
| JP5451652B2 (en) * | 2008-07-03 | 2014-03-26 | 東レバッテリーセパレータフィルム株式会社 | COOLING ROLL ASSEMBLY FOR PRODUCING MICROPOROUS MEMBRANE AND METHOD FOR PRODUCING MICROPOROUS MEMBRANE |
| JP5639578B2 (en) * | 2008-08-15 | 2014-12-10 | 東レバッテリーセパレータフィルム株式会社 | Microporous membrane manufacturing method and microporous membrane manufacturing apparatus |
| JP5331627B2 (en) * | 2009-09-09 | 2013-10-30 | 公立大学法人首都大学東京 | Lithium secondary battery separator and lithium secondary battery using the same |
| JP5736186B2 (en) * | 2011-02-14 | 2015-06-17 | 株式会社ダイセル | Porous membrane containing inorganic particles and method for producing the same |
| JP2013109842A (en) | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Ibiden Co Ltd | Manufacturing method of separator for lithium ion battery |
| JP5800268B2 (en) * | 2011-12-09 | 2015-10-28 | 公立大学法人首都大学東京 | Separator for lithium secondary battery and manufacturing method thereof |
| EP2927998A4 (en) * | 2012-12-03 | 2016-08-03 | Jsr Corp | Membrane-electrode-assembly manufacturing method, membrane electrode assembly, membrane-electrode-assembly-forming laminates, proton exchange membrane fuel cell, and water-electrolysis device |
| WO2015020101A1 (en) * | 2013-08-08 | 2015-02-12 | 東京応化工業株式会社 | Production method for porous polyimide resin film, porous polyimide resin film, and separator employing same |
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Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07165932A (en) * | 1993-12-16 | 1995-06-27 | Kanebo Ltd | Production of porous polyvinyl alcohol sheet |
| JP3347484B2 (en) * | 1994-07-22 | 2002-11-20 | 日本無機株式会社 | Battery separator manufacturing equipment |
| JP2002086476A (en) * | 2000-09-20 | 2002-03-26 | Ube Ind Ltd | Continuous production method and continuous production apparatus for porous membrane |
| JP2003138056A (en) * | 2001-11-01 | 2003-05-14 | Sangaku Renkei Kiko Kyushu:Kk | Functional membrane and method for producing the functional membrane |
| KR20080044325A (en) * | 2005-09-12 | 2008-05-20 | 토넨 케미칼 코퍼레이션 | Method and apparatus for plasma processing porous material |
| WO2009038061A1 (en) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Fujifilm Corporation | Multilayered film and process for producing the same |
| WO2009041352A1 (en) * | 2007-09-25 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | Process for producing porous film, porous film, and composite material |
| JP2011111470A (en) | 2009-11-24 | 2011-06-09 | Tokyo Metropolitan Univ | Porous polyimide and method for producing the same |
| JP2012144395A (en) * | 2011-01-12 | 2012-08-02 | Canon Inc | Method of producing porous film |
| KR20140019407A (en) * | 2011-03-25 | 2014-02-14 | 우베 고산 가부시키가이샤 | Polyimide film production method, polyimide film production apparatus, and polyimide film |
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