KR20160089813A - Semiconductor package - Google Patents
Semiconductor package Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160089813A KR20160089813A KR1020150009507A KR20150009507A KR20160089813A KR 20160089813 A KR20160089813 A KR 20160089813A KR 1020150009507 A KR1020150009507 A KR 1020150009507A KR 20150009507 A KR20150009507 A KR 20150009507A KR 20160089813 A KR20160089813 A KR 20160089813A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- molding part
- base plate
- moisture
- lead pin
- semiconductor package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 반도체 패키지에 관한 것이다.
The present invention relates to a semiconductor package.
전력 트랜지스터, 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(insulated-gate bipolar transistor; IGBT), 모스 트랜지스터, 실리콘 제어 정류기(silicon-controlled rectifier; SCR), 전력 정류기, 서보 드라이버, 전력 레귤레이터, 인버터, 컨버터와 같은 전력 소자를 사용하는 전력용 전자 산업이 발전함에 따라, 우수한 성능을 가지면서도 경량 및 소형화가 가능한 전력용 제품에 대한 요구가 증대되고 있다.Power devices such as power transistors, insulated-gate bipolar transistors (IGBTs), MOS transistors, silicon-controlled rectifiers (SCRs), power rectifiers, servo drivers, power regulators, inverters and converters As the power electronics industry develops, there is a growing demand for power products that have excellent performance and are lightweight and compact.
이와 같은 추세에 따라, 최근에는 다양한 전력 반도체 소자들을 하나의 패키지에 집적시킬 뿐만 아니라, 전력 반도체 소자들을 제어하기 위한 제어 소자를 전력 반도체 소자와 하나의 패키지로 제조하려는 연구가 활발하게 이루어지고 있다.In recent years, various researches have been actively conducted to fabricate a control device for controlling power semiconductor devices in one package together with a power semiconductor device, in addition to integrating various power semiconductor devices in one package.
한편, 상기한 패키지가 고온 다습한 지역에서 사용되는 경우 패키지의 외부에 수분이 응축되어 쇼트를 발생시키는 문제가 있다. 이를 방지하기 위하여 패키지의 외부면에 방습제나 실링제를 도포한다.On the other hand, when the above-mentioned package is used in a region with high temperature and high humidity, there is a problem that moisture is condensed on the outside of the package, resulting in a short circuit. To prevent this, a desiccant or a sealing agent is applied to the outer surface of the package.
하지만, 이와 같은 방습제와 실링제의 도포 및 건조 시간의 증가로 인해 생산성이 저하되고 제조 비용이 상승되는 문제가 있다.However, there is a problem that the productivity is lowered and the manufacturing cost is increased due to the application of the desiccant and the sealing agent and the increase of the drying time.
제조수율을 향상시킬 수 있으며 제조비용을 절감시킬 수 있는 반도체 패키지를 제공한다.
A semiconductor package capable of improving manufacturing yield and reducing manufacturing cost is provided.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지는 베이스 플레이트와, 상기 베이스 플레이트의 일면에 배치되는 적어도 하나의 전자 소자와, 상기 전자 소자를 밀봉하는 몰딩부 및 일단이 상기 몰딩부에 매립되며 타단은 상기 몰딩부로부터 노출되는 리드 핀을 포함하며, 상기 몰딩부에는 상기 리드 핀에 인접 배치되는 수분 유도홈이 형성될 수 있다.
A semiconductor package according to an embodiment of the present invention includes a base plate, at least one electronic element disposed on one surface of the base plate, a molding part sealing the electronic element, one end embedded in the molding part, And a lead pin exposed from the molding part, wherein the molding part is formed with a moisture induction groove disposed adjacent to the lead pin.
제조수율을 향상시킬 수 있으며, 제조비용을 절감시킬 수 있는 효과가 있다.
The manufacturing yield can be improved and the manufacturing cost can be reduced.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지를 나타내는 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지를 나타내는 저면 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지를 나타내는 저면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a configuration diagram showing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention; FIG.
2 is a bottom perspective view illustrating a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
3 is a bottom view of a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Further, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. The shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지를 나타내는 구성도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지를 나타내는 저면 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지를 나타내는 저면도이고,
2 is a bottom perspective view illustrating a semiconductor package according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. A bottom view representing the package,
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지(100)는 일예로서, 베이스 플레이트(120), 전자 소자(130), 몰딩부(140), 리드 핀(150)을 포함하여 구성될 수 있다.
1 to 3, a
베이스 플레이트(120)는 금속 재질의 편펑한 판재로 이루어질 수 있다. 베이스 플레이트(120)의 일면(또는 실장면)에는 전자 소자(130)가 실장되고, 상기한 전자 소자(130)가 매립되도록 베이스 플레이트(120)의 일면에 몰딩부(140)가 적층될 수 있다.The
또한, 베이스 플레이트(120)의 타면(또는 배면)은 전체 또는 대부분이 외부로 노출된다.In addition, the other surface (or the back surface) of the
즉, 베이스 플레이트(120)의 일면 중 하단부에는 도 1에 도시된 바와 같이, 몰딩부(140)가 적층되고, 상단부는 외부로 노출된다. 이와 같이 외부로 노출된 베이스 플레이트(120)의 상단부는 전자 소자(130)들로부터 발생되는 열을 효과적으로 방출할 수 있다.1, the
또한, 베이스 플레이트(120)의 상단부에는 적어도 하나의 체결홀(122)이 형성된다. 체결홀(122)은 반도체 패키지(100)를 방열판(미도시)에 체결하기 위해 구비된다. 그리고, 체결홀(122)은 반도체 패키지(100)와 방열판을 상호 결합하는 고정부재(미도시)의 크기에 대응하는 크기를 가질 수 있다.
At least one
전자 소자(130)는 수동 소자와 능동 소자 등과 같은 다양한 소자들을 포함할 수 있다. 특히 본 실시예에 따른 전자 소자(130)는 적어도 하나의 제1 전자 소자(132, 예컨대 전력 반도체 소자)와 적어도 하나의 제2 전자 소자(134, 예컨대 제어 소자)를 포함할 수 있다.The
여기서, 제1 전자 소자(132)인 전력 반도체 소자는 서보 드라이버, 인버터, 전력 레귤레이터 및 컨버터 등과 같은 전력 제어를 위한 전력변화 또는 전력제어를 위한 전력 회로 소자일 수 있다.Here, the power semiconductor device that is the first
예를 들어, 제1 전자 소자(132)는 전력 모스펫(power MOSFET), 바이폴라 정션 트랜시스터(bipolar junction transistor, BJT), 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(insulated-gate bipolar transistor; IGBT), 다이오드(diode)이거나 이들의 조합을 포함할 수 있다. 즉, 본 실시예에 있어서 제1 전자 소자(132)는 상술한 소자들을 모두 포함하거나 또는 일부를 포함할 수 있다.For example, the first
한편, 제1 전자 소자(132)는 접착부재를 매개로 베이스 플레이트(120)의 일면에 부착될 수 있다. 이때, 제1 전자 소자(132)로 모스펫(MOSFET)이 이용되는 경우, 제1 전자 소자(132)가 베이스 플레이트(120)와 접합되는 일면은 드레인 전극으로 이용될 수 있다.Meanwhile, the first
또한, 상기한 접착부재는 도전성 접착제일 수 있다. 그러나, 필요에 따라 절연 성 접착제를 이용할 수도 있다.The above-mentioned adhesive member may be a conductive adhesive. However, if necessary, an insulating adhesive may be used.
예를 들어, 접착부재는 도전성 페이스트 또는 테이프일 수 있다. 또한, 접착부재로 솔더(solder), 금속 에폭시, 금속 페이스트, 도전성 분말이 함유된 수지계 에폭시(resin-based epoxy), 또는 열전도성이 높고 내열성이 우수한 도전성 접착 테이프 등이 이용될 수 있다.
For example, the adhesive member may be a conductive paste or a tape. A resin-based epoxy containing a solder, a metal epoxy, a metal paste, and an electrically conductive powder may be used as the adhesive member, or a conductive adhesive tape having high thermal conductivity and excellent heat resistance may be used.
제2 전자 소자(134)는 본딩 와이어(136)를 통해 제1 전자 소자(132)와 전기적으로 연결되고, 이에 따라 제1 전자 소자(132)의 동작을 제어할 수 있다. 제2 전자 소자(134)는 예를 들어, 집적 회로(IC)나 마이크로 프로세서(microprocessor)일 수 있으나, 이에 더하여 저항, 인버터, 또는 콘덴서와 같은 수동 소자, 또는 트랜지스터와 같은 능동 소자들이 더 부가될 수 있다.
The second
몰딩부(140)는 전자 소자(130)를 밀봉한다. 나아가, 몰딩부(140)는 베이스 플레이트(120)의 일부 및 리드 핀(150)의 일부를 봉지한다. 다시 말해, 베이스 플레이트(120)의 일부 및 리드 핀(150)의 일부는 몰딩부(140)로부터 외부로 노출될 수 있다.The
즉, 몰딩부(140)는 전자 소자(130)와, 전자 소자(130)에 연결되는 리드 핀(140)의 일부를 매립하는 형태로 형성되어 외부 환경으로부터 전자 소자(130)를 보호한다. 또한, 전자 소자(130)를 외부에서 둘러싸며 전자 소자(130)를 고정시킴으로써 외부의 충격으로부터 전자 소자(130)를 안전하게 보호한다.That is, the
몰딩부(140)는 베이스 플레이트(120)의 타면(비실장면)이 대부분 노출되도록 형성된다. 또한, 베이스 플레이트(120)의 전체가 아닌, 일부분을 덮는 형태로 형성될 수 있다.The
한편, 몰딩부(140)는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)와 같은 절연성 재료로 형성될 수 있다. 또한, 열 전도도가 높은 실리콘 젤(Silicone Gel)이나 열전조성 에폭시(Epoxy), 폴리이미드(polyimide) 등의 재료가 이용될 수 있다.Meanwhile, the
한편, 몰딩부(140)에는 리드 핀(150)에 인접 배치되는 수분 유도홈(142)이 형성된다. 수분 유도홈(142)은 몰딩부(140)의 일면과 타면에 만입 형성되며, 수분 유도홈(142)은 경사지게 형성된다.On the other hand, the
다시 말해, 수분 유도홈(142)을 형성하기 위하여 몰딩부(140)에는 경사면(143)이 형성된다.In other words, the
나아가, 수분 유도홈(142)은 복수개가 몰딩부(140)의 길이 방향으로 상호 이격배치될 수 있다. 그리고, 몰딩부(140)는 직육면체 형상을 가지며, 수분 유도홈(142)은 몰딩부(140)의 일면과 타면의 하단부에 형성된다.Furthermore, a plurality of the
다만, 본 실시예에서는 수분 유도홈(142)이 몰딩부(140)에 4개가 형성되는 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 수분 유도홈(142)의 개수는 다양하게 변경 가능할 것이다.However, the present invention is not limited to this, and the number of the
한편, 수분 유도홈(142)은 하부에서 바라볼 때 삼각형 형상을 가질 수 있다.On the other hand, the
이와 같이, 수분 유도홈(142)이 몰딩부(140)에 형성되므로, 수분이 응축되어 몰딩부(140)의 저면에 맺히는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 수분의 응축되어 리드 핀(150)이 응축된 수분에 의해 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있는 것이다.Since the
다시 말해, 수분 유도홈(142)이 형성되지 않는 경우 수분이 응축되어 몰딩부(140)의 저면에 맺히게 된다. 이와 같이 몰딩부(140)의 저면에 응축된 수분이 점차적으로 크기가 커지게 되고 종국적으로는 응축된 수분이 양측에 배치되는 리드 핀(150)에 접촉된다. 이러한 경우 응축된 수분에 의해 쇼트가 발생되는 것이다. 하지만, 수분 유도홈(142)이 형성되므로 수분이 몰딩부(140)의 저면에 응축되는 것을 방지할 수 있으며, 결국 쇼트 발생을 방지할 수 있는 것이다.
In other words, in the case where the
리드 핀(150)은 일단이 몰딩부(140)에 매립되며, 타단은 몰딩부(140)로부터 외부로 노출된다. 그리고, 리드 핀(150)의 일단이 본딩 와이어(136)에 접합되어 리드 핀(150)과 전자 소자(130)들과 전기적으로 연결될 수 있다. 리드 핀(150)의 타단은 메인 기판(미도시)에 연결될 수 있다.
One end of the
상기한 바와 같이, 몰딩부(140)에 수분 유도홈(142)이 형성되어 수분이 몰딩부(140)의 하부에 응축되어 리드 핀(150) 상호 간을 전기적으로 연결하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 방습을 위한 방습제의 도포가 필요치 않아 방습제 도포 공정을 생략할 수 있다.As described above, the
결국, 방습제의 도포를 생략할 수 있으므로 제조수율을 향상시킬 수 있으며, 더하여 제조비용을 절감할 수 있는 것이다.
As a result, since the application of the desiccant can be omitted, the production yield can be improved and the manufacturing cost can be reduced.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be obvious to those of ordinary skill in the art.
100 : 반도체 패키지
120 : 베이스 플레이트
130 : 전자 소자
140 : 몰딩부
150 : 리드 핀100: semiconductor package
120: base plate
130: electronic device
140: Molding part
150: Lead pin
Claims (5)
상기 베이스 플레이트의 일면에 배치되는 적어도 하나의 전자 소자;
상기 전자 소자를 밀봉하는 몰딩부; 및
일단이 상기 몰딩부에 매립되며 타단은 상기 몰딩부로부터 노출되는 리드 핀;
을 포함하며,
상기 몰딩부에는 상기 리드 핀에 인접 배치되는 수분 유도홈이 형성되는 반도체 패키지.
A base plate;
At least one electronic element disposed on one side of the base plate;
A molding part sealing the electronic device; And
A lead pin having one end embedded in the molding portion and the other end exposed from the molding portion;
/ RTI >
Wherein the molding portion is formed with a moisture induction groove disposed adjacent to the lead pin.
상기 수분 유도홈은 상기 몰딩부의 일면과 타면에 만입 형성되며 경사지게 형성되는 반도체 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the moisture inducing groove is formed on one surface of the molding part and on the other surface, and is inclined.
상기 수분 유도홈은 복수개가 상기 몰딩부의 길이 방향으로 상호 이격 배치되는 반도체 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein a plurality of the moisture induction grooves are spaced apart from each other in the longitudinal direction of the molding part.
상기 몰딩부는 직육면체 형상을 가지며, 상기 수분 유도홈은 상기 몰딩부의 일면과 타면의 하단부에 형성되는 반도체 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the molding part has a rectangular parallelepiped shape and the moisture induction groove is formed on one side of the molding part and the lower side of the other side.
상기 수분 유도홈은 하부에서 바라볼 때 삼각형 형상을 가지는 반도체 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the moisture induction groove has a triangular shape when viewed from below.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150009507A KR20160089813A (en) | 2015-01-20 | 2015-01-20 | Semiconductor package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150009507A KR20160089813A (en) | 2015-01-20 | 2015-01-20 | Semiconductor package |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160089813A true KR20160089813A (en) | 2016-07-28 |
Family
ID=56681723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150009507A Withdrawn KR20160089813A (en) | 2015-01-20 | 2015-01-20 | Semiconductor package |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20160089813A (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070007179A (en) | 2004-04-06 | 2007-01-12 | 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 | Ultra-wideband wireless communication system, ODF-based data transmission system and data modulation method |
-
2015
- 2015-01-20 KR KR1020150009507A patent/KR20160089813A/en not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070007179A (en) | 2004-04-06 | 2007-01-12 | 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 | Ultra-wideband wireless communication system, ODF-based data transmission system and data modulation method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8247891B2 (en) | Chip package structure including heat dissipation device and an insulation sheet | |
| US9076660B2 (en) | Power module package | |
| US9812373B2 (en) | Semiconductor package with top side cooling heat sink thermal pathway | |
| KR101388857B1 (en) | Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package | |
| JP7247574B2 (en) | semiconductor equipment | |
| KR102499825B1 (en) | Packaged power semiconductor device | |
| US9991183B2 (en) | Semiconductor component having inner and outer semiconductor component housings | |
| JP2016181536A (en) | Power semiconductor device | |
| US20140001611A1 (en) | Semiconductor package | |
| JP5172290B2 (en) | Semiconductor device | |
| US11676881B2 (en) | Semiconductor package, semiconductor assembly and method for fabricating a semiconductor package | |
| KR101983165B1 (en) | Semiconductor package | |
| US20210175149A1 (en) | Thermally conductive electronic packaging | |
| US9892991B2 (en) | Connectable package extender for semiconductor device package | |
| KR20160089813A (en) | Semiconductor package | |
| JP7154202B2 (en) | Non-isolated power module | |
| US9123708B2 (en) | Semiconductor chip package | |
| KR20150048459A (en) | Power Module Package | |
| KR102378171B1 (en) | Coupled semiconductor package | |
| JP2017069351A (en) | Semiconductor device | |
| KR102228938B1 (en) | Coupled semiconductor package | |
| JP2017069352A (en) | Semiconductor device | |
| KR101474067B1 (en) | Termoconductive module | |
| KR20140050317A (en) | Semiconductor package and manufacturing method therof | |
| KR20160009950A (en) | Leadframe and power semicondductor package |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| R17-X000 | Change to representative recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| R17-X000 | Change to representative recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000 |
|
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination |
St.27 status event code: N-1-6-B10-B12-nap-PC1203 |
|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid | ||
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| R18 | Changes to party contact information recorded |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-3-3-R10-R18-OTH-X000 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |