KR20160053451A

KR20160053451A - Apparatus and Method for treating substrate

Info

Publication number: KR20160053451A
Application number: KR1020140152316A
Authority: KR
Inventors: 이용희; 이재명; 정영헌
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2014-11-04
Filing date: 2014-11-04
Publication date: 2016-05-13
Anticipated expiration: 2034-11-04
Also published as: KR102358031B1

Abstract

기판을 액 처리하는 방법으로는 처리액 노즐이 상기 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계 및 린스액 노즐이 상기 기판 상에 린스액을 공급하는 린스액 공급 단계를 포함하되, 상기 처리액 공급 단계에는 상기 처리액 노즐이 상기 처리액과 양전하 이온수를 함께 공급하고, 상기 린스액 공급 단계에는 상기 기판 상에 상기 양전하 이온수로부터 분리된 음전하 이온수를 공급할 수 있다. 이에 따라 기판에 대한 식각률 및 세정률을 향상시킬 수 있다.As a method of performing the liquid processing on the substrate, a process liquid supply step of supplying the process liquid onto the substrate by the process liquid nozzle and a rinse liquid supply process of supplying the rinse liquid onto the substrate, In the supply step, the treatment liquid nozzle supplies the treatment liquid and the positive ionized water together, and in the rinse liquid supply step, the negative ion water separated from the positive ionized water can be supplied onto the substrate. Accordingly, the etching rate and the cleaning rate for the substrate can be improved.

Description

[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for liquid-treating a substrate.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 박막 중 불필요한 영역을 제거하는 공정으로, 박막에 대한 높은 선택비 및 고 식각률이 요구된다.To fabricate semiconductor devices or liquid crystal displays, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on the substrate. Among them, the etching process is a process for removing an unnecessary region from a thin film formed on a substrate, and a high selection ratio and a high etching rate are required for the thin film.

일반적으로 기판의 식각 공정으로는 크게 케미칼 처리 단계, 린스 처리 단계, 그리고 건조 처리 단계가 순차적으로 수행된다. 케미칼 처리 단계에는 기판 상에 형성된 박막을 식각 처리하기 위한 케미칼을 기판으로 공급하고, 린스 처리 단계에는 기판 상에 순수와 같은 린스액이 공급된다.In general, the substrate processing step includes a chemical processing step, a rinsing step, and a drying step. In the chemical treatment step, a chemical for etching the thin film formed on the substrate is supplied to the substrate, and in the rinsing step, a rinsing liquid such as pure water is supplied onto the substrate.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치에서 린스 처리 공정을 수행하는 과정을 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 린스 처리 단계에는 전기 분해된 이온수를 린스액으로 사용된다. 이온수 생성 유닛에 의해 양전하 이온수 및 음전하 이온수가 각각 형성되면, 이들 중 음전하 이온수를 기판 상에 선택적으로 공급하여 기판을 린스 처리한다. 이후 이온수 생성 유닛에 사용된 전해질 용액 및 양전하 이온수는 드레인되고, 버려지게 된다. 1 is a view showing a process of performing a rinsing process in a general substrate processing apparatus. Referring to FIG. 1, in the rinsing step, electrolyzed ionized water is used as a rinsing liquid. When the positive ionized water and the negatively charged ionized water are respectively formed by the ionized water generating unit, the negative ionized water is selectively supplied onto the substrate to rinse the substrate. Thereafter, the electrolyte solution and the positive ionized water used in the ionized water generating unit are drained and discarded.

본 발명은 기판 상에 형성된 박막에 대한 식각률을 향상시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.The present invention provides an apparatus and a method for improving the etching rate of a thin film formed on a substrate.

또한 본 발명은 이온수 생성 유닛에서 생성된 양전하 이온수 및 음전하 이온수를 기판 상에 공급하여 모두 사용 가능한 장치 및 방법을 제공하고자 한다.The present invention also aims to provide an apparatus and a method which are all usable by supplying the positive and negative ionized water generated in the ionized water generating unit onto the substrate.

본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판의 액 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 노즐을 가지는 처리액 토출 부재, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 린스액을 공급하는 린스액 노즐을 가지는 린스액 토출 부재, 그리고 상기 액 공급 유닛에 전해 이온수를 공급하는 이온수 생성 부재를 포함하되, 상기 이온수 생성 부재는 음전하 이온수 및 양전하 이온수가 각각 생성되는 내부 공간을 가지는 하우징, 상기 양전하 이온수가 상기 처리액 노즐에 공급되도록 상기 하우징 및 상기 처리액 노즐을 연결하는 양이온 공급 라인, 그리고 상기 음전하 이온수가 상기 린스액 노즐에 공급되도록 상기 하우징 및 상기 린스액 노즐을 연결하는 음이온 공급 라인을 포함한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus and a method for liquid-treating a substrate. A liquid processing apparatus for a substrate includes a substrate holding unit for holding a substrate, a processing solution dispensing member having a processing solution nozzle for supplying a processing solution onto a substrate supported by the substrate supporting unit, A rinsing liquid discharging member having a rinsing liquid nozzle for supplying a liquid, and an ion generating member for supplying electrolytic ion water to the liquid supplying unit, wherein the ion generating member has an inner space in which negative ion water and positive ion water are respectively generated A negative ion supply line connecting the housing and the treatment liquid nozzle so that the positive ionized water is supplied to the treatment liquid nozzle, and an anion connecting the housing and the rinse liquid nozzle such that the negative ionized water is supplied to the rinse liquid nozzle, And a supply line.

상기 액 공급 유닛은 내부에 처리액이 수용되는 처리액 공급원 및 상기 처리액 탱크 및 상기 처리액 노즐을 연결하는 처리액 공급 라인을 더 포함하되, 상기 양이온 공급 라인은 상기 처리액 공급 라인에 연결될 수 있다. 상기 액 공급 유닛은 내부에 처리액이 수용되는 처리액 공급원 및 상기 처리액 탱크 및 상기 처리액 노즐을 연결하는 처리액 공급 라인을 더 포함하되, 상기 처리액 노즐은 제1유로에 연결되는 제1토출구 및 제2유로에 연결되는 제2토출구를 가지는 노즐 바디를 포함하되, 상기 제1유로 및 상기 제2유로는 서로 독립된 유로로 제공되며, 상기 처리액 공급 라인은 상기 제1유로에 연결되고, 상기 양이온 공급 라인은 상기 제2유로에 연결될 수 있다. Wherein the liquid supply unit further includes a processing liquid supply source in which a processing liquid is received, and a processing liquid supply line connecting the processing liquid tank and the processing liquid nozzle, wherein the cation supply line can be connected to the processing liquid supply line have. Wherein the liquid supply unit further includes a treatment liquid supply source for containing a treatment liquid therein and a treatment liquid supply line for connecting the treatment liquid tank and the treatment liquid nozzle, And a nozzle body having a discharge port and a second discharge port connected to the second flow path, wherein the first flow path and the second flow path are provided in mutually independent flow paths, the processing liquid supply line is connected to the first flow path, The cation supply line may be connected to the second flow path.

기판을 액 처리하는 방법으로는 처리액 노즐이 상기 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계 및 린스액 노즐이 상기 기판 상에 린스액을 공급하는 린스액 공급 단계를 포함하되, 상기 처리액 공급 단계에는 상기 처리액 노즐이 상기 처리액과 양전하 이온수를 함께 공급하고, 상기 린스액 공급 단계에는 상기 기판 상에 상기 양전하 이온수로부터 분리된 음전하 이온수를 공급할 수 있다. As a method of performing the liquid processing on the substrate, a process liquid supply step of supplying the process liquid onto the substrate by the process liquid nozzle and a rinse liquid supply process of supplying the rinse liquid onto the substrate, In the supply step, the treatment liquid nozzle supplies the treatment liquid and the positive ionized water together, and in the rinse liquid supply step, the negative ion water separated from the positive ionized water can be supplied onto the substrate.

상기 린스액 공급 단계는 상기 기판 상에 상기 음전하 이온수를 공급하기 전에 린스액을 공급할 수 있다. 상기 처리액 및 상기 양전하 이온수는 상기 처리액 노즐로 제공되는 중에 혼합될 수 있다. 상기 처리액 및 상기 양전하 이온수 각각은 상기 처리액 노즐의 서로 상이한 토출구를 통해 상기 기판으로 공급될 수 있다. 상기 처리액은 식각액을 포함할 수 있다. 상기 린스액은 순수를 포함하고, 상기 양전하 이온수 및 상기 음전하 이온수는 상기 순수로부터 분해된 이온수로 제공될 수 있다. The rinsing liquid supplying step may supply the rinsing liquid before supplying the negative ionized water onto the substrate. The treatment liquid and the positive ionized water may be mixed while being supplied to the treatment liquid nozzle. Each of the treatment liquid and the positive ionized water may be supplied to the substrate through different discharge ports of the treatment liquid nozzle. The treatment liquid may include an etchant. The rinse liquid may include pure water, and the positive ion water and the negative ion water may be provided as decomposed ion water from the pure water.

본 발명의 실시예에 의하면, 식각액에 양전하 이온수를 혼합하여 기판 상에 공급한다. 이에 따라 식각률을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the positive ionic water is mixed with the etchant and supplied onto the substrate. Accordingly, the etching rate can be improved.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 양전하 이온수와 함께 생성되는 음전하 이온수를 사용하여 기판을 세정 처리한다. 이에 따라 식각 처리된 기판에 대해 세정률을 향상시킬 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, the substrate is cleaned by using the negative ionized water generated together with the positive ionized water. As a result, the cleaning rate can be improved for the etched substrate.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치에서 린스 처리 공정을 수행하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 3의 액 공급 부재를 보여주는 단면도이다.
도 6 내지 도 8은 도 5의 액 공급 부재를 이용하여 처리액 및 린스액을 공급하는 과정을 보여주는 도면들이다.
도 9는 도 3의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 10은 도 5의 처리액 노즐의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a view showing a process of performing a rinsing process in a general substrate processing apparatus.
2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG.
FIG. 4 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG. 3. FIG.
5 is a cross-sectional view showing the liquid supply member of Fig.
FIGS. 6 to 8 are views showing a process of supplying the treatment liquid and the rinse liquid using the liquid supply member of FIG.
9 is a flowchart showing a process of processing a substrate using the substrate processing apparatus of FIG.
10 is a cross-sectional view showing another embodiment of the treatment liquid nozzle of FIG. 5;

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 실시예에는 기판 상에 형성된 박막을 케미칼 처리 및 린스 처리하여 식각 처리하는 공정을 일 예로 설명한다. 그러나 본 실시예는 식각 공정에 한정되지 않고, 세정 공정, 애싱 공정, 현상 공정 등과 같이, 처리액을 이용한 기판 처리 공정에서 다양하게 적용 가능하다. 또한 본 실시예에는 기판 상에 형성된 질화 실리콘막(Si₃N₄)을 인산(H₃PO₄)과 같은 케미칼로 식각 처리하는 것을 일 예로 설명한다. 그러나 기판의 박막 및 케미칼의 종류는 이에 한정되지 않는다.In this embodiment, a process of etching and treating a thin film formed on a substrate with a chemical treatment and a rinsing treatment will be described as an example. However, the present embodiment is not limited to the etching process, and can be variously applied to a substrate processing process using a processing solution, such as a cleaning process, an ashing process, and a developing process. In this embodiment, a silicon nitride film (Si ₃ N ₄ ) formed on a substrate is etched with a chemical such as phosphoric acid (H ₃ PO ₄ ). However, the type of the thin film and the chemical of the substrate is not limited thereto.

이하, 도 2 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2 to FIG.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다. 도 2를 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10 and a process processing module 20. The index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. The direction in which the load port 120, the transfer frame 140 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 Direction is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드 포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is seated in the load port 140. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the process module 20 and the like. A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 130 for accommodating the substrates W horizontally with respect to the paper surface. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버들(260)이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버들(260)은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정 챔버들(260)이 제공된다. 공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버들(260)이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on both sides of the transfer chamber 240, respectively. At one side and the other side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. A plurality of process chambers 260 are provided at one side of the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B. Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ In the buffer unit 220, a slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced along the third direction 16 from each other. The buffer unit 220 is opened on the side facing the transfer frame 140 and on the side facing the transfer chamber 240.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 130 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 130 and another portion of the index arms 144c from the carrier 130 to the processing module 20, ). &Lt; / RTI > This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암들(244c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16.

공정 챔버(260)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버들(260)은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치들(300)은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.The process chamber 260 is provided with a substrate processing apparatus 300 that performs a cleaning process on the substrate W. The substrate processing apparatus 300 may have a different structure depending on the type of the cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. The process chambers 260 may be divided into a plurality of groups so that the substrate processing apparatuses 300 in the process chambers 260 belonging to the same group are identical to one another, The structures of the processing apparatus 300 may be provided differently from each other.

도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 4는 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 스핀 헤드(340), 승강 유닛(360), 그리고 액 공급 유닛(380)을 포함한다. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 2, and FIG. 4 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG. 3 and 4, the substrate processing apparatus 300 includes a processing vessel 320, a spin head 340, a lift unit 360, and a liquid supply unit 380.

처리 용기(320)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 처리 용기(320)은 내부회수통(322) 및 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 스핀 헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측 공간(322a) 및 내부 회수통(322)은 내부 회수통(322)으로 처리액이 유입되는 제1유입구(322a)로서 기능한다. 내부 회수통(322)과 외부 회수통(326)의 사이 공간(326a)은 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 제2유입구(326a)로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구(322a,326a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,326)의 저면 아래에는 회수 라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,326)에 유입된 처리액들은 회수 라인(322b,326b)을 통해 외부의 처리액재생시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.The processing vessel 320 has a cylindrical shape with an open top. The processing vessel 320 has an inner recovery cylinder 322 and an outer recovery cylinder 326. [ Each of the recovery cylinders 322 and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery cylinder 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340 and the outer recovery cylinder 326 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery cylinder 326. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the inner recovery cylinder 322 function as a first inlet 322a through which the process liquid flows into the inner recovery cylinder 322. [ The space 326a between the inner recovery cylinder 322 and the outer recovery cylinder 326 functions as a second inlet 326a through which the process liquid flows into the outer recovery cylinder 326. [ According to one example, each inlet 322a, 326a may be positioned at a different height from each other. Collection lines 322b and 326b are connected under the bottom of each of the collection bins 322 and 326. The treatment liquids flowing into the respective recovery cylinders 322 and 326 can be supplied to an external treatment liquid regeneration system (not shown) through the recovery lines 322b and 326b and can be reused.

스핀 헤드(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀 헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 구동부(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다.The spin head 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The spin head 340 has a body 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has a top surface that is generally circular when viewed from the top. A supporting shaft 348 rotatable by a driving unit 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342. [

지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are spaced apart from the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342. The support pins 344 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 344 support the rear edge of the substrate W such that the substrate W is spaced from the upper surface of the body 342 by a predetermined distance.

척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.A plurality of the chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the body 342 than the support pin 344. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally displaced in place when the spin head 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided to allow linear movement between the standby position and the support position along the radial direction of the body 342. The standby position is a distance from the center of the body 342 relative to the support position. The chuck pin 346 is positioned in the standby position when the substrate W is loaded or unloaded onto the spin head 340 and the chuck pin 346 is positioned in the supporting position when the substrate W is being processed. At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate W.

승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀 헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀 헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The elevating unit 360 moves the processing vessel 320 linearly in the vertical direction. As the processing vessel 320 is moved up and down, the relative height of the processing vessel 320 to the spin head 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the housing 320 and the bracket 362 is fixedly coupled to the moving shaft 364 which is moved up and down by the actuator 366. The housing 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes to the upper portion of the housing 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the spin head 340. When the process is performed, the height of the housing 320 is adjusted so that the treatment liquid can be introduced into the predetermined collection container 360 according to the type of the treatment liquid supplied to the substrate W. Alternatively, the lifting unit 360 can move the spin head 340 in the vertical direction.

액 공급 유닛(380, 390, 400)은 기판(W) 상으로 다양한 종류의 액들을 공급한다. 액 공급 유닛(380, 390, 400)은 처리액 토출 부재(380), 린스액 토출 부재(390), 그리고 액 공급 부재(400)를 포함한다. 처리액 토출 부재(380)는 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 처리액 토출 부재(380)는 노즐 이동 부재(381) 및 처리액 노즐(399)을 포함한다. 노즐 이동 부재(381)는 처리액 노즐(399)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 처리액 노즐(399)이 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 처리액 노즐(399)이 공정 위치를 벗어난 위치이다. 노즐 이동 부재(381)는 회전축(386), 구동기(388), 그리고 지지 아암(382)을 포함한다. 회전축(386)은 처리 용기(320)의 일측에 위치된다. 회전축(386)은 그 길이방향이 제3방향(16)을 향하는 로드 형상을 가진다. 회전축(386)은 구동기(388)에 의해 회전 가능하다. 회전축(386)은 구동기(388)로부터 제공되는 구동력에 의해 그 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 지지 아암(382)은 처리액 노즐(399)과 회전축(386)을 연결한다. 회전축(386)이 회전됨에 따라 지지 아암(382) 및 처리액 노즐(399)은 회전축(386)의 중심축을 중심으로 회전된다. The liquid supply units 380, 390, and 400 supply various kinds of liquids onto the substrate W. The liquid supply units 380, 390 and 400 include a process liquid supply member 380, a rinsing liquid supply member 390 and a liquid supply member 400. The treatment liquid supply member 380 supplies the treatment liquid onto the substrate W. [ The treatment liquid discharge member 380 includes a nozzle moving member 381 and a treatment liquid nozzle 399. The nozzle moving member 381 moves the process liquid nozzle 399 to the process position and the standby position. Here, the process position is the position where the process liquid nozzle 399 is opposed to the substrate W supported on the substrate support unit 340, and the standby position is the position where the process liquid nozzle 399 is out of the process position. The nozzle moving member 381 includes a rotary shaft 386, a driver 388, and a support arm 382. The rotary shaft 386 is positioned on one side of the processing vessel 320. The rotary shaft 386 has a rod shape whose longitudinal direction faces the third direction 16. The rotary shaft 386 is rotatable by a driver 388. The rotary shaft 386 is rotatable about its central axis by a driving force provided from a driver 388. The support arm 382 connects the treatment liquid nozzle 399 and the rotation shaft 386. As the rotary shaft 386 rotates, the supporting arm 382 and the process liquid nozzle 399 are rotated about the central axis of the rotary shaft 386.

지지 아암(382)은 그 길이방향이 제3방향과 수직한 수평 방향을 향하는 로드 형상으로 제공된다. 지지 아암(382)의 일단은 회전축(386)의 상단에 고정 결합된다. 지지 아암(382)은 타단이 회전축(386)과 결합된 일단을 중심으로 회전 가능하다. 일 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 지지 아암(382)의 타단이 이동되는 경로는 기판(W)의 중앙 영역을 지나도록 제공될 수 있다. 지지 아암(382)의 타단에는 처리액 노즐(399)이 결합된다. 따라서 처리액 노즐(399)은 회전축(386) 및 지지 아암(382)이 회전됨에 따라 공정 위치와 대기 위치로 이동 가능하다.The support arm 382 is provided in a rod shape whose longitudinal direction is directed to a horizontal direction perpendicular to the third direction. One end of the support arm 382 is fixedly coupled to the upper end of the rotation shaft 386. The support arm 382 is rotatable about one end coupled to the rotation shaft 386 at the other end. According to one example, the path through which the other end of the support arm 382 is moved, as viewed from the top, may be provided to pass through the central region of the substrate W. [ A treatment liquid nozzle 399 is coupled to the other end of the support arm 382. Therefore, the treatment liquid nozzle 399 is movable to the process position and the standby position as the rotation shaft 386 and the support arm 382 are rotated.

린스액 토출 부재(390)는 기판 상에 린스액을 공급한다. 린스액 토출 부재(390)는 처리 용기(320)를 사이에 두고 처리액 토출 부재(380)와 대향되게 위치될 수 있다. 린스액 토출 부재(390)는 처리액 토출 부재(380)와 동일한 형상을 가지도록 제공된다. 따라서 린스액 토출 부재(390)에 대한 자세한 설명은 생략한다. 선택적으로 린스액 토출 부재(390)의 린스액 노즐(399)은 처리 용기(320)의 상단에 고정 결합되어 그 위치가 고정될 수 있다.The rinsing liquid supply member 390 supplies the rinsing liquid onto the substrate. The rinsing liquid discharge member 390 can be positioned so as to face the treatment liquid discharge member 380 with the treatment container 320 interposed therebetween. The rinsing liquid discharge member 390 is provided so as to have the same shape as the process liquid discharge member 380. Therefore, a detailed description of the rinsing liquid discharge member 390 will be omitted. Optionally, the rinsing liquid nozzle 399 of the rinsing liquid discharge member 390 may be fixedly coupled to the upper end of the processing vessel 320 and its position may be fixed.

예컨대, 처리액은 케미칼일 수 있다. 처리액은 불산(HF), 황산(H₂SO₄), 그리고 인산(H₃PO₄)과 같은 강산의 식각액일 수 있다. 린스액은 순수(H₂O)일 수 있다.For example, the treatment liquid may be a chemical. The treatment liquid may be an etching solution of strong acid such as hydrofluoric acid (HF), sulfuric acid (H ₂ SO ₄ ), and phosphoric acid (H ₃ PO ₄ ). The rinse liquid may be pure (H ₂ O).

액 공급 부재(400)는 처리액 노즐(389) 및 린스액 노즐(399) 각각에 액을 공급한다. 액 공급 부재(400)는 처리액 노즐(389)에 처리액 및 양전하 이온수를 공급하고, 린스액 노즐(399)에 린스액 및 음전하 이온수를 공급한다. 도 5는 도 3의 액 공급 부재를 보여주는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 액 공급 부재(400)는 이온수 생성 부재(410), 순수 공급원(430), 케미칼 공급원(440), 그리고 전해질 공급원(450)을 포함한다. The liquid supply member 400 supplies liquid to the process liquid nozzle 389 and the rinse liquid nozzle 399, respectively. The liquid supply member 400 supplies a treatment liquid and a positive ionized water to the treatment liquid nozzle 389, and supplies a rinse liquid and a negative ionized water to the rinse liquid nozzle 399. 5 is a cross-sectional view showing the liquid supply member of Fig. 5, the liquid supply member 400 includes an ion generating member 410, a pure water supply source 430, a chemical supply source 440, and an electrolyte supply source 450.

이온수 생성 부재(410)는 순수 공급원(430)으로부터 제공된 순수를 전기 분해한다. 이온수 생성 부재(410)는 순수로부터 전해 이온수를 생성한다. 이온수 생성 부재(410)는 순수로부터 양전하 이온수 및 음전하 이온수를 생성한다. 이온수 생성 부재(410)는 하우징(420), 판 플레이트(412), 제1전극(414), 그리고 제2전극(416)을 포함한다. 하우징(420)은 내부에 용액이 전기 분해되는 공간을 제공한다. 하우징(420)은 통 형상을 가지도록 제공된다. 하우징(420)의 내부에는 양전하 이온수 및 음전하 이온수가 각각 생성되는 복수 개의 공간들이 형성된다. 하우징(420)의 내부 공간은 판 플레이트(412)에 의해 복수의 공간들로 구획된다. 판 플레이트(412)는 하우징(420)의 길이방향과 수직한 방향을 따라 배열된다. 일 예에 의하면, 판 플레이트(412)는 2 개로 제공되며, 하우징(420)의 내부 공간은 3 개의 구획 공간을 가질 수 있다. 3 개의 구획 공간은 중간실(424) 및 2 개의 이온수 생성실(424,426)로 제공될 수 있다. 여기서 이온수 생성실(424,426)은 중간실(424)의 양측에 각각 위치될 수 있다. 중간실(424)의 일측은 음전하 이온수 생성실(424)로 제공되고, 타측은 양전하 이온수 생성실(426)로 제공될 수 있다. 판 플레이트(412)는 복수의 홀들이 형성된 판 형상으로 제공된다. 따라서 각 구획 공간은 홀들을 통해 서로 통하도록 제공된다. The ionized water generating member 410 electrolyzes the pure water supplied from the pure water supply source 430. The ionized water producing member 410 generates electrolytic ionized water from pure water. The ion generating member 410 generates positive and negative ionized water from pure water. The ionized water generating member 410 includes a housing 420, a plate plate 412, a first electrode 414, and a second electrode 416. The housing 420 provides a space in which the solution is electrolyzed. The housing 420 is provided so as to have a cylindrical shape. A plurality of spaces are formed in the housing 420 to generate positive and negative ion water, respectively. The inner space of the housing 420 is partitioned into a plurality of spaces by the plate plate 412. The plate plates 412 are arranged along a direction perpendicular to the longitudinal direction of the housing 420. According to one example, the plate plate 412 is provided in two, and the inner space of the housing 420 can have three compartment spaces. Three compartment spaces may be provided in the intermediate chamber 424 and in the two ionized water producing chambers 424 and 426. [ Here, the ionized water producing chambers 424 and 426 may be positioned on both sides of the intermediate chamber 424, respectively. One side of the intermediate chamber 424 may be provided in the negative ionized water producing chamber 424 and the other side may be provided in the positive charged ionized water producing chamber 426. The plate plate 412 is provided in a plate shape in which a plurality of holes are formed. Thus, each compartment space is provided to communicate with each other through the holes.

제1전극(414)은 음전하 이온수 생성실(424)에 위치되고, 제2전극(416)은 양전하 이온수 생성실(426)에 위치된다. 제1전극(414)은 마이너스 전압이 인가된 전극으로 제공되며, 제2전극(416)은 플러스 전압이 인가된 전극으로 제공된다. 제1전극(414)은 음전하 이온수 생성실(424)에서 그 위치가 고정되고, 제2전극(416)은 양전하 이온수 생성실(426)에서 그 위치가 고정된다. The first electrode 414 is located in the negative ionized water producing chamber 424 and the second electrode 416 is located in the positive ionized water producing chamber 426. The first electrode 414 is provided as an electrode to which a negative voltage is applied, and the second electrode 416 is provided to an electrode to which a positive voltage is applied. The position of the first electrode 414 is fixed in the negative ionized water producing chamber 424 and the position of the second electrode 416 is fixed in the positive ionized water producing chamber 426.

순수 공급원(430)은 이온수 생성 부재(410) 및 린스액 노즐(399) 각각에 순수를 공급한다. 순수 공급원(430)과 린스액 노즐(399)은 린스액 공급 라인(432)에 의해 서로 연결된다. 음이온 공급 라인(434)은 린스액 공급 라인(432)으로부터 분기되게 제공된다. 순수 공급원(430)은 음이온 공급 라인(434)을 통해 순수를 이온수 생성 부재(410)에 공급한다. 순수 공급원(430)으로부터 제공되는 순수는 음전하 이온수 생성실(424) 및 양전하 이온수 생성실(426) 각각에 공급된다. 음전하 이온수 생성실(424)에서 생성된 음전하 이온수는 음이온 공급 라인(434)을 통해 린스액 공급 라인(432)으로 제공된다. 일 예에 의하면, 음이온 공급 라인(434)은 린스액 공급 라인(432)을 바이패스하도록 제공될 수 있다.The pure water supply source 430 supplies pure water to each of the ion generating member 410 and the rinsing liquid nozzle 399. The pure water supply source 430 and the rinsing liquid nozzle 399 are connected to each other by a rinsing liquid supply line 432. The negative ion supply line 434 is provided to branch off from the rinse liquid supply line 432. [ The pure water supply source 430 supplies pure water to the ionized water producing member 410 through the anion supply line 434. Pure water supplied from the pure water supply source 430 is supplied to the negative ionized water producing chamber 424 and the positive ionized water producing chamber 426, respectively. The negative ionized water generated in the negative ionized water producing chamber 424 is supplied to the rinse liquid supply line 432 through the negative ion supply line 434. According to one example, the negative ion supply line 434 may be provided to bypass the rinse liquid supply line 432.

케미칼 공급원(440)은 처리액 노즐(389)에 케미칼을 공급한다. 케미칼 공급원(440)과 처리액 노즐(389)은 처리액 공급 라인(442)에 의해 서로 연결된다. 양전하 이온수 생성실(426)에서 생성된 양전하 이온수는 양이온 공급 라인(444)을 통해 처리액 공급 라인(442)으로 제공된다.The chemical source 440 supplies the chemical to the process liquid nozzle 389. The chemical supply source 440 and the process liquid nozzle 389 are connected to each other by the process liquid supply line 442. The positive ionized water generated in the positive ionized water producing chamber 426 is supplied to the treatment liquid supply line 442 through the cation supply line 444. [

전해질 공급원(450)은 이온수 생성 부재(410)의 중간실(424)에 전해질 용액을 공급한다. 예컨대, 전해질 용액은 암모니아(NH₃), 황산(H₂SO₄), 그리고 염산(HCl)일 수 있다. 중간실(424)에서 사용된 전해질 용액은 드레인될 수 있다.The electrolyte supply source 450 supplies the electrolyte solution to the intermediate chamber 424 of the ionized water producing member 410. For example, the electrolyte solution may be ammonia (NH ₃ ), sulfuric acid (H ₂ SO ₄ ), and hydrochloric acid (HCl). The electrolyte solution used in the intermediate chamber 424 can be drained.

다음은 이온수 생성 부재(410)에 의해 순수로부터 전해 이온수를 생성되는 과정을 설명한다. 본 실시예에는 전해질 용액으로 수산화 암모늄(NH₄OH)이 사용되는 경우를 예로 들어 설명한다. 중간실(424)에 수산화 암모늄(NH₄OH)이 공급되고, 양전하 이온수 생성실(426) 및 음전하 이온수 생성실(424) 각각에는 순수가 공급된다. 수산화 암모늄(NH₄OH)의 양이온인 수소 이온(H⁺), 암모늄 이온(NH₄ ⁺)은 중간실(424)에서 마이너스 전압이 인가된 제1전극(414)에 의해 음전하 이온수 생성실(424)로 이동된다. 수소 이온(H⁺)은 제1전극(414)에 의해 전자를 공급받아 수소(H₂)로 환원된다. 이에 따라 음전하 이온수 생성실(424)에는 수소 이온(H⁺)이 감소되고, 수산화 이온(OH^-)가 잔류되어 염기성 성질을 띠는 음전하 이온수가 생성된다. Next, a process of generating electrolytic ion water from pure water by the ionized water generating member 410 will be described. In this embodiment, ammonium hydroxide (NH ₄ OH) is used as an electrolyte solution. Ammonium hydroxide (NH ₄ OH) is supplied to the intermediate chamber 424, and pure water is supplied to each of the positive ionized water producing chamber 426 and the negative charged ionized water producing chamber 424. Hydrogen ions (H ⁺ ) and ammonium ions (NH ₄ ⁺ ), which are cations of ammonium hydroxide (NH ₄ OH), are introduced into the negative ionized water producing chamber 424 by the first electrode 414 to which a negative voltage is applied in the intermediate chamber 424 . The hydrogen ions (H ⁺ ) are supplied with electrons by the first electrode 414 and reduced to hydrogen (H ₂ ). As a result, the hydrogen ion (H ⁺ ) is reduced and the hydroxide ion (OH ^- ) remains in the negative ionized water producing chamber 424 to produce negative ionized water having a basic property.

또한 양전하 이온수 생성실(426)로 이동되는 음이온은 제2전극(416)에 의해 전자를 빼앗기면서 물과 산소로 산화된다. 이에 따라 양전하 이온수 생성실(426)에는 양전하를 띠는 수소 이온(H⁺)의 양이 음전하를 띠는 수산화 이온(OH^-)보다 상대적으로 증가되어 산성 성질을 띠는 양전하 이온수가 생성된다. In addition, the negative ions moved to the positive ionized water producing chamber 426 are oxidized with water and oxygen while the second electrode 416 deprives electrons. As a result, the amount of positive hydrogen ion (H ⁺ ) increases in the positive ionized water producing chamber 426 relative to the negatively charged hydroxide ion (OH ^- ), resulting in positive ionized water having acidic properties.

다음은 상술한 기판 처리 장치(300)를 이용하여 기판(W)을 식각 처리하는 과정을 설명한다. 도 6 내지 도 8은 도 5의 액 공급 부재를 이용하여 처리액 및 린스액을 공급하는 과정을 보여주는 도면들이고, 도 9는 도 3의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다. 도 6 내지 도 9를 참조하면, 식각 처리 공정은 크게 처리액 공급 단계 및 린스액 공급 단계를 포함한다. 처리액 공급 단계에는 처리액 노즐(389)이 공정 위치로 이동된다. 처리액 노즐(389)에는 처리액 공급 라인(442) 및 양이온 공급 라인(444)을 통해 처리액과 양전하 이온수가 함께 공급된다. 처리액과 양전하 이온수는 처리액 공급 라인(442)에서 인라인 믹싱(Inline mixing)되어 기판 상에 공급된다. Next, a process of etching the substrate W using the above-described substrate processing apparatus 300 will be described. 6 to 8 are views showing a process of supplying a process liquid and a rinsing liquid using the liquid supply member of FIG. 5, and FIG. 9 is a flowchart showing a process of processing a substrate by using the substrate processing apparatus of FIG. to be. 6 to 9, the etching treatment process largely includes a process liquid supply step and a rinse liquid supply step. In the process liquid supply step, the process liquid nozzle 389 is moved to the process position. The treatment liquid nozzle 389 is supplied with the treatment liquid and the positive ionized water through the treatment liquid supply line 442 and the cation supply line 444 together. The treatment liquid and the positive ionized water are inline mixed in the treatment liquid supply line 442 and supplied onto the substrate.

처리액 공급 단계가 완료되면, 린스액 공급 단계가 수행된다. 린스액 공급 단계는 1차 린스 단계 및 2차 린스 단계를 포함한다. 1차 린스 단계에는 린스액 공급원에 저장된 순수를 린스액 노즐(399)에 직접 공급하고, 2차 린스 단계에는 이온수 생성 부재(410)에 의해 생성된 음전하 이온수를 린스액 노즐(399)로 공급한다. 따라서 기판 상에 잔류된 산성 성질의 파티클에 대한 세정력을 향상시킬 수 있다.When the process liquid supply step is completed, the rinsing liquid supply step is performed. The rinsing liquid supply step includes a first rinsing step and a second rinsing step. In the first rinsing step, the pure water stored in the rinsing liquid supply source is directly supplied to the rinsing liquid nozzle 399, and in the second rinsing step, the negative ionized water generated by the ion generating member 410 is supplied to the rinsing liquid nozzle 399 . Therefore, the detergency against acidic particles remaining on the substrate can be improved.

상술한 실시예에는 양전하 이온수가 처리액 공급 라인(442)에서 인라인 믹싱되는 것으로 설명하였다. 그러나 도 10과 같이, 처리액 노즐(389)에는 제1토출구 및 제2토출구가 형성되고, 그 내부에는 제1토출구에 연결되는 제1유로 및 제2토출구에 연결되는 제2유로가 형성될 수 있다. 제1유로 및 제2유로는 서로 독립된 유로로 제공될 수 있다. 제1유로에는 처리액 공급 라인(442)이 연결되고, 제2유로에는 양이온 공급 라인(444)이 연결될 수 있다. 따라서 처리액 및 양전하 이온수는 처리액 노즐(389)로부터 토출된 이후에 혼합되고, 인라인 믹싱되는 중에 버블이 발생되는 것을 방지할 수 있다.In the above-described embodiment, positive ionized water is described as being in-line mixed in the treatment liquid supply line 442. However, as shown in FIG. 10, the treatment liquid nozzle 389 is provided with a first discharge port and a second discharge port, and a first flow path connected to the first discharge port and a second flow path connected to the second discharge port may be formed therein have. The first flow path and the second flow path may be provided in mutually independent flow paths. A treatment liquid supply line 442 may be connected to the first flow path, and a cation supply line 444 may be connected to the second flow path. Therefore, the treatment liquid and the positive ionized water are mixed after being discharged from the treatment liquid nozzle 389, and it is possible to prevent bubbles from being generated during inline mixing.

389: 처리액 노즐 399: 린스액 노즐
410: 이온수 생성 부재 420: 하우징
432: 린스액 공급 라인 434: 음이온 공급 라인
442: 처리액 공급 라인 444: 양이온 공급 라인389: Treatment liquid nozzle 399: Rinse liquid nozzle
410: ionized water producing member 420: housing
432: rinsing liquid supply line 434: negative ion supply line
442: Treatment liquid supply line 444: Cation supply line

Claims

A substrate supporting unit for supporting the substrate;
A processing liquid discharge member having a processing liquid nozzle for supplying a processing liquid onto a substrate supported by the substrate supporting unit;
A rinsing liquid discharge member having a rinsing liquid nozzle for supplying a rinsing liquid onto a substrate supported by the substrate supporting unit;
And a ionized water generating member for supplying electrolytic ionized water to the liquid supply unit,
Wherein the ionized water generating member comprises:
A housing having an inner space in which negative charged ion water and positive charged ion water are respectively generated;
A cation supply line connecting the housing and the treatment liquid nozzle so that the positive ionized water is supplied to the treatment liquid nozzle;
And an anion supply line connecting the housing and the rinsing liquid nozzle so that the negative ionized water is supplied to the rinsing liquid nozzle.

The method according to claim 1,
The liquid supply unit includes:
A treatment liquid supply source in which a treatment liquid is contained;
Further comprising a processing liquid supply line connecting the processing liquid tank and the processing liquid nozzle,
And the cation supply line is connected to the processing liquid supply line.

The method according to claim 1,
The liquid supply unit includes:
A treatment liquid supply source in which a treatment liquid is contained;
Further comprising a processing liquid supply line connecting the processing liquid tank and the processing liquid nozzle,
The treatment liquid nozzle
A nozzle body having a first discharge port connected to the first flow path and a second discharge port connected to the second flow path,
Wherein the first flow path and the second flow path are provided in mutually independent flow paths,
Wherein the treatment liquid supply line is connected to the first flow path, and the cation supply line is connected to the second flow path.

A method for liquid processing a substrate,
A process liquid supply step of supplying a process liquid onto the substrate by the process liquid nozzle;
And a rinsing liquid nozzle supplying the rinsing liquid onto the substrate,
Wherein the process liquid supply step supplies the process liquid and the positive ionized water together,
Wherein the rinse solution supplying step supplies negative ion water separated from the positive ionized water onto the substrate.

5. The method of claim 4,
Wherein the rinsing liquid supplying step includes supplying a rinsing liquid to the substrate before supplying the negative ionized water to the substrate,

The method according to claim 4 or 5,
Wherein the treatment liquid and the positive ionized water are mixed while being supplied to the treatment liquid nozzle.

The method according to claim 4 or 5,
Wherein each of the treatment liquid and the positive ionized water is supplied to the substrate through different discharge ports of the treatment liquid nozzle.

The method according to claim 4 or 5,
Wherein the treatment liquid comprises an etching liquid.

9. The method of claim 8,
Wherein the rinse liquid comprises pure water,
Wherein the positive ionized water and the negatively charged ionized water are provided as decomposed ionized water from the pure water.