KR20140095032A - Method for producing door plate and door plate produced by the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 도어 플레이트의 제조방법에 관한 것이고, 구체적으로 진공 챔버에서 사용되어 도어 플레이트의 내구성을 향상시키면서 이와 동시에 밀폐 기능이 향상될 수 있도록 하는 도어 플레이트의 제조방법에 관한 것이다. 도어 플레이트의 제조방법은 실 플레이트와 접촉하는 한쪽 표면의 평탄도(flatness)를 결정하는 단계; 조도가 조절된 표면의 적어도 일부를 아노다이징(anodizing)을 하는 단계; 및 아노다이징에 된 표면에 연마 공정(polishing)을 통하여 조도를 조절하는 단계를 포함한다. The present invention relates to a method of manufacturing a door plate, and more particularly, to a method of manufacturing a door plate that can be used in a vacuum chamber to improve the durability of the door plate and at the same time improve the sealing function. A method of manufacturing a door plate includes determining a flatness of one surface in contact with a seal plate; Anodizing at least a portion of the illuminated surface; And adjusting the roughness by polishing the surface subjected to anodizing.
Description
본 발명은 도어 플레이트의 제조방법 및 그에 의하여 제조된 도어 플레이트에 관한 것이고, 구체적으로 진공 챔버에서 사용되어 도어 플레이트의 내구성을 향상시키면서 이와 동시에 밀폐 기능이 향상될 수 있도록 하는 도어 플레이트의 제조방법 및 그에 의하여 제조된 도어 플레이트에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing a door plate and a door plate manufactured thereby, and more particularly, to a method of manufacturing a door plate, which can improve the durability of a door plate and at the same time, To the door plate.
미세 입자에 의한 작동 불량을 방지하기 위한 정밀 기기와 관련된 공정은 진공 챔버에서 진행될 수 있다. 또한 화학 약품 또는 다른 위험한 물질이 공정 과정에서 사용되는 예를 들어 반도체 웨이퍼와 관련된 제조 공정도 진공 챔버에서 진행될 수 있다. 진공 챔버에서 진행되는 공정의 경우 예를 들어 웨이퍼에서 요구되는 막을 증착하는 공정에서 플라즈마가 사용될 수 있다. 구체적으로 플라즈마에 의한 증착 공정을 위하여 중앙에 트랜스퍼 챔버(Transfer Chamber)와 트랜스퍼 챔버 주위에 배치되는 공정 챔버(Process Chamber)로 이루어진 멀티 챔버가 사용될 수 있다. 공정 챔버에서 플라즈마에 의하여 웨이퍼에 증착막이 형성되고 그리고 트랜스퍼 챔버에서 가공이 되어야 할 웨이퍼와 가공이 완료된 웨이퍼의 로딩 및 언-로딩이 이루어질 수 있다. 트랜스퍼 챔버로부터 공정 챔버로 또는 그 역으로 웨이퍼가 이송이 되는 과정에서 각 챔버의 게이트가 개폐가 되어야 한다. 그리고 게이트가 닫힌 경우 게이트가 완전히 실링이 될 필요가 있다. 이와 같이 게이트의 실링을 위하여 실 플레이트(sealing plate) 및 도어 플레이트가 사용된다. Processes associated with precision instruments to prevent malfunctions due to fine particles can proceed in a vacuum chamber. Also, for example, manufacturing processes associated with semiconductor wafers in which chemicals or other hazardous materials are used in the process can also be conducted in a vacuum chamber. In the case of a process proceeding in a vacuum chamber, for example, a plasma may be used in the process of depositing a film required in a wafer. Specifically, a multi chamber including a transfer chamber and a process chamber disposed around the transfer chamber may be used for the plasma deposition process. The deposition film is formed on the wafer by the plasma in the process chamber and the wafer to be processed in the transfer chamber and the processed and unloaded wafer can be performed. The gate of each chamber must be opened or closed in the process of transferring the wafer from the transfer chamber to the process chamber or vice versa. When the gate is closed, the gate needs to be completely sealed. Thus, a sealing plate and a door plate are used for sealing the gate.
도어 플레이트에 의하여 게이트를 진공 상태로 밀폐하기 위하여 오-링과 같은 밀폐 링이 사용될 수 있다. 밀폐 링은 일반적으로 도어 플레이트가 진공 챔버와 접하는 내부 표면에 형성되고 도어 플레이트에 가해지는 압력에 의하여 밀폐 링이 실 플레이드의 표면에 압착이 되면서 게이트를 밀폐시킨다. 이와 같은 경우 밀폐 링의 내부 영역에서 실 플레이트와 도어 플레이트 사이에 작은 틈이 형성될 수 있고 이로 인하여 웨이퍼 증착 과정에서 플라즈마가 사용되면 플라즈마가 도어 플레이트의 밀폐 링과 접촉될 수 있다. 이로 인하여 오-링과 같은 밀폐 링이 손상될 수 있어 도어 플레이트의 수명을 단축시킨다. A sealing ring, such as an o-ring, may be used to seal the gate in a vacuum state by the door plate. The sealing ring is generally formed on the inner surface of the door plate in contact with the vacuum chamber, and the sealing ring is pressed against the surface of the seal plate by the pressure applied to the door plate to seal the gate. In this case, a small gap may be formed between the seal plate and the door plate in the inner region of the sealing ring, so that the plasma can be brought into contact with the sealing ring of the door plate when the plasma is used in the wafer deposition process. This can damage the sealing ring, such as the o-ring, thereby shortening the life of the door plate.
플라즈마에 의한 오링의 손상을 방지하기 위한 선행기술로 특허공개번호 제2008-0073465호가 있다. 상기 선행기술은 웨이퍼가 로딩/언-로딩이 되는 통로인 게이트 도어의 오링 손상이 보다 지연되도록 함으로써 사용 수명이 연장될 수 있도록 하여 설비의 보다 경제적인 유지 관리가 가능하도록 하는 플라즈마 처리 장치용 게이트 도어의 실링 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이와 같은 목적을 위항 상기 선행기술은 플라즈마를 이용하여 공정이 수행되는 공정 챔버와; 상기 공정 챔버로의 웨이퍼 로딩/언-로딩을 수행하는 트랜스퍼 챔버와; 상기 공정 챔버와 트랜스퍼 챔버 사이에서 로딩/언-로딩이 되는 웨이퍼의 슬릿 게이트를 차폐하도록 구비되는 게이트 도어와; 상기 게이트 도어에는 상기 공정 챔버 측 슬릿 게이트의 외주연부에 밀착이 되도록 일측면에는 오링이 결합되고, 상기 오링이 삽입되는 링 홀의 일측에는 바깥측으로 홈이 연장되도록 하여 상기 오링의 탈착을 위한 탈착 홈을 형성하는 플라즈마 처리 장치용 게이트 도어의 실링 장치에 대하여 개시하고 있다. Patent Publication No. 2008-0073465 discloses a prior art for preventing the damage of the O-ring by the plasma. The prior art described above can delay the O-ring damage of the gate door, which is the passage through which the wafer is loaded / unloaded, thereby extending the useful life, thereby enabling a more economical maintenance of the facility. And to provide a sealing apparatus for the same. For this purpose, the prior art includes a process chamber in which a process is performed using plasma; A transfer chamber for performing wafer loading / unloading into the process chamber; A gate door configured to shield a slit gate of the wafer being loaded / unloaded between the process chamber and the transfer chamber; And an O-ring is coupled to one side of the gate door so as to be in close contact with an outer circumferential edge of the slit gate on the side of the process chamber, and a groove is extended to one side of the ring hole into which the O- And a sealing device for a gate door for a plasma processing apparatus.
플라즈마에 의한 오링의 손상을 방지하기 위한 다른 선행기술로 특허등록번호 제0970443호 ‘반도체 제조장비의 게이트도어 진공 실링장치’가 있다. 상기 선행기술은 챔버의 게이트를 폐쇄하는 도어 플레이트의 일면에 압착시 형태 변형이 가능하며 종래의 오링보다 낮은 높이로 이루어진 본디드 오링을 설치하고, 실 플레이트의 일면에는 플라즈마가 본디드 오링에 직접 접하는 것을 방지할 수 있는 차단 링을 본디드 오링의 내측에 위치하도록 설치함으로써 도어 플레이트와 실 플레이트 간의 간격을 5~8 ㎜의 수준으로 유지하여 고주파 RF 파워를 인가할 경우에도 플라즈마 누설이 증가하거나 바이어스 전압이 급격히 떨어지는 것을 방지할 수 있게 한 반도체 제조장비의 게이트 도어 진공 실링 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이와 같은 목적을 위하여 상기 선행기술은 웨이퍼가 로딩되어 플라즈마 처리 공정이 이루어지는 챔버; 상기 챔버의 입구를 이루며 웨이퍼가 로딩이 되는 게이트를 이루도록 중앙이 관통된 판으로서 도어 플레이트를 향하는 면에 상기 게이트의 둘레를 따라 안쪽으로 일정 깊이 파인 차단 링 홈이 형성되고, 상기 도어 플레이트를 향하는 면 외부로 일정 부분 돌출되어 상기 차단 링 홈에 결합되는 차단 링을 포함하는 실 플레이트; 상기 실 플레이트의 전면에 놓여 게이트를 밀폐시키는 판으로서 상기 실 플레이트를 향하는 면의 외곽부에 걸쳐 오링 홈이 형성된 도어 플레이트; 및 상기 오링 홈에 설치되며 압착시 가해지는 압력을 도어 플레이트 전면으로 고르게 분산시켜 상기 실 플레이트와 도어 플레이트의 간격을 밀착시키는 본디드 오링을 포함하는 반도체 제조장비의 게이트 도어 진공 실링 장치에 대하여 개시하고 있다. Another prior art for preventing damage to the O-ring by the plasma is Patent Registration No. 0970443, 'Gate door vacuum sealing device of semiconductor manufacturing equipment'. In the prior art, a bonded O-ring having a height lower than that of a conventional O-ring is provided on one surface of a door plate that closes the chamber, and a plasma is provided on one surface of the O- The distance between the door plate and the seal plate is maintained at a level of 5 to 8 mm, so that even when RF RF power is applied, the plasma leakage increases or the bias voltage And to provide a gate door vacuum sealing apparatus of a semiconductor manufacturing equipment capable of preventing a sudden drop of the gate door. For this purpose, the prior art includes a chamber in which a wafer is loaded and a plasma processing process is performed; A plate having a center through which the wafer is to be loaded and forming an inlet of the chamber, a blocking ring groove having a predetermined depth inward along the periphery of the gate is formed on a surface facing the door plate, A seal plate having a blocking ring protruding to a certain extent from the outside to be coupled to the blocking ring groove; A door plate which is placed on the front surface of the seal plate and seals the gate, the seal plate having an O-ring groove formed on the outer surface of the face facing the seal plate; And a bonded O-ring installed in the O-ring groove and uniformly distributing the pressure applied at the time of pressing to the front surface of the door plate so as to closely contact the gap between the seal plate and the door plate, and discloses a gate door vacuum sealing apparatus for semiconductor manufacturing equipment have.
상기 선행기술에서 오링이 탈착이 가능하도록 설치되면 진공도에 영향을 미칠 수 있고 차단 링이 실 플레이트에 형성되면 차단 링 자체가 손상되면 유지 또는 보수가 어렵다는 문제점을 가진다. 다른 한편으로 오-링과 차단 링 사이의 관련성을 적절하게 설정하기 어렵다는 문제점을 가진다. 다른 한편으로 공정 과정에서 도어 플레이트에서 플라즈마에 접촉이 되는 부분은 플라즈마가 가진 전하로 인하여 다양한 형태의 표면 전하의 발생이 유도될 수 있고 이로 인하여 전자기기 장치에 영향을 미칠 수 있으면서 도어 플레이트 자체의 수명을 감소시킬 수 있다. 또한 실 플레이트와 접촉이 되는 도어 플레이트의 진공도 또는 플라즈마의 누설 방지를 위하여 도어 플레이트의 평탄도 또는 거칠기가 조절될 필요가 있다. 그러나 선행기술에 이와 같은 문제점에 대하여 개시하지 않는다. In the prior art, when the O-ring is installed so as to be detachable, it may affect the degree of vacuum. If the blocking ring is formed on the seal plate, it is difficult to maintain or repair the blocking ring when the blocking ring itself is damaged. On the other hand, it is difficult to appropriately set the relation between the O-ring and the blocking ring. On the other hand, the portion of the door plate that is in contact with the plasma in the process step may induce the generation of various types of surface charges due to the charge of the plasma, thereby affecting the electronic device, Can be reduced. Further, it is necessary to adjust the flatness or roughness of the door plate in order to prevent the leakage of the vacuum degree or the plasma of the door plate which is in contact with the seal plate. However, this problem is not disclosed in the prior art.
본 발명은 선행기술이 가진 문제점을 해결하기 위한 것으로 아래와 같은 목적을 가진다. The present invention has been made to solve the problems of the prior art and has the following purpose.
본 발명의 목적은 도어 플레이트의 물리적 특성을 개선하여 내구성이 향상될 수 있도록 하는 도어 플레이트의 제조방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a door plate that improves physical properties of the door plate so that durability can be improved.
본 발명의 다른 목적은 평탄도와 표면 조도가 향상되어 물리적 특성이 향상된 도어 플레이트를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a door plate having improved flatness and surface roughness and improved physical properties.
본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 도어 플레이트의 제조방법은 실 플레이트와 접촉하는 한쪽 표면의 평탄도(flatness)를 결정하는 단계; 조도가 조절된 표면의 적어도 일부를 아노다이징(anodizing)을 하는 단계; 및 아노다이징에 된 표면에 연마 공정(polishing)을 통하여 조도를 조절하는 단계를 포함한다. According to a preferred embodiment of the present invention, a method of manufacturing a door plate includes determining a flatness of one surface in contact with a seal plate; Anodizing at least a portion of the illuminated surface; And adjusting the roughness by polishing the surface subjected to anodizing.
본 발명의 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 연마 공정은 부착성을 향상시키기 위한 샌딩 공정을 포함하고 그리고 다수 개의 단계로 나누어 진행이 된다. According to another preferred embodiment of the present invention, the polishing process includes a sanding process for improving the adhesion and is performed in a plurality of steps.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 진공 챔버에 노출되는 면의 적어도 일부가 아노다이징이 되고 그리고 노출되는 면은 평탄도 및 조도가 각각 100/1000 내지 1/1000 ㎜ 및 0.05 내지 0.5(Ra)가 되는 경면 코팅 층으로 되는 도어 플레이트가 제공된다. According to another preferred embodiment of the present invention, at least a part of the surface exposed to the vacuum chamber is anodized and the exposed surface has a flatness and an illuminance of 100/1000 to 1/1000 mm and 0.05 to 0.5 (Ra) The door plate being a mirror-surface coating layer.
본 발명에 따른 방법은 도어 플레이트의 물리적 특성을 변화시키는 것에 의하여 내구성이 향상되도록 한다는 이점을 가진다. 또한 본 발명에 따른 방법은 아노다이징 공정 또는 연마 공정을 통하여 밀폐성이 향상되도록 하면서 표면 특성이 개선되어 미립자의 부착과 같은 공정 과정에서 발생될 수 있는 오염원이 제거될 수 있도록 한다는 이점을 가진다. The method according to the invention has the advantage that the durability is improved by changing the physical properties of the door plate. In addition, the method according to the present invention has an advantage in that the airtightness is improved through the anodizing process or the polishing process, and the surface characteristics are improved, so that contaminants that may be generated during the process such as the attachment of the fine particles can be removed.
도 1은 본 발명에 따른 방법을 적용을 위한 공정 순서를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 방법에 따라 제조된 도어 플레이트의 실시 예를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따라 제조된 도어 플레이트가 진공 챔버에 적용되는 실시 예를 도시한 것이다. Figure 1 schematically shows the process sequence for applying the method according to the invention.
Figure 2 shows an embodiment of a door plate made according to the method of the present invention.
FIG. 3 shows an embodiment in which a door plate manufactured according to the present invention is applied to a vacuum chamber.
아래에서 본 발명은 첨부된 도면에 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되지만 실시 예는 본 발명의 명확한 이해를 위한 것으로 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 아래의 설명에서 서로 다른 도면에서 동일한 도면 부호를 가지는 구성요소는 유사한 기능을 가지므로 발명의 이해를 위하여 필요하지 않는다면 반복하여 설명이 되지 않으며 공지의 구성요소는 간략하게 설명이 되거나 생략이 되지만 본 발명의 실시 예에서 제외되는 것으로 이해되지 않아야 한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the embodiments shown in the accompanying drawings, but the present invention is not limited thereto. In the following description, components having the same reference numerals in different drawings have similar functions, so that they will not be described repeatedly unless necessary for an understanding of the invention, and the known components will be briefly described or omitted. However, It should not be understood as being excluded from the embodiment of Fig.
도 1은 본 발명에 따른 방법을 적용을 위한 공정 순서를 개략적으로 도시한 것이다.Figure 1 schematically shows the process sequence for applying the method according to the invention.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 도어 플레이트의 제조방법은 실 플레이트와 접촉하는 한쪽 표면의 평탄도(flatness)를 결정하는 단계; 평탄도가 결정된 표면의 적어도 일부를 아노다이징(anodizing)을 하는 단계; 및 아노다이징이 된 표면에 연마 공정(polishing)을 통하여 조도를 조절하는 단계를 포함한다. Referring to FIG. 1, a method of manufacturing a door plate according to the present invention includes: determining a flatness of one surface contacting a seal plate; Anodizing at least a portion of the flatness determined surface; And adjusting the roughness by polishing the anodized surface.
본 발명에 따른 방법에 의하여 제조된 도어 플레이트는 반도체 웨이퍼의 진공 증착을 위한 공정을 포함하여 진공상태에서 공정이 진행되는 모든 진공 챔버에 적용될 수 있다. 도어 플레이트의 형상은 실 플레이트 또는 진공 챔버의 구조에 따라 적절하게 변형이 될 수 있다. 그러므로 본 발명에 따른 제조방법은 제조되는 제품의 종류 또는 공정의 종류에 의하여 제한되지 않는다. The door plate manufactured by the method according to the present invention can be applied to all vacuum chambers in which a process is performed in a vacuum state, including a process for vacuum deposition of a semiconductor wafer. The shape of the door plate may be appropriately deformed depending on the structure of the seal plate or the vacuum chamber. Therefore, the production method according to the present invention is not limited by the kind of the product to be produced or the kind of the process.
도어 플레이트의 제조를 위하여 먼저 주형이 준비되어야 한다(P11). 주형은 아래에서 설명이 되는 것처럼, 전체적으로 직육면체가 되면서 곡면의 모서리를 가진 구조가 될 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 도어 플레이트의 주형은 이 분야에서 공지된 임의이 소재로 만들어질 수 있고 다양한 금속 소재를 이용하여 만들어질 수 있다. A mold must first be prepared for the manufacture of the door plate (P11). The mold may be, but is not limited to, a structure having curved edges as a whole being a cuboid, as described below. The mold of the door plate can be made of any material known in the art and can be made of various metal materials.
주형이 준비되면(P11) 평탄도가 결정될 수 있다(P12). 평탄도(flatness)는 실 플레이트와 접촉하는 표면 또는 진공 챔버와 접촉하는 표면에 대한 접촉면의 균형을 이루기 위한 수준을 말한다. 평탄도는 예를 들어 기계적 절삭 공정을 통하여 결정되거나 또는 샌딩 공정을 통하여 결정될 수 있다. 기계적 절삭 공정을 통하여 평탄도의 결정은 선반 작업을 통한 평탄도의 결정을 포함한다. 또한 샌딩 작업은 예를 들어 그라인더 휠을 통하여 진행될 수 있다. 다른 한편으로 만약 도어 플레이트를 위한 주형이 미리 결정된 범위의 평탄도를 가진다면 평탄도를 결정하기 위한 공정은 진행되지 않을 수 있다. 다만 샌딩 공정은 부착성의 향상을 위하여 진행될 수 있다. 평탄도는 예를 들어 100/1000 내지 1/1000 ㎜의 값을 가질 수 있다. When the mold is ready (P11), the flatness can be determined (P12). Flatness refers to the level at which a contact surface is brought into contact with a surface in contact with the seal plate or with a surface in contact with the vacuum chamber. The flatness can be determined, for example, through a mechanical cutting process or through a sanding process. Determination of the flatness through mechanical cutting involves determining the flatness through the lathe work. The sanding operation can also be carried out, for example, through a grinder wheel. On the other hand, if the mold for the door plate has a predetermined range of flatness, the process for determining the flatness may not proceed. However, the sanding process can be carried out to improve the adhesion. The flatness may have a value of, for example, 100/1000 to 1/1000 mm.
평탄도가 결정되면(P12) 아노다이징 공정이 진행될 수 있다(P13). 아노다이징 공정(anodizing)은 일반적으로 알루미늄 피막을 형성하는 공정을 말하지만 본 발명에 따라 주형의 소재에 따라 다양한 방식으로 아노다이징이 될 수 있다. 예를 들어 아노다이징은 플라즈마 전해산화 피막 처리(Plasma Electrolyzer Coating)와 같은 방법을 포함할 수 있다. 플라즈마 전해산화 피막 처리는 금속의 종류에 대한 제한이 작고 그리고 표면 강도를 강화시킨다는 장점을 가진다. 본 발명에 따른 방법에서 아노다이징은 진공 챔버에서 화학물질 또는 플라즈마와 접촉되는 부분을 기준으로 행해질 수 있다. 예를 들어 아노다이징은 도어 플레이트의 중앙 부분을 기준으로 일정 크기의 둘레 면을 제외하고 전체적으로 행해질 수 있다. 대안으로 별도로 아노다이징이 된 금속판이 부착될 수 있다. 도어 플레이트에 대한 아노다이징은 플라즈마 또는 화학물질에 대하여 접촉이 되는 부분의 내구성을 향상시키면서 이와 동시에 표면 전하의 발생 또는 전달을 방지하기 위한 것이다. 이로 인하여 도어 플레이트 전체 내구성이 향상될 수 있으면서 전기적으로 안정된 구조가 되도록 한다. When the flatness is determined (P12), the anodizing process may proceed (P13). The anodizing process generally refers to a process for forming an aluminum film, but it can be anodized in various ways depending on the material of the mold according to the present invention. For example, anodizing may include a method such as plasma electrolytic oxide coating (Plasma Electrolyzer Coating). The plasma electrolytic oxidation film treatment has an advantage that the limitation on the kind of the metal is small and the surface strength is strengthened. In the process according to the invention, the anodizing can be carried out on the basis of the portion in contact with the chemical or plasma in the vacuum chamber. For example, the anodizing can be performed entirely with the exception of the circumferential surface of a certain size based on the central portion of the door plate. Alternatively, an anodized metal plate may be attached. The anodizing of the door plate is intended to improve the durability of the portion to be contacted with the plasma or chemical substance while at the same time preventing the generation or transfer of the surface charge. This makes it possible to improve the durability of the entire door plate while maintaining an electrically stable structure.
아노다이징은 예를 들어 경질 아노다이징(hard anodizing)과 같이 금속의 표면에 전기 화학적 방법을 적용시켜 금속 표면의 경도, 내식성, 내마모성 또는 전기 절연성과 같은 기능적 특성을 증가시키는 방법으로 이루어질 수 있다. 경질 아노다이징에 의하여 합금 성분에 따라 적절하게 두께가 조절될 수 있고 예를 들어 아노다이징의 두께는 5 내지 200 ㎛가 될 수 있다. 예를 들어 아노다이징은 알루미늄이 될 수 있고 경질 아노다이징에 의하여 알루미나 세라믹 형태의 피막이 형성될 수 있다. 아노다이징 또는 경질 아노다이징은 이 분야에서 공지된 방법에 따라 이루어질 수 있다. Anodizing can be accomplished by applying electrochemical methods to the surface of a metal, such as for example hard anodizing, to increase functional properties such as hardness, corrosion resistance, abrasion resistance or electrical insulation of the metal surface. The thickness can be appropriately adjusted according to the alloy component by hard anodizing, and for example, the thickness of the anodizing can be 5 to 200 mu m. For example, the anodizing can be aluminum and the hard anodizing can form a coating in the form of alumina ceramics. Anodizing or hard anodizing may be performed according to methods known in the art.
아노다이징 공정이 완료되면(P13) 연마 공정이 진행될 수 있다(P14). 연마 공정(polishing)은 표면 조도를 결정하기 위한 공정으로 연마제를 이용하여 진행될 수 있고 다수 개의 공정으로 나누어 진행될 수 있다. 연마제는 다이아몬드, 장석, 석영 또는 활석과 같은 천연 연마재가 사용되거나 또는 탄화규소, 탄화붕소, 탄화티탄, 탄화텅스텐 또는 질화 금속과 같은 것이 사용될 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 연마를 위하여 연마재는 증류수 또는 알코올과 같은 용매에 입자 형태로 분산이 될 수 있고 예를 들어 평균 직경이 100 ㎚ 내지 100 ㎛가 되될 수 있다. 연마는 다수 단계로 나누어 진행될 수 있고 각각의 단계에서 연마재의 직경이 조절될 수 있다. 다른 한편으로 각각의 단계에서 사용되는 연마재의 강도가 조절될 수 있다. 구체적으로 연마는 3 내지 5 단계로 나누어 진행될 수 있고 각각의 단계에서 샌딩 공정을 통하여 부착성을 향상시키면서 연마 공정이 진행될 수 있다. 연마 공정이 통하여 조도(RA)가 조절되어 최종적으로 0.05 내지 0.5(Ra)의 조도(roughness)가 되도록 조절될 수 있고 경면 코팅 층을 형성하게 된다. 연마는 다양한 공정으로 진행될 수 있고 본 발명은 제시된 실시 예에 제한되지 않는다. When the anodizing process is completed (P13), the polishing process can proceed (P14). Polishing is a process for determining surface roughness, which can be carried out using an abrasive and can be carried out in a plurality of processes. The abrasive may be a natural abrasive such as diamond, feldspar, quartz or talc, or may be used, but not limited to, silicon carbide, boron carbide, titanium carbide, tungsten carbide or metal nitride. For grinding, the abrasive may be dispersed in the form of particles in a solvent such as distilled water or alcohol and may have an average diameter of 100 nm to 100 탆, for example. Polishing can be carried out in multiple steps and the diameter of the abrasive can be controlled at each step. On the other hand, the strength of the abrasive used in each step can be controlled. Specifically, the polishing may be performed in three to five steps, and the polishing process may be performed while improving the adhesion through the sanding process at each step. The roughness (RA) is controlled through the polishing process so that the final roughness is 0.05 to 0.5 (Ra) to form a mirror coating layer. Polishing can be carried out in various processes and the present invention is not limited to the embodiments shown.
연마 공정이 완료되면(P14) 밀폐 링의 형성을 위한 공정이 진행될 수 있다(P15). 밀폐 링은 오-링(O-ring) 구조로 본딩 홈을 형성하여 만들어질 수 있고 중앙 부분을 둘러싸는 환형의 테두리 형상으로 만들어질 수 있다. 밀폐 링은 예를 들어 전체적으로 원형의 단면을 가질 수 있고 반원 형을 가지는 본딩 홈에 삽입이 되는 방법으로 만들어질 수 있다. 이로 인하여 반원이 단면이 표면 위로 돌출될 수 있다. 밀폐 링은 불소 고무 계열의 퍼플로오르카본(Perfluorocarbons:FFKM) 고무와 같은 소재로 만들어질 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 또한 본딩 홈은 형성하는 공정은 평탄도가 결정된(P12), 아노다이징 공정이 완료된(P13) 후또는 연마 공정이 완료된(P15) 이후와 같이 임의의 단계에서 진행될 수 있다. 다만 밀폐 링은 연마 공정이 완료되고 부착될 수 있다. 다양한 형상 및 구조로 밀폐 링이 형성될 수 있고 본 발명은 제시된 실시 예에 제한되지 않는다. When the polishing process is completed (P14), the process for forming the sealing ring can proceed (P15). The sealing ring can be formed by forming a bonding groove with an O-ring structure and can be formed into an annular rim shape surrounding the central portion. The sealing ring can be made, for example, in such a way that it has an overall circular cross section and is inserted into a bonding groove having a semicircular shape. This allows the semicircle to protrude above the surface. The sealing ring may be made of a material such as perfluorocarbons (FFKM) rubber of the fluororubber type, but is not limited thereto. Further, the process of forming the bonding grooves may be performed at any stage such as after the planarity is determined (P12), after the anodizing process is completed (P13), or after the polishing process is completed (P15). However, the sealing ring can be completed and attached to the polishing process. The sealing ring can be formed in various shapes and structures, and the present invention is not limited to the embodiments shown.
밀폐 링이 형성되면 본 발명에 따른 도어 플레이트가 완성되고 성능 검사가 될 수 있다(P16). 아래에서 본 발명에 따라 제조된 도어 플레이트에 대하여 설명된다. When the sealing ring is formed, the door plate according to the present invention is completed and the performance test can be performed (P16). A door plate manufactured according to the present invention will be described below.
도 2는 본 발명의 방법에 따라 제조된 도어 플레이트의 실시 예를 도시한 것이다. Figure 2 shows an embodiment of a door plate made according to the method of the present invention.
도 2를 참조하면 본 발명에 따라 제조된 도어 플레이트(20)는 중앙 부분에 형성된 밀폐 면(22), 밀폐 면(22)을 둘러싸고 있는 접촉 면(21) 및 밀폐 면(22)과 접촉 면(21)의 경계에 형성된 오-링 또는 밀폐 링(23)으로 이루어질 수 있다. 접촉 면(21)은 실 플레이트 또는 진공 챔버의 둘레 면과 접촉이 될 수 있고 그리고 밀폐 면(22)은 실 플레이트 또는 진공 챔버에 형성되어 웨이퍼가 이동하는 통로가 되는 게이트 홀을 차단시키는 기능을 가질 수 있다. 그리고 밀폐 링(23)은 실 플레이트와 접촉하여 외부의 공기의 유입을 차단하여 진공 챔버 내의 진공 상태가 유지될 수 있도록 한다. 2, the
밀폐 면(22)은 진공 챔버 내에서 발생되는 플라즈마 또는 화학물질에 노출이 될 수 있고 접촉면(21)에 비하여 빠르게 손상이 될 수 있다. 다른 한편으로 진공 챔버 내에서 발생되는 다양한 미립자가 부착될 수 있다. 본 발명에 따르면, 밀폐 면(22)은 아노다이징이 되면서 이와 동시에 연마가 되어 경면(mirror surface) 코팅이 될 수 있다. 이로 인하여 플라즈마 또는 화학 물질에 의한 손상이 감소되면 이와 동시에 미립자의 부착이 방지될 수 있도록 한다. 다른 한편으로 이와 같은 코팅 층의 절연성으로 인하여 관련 장치의 전기적 작동 오류가 방지될 수 있도록 한다. 아노다이징 또는 연마 공정은 접촉면(21)과 밀폐 면(22) 전체에 대하여 이루어지거나 또는 밀폐 면(22)에 대해서만 이루어질 수 있다. 다만 평탄도는 전체에 대하여 이루어지는 것이 유리하다. The sealing
본 발명에 따른 제조 방법에 의하여 다양한 구조를 가지는 도어 플레이트가 제조될 수 있고 본 발명은 제시된 실시 예에 제한되지 않는다. Door plates having various structures can be manufactured by the manufacturing method according to the present invention, and the present invention is not limited to the embodiments shown.
아래에서 본 발명에 따라 제조된 도어 플레이트가 도어 챔버에 적용 예에 대하여 설명된다. A door plate manufactured in accordance with the present invention will be described below with reference to an application example to a door chamber.
도 3은 본 발명에 따라 제조된 도어 플레이트가 진공 챔버에 적용되는 실시 예를 도시한 것이다. FIG. 3 shows an embodiment in which a door plate manufactured according to the present invention is applied to a vacuum chamber.
도 3을 참조하면, 도어 플레이트(20)는 진공 챔버(PM)에 형성된 실 플레이트(30)에 접촉되어 웨이퍼의 공정 과정에서 진공 챔버(PM)를 밀폐시킬 수 있다. 도어 플레이트(20)에 밀폐 링(23)이 형성되어 외부로부터 공기 유입이 방지될 수 있고 도어 플레이트(20)는 실린더(C)에 의하여 작동될 수 있다. 필요에 따라 실 플레이트((30)에 차단 링(31)이 형성될 수 있다. 차단 링(31)은 밀폐 링(23)과 동일 또는 유사한 소재로 만들어질 수 있고 예를 들어 불소 고무 계통의 퍼플로오르카본(Perfluorocarbons:FFKM) 고무와 같은 소재로 만들어질 수 있다. 대안으로 차단 링(31)은 예를 들어 테프론(tefron)과 같은 불소 수지로 만들어지거나 또는 불소 수지로 코팅이 될 수 있다. 구체적으로 차단 링(31)은 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE), 테트라 플루오르에틸렌-헥사플루오르프로필렌 공중합체(FEP), 테트라 플루오르에틸렌-페르플루오르 알킬비닐에테르 공중합체(PEA) 또는 폴리불화비닐라덴(PVDF)와 같은 불소 수지로 형성되거나 또는 코팅이 될 수 있다. 차단 링(31)은 접착성이 작고, 난연성이 우수하고, 마찰 계수가 작거나 또는 흡수성이 낮은 소재로 만들어질 수 있다. 차단 링(31)은 공정 과정에서 플라즈마 또는 화학물질이 밀폐 링(23)에 접촉이 되는 것을 방지하기 위하여 설치될 수 있다. 차단 링(31)은 밀폐 링(23)과 유사한 구조로 설치될 수 있지만 밀폐 링(23)에 비하여 작은 높이 또는 작은 반지름을 가질 수 있다. 예를 들어 차단 링(31)은 밀폐 링(23)의 반지름의 0.8 내지0.98배가 될 수 있지만 이에 제한되지 않는다. Referring to FIG. 3, the
웨이퍼가 게이트 홀(32)을 통하여 진공 챔버(PM) 내로 유입이 되면 실린더(C)의 작동에 의하여 도어 플레이트(20)가 실 플레이트(30)에 결합될 수 있고 진공 챔버(PM)가 진공 상태로 만들어질 수 있다. 밀폐 링(23)에 의하여 외부 공기의 유입이 방지될 수 있다. 공정 과정에서 발생되는 플라즈마 또는 화학물질은 도어 플레이트(20)에 접촉이 될 수 있다. 도어 플레이트(20)는 위에서 설명을 한 것처럼 경면 코팅이 될 수 있고 이로 인하여 도어 플레이트(20)의 손상이 방지되면서 이물질의 부착이 방지될 수 있다. 다른 한편으로 플라즈마 또는 화학물질은 차단 링(31)에 의하여 차단될 수 있고 이로 인하여 밀폐 링(23)의 손상이 방지될 수 있다. When the wafer is introduced into the vacuum chamber PM through the
제시된 실시 예는 예시적인 것으로 다양한 방법으로 도어 플레이트(20)는 진공 챔버(PM)의 개폐를 위하여 사용될 수 있다. The illustrated embodiment is illustrative and the
본 발명에 따른 방법은 도어 플레이트의 물리적 특성을 변화시키는 것에 의하여 내구성이 향상되도록 한다는 이점을 가진다. 또한 본 발명에 따른 방법은 아노다이징 공정 또는 연마 공정을 통하여 밀폐성이 향상되도록 하면서 표면 특성이 개선되어 미립자의 부착과 같은 공정 과정에서 발생될 수 있는 오염원이 제거될 수 있도록 한다는 이점을 가진다. The method according to the invention has the advantage that the durability is improved by changing the physical properties of the door plate. In addition, the method according to the present invention has an advantage in that the airtightness is improved through the anodizing process or the polishing process, and the surface characteristics are improved, so that contaminants that may be generated during the process such as the attachment of the fine particles can be removed.
위에서 본 발명은 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되었지만 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 제시된 실시 예를 참조하여 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형 및 수정 발명을 만들 수 있을 것이다. 본 발명은 이와 같은 변형 및 수정 발명에 의하여 제한되지 않으며 다만 아래에 첨부된 청구범위에 의하여 제한된다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention . The invention is not limited by these variations and modifications, but is limited only by the claims appended hereto.
20: 도어 플레이트 21: 접촉 면
22: 밀폐 면 23: 밀폐 링
30: 실 플레이트 31: 차단 링
32: 게이트 홀20: door plate 21: contact surface
22: sealing face 23: sealing ring
30: yarn plate 31: blocking ring
32: gate hole
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| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20150908 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20150415 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I Patent event date: 20141128 Comment text: Final Notice of Reason for Refusal Patent event code: PE06011S02I Patent event date: 20140429 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |