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KR20130142844A - Semiconductor manufacturing apparatus having variable transferring paths and in-line system having the same - Google Patents

Semiconductor manufacturing apparatus having variable transferring paths and in-line system having the same Download PDF

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KR20130142844A
KR20130142844A KR1020120066420A KR20120066420A KR20130142844A KR 20130142844 A KR20130142844 A KR 20130142844A KR 1020120066420 A KR1020120066420 A KR 1020120066420A KR 20120066420 A KR20120066420 A KR 20120066420A KR 20130142844 A KR20130142844 A KR 20130142844A
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KR
South Korea
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transfer
port
chamber
path
transfer path
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Application number
KR1020120066420A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
안성일
이병우
방정민
Original Assignee
주식회사 원익아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 원익아이피에스 filed Critical 주식회사 원익아이피에스
Priority to KR1020120066420A priority Critical patent/KR20130142844A/en
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Abstract

다양한 이송 경로를 갖는 반도체 제조 장치 및 이를 포함하는 인라인 시스템으로서, 반도체 제조 장치는 마주하는 양 측벽에 일측 포트 및 타측 포트를 구비하는 진공 처리 공간, 상기 일측 포트로부터 인입되어 상기 타측 포트로 제 1 부재를 전달하는 제 1 이송 경로, 상기 타측 포트로부터 인입되어 분기 노드를 거쳐 상기 일측 포트로 제 2 부재 및 제 4 부재를 전달하는 제 2 이송 경로, 및 상기 제 2 이송 경로상의 상기 분기 노드로부터 상기 제 2 이송 경로와 소정 각도를 갖는 방향으로 제 3 부재를 전달하는 제 3 이송 경로를 포함한다. A semiconductor manufacturing apparatus having various transfer paths and an inline system including the same, wherein the semiconductor manufacturing apparatus includes a vacuum processing space having one side port and the other port on opposite sidewalls, and a first member drawn from the one side port to the other port. A first transfer path for transmitting a second transfer path, which is drawn from the other port and transfers a second member and a fourth member to the one port through a branch node, and the first node from the branch node on the second transfer path; And a third conveying path for delivering the third member in a direction having a predetermined angle with the second conveying path.

Figure P1020120066420
Figure P1020120066420

Description

다양한 이송 경로를 갖는 반도체 제조 장치 및 이를 포함하는 인라인 시스템{Semiconductor Manufacturing Apparatus Having variable transferring paths and In-line System Having The Same}Semiconductor Manufacturing Apparatus Having Variable Transfer Paths and In-line System Having The Same}

본 발명은 반도체 제조 장치 및 이를 포함하는 인라인 시스템에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 디스플레이 제조 장치 및 이를 포함하는 디스플레이 제조 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and an inline system including the same, and more particularly to a display manufacturing apparatus and a display manufacturing system including the same.

반도체 소자 및 디스플레이 소자는 다양한 박막들이 적층되어 구성된다. 다양한 박막은 다양한 소스를 제공하는 처리 장치에서 형성될 수 있으며, 이러한 처리 장치들은 다양한 기능을 갖는 다른 처리 장치들과 함께 시스템을 구성한다. The semiconductor device and the display device are configured by stacking various thin films. Various thin films can be formed in a processing device that provides a variety of sources, and these processing devices make up the system along with other processing devices having various functions.

현재 OLED와 같은 디스플레이 소자를 형성하는 시스템은 얼라인 챔버, 프로세스 챔버 및 마스크 교체 챔버 등이 선형으로 배치되는 인라인(in-line) 형태가 주로 채용되고 있다. Currently, a system for forming a display device such as an OLED is mainly adopted in an in-line form in which an alignment chamber, a process chamber, and a mask replacement chamber are linearly disposed.

한편, 디스플레이 제조 시스템은 대형 기판을 처리하도록 구성됨에 따라, 대형 기판을 수용 및 이송할 수 있는 크기 및 설치 면적이 요구된다. 그러므로, 가능한 한 최소의 사이즈로서, 최대의 기능을 실현할 것이 요구된다. On the other hand, as display manufacturing systems are configured to process large substrates, they require a size and footprint to accommodate and transport large substrates. Therefore, it is required to realize the maximum function with the smallest possible size.

본 발명은 한정된 공간내에서 다양한 부재를 다양한 경로로 이동시킬 수 있는 반도체 제조 장치 및 이를 포함하는 인라인 시스템을 제공하는 것이다. The present invention provides a semiconductor manufacturing apparatus capable of moving various members in various paths within a limited space and an inline system including the same.

본 실시예 따른 반도체 제조 장치는, 마주하는 양 측벽에 일측 포트 및 타측 포트를 구비하는 진공 처리 공간, 상기 일측 포트로부터 인입되어 상기 타측 포트로 제 1 부재를 전달하는 제 1 이송 경로, 상기 타측 포트로부터 인입되어 분기 노드를 거쳐 상기 일측 포트로 회송되는 제 2 부재를 전달하는 제 2 이송 경로, 및 상기 분기 노드로부터 상기 제 2 이송 경로와 소정 각도를 갖는 방향으로 제 3 부재를 전달하는 제 3 이송 경로를 포함하도록 구성된다.The semiconductor manufacturing apparatus according to the present embodiment includes a vacuum processing space having one side port and the other port on opposite sidewalls, a first transfer path that enters from the one port and transfers the first member to the other port, and the other port. A second transfer path for transferring a second member drawn in from the branch node and returned to the one port through a branch node; and a third transfer for transferring a third member from the branch node in a direction having a predetermined angle with the second transfer path. It is configured to include a path.

본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 일측벽에 위치하는 제 1 및 제 2 포트, 상기 일 측벽과 마주하는 타 측벽에 위치하는 제 3 및 제 4 포트를 구비하는 챔버, 상기 제 1 포트로부터 순차적으로 인입되는 복수의 제 1 부재를 상기 제 3 포트로 순차 전달하는 제 1 이송 유닛, 상기 제 4 포트에서 분기 노드까지 상기 제 1 부재와 상이한 제 2 부재를 전달하는 제 2 이송 유닛, 및 상기 분기 노드로부터 상기 제 2 부재의 일부에 해당하는 제 3 부재를 상기 제 2 부재의 전달 방향과 상이한 방향으로 전달하는 제 3 이송 유닛을 포함한다. A semiconductor manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention includes a chamber having first and second ports positioned on one side wall and third and fourth ports positioned on the other side wall facing the one side wall. A first transfer unit for sequentially transferring a plurality of first members sequentially introduced from a port to the third port, a second transfer unit for transferring a second member different from the first member from the fourth port to a branch node, And a third transfer unit configured to transfer a third member corresponding to a part of the second member from the branch node in a direction different from that of the second member.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 인라인 시스템은, 제 1 기능 챔버, 상기 제 1 기능 챔버로부터 복수의 제 1 부재를 순차적으로 이송받는 트랜스퍼 챔버, 및 상기 트랜스퍼 챔버에 진입된 상기 제 1 부재를 제공받는 제 2 기능 챔버를 포함하며, 상기 트랜스퍼 챔버는 상기 제 1 부재를 상기 제 2 기능 챔버로 전달하기 위한 제 1 이송 경로, 상기 제 2 기능 챔버로부터 회송되는 제 2 부재를 상기 제 1 기능 챔버로 전달하는 제 2 이송 경로, 및 상기 제 2 이송 경로로부터 파생되는 제 3 이송 경로를 갖도록 구성된다.
In addition, the in-line system according to another embodiment of the present invention, a first functional chamber, a transfer chamber to sequentially transfer a plurality of first members from the first functional chamber, and the first member entered into the transfer chamber And a second functional chamber provided, wherein the transfer chamber includes a first transfer path for transferring the first member to the second functional chamber, and a second member returned from the second functional chamber to the first functional chamber. And a third transfer path for transferring to the second transfer path and a third transfer path derived from the second transfer path.

본 실시예에서 제시된 챔버는 하나의 챔버 공간내에 기판과 같은 부재를 적어도 3방향으로 이송할 수 있다. 그러므로, 한정된 공간내에서 다수의 부재를 이송할 수 있으므로, 다수의 트랜스퍼 챔버가 요구되지 않는다. The chambers presented in this embodiment can transport members, such as substrates, in at least three directions within one chamber space. Therefore, a large number of transfer chambers can be transferred in a limited space, so that a large number of transfer chambers are not required.

또한, 본 실시예의 챔버는 부재의 이송 속도를 탄력적으로 제어할 수 있어, 프로세스 챔버의 소스 공급 낭비를 줄일 수 있다. In addition, the chamber of the present embodiment can flexibly control the conveying speed of the member, thereby reducing the source supply waste of the process chamber.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버를 포함하는 반도체 제조 장치의 개략적인 사시도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예 따른 챔버 내부의 부재 이송 경로를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 챔버 내부를 보여주는 단면도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 이송 유닛을 제어하는 제어 블록을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 인라인 시스템의 사시도이다.
1 is a schematic perspective view of a semiconductor manufacturing apparatus including a chamber according to an embodiment of the present invention.
2A is a cross-sectional view illustrating a member transfer path inside a chamber according to an embodiment of the present invention.
Figure 2b is a cross-sectional view showing the interior of the chamber according to another embodiment of the present invention.
3 and 4 schematically show a control block for controlling a first transfer unit according to an embodiment of the present invention.
5 is a perspective view of an inline system according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다. 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. The dimensions and relative sizes of layers and regions in the figures may be exaggerated for clarity of illustration. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 개략적인 챔버의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예 따른 챔버 내부의 부재 이송 경로를 설명하기 위한 단면도이다. 1 is a perspective view of a schematic chamber according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view for explaining a member transfer path inside the chamber according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2a를 참조하면, 챔버(100)는 제 1 이송 경로(a), 제 2 이송 경로(b) 및 제 3 이송 경로(c)를 가질 수 있다. 1 and 2A, the chamber 100 may have a first transport path a, a second transport path b, and a third transport path c.

상기 챔버(100)는 일측 포트(G1) 및 타측 포트(G2)를 가질 수 있다. 일측 포트(G1) 및 타측 포트(G2)를 통해 기판 또는 마스크와 같은 처리 부재의 이송이 이루어질 수 있으며, 이들은 챔버(100)의 마주하는 양 측벽에 각각 위치될 수 있다. 일측 포트(G1) 및 타측 포트(G2)와 연통되어 상기 챔버(100)의 외부에 다른 기능의 챔버(도시되지 않음)가 위치될 수 있다. 본 실시예의 챔버(100)는 다른 기능의 챔버들 사이에 위치되는 트랜스퍼(transfer) 챔버일 수 있다.The chamber 100 may have one port G1 and the other port G2. Transfer of a processing member such as a substrate or a mask may be performed through one port G1 and the other port G2, which may be located on opposite side walls of the chamber 100, respectively. In communication with one port G1 and the other port G2, a chamber (not shown) having another function may be located outside the chamber 100. The chamber 100 of this embodiment may be a transfer chamber located between chambers of different functions.

일측 포트(G1)는 제 1 포트(G11) 및 제 2 포트(G12)를 포함할 수 있으며, 제 1 및 제 2 포트(G11,G12) 중 어느 하나는 처리 부재가 인입되는 인입 포트가 되고, 다른 하나는 처리 부재가 인출되는 인출 포트가 될 수 있다. 타측 포트(G2) 또한 제 3 포트(G21) 및 제 4 포트(G22)를 포함할 수 있으며, 제 3 및 제 4 포트(G21,G22) 중 어느 하나는 처리 부재가 인입되는 인입 포트가 되고, 다른 하나는 처리 부재가 인출되는 인출 포트가 될 수 있다. 본 실시예에서는, 제 1 및 제 4 포트(G11,G22)가 인입 포트가 되고, 제 2 및 제 3 포트(G12,G22)가 인출 포트가 되는 경우를 예를 들어 설명할 것이다. 또한, 본 실시예의 챔버(100)는 측부 포트(G3)를 포함할 수 있다. 측부 포트(G3)는 일측 및 타측 포트(G1,G2)가 위치되는 마주하는 양 측벽간을 연결하는 연장면들 중 어느 하나에 설치될 수 있다. One side port G1 may include a first port G11 and a second port G12, and any one of the first and second ports G11 and G12 may be an inlet port through which the processing member is introduced. The other can be a withdrawal port through which the treatment member is withdrawn. The other port G2 may also include a third port G21 and a fourth port G22, and any one of the third and fourth ports G21 and G22 may be an inlet port through which the processing member is introduced. The other can be a withdrawal port through which the treatment member is withdrawn. In the present embodiment, a case will be described in which the first and fourth ports G11 and G22 are the inlet ports, and the second and third ports G12 and G22 are the outgoing ports. In addition, the chamber 100 of the present embodiment may include a side port G3. The side port G3 may be installed on any one of the extension surfaces connecting the opposite sidewalls on which the one side and the other side ports G1 and G2 are located.

일측 포트(G1), 타측 포트(G2) 및 측부 포트(G3)의 개폐는 제 1 내지 제 4 이송 유닛(112,122,250,280)과 연동하여 제어 블록(도시되지 않음)에 의해 제어될 수 있다. 또한, 챔버(100) 내부는 진공 펌프(도시되지 않음)에 의해 진공이 유지될 수 있다. Opening and closing of the one side port G1, the other side port G2, and the side port G3 may be controlled by a control block (not shown) in conjunction with the first to fourth transfer units 112, 122, 250, and 280. In addition, the chamber 100 may be maintained in a vacuum by a vacuum pump (not shown).

여기서, 상기 제 1 이송 경로(a)는 예를 들어, 제 1 포트(G11)에서 제 3 포트(G21)까지의 경로일 수 있으며, 도면의 x 방향 즉, 챔버(100) 바닥면과 실질적으로 평행할 수 있다. 또한, 제 1 포트(G11)와 제 3 포트(G21)는 서로 다른 평면상에 위치되어, 제 1 이송 경로(a)가 단차진 형태로 구성될 수도 있다. Here, the first transport path (a) may be, for example, a path from the first port G11 to the third port G21, and substantially in the x direction of the drawing, that is, the bottom surface of the chamber 100. May be parallel. In addition, the first port G11 and the third port G21 may be located on different planes, such that the first transport path a may have a stepped shape.

제 2 이송 경로(b)는 제 4 포트(G22)에서 제 1 포트(G1)까지의 귀환 경로일 수 있으며, 상기 x 방향과 비병렬(antiparallel)한 방향(도면의 - x 방향)과 평행할 수 있다.  The second conveying path b may be a return path from the fourth port G22 to the first port G1 and may be parallel to the direction antiparallel with the x direction (-x direction in the drawing). Can be.

제 2 이송 경로(b)는 제 1 이송 경로(a)와 제 1 높이(H1)만큼의 차를 가질 수 있다. 도 2a에서는 제 2 이송 경로(b)가 제 1 이송 경로(a)의 상부에 위치하는 경우에 대해 도시하였지만, 제 2 이송 경로(b)가 제 1 이송 경로(a)의 하부에 위치할 수도 있음은 물론이다. 이에 따라, 챔버(100) 내부는 제 1 이송 경로(a)가 형성되는 영역 및 제 2 및 제 3 이송 경로(b,c)가 형성되는 영역으로 상하 구분될 수 있다. The second conveyance path b may have a difference by the first conveyance path a and the first height H1. In FIG. 2A, the second conveying path b is illustrated in the upper portion of the first conveying path a, but the second conveying path b may be located below the first conveying path a. Of course. Accordingly, the inside of the chamber 100 may be divided into a top and bottom area in which a first transfer path a is formed and a region in which second and third transfer paths b and c are formed.

또한, 도 2b에 도시된 바와 같이, 챔버(100)은 제 1 이송 경로(a)가 형성되는 제 1 서브 챔버(100-1) 및 제 2 이송 경로(b)가 형성되는 제 2 서브 챔버(100-2)가 적층되어 구성될 수 있음은 물론이다. In addition, as shown in FIG. 2B, the chamber 100 includes a first subchamber 100-1 in which a first transport path a is formed and a second subchamber in which a second transport path b is formed. Of course, the 100-2) may be stacked.

제 2 이송 경로(b)는 실질적으로 제 1 서브 이송 경로(b1) 및 제 2 서브 이송 경로(b2)로 분리될 수 있다. 제 1 서브 이송 경로(b1)는 제 4 포트(G22)에서 분기 노드(N)까지의 경로이고, 제 2 서브 이송 경로(b2)는 상기 분기 노드(N)로부터 제 2 포트(G12)까지의 경로이다. 여기서, 분기 노드(N)는 제 2 이송 경로(b)상에 위치하는 노드이다.The second conveying path b may be substantially divided into a first sub conveying path b1 and a second sub conveying path b2. The first sub transport path b1 is a path from the fourth port G22 to the branch node N, and the second sub transport path b2 is a path from the branch node N to the second port G12. Path. Here, the branch node N is a node located on the second conveyance path b.

이때, 제 2 부재(120)는 제 2 이송 유닛(122)에 의해 제 1 서브 이송 경로(b1)로 이송될 수 있다. In this case, the second member 120 may be transferred to the first sub transfer path b1 by the second transfer unit 122.

제 3 이송 경로(c)는 제 2 이송 경로(b)로부터 파생, 분기되는 경로이다. 즉, 제 3 이송 경로(c)는 분기 노드(N)로부터 상기 제 2 이송 경로(b)에 대해 소정 각도를 이루는 방향으로 연장되는 경로이다. 이러한 제 3 이송 경로(c)의 도착점은 상기 측부 포트(G3)가 위치되는 지점이거나, 챔버(100)내의 임의의 유닛(도시되지 않음)이 설치되는 지점이 될 수 있다. 바람직하게는, 상기 제 3 이송 경로(c)는 제 2 이송 경로(b)와 실질적으로 수직을 이루는 z 방향으로 연장될 수 있다. The third conveying path c is a path derived and branched from the second conveying path b. That is, the third transfer path c is a path extending from the branch node N in a direction forming a predetermined angle with respect to the second transfer path b. The arrival point of the third transfer path c may be a point at which the side port G3 is located or a point at which any unit (not shown) in the chamber 100 is installed. Preferably, the third transport path (c) may extend in the z direction substantially perpendicular to the second transport path (b).

제 3 이송 경로(c)를 통해, 제 3 부재(130)가 이송될 수 있는데, 제 3 부재(130)는 제 2 부재(120)를 구성하는 일부의 요소에 해당할 수 있다. 또한, 제 4 부재(140)는 제 2 부재(120)와 동일한 구성을 갖되, 각 구성 요소의 종류는 상이할 수 있다. Through the third transfer path c, the third member 130 may be transferred, and the third member 130 may correspond to some elements constituting the second member 120. In addition, the fourth member 140 may have the same configuration as that of the second member 120, but the type of each component may be different.

여기서, 제 3 부재(130)는 제 3 이송 유닛(132)에 의해 상기 임의 지점으로 전달된다. 이 과정에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 셔틀(shuttle:135)과 같은 지지 부재에 탑재되어 이동될 수 있다. 이때, 제 3 부재(130)를 셔틀(135)상에 장착하는 이유는 제 3 부재(130)에 잔류하는 이물질들이 챔버(100) 내부로 낙하하는 것을 방지하기 위함이다. Here, the third member 130 is delivered to the arbitrary point by the third transfer unit 132. In this process, as shown in FIG. 2, a support member such as a shuttle 135 may be mounted and moved. In this case, the reason for mounting the third member 130 on the shuttle 135 is to prevent foreign substances remaining in the third member 130 from falling into the chamber 100.

제 1 포트(G11)로 진입되는 상기 제 1 부재(110)는 기판(111), 마스크 조립체(115) 및 마그넷 플레이트(117)을 포함할 수 있다. 기판(111)은 디스플레이 소자가 형성될 투명 유리 기판일 수 있다. 하지만, 여기에 한정되지 않고, 반도체 제조 장치의 경우, 웨이퍼에 해당할 수 있음은 물론이다. 마스크 조립체(115)는 마스크(115a) 및 마스크 프레임(115b)을 포함할 수 있다. 마스크(115a)는 마스크 프레임(115b)과의 인장 응력에 의해 고정된다. 마스크(115a)는 알려진 바와 같이, 복수의 단위 패턴(도시되지 않음)을 구비하며, 하나의 단위 패턴에 의해, 개별 단위 소자가 한정될 수 있다. 마스크(115a)를 구성하는 단위 패턴은 자성을 띤 박막으로서, 예를 들어, 금속 합금막이 이용될 수 있다. 마스크 프레임(115b)은 중앙이 개구된 형태로 구성될 수 있으며, 탄성력을 가지는 재질로 구성될 수 있다. 또한, 마스크 프레임(115b)은 마스크(115a)에 인가되는 인장 응력을 견딜 수 있는 강성을 가져야 하며, 피 증착물과 마스크(115)의 밀착 시 간섭을 일으키지 않는 것이 바람직하다. 마그넷 플레이트(117)는 기판(111)을 사이에 두고 마스크 조립체(115)와 대향되도록 배치되며, 마그넷 플레이트(117)에서 발생하는 자장에 의해 마스크(115a)가 기판(111)에 밀착되어 피증착물에 음영이 생기지 않도록 한다. The first member 110 entering the first port G11 may include a substrate 111, a mask assembly 115, and a magnet plate 117. The substrate 111 may be a transparent glass substrate on which a display element is to be formed. However, the present invention is not limited thereto, and of course, the semiconductor manufacturing apparatus may correspond to a wafer. The mask assembly 115 may include a mask 115a and a mask frame 115b. The mask 115a is fixed by the tensile stress with the mask frame 115b. As is known, the mask 115a includes a plurality of unit patterns (not shown), and individual unit elements may be defined by one unit pattern. The unit pattern constituting the mask 115a is a magnetic thin film. For example, a metal alloy film may be used. The mask frame 115b may be configured to have an open center, and may be formed of a material having an elastic force. In addition, the mask frame 115b should have a rigidity that can withstand the tensile stress applied to the mask 115a, and it is preferable that the mask frame 115b does not cause interference when the deposition object and the mask 115 come into close contact with each other. The magnet plate 117 is disposed to face the mask assembly 115 with the substrate 111 interposed therebetween, and the mask 115a is in close contact with the substrate 111 by the magnetic field generated by the magnet plate 117. Avoid shadows on the surface.

기판(111), 마스크 조립체(115) 및 마그넷 플레이트(117)의 부착 및 정렬은 상기 챔버(100) 외부, 예를 들어, 별도의 얼라인 챔버(도시되지 않음)에서 진행될 수 있으며, 본 실시예의 챔버(100)에는 기판, 마스크 조립체(115) 및 마그넷 플레이트(117)이 정렬된 상태로 인입된다. Attachment and alignment of the substrate 111, mask assembly 115 and magnet plate 117 may be performed outside the chamber 100, for example, in a separate alignment chamber (not shown), The substrate 100, the mask assembly 115, and the magnet plate 117 are introduced into the chamber 100 in an aligned state.

제 4 포트(G22)로 진입되는 제 2 부재(120)는 마스크 조립체(115) 및 마그넷 플레이트(117)를 포함할 수 있다. 이때, 제 2 부재(120)는 제 1 부재(110)에서 기판(111)이 분리 및 제거된 부재로서, 제 2 부재(120)를 구성하는 마스크 조립체(115)는 사용이 완료된 마스크(115a)를 포함할 수 있다. The second member 120 entering the fourth port G22 may include a mask assembly 115 and a magnet plate 117. In this case, the second member 120 is a member from which the substrate 111 is separated and removed from the first member 110, and the mask assembly 115 constituting the second member 120 is completely used. It may include.

제 3 부재(130)는 제 2 부재(120)에서 분리된 마스크 조립체(115)일 수 있으며, 제 4 부재(140)는 마그넷 플레이트(117) 하부에 다른 마스크 조립체(115)가 얹혀진 구조물로서, 제 2 포트(G12)를 통해 반출될 수 있다. The third member 130 may be a mask assembly 115 separated from the second member 120, and the fourth member 140 may be a structure in which another mask assembly 115 is placed below the magnet plate 117. It may be taken out through the second port G12.

즉, 마스크 조립체(115) 및 마그넷 플레이트(117)가 정렬된 기판(111)은 챔버(100) 및 그 밖의 다른 챔버(도시되지 않음)을 거치면서 소정의 공정이 수행된다. 다음, 기판(111)은 다음 공정을 위해 분리되어 다른 챔버로 이동된다. 그 후, 사용된 마스크 조립체(115) 및 마그넷 플레이트(117)는 다시 본 실시예의 챔버(100)로 회송된다. 이 과정에서 마스크 조립체(115)는 세정 등을 위해 제 3 이송 경로(c)로 이동되고, 다시 제 3 이송 경로(c)를 통해 다른 마스크 조립체(115)가 마그넷 플레이트(117) 하부에 놓이게 되어, 전단의 챔버(도시되지 않음)로 전달된다. 본 실시예에서는 제 4 부재(140)를 세정된 다른 마스크 조립체(115) 및 마그넷 플레이트(117)의 적층물로 설명하였지만, 여기에 한정하지 않고, 마그넷 플레이트(117) 자체가 될 수 있음은 물론이다.
That is, the substrate 111 on which the mask assembly 115 and the magnet plate 117 are aligned is subjected to a predetermined process while passing through the chamber 100 and other chambers (not shown). The substrate 111 is then separated and moved to another chamber for the next process. Thereafter, the mask assembly 115 and the magnet plate 117 used are returned to the chamber 100 of the present embodiment. In this process, the mask assembly 115 is moved to the third transfer path c for cleaning, and the other mask assembly 115 is placed under the magnet plate 117 through the third transfer path c. It is delivered to a chamber (not shown) in front of it. In the present embodiment, the fourth member 140 has been described as a laminate of the cleaned other mask assembly 115 and the magnet plate 117, but the present invention is not limited thereto, and the magnet plate 117 may be itself. to be.

한편, 제 1 내지 제 4 부재(110,120,130,140)는 제 1 내지 제 4 이송 유닛(112,122,250,280)에 의해 이송이 이루어진다. 제 1 내지 제 4 이송 유닛(112,122,250,280) 각각은 구동부(112a,122a,250a,280a) 및 구동 롤러(112b,122b,250b,280b)을 포함할 수 있다. 구동부(112a,122a,250a,280a)는 각종 모터, 유압 및 공압 실린더와 같은 동력 전달 부재 중 어느 하나가 이용될 수 있고, 구동 롤러(112b,122b,250b,280b) 대신 선형 레일 또는 이동식 컨베이어 벨트가 이용될 수 있다.
Meanwhile, the first to fourth members 110, 120, 130, and 140 are transferred by the first to fourth transfer units 112, 122, 250, and 280. Each of the first to fourth transfer units 112, 122, 250, and 280 may include driving units 112a, 122a, 250a, and 280a and driving rollers 112b, 122b, 250b, and 280b. The driving units 112a, 122a, 250a, and 280a may be any one of a power transmission member such as various motors, hydraulic and pneumatic cylinders, and a linear rail or a movable conveyor belt instead of the driving rollers 112b, 122b, 250b and 280b. Can be used.

또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 내지 제 4 이송 유닛(112,122,250,280)과 연동되는 제어 블록(200)은 제 1 이송 유닛(112)의 속도를 제어할 수 있다.
In addition, as shown in FIG. 3, the control block 200 linked to the first to fourth transfer units 112, 122, 250, and 280 may control the speed of the first transfer unit 112.

이러한 제어 블록(200)은 제 1 부재(110)의 위치를 감지하는 위치 센서(210), 상기 제 1 부재(110)의 위치에 따라 제 1 부재(110)의 가속 또는 감속을 결정하는 제어 유닛(220) 및 제어 유닛(220)의 결정에 따라 제 1 이송 유닛(112)의 속도를 조절하는 구동 유닛(230)을 포함할 수 있다. The control block 200 is a position sensor 210 for detecting the position of the first member 110, a control unit for determining the acceleration or deceleration of the first member 110 according to the position of the first member 110. The driving unit 230 may adjust the speed of the first transfer unit 112 according to the determination of the 220 and the control unit 220.

보다 구체적으로 설명하면, 도 4에 도시된 바와 같이, 챔버(100)의 제 1 포트(G11)를 통해 복수의 제 1 부재(110)가 순차적으로 진입될 수 있다. 이러한 경우, 앞서 진입된 선행 제 1 부재(110F)의 위치를 감지하여, 후속으로 진입되는 후발 제 1 부재(110R)의 이송 속도를 가속 또는 감속시킬 수 있다. In more detail, as illustrated in FIG. 4, the plurality of first members 110 may sequentially enter through the first port G11 of the chamber 100. In this case, by detecting the position of the preceding first member 110F previously entered, it is possible to accelerate or decelerate the feed speed of the subsequently entered first member 110R.

예를 들어, 선행 제 1 부재(110F)가 특정 위치를 통과한 경우, 선행 제 1 부재(110F)는 감속시키거나, 대기시키고, 후발 제 1 부재(110R)는 선행 제 1 부재(110F)의 위치까지 가속시키도록 제어 유닛(220) 및 구동 유닛(230)이 구동될 수 있다. For example, when the preceding first member 110F has passed through a specific position, the preceding first member 110F is decelerated or waited, and the receding first member 110R is connected to the preceding first member 110F. The control unit 220 and the drive unit 230 can be driven to accelerate to position.

즉, 제어 유닛(220) 및 구동 유닛(230)은 선행 제 1 부재(110F)를 이송하는 제 1 이송 유닛(112F)의 속도 조절은 물론 후발 제 1 부재(110R)를 이송하는 제 1 이송 유닛(112R)의 속도를 동시에 조절할 수 있다. That is, the control unit 220 and the drive unit 230 adjusts the speed of the first conveying unit 112F for conveying the preceding first member 110F as well as the first conveying unit for conveying the rear first member 110R. The speed of 112R can be adjusted simultaneously.

여기서, 도면의 aF는 선입된 제 1 부재(110F)의 제 1 이송 경로를 나타내고, aR은 후입된 제 1 부재(11R)의 제 1 이송 경로를 나타낸다. 이에 따라, 본 실시예의 챔버(100)는 스피드 버퍼의 기능을 수행할 수 있다. Here, aF in the figure shows the first conveyance path of the first member 110F first-in, and aR shows the 1st conveyance path of the 1st member 11R which was post-inserted. Accordingly, the chamber 100 of the present embodiment may perform the function of the speed buffer.

이와 같은 본 기술에 따른 챔버는 그 내부에서 다양한 방향으로 서로 다른 부재의 이송이 가능하기 때문에, 챔버내에서 다양한 기능을 수행할 수 있고, 필요에 따라 처리 부재의 속도를 가,감속할 수 있다.
Since the chamber according to the present technology can transfer different members in various directions within the chamber, various functions can be performed in the chamber, and the speed of the processing member can be increased and decreased as necessary.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 인 라인 시스템을 보여주는 개략적인 사시도이다. 5 is a schematic perspective view showing an in-line system according to an embodiment of the present invention.

본 실시예의 인 라인 시스템(300)은 서로 다른 기능을 갖는 복수의 챔버들이 연속 배치된다. 본 실시예에서의 서로 다른 기능의 챔버는 얼라인 챔버(310), 트랜스퍼 챔버(100) 및 프로세스 챔버(350)일 수 있다. In the in-line system 300 of the present embodiment, a plurality of chambers having different functions are continuously arranged. The chambers having different functions in this embodiment may be the alignment chamber 310, the transfer chamber 100, and the process chamber 350.

얼라인 챔버(310)는 트랜스퍼 챔버(100)와 제 1 및 제 2 포트(G11,G12)를 사이에 두고 배치될 수 있다. 얼라인 챔버(310)내에서 기판(111)과 마스크 조립체(115) 및 마그넷 플레이트(117)가 상호 얼라인된다. The alignment chamber 310 may be disposed with the transfer chamber 100 and the first and second ports G11 and G12 interposed therebetween. The substrate 111, the mask assembly 115, and the magnet plate 117 are aligned with each other in the alignment chamber 310.

트랜스퍼 챔버(100)는 얼라인 챔버(310)와 연통되는 제 1 및 제 2 포트(G11,G12) 및 프로세스 챔버(350)과 연통되는 제 3 및 제 4 포트(G21,G22)를 포함한다. 또한, 트랜스퍼 챔버(100)는 제 1 및 제 2 포트(G11,G12)가 위치되는 일 측벽 및 제 3 및 제 4 포트(G21,G22)가 위치되는 타 측벽을 연결하는 연결면에 위치하는 측부 포트(G3)를 포함한다. 트랜스퍼 챔버(100)는 회송되는 제 2 부재(120)를 제 3 및 제 4 부재(130,140)로 분리해서 다른 경로로 전달되도록 구성된다. 즉, 트랜스퍼 챔버(100)는 각기 다른 제 1 내지 제 3 이송 경로(a,b,c)로 서로 다른 부재들을 전달하는 기능을 가질 수 있다. 또한, 트랜스퍼 챔버(100)는 제어 블록(200)을 구비하여 제 1 이송 경로(a)로 이동되는 부재의 이동 속도를 제어할 수 있다. The transfer chamber 100 includes first and second ports G11 and G12 communicating with the alignment chamber 310 and third and fourth ports G21 and G22 communicating with the process chamber 350. In addition, the transfer chamber 100 has a side portion located at a connection surface connecting one side wall where the first and second ports G11 and G12 are positioned and the other side wall where the third and fourth ports G21 and G22 are positioned. Port G3. The transfer chamber 100 is configured to separate the second member 120 to be returned to the third and fourth members 130 and 140 to be transferred to another path. That is, the transfer chamber 100 may have a function of transferring different members to different first to third transfer paths a, b, and c. In addition, the transfer chamber 100 may include a control block 200 to control the moving speed of the member moved in the first transfer path a.

프로세스 챔버(350)는 트랜스퍼 챔버(100)와 제 3 및 제 4 포트(G2)를 사이에 두고 선형 배치되며, 상기 제 1 부재(110) 예를 들어, 제 1 부재(110)를 구성하는 기판(111) 표면에 소정의 층을 형성하기 위한 소스를 지속적으로 공급한다. 프로세스 챔버(350)에서 제공되는 소스 및 소스량은 시스템내 구비된 제어 시스템(도시되지 않음)에서 조절 제어 가능하다. The process chamber 350 is linearly disposed with the transfer chamber 100 and the third and fourth ports G2 interposed therebetween, and the substrate constituting the first member 110, for example, the first member 110. The source for forming a predetermined layer is continuously supplied to the (111) surface. The source and the amount of source provided in the process chamber 350 are controllable in a control system (not shown) provided in the system.

인 라인 시스템(300)을 구성하는 얼라인 챔버(310), 트랜스퍼 챔버(100) 및 프로세스 챔버(350)는 모두 진공 상태를 유지할 수 있도록 각 챔버마다 진공 펌프(도시되지 않음)가 연결될 수 있다. A vacuum pump (not shown) may be connected to each chamber so that the alignment chamber 310, the transfer chamber 100, and the process chamber 350 constituting the in-line system 300 may maintain a vacuum state.

도면에 도시되지는 않았지만, 프로세스 챔버(350)의 일 측에는 추가의 챔버들이 일렬로 배치될 수 있다.
Although not shown in the figure, additional chambers may be arranged in a line on one side of the process chamber 350.

이와 같은 본 실시예의 인라인 시스템(300)의 부재들 이송 경로에 대해 설명하면 다음과 같다. Referring to the members conveying path of the in-line system 300 of the present embodiment as follows.

얼라인 챔버(310)에서 기판(111), 마스크 조립체(115) 및 마그넷 플레이트(117)가 정렬된 결과물(110, 제 1 부재)이 제 1 포트(G11)를 통해 트랜스퍼 챔버(100)로 인입된다. In the alignment chamber 310, the resultant 110 (first member) having the substrate 111, the mask assembly 115, and the magnet plate 117 aligned is introduced into the transfer chamber 100 through the first port G11. do.

트랜스퍼 챔버(100)내에 인입된 제 1 부재(110)는 제 1 이송 경로(a)를 통해 트랜스퍼 챔버(100)의 제 3 포트(G21)로 반출된다. 이 과정에서, 제 1 부재(110)는 복수 개가 순차적으로 챔버(100)내에 인입될 수 있으며, 제 1 부재(110)를 이송하는 제 1 이송 유닛(112)은 선행하는 제 1 부재(110)의 위치 및 속도에 따라, 후발하는 기판 결과물(110)의 이송 속도를 제어한다. The first member 110 introduced into the transfer chamber 100 is carried out to the third port G21 of the transfer chamber 100 through the first transfer path a. In this process, a plurality of first members 110 may be sequentially introduced into the chamber 100, and the first transfer unit 112 for transferring the first members 110 may be preceded by the first first members 110. According to the position and the speed of the control, the feed speed of the substrate substrate 110 is retarded.

트랜스퍼 챔버(100)의 제 3 포트(G21)로 반출된 제 1 부재(110)는 프로세스 챔버(350)에 인입되어, 소정의 처리(352)를 받는다. 이에 따라, 노출된 기판(111) 표면에, 마스크 조립체(115) 형태대로 소정의 막이 형성될 수 있다. The first member 110 carried out to the third port G21 of the transfer chamber 100 is introduced into the process chamber 350 and subjected to a predetermined process 352. Accordingly, a predetermined film may be formed on the exposed surface of the substrate 111 in the form of a mask assembly 115.

그 후, 도면에는 도시되지 않았지만, 프로세스 챔버의 일 측에는 기판 분리 챔버(이하, 디테치 챔버:도시되지 않음)가 구비될 수 있으며, 상기 디테치 챔버에서 제 1 부재(110)의 기판(111)이 분리된다. 이로써, 제 2 부재(120)가 구성되며, 제 2 부재(120)는 다시 프로세스 챔버(350)를 통해 트랜스퍼 챔버(100)의 제 4 포트(G22)로 진입된다. Subsequently, although not shown in the drawing, one side of the process chamber may be provided with a substrate separation chamber (hereinafter, a detach chamber) (not shown), and the substrate 111 of the first member 110 may be provided in the detach chamber. This is separated. Thus, the second member 120 is configured, and the second member 120 enters the fourth port G22 of the transfer chamber 100 through the process chamber 350 again.

제 2 부재(120)는 트랜스퍼 챔버(100)의 분리 노드(N)까지 제 2 이송 경로(b)의 제 1 서브 이송 경로(b1)를 통해 전달되다가, 상기 분리 노드(N)에서 마스크 조립체(115) 및 마그넷 플레이트(117)로 분리된다. 마스크 조립체(115)는 제 3 이송 부재(130)로서, 제 3 이송 경로(c)를 통해 측부 포트(G3) 또는 임의의 지점까지 전달되고, 다시 제 3 이송 경로(c)를 통해 다른 마스크 조립체(115)가 회송될 수 있다. 회송된 다른 마스크 조립체(115)는 상기 마그넷 플레이트(117) 하부에 배치되어, 제 4 부재(140)를 구성한다. 다른 마스크 조립체(115) 및 마그넷 플레이트(117)로 구성된 제 4 부재(140)는 제 2 이송 경로(b)의 제 2 서브 이송 경로(b2)를 통해 제 2 포트(G12)로 반출되어, 얼라인 챔버(310)로 전달될 수 있다.
The second member 120 is transferred through the first sub transfer path b1 of the second transfer path b to the separation node N of the transfer chamber 100, and then the mask assembly ( 115) and the magnet plate 117. The mask assembly 115 is a third conveying member 130, which is transmitted through the third conveying path c to the side port G3 or to an arbitrary point, and again through the third conveying path c to another mask assembly. 115 may be returned. The other mask assembly 115 returned is disposed under the magnet plate 117 to constitute the fourth member 140. The fourth member 140 composed of the other mask assembly 115 and the magnet plate 117 is carried out to the second port G12 via the second sub conveying path b2 of the second conveying path b and freezes. It may be delivered to the in-chamber 310.

본 실시예에서 제시된 챔버는 하나의 챔버 공간내에 기판과 같은 부재를 적어도 3방향으로 이송할 수 있다. 그러므로, 한정된 공간내에서 다수의 부재를 이송할 수 있다. 또한, 본 실시예의 챔버는 부재의 이송 속도를 탄력적으로 제어할 수 있어, 프로세스 챔버의 소스 공급 낭비를 줄일 수 있다. The chambers presented in this embodiment can transport members, such as substrates, in at least three directions within one chamber space. Therefore, a plurality of members can be transported in a limited space. In addition, the chamber of the present embodiment can flexibly control the conveying speed of the member, thereby reducing the source supply waste of the process chamber.

본 발명은 상기한 실시예에 한정되는 것만은 아니다. 본 실시예들에서는 OLED와 같은 디스플레이 제조 장치를 일 예로 들어 설명하였지만, 여기에 한정되지 않고, 반도체 및 디스플레이 장치에 모두 적용될 수 있음은 물론이다. The present invention is not limited to the above embodiment. In the present exemplary embodiment, a display manufacturing apparatus such as an OLED has been described as an example, but the present invention is not limited thereto and may be applied to both a semiconductor and a display apparatus.

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 개략적으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해되어야 한다.
As described above, embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, but those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that it can be. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

100 : 챔버 110 : 제 1 부재
120 : 제 2 부재 130 : 제 3 부재
140 : 제 4 부재 210 : 위치 센서
220 : 제어 유닛 230 : 구동 유닛
300 : 인라인 시스템 310 : 얼라인 챔버
350 : 프로세스 챔버
100 chamber 110 first member
120: second member 130: third member
140: fourth member 210: position sensor
220: control unit 230: drive unit
300: in-line system 310: alignment chamber
350: process chamber

Claims (20)

마주하는 양 측벽에 일측 포트 및 타측 포트를 구비하는 진공 처리 공간;
상기 일측 포트로부터 인입되어 상기 타측 포트로 제 1 부재를 전달하는 제 1 이송 경로;
상기 타측 포트로부터 인입되어 분기 노드를 거쳐 상기 일측 포트로 회송되는 제 2 부재를 전달하는 제 2 이송 경로; 및
상기 분기 노드로부터 상기 제 2 이송 경로와 소정 각도를 갖는 방향으로 제 3 부재를 전달하는 제 3 이송 경로를 포함하는 반도체 제조 장치.
A vacuum processing space having one port and the other port on opposite sidewalls;
A first transfer path that is drawn from the one port and delivers a first member to the other port;
A second transfer path which transfers a second member drawn from the other port and returned to the one port via a branch node; And
And a third transfer path for transferring a third member from the branch node in a direction having a predetermined angle with the second transfer path.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 부재는 복수개가 순차적으로 상기 진공 처리 공간내에 인입되도록 구성되는 반도체 제조 장치.
The method of claim 1,
And the first member is configured such that a plurality of the members are sequentially drawn into the vacuum processing space.
제 2 항에 있어서,
상기 제 1 이송 경로를 따라 상기 제 1 부재를 이송시키는 제 1 이송 유닛을 포함하며,
상기 제 1 이송 유닛은 앞서 인입된 상기 제 1 부재의 위치에 따라, 후속 인입되는 상기 제 1 부재의 속도를 제어하도록 구성되는 반도체 제조 장치.
3. The method of claim 2,
A first transfer unit for transferring the first member along the first transfer path,
And the first transfer unit is configured to control the speed of the first member to be subsequently introduced according to the position of the first member previously introduced.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 이송 경로 및 상기 제 2 이송 경로 사이에 일정 높이가 존재하는 반도체 제조 장치.
The method of claim 1,
And a predetermined height exists between the first transfer path and the second transfer path.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 이송 경로는,
상기 타측 포트로부터 상기 분기 노드까지의 제 1 서브 이송 경로, 및
상기 분기 노드로부터 상기 일측 포트까지의 제 2 서브 이송 경로를 포함하며,
상기 제 1 서브 이송 경로를 통해, 상기 제 2 부재가 전달되고,
상기 제 2 서브 이송 경로를 통해, 제 4 부재가 전달되도록 구성되는 반도체 제조 장치.
The method of claim 1,
The second transfer path is,
A first sub transport path from the other port to the branch node, and
A second sub transport path from the branch node to the one port,
The second member is transferred through the first sub conveying path,
And the fourth member is configured to be transferred through the second sub transfer path.
제 5 항에 있어서,
상기 제 1 부재는 기판, 상기 기판 하부면에 위치하는 마스크 조립체 및 상기 기판 상부면에 위치하는 마그넷 플레이트를 포함하고,
상기 제 2 부재는 연속 적층된 상기 마스크 조립체 및 상기 마그넷 플레이트를 포함하고,
상기 제 3 부재는 상기 마스크 조립체를 포함하고,
상기 제 4 부재는 새로운 마스크 조립체와 상기 마그넷 플레이트가 결합된 구조물을 포함하는 반도체 제조 장치.
The method of claim 5, wherein
The first member includes a substrate, a mask assembly positioned on the lower surface of the substrate, and a magnet plate positioned on the upper surface of the substrate,
The second member includes the mask assembly and the magnet plate sequentially stacked;
The third member comprises the mask assembly,
And the fourth member includes a structure in which a new mask assembly and the magnet plate are combined.
제 6 항에 있어서,
상기 분기 노드에 상기 제 2 부재의 상기 마스크 조립체 및 상기 마그넷 플레이트를 상호 분리시키는 설비를 더 포함하는 반도체 제조 장치.
The method according to claim 6,
And a facility for separating the mask assembly of the second member and the magnet plate from the branch node.
제 5 항에 있어서,
상기 일측 포트는 상기 제 1 부재가 인입되는 제 1 포트, 및 상기 제 4 부재가 인출되는 제 2 포트를 포함하고,
상기 타측 포트는 상기 제 1 부재가 인출되는 제 3 포트, 및 상기 제 2 부재가 인입되는 제 4 포트를 포함하는 반도체 제조 장치.
The method of claim 5, wherein
The one side port includes a first port through which the first member is drawn in, and a second port through which the fourth member is drawn out,
The other port includes a third port through which the first member is drawn out, and a fourth port through which the second member is drawn in.
제 1 항에 있어서,
상기 진공 처리 공간은 상기 제 1 이송 경로가 형성되는 영역 및 상기 제 2 및 제 3 이송 경로가 형성되는 영역으로 구분되는 반도체 제조 장치.
The method of claim 1,
The vacuum processing space is divided into a region where the first transfer path is formed and a region where the second and third transfer paths are formed.
제 9 항에 있어서,
상기 진공 처리 공간은 상기 제 1 이송 경로가 형성되는 영역에 형성되는 제 1 서브 챔버, 및 상기 제 2 이송 경로가 형성되는 영역에 형성되는 제 2 서브 챔버가 적층되어 구성되는 반도체 제조 장치.
The method of claim 9,
The vacuum processing space is configured by stacking a first sub chamber formed in a region where the first transfer path is formed and a second sub chamber formed in a region where the second transfer path is formed.
일측벽에 위치하는 제 1 및 제 2 포트, 상기 일측벽과 마주하는 타 측벽에 위치하는 제 3 및 제 4 포트를 구비하는 챔버;
상기 제 1 포트로부터 순차적으로 인입되는 복수의 제 1 부재를 상기 제 3 포트로 순차 전달하는 제 1 이송 유닛;
상기 제 4 포트에서 분기 노드까지 상기 제 1 부재와 상이한 제 2 부재를 전달하는 제 2 이송 유닛; 및
상기 분기 노드로부터 상기 제 2 부재의 일부에 해당하는 제 3 부재를 상기 제 2 부재의 전달 방향과 상이한 방향으로 전달하는 제 3 이송 유닛을 포함하는 반도체 제조 장치.
A chamber having first and second ports positioned on one side wall and third and fourth ports positioned on the other side wall facing the one side wall;
A first transfer unit sequentially transferring a plurality of first members drawn in sequentially from the first port to the third port;
A second transfer unit for transferring a second member different from the first member from the fourth port to a branch node; And
And a third transfer unit configured to transfer a third member corresponding to a part of the second member from the branch node in a direction different from a transfer direction of the second member.
제 11 항에 있어서,
상기 챔버는,
선행하는 상기 제 1 부재의 위치에 따라, 후발하는 상기 제 1 부재의 속도를 가,감속하도록 상기 제 1 이송 유닛을 제어하는 제어 블록을 더 포함하는 반도체 제조 장치.
The method of claim 11,
The chamber may comprise:
And a control block for controlling the first transfer unit to accelerate and decelerate the speed of the first member to be retarded according to the position of the preceding first member.
제 11 항에 있어서,
상기 제어 블록은,
상기 선행하는 제 1 부재의 위치를 감지하는 위치 센서;
상기 위치 센서의 센싱 결과에 따라, 상기 후발하는 제 1 부재의 가,감속을 결정하는 제어 유닛; 및
상기 제어 유닛에 따라 상기 제 1 이송 유닛의 속도를 조절하는 구동 유닛을 포함하는 반도체 제조 장치.
The method of claim 11,
The control block,
A position sensor for sensing a position of the preceding first member;
A control unit for determining acceleration and deceleration of the retarding first member according to a sensing result of the position sensor; And
And a drive unit for adjusting the speed of the first transfer unit in accordance with the control unit.
제 11 항에 있어서,
상기 제 1 부재는 기판, 상기 기판 하부면에 위치하는 마스크 조립체 및 상기 기판 상부면에 위치하는 마그넷 플레이트를 포함하고,
상기 제 2 부재는 연속 적층된 상기 마스크 조립체 및 상기 마그넷 플레이트를 포함하고,
상기 제 3 부재는 상기 마스크 조립체를 포함하는 반도체 제조 장치.
The method of claim 11,
The first member includes a substrate, a mask assembly positioned on the lower surface of the substrate, and a magnet plate positioned on the upper surface of the substrate,
The second member includes the mask assembly and the magnet plate sequentially stacked;
And the third member comprises the mask assembly.
제 11 항에 있어서,
상기 분기 노드에서 상기 제 2 포트까지 제 4 부재를 전달하는 제 4 이송 유닛을 더 포함하는 반도체 제조 장치.
The method of claim 11,
And a fourth transfer unit for transferring a fourth member from the branch node to the second port.
제 15 항에 있어서,
상기 제 4 부재는 마그넷 플레이트 및 마스크 조립체의 적층 구조체인 반도체 제조 장치.
The method of claim 15,
And the fourth member is a laminate structure of a magnet plate and a mask assembly.
제 1 기능 챔버;
상기 제 1 기능 챔버로부터 복수의 제 1 부재를 순차적으로 이송받는 트랜스퍼 챔버; 및
상기 트랜스퍼 챔버에 진입된 상기 제 1 부재를 제공받는 제 2 기능 챔버를 포함하며,
상기 트랜스퍼 챔버는 상기 제 1 부재를 상기 제 2 기능 챔버로 전달하기 위한 제 1 이송 경로, 상기 제 2 기능 챔버로부터 회송되는 제 2 부재를 상기 제 1 기능 챔버로 전달하는 제 2 이송 경로, 및 상기 제 2 이송 경로로부터 파생되는 제 3 이송 경로를 갖도록 구성된 인라인 시스템.
A first functional chamber;
A transfer chamber configured to sequentially transfer a plurality of first members from the first functional chamber; And
A second functional chamber provided with the first member entered into the transfer chamber,
The transfer chamber includes a first transfer path for delivering the first member to the second functional chamber, a second transfer path for transferring a second member returned from the second functional chamber to the first functional chamber, and the An inline system configured to have a third transport path derived from a second transport path.
제 17 항에 있어서,
상기 제 1 기능 챔버는 기판, 마스크 조립체 및 마그넷 플레이트를 정렬하는 얼라인 챔버이고,
상기 제 2 기능 챔버는 반응 가스가 제공되는 프로세스 챔버인 인라인 시스템.
The method of claim 17,
The first functional chamber is an alignment chamber that aligns the substrate, the mask assembly and the magnet plate,
And said second functional chamber is a process chamber provided with a reactive gas.
제 17 항에 있어서,
상기 트랜스퍼 챔버는,
상기 제 1 부재를 제 1 이송 경로를 따라 이송시키는 제 1 이송 유닛;
상기 제 2 부재를 상기 제 2 이송 경로를 따라 이송시키는 제 2 이송 유닛; 및
상기 제 3 부재를 상기 제 3 이송 경로를 따라 이송시키는 제 3 이송 유닛을 포함하는 인라인 시스템.
The method of claim 17,
The transfer chamber,
A first transfer unit for transferring the first member along a first transfer path;
A second transfer unit for transferring the second member along the second transfer path; And
And a third transfer unit for transferring the third member along the third transfer path.
제 19 항에 있어서,
상기 트랜스퍼 챔버는,
선행하는 상기 제 1 부재의 위치에 따라 후발하는 제 1 부재의 속도를 가, 감속하도록 상기 제 1 이송 유닛을 제어하는 제어 블록을 더 포함하는 반도체 제조 장치.
The method of claim 19,
The transfer chamber,
And a control block for controlling the first transfer unit to accelerate and decelerate the speed of the first member that recurs according to the position of the preceding first member.
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