KR20130123952A - Teaching apparatus and substrate processing apparatus having the same and teaching method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 티칭 장치 및 방법에 관한 것으로, 복수의 반사 수단이 마련된 테스트 기판과, 테스트 기판을 이송하는 이송 로봇과, 복수의 반사 수단에 광을 조사하고 그로부터 반사된 광을 수광하여 테스트 기판의 각 영역의 거리를 측정하는 거리 측정부를 포함하는 티칭 장치 및 방법이 제시된다.The present invention relates to a teaching apparatus and method, comprising: a test substrate provided with a plurality of reflecting means, a transfer robot for transporting the test substrate, and a plurality of reflecting means irradiating light and receiving light reflected therefrom A teaching apparatus and method are provided that include a distance measurer for measuring the distance of an area.
Description
본 발명은 티칭 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 기판의 위치를 확인하고 이를 이송 로봇의 이송 위치 교정에 이용하는 티칭 장치 및 이를 이용한 티칭 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a teaching apparatus and method, and more particularly, to a teaching apparatus and a teaching method using the same, which identify a position of a substrate and use the same to correct a transfer position of a transfer robot.
일반적으로, 반도체용 기판을 이송하는 로봇, 자동차 조립 라인의 로봇, 물류 이송용 로봇, 검사용 로봇, 클린룸용 로봇, LCD 제조용 로봇 등의 다양한 산업용 로봇을 비롯한 자동화 장비는 장시간 동안 미리 입력된 경로를 통해 동일한 작업을 반복하도록 프로그램되어 있다. 또한, 이러한 로봇의 이동 경로 및 작업 위치가 정확하게 이행되고 있는지를 확인하고, 작업 위치의 오류가 발견되면 위치 교정 장치를 이용하여 위치를 교정하였다.In general, automation equipment including various industrial robots, such as robots for transferring substrates for semiconductors, robots for assembly lines, robots for transport of logistics, robots for inspection, robots for clean rooms, robots for LCD manufacturing, and the like, can be used for a long time in advance. It is programmed to repeat the same operation. In addition, it was confirmed whether the movement path and the working position of the robot were correctly performed, and if an error of the working position was found, the position was corrected by using the position correcting device.
이러한 위치 교정 장치가 반도체 제조 공정에 이용되는 경우를 설명하면 다음과 같다. 예를 들어 기판 상에 소정 패턴의 박막을 형성하기 위해 기판 이송부를 이용하여 박막 증착 및 식각 공정을 각각 실시하는 공정 챔버로 기판이 이송된다. 기판 이송부에는 기판을 공정 챔버로 정확하게 이송하기 위한 이송 로봇이 포함되고, 이송 로봇에 의해 기판은 각각의 공정을 수행하는 복수의 공정 챔버로 반복 이송된다. 이때, 기판은 공정 챔버 내의 설정된 위치에 정확하게 놓이는 것이 매우 중요하다. 따라서, 기판의 이송이 시작되기 이전 또는 기판의 이송 도중 일정 시간 간격으로 기판의 위치를 검출하는 티칭(teaching) 공정이 실시된다. 즉, 티칭에 의해 기판의 위치를 검출한 후 이를 이송 로봇의 이송 위치를 교정하게 된다. 또한, 기판을 이송하는 도중에 공정 챔버의 투입창이나 기판 지지대 등에 충돌하면서 이송 로봇의 이동 위치가 최초 설정된 위치에서 벗어난 경우, 또는 연속된 반복 작업으로 누적된 스트레스에 의해 최초 설정 위치가 벗어난 경우에도 티칭 공정이 실시된다.The case where such a position correction apparatus is used in a semiconductor manufacturing process is as follows. For example, in order to form a thin film of a predetermined pattern on the substrate, the substrate is transferred to a process chamber which performs thin film deposition and etching processes using a substrate transfer unit, respectively. The substrate transfer unit includes a transfer robot for accurately transferring the substrate to the process chamber, and the substrate is repeatedly transferred to the plurality of process chambers for performing each process. At this time, it is very important that the substrate is placed exactly at the set position in the process chamber. Thus, a teaching process is performed to detect the position of the substrate at regular time intervals before the transfer of the substrate begins or during the transfer of the substrate. That is, the position of the substrate is detected by teaching and then the position of the substrate is corrected. In addition, when the moving position of the transfer robot is out of the initial setting position while colliding with the input window of the process chamber, the substrate support, etc. during the transfer of the substrate, or when the initial setting position is released due to the accumulated stress in a continuous repetitive operation The process is carried out.
이송 로봇의 티칭 방법으로는 로봇 암이나 로봇 핸드를 사용자가 직접 잡아서 기판의 인도 위치 등을 교정하는 소위 다이렉트 티칭(direct teaching) 방법이나, 티칭 박스(teaching box)에 의해 로봇을 조작하여 이송 동작의 기점이 되는 위치를 순차적으로 지정해가는 소위 리모트 티칭(remote teaching) 방법이 일반적으로 알려져 있다. 또한, 일본공개특허공보 제7-027953호 및 일본공개특허공보 제6-0224284호에는 복수의 센서를 이용한 티칭이 제시되어 있다.The teaching method of the transfer robot is a so-called direct teaching method in which a user directly grabs a robot arm or a robot hand and corrects the delivery position of a substrate, or a robot is operated by a teaching box to perform a transfer operation. The so-called remote teaching method of sequentially designating a position to be a starting point is generally known. In addition, Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-027953 and Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-0224284 disclose teaching using a plurality of sensors.
그러나, 종래의 티칭 방법은 작업자가 이송 로봇의 움직임을 시각적으로 확인하면서 실시하기 때문에 작업자 사이에서 그 정밀도에 변동이 생기기 쉽고, 그에 따라 이송 동작의 교정 신뢰성이 저하된다.However, since the conventional teaching method is performed while the operator visually confirms the movement of the transfer robot, the precision tends to fluctuate among the operators, thereby lowering the calibration reliability of the transfer operation.
또한, 이송 로봇이 실제 동작하는 환경이 진공 상태인 점을 감안하면 티칭도 진공 상태에서 이루어지는 것이 바람직하지만, 대부분의 경우에는 육안으로 확인하면서 또는 별도의 도구를 사용하면서 티칭을 진행하기 때문에 티칭 작업을 대기압 상태에서 진행하게 된다. 따라서, 공정 챔버 및 이송 챔버의 압력을 조절하는데 상당한 시간이 지연되기 때문에 생산성이 떨어지는 문제가 있다.
In addition, in view of the fact that the transport robot actually operates in a vacuum state, the teaching is preferably performed in a vacuum state. However, in most cases, the teaching operation is performed while checking with the naked eye or using a separate tool. It will proceed at atmospheric pressure. Therefore, there is a problem that productivity is lowered because a considerable time is delayed in adjusting the pressure in the process chamber and the transfer chamber.
본 발명은 이송 로봇의 이송 동작의 교정 신뢰성을 향상시킬 수 있는 티칭 장치 및 티칭 방법을 제공한다.The present invention provides a teaching apparatus and a teaching method which can improve the calibration reliability of the transfer operation of the transfer robot.
본 발명은 공정이 이루어지는 조건과 동일한 진공 및 고온 상태에서 실시되고, 기판 처리 공정 중에 실시될 수 있어 생산성을 향상시킬 수 있는 티칭 장치 및 티칭 방법을 제공한다.
The present invention provides a teaching apparatus and a teaching method which can be carried out under the same vacuum and high temperature conditions as the conditions under which the process is performed, and can be carried out during the substrate processing process to improve productivity.
본 발명의 일 형태에 따른 티칭 장치는 복수의 반사 수단이 마련된 테스트 기판; 상기 테스트 기판을 이송하는 이송 로봇; 및 상기 복수의 반사 수단에 광을 조사하고 그로부터 반사된 광을 수광하여 상기 테스트 기판의 임의의 영역의 거리를 측정하는 거리 측정부를 포함한다.A teaching apparatus of one embodiment of the present invention includes a test substrate provided with a plurality of reflecting means; A transfer robot for transferring the test substrate; And a distance measuring unit for irradiating light to the plurality of reflecting means and receiving light reflected therefrom to measure a distance of an arbitrary region of the test substrate.
상기 거리 측정부는 상기 이송 로봇의 일 영역에 마련된다.The distance measuring unit is provided in one region of the transfer robot.
상기 테스트 기판에 형성된 관통홀을 더 포함한다.Further comprising a through hole formed in the test substrate.
상기 복수의 반사 수단은 상기 광을 외측, 상측 및 하측중 적어도 일측으로 반사시키고, 그로부터 반사된 상기 광을 상기 거리 측정부로 반사시킨다.The plurality of reflecting means reflects the light to at least one of an outer side, an upper side, and a lower side, and reflects the light reflected therefrom to the distance measuring unit.
상기 복수의 반사 수단은, 상기 광을 상기 거리 측정부로 재반사시키는 적어도 하나의 제 1 반사 수단; 상기 거리 측정부와 기판 처리 챔버의 측벽 사이에서 상기 광을 반사시키는 적어도 하나의 제 2 반사 수단; 상기 거리 측정부와 가스 분사기 사이에서 상기 광을 반사시키는 적어도 하나의 제 3 반사 수단; 및 상기 거리 측정부와 기판 안치부 사이에서 상기 광을 반사시키는 적어도 하나의 제 4 반사 수단중 적어도 어느 하나를 포함한다.The plurality of reflecting means may include at least one first reflecting means for reflecting the light back to the distance measuring part; At least one second reflecting means for reflecting the light between the distance measuring part and the sidewall of the substrate processing chamber; At least one third reflecting means for reflecting the light between the distance measuring part and the gas injector; And at least one fourth reflecting means for reflecting the light between the distance measuring unit and the substrate mounting unit.
상기 제 4 반사 수단은 상기 거리 측정부와 상기 기판 안치부 사이에서 상기 관통홀을 통해 상기 광을 반사시킨다.The fourth reflecting means reflects the light through the through hole between the distance measuring part and the substrate settled part.
상기 거리 측정부는 상기 기판 처리 챔버의 일 측벽에 광을 조사하고, 그로부터 반사된 상기 광을 수광한다.
The distance measuring unit irradiates light onto one sidewall of the substrate processing chamber and receives the light reflected therefrom.
본 발명의 다른 형태에 따른 기판 처리 장치는 기판을 이송하는 이송부; 상기 이송부와 접속되어 기판을 처리하는 적어도 하나의 기판 처리부; 상기 이송부와 접속되어 상기 기판을 수납하는 로드락부; 및 상기 기판의 위치를 티칭하는 티칭 장치를 포함하고, 상기 티칭 장치는, 복수의 반사 수단 및 관통홀이 마련된 테스트 기판; 상기 이송부 내에 마련되어 상기 테스트 기판을 이송하는 이송 로봇; 및 상기 이송 로봇에 마련되고 상기 복수의 반사 수단에 광을 조사하고 그로부터 반사된 광을 수광하여 상기 테스트 기판의 임의의 영역의 거리를 측정하는 거리 측정부를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a transfer unit configured to transfer a substrate; At least one substrate processing unit connected to the transfer unit to process a substrate; A load lock part connected to the transfer part to receive the substrate; And a teaching apparatus for teaching a position of the substrate, wherein the teaching apparatus comprises: a test substrate provided with a plurality of reflecting means and a through hole; A transfer robot provided in the transfer unit to transfer the test substrate; And a distance measurer provided to the transfer robot and configured to measure the distance of any region of the test substrate by irradiating light onto the plurality of reflecting means and receiving light reflected therefrom.
상기 기판 처리부는, 반응 공간을 마련하는 기판 처리 챔버; 상기 기판 처리 챔버 내에 마련되어 상기 기판을 안치하는 기판 안치부; 및 상기 기판 처리 챔버 내에 마련되어 원료 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함한다.The substrate processing unit includes a substrate processing chamber that provides a reaction space; A substrate placing part provided in the substrate processing chamber to hold the substrate; And a gas supply part provided in the substrate processing chamber to supply source gas.
상기 복수의 반사 수단은, 상기 광을 상기 거리 측정부로 재반사시키는 적어도 하나의 제 1 반사 수단; 상기 거리 측정부와 상기 기판 처리 챔버의 측벽 사이에서 상기 광을 반사시키는 적어도 하나의 제 2 반사 수단; 상기 거리 측정부와 상기 가스 분사기 사이에서 상기 광을 반사시키는 적어도 하나의 제 3 반사 수단; 및 상기 거리 측정부와 기판 안치부 사이에서 상기 광을 반사시키는 적어도 하나의 제 4 반사 수단중 적어도 어느 하나를 포함한다.The plurality of reflecting means may include at least one first reflecting means for reflecting the light back to the distance measuring part; At least one second reflecting means for reflecting the light between the distance measuring part and the sidewall of the substrate processing chamber; At least one third reflecting means for reflecting the light between the distance measuring unit and the gas injector; And at least one fourth reflecting means for reflecting the light between the distance measuring unit and the substrate mounting unit.
상기 테스트 기판은 상기 공정용 기판의 처리를 시작하기 전 또는 상기 공정용 기판의 처리 도중에 상기 기판 처리부 내로 이송된다.The test substrate is transferred into the substrate processing part before starting processing of the processing substrate or during processing of the processing substrate.
상기 테스트 기판은 상기 공정용 기판의 처리 조건과 동일 조건에서 상기 기판 처리부 내로 이송된다.The test substrate is transferred into the substrate processing unit under the same conditions as the processing conditions of the process substrate.
상기 기판 안치부 상에 안치되는 상기 테스트 기판의 이송 좌표를 설정하고, 상기 복수의 반사 수단을 통해 반사되어 상기 거리 측정부로 입사되는 거리를 측정하며, 상기 측정된 반사 거리와 상기 이송 좌표를 비교하여 그에 따라 상기 이송 좌표를 교정하는 제어부를 더 포함한다.
Setting a transfer coordinate of the test substrate placed on the substrate setter, measuring a distance reflected by the plurality of reflecting means and incident to the distance measuring unit, and comparing the measured reflection distance with the transfer coordinate Accordingly, the control unit further includes a control unit for calibrating the transport coordinates.
본 발명의 또다른 형태에 따른 티칭 방법은 상부에 복수의 반사 수단이 마련된 테스트 기판이 제공되는 단계; 상기 테스트 기판을 기판 처리부 내로 이송하는 단계; 상기 테스트 기판의 상기 복수의 반사 수단으로 광을 조사하는 단계; 및 상기 복수의 반사 수단으로부터 재반사되어 입사되는 광을 이용하여 상기 테스트 기판과 상기 기판 처리부의 각 영역 사이의 거리를 측정하는 단계를 포함한다.Teaching method according to another aspect of the present invention comprises the steps of providing a test substrate provided with a plurality of reflecting means thereon; Transferring the test substrate into a substrate processing unit; Irradiating light onto the plurality of reflecting means of the test substrate; And measuring a distance between the test substrate and each region of the substrate processing unit by using the light incident again by being reflected back from the plurality of reflecting means.
상기 테스트 기판은 공정용 기판의 처리를 시작하기 전 또는 상기 공정용 기판의 처리 도중에 상기 기판 처리부 내로 이송된다.The test substrate is transferred into the substrate processing unit before starting processing of the processing substrate or during processing of the processing substrate.
상기 테스트 기판은 상기 공정용 기판의 처리 조건과 동일 조건에서 상기 기판 처리부 내로 이송된다.The test substrate is transferred into the substrate processing unit under the same conditions as the processing conditions of the process substrate.
상기 측정된 거리를 이용하여 상기 이송 로봇의 이송 좌표 교정에 이용하는 단계를 더 포함한다.
And using the measured distance to calibrate the transport coordinates of the transport robot.
본 발명의 실시 예들에 따른 티칭 장치는 복수의 반사 수단 및 관통홀이 마련된 테스트 기판을 기판 처리부 내의 기판 안치부 상에 위치시킨 후 이송 로봇 상에 마련된 거리 측정기를 이용하여 테스트 기판의 기판 처리부 내의 각 영역에서의 거리를 측정하여 테스트 기판의 위치를 검출한 후 그에 따라 이송 로봇의 이송 좌표를 재설정한다.In the teaching apparatus according to the embodiments of the present invention, a test substrate provided with a plurality of reflecting means and a through hole is positioned on a substrate settlement unit in a substrate processing unit, and then each angle in the substrate processing unit of the test substrate is adjusted using a distance meter provided on the transfer robot. The distance in the area is measured to detect the position of the test substrate and then reset the transfer coordinates of the transfer robot accordingly.
본 발명의 실시 예들에 의하면, 기판 처리부 및 이송부가 진공 및 공정 온도를 유지한 상태에서 이송 로봇의 티칭을 실시할 수 있다. 따라서, 기판 처리부 및 이송부를 대기압 또는 상온으로 조절할 필요가 없어 공정 시간의 지연을 방지할 수 있고, 그에 따라 생산성을 향상시킬 수 있다.According to the embodiments of the present disclosure, the transfer robot may be taught while the substrate processing unit and the transfer unit maintain vacuum and process temperatures. Therefore, it is not necessary to adjust the substrate processing unit and the transfer unit to atmospheric pressure or room temperature, thereby preventing the delay of the process time, thereby improving productivity.
또한, 기존 위치의 보정이 불필요하고, 간단하게 기판의 기판 처리부 내의 위치 측정이 가능하며, 티칭 작업이 간편하게 실시될 수 있다.In addition, it is not necessary to correct the existing position, it is possible to simply measure the position in the substrate processing portion of the substrate, and the teaching operation can be easily performed.
그리고, 복수의 센서를 이용하지 않기 때문에 주변 장치의 증가 등을 방지할 수 있다.
Since a plurality of sensors are not used, an increase in peripheral devices can be prevented.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 티칭 장치를 포함하는 기판 처리 장치의 블록도 및 평면 개념도.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리부의 개략 단면도.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 이송 로봇의 개략도.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 기판의 평면도 및 단면도.
도 7 내지 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 기판의 각 위치의 거리 측정을 설명하기 위한 개락도.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 티칭 방법을 설명하기 위한 흐름도.1 and 2 are a block diagram and a plan view of a substrate processing apparatus including a teaching apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing unit according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic view of a transfer robot according to an embodiment of the present invention.
5 and 6 are a plan view and a cross-sectional view of a test substrate according to an embodiment of the present invention.
7 to 10 is an open view for explaining the distance measurement of each position of the test substrate according to an embodiment of the present invention.
11 is a flowchart illustrating a teaching method according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한 다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art. It is provided for complete information.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 티칭 장치를 포함하는 기판 처리 장치의 블록도 및 평면 개념도이다. 또한, 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리부의 개략 단면도이고, 도 4는 이송 로봇의 개략도이다. 그리고, 도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리부 내의 기판 위치 검출을 위한 테스트 기판의 개략 평면도 및 단면도이다. 또한, 도 7 내지 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 기판의 각 위치의 거리 측정을 설명하기 위한 개락도이다. 여기서, 도 7 내지 도 10은 동일 목적의 반사 수단만을 개략적으로 도시하였다.1 and 2 are a block diagram and a plan view of a substrate processing apparatus including a teaching apparatus according to an embodiment of the present invention. 3 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a schematic view of a transfer robot. 5 and 6 are schematic plan views and cross-sectional views of a test substrate for detecting a position of a substrate in a substrate processing unit according to an exemplary embodiment of the present invention. 7 to 10 are schematic diagrams for describing distance measurement of respective positions of a test substrate according to an exemplary embodiment. 7 to 10 schematically show only reflecting means of the same purpose.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 이송부(1000)와, 이송부(1000)의 주변에 접속된 적어도 하나의 기판 처리부(2000a, 2000b : 2000) 및 로드락부(3000)를 포함한다. 또한, 기판 처리부(2000) 내로 공급되어 기판 처리부(2000) 내의 기판의 위치를 검출하기 위한 테스트 기판(4000)을 더 포함한다.1 and 2, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a
기판 처리부(2000)는 도 3에 도시된 바와 같이 이송부(1000)에 접속된 기판 처리 챔버(2100)와, 기판 처리 챔버(2100) 내의 하측에 마련되어 기판을 안치하는 기판 안치부(2200)와, 기판 처리 챔버(2100) 내의 상측에 기판 안치부(2200)와 대향 마련되어 반응 가스를 분사하는 가스 분사부(2300)와, 이송 챔버(1000)와 연통되어 기판(10)이 출입하는 기판 출입구(2400)를 포함한다. 이때, 기판 출입구(2400)와 이송부(1000) 사이에는 슬롯 밸브 또는 게이트 밸브와 같은 개폐 수단(2500)이 마련될 수 있다. 또한, 기판 처리 챔버(2100)는 기판(10) 상에 박막을 증착 또는 형성하는 챔버, 박막을 식각 또는 세정하는 챔버, 또는 노광 및 현상을 수행하는 챔버 등 다양한 챔버가 이용될 수 있다.As shown in FIG. 3, the
기판 처리 챔버(2100)는 대략 원형의 평면부 및 평면부로부터 상향 연장된 측벽부를 포함하여 소정의 내부 공간을 가지고, 상측에 위치하는 챔버 덮개(미도시)에 의해 내부 공간이 기밀하게 유지된다. 여기서, 기판 처리 챔버(2100)는 원형 이외에 다양한 형상으로 제작될 수 있는데, 예를 들어 기판 형상에 대응하는 형상으로 제작될 수 있다. 이러한 기판 처리 챔버(2100)는 내마모성 및 내열성과 내부식성이 우수한 금속 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 기판 처리 챔버(2100)의 측면에는 적어도 하나의 배기구(미도시)가 마련되고, 배기구는 배기관(미도시)을 통해 배기 장치(미도시)와 연결될 수 있다. 기판 안치부(2200)는 그 내부 또는 하부측에 히터 등의 가열 수단(미도시)이 마련되어 기판 안치부(2200) 상에 안착되는 기판을 소정 온도로 가열할 수 있다. 또한, 기판 안치부(2200) 내부에는 냉각 수단(미도시)이 더 마련되어 가열 수단과 함께 기판의 온도를 조절할 수 있다. 그리고, 기판 안치부(2200)의 하측에는 회전 모터(미도시)와 연결된 구동축(2210)이 마련될 수 있고, 그에 따라 기판 안치부(2200)를 회전시킬 수 있다. 가스 분사부(2300)는 외부로부터의 복수의 원료 가스를 기판 처리 챔버(2100) 내에 공급한다. 따라서, 기판 처리 챔버(2100) 외부에는 복수의 원료 가스를 저장하는 원료 저장부(미도시)가 마련되고, 가스 분사부(2300)와 원료 저장부 사이에 공급관(2310)이 마련되어 원료 저장부로부터 가스 분사부(2300)로 원료 가스를 공급한다. 원료 가스는 기판 상에 형성되는 박막, 식각하고자 하는 박막 등에 따라 다양한 물질이 공급될 수 있다.The
로드락부(3000)는 이송부(1000)에 접속된 로드락 챔버(3100)와, 로드락 챔버(3100)에 마련되어 적어도 하나의 기판이 수납되는 기판 수납부(3200)와, 이송부(1000)에 연통된 로드락용 기판 출입부(3300)를 구비한다. 여기서, 기판 수납부(3200)는 기판 처리 챔버(2100)에서 박막 증착, 식각 등의 공정이 진행되는 적어도 하나의 기판이 수납될 수 있다. 또한, 기판 수납부(3200)에는 복수의 기판과 과 기판 처리 챔버(2100) 내의 기판 위치를 검출하기 위한 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같은 적어도 하나의 테스트 기판(4000)이 수납될 수 있다. 즉, 테스트 기판(4000)은 기판 위치를 확인하기 위한 경우 기판 수납부(3200)에 수납될 수 있다. 한편, 로드락부(3000)와 이송부(1000) 사이에도 슬롯 밸브 또는 게이트 밸브 등의 개폐 수단(3400)이 마련될 수 있다.The
이송부(1000)는 기판 처리부(2000)와 로드락부(3000) 사이에 마련된 이송 챔버(1100)와, 이송 챔버(1100) 내에 마련되어 기판 및 테스트 기판(4000)을 이송하는 이송 로봇(1200)과, 이송 로봇(1200) 상의 소정 영역에 마련되어 기판 처리부(2000)에 위치하는 테스트 기판(4000)의 복수의 영역에서의 거리를 측정하는 거리 측정부(1250)와, 거리 측정부(1250)의 측정 결과를 이용하여 이송 로봇(1200)에 대한 자동 티칭을 수행하고 자동 티칭 결과를 이용하여 이송 로봇(1200)의 이동 동작을 제어하는 제어부(1300)를 포함한다. 여기서, 이송 로봇(1200), 거리 측정부(1250) 및 테스트 기판(4000)이 티칭 장치에 포함될 수 있다. 또한, 제어부(1300)의 일부가 티칭 장치에 포함될 수 있다.The
이송 챔버(1100)는 예를 들어 오각형 형상으로 제작되고, 이송 챔버(1100)에는 두 개의 기판 처리 챔버(2100)와 하나의 로드락 챔버(3100)가 연결될 수 있다. 그러나, 이송 챔버(1100)는 원형, 타원형 또는 다각형 형상으로 제작이 가능하고, 이송 챔버(1100)에 연결되는 기판 처리부(2000)는 둘 이상일 수 있으며, 로드락부(3000)도 하나 이상일 수 있다.The
이송 로봇(1200)은 도 4에 도시된 바와 같이 제어부(1300)의 제어 신호에 따라 구동하는 구동부(1210)와, 구동부(1210)의 구동력을 전달하는 구동축(1220)과, 일 단부가 구동축에 접속된 로봇 암(1230)과, 로봇 암(1230)의 다른 끝단에 마련되어 기판을 지지하는 로봇 핸드(1240)를 포함한다. 또한, 로봇 암(1230)의 소정 영역에 마련된 거리 측정부(1250)를 더 구비한다. 이때, 로봇 암(1230)은 다관절 구조(1231, 1232, 1233)로 제작되는 것이 효과적이다. 이를 통해 좁은 이송 챔버(1100) 내에서 기판을 안정적으로 이송시킬 수 있다. 또한, 거리 측정부(1250)은 로봇 암(1230)의 상부에 마련될 수 있는데, 로봇 핸드(1240)와 연결되는 로봇 암(1233)의 상부에 마련될 수 있다. 거리 측정부(1250)는 소정의 광, 예를 들어 레이저를 발광하는 발광부와 테스트 기판(4000)으로부터 반사되는 광을 수광하는 수광부를 포함하는 광 센서를 이용할 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 거리 측정을 위해 초음파 센서 또는 적외선 센서를 사용할 수도 있다. 한편, 거리 측정부(1250)는 테스트 기판(4000)에 광을 조사하는 티칭 공정 이외에 기판(10) 상에 박막 등을 증착하는 기판 처리 공정을 실시하기 위해 기판 처리부(2000)의 개폐 여부를 확인하기 위해 이용될 수 있다. 즉, 기판 처리부(2000)의 개폐 수단(2500)이 닫힌 상태에서 이송 로봇(1200)이 이동하게 되면 개폐 수단(2500)과 이송 로봇(1200)이 충돌하게 되고, 그 충격에 의해 이송 로봇(1200)이 손상되거나 이송 로봇(1200)의 이송 좌표에 오류가 발생될 수 있다. 따라서, 이송 로봇(1200)이 기판 처리부(2000)로 이동하기 이전에 개폐 수단(2500)의 개폐 여부를 확인하는 것이 바람직하다. 이를 위해 이송 로봇(1200)의 로봇 핸드(1240)가 기판 처리 챔버(2100)를 향하도록 한 후 이송 로봇(1200) 상에 마련된 거리 측정부(1250)로부터 레이저가 조사되어 개폐 수단(2500)의 개폐 여부를 확인한다. 즉, 거리 측정부(1250)로부터 조사된 레이저가 반사되어 수광되는 거리를 측정하여 개폐 수단(2500)의 개폐 여부를 확인한다. 이를 위해 제어부(1300)에는 거리 측정부(1250)와 개폐 수단(2500)과의 거리 및 거리 측정부(1250)와 대향하는 기판 처리 챔버(2100)의 측벽까지의 거리의 적어도 어느 하나를 저장하게 된다. As shown in FIG. 4, the
로봇 암(1230)은 설정된 이송 좌표 내에서 이동하여 로봇 핸드(1240) 상에 위치하는 기판을 해당 장소, 예컨데 기판 처리부(2000)의 기판 안치부(2200), 로드락 챔버(3000)의 기판 수납부(3200)에 배치시킨다. 이를 위해 기판을 움직일 해당 좌표, 예를 들어 기판 안치부(2200)의 중심점에 해당하는 좌표를 저장한다. 저장된 좌표를 이용하여 이송 로봇(1200)은 로봇 핸드(1240)에 지지되는 기판의 중심이 기판 안치부(2200)의 중심점에 일치할 수 있게 배치시킬 수 있다. 그런데, 기판의 이송이 시작되기 이전 또는 기판의 이송 도중 일정 시간 간격으로 기판의 위치를 검출하는 티칭(teaching) 공정이 실시된다. 즉, 이송되는 기판의 위치를 검출하여 검출 결과에 따라 기판의 이송 상태를 교정하게 된다. 또한, 기판을 이송하는 도중에 공정 챔버의 투입창이나 기판 지지대 등에 충돌하면서 이송 로봇의 이동 위치가 최초 설정된 위치에서 벗어난 경우, 그리고 연속된 반복 작업으로 누적된 스트레스에 의해 최초 설정 위치가 벗어난 경우에도 티칭 공정이 실시된다. 이러한 티칭을 위해 테스트 기판(4000) 및 거리 측정부(1250)를 이용하여 기판 처리 챔버(2100) 내의 기판의 위치를 측정한다. 즉, 거리 측정부(1250)는 테스트 기판(4000)의 각 영역의 기판 처리부(2000) 내에의 위치를 측정한 후 그에 따라 이송 로봇(1200)의 이송 좌표를 교정할 수 있다. 이를 위해 제어부(1300)는 거리 측정부(1250)에 의해 측정된 값을 이용하여 이송 로봇(1200)의 이송 좌표를 계산하는 티칭 제어 모듈(1310)과, 티칭 제어 모듈(1310)에서 계산된 이송 좌표를 저장하는 이송 좌표 저장부(1320)와, 저장된 이송 좌표를 이용하여 이송 로봇(1200)의 이동을 제어하는 제어 모듈(1330)을 구비한다. 따라서, 본 실시 예에서는 이송 로봇(1200)에 의해 테스트 기판(4000)이 기판 처리부(2000) 내의 기판 안치부(2200) 상에 안치된 후 이송 로봇(1200) 상에 마련된 거리 측정부(1250)를 이용하여 테스트 기판(4000)의 각 영역과 이에 대향되는 기판 처리부(2000) 내의 각 영역과의 이격 거리를 측정한다. 그리고, 티칭 제어 모듈(1310)은 측정된 이격 거리를 이용하여 기판 안치부(2200) 중심점과의 이격 거리를 계산하여 이송 좌표를 계산하고, 이를 이송 좌표 저장부(1320)가 저장한다. 제어 모듈(1330)은 이송 좌표 저장부(1320)에 저장된 이송 좌표를 이용하여 이송 로봇(1200)의 이동을 제어한다. 이를 통해 앞서 언급한 바와 같이 이송 로봇(1200)의 이송 좌표를 교정할 수 있다.The
테스트 기판(4000)은 이송 로봇(1200)에 의해 로드락부(3000)의 기판 수납부(3200)로부터 기판 처리부(2000) 내의 기판 안치부(2200)로 이송될 수 있다. 이러한 테스트 기판(4000)은 기판 처리부(2000) 내에서 공정이 이루어지는 기판과 동일 기판으로 제작될 수 있다. 즉, 테스트 기판(4000)은 공정용 기판과 재질, 두께 및 형상이 동일할 수 있는데, 예를 들어 테스트 기판(4000)은 공정용 기판과 동일한 원형의 실리콘 기판을 이용할 수 있다. 또한, 테스트 기판(4000) 상에는 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 복수의 반사 수단(4100)이 마련되고, 복수의 관통홀(4200)이 마련될 수 있다. 여기서, 도 6은 도 5의 A 영역으로부터 C 영역으로 테스트 기판(4000)의 가장자리를 따라 도시한 단면도이다.The
반사 수단(4100)은 이송 로봇(1200) 상에 마련된 거리 측정부(1250)로부터 방출되는 레이저를 반사하여 거리 측정부(1250)에서 수광하도록 하거나, 레이저를 기판 처리부(2000) 내의 설정된 복수의 영역으로 반사하고 기판 처리부(2000)의 복수의 영역으로부터 재반사된 레이저를 다시 반사하여 거리 측정부(1250)가 수광하도록 한다. 이를 위해 반사 수단(4100)은 예를 들어 거리 측정부(1250)로부터 방출되는 레이저를 반사하는 제 1 반사 수단(4110)과, 테스트 기판(4000)의 복수의 영역과 기판 처리 챔버(2100)의 측벽 사이에서 레이저를 반사하는 제 2 반사 수단(4120)과, 테스트 기판(4000)의 복수의 영역과 가스 분사부(2300) 사이에서 레이저를 반사하는 제 3 반사 수단(4130)과, 테스트 기판(4000)의 복수의 영역과 기판 안치대(2200) 사이에서 레이저를 반사하는 제 4 반사 수단(4140)을 포함한다. 따라서, 반사 수단(4100)은 레이저를 반사하도록 반사 물질, 예를 들어 금속으로 제작될 수 있으며, 기판 처리부(2000) 내의 각 영역으로 레이저를 반사하도록 소정 각도를 갖도록 제작된다.The reflecting means 4100 reflects the laser emitted from the
이때, 복수의 반사 수단(4100)은 예를 들어 거리 측정부(1250)로부터 레이저가 조사되는 영역으로부터 시계 방향으로 90°의 각도로 네 개의 영역(A, B, C, D)으로 분할된 경우를 가정하면 A 영역에 두 개의 반사 수단(4130, 4140)이 마련되며, B 영역과 C 영역 사이에 네 개의 반사 수단(4120, 4110, 4140, 4130)이 마련되고, C 영역과 D 영역 사이에 네 개의 반사 수단(4140, 4130, 4110, 4120)이 마련될 수 있다. 더욱 상세하게, B 영역으로부터 B 영역과 C 영역 사이의 45°되는 점까지 사이에 네 개의 반사 수단(4120, 4110, 4140, 4130)이 순서적으로 마련될 수 있고, D 영역으로부터 D 영역과 C 영역 사이의 45°되는 점까지 사이에 네 개의 반사 수단(4140, 4130, 4110, 4120)이 순서적으로 마련될 수 있다. 이때, 앞쪽에 위치한 반사 수단(4100)이 뒤쪽에 위치한 반사 수단(4100)에 레이저가 조사되는 것을 방해하지 않도록 반사 수단(4100)의 위치를 조절할 수 있다. 또한, 동일 목적을 위한 반사 수단(4100)은 서로 다른 위치에 마련되어 삼각형의 구도로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 3 반사 수단(4130)은 A 영역과, B 영역과 C 영역 사이, 그리고 C 영역과 D 영역 사이에 마련되어 이들이 삼각형의 구도를 가질 수 있다. 또한, 제 4 반사 수단(4140)은 제 3 반사 수단(4130)과 이격되어 A 영역과, B 영역과 C 영역 사이, 그리고 C 영역과 D 영역 사이에 마련되어 이들이 삼각형의 구도를 가질 수 있다. 그런데, 제 2 반사 수단(4120)은 B 영역과 D 영역에 마련될 수 있는데, 이는 위치 검출부(1250)로부터 방출된 레이저는 앞쪽의 두 반사 수단(4130, 4140) 사이를 지나 반대편의 기판 처리 챔버(2100)의 측벽에 바로 반사되어 다시 위치 검출부(1250)로 입사되고 이를 기판 처리 챔버(2100)의 측벽과의 거리 측정에 이용할 수 있기 때문이다. 또한, 제 1 반사 수단(4110)은 B 영역과 C 영역 사이의 제 2 반사 수단(4120)과 제 4 반사 수단(4140) 사이에 마련되고, C 영역과 D 영역 사이의 제 3 반사 수단(4130)과 제 2 반사 수단(4120) 사이에 마련될 수 있다.In this case, the plurality of reflecting means 4100 is divided into four regions A, B, C, and D, for example, at an angle of 90 ° clockwise from the region irradiated with the laser from the
제 1 반사 수단(4110)은 거리 측정부(1250)로부터 방출되는 레이저를 거리 측정부(1250)로 반사하여 거리 측정부(1250)에서 수광하도록 한다. 이를 통해 테스트 기판(4000)의 위치를 검출하여 테스트 기판(4000)의 어긋남 등을 판단할 수 있다. 즉, 거리 측정부(1250)로부터 두 개의 제 1 반사 수단(4110) 사이의 거리를 각각 설정하여 기판이 놓여지는 위치를 설정하는데, 예를 들어 도 7에 도시된 바와 같이 두 개의 제 1 반사 수단(4110)이 서로 대향되는 두 영역에 마련하여 거리 측정부(1250)로부터 두 개의 제 1 반사 수단(4110) 사이의 거리(T11)를 동일하게 한다. 물론, 두 개의 제 1 반사 수단(4110)을 거리 측정부(1250)로부터의 거리가 다르도록 배치할 수도 있다. 이 상태에서 거리 측정부(1250)로부터 측정된 두 개의 제 1 반사 수단(4110)의 거리가 다를 경우 테스트 기판(4000)의 위치가 어긋난 것으로 판단할 수 있다. 예를 들어, 도 7의 점선으로 표시된 바와 같이 거리 측정부(1250)와 B 영역 근방에 위치한 제 1 반사 수단(4110) 사이의 거리(T12)가 거리 측정부(1250)와 D 영역 근방에 위치한 제 1 반사 수단(4110) 사이의 거리(T13)보다 길 경우 B 영역 근방의 제 1 반사 수단(4110)이 C 영역쪽으로 더 이동하도록 테스트 기판(4000)의 위치가 어긋난 것으로 판단할 수 있다. 또한, 거리 측정부(1250)와 B 영역 및 D 영역 근방에 위치한 제 1 반사 수단(4110) 사이의 거리가 설정된 거리보다 짧거나 길 경우 테스트 기판(4000)이 설정된 위치보다 앞쪽 또는 뒤쪽에 위치한 것으로 판단할 수 있다. 따라서, 제 1 반사 수단(4110)을 통해 측정되는 거리를 이용하여 이송 로봇(1200)의 티칭 시 기판의 위치를 교정할 수 있다.The first reflecting
제 2 반사 수단(4120)은 적어도 두 영역에 마련될 수 있는데, B 영역과 D 영역에 마련될 수 있다. 제 2 반사 수단(4120)은 거리 측정부(1250)로부터 방출되는 레이저를 기판 처리 챔버(2100)의 측벽으로 반사시키고, 기판 처리 챔버(2100)의 측벽으로부터 반사된 레이저를 다시 거리 측정부(1250)로 반사하여 거리 측정부(1250)에서 이를 수광하도록 한다. 즉, 제 2 반사 수단(4120)은 기판 처리 챔버(2100)의 측벽과 거리 측정부(1250) 사이에서 레이저를 반사시킨다. 이때, 기판 처리 챔버(2100)와 거리 측정부(1250) 사이의 거리를 측정하기 위해 제 2 반사 수단(4120)을 이용하지 않고 레이저가 직접 기판 처리 챔버(2100)의 측벽으로 조사되도록 할 수 있다. 예를 들어 위치 검출부(1250)로부터 방출된 레이저가 앞쪽의 두 반사 수단(4130, 4140) 사이를 지나 반대편의 기판 처리 챔버(2100)의 측벽에 바로 반사되어 다시 거리 측정부(1250)로 입사될 수 있다. 즉, 두 개의 제 2 반사 수단(4120)과 레이저 직접 조사에 의해 기판 처리 챔버(2100) 측벽의 세 영역과 거리 측정부(1250) 사이의 거리를 측정할 수 있다. 이때, 측정되는 기판 처리 챔버(2100)의 세 영역은 정삼각형의 구도를 가질 수 있다. 이를 통해 테스트 기판(4000)과 기판 처리 챔버(2100) 측벽의 거리를 검출할 수 있다. 즉, 도 8에 도시된 바와 같이 거리 측정부(1250)로부터 두 제 2 반사 수단(4120)을 통해 기판 처리 챔버(2100)의 측벽 사이의 거리(T21및 T22)와 직접 조사에 의한 기판 처리 챔버(2100) 사이의 거리(T23)를 설정하여 기판과 기판 처리 챔버(2100)의 측벽 사이의 거리를 설정하는데, 측정된 두 개의 제 2 반사 수단(4120)의 거리와 직접 조사에 의한 거리가 설정된 거리와 다를 경우 테스트 기판(4000)의 위치가 어긋난 것으로 판단할 수 있다. 예를 들어, B 영역에 위치한 제 1 반사 수단(4110)을 통해 측정된 거리(T24)가 설정된 거리(T21)보다 짧은 경우 테스트 기판(4000)이 B 영역쪽으로 더 이동한 것으로 판단할 수 있다. 이때, D 영역에 위치한 제 1 반사 수단(4110)을 통해 측정된 거리(T25)는 설정된 거리(T22)보다 길 수 있다. 따라서, 기판 처리 챔버(2100)의 측벽과 제 2 반사 수단(4120)의 거리 및 직접 조사 거리를 이용하여 이송 로봇(1200)의 티칭 시 기판과 기판 처리 챔버(2100) 사이의 거리를 교정할 수 있다.The second reflecting means 4120 may be provided in at least two areas, and may be provided in the B area and the D area. The second reflecting
제 3 반사 수단(4130)은 적어도 세 영역에 마련될 수 있는데, A 영역과, B 영역과 C 영역 사이, 그리고 C 영역과 D 영역 사이에 마련될 수 있다. 제 3 반사 수단(4130)은 거리 측정부(1250)로부터 방출되는 레이저를 가스 분사부(2300)를 향하여 반사시키고, 가스 분사부(2300)으로부터 반사된 레이저를 다시 거리 측정부(1250)로 반사하여 거리 측정부(1250)에서 이를 수광하도록 한다. 즉, 제 3 반사 수단(4130)은 가스 분사부(2300)와 거리 측정부(1250) 사이에서 레이저를 반사시킨다. 이때, 측정되는 가스 분사부(2300)의 세 영역은 정삼각형의 구도를 가질 수 있다. 이를 통해 테스트 기판(4000)과 가스 분사부(2200) 사이의 거리를 검출할 수 있다. 즉, 도 9에 도시된 바와 같이 거리 측정부(1250)로부터 세 개의 제 3 반사 수단(4130) 사이의 거리를 설정하여 테스트 기판(4000)과 가스 분사부(2200) 사이의 거리(T31, T32, T33)를 설정하는데, 측정된 세 개의 제 3 반사 수단(4130)의 거리가 설정된 거리와 다를 경우 테스트 기판(4000)의 적어도 일 영역에서의 높이가 어긋난 것으로 판단할 수 있다. 예를 들어, C 영역과 D 영역 사이에 위치한 제 3 반사 수단(4130)을 통해 반사된 거리(T34)가 설정된 거리(T33)보다 짧을 경우 테스트 기판(4000)의 C 영역과 D 영역 사이에 대응되는 영역이 가스 분사부(2300)쪽으로, 즉 상측으로 높게 위치한 것으로 판단할 수 있다. 따라서, 가스 분사부(2200)와 제 3 반사 수단(4130) 사이의 거리를 이용하여 이송 로봇(1200)의 티칭 시 기판의 적어도 일 영역에서의 높이를 교정할 수 있다.The third reflecting means 4130 may be provided in at least three regions, and may be provided between the A region, the B region and the C region, and the C region and the D region. The third reflecting means 4130 reflects the laser emitted from the
제 4 반사 수단(4140)은 적어도 세 영역에 마련될 수 있는데, A 영역과, B 영역과 C 영역 사이, 그리고 C 영역과 D 영역 사이에 마련될 수 있다. 제 4 반사 수단(4140)은 거리 측정부(1250)로부터 방출되는 레이저를 기판 안치부(2200)를 향하여 반사시키고, 기판 안치부(2200)로부터 반사된 레이저를 다시 거리 측정부(1250)로 반사하여 거리 측정부(1250)에서 이를 수광하도록 한다. 즉, 제 4 반사 수단(4140)은 기판 안치부(2200)와 거리 측정부(1250) 사이에서 레이저를 반사시킨다. 그런데, 제 4 반사 수단(4140)으로부터 반사된 레이저가 테스트 기판(4000)을 관통하여 기판 안치부(2200)로 입사되도록 하기 위해 테스트 기판(4000)의 제 4 반사 수단(4140) 주변에 관통홀(4200)이 형성된다. 또한, 관통홀(4200)에 대응되는 영역의 로봇 핸드(1240)의 소정 영역에도 관통홀(1241)이 형성될 수 있다. 즉, 거리 측정부(1250)로부터 발생된 레이저는 제 4 반사 수단(4140)에 의해 반사되고 테스트 기판(4000)의 관통홀(4200) 및 로봇 핸드(1240)의 관통홀(1241)을 통해 기판 안치부(2200)에 입사될 수 있다. 이때, 측정되는 기판 안치부(2200)의 세 영역은 정삼각형의 구도를 가질 수 있다. 이를 통해 테스트 기판(4000)과 기판 안치부(2200) 사이의 거리를 검출할 수 있다. 즉, 도 10에 도시된 바와 같이 거리 측정부(1250)로부터 세 개의 제 4 반사 수단(4140) 사이의 거리를 설정하여 기판과 기판 안치부(2200) 사이의 거리(T41, T42, T43)를 설정하는데, 측정된 세 개의 제 4 반사 수단(4140)의 거리가 설정된 거리와 다를 경우 테스트 기판(4000)의 적어도 일 영역에서의 높이가 어긋난 것으로 판단할 수 있다. 예를 들어, C 영역과 D 영역 사이에 위치한 제 4 반사 수단(4140)을 통해 반사된 거리(T44)가 설정된 거리(T43)보다 길 경우 테스트 기판(4000)의 C 영역과 D 영역 사이에 대응되는 영역이 가스 분사부(2300)쪽으로, 즉 상측으로 높게 위치한 것으로 판단할 수 있다. 따라서, 기판 안치부(2200)와 제 4 반사 수단(4140) 사이의 거리를 이용하여 이송 로봇(1200)의 티칭 시 기판의 적어도 일 영역에서의 높이를 교정할 수 있다. 한편, 제 3 반사 수단(4130)을 통해 측정된 거리와 제 4 반사 수단(4140)을 통해 측정된 거리는 서로 상반되는 관계를 가질 수 있다. 예를 들어, 제 3 반사 수단(4130)을 통해 측정된 거리가 설정된 거리보다 짧을 경우 제 4 반사 수단(4140)을 통해 측정된 거리가 설정된 거리보다 길 수 있다. 즉, 테스트 기판(4000)의 적어도 일 영역이 가스 분사부(2300) 쪽으로 이동되어 거리가 짧아지면 그 영역의 기판 안치부(2200) 사이의 거리가 길어질 수 있다.
The fourth reflecting means 4140 may be provided in at least three regions, and may be provided between the A region, the B region and the C region, and the C region and the D region. The fourth reflecting means 4140 reflects the laser emitted from the
상기한 바와 같이 본 발명의 일 실시 예에 따른 티칭 장치는 복수의 반사 수단(4100) 및 관통홀(4200)이 마련된 테스트 기판(4000)을 기판 처리부(2000) 내의 기판 안치부(2200) 상에 위치시킨 후 이송 로봇(1200) 상에 마련된 거리 측정부(1250)를 이용하여 테스트 기판(4000)의 기판 처리부(2000) 내의 각 영역에서의 거리를 측정하여 테스트 기판(4000)의 각 영역의 위치를 검출한 후 그에 따라 이송 로봇(1200)의 이송 좌표를 재설정하는데 이용한다. 즉, 복수의 반사 수단(4100)은 예를 들어 기판 처리 챔버(2100)의 측벽, 기판 안치부(2200) 및 가스 분사부(2300) 각각의 복수의 영역으로 거리 측정부(1250)로부터 조사된 레이저를 반사시키고, 이들로부터 재반사된 레이저를 다시 반사시켜 거리 측정부(1250)가 수광하도록 함으로써 테스트 기판(4000)의 위치를 검출하고, 이를 이송 로봇(1210)의 이송 좌표를 재설정하는데 이용할 수 있다. 이때, 기판 처리부(2000) 및 이송부(1000)는 진공 및 공정 온도를 유지한 상태에서 티칭을 실시할 수 있다. 따라서, 기판 처리부(2000) 및 이송부(1000)를 대기압 또는 상온으로 조절할 필요가 없어 공정 시간의 지연을 방지할 수 있고, 그에 따라 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 복수의 센서를 이용하지 않기 때문에 복수의 센서를 이용함으로써 발생되는 주변 장치의 증가 등을 방지할 수 있다.
As described above, the teaching apparatus according to the exemplary embodiment of the present disclosure may include a
이러한 본 발명의 일 실시 예에 따른 티칭 장치를 이용한 티칭 방법을 도 11을 이용하여 설명하면 다음과 같다.The teaching method using the teaching apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 11 as follows.
도 11을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 티칭 방법은 상부에 복수의 반사 수단(4100)이 마련된 테스트 기판(4000)이 제공되는 단계(S110)와, 설정된 이송 좌표에 따라 기판 처리부(2000) 내부로 테스트 기판(4000)을 이송하는 단계(S120)와, 거리 측정부(1250)로부터 레이저를 테스트 기판(4000)의 복수의 반사 수단(4100)으로 조사하는 단계(S130)와, 복수의 반사 수단(4100)으로부터 재반사되어 입사된 레이저를 이용하여 테스트 기판(4000)의 각 영역의 거리를 측정하는 단계(S140)와, 측정된 거리를 이용하여 테스트 기판(4000)과 기판 처리부(2000) 내의 복수의 영역의 이격 거리를 계산하여 이송 좌표를 계산하는 단계(S150)와, 계산된 이송 좌표를 이송 로봇(1200)의 이송 좌표 재설정에 이용하는 단계(S160)를 포함한다. 이러한 본 발명의 일 실시 예에 따른 티칭 방법을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to FIG. 11, in the teaching method according to an exemplary embodiment, a step (S110) of providing a
S110 : 테스트 기판(4000) 상에는 복수의 반사 수단(4100) 및 복수의 관통홀(4200)이 마련된다. 이때, 테스트 기판(4000)은 박막 증착 공정, 식각 공정 등의 공정이 실시되는 공정용 기판과 동일 재질 및 동일 형상의 기판을 이용할 수 있다. 또한, 테스트 기판(4000)은 기판 위치 확인을 위해 적어도 하나의 공정용 기판과 함께 로드락부(3000)에 마련될 수 있다. 이때, 로드락부(3000)에는 복수의 기판을 수납할 수 있는 기판 수납부(3200)가 마련되는데, 복수의 공정용 기판과 적어도 하나의 테스트 기판(4000)이 기판 수납부(3200) 내에 예를 들어 수직 방향으로 적층되어 수납될 수 있다. 또한, 기판 및 테스트 기판(4000)을 기판 처리부(2000) 또는 로드락부(3000)로 이송하는 이송 로봇(1200)에는 기판 처리부(2000) 내로 이송하는 기판의 이송 좌표가 미리 설정되어 있다. 이송 좌표는 기판의 안착 위치, 기판과 기판 처리 챔버(2100)의 측벽 사이의 거리, 기판과 기판 안치부(2200) 사이의 거리, 그리고 기판과 가스 분사부(2300) 사이의 거리 등을 포함할 수 있다. 이에 따라, 예를 들어 기판의 중심점이 기판 처리 챔버(2100) 내의 기판 안치부(2200)의 중심점 상에 위치할 수 있다.S110: A plurality of reflecting means 4100 and a plurality of through
S120 : 테스트 기판(4000)은 이송 로봇(1200)의 로봇 핸드(1240) 상에 놓여진 후 기판 처리 챔버(2100)의 내부로 이송하게 된다. 즉, 이송 로봇(1200)에 의해 기판 처리 챔버(2100) 내로 이송되는 기판의 위치를 검출하기 위해 테스트 기판(4000)이 이용될 수 있다. 이때, 기판을 처리하기 이전 또는 복수의 기판을 처리한 후 소정 주기마다 테스트 기판(4000)을 이용하여 이송 로봇(1200)으로부터 이송되는 기판의 기판 처리부(2000) 내에서의 위치를 검출할 수 있다. 이는 테스트 기판(4000)은 복수의 공정용 기판과 함께 로드락부(3000)에 공급되기 때문에 가능하다. 또한, 이송 로봇(1200)은 설정된 좌표에 따라 테스트 기판(4000)을 기판 처리 챔버(2100) 내부로 이송하는데, 예를 들어 테스트 기판(4000)의 중심점이 기판 안치부(2200)의 중심점에 대응하도록 테스트 기판(4000)을 기판 안치부(2200) 상으로 이송시킨다.S120: The
S130 : 이송 로봇(1200) 상에 위치된 테스트 기판(4000)이 설정된 기판 안치부(2200) 상에 위치된 후 거리 측정부(1250)로부터 레이저를 테스트 기판(4000)의 복수의 반사 수단(4100)으로 조사한다. 이때, 레이저는 복수의 반사 수단(4100)에 동시에 조사될 수 있고, 반사 수단(4100)에 순차적으로 조사될 수 있다. 예를 들어, 테스트 기판(4000)의 B 영역으로부터 D 영역으로 순차적으로 마련된 반사 수단(4100)에 레이저를 조사할 수 있다. 반사 수단(4100)은 이송 로봇(1200) 상에 마련된 거리 측정부(1250)로부터 방출되는 레이저를 반사하여 거리 측정부(1250)에서 수광하도록 하거나, 레이저를 기판 처리부(2000) 내의 설정된 복수의 영역으로 반사하고 기판 처리부(2000)의 복수의 영역으로부터 재반사된 레이저를 다시 반사하여 거리 측정부(1250)가 수광하도록 한다. 이를 위해 반사 수단(4100)은 예를 들어 거리 측정부(4200)로부터 방출되는 레이저를 반사하는 제 1 반사 수단(4110)과, 테스트 기판(4000)의 복수의 영역과 기판 처리 챔버(2100)의 측벽 사이에서 레이저를 반사하는 제 2 반사 수단(4120)과, 테스트 기판(4000)의 복수의 영역과 가스 분사부(2300) 사이에서 레이저를 반사하는 제 3 반사 수단(4130)과, 테스트 기판(4000)의 복수의 영역과 기판 안치대(2200) 사이에서 레이저를 반사하는 제 4 반사 수단(4140)을 포함한다. 또한, 반사 수단을 이용하지 않고 거리 측정부(1250)로부터 기판 처리 챔버(2100)의 일 측벽으로 레이저를 직접 조사할 수 있다. 또한, 동일 목적의 반사 수단(4100)은 서로 소정 간격 이격되도록 적어도 둘 이상 마련된다.S130: After the
S140 : 거리 측정부(1250)는 서로 이격된 동일 목적의 반사 수단(1250) 또는 기판 처리 챔버(2100)의 측벽으로부터 반사된 레이저를 이용하여 거리 측정부(1250)와 기판 처리 챔버(2100) 내의 각 영역의 거리를 측정할 수 있다. 예를 들어, 거리 측정부(1250)는 서로 이격된 두 개의 제 1 반사 수단(4110)에 반사되어 다시 입사되는 레이저를 이용하여 거리 측정부(1250)와 두 개의 제 1 반사 수단(4110) 사이의 거리를 측정할 수 있고, 두 개의 제 2 반사 수단(4120)과 레이저 직접 조사에 의해 기판 처리 챔버(2100) 측벽의 세 영역과 거리 측정부(1250) 사이의 거리를 측정할 수 있다. 또한, 거리 측정부(1250)는 세 개의 제 3 반사 수단(4130)에 의해 반사된 레이저에 의해 가스 분사부(2300)와 거리 측정부(1250) 사이의 거리를 측정할 수 있고, 세 개의 제 4 반사 수단(4140)에 의해 반사된 레이저에 의해 기판 안치부(2200)과 거리 측정부(1250) 사이의 거리를 측정할 수 있다. S140: The
S150 : 제어부(1300)의 티칭 제어 모듈(1310)은 거리 측정부(1250)와 반사 수단(4100) 사이의 측정된 거리를 이용하여 이격 거리를 계산하여 이송 좌표를 계산한다. 또한, 새로 측정된 거리를 이전에 설정된 거리와 비교할 수도 있다. 즉, 거리 측정부(1250)로부터 제 1 반사 수단(4110) 사이의 거리를 설정하여 기판이 놓여지는 위치를 미리 설정하는데, 측정된 두 개의 제 1 반사 수단(4110)의 거리가 다를 경우 테스트 기판(4000)의 위치가 어긋난 것으로 판단할 수 있다. 예를 들어, 거리 측정부(1250)와 B 영역 근방에 위치한 제 1 반사 수단(4110) 사이의 거리가 거리 측정부(1250)와 D 영역 근방에 위치한 제 1 반사 수단(4110) 사이의 거리보다 길 경우 B 영역 근방의 제 1 반사 수단(4110)이 C 영역쪽으로 더 이동하도록 테스트 기판(4000)의 위치가 어긋난 것으로 판단할 수 있고, 거리 측정부(1250)와 B 영역 및 D 영역 근방에 위치한 제 1 반사 수단(4110) 사이의 거리가 설정된 거리보다 짧거나 길 경우 테스트 기판(4000)이 설정된 위치보다 앞쪽 또는 뒤쪽에 위치한 것으로 판단할 수 있다. 또한, 거리 측정부(1250)로부터 제 2 반사 수단(4120) 사이의 거리와 직접 조사에 의한 거리를 설정하여 기판과 기판 처리 챔버(2100)의 측벽 사이의 거리를 설정하는데, 측정된 두 개의 제 2 반사 수단(4120)의 거리와 직접 조사에 의한 거리가 설정된 거리와 다를 경우 테스트 기판(4000)의 위치가 어긋난 것으로 판단할 수 있다. 예를 들어, B 영역에 위치한 제 2 반사 수단(4120)을 통해 측정된 거리가 설정된 거리보다 길 경우 테스트 기판(4000)이 D 영역쪽으로 더 이동한 것으로 판단할 수 있다. 그리고, 거리 측정부(1250)로부터 제 3 반사 수단(4130) 사이의 거리를 설정하여 테스트 기판(4000)과 가스 분사부(2200) 사이의 거리를 설정하는데, 측정된 세 개의 제 3 반사 수단(4130)의 거리가 설정된 거리와 다를 경우 테스트 기판(4000)의 적어도 일 영역에서의 높이가 어긋난 것으로 판단할 수 있다. 예를 들어, B 영역과 C 영역 사이에 위치한 제 3 반사 수단(4130)을 통해 반사된 거리가 설정된 거리보다 짧을 경우 테스트 기판(4000)의 B 영역과 C 영역 사이에 대응되는 영역이 가스 분사부(2300)쪽으로, 즉 상측으로 높게 위치한 것으로 판단할 수 있다. 한편, 거리 측정부(1250)로부터 제 4 반사 수단(4140) 사이의 거리를 설정하여 기판과 기판 안치부(2200) 사이의 거리를 설정하는데, 측정된 세 개의 제 4 반사 수단(4140)의 거리가 설정된 거리와 다를 경우 테스트 기판(4000)의 적어도 일 영역에서의 높이가 어긋난 것으로 판단할 수 있다. 예를 들어, B 영역과 C 영역 사이에 위치한 제 4 반사 수단(4140)을 통해 반사된 거리가 설정된 거리보다 길 경우 테스트 기판(4000)의 B 영역과 C 영역 사이에 대응되는 영역이 가스 분사부(2300)쪽으로, 즉 상측으로 높게 위치한 것으로 판단할 수 있다.S150: The teaching control module 1310 of the
S160 : 새로 측정된 거리가 이전에 설정된 거리와 다를 경우 이를 이송 좌표 저장부(1320)에 저장한다. 즉, 이송 좌표 저장부(1320)은 이전 설정된 좌표를 새롭게 측정된 좌표로 수정할 수 있다. 제어 모듈(1330)은 이송 좌표 저장부(1320)에 저장된 이송 좌표를 이용하여 이송 로봇(1200)의 이동을 제어할 수 있다.
S160: When the newly measured distance is different from the previously set distance, the measured distance is stored in the transfer coordinate storage unit 1320. That is, the transfer coordinate storage unit 1320 may modify the previously set coordinates to newly measured coordinates. The
본 발명의 기술적 사상은 상기 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
Although the technical idea of the present invention has been specifically described according to the above embodiments, it should be noted that the above embodiments are for explanation purposes only and not for the purpose of limitation. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention.
1000 : 이송부 1100 : 이송 챔버
1200 : 이송 로봇 1300 : 제어부
2000 : 기판 처리부 2100 : 기판 처리 챔버
2200 : 기판 안치부 2300 : 가스 분사부
3000 : 로드락부 3100 : 로드락 챔버
3200 : 기판 수납부 3300 : 기판 출입부1000: transfer unit 1100: transfer chamber
1200: transfer robot 1300: control unit
2000: substrate processing unit 2100: substrate processing chamber
2200
3000: load lock unit 3100: load lock chamber
3200: substrate storage part 3300: substrate entrance part
Claims (17)
상기 테스트 기판을 이송하는 이송 로봇; 및
상기 복수의 반사 수단에 광을 조사하고 그로부터 반사된 광을 수광하여 상기 테스트 기판의 임의의 영역의 거리를 측정하는 거리 측정부를 포함하는 티칭 장치.
A test substrate provided with a plurality of reflecting means;
A transfer robot for transferring the test substrate; And
And a distance measuring unit for irradiating light to the plurality of reflecting means and receiving light reflected therefrom to measure a distance of an arbitrary region of the test substrate.
The teaching apparatus of claim 1, wherein the distance measuring unit is provided in one region of the transfer robot.
The teaching apparatus of claim 1, further comprising a through hole formed in the test substrate.
상기 광을 상기 거리 측정부로 재반사시키는 적어도 하나의 제 1 반사 수단;
상기 거리 측정부와 기판 처리 챔버의 측벽 사이에서 상기 광을 반사시키는 적어도 하나의 제 2 반사 수단;
상기 거리 측정부와 가스 분사기 사이에서 상기 광을 반사시키는 적어도 하나의 제 3 반사 수단; 및
상기 거리 측정부와 기판 안치부 사이에서 상기 광을 반사시키는 적어도 하나의 제 4 반사 수단중 적어도 어느 하나를 포함하는 티칭 장치.
The method of claim 3, wherein the plurality of reflecting means,
At least one first reflecting means for reflecting the light back to the distance measuring unit;
At least one second reflecting means for reflecting the light between the distance measuring part and the sidewall of the substrate processing chamber;
At least one third reflecting means for reflecting the light between the distance measuring part and the gas injector; And
And at least one of at least one fourth reflecting means for reflecting the light between the distance measuring portion and the substrate settlement portion.
The teaching apparatus of claim 5, wherein the fourth reflecting means reflects the light through the through hole between the distance measuring part and the substrate settling part.
The teaching apparatus of claim 4, wherein the distance measuring unit irradiates light onto one sidewall of the substrate processing chamber and receives the light reflected therefrom.
상기 이송부와 접속되어 기판을 처리하는 적어도 하나의 기판 처리부;
상기 이송부와 접속되어 상기 기판을 수납하는 로드락부; 및
상기 기판의 위치를 티칭하는 티칭 장치를 포함하고,
상기 티칭 장치는,
복수의 반사 수단 및 관통홀이 마련된 테스트 기판;
상기 이송부 내에 마련되어 상기 테스트 기판을 이송하는 이송 로봇; 및
상기 이송 로봇에 마련되고 상기 복수의 반사 수단에 광을 조사하고 그로부터 반사된 광을 수광하여 상기 테스트 기판의 임의의 영역의 거리를 측정하는 거리 측정부를 포함하는 기판 처리 장치.
A transfer unit transferring a substrate;
At least one substrate processing unit connected to the transfer unit to process a substrate;
A load lock part connected to the transfer part to receive the substrate; And
Teaching device for teaching the position of the substrate,
The teaching device,
A test substrate provided with a plurality of reflecting means and a through hole;
A transfer robot provided in the transfer unit to transfer the test substrate; And
And a distance measuring unit provided in the transfer robot and configured to measure the distance of any region of the test substrate by irradiating light onto the plurality of reflecting means and receiving light reflected therefrom.
반응 공간을 마련하는 기판 처리 챔버;
상기 기판 처리 챔버 내에 마련되어 상기 기판을 안치하는 기판 안치부; 및
상기 기판 처리 챔버 내에 마련되어 원료 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 기판 처리 장치.
The method of claim 8, wherein the substrate processing unit,
A substrate processing chamber providing a reaction space;
A substrate placing part provided in the substrate processing chamber to hold the substrate; And
And a gas supply unit provided in the substrate processing chamber to supply raw material gas.
상기 광을 상기 거리 측정부로 재반사시키는 적어도 하나의 제 1 반사 수단;
상기 거리 측정부와 상기 기판 처리 챔버의 측벽 사이에서 상기 광을 반사시키는 적어도 하나의 제 2 반사 수단;
상기 거리 측정부와 상기 가스 분사기 사이에서 상기 광을 반사시키는 적어도 하나의 제 3 반사 수단; 및
상기 거리 측정부와 기판 안치부 사이에서 상기 광을 반사시키는 적어도 하나의 제 4 반사 수단중 적어도 어느 하나를 포함하는 기판 처리 장치.
The method of claim 9, wherein the plurality of reflecting means,
At least one first reflecting means for reflecting the light back to the distance measuring unit;
At least one second reflecting means for reflecting the light between the distance measuring part and the sidewall of the substrate processing chamber;
At least one third reflecting means for reflecting the light between the distance measuring unit and the gas injector; And
And at least one of at least one fourth reflecting means for reflecting the light between the distance measuring part and the substrate mounting part.
The substrate processing apparatus of claim 10, wherein the test substrate is transferred into the substrate processing unit before starting processing of the processing substrate or during processing of the processing substrate.
The substrate processing apparatus of claim 11, wherein the test substrate is transferred into the substrate processing unit under the same conditions as the processing conditions of the processing substrate.
The method of claim 12, wherein the transfer coordinates of the test substrate placed on the substrate setter are set, the distance reflected by the plurality of reflecting means and incident to the distance measuring unit is measured, and the measured reflection distance is And a control unit for comparing the transport coordinates and correcting the transport coordinates accordingly.
상기 테스트 기판을 기판 처리부 내로 이송하는 단계;
상기 테스트 기판의 상기 복수의 반사 수단으로 광을 조사하는 단계; 및
상기 복수의 반사 수단으로부터 재반사되어 입사되는 광을 이용하여 상기 테스트 기판과 상기 기판 처리부의 각 영역 사이의 거리를 측정하는 단계를 포함하는 티칭 방법.
Providing a test substrate provided with a plurality of reflecting means thereon;
Transferring the test substrate into a substrate processing unit;
Irradiating light onto the plurality of reflecting means of the test substrate; And
And measuring a distance between the test substrate and each region of the substrate processing unit by using the light incident back from the plurality of reflecting means.
The teaching method of claim 14, wherein the test substrate is transferred into the substrate processing portion before starting processing of the processing substrate or during processing of the processing substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120047499A KR20130123952A (en) | 2012-05-04 | 2012-05-04 | Teaching apparatus and substrate processing apparatus having the same and teaching method |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120047499A KR20130123952A (en) | 2012-05-04 | 2012-05-04 | Teaching apparatus and substrate processing apparatus having the same and teaching method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130123952A true KR20130123952A (en) | 2013-11-13 |
Family
ID=49853070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120047499A Ceased KR20130123952A (en) | 2012-05-04 | 2012-05-04 | Teaching apparatus and substrate processing apparatus having the same and teaching method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20130123952A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102394037B1 (en) * | 2021-04-01 | 2022-05-06 | 주식회사 써치앤델브 | Method for determining the location of the process wafer entering the wafer cassette using the testing wafer |
| KR20230005222A (en) * | 2020-04-17 | 2023-01-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Apparatus, systems and methods for measuring edge ring distance for thermal processing chambers |
-
2012
- 2012-05-04 KR KR1020120047499A patent/KR20130123952A/en not_active Ceased
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20230005222A (en) * | 2020-04-17 | 2023-01-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Apparatus, systems and methods for measuring edge ring distance for thermal processing chambers |
| KR102394037B1 (en) * | 2021-04-01 | 2022-05-06 | 주식회사 써치앤델브 | Method for determining the location of the process wafer entering the wafer cassette using the testing wafer |
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| PA0109 | Patent application |
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| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20151230 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20150826 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |